CN109801857A - 旋涂机以及具有该旋涂机的基板处理设备和系统 - Google Patents

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Abstract

提供了一种旋涂机以及具有该旋涂机的基板处理设备和系统。所述旋涂机包括：可旋转吸盘结构，所述可旋转吸盘结构被配置成保持基板；凹腔，所述凹腔围绕所述基板并且将所述基板周围的流体的流引导到所述凹腔的底部；以及流控制器，所述流控制器可拆卸地联接于所述凹腔，使得所述流控制器布置在所述基板的边缘与所述凹腔之间并且将所述流分成直线流和非直线流。

Description

旋涂机以及具有该旋涂机的基板处理设备和系统
相关申请的交叉引用
本申请要求于2017年11月17日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2017-0154316的优先权，该韩国专利申请的内容以引用方式全部并入本文中。
技术领域
本发明构思的示例性实施例涉及旋涂机和具有该旋涂机的基板处理设备和系统，并且更具体地，涉及用于在旋转基板上形成光致抗蚀剂层的光致抗蚀剂旋涂机和具有该旋涂机的基板处理设备和系统。
背景技术
光刻工艺已经被广泛的用于在用于半导体器件的基板上和用于平板装置的玻璃基板上形成各种图案。
一般的光刻工艺可以包括用于在基板上涂覆感光材料以在基板上形成感光层的涂覆工艺、使用光掩模(reticle)将感光层暴露于光的曝光工艺和用于将曝光后的感光层显影成电路图案的显影工艺。
通常，通过将感光材料供应到旋转基板上达足够厚度的旋涂技术来进行涂覆工艺。在这种情况下，可以通过改变基板的旋转速度来控制感光层的厚度。
在这种情况下，由于感光材料通常是粘性的并且基板以足够速度旋转，因此供应到基板中心部的感光材料的颗粒通常散布在基板的表面上并且从中心部流向边缘部。从基板的边缘部离开的感光材料被从涂覆设备排出。出于这些原因，当感光材料的颗粒在涂覆设备的边缘部从基板离开时，通常飞溅并碰撞到围绕基板的涂覆设备的凹腔(bowl)上，随后返回到基板上。另外，感光材料常常在基板的边缘部周围回旋地流动并且流回到基板，从而污染基板上的感光层。
另外，经过涂覆设备的空气连同感光材料的流速随着感光材料从基板的中心部流动到边缘部而降低，因此中心部和边缘部之间的速度差，导致在边缘部处形成的感光层厚得多。
发明内容
本发明构思的至少一个示例性实施例提供了一种旋涂机，该旋涂机具有可拆卸地插入在凹腔的表面和基板的边缘部之间的流控制器。
本发明构思的至少一个示例性实施例提供了一种具有以上旋涂机的基板处理设备。
本发明构思的至少一个示例性实施例提供了一种具有以上基板处理设备的基板处理系统。
根据本发明构思的示例性实施例，提供了一种旋涂机，所述旋涂机包括：可旋转吸盘结构，所述可旋转吸盘结构被配置成保持基板；凹腔，所述凹腔围绕所述基板并且被配置成将所述基板周围的流体的流引导到所述凹腔的底部；以及流控制器，所述流控制器可拆卸地联接于所述凹腔，所述流控制器布置在所述基板的边缘与所述凹腔之间，以将所述流分成直线流和非直线流。
根据本发明构思的示例性实施例，提供了一种基板处理设备，所述基板处理设备包括：壳体，所述壳体具有被配置成接纳基板的出入口；流发生器，所述流发生器布置在所述壳体的顶部处，并且产生从所述壳体的所述顶部下降到底部的气流；化学品供应器，所述化学品供应器被配置成将化学品供应到所述基板上；以及旋涂机，所述旋涂机被固定于所述壳体的底部，以将所述化学品涂覆在所述基板上。所述旋涂机包括：可旋转吸盘结构，所述可旋转吸盘结构被配置成保持所述基板；凹腔，所述凹腔围绕所述基板并且被配置成将所述基板周围的所述化学品的化学品流和所述气流引导到所述凹腔的底部；以及流控制器，所述流控制器可拆卸地联接于所述凹腔，使得所述流控制器布置在所述基板的边缘与所述凹腔之间，以将所述化学品流和所述气流分成直线流和非直线流。
根据本发明构思的示例性实施例，提供了一种基板处理系统，所述基板处理系统包括：载体单元，所述载体单元被配置成接纳其中保持有多个基板的基板载体；基板处理设备，所述基板处理设备具有用于在所述多个基板中的固定于可旋转吸盘的一个基板上形成涂覆层的旋涂机；以及传送单元，所述传送单元被配置成将所述一个基板在所述载体单元与所述基板处理设备之间传送。所述旋涂机包括凹腔和流控制器，所述凹腔围绕所述可旋转吸盘，所述流控制器布置在所述基板与所述凹腔之间，以将涂覆化学品的化学品流和气流分成流速相对较高的直线流和流速相对较低的非直线流。
根据本发明构思的示例性实施例，提供了一种旋涂机，所述旋涂机包括：可旋转吸盘结构，所述可旋转吸盘结构被配置成保持基板；凹腔，所述凹腔围绕所述可旋转吸盘结构；第一环，所述第一环可拆卸地联接于所述凹腔的上部；第二环，所述第二环围绕所述可旋转吸盘结构；以及连接件，所述连接件将所述第二环连接于所述第一环。
根据本发明构思的示例性实施例，流控制器按化学品流被分成流速相对较高的直线流和流速相对较低的非直线流这样的配置，布置在凹腔的侧壁与基板的边缘之间的流空间中。因此，可以充分防止化学品流在基板边缘处的流损失，从而充分防止化学品和边缘胶滴沉淀在基板边缘处。另外，可以通过流控制器充分防止在凹腔底部周围的化学品流的涡流，以便可以防止光致抗蚀剂流的微小颗粒返回到基板上的涂层上，从而由于涡流减少使涂层受颗粒的污染最小化。
特别地，流控制器可以在没有任何附加组合工具的情况下通过将主体手动接合到凹腔的上部来与凹腔可拆卸地联接，从而便于凹腔与流控制器的组合。可以在单个注塑成型工艺中同时制造流控制器和凹腔，从而便于流控制器的制造以及流控制器与凹腔的组合。
附图说明
通过参照附图详细描述本发明构思的示例性实施例，本发明构思将变得更显而易见，在附图中：
图1是例示了根据本发明构思的示例性实施例的旋涂机的结构视图；
图2是图1中示出的旋涂机的部分A的放大视图；
图3是例示了图2中示出的旋涂机的部分A的立体图；
图4是例示了图3中示出的流控制器的立体图；
图5是示出了针对配置表中的每个板件的在基板边缘处的气流的流速的曲线图；
图6是例示了具有根据本发明构思的示例性实施例的图1中示出的旋涂机的基板处理设备的结构视图；以及
