CN105229807A - 发光装置的制造方法 - Google Patents

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梅田浩
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Abstract

本发明的发光装置的制造方法包括如下步骤:将含有荧光体(18)的固体状的密封树脂(17)和含有荧光体(19)的固体状的密封树脂(17)配置至载置有LED芯片的封装件树脂(14)的凹部之后,通过加热来熔化,进而通过加热来固化。

Description

发光装置的制造方法
技术领域
本发明涉及发光装置的制造方法,尤其涉及需要树脂密封的发光装置的制造方法。
背景技术
近年来,作为液晶显示装置的背光灯、照明设备的光源,长寿命且耗电量小的LED不断普及。这种光源组合多个不同发光色的LED或者组合单色的LED和荧光体来获得希望的发光色。例如,白色LED一般组合蓝色LED和荧光体来构成。在这种白色LED中,通过从蓝色LED芯片发出的蓝色光、和荧光体被陔蓝色光激发而发出的光的混色,从而获得白色光。
例如,在专利文献1中公开了如下技术:利用蓝色LED芯片、和被该蓝色LED芯片的发光激发而发出黄色的荧光的YAG荧光体,对从蓝色LED芯片发出的蓝色光、和从YAG荧光体发出的黄色光进行混色,来出射白色光。
此外,虽然通过使来自多个不同发光色的LED的光进行混色来获得希望的颜色的照明光,但存在具有通过调整各LED的发光色来调整照明光的颜色的功能的发光装置。
在先技术文献
专利文献
专利文献1:日本公开专利公报“特开平10-242513号公报(1998年9月11日公开)”
发明内容
发明要解决的课题
然而,在利用了LED芯片、和被LED芯片的发光激发而发出荧光的荧光体的发光器件中,LED芯片由密封树脂来密封,且在该密封树脂中分散有荧光体。基于密封树脂的密封以封装件为单位来进行。
通常,在一个封装件中LED芯片为一个,因此在具有调整照明光的颜色的功能的发光装置(可调色发光装置)的情况下,为了调整LED的发光色,需要以按每种颜色设置的封装件为单位来密封含有希望的荧光体的密封树脂。
如此,在现有的可调色发光装置中,需要按每种颜色来准备封装件,并按每一封装件来进行树脂密封,因此产生制造花费时间且制造成本增加的问题。
此外,也考虑通过薄片化来一并密封大面积的情形,但薄片无法适用于被多个种类的密封树脂密封的多联腔室。
本发明正是鉴于上述的问题点而完成的,其目的在于,提供一种在可调色发光装置中通过对每种颜色的封装件一并进行树脂密封,从而与按每一封装件进行树脂密封的情况相比,能够缩短制造时间且降低制造成本的发光装置的制造方法。
用于解决课题的手段
为了解决上述课题,本发明的一形态所涉及的发光装置的制造方法,该发光装置将多个芯片收容于单一封装件,所述发光装置的制造方法的特征在于,包括:第1配置步骤,在朝向上方开口的多个腔室安装有发光元件的腔室电路基板中的、构成一个封装件的至少两个腔室当中的一个腔室,配置含有荧光体的固体状的第1密封树脂;第2配置步骤,在上述至少两个腔室当中的另一个腔室,配置含有与上述第1密封树脂所含有的荧光体不同的荧光体的固体状的第2密封树脂;熔化步骤,通过加热使在上述第1配置步骤中配置的第1密封树脂以及在上述第2配置步骤中配置的第2密封树脂熔化;和固化步骤,使在上述熔化步骤中熔化的上述第1密封树脂以及上述第2密封树脂固化。
发明效果
根据本发明的一形态,起到如下效果,即:与按每一封装件进行树脂密封的情况相比,能够缩短制造时间且降低制造成本。
附图说明
图1表示本发明的实施方式1所涉及的LED封装件基板,图1(a)是表示LED封装件基板的构成的俯视图,图1(b)是图1(a)的A-A’线向视剖面图,图1(c)是图1(a)的B-B’线向视剖面图。
图2是图1(a)的C-C’线向视剖面。
图3(a)、(b)是表示在腔室填充含荧光体密封树脂的工序的简要图。
图4(a)、(b)是在图3(a)的工序中利用的多孔板的俯视图。
图5是多孔板的其他例的俯视图。
图6是表示在图3(b)的工序之后进行的挤压工序的剖面图。
图7是概念性地表示含荧光体密封树脂中所含的硅酮树脂的粘度特性的图表。
图8(a)~(d)是概念性地表示向腔室填充含荧光体密封树脂至使其固化的一系列工序中的硅酮树脂的粘度变化的图表。
图9表示本发明的实施方式2所涉及的LED封装件基板,图9(a)是表示LED封装件基板的构成的俯视图,图9(b)是图9(a)的A-A’线向视剖面图,图9(c)是图9(a)的B-B’线向视剖面图。
图10是用于在腔室填充含荧光体密封树脂的装置的简要构成图。
图11(a)是表示图10所示的开放式卷盘的立体图,图11(b)是其顶视透视图。
图12是表示在本发明的实施方式1、2中可适用的密封树脂的组合例的图。
具体实施方式
〔实施方式1〕
对本发明的一实施方式进行说明,如下所述。
(LED封装件基板的概要)
图1(a)是LED封装件基板31的俯视图,图1(b)是图1(a)的A-A’线向视剖面图,图1(c)是图1(a)B-B’线向视剖面图。
LED封装件基板31是将多个芯片(LED(发光元件)芯片)收容于单一封装件来构成发光装置的基板,由未图示的引线框基板来制作。如图1所示,引线框基板具备被配置为矩阵状的金属材料所构成的多个引线框22。引线框22成为用于安装LED芯片16的电极。多个引线框22通过由与引线框22相同的材料构成且从引线框22延伸的延伸部22a而连接成格子状。
引线框22具备相互分离开的第1引线电极部23和第2引线电极部24。第1引线电极部23和第2引线电极部24为一对电极,例如第1引线电极部23与LED芯片16的阳极连接,第2引线电极部24载置LED芯片16且与LED芯片16的阴极连接。相邻的第1引线电极部23由延伸部22a来连接。相邻的第2引线电极部24由延伸部22a来连接。