图7是例示了具有根据本发明构思的示例性实施例的图6中示出的基板处理设备的基板处理系统的立体图。
具体实施方式
现在，将参照附图中例示的本发明构思的示例性实施例，其中，相似的附图标记始终表示相似的组件。
图1是例示了根据本发明构思的示例性实施例的旋涂机(例如，旋涂装置)的结构视图。图2是图1中示出的旋涂机的部分A的放大视图。图3是例示了图2中示出的旋涂机的部分A的立体图，图4是例示了图3中示出的流控制器的立体图。
参照图1至图4，根据本发明构思的示例性实施例的旋涂机500包括：可旋转吸盘结构100，基板W可固定到该吸盘结构100上；凹腔200，该凹腔200围绕(例如，环绕)基板W并且将基板W周围的流引导到其底部；以及流控制器300，该流控制器300以使得流控制器300布置在凹腔200的侧壁与基板W的边缘E之间这样的配置与凹腔200可拆卸地联接。流控制器300可以将流分成流速相对较高的直线流LF和流速相对较低的非直线流NLF。可旋转吸盘结构100可以包括用于保持基板W的平台。
例如，可旋转吸盘结构100包括其上固定有基板W的可旋转吸盘110(例如，平台)和与可旋转吸盘110联接的支撑柱120。可以向可旋转吸盘结构100施加外部电力P，以使可旋转吸盘110在特定方向上旋转。可旋转吸盘110可以与接收外部电力P的可旋转吸盘结构100内的电机的轴连接。可以通过静电力或机械力将基板W固定于可旋转吸盘110。支撑柱120可以在外部电力P的作用下旋转，因此吸盘110也可以在支撑柱120的作用下旋转。可以涂覆在旋涂机500中的基板W上的层的厚度可以根据吸盘110的旋转速度而变化。
在示例性实施例中，支撑柱120被配置成竖直地向上或向下移动，以使吸盘110能够在旋涂机500中向上或向下移动。当基板W被装载到旋涂机500中时，吸盘110在支撑柱120的作用下向上移动到装载部，并且基板W可以定位在吸盘110上并且利用静电力或机械力固定于吸盘110。当基板W充分固定于吸盘110时，吸盘110在支撑柱120的作用下向下移动到凹腔200中的加工位置。然后，在凹腔200中的基板W上执行旋涂工艺。
例如，凹腔200可以以凹腔200的上部敞开并且排出管线210与凹腔200的下部连接这样的配置被成形为敞口杯。带有基板W的吸盘110可以设置在凹腔200的下部处。因此，吸盘110和基板W可以设置在凹腔200中的加工部分处，这样基板W被凹腔200的侧壁围绕。
可以在凹腔200下方设置压力构件(未示出)，以迫使凹腔200中的空气从凹腔200的上部向下流动。因此，供应到基板W上的涂覆化学品可以沿着凹腔200中的气流AF的方向流向排出管线210。
空气可以在凹腔200的上部处被供应到凹腔200中，并且压力构件可以迫使空气在凹腔200中向下流动，由此在凹腔200中形成下降气流。当在凹腔200中的下降气流的影响下将涂覆化学品供应到旋转基板W上时，涂覆化学品会由于基板W的旋转而沿着基板W的整个表面散布，并且会由于下降气流AF而被引导到排出管线210。因此，被供应到旋转基板W上的涂覆化学品可以通过排出管线210从凹腔200排出。
涂覆化学品可以在凹腔200中的基板W上流动，并且可以通过化学品流(chemicalflow)用涂覆化学品涂覆基板W的表面，从而在基板W上形成涂覆层(未示出)。涂覆化学品可以顺着凹腔200中的气流AF通过凹腔200的侧壁与基板W的边缘E之间的流控制器300的流空间离开基板W。也就是说，化学品流和气流可以被向下引导通过凹腔200中的流控制器300。
下降气流AF可以被流控制器300分成直线流NF和非直线流NLF。直线流NF的流速可以大于非直线流NLF的流速。由于涂覆化学品流与气流AF一起在基板W上流动并且从基板W离开，因此化学品流在边缘E处离开基板W时其流速会增大，从而防止在基板W边缘E处的涂覆层的厚度增大。另外，由于在基板W的边缘E周围的流空间中可以充分防止化学品流的涡流，因此可以充分防止化学品回流到基板W上，从而防止基板W上的涂覆层上有颗粒缺陷。
例如，流控制器300可以布置在凹腔200的侧壁与基板W的边缘E之间的流空间中，使得流空间的形状被流控制器300改变。因此，通过改变凹腔200中的流空间，可以使气流AF的流动特性变化，使得气流AF的流动特性受到流控制器300的控制。由于化学品的化学品流可以顺着气流AF通过排出管线210从凹腔200排出，因此化学品流的流动特性也受到流控制器300的控制。也就是说，流控制器300可以通过改变气流AF的流动特性来控制涂层的质量。
在本发明构思的示例性实施例中，流控制器300包括：主体310，其被成形为环(例如，第一环)并且与凹腔200的上部UB可拆卸地联接；控制板330，其被成形为围绕基板W的环(第二环)；以及多个连接件320，其与主体310和控制板330连接。在示例性实施例中，控制板330的第一边缘330a比基板W的上表面高，并且控制板330的第二边缘330b比基板W的下表面低。在实施例中，连接件320在主体310和控制板330之间以相同的间隔布置。气流AF可以通过控制板330分成直线流NF和非直线流NLF。
主体310可以用作将控制板330与凹腔200的上部UB组合的基座结构。因此，主体310的配置和形状可以根据凹腔200的配置和形状而变化。
例如，主体310包括上部311、接合部312和导流件313。在本发明构思的示例性实施例中，主体310的上表面BS与凹腔200的上表面UBS共面。在示例性实施例中，突出部311a从上部311的上表面BS向上突出。因此，突出部311a可以比凹腔200的上表面UBS和主体310的上表面BS高。接合部312可以设置在上表面BS下方，并且主体310可以通过接合部312联接于凹腔200。在本发明构思的示例性实施例中，主体310包括被成形为在突出部311a和接合部312之间延伸的曲线的导流件313。例如，导流件313可以相对于基板W成形为凸曲线。
在本发明构思的示例性实施例中，上表面UBS的一些向下凹陷，并且为凹腔200设置用于接纳接合部312的接纳器R(例如，容器)。例如，接合部312可以被成形为台阶部，并且凹腔200的接纳器R可以被成形为与接合部312的台阶部互补的反向台阶部。因此，凹腔200和主体310可以通过接纳器R和接合部312的接合而彼此联接。例如，接纳器R和接合部312可以被配置成彼此配合。