在封装件树脂形成工序中,如图1所示,在引线框基板通过嵌入成型等形成由白色树脂构成的封装件树脂14。封装件树脂14形成为设有第1引线电极部23以及第2引线电极部24的表面露出的凹部。
接下来,在LED芯片安装工序中,通过硅系的树脂将LED芯片16管芯焊接在封装件树脂14的凹部内且第2引线电极部24中的露出部表面。
进而,针对进行管芯焊接后的LED芯片16,通过由Au(金)构成的导线15来连接LED芯片16的上部电极和第1引线电极部23。此外,通过导线15来连接LED芯片16的上部电极和第2引线电极部24。如此,LED芯片16被安装于引线框22。
接下来,在密封树脂形成工序中,在安装有LED芯片16的封装件树脂14的凹部内填充密封树脂17。在此,在该密封树脂17中混入了荧光体18或者荧光体19。在封装件树脂14的凹部内填充密封树脂17,使得荧光体18/19之中在X方向上排列混入了同一荧光体的密封树脂17,在Y方向上交替地排列不同的荧光体。在本实施方式中,在安装有LED芯片16的封装件树脂14中,将填充含有荧光体18的密封树脂17(第1密封树脂)的X方向的区域设为区域X1,将填充含有荧光体19(与荧光体18不同的种类的荧光体)的密封树脂17(第2密封树脂)的X方向的区域设为X2,且区域X1和区域X2设定为交替地排列。另外,第2密封树脂即便不包含荧光体也能够构成LED芯片16。后述的图12的构成(4)为其示例。此外,优选第1密封树脂以及第2密封树脂的树脂材料相同。
在图1中,纸面左端的一列沿着X方向排列配置有通过混入了荧光体18的密封树脂17被填充至封装件树脂14的凹部内而构成的发光体28。在其右相邻的一列,沿着X方向排列配置有通过混入了荧光体19的密封树脂17被配置至封装件树脂14的凹部内而构成的发光体29。以后,沿着Y方向交替地排列配置有被配置至封装件树脂14的凹部内的发光体28、29、28…。
作为一例,LED封装件基板31将配置有LED芯片16的引线框22在X方向×Y方向上配置4个×6个。另外,该引线框22的个数并不限定,既可以为4个×6个以上,也可以为4个×6个以下。从该LED封装件基板31中获得单一的封装件即LED13A。
接下来,说明从LED封装件基板31中获得LED13的工序即切断工序。如图1所示,从LED封装件基板31中包含多个引线框22来切取,从而获得单一的封装件即LED13A。
在切断工序中,通过未图示的刀片(旋转切断刀)将延伸部22a以及覆盖延伸部22a的封装件树脂14切断为格子状,使得包含配置有发光体28的引线框22、和与该引线框22相邻且配置有发光体29的引线框22。
即,通过上述刀片将延伸部22a以及覆盖延伸部22a的封装件树脂14切断为格子状,使得包含在与长边方向正交的短边方向上排列配置的一对发光体28、29。由此,能够从LED封装件基板31中获得多个LED13A。
另外,在切断前,也可以预先在LED封装件基板31的背面粘附切断用胶带,由此来防止切断后的各LED13A变得零散。在将该切断用胶带粘附于LED封装件基板31的背面的情况下,例如在最终工序中去除切断用胶带即可。
将如此获得的多个LED13A作为多个LED13配置于基板使得在X方向上排列多个,由此来制作照明装置。
如此,根据LED13的制造方法,具有:在被连接为矩阵状的引线框22上配置LED芯片16的工序;和包括配置有LED芯片16的引线框22之中的两个引线框22来进行切取,由此来获得在单一的封装件收容有两个LED芯片16的LED13的工序。根据上述构成,通过切取延伸部22a,从而能够获得两个LED芯片16收容于单一的封装件的LED13,因此能够容易地获得LED13。
进而,在配置LED芯片16的工序与获得LED13的工序之间具有:密封树脂形成工序,在配置有LED芯片16的引线框22上配置构成发光体28、29的密封树脂17。如此,配置在相邻的引线框22上的发光体28、29的出射光的颜色不同,在获得LED13的工序中,包括两个引线框22来进行切取,使得包含出射光的颜色不同的发光体28、29。
根据上述构成,通过切取两个引线框22使得包含出射光的颜色不同的发光体28、29,从而能够获得由可出射多种颜色的单一的封装件构成的LED13。由此,为了获得出射多种颜色的光的LED13,无需专用的金属模,能够抑制制造成本。
(LED的概要)
图2表示图1(a)所示的LED封装件基板31的C-C’线向视剖面、即LED13A的剖面图。如图2所示,LED13A构成单一的LED封装件,具有封装件树脂14、两个LED芯片16、密封树脂17以及荧光体18、19、两个引线框22。
封装件树脂14被形成为:在内部配置两个LED芯片16,并且设置用于形成两个反射面14a、14b的两处的空间(凹部)。该封装件树脂14由例如白色的树脂材料等形成,通过嵌入成型而设置为引线框22在内底面露出。两个引线框22由金属材料构成,通过由相同的材料构成的延伸部(连接部)22a(图1(a))来连接。
封装件树脂14具有与上述的区域X1、X2对应的两个凹部,在这些凹部配置有LED芯片16,在各个凹部中填充分别包含种类不同的荧光体18、19的密封树脂17(第1密封树脂、第2密封树脂)。
LED芯片16(LED元件)例如为具有绝缘性基板的GaN系半导体元件,LED芯片16的出射光(1次光)为430~480nm的范围的蓝色光,在450nm附近具有峰值波长。LED芯片16通过硅系的树脂进行管芯焊接而被配置在封装件树脂14的凹部内且所露出的引线框22(图1(b))的表面。
关于LED芯片16,LED芯片16表面的+、-的各个电极和各个引线框22中的露出部通过未图示在图2中的导线而被导线接合。如此,LED芯片16与引线框22电连接。在此,以在上表面具有-电极的类型的LED芯片来进行说明,但也可以使用在上下表面具有两个电极的类型的LED。
此外,封装件树脂14具有形成凹部的反射面14a、14b。该反射面14a、14b优选由包含高反射率的Ag或者Al的金属膜、白色硅酮来形成,以使LED芯片16的出射光向LED13A的外部反射。