可以在没有任何附加组合工具的情况下，仅仅通过手动接合接纳器R和接合部312的互补形状来便于凹腔200与主体310的联接，由此便于凹腔与主体310的组合。
主体310可以沿着凹腔200的径向方向通过过盈配合(interference fit)与凹腔200联接，因此当化学品流的涡流在基板W和凹腔200之间的流空间中向上流向主体310时，防止了主体310因化学品流的涡流而与凹腔200分离。化学品流的涡流的阻力会在流控制器300的作用下减弱，并且化学品流的涡流会被引导到排出管线210。
在本发明构思的示例性实施例中，接合部312按凹腔200的上表面UBS与主体310的上表面BS共面这样的配置与凹腔200联接。因此，凹腔200的半径会因主体310而减小。
在实施例中，突出部311a设置在主体310的内侧端部并且沿着凹腔200的周缘线延伸为环形，因此凹腔200的上表面UBS与主体310的上表面BS通过突出部311a与凹腔200的空间分离。
在示例性实施例中，突出部311a的外表面被配置成从主体310的上表面BS竖直延伸的竖直表面，并且突出部311a的内表面如同导流件313的第一曲面CS1一样成形。也就是说，由于突出部311a，导流件313可以延伸超过主体310的上表面BS，使得化学品流的涡流的流动路径延伸超过主体310的上表面BS。
在示例性实施例中，与突出部311a的内表面相对应的导流件313的顶部按导流件313的正交投影与主体310的上表面BS交叠这样的配置延伸超过主体310的上表面BS。
因此，当化学品流的涡流沿着导流件313流向突出部311a的顶部时，化学品可以溢流到主体310的上表面BS，而不是返回到基板W。因此，可以防止化学品流的涡流中的微小颗粒被供应到基板W的边缘E上，从而防止涂层被微小颗粒污染。
当导流件313被成形为相对于基板W的凸曲线时，气流AF和涂覆材料的化学品流可以作为非直线流NLF沿着第一曲面CS2朝向排出管线210流动。
如下文中详细描述地，当导流件313的下部毗邻接合部312弯曲并且面对导流件313的控制板330的上表面被成形为相对于基板W的凹曲线时，沿着导流件313的气流AF和化学品流可以朝向环绕排出管线210的凹腔200的内表面扩散。因此，可以充分地防止在控制板330的第二边缘330b周围的化学品流的涡流。
例如，控制板330可以与基板W的边缘E间隔开，并且可以被成形为围绕基板W的环。在示例性实施例中，控制板330的面对基板W的内表面是平坦表面并且控制板330的面对主体310的外表面是曲面。特别地，控制板330可以设置在主体310和基板W的边缘E之间的流空间中，使得经过流空间的气流AF和化学品流的流动特性被控制板330改变。
在示例性实施例中，控制板330按第一边缘330a比基板W的表面高并且第二边缘330b比基板W的表面低这样的配置，以相对于基板W的倾斜角θ倾斜。
因此，气流AF和化学品流中的一些可以流过控制板330的内表面与基板W的边缘E之间的间隙空间，并且剩余的气流AF和化学品流可以流过控制板330的外表面与导流件313的第一曲面之间的间隙空间。因此，基板W的边缘E与导流件313之间的流动空间可以被分成控制板330的内表面与基板W的边缘E之间的第一流空间FS1和控制板330的外表面与导流件313的第一曲面之间的第二流空间FS2。控制板330的外表面(下文中被称为第二曲面CS2)和导流件313的第一曲面CS1可以彼此间隔开连接件320的长度。
在示例性实施例中，控制板330包括主体面对部331和基板面对部332，主体面对部331被成形为相对于主体310的导流件313的凸曲线并且具有第二曲面CS2。在实施例中，基板面对部332与主体面对部331整体地联接成一体。在实施例中，基板面对部332被成形为平板。主体面对部331可以面对主体310的导流件313，并且基板面对部332可以面对被固定于旋转吸盘110的基板W。
因此，第一流空间FS1设置在基板W的边缘E和基板面对部332之间，第二流空间FS2设置在导流件313和主体面对部331之间。
当基板面对部332具有平坦表面或平面时，气流AF和化学品流可以在第一流空间FS1中沿着基板面对部332的平坦表面均匀地流动。因此，第一流空间FS1可以被成形为均匀的空间，并且气流AF和化学品流可以形成为直线流LF。
由于控制板330设置在凹腔200的侧壁与基板W的边缘E之间的流空间中，因此凹腔200的侧壁与基板W的边缘E之间的间隙空间可以缩小成控制板330与基板W之间的第一间隙空间和控制板330与主体310之间的第二间隙空间。也就是说，当化学品流与气流AF一起离开基板W时，化学品流更快地离开基板W的边缘E，因为第一流空间FS1的大小小于整个流空间的大小。因此，可以充分防止化学品流在基板W的边缘E周围减速，并且可以充分防止在旋涂机500中的基板W的边缘E处发生化学品沉淀(通常被称为边缘胶滴缺陷(edge beaddefect))。
虽然本说明书公开了基板面对部332包括平面，但是基板面对部332也可以包括曲面，只要曲面的梯度小得足以防止第一流空间FS1中的化学品流的涡流即可。例如，基板面对部332可以凹入控制板330中，以包括用于使第一流空间FS1扩大的曲面。
在实施例中，主体面对部331被成形为相对于导流件313的凸曲线，并且具有面对导流件313的第一曲面CS1的第二曲面CS2，使得凸形的导流件313面对凸形的主体面对部331。因此，第二流空间FS2可以呈沙漏形状，其中心部变窄而两个端部都被扩大。
当涂覆化学品流入第二流空间FS2中时，化学品流可以从与第二流空间FS2的毗邻基板W的边缘E的第一端部朝向中心部逐渐加速，并且可以从第二流空间FS的中心部朝向毗邻排出管线210的第二端部逐渐减速。另外，涂覆化学品可以在第一曲面CS1和第二曲面CS2上作为非直线流NLF朝向排出管线210流动。
也就是说，涂覆化学品可以从基板W的边缘E快速流入第二流空间FS2的窄中心部中，并且可以按在第二流空间FS2的第二端部处扩散化学品流这样的方式，缓慢朝向排出管线210流出。因此，可以充分防止化学品流在离开基板W的边缘E之后碰撞凹腔200的侧壁，因此可以使旋涂机500中的化学品流的涡流最小化。
因此，与下降气流AF一起从基板W的边缘E离开的涂覆材料的化学品流可以被分成经过第一流空间FS1的直线流LF和经过第二流空间FS2的非直线流NLF。由于第一流空间FS1的大小减小，导致化学品流的直线流LF可以以相对较高的流速离开基板W的边缘E，使得充分防止了化学品流在基板的边缘E周围减速并且可以使化学品流的流动损失最小化。因此，可以使基板W的边缘E处的涂覆化学品的沉淀最小化。另外，化学品流的非直线流NLF可以沿着第一曲面CS1和第二曲面CS2作为多个流线通过，并且可以扩散到排出管线210周围。因此，可以充分防止在凹腔200的底部处的化学品流的涡流。因此，可以防止化学品流的微小颗粒返回到基板W上的涂层上，并且由于涡流减小，可以使涂层所受颗粒污染充分最小化。
也就是说，充分抑制了凹腔200的底部处的化学品流的流速和涡流或者使其最小化。由于基板W的边缘E处的边缘胶滴缺陷最小化，所以可以提高沿着基板W的整个表面的涂层的厚度均匀性。另外，可以通过流控制器300充分防止涂层受颗粒污染。
虽然由于第二流空间FS2中的下降气流AF导致可能沿着导流件313的第一曲面CS1部分地出现化学品流的涡流，但是化学品流的涡流可以沿着第一曲面CS1流过直到突出部311a的内表面，并且可以远离凹腔200的中心地溢流到主体310的上表面BS上。因此，还可以从凹腔200之中去除化学品流的意外涡流中的微小颗粒，由此防止涂层因意外涡流而导致受颗粒污染。
在实施例中，主体310和控制板330通过连接件320彼此连接。
例如，连接件320可以包括在主体310与控制板330之间以相同间隔布置的多个连杆或具有多个穿透孔的连接网。在本发明构思的示例性实施例中，连接件320包括4至8个连杆，这些连杆沿着环形主体310和控制板330的周缘线以相同的间隔布置。
在示例性实施例中，连接件320设置在导流件313和控制板330的主体面对部331彼此最毗邻的连接位置处。因此，非直线流NFL可以在第二流空间FS2中的连接位置周围具有最高的流速。
化学品流的流速可以因控制板330相对于基板W的相对位置和控制板330在流空间中的配置而变化。
控制板330相对于基板W的相对位置可以由第一边缘330a距基板W的上表面的高度h以及第一边缘330a和基板W的边缘E之间的间隙距离d来确定。另外，控制板330的布置可以由基板面对部332的倾斜角θ来确定。
因此，化学品流的流体特性可以因第一边缘330a的高度h和间隙距离d以及基板面对部332的倾斜角θ而改变。为了确定控制板330的最佳位置，针对9个板件进行流速实验，这些板件具有如以下配置表中示出的不同的高度h、间隙距离d和倾斜角θ。配置表中的每个板件设置在旋涂机500的流空间中，并且按每个板件测量基板W的边缘E处的气流AF的流速。
控制板的配置表
图5是示出了针对配置表中的每个板件的基板边缘处的气流的流速的曲线图。
如图5中所示，气流的流速更大程度上是由高度h而非间隙距离d和倾斜角θ决定性地确定的。因此，首先选择在其处测得的气流流速最高的高度h作为控制板330的最佳高度，然后，在选择控制板330的高度作为最佳高度的情况下，其次可以确定在其处测得的气流流速最高的间隙距离d和倾斜角度θ为控制板330的最佳间隙距离和最佳倾斜角。
在示例性实施例中，控制板330的高度h在大约1mm至大约2mm的范围内，间隙距离d在大约3mm至大约4mm的范围内，而控制板330相对于基板W倾斜的倾斜角θ在大约50°至大约55°的范围内。
根据旋涂机500的示例性实施例，流控制器300布置在基板W的边缘E与凹腔200之间。因此，涂覆化学品的化学品流被分成在基板W的边缘E周围流速相对高的直线流LF和在凹腔200的底部处流速相对小的非直线流NLF。因此，可以防止化学品流在第一流空间FS1中的基板W的边缘E处减速。此外，可以充分防止基板W的边缘E处的边缘胶滴缺陷。另外，作为多个流线经过第二流空间FS2的非直线流NLF可以扩散到排出管线210周围，使得可以充分防止在凹腔200的底部处的化学品流的涡流。因此，可以防止化学品流的微小颗粒返回到基板W上的涂层上，并且由于涡流减少，可以使涂层所受颗粒污染最小化。
另外，流控制器300可以在没有任何附加组合工具的情况下仅通过将主体310手动接合到凹腔200的上部来与凹腔200可拆卸地联接，由此便于凹腔200和流控制器300的组合。
图6是例示了具有根据本发明构思的示例性实施例的图1中示出的旋涂机的基板处理设备的结构视图。
参照图6，根据本发明构思的示例性实施例的基板处理设备1000包括旋涂机500、壳体600、流发生器700、斜面清洁器800和化学品供应器900。
在本发明构思的示例性实施例中，基板处理设备1000包括用于通过使用光致抗蚀剂溶液作为化学品的涂覆工艺在基板上形成光致抗蚀剂层的设备。然而，可以在基板处理设备中使用其他化学品以及光致抗蚀剂溶液，只要化学品被供应到旋转基板上即可。
例如，壳体600可以被成形为其中具有充分内部空间的圆柱形或矩形管。可以在壳体600的侧面设置出入口(gate)610。通过出入口610，可以把将被应用旋涂工艺的基板W装载到壳体600中，并且可以从壳体600中卸载已被完成旋涂工艺的基板W。可以在出入口610中安装出入口门(gate door)(未示出)。当将基板W装载到壳体600中时，可以将出入口门关闭，使得壳体600的内部空间与周围环境隔离开。也就是说，壳体600的内部空间可以被形成为封闭空间CS。
在实施例中，在壳体600的底部处布置外部排放孔620和内部排放孔630。壳体600的封闭空间CS中的下降流可以通过外部排放孔620和内部排放孔630被排放到周围环境。诸如泵这样的外部排放装置可以连接于排放孔620和630，使得通过外部排放装置在封闭空间CS中产生下降流。泵可以使用抽吸通过排放孔620和630移动流体。
流发生器700可以布置在壳体600的顶部处，并且将清洁空气供应到壳体600的封闭空间CS中。流发生器可以将清洁空气注入封闭空间CS中，并且清洁空气可以向下流向壳体600的底部。外部排放装置可以迫使清洁空气向下流向排放孔620和630，使得清洁空气形成为从壳体600的顶板到底部的下降流。