进而,封装件树脂14在两处的凹部之间具有隔壁14c。通过该隔壁14c,在LED13A中的两个LED芯片16之间遮挡来自两个LED芯片16的出射光。即,两个LED芯片16通过隔壁23c被光学分离。
封装件树脂14中的一个凹部通过填充密封树脂17而被密封,并且荧光体18被分散在密封树脂17内。由该封装件树脂14中的一个凹部所形成的LED芯片16、密封树脂17、以及荧光体18构成了发光体28(图1(a))。
封装件树脂14中的另一个凹部通过填充密封树脂17而被密封,并且荧光体19被分散在密封树脂17内。由该封装件树脂14中的另一个凹部所形成的LED芯片16、密封树脂17、以及荧光体19构成了发光体29(图1(a))。
密封树脂17通过被填充在凹部内,由此来密封配置有LED芯片16的凹部。此外,密封树脂17针对波长短的1次光要求耐久性高,因此适合利用硅酮树脂。密封树脂17的表面形成了出射光的发光面。
荧光体18(红色荧光体)被分散在密封树脂17内。荧光体18是发出波长比1次光长的长波长的红色(峰值波长为600nm以上且780nm以下)的2次光的红色荧光体,例如由混合了CaAlSiN3:Eu的荧光体材料、混合了K2SiF6:Mn的荧光体材料(KSF)构成。
荧光体19(绿色荧光体)与荧光体18同样地被分散在密封树脂17内。荧光体19是发出波长比1次光长的长波长的绿色(峰值波长为500nm以上且550nm以下)的2次光的绿色荧光体,例如由Eu活化β赛隆的荧光体材料构成。
在如上述那样构成的LED13A中,伴随着从一个LED芯片16出射的1次光(蓝色光)通过密封树脂17,而其一部分激发荧光体18被变换为2次光(红色光)。由此,蓝色的1次光和红色的2次光发生混色,作为来自发光体28的出射光而向外部出射品红色光。
此外,在LED13A中,伴随着从另一个LED芯片16出射的1次光(蓝色光)通过密封树脂17,而其一部分激发荧光体19被变换为2次光(绿色光)。由此,蓝色的1次光和绿色的2次光发生混色,作为来自发光体29的出射光而向外部放射蓝绿色光。这样,从LED13A向外部放射品红色光和蓝绿色光。
因此,光源部通过安装如上述那样构成的LED13A,由此上述的品红色光和蓝绿色光发生混色而放射白色光。这样,从构成单一的封装件的发光体28、29中出射不同的两种颜色的光。
此外,从发光体28、29分别出射的光的颜色,通过变更LED芯片16和密封树脂17中混入的荧光体的发光色的组合,也可以为其他颜色。
例如,也可以组合LED芯片和荧光体,使得从发光体28出射3000K的暖白色的光,从发光体29出射6500K的日光色的光。
此外,将构成发光体29的LED芯片设为出射绿色光的LED芯片,使荧光体不混入密封树脂17中,由此从发光体29出射绿色光。由此,可以获得出射绿色光的发光体29、和如上述那样出射品红色光的发光体28。
进而,也可以在密封树脂17中不混入荧光体18、19,不使来自LED芯片的光进行波长变换而直接出射。在此情况下,LED芯片使用发出白色而非蓝色的光的LED芯片。由此,发光体28、29出射相同颜色的光。
(树脂密封工序)
在此,说明密封上述LED13A中的密封树脂17的工序。
图3(a)、(b)是表示在腔室12填充密封树脂17的工序的简要图。在此,密封树脂17表示如图2所示那样被填充至封装件树脂14的凹部(腔室12)的状态(即被密封的状态)的树脂,与在以下的密封工序中使用的固体状的含荧光体密封树脂40区分开。
如图3(a)所示,在加热器板51上载置安装有LED13A的多联腔室电路基板10,在该多联腔室电路基板10的上方大致平行地依次层叠第1剪切板52、第1多孔板(第1多孔板)53、和加热器块54(设置工序)。然后,将块状的含荧光体密封树脂40载置在第1多孔板53上、且加热器块54的开口部54a内(载置工序)。
在本实施方式中,如图4(a)、(b)所示,利用2个种类的多孔板。图4(a)表示第1多孔板53的俯视图,图4(b)表示第2多孔板(第2多孔板)56的俯视图。在图3中,为了便于说明,示出利用了第1多孔板53的例子。
第1多孔板53在如图3(a)所示那样放置的状态下,形成有多孔板贯通孔53a,使得与包含图1(a)所示的区域X1所配置的LED13A的腔室12对应。即,第1多孔板53以奇数列为单位而形成有与多联腔室电路基板10中的腔室12对应的多孔板贯通孔53a。奇数列也可以只有1列。
同样地,第2多孔板56在如图3(a)所示那样放置的状态下,形成有多孔板贯通孔56a,使得与包含图1(a)所示的区域X2所配置的LED13A的腔室12对应。即,第2多孔板56以偶数列为单位而形成有与多联腔室电路基板10中的腔室12对应的多孔板贯通孔53a。偶数列也可以只有1列。
含荧光体密封树脂40将荧光体均匀地分散于硅酮树脂。另外,在利用上述第1多孔板53而配置在腔室12上的情况、和利用上述第2多孔板56而配置在腔室12上的情况下,使荧光体的种类不同。例如,如图2所示,在利用第1多孔板53而向区域X1的腔室12填充的情况下采用荧光体18,在利用第2多孔板56而向区域X2的腔室12填充的情况下采用荧光体19。
另外,在本实施方式中,虽然利用以奇数列为单位而形成有多孔板贯通孔53a的第1多孔板53(图4(a))、以偶数列为单位而形成有多孔板贯通孔53a的第2多孔板56(图4(b))进行了说明,但作为多孔板并不限定于这些内容,例如也可以利用图5(a)所示那样的多个多孔板贯通孔153a(图的圆形标记)被作为第1组形成的第1多孔板153、图5(b)所示那样的与上述第1组不同的多个多孔板贯通孔156a(图的×形标记)被作为第2组形成的第2多孔板156。上述多孔板贯通孔153a和多孔板贯通孔156a在使第1多孔板153和第2多孔板156重叠时,如图5(c)所示那样被形成为纵横交替地配置。另外,由于图的×形标记能够加深理解,因此使用了×形标记,但如后所述,多孔板贯通孔的形状并不特别限定,优选使多孔板贯通孔的尺寸小于腔室12的开口部的尺寸。
(硅酮树脂)
上述硅酮树脂通过低于后述的2次交联温度的给定的温度、时间的附加而发生1次交联,即便包含比重大于硅酮树脂的粒子(例如荧光体等),也能维持不完全沉降的程度且不是具有可加工的粘度(100Pa·S以上且1E+5Pa·S以下)的液状的状态。另外,所谓1次交联,是指具有交联点,在通过给定的固化条件(给定的温度、时间的附加)而能使得固化进一步发展的室温下不是液状的状态。
如图7所示,该硅酮树脂在室温T0(约25℃)下的粘度为粘度V0(参照图中P0)。粘度V0是在室温T0下可维持含荧光体密封树脂40的形状的粘度。
在将该硅酮树脂从室温T0加热至硅酮树脂形成2次交联的温度即2次交联温度T1(约125℃)附近的情况下,硅酮树脂的粘度降低,即将达到2次交联温度T1之前的粘度成为粘度V1(参照图中P1)。粘度V1是硅酮树脂熔化为可流动的粘度。
室温T0至低于2次交联温度T1的温度的温度区域中的硅酮树脂的粘度变化是热可逆性的变化。因而,在使温度从2次交联温度T1附近降低至室温T0的情况下,硅酮树脂的粘度变高,在室温T0下返回到原始的粘度V0。因此,通过使温度在室温T0至低于2次交联温度T1的温度的温度区域中变化,从而能够在粘度V0至粘度V1之间反复调整硅酮树脂的粘度。
另一方面,在将硅酮树脂加热至2次交联温度T1以上的情况下,在硅酮树脂中形成2次交联而被固化。另外,固化后的硅酮树脂的粘度实质上无法定义,但在假设将固化后的硅酮树脂的粘度概念性地定义为粘度V2的情况下,硅酮树脂的粘度从粘度V1上升至粘度V2(参照图中P2)。即,粘度V2概念性地定义了硅酮树脂形成2次交联时的2次交联温度T1下的粘度。
针对2次交联后的硅酮树脂,使温度从2次交联温度T1起上升或者下降的情况下,虽然2次交联温度T1下的粘度、弹性等的物性会发生变化(高分子特性),但与2次交联前的硅酮树脂相比,粘度以及弹性模量相对地变高(不过,在图中的P3,为了方便起见,记载为维持粘度V2的情形)。
另外,2次交联并不限于此,是指通过与合成时不同的反应触媒所引起的交联反应等使得固化进一步发展,如上所述是指不会因温度而产生可逆性的粘性变化的状态。
根据需要的光学特性,在含荧光体密封树脂40中混匀各种荧光体,来调整荧光体的浓度(含有率),但如果利用该硅酮树脂,若为2次交联前的状态,则能够反复调整其粘度,因此如后所述能够形成荧光体的分散状态均匀的含荧光体密封树脂40。
对于含荧光体密封树脂40中所含的硅酮树脂而言,例如能够适合利用DowCorning公司的商品名为“TX-2506系列”的硅酮树脂。
加热器块54具备包含从室温至低于能加热熔化含荧光体密封树脂40的2次交联温度的温度的温度范围的温度调整功能。加热器块54是具有贯通的开口部54a的框状部件,在该开口部54a内配置含荧光体密封树脂40。
第1多孔板53形成有多个多孔板贯通孔(贯通孔)53a。多孔板贯通孔53a如上所述那样形成在与腔室12对应的位置,且如后所述那样通过基于柱塞55的加压而将含荧光体密封树脂40从多孔板贯通孔53a朝向各腔室12进行挤压。
第1剪切板52将从多孔板贯通孔53a挤压出的含荧光体密封树脂40切断为给定的长度。在第1剪切板52形成有与多孔板贯通孔53a对应的剪切板贯通孔52a,且通过使第1剪切板52沿着图中的箭头标记的方向进行离心运动,由此利用设于剪切板贯通孔52a的刀片(刀)(未图示)将含荧光体密封树脂40切断为给定的长度。
加热器板51对被载置的多联腔室电路基板10进行加热。加热器板51例如在2次交联温度以下的温度区域内对多联腔室电路基板10进行加热。
在将这样的各部件如上所述设置之后,通过加热器块54对载置于第1多孔板33的含荧光体密封树脂40进行加热熔化,以使含荧光体密封树脂40的粘度降低。此时,如图8(a)所示,通过将含荧光体密封树脂40从室温T0加热至2次交联温度T1附近的温度T4(例如80℃以上且低于120℃),从而使硅酮树脂的粘度降低至既能抑制荧光体的沉降又能流动的粘度V4(参照图中P4)。
接下来,如图3(b)所示,利用柱塞55而将载置于第1多孔板53的含荧光体密封树脂40朝向多联腔室电路基板10加压。由此,如图6所示,含荧光体密封树脂40从第1多孔板53的多孔板贯通孔53a朝向各腔室12挤压为线状(挤压工序)。
如图6所示,通过柱塞55的加压,含荧光体密封树脂40从第1多孔板53的多孔板贯通孔53a被挤压为线状。然后,在线状的含荧光体密封树脂40达到了给定的长度时,通过使第1剪切板32进行离心旋转,由此来切断从多孔板贯通孔53a被挤压为线状的含荧光体密封树脂40。由此,能够在各腔室12中同时填充被切断为给定的长度的、荧光体含有量相等的含荧光体密封树脂40(填充工序)。
另外,通过使多孔板贯通孔53a的尺寸d小于腔室12的开口部的尺寸D,从而含荧光体密封树脂40容易填充在腔室12中。此外,通过调整被挤压为线状的含荧光体密封树脂40的长度,从而容易填充与腔室12的容积相符的适量的含荧光体密封树脂40。
根据以上的工序,利用第1多孔板53而在多联腔室电路基板10中的区域X1的腔室12内配置含荧光体密封树脂40(第1配置步骤)。
接下来,取代第1多孔板53而利用第2多孔板56来执行上述同样的密封工序,从而在多联腔室电路基板10中的区域X2的腔室12内配置含荧光体密封树脂40(第2配置步骤)。
加热器板51对多联腔室电路基板10进行加热以使含荧光体密封树脂40软化,使得配置在腔室12内的含荧光体密封树脂40与腔室12的内面密接(熔化步骤)。该填充工序中的多联腔室电路基板10的温度无需达到2次交联温度,只要是使含荧光体密封树脂40软化至含荧光体密封树脂40易于与腔室12的内部密接的程度这样的温度即可。
在各腔室12填充了含荧光体密封树脂40之后,如图8(b)所示,通过加热器板51以2次交联温度T1(例如125℃)进行加热(参照图中P1)。由此,如图8(c)所示,硅酮树脂形成2次交联而开始固化(固化工序:参照图中P2)。此时,被填充至腔室12的含荧光体密封树脂40通过加热器板51而从腔室12的底部侧起开始固化。因而,能够使含荧光体密封树脂40的固化收缩所引起的应力分布在含荧光体密封树脂40的上部、即腔室12的开口部侧,因此能够抑制裂纹等的产生,提高发光体28、29的可靠性。