例如，流发生器700可以包括空气过滤器710、空气管线720和空气风扇730。空气可以经由空气管线720从外部空气源(未示出)供应到壳体600。空气过滤器710可以被安装在空气管线720中。因此，空气中的污染物或杂质可以被空气过滤器710过滤掉，以产生清洁空气，然后清洁空气可以被供应到壳体600中。在示例性实施例中，清洁空气具有足以符合制造半导体器件的标准要求的清洁等级。
可以用风扇730迫使清洁空气进入壳体600中。例如，风扇730可以布置在壳体600的顶部的中心部处，并且可以强有力地将清洁空气向下注入壳体600的封闭空间CS中。因此，清洁空气可以作为下降气流AF从壳体600的顶部向下流动。
用于在基板W上形成光致抗蚀剂层的旋涂机500可以布置在壳体600的底部处。旋涂机500可以被布置成面向壳体600中的流发生器700。旋涂机500可以具有与图1中示出的旋涂机基本上相同的结构和配置。在图6中，相同的附图标记表示图1中的相同元件。
例如，旋涂机500可以包括：可旋转吸盘结构100，基板W被固定在其上；凹腔200，其围绕基板W并且将气流AF向下引导到凹腔200的底部；以及流控制器300，其按使得流控制器300布置在凹腔200的侧壁与基板W的边缘E之间并且气流AF被流控制器300分成直线流LF和非直线流NLF这样的配置与凹腔200可拆卸地联接。
可旋转吸盘结构100可以被固定于壳体600的底部。基板W可以被固定于可旋转吸盘结构100，并且可以根据可旋转吸盘结构100的旋转而旋转。
例如，可旋转吸盘结构100可以包括：可旋转吸盘110，基板W被固定在其上并且以预定旋转速度进行旋转；支撑柱120，其与可旋转吸盘110联接并且将驱动动力传递到可旋转吸盘110；以及外部动力源130，其用于产生驱动动力。
可旋转吸盘110可以包括盘(例如，充当平台)，盘的半径小于基板W的半径并且基板W可以被固定于可旋转吸盘110。可旋转吸盘110可以包括基板W在静电力的作用下被固定在其上的静电吸盘或基板W在真空力的作用下被固定在其上的真空吸盘。
支撑柱120可以从可旋转吸盘110向下延伸，并且可以连接于外部动力源130。因此，从动力源130产生的驱动动力可以经由支撑柱120被传递到吸盘110。例如，支撑柱120可以竖直地向上或向下移动，并且可以相对于其轴旋转，使得吸盘110根据支撑柱120的竖直移动而升高或降低并且根据支撑柱120的旋转而旋转。在示例性实施例中，动力源包括电动机。
例如，凹腔200可以被成形为敞口杯，并且可以在凹腔200中设置接纳空间。凹腔200可以被安装在壳体600的底部上，并且可旋转吸盘结构100可以被接纳在凹腔200的接纳空间中。因此，固定于可旋转吸盘110的基板W可以被凹腔200的侧壁围绕。
例如，凹腔200可以包括外凹腔210和内凹腔220。外凹腔210可以包括外侧壁212和底壁214并且可以围绕可旋转吸盘结构100。内凹腔220可以设置在基板W下方，并且可以包括倾斜壁222。在实施例中，倾斜壁222朝向基板W的边缘E向上倾斜。
外侧壁212可以被成形为围绕吸盘结构100的环，并且底壁214可以被成形为连接于环形外侧壁212的盘。底壁214可以从外侧壁212的下部朝向凹腔200的中心部延伸，使得凹腔200的接纳空间由底壁214限定。
可以在底壁214处设置化学品排出管线230和内部排放孔630。涂覆材料的化学品可以通过化学品排出管线230被排出，并且可以被再循环系统(未示出)收集。下降气流AF可以从凹腔200的上部流入外凹腔210中，并且可以经由内部排放孔630被排出到周围环境。
内凹腔220可以被插入外侧壁212和吸盘结构100之间，并且可以被成形为围绕支撑柱120和可旋转吸盘110的环。因此，内凹腔220的中心轴可以与外凹腔210的中心轴相同，并且其半径可以比外凹腔210的半径小。倾斜壁222可以作为从底壁214朝向基板W的边缘E向上倾斜的倾斜细长构件设置在基板W下方的底壁214上。因此，底壁214和倾斜壁222可以构成内凹腔220。在实施例中，内凹腔220被成形为截头倒锥形。
引导构件224连接于倾斜壁222的顶部。在实施例中，引导构件224朝向化学品排出管线230向下倾斜。例如，引导构件224可以沿着内凹腔220的周缘线成形为倾斜盘。因此，通过引导构件224将经过基板W的边缘E和流控制器300之间的流空间的气流和化学品流引导到外凹腔210。
内排放孔630可以被倾斜壁222和引导构件224的组合覆盖。因此，可以防止涂覆材料的化学品通过内部排放孔630排出。
在实施例中，斜面清洁器800布置在基板W下方的倾斜壁222上，以将清洁溶液注入基板W的边缘E。清洁溶液可以用于从基板W去除边缘胶滴。也就是说，当已完成应用于基板W的光致抗蚀剂涂覆工艺时，可以将清洁溶液注入基板W的边缘E，由此执行边缘胶滴去除(EBR)工艺。
斜面清洁器800可以包括至少一个清洁喷嘴。该至少一个清洁喷嘴可以朝向基板W的边缘E设置在倾斜壁222上。例如，一对清洁喷嘴可以相对于内凹腔220的中心轴对称布置在倾斜壁222上。
清洁管线可以通过与支撑柱120相邻的底壁214连接于清洁喷嘴，并且清洁溶液可以经由清洁管线被供应到清洁喷嘴。边缘胶滴可以溶解在清洁溶液中并且被从基板W的边缘E去除。例如，清洁溶液可以包括用于溶解半固结的光致抗蚀剂材料的有机溶剂。包括溶解的边缘胶滴的清洁溶液可以被引导到外凹腔210，并且可以通过化学品排出管线230从旋涂机500排出。
外凹腔210和内凹腔220之间的接纳空间可以被设置为化学品和包括溶解的边缘胶滴的清洁溶液的收集空间GS。
当光致抗蚀剂材料被应用于基板W时，由于基板W旋转，光致抗蚀剂材料可以在基板W的整个表面上展开。光致抗蚀剂流可以顺着下降气流AF通过凹腔200的上部UB和基板W的边缘E之间的流空间在边缘E处离开基板W。收集空间GS中的光致抗蚀剂流可以通过化学品排出管线230从旋涂机500排出，并且可以被化学品回收系统(未示出)收集。另外，收集空间GS中的空气可以通过内排放孔630从旋涂机500排出到周围环境。
流控制器300可以设置在凹腔200的上部UB和基板W的边缘E之间的流空间FS中。光致抗蚀剂流和气流AF可以被流控制器300分成流速相对较高的直线流FL和流速相对较低的非直线流NFL。