然后,利用烤炉等而将多联腔室电路基板10加热至2次交联温度T1以上(例如125℃以上且170℃以下),从而使硅酮树脂完全固化(固化步骤)。然后,从烤炉等取出多联腔室电路基板10,使温度降低至室温T0。此时,如图8(d)所示,即便在温度降低至室温T0的情况下,形成2次交联的硅酮树脂的粘度也为V2(参照图中P3)。另外,在上述挤压工序中,通过加热器块54对含荧光体密封树脂40进行加热,从而使硅酮树脂的粘度降低至既能抑制荧光体的沉降又能流动的粘度V4。但是,通过提高挤压的压力,从而不提升加热器块54的温度而在室温T0下也能够挤压含荧光体密封树脂40,可以将加热器块54保持为室温T0不变。
由此,如图2所示,形成了通过密封树脂17密封LED芯片16的状态的LED13A。
如以上,在本实施方式中,作为用于在一个封装件树脂14所形成的两个凹部配置包含不同种类的荧光体18、19的含荧光体密封树脂40的部件,虽然利用了2个种类的多孔板(第1多孔板53、第2多孔板56),但作为用于配置含荧光体密封树脂40的部件,并不限于此,也可以如下述的实施方式2所说明的那样,使含荧光体密封树脂40变为卷绕于卷盘的绳状来配置。
〔实施方式2〕
说明本发明的其他实施方式,如下所述。另外,为了便于说明,针对具有与在上述实施方式1中说明过的部件相同功能的部件赋予相同的符号,并省略其说明。
图9(a)是LED封装件基板31的俯视图,图9(b)是图9(a)的A-A’线向视剖面图,图9(c)是图9(a)的B-B’线向视剖面图。
在本实施方式中,不同于上述实施方式1,将包含不同的荧光体18、19的含荧光体密封树脂40一并配置在封装件树脂14的凹部。即,如图9(a)所示,将在Y方向上排列为一列的区域X1、区域X2、区域X1、区域X2、区域X1、区域X2考虑为一个区域Yn来配置含荧光体密封树脂40。另外,在本实施方式中,向在X方向上排列的区域Y1、区域Y2、区域Y3、区域Y4依次配置含荧光体密封树脂40。为了实现这种含荧光体密封树脂40的配置,采用的是利用了将绳状的含荧光体密封树脂40卷绕于卷盘的开放式卷盘的密封树脂配置装置。
(密封树脂配置装置)
图10是密封树脂配置装置的简要构成立体图。
密封树脂配置装置包含:含荧光体密封树脂40的供应源即开放式卷盘1a、和以给定的长度来切断从开放式卷盘1a拉出的绳状的含荧光体密封树脂40的长方形状的板63。
图11是表示本实施方式所涉及的开放式卷盘1a的外观构成的立体图。如图11(a)、(b)所示,开放式卷盘1a具备:含荧光体密封树脂40、和第1卷盘61(第2卷盘62)。另外,在此,第1卷盘61和第2卷盘62卷绕有所含有的荧光体的种类分别不同的含荧光体密封树脂40。在本实施方式中,在卷绕于第1卷盘61的含荧光体密封树脂40中含有荧光体18,在卷绕于第2卷盘62的含荧光体密封树脂40中含有荧光体19。
因此,在密封树脂配置装置中,如图10所示,开放式卷盘1a将卷绕有所含有的荧光体的种类不同的2个种类的绳状的含荧光体密封树脂40的第1卷盘61、第2卷盘62交替地配置。
从上述第1卷盘61、第2卷盘62分别送出的绳状的含荧光体密封树脂40通过在上述板63的长边方向上并排交替地形成的多个贯通孔63a、63b后以希望的长度来切断。
上述贯通孔63a使得从第1卷盘61送出的含荧光体密封树脂40通过,上述贯通孔63b使得从第2卷盘62送出的含荧光体密封树脂40通过。因此,贯通孔63a形成于板63使得与图9(a)所示的区域X1对应,贯通孔63b形成于板63使得与图9(a)所示的区域X2对应。
在上述板63的开放式卷盘1a侧设有未图示的剪切板,通过使该剪切板离心旋转,由此来切断通过了贯通孔63a、63b的含荧光体密封树脂40。
由此,在图10所示的密封树脂配置装置中,通过卷绕有第1密封树脂(含有荧光体18的含荧光体密封树脂40)的第1卷盘61、和卷绕有第2密封树脂(含有荧光体19的含荧光体密封树脂40)的第2卷盘62,能够以行为单位(按照区域Y1、Y2、Y3、Y4的顺序)将第1密封树脂以及第2密封树脂配置在腔室12内。即,上述第1配置步骤(包含荧光体18的含荧光体密封树脂40的配置步骤)以及上述第2配置步骤(包含荧光体19的含荧光体密封树脂40的配置步骤)同时以行为单位来进行。
(树脂密封工序)
以下说明树脂密封工序。
首先,在密封树脂配置装置中,在从交替配置的第1卷盘61和第2卷盘62分别送出并通过板63的贯通孔63a、63b时,含荧光体密封树脂40以希望的长度被切断,分别被配置在图9(a)所示的区域Y1的X方向的各腔室。
进行同样的操作,直至图9(a)所示的区域Y2、Y3、Y4和最后的区域。
接下来,对LED封装件基板31的各腔室所配置的含荧光体密封树脂40进行加热熔化。
最后,在加热熔化后,使含荧光体密封树脂40完全固化,从而获得在区域X1的腔室内密封有第1密封树脂、且在区域X2的腔室内密封有第2密封树脂的LED13A。
关于对上述的LED封装件基板31的各腔室所配置的含荧光体密封树脂40进行加热熔化以后的处理,由于进行的是与上述实施方式1相同的处理,因此省略其详细内容。
另外,在本实施方式中,虽然示出了交替配置第1卷盘61和第2卷盘62的例子,但第1卷盘61和第2卷盘62也可以配置为相互对置。
〔附记事项〕
图12是表示荧光体和LED的组合的图。
上述实施方式1、2均适用于组合了构成一个封装件的两个LED1、2的、所谓2in1(二合一)的封装件构造,作为LED13A能够适用图12所示的荧光体和LED的组合后的构成(1)~(4)。
根据上述实施方式1,依赖于LED1以及LED2的排列来决定第1多孔板的贯通孔以及第2多孔板的贯通孔的排列。即,第1多孔板的贯通孔和LED1的排列分别一对一地对应,第2多孔板的贯通孔和LED2的排列分别一对一地对应。
例如,在构成(1)中,针对蓝色芯片(LED1)而适用含有红色荧光体的密封树脂,针对蓝色芯片(LED2)而适用含有绿色荧光体的密封树脂。
在构成(2)中,针对蓝色(峰值波长:455nm)芯片(LED1)而适用含有红色荧光体的密封树脂,针对蓝色(峰值波长:440nm)芯片(LED2)而适用含有绿色荧光体的密封树脂。
在构成(3)中,针对蓝色芯片(LED1)而适用含有绿色荧光体和红色荧光体的密封树脂,针对蓝色芯片(LED2)而适用含有黄色荧光体的密封树脂。
在构成(4)中,针对绿色芯片(LED1)而适用无荧光体的密封树脂,针对蓝色芯片(LED2)而适用含有红色荧光体的密封树脂。
此外,作为红色的荧光体,在上述实施方式1、2中,虽然选择以Mn4+活性化的复合氟化物荧光体。作为该复合氟化物荧光体,例如能够利用以下的物质。
(1)A2[MF5]:Mn4+
(其中,A从Li、Na、K、Rb、Cs、NH4及其组合中选择,M从Al、Ga、In及其组合中选择)
(2)A3[MF6]:Mn4+
(其中,A从Li、Na、K、Rb、Cs、NH4及其组合中选择,M从Al、Ga、In及其组合中选择)
(3)Zn2[MF7]:Mn4+
(其中,M从Al、Ga、In及其组合中选择)
(4)A[In2F7]:Mn4+
(其中,A从Li、Na、K、Rb、Cs、NH4及其组合中选择)
(5)A2[MF6]:Mn4+
(其中,A从Li、Na、K、Rb、Cs、NH4及其组合中选择,M从Ge、Si、Sn、Ti、Zr及其组合中选择)
(6)E[MF6]:Mn4+
(其中,E从Mg、Ca、Sr、Ba、Zn及其组合中选择,M从Ge、Si、Sn、Ti、Zr及其组合中选择)
(7)Ba0.65Zr0.35F2.70:Mn4+
(8)A3[ZrF7]:Mn4+
(其中,A从Li、Na、K、Rb、Cs、NH4及其组合中选择)
〔总结〕
本发明的形态1所涉及的发光装置的制造方法,将多个芯片(LED芯片16)收容于单一封装件(封装件树脂14),该发光装置的制造方法的特征在于包括:第1配置步骤,在朝向上方开口的多个腔室12安装有发光元件的腔室电路基板(多联腔室电路基板)中的、构成一个封装件的至少两个腔室当中的一个腔室,配置含有荧光体18的固体状的第1密封树脂(含荧光体密封树脂40);第2配置步骤,在上述至少两个腔室当中的另一个腔室,配置与上述第1密封树脂不同的固体状的第2密封树脂(含荧光体密封树脂40);熔化步骤,通过加热使在上述第1配置步骤中配置的第1密封树脂以及在上述第2配置步骤中配置的第2密封树脂熔化;和固化步骤,使在上述熔化步骤中熔化的上述第1密封树脂以及上述第2密封树脂固化。
根据上述构成,通过加热而使得构成一个封装件的至少两个腔室当中的一个腔室所配置的固体状的第1密封树脂和另一个腔室所配置的固体状的第2密封树脂熔化,然后固化,从而构成一个封装件的至少两个腔室内的发光元件通过各自对应的密封树脂而被一并密封。
由此,与按每一封装件进行树脂密封的情况相比,起到能够缩短制造时间且降低制造成本的效果。
本发明的形态2所涉及的发光装置的制造方法,在上述形态1中,其特征在于,在上述第1配置步骤中,通过形成于第1多孔板的贯通孔而将上述第1密封树脂配置在腔室上,在上述第2配置步骤中,通过形成于第2多孔板的贯通孔而将上述第2密封树脂配置在腔室上。
根据上述构成,在各配置步骤中,通过形成于各多孔板的贯通孔而将密封树脂配置在腔室上,因此如果在要配置各个密封树脂的芯片上如挖出贯通孔那样放置各个多孔板,则能够在各腔室可靠地配置希望的密封树脂。
由此,能够抑制希望的密封树脂未配置在腔室上所引起的发光装置的成品率的降低。
本发明的形态3所涉及的发光装置的制造方法,在上述形态2中,其特征在于,上述第1多孔板以第1组来形成与上述腔室电路基板中的腔室对应的贯通孔,上述第2多孔板以与上述第1组不同的第2组来形成与上述腔室电路基板中的腔室对应的贯通孔。
本发明的形态4所涉及的发光装置的制造方法,在上述形态1中,其特征在于,包括:第1设置工序,在朝向上方开口的多个腔室安装有发光元件的基板的上方,大致平行地设置以奇数列为单位而形成有与上述腔室对应的贯通孔的第1多孔板;第1载置工序,在上述第1多孔板上载置上述第1密封树脂;第1挤压工序,对上述第1密封树脂进行加热熔化,并且从上述贯通孔朝向上述基板挤压为线状;第1填充工序,将挤压为线状的上述第1密封树脂切断为给定的长度并填充至上述腔室;第2设置工序,在朝向上方开口的多个腔室安装有发光元件的基板的上方,大致平行地设置以偶数列为单位而形成有与上述腔室对应的贯通孔的第2多孔板;第2载置工序,在上述第2多孔板上载置上述第2密封树脂;第2挤压工序,对上述第2密封树脂进行加热熔化,并且从上述贯通孔朝向上述基板挤压为线状;第2填充工序,将挤压为线状的上述第2密封树脂切断为给定的长度并填充至上述腔室;和固化工序,对通过上述第1填充工序填充至腔室的第1密封树脂以及通过上述第2填充工序填充至腔室的第2密封树脂进行加热并使之固化。
本发明的形态5所涉及的发光装置的制造方法,在上述形态1中,其特征在于,在上述第1配置步骤以及上述第2配置步骤中,向上述腔室电路基板的腔室配置上述第1密封树脂以及上述第2密封树脂,使得上述第1密封树脂以及上述第2密封树脂以行为单位而相互对置。
本发明的形态6所涉及的发光装置的制造方法,在上述形态5中,其特征在于,在上述第1配置步骤以及上述第2配置步骤中,将从卷绕有上述第1密封树脂的第1卷盘61和卷绕有上述第2密封树脂的第2卷盘62送出的第1密封树脂和第2密封树脂切断为给定的长度,并向上述腔室电路基板的腔室配置上述第1密封树脂以及上述第2密封树脂,使得上述第1密封树脂以及上述第2密封树脂以行为单位而相互对置。
根据上述构成,通过向腔室电路基板的腔室配置上述第1密封树脂以及上述第2密封树脂,使得上述第1密封树脂以及上述第2密封树脂以行为单位而相互对置,从而能够将第1密封树脂和第2密封树脂同时配置在希望的腔室。
由此,与分别将第1密封树脂和第2密封树脂配置在腔室的情况相比,能够缩短密封处理整体所需的时间。