在示例性实施例中，流控制器300包括：主体310，其被成形为与凹腔200的上部UB可拆卸地联接的环；控制板330，其被插入主体310和基板W之间，并且将流空间分成环绕基板W的第一流空间FS1和环绕主体310的第二流空间FS2；以及连接件320，其将控制板330连接于主体310。直线流LF经过第一流空间FS1，非直线流NLF经过第二流空间FS2。
流控制器300可以具有与图1中示出的流控制器基本上相同的结构，因此在下文中将省略关于流控制器300的任何其他详细描述。
控制板330的基板面对部332可以具有与引导构件224平行的平坦表面，因此空气和化学品可以作为直线流均匀地流过第一流空间FS1。
由于第一流空间FS1的大小小于整个流空间FS，因此光致抗蚀剂材料流更快速地离开基板W的边缘E。因此，可以充分防止化学品流在基板W的边缘E周围减速，并且在旋涂机500中可以防止化学品沉淀在边缘E处。另外，化学品流的非直线流NLF可以作为多个流线沿着第一曲面CS1和第二曲面CS流动，并且可以扩散到排出管线210周围。因此，可以充分防止在凹腔200的底部处的化学品流的涡流。因此，可以防止化学品流的微小颗粒返回到基板W上的涂层上，并且由于涡流减小可以使涂层所受颗粒污染充分最小化。
在实施例中，化学品供应器900布置在旋涂机500上方，因此光致抗蚀剂材料可以被从化学品供应器900应用到基板。例如，化学品供应器900可以包括用于注入光致抗蚀剂溶液的第一喷嘴910和用于注入稀释溶液的第二喷嘴920。光致抗蚀剂溶液可以被从外部化学品储存器供应到第一喷嘴910，并且稀释溶液也可以被从另一个外部化学品储存器供应到第二喷嘴920。
可以通过涂覆光致抗蚀剂材料的第一步骤和从基板W的边缘E去除边缘胶滴的第二步骤来执行在基板W上形成光致抗蚀剂层的涂覆工艺。
在实施例中，光致抗蚀剂溶液被从第一喷嘴910注入到基板W的中心部上，并且因基板W的旋转，在基板W的整个表面上展开。当光致抗蚀剂溶液被充分应用于基板W时，第一喷嘴910停止提供光致抗蚀剂溶液。第一喷嘴910可以移动到备用区域。此后，将第二喷嘴920设置在基板W的中心部上方。然后，第二喷嘴920将稀释溶液注入到基板W上，以稀释光致抗蚀剂材料。因此，可以在基板W上形成光致抗蚀剂层。
因此，环绕基板W的边缘E的光致抗蚀剂流的流速能够保持在足够高的水平，并且通过流控制器300可以充分防止在凹腔200的底部周围的光致抗蚀剂流的涡流。因此，可以使边缘E处的光致抗蚀剂材料的沉淀最小化并且可以防止光致抗蚀剂流的微小颗粒返回到基板W上的涂层上，从而由于涡流减少使涂层受颗粒的污染最小化。
此后，可以对基板W应用边缘胶滴去除(EBR)工艺。当光致抗蚀剂溶液离开旋转基板W时，与基板W的中心部相比，在边缘E处，光致抗蚀剂流的流速会变慢。因此，光致抗蚀剂材料可以沉积在基板W的边缘E上，所以光致抗蚀剂层在基板W的边缘处形成得比其他部分厚(就像胶滴一样)。当启动EBR工艺时，第二喷嘴920可以移动到备用区域，并且可以将清洁溶液从布置在倾斜壁222上的斜面清洁器800注入到边缘胶滴上。可以从基板W的边缘E去除边缘胶滴，从而在基板W上形成光致抗蚀剂层。由于可以通过流控制器300使边缘胶滴的形成最小化，因此可以通过流控制器300充分提高EBR工艺的处理效率。
图7是例示了具有根据本发明构思的示例性实施例的图6中示出的基板处理设备的基板处理系统的立体图。光旋转器系统可以被示例性公开为图7中的基板处理系统。然而，本发明构思可以应用于任何其他基板处理系统以及光旋转器系统，只要该系统包括图1中示出的旋涂机或图6中示出的基板处理设备即可。在图7中，相同的附图标记表示图1中的旋涂机500的相同元件和图6中的基板处理设备1000的相同元件。
参照图7，根据本发明构思的示例性实施例的基板处理系统2000包括：载体单元1100，其接纳其中保持有多个基板的载体C；基板处理设备1200，其以内嵌(in-line)工艺具有在基板上形成光致抗蚀剂层的旋涂机500；以及传送单元1300，其将基板在载体和基板处理设备1200之间传送。
载体单元1100包括具有多个载体C的载体仓1110和转位(index)1120，转位1120单独从每个载体C抽出基板W并且将基板W单独地堆叠在每个载体C中的。
将要在光旋转器系统中处理的多个基板W可以被堆叠在载体C中。可以通过诸如空中传送(OHT)系统这样的自动传送系统将载体C传送到载体仓1110。另外，已经被应用光致抗蚀剂涂覆工艺的多个处理后的基板W也可以被堆叠在载体C中。可以通过自动传送系统将载体C从载体仓1110传送到另一个处理系统。
例如，载体仓1110可以包括多个接纳位置。可以通过导杆将接纳位置分离，并且载体C可以位于接纳位置处。因此，接纳位置可以按邻近载体不会彼此干扰这样的配置彼此充分分隔开。在本示例性实施例中，载体仓1110设置有四个接纳位置，四个载体同时位于载体仓1110中。载体C可以包括约25个诸如硅晶片的基板W。因此，载体仓1110可以一次接纳大约100个基板W。也就是说，光旋转器系统2000的处理能力可以是大约100个基板W。
转位1120可以单独地检测每个接纳部位中的载体C，并且从载体C单独地抽出单个基板W。然后，基板W可以通过转位1120被传送到传送单元1300。另外，可以通过传送单元1300从基板处理设备1200卸载处理后的基板W，然后传送单元1300可以将处理后的基板W传送到转位1120。然后，转位1120可以将处理后的基板W堆叠在载体仓1110中的每个载体C中。在示例性实施例中，转位1120包括在载体仓1110和传送单元1300之间移动的转位臂。
传送单元1300可以将基板W在载体单元1100和基板处理设备1200之间以及基板处理设备1200的处理单元之间传送。例如，传送单元1300可以包括延伸到基板处理设备1200的每个处理单元的传送轨道(未示出)和沿着传送轨道移动并且将基板W装载到处理单元/从处理单元卸载基板W的机械手臂(未示出)。
基板处理设备1200可以包括多个单元处理室，这些多个单元处理室顺序地布置在传送轨道中。单元处理室可以执行用于光刻工艺的单元处理。因此，可以在对应的单元处理室中顺序地执行光致抗蚀剂层的形成、应用于光致抗蚀剂层的光工艺和应用于光致抗蚀剂层的光刻工艺。也就是说，光刻工艺可以作为单个内嵌工艺在基板处理系统2000中自动且顺序地执行。可以由传送单元1300执行在单元处理室之间的基板传送。