本发明并不限定于上述的各实施方式,在权利要求所示的范围内可以进行各种变更,关于适当组合不同实施方式所分别公开的技术手段而获得的实施方式,也包含在本发明的技术范围内。进而,通过组合各实施方式所分别公开的技术手段,从而能够形成新的技术特征。
产业上的可利用性
本发明能够适合利用于具备利用LED芯片的发光装置的照明装置。
符号说明
1a开放式卷盘
10多联腔室电路基板
12腔室
13LED
13ALED
14封装件树脂
14a、14b反射面
14c隔壁
15导线
16LED芯片(发光元件)
17密封树脂
18荧光体
19荧光体
22引线框
22a延伸部
23第1引线电极部
23c隔壁
24第2引线电极部
28发光体
29发光体
31LED封装件基板
32第1剪切板
33第1多孔板
40含荧光体密封树脂
51加热器板
52第1剪切板
52a剪切板贯通孔
53第1多孔板
53a多孔板贯通孔
54加热器块
54a开口部
55柱塞
56第2多孔板
56a多孔板贯通孔
61第1卷盘
62第2卷盘
63板
63a贯通孔
63b贯通孔
D尺寸
X1区域
X2区域
Y1区域
Y2区域
Y3区域
Y4区域
d尺寸

Claims (5)

1.一种发光装置的制造方法,该发光装置将多个芯片收容于单一封装件,所述发光装置的制造方法的特征在于,包括:
第1配置步骤,在朝向上方开口的多个腔室安装有发光元件的腔室电路基板中的、构成一个封装件的至少两个腔室当中的一个腔室,配置含有荧光体的固体状的第1密封树脂;
第2配置步骤,在上述至少两个腔室当中的另一个腔室,配置与上述第1密封树脂不同的固体状的第2密封树脂;
熔化步骤,通过加热使在上述第1配置步骤中配置的第1密封树脂以及在上述第2配置步骤中配置的第2密封树脂熔化;和
固化步骤,使在上述熔化步骤中被熔化的上述第1密封树脂以及上述第2密封树脂固化。
2.根据权利要求1所述的发光装置的制造方法,其特征在于,
在上述第1配置步骤中,通过形成于第1多孔板的贯通孔而将上述第1密封树脂配置在腔室上,
在上述第2配置步骤中,通过形成于第2多孔板的贯通孔而将上述第2密封树脂配置在腔室上。
3.根据权利要求2所述的发光装置的制造方法,其特征在于,
上述第1多孔板以第1组来形成与上述腔室电路基板中的腔室对应的贯通孔,
上述第2多孔板以与上述第1组不同的第2组来形成与上述腔室电路基板中的腔室对应的贯通孔。
4.根据权利要求1所述的发光装置的制造方法,其特征在于,
在上述第1配置步骤以及上述第2配置步骤中,
向上述腔室电路基板的腔室配置上述第1密封树脂以及上述第2密封树脂,使得上述第1密封树脂以及上述第2密封树脂以行为单位而相互对置。
5.根据权利要求4所述的发光装置的制造方法,其特征在于,
在上述第1配置步骤以及上述第2配置步骤中,
将从卷绕有上述第1密封树脂的第1卷盘和卷绕有上述第2密封树脂的第2卷盘送出的第1密封树脂和第2密封树脂切断为给定的长度,并向上述腔室电路基板的腔室配置上述第1密封树脂以及上述第2密封树脂,使得上述第1密封树脂以及上述第2密封树脂以行为单位而相互对置。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110368509A (zh) * 2018-04-13 2019-10-25 普因特工程有限公司 紫外线杀菌模块

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9614130B2 (en) * 2013-11-08 2017-04-04 Sharp Kabushiki Kaisha Light emitting device and illumination device
CN104134757B (zh) * 2014-06-20 2017-02-22 京东方科技集团股份有限公司 可重复使用的封装层载板以及oled基板的封装方法
JP6092446B1 (ja) * 2015-10-23 2017-03-08 デクセリアルズ株式会社 部分駆動型光源装置及びそれを用いた画像表示装置
TWI622187B (zh) * 2015-11-23 2018-04-21 Unity Opto Technology Co Ltd LED light emitting device manufacturing method and LED light emitting device
JP2017135134A (ja) * 2016-01-25 2017-08-03 パナソニックIpマネジメント株式会社 発光装置
WO2019007513A1 (en) * 2017-07-06 2019-01-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh PROCESS FOR PRODUCING AN OPTOELECTRONIC COMPONENT AND AN OPTOELECTRONIC COMPONENT
KR20190074233A (ko) * 2017-12-19 2019-06-27 서울반도체 주식회사 발광 소자 및 이를 포함하는 발광 모듈
US11063189B2 (en) * 2018-12-18 2021-07-13 Lumileds Llc Cyan phosphor-converted LED module
JP2021056383A (ja) * 2019-09-30 2021-04-08 日東電工株式会社 隙間閉塞方法、隙間閉塞構造体、及び隙間閉塞構造体の製造方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040097006A1 (en) * 2000-10-13 2004-05-20 Lowery Christopher H. Stenciling phosphor layers on light emitting diodes
US20060043879A1 (en) * 2004-08-31 2006-03-02 Nichia Corporation Light emitting apparatus