例如，基板处理设备1200可以包括：旋涂机1210，其通过旋涂工艺在基板W上形成光致抗蚀剂层；烘干器1220，其使光致抗蚀剂层硬化；以及曝光器1230，其将硬化后的光致抗蚀剂层暴露于光。烘干器1220可以施加热，以使光致抗蚀剂层硬化。虽然未示出，但是基板处理设备1200还可以设置有显影器(未示出)。显影器可以与曝光器1230相邻地布置，并且可以使曝光后的光致抗蚀剂层显影，由此在基板W上形成光致抗蚀剂图案。
当将基板W装载到旋涂机1210中时，可以使用光致抗蚀剂溶液向基板W应用旋涂工艺，因此可以在基板W上形成光致抗蚀剂层。可以将基板W在旋涂机1210和烘干器1220之间反复更换位置，使得每当在涂覆工艺中需要进行热处理时，就向基板W应用热处理。可以用传送单元1300将涂覆有光致抗蚀剂层的基板W传送到曝光器1230，并且可以使用光掩模向光致抗蚀剂层应用曝光工艺。然后，可以用传送单元1300将带有曝光后的光致抗蚀剂层的基板W传送到显影器。光致抗蚀剂层可以在显影器中形成作为光掩模的转印(transcript)图案的光致抗蚀剂图案。
旋涂机1210可以具有与图1中示出的旋涂机500基本上相同的结构。因此，旋涂机1210可以包括插入在凹腔200的侧壁与旋转吸盘110上的基板W之间的流控制器300。与气流AF一起流向凹腔200的底部的光致抗蚀剂流可以被流控制器300分成流速相对较高的直线流LF和流速相对较低的非直线流NLF。
流控制器300可以包括：主体310，其被成形为环并且与凹腔200的上部UB可拆卸地联接；控制板330，其按第一边缘330a比基板W的上表面高并且第二边缘330b比基板W的下表面低这样的配置被成形为围绕基板W的环；以及连接件320，其与主体310和控制板330连接。
在示例性实施例中，主体310的上表面BS与凹腔200的上表面UBS共面，并且突出部311a从上表面311向上突出。因此，突出部311a可以比凹腔200的上表面UBS和主体310的上表面BS高。接合部312可以设置在上表面BS下方，并且主体310可以通过接合部312联接于凹腔200。在实施例中，主体310包括导流件313，导流件313可以被成形为在突出部311a和接合部312之间延伸的曲线。例如，导流件313可以成形为相对于基板W的凸曲线。控制板330可以包括：主体面对部331，其具有与主体310毗邻的第二曲面CS2；以及基板面对部332，其具有与基板W毗邻的平坦表面。连接件320可以包括多个连杆，这些连杆以相同间隔布置在主体310与控制板330之间。
因此，即使在基板W的边缘E周围的光致抗蚀剂流的流速没有充分减小，也可以通过流控制器300充分地防止在凹腔200的底部周围的光致抗蚀剂流的涡流。因此，可以使边缘E处的光致抗蚀剂材料的沉淀最小化并且可以防止光致抗蚀剂流中的微小颗粒返回到基板W上的涂层上。由于可以减少沉淀和涡流，因此也可以减少涂层受到的颗粒污染。
根据示例性实施例，流控制器按化学品流被分成流速相对较高的直线流和流速相对较低的非直线流这样的配置，布置在凹腔的侧壁与基板的边缘之间的流空间中。因此，可以充分防止化学品流在基板边缘处的流损失，由此充分防止化学品和边缘胶滴沉淀在基板边缘处。另外，可以通过流控制器300充分地防止在凹腔底部周围的化学品流的涡流，使得可以防止光致抗蚀剂流中的微小颗粒返回到基板W上的涂层上，从而由于涡流减少使涂层受颗粒的污染最小化。
流控制器可以通过在没有任何附加组合工具的情况下将主体手动接合到凹腔的上部来与凹腔可拆卸地联接，从而便于凹腔与流控制器的组合。可以在单个注塑成型工艺中同时制造流控制器和凹腔，从而便于流控制器的制造以及流控制器与凹腔的组合。
虽然以上已经描述了本发明构思的几个示例性实施例，但是本领域的技术人员应该容易理解，在实质上不脱离本发明的情况下，能够在示例性实施例中进行许多修改。因此，所有这些修改旨在被纳入发明的范围内。

Claims (24)

1.一种旋涂机，所述旋涂机包括：
可旋转吸盘结构，所述可旋转吸盘结构被配置成保持基板；
凹腔，所述凹腔围绕所述可旋转吸盘结构，所述凹腔被配置成将所述基板周围的流体的流引导到所述凹腔的底部；以及
流控制器，所述流控制器可拆卸地联接于所述凹腔，其中，所述流控制器布置在所述基板的边缘与所述凹腔之间并且将所述流分成直线流和非直线流。
2.根据权利要求1所述的旋涂机，其中，所述流控制器包括：
主体，所述主体被成形为环并且可拆卸地联接于所述凹腔的上部；
控制板，所述控制板被成形为以相对于所述基板的倾斜角围绕所述基板的环，使得所述控制板的第一边缘比所述基板的上表面高并且所述控制板的与所述第一边缘相对的第二边缘比所述基板的下表面低；以及
连接件，所述连接件将所述控制板连接于所述主体。
3.根据权利要求2所述的旋涂机，其中，所述主体包括：
上部，所述上部具有与所述凹腔的上表面共面的上表面以及在所述主体的内侧从所述上部的上表面向上突出的突出部；
接合部，所述接合部设置在所述主体的上部的上表面下方并且与所述凹腔联接；以及
导流件，所述导流件具有相对于所述基板的凸曲线并且具有第一曲面，所述第一曲面在所述主体的上部的所述突出部和所述接合部之间曲线地延伸。
4.根据权利要求3所述的旋涂机，其中，所述导流件的与所述突出部的内表面相对应的顶部延伸超过所述主体的上部的上表面，使得所述导流件的正交投影与所述主体的上部的上表面交叠。
5.根据权利要求3所述的旋涂机，其中，所述控制板包括：
主体面对部，所述主体面对部具有相对于所述主体的所述导流件的凸曲线，并且具有面对所述主体的所述导流件的第二曲面；以及
基板面对部，所述基板面对部与所述主体面对部一体联接并且被成形为面对所述基板的平板。
6.根据权利要求5所述的旋涂机，其中，所述非直线流经过所述控制板的所述主体面对部与所述主体的所述导流件之间的流空间，使得所述非直线流在所述凹腔的底部处扩散，并且所述非直线流的流速从所述流空间的中心部向端部减小。
7.根据权利要求5所述的旋涂机，其中，所述直线流经过所述平板与所述基板之间的流空间，使得所述直线流的流损失在所述基板的边缘处最小化。
8.根据权利要求1所述的旋涂机，其中，所述连接件包括多个连杆，所述多个连杆以相同间隔布置在所述主体与所述控制板之间。