JP2006324410A (ja) * 2005-05-18 2006-11-30 Showa Denko Kk 発光ダイオード封止材用樹脂組成物
US20120052608A1 (en) * 2010-08-25 2012-03-01 Yoo Cheol-Jun Phosphor film, method of forming the same, and method of coating phosphor layer on led chips
CN102683555A (zh) * 2011-03-07 2012-09-19 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构及封装方法

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW383508B (en) 1996-07-29 2000-03-01 Nichia Kagaku Kogyo Kk Light emitting device and display
JP2927279B2 (ja) 1996-07-29 1999-07-28 日亜化学工業株式会社 発光ダイオード
JP2005123238A (ja) * 2003-10-14 2005-05-12 Matsushita Electric Ind Co Ltd 半導体発光装置の製造方法および半導体発光装置
US9478719B2 (en) * 2010-11-08 2016-10-25 Bridgelux, Inc. LED-based light source utilizing asymmetric conductors
KR101629622B1 (ko) 2012-09-28 2016-06-21 샤프 가부시키가이샤 형광체 함유 봉지재의 제조 방법, 발광 장치의 제조 방법 및 디스펜서
US9252375B2 (en) * 2013-03-15 2016-02-02 LuxVue Technology Corporation Method of fabricating a light emitting diode display with integrated defect detection test
US10018776B2 (en) 2013-04-15 2018-07-10 Sharp Kabushiki Kaisha Illumination device, illumination equipment, and display device
JP6092372B2 (ja) 2013-04-15 2017-03-08 シャープ株式会社 オープンリール
WO2014171492A1 (ja) 2013-04-19 2014-10-23 シャープ株式会社 発光装置の製造方法及び照明装置の製造方法
US9099575B2 (en) * 2013-07-16 2015-08-04 Cree, Inc. Solid state lighting devices and fabrication methods including deposited light-affecting elements
US9698308B2 (en) * 2014-06-18 2017-07-04 X-Celeprint Limited Micro assembled LED displays and lighting elements

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20040097006A1 (en) * 2000-10-13 2004-05-20 Lowery Christopher H. Stenciling phosphor layers on light emitting diodes
US20060043879A1 (en) * 2004-08-31 2006-03-02 Nichia Corporation Light emitting apparatus
JP2006324410A (ja) * 2005-05-18 2006-11-30 Showa Denko Kk 発光ダイオード封止材用樹脂組成物
US20120052608A1 (en) * 2010-08-25 2012-03-01 Yoo Cheol-Jun Phosphor film, method of forming the same, and method of coating phosphor layer on led chips
CN102683555A (zh) * 2011-03-07 2012-09-19 展晶科技(深圳)有限公司 发光二极管封装结构及封装方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110368509A (zh) * 2018-04-13 2019-10-25 普因特工程有限公司 紫外线杀菌模块

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Publication number Publication date
JP6054526B2 (ja) 2016-12-27
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US20160079211A1 (en) 2016-03-17
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US9704834B2 (en) 2017-07-11

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