9.一种用于处理基板的设备，所述设备包括：
壳体，所述壳体具有被配置成接纳基板的出入口；
流发生器，所述流发生器布置在所述壳体的顶部处，并且产生从所述壳体的所述顶部下降到底部的气流；
化学品供应器，所述化学品供应器被配置成将化学品供应到所述基板上；以及
旋涂机，所述旋涂机被固定于所述壳体的底部处，所述旋涂机被配置成将所述化学品涂覆在所述基板上，
其中，所述旋涂机包括：
可旋转吸盘结构，所述可旋转吸盘结构被配置成保持所述基板；
凹腔，所述凹腔围绕所述基板并且被配置成将所述基板周围的所述化学品的化学品流和所述气流引导到所述凹腔的底部；以及
流控制器，所述流控制器可拆卸地联接于所述凹腔，使得所述流控制器布置在所述基板的边缘与所述凹腔之间，其中，所述流控制器将所述化学品流和所述气流分别分成直线流和非直线流。
10.根据权利要求9所述的设备，其中，所述凹腔包括：
内凹腔，所述内凹腔被布置在所述基板下方并且具有朝向所述基板的边缘向上倾斜的倾斜壁；以及
外凹腔，所述外凹腔的中心轴与所述内凹腔的中心轴相同并且所述外凹腔围绕所述基板。
11.根据权利要求10所述的设备，所述设备还包括斜面清洁器，所述斜面清洁器布置在所述基板下方的所述倾斜壁上，并且被配置为将清洁溶液注入到所述基板的边缘，以便从所述基板的边缘去除边缘胶滴。
12.根据权利要求11所述的设备，所述设备还包括引导构件，所述引导构件连接于所述倾斜壁的与所述基板的边缘接近的顶部并且朝向所述凹腔的底部向下倾斜，以便将所述气流、所述化学品流和所述清洁溶液引导到所述外凹腔中。
13.根据权利要求9所述的设备，其中，所述流控制器包括：
主体，所述主体被成形为环并且可拆卸地联接于所述凹腔的上部；
控制板，所述控制板被成形为以相对于所述基板的倾斜角围绕所述基板的环，使得所述控制板的第一边缘比所述基板的上表面高并且所述控制板的与所述第一边缘相对的第二边缘比所述基板的下表面低；以及
连接件，所述连接件将所述控制板连接于所述主体。
14.根据权利要求13所述的设备，其中，所述主体包括上部、接合部和导流件，所述主体的上部具有与所述凹腔的上表面共面的上表面和在所述主体的内侧从所述主体的上部的上表面向上突出的突出部，所述接合部设置在所述主体的上部的上表面下方并且与所述凹腔联接，所述导流件被成形为相对于所述基板的凸曲线并且具有在所述主体的上部的所述突出部和所述接合部之间曲线地延伸的第一曲面；
所述控制板包括主体面对部和基板面对部，所述主体面对部具有相对于所述主体的所述导流件的凸曲线并且具有面对所述主体的所述导流件的第二曲面，所述基板面对部与所述主体面对部一体联接并且被成形为面对所述基板的平板；以及
所述连接件包括多个连杆，所述多个连杆以相同间隔布置在所述主体与所述控制板之间。
15.根据权利要求13所述的设备，其中，所述导流件的与所述突出部的内表面相对应的顶部延伸超过所述主体的上部的上表面，使得所述导流件的正交投影与所述主体的上部的上表面交叠。
16.根据权利要求13所述的设备，其中，所述非直线流经过所述控制板的所述主体面对部与所述主体的所述导流件之间的流空间，使得所述非直线流在所述凹腔的底部处扩散，并且所述非直线流的流速从所述流空间的中心部向端部减小。
17.根据权利要求13所述的设备，其中，所述直线流经过所述基板面对部与所述基板之间的流空间，使得所述直线流的流损失在所述基板的边缘处最小化。
18.一种基板处理系统，所述基板处理系统包括：
载体单元，所述载体单元被配置成接纳基板载体，其中，所述基板载体被配置成保持多个基板；
基板处理设备，所述基板处理设备具有用于在所述多个基板中的固定于可旋转吸盘的一个基板上形成涂覆层的旋涂机；以及
传送单元，所述传送单元被配置成将所述一个基板在所述载体单元与所述基板处理设备之间传送，
其中，所述旋涂机包括凹腔和流控制器，所述凹腔围绕所述吸盘，所述流控制器布置在所述凹腔与所述基板之间，以将涂覆化学品的化学品流和气流分别分成流速相对较高的直线流和流速相对较低的非直线流。
19.根据权利要求18所述的基板处理系统，其中，所述流控制器包括：
主体，所述主体被成形为环并且与所述凹腔的上部可拆卸地联接；
控制板，所述控制板被成形为以相对于所述基板的倾斜角围绕所述基板的环，使得所述控制板的第一边缘比所述基板的上表面高并且所述控制板的与所述第一边缘相对的第二边缘比所述基板的下表面低；以及
连接件，所述连接件将所述控制板连接于所述主体。
20.根据权利要求19所述的基板处理系统，其中，所述主体包括上部、接合部和导流件，所述主体的上部具有与所述凹腔的上表面共面的上表面和在所述主体的内侧从所述主体的上部的上表面向上突出的突出部，所述接合部设置在所述主体的上部的上表面下方并且与所述凹腔联接，所述导流件具有相对于所述基板的凸曲线并且具有在所述主体的上部的所述突出部与所述接合部之间曲线地延伸的第一曲面；
所述控制板包括主体面对部和基板面对部，所述主体面对部具有相对于所述主体的所述导流件的凸曲线并且具有面对所述主体的所述导流件的第二曲面，所述基板面对部与所述主体面对部一体联接并且被成形为面对所述基板的平板；以及
所述连接件包括多个连杆，所述多个连杆以相同间隔布置在所述主体与所述控制板之间。
21.一种旋涂机，所述旋涂机包括：
可旋转吸盘结构，所述可旋转吸盘结构被配置成保持基板；
凹腔，所述凹腔围绕所述可旋转吸盘结构；
第一环，所述第一环可拆卸地联接于所述凹腔的上部；
第二环，所述第二环围绕所述可旋转吸盘结构；以及
连接件，所述连接件将所述第二环连接于所述第一环。
22.根据权利要求21所述的旋涂机，其中，所述可旋转吸盘结构包括用于保持所述基板的平台，并且所述第二环距所述平台足够的距离，以确保在所述基板与所述第二环之间有空间。
23.根据权利要求21所述的旋涂机，其中，所述第二环的内侧以倾斜角面对所述基板，所述内侧的第一边缘比所述基板的上表面高并且所述内侧的与所述第一边缘相对的第二边缘比所述基板的下表面低。
24.根据权利要求21所述的旋涂机，其中，所述连接件包括多个连杆，所述多个连杆以相同间隔布置在所述第一环与所述第二环之间。
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