CN105226135A - 一种硅异质结太阳能电池及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种硅异质结太阳能电池及其制备方法。本发明的制备方法包括：硅片处理步骤：硅片处理步骤包括预退火处理、制绒和清洗处理；非晶硅层形成步骤：在处理后的硅片两面均沉积非晶硅，形成非晶硅层；透明导电膜层形成步骤：在两面的非晶硅层均沉积透明导电膜，形成透明导电膜层；电极形成步骤：在两面的透明导电膜层通过丝网印刷形成电极；退火步骤：将经上述步骤形成的两面均具有非晶硅层、透明导电膜层和电极的硅片在退火炉中退火处理，得到硅异质结太阳能电池。本发明还公开了根据该制备方法得到的硅异质结太阳能电池。本发明的硅异质结太阳能电池消除了氧施主效应，延长了少子寿命、提高了电池开路电压、降低了电池碎片率。

Description

一种硅异质结太阳能电池及其制备方法
技术领域
本发明涉及太阳能电池领域，尤其涉及一种硅异质结太阳能电池及其制备方法。
背景技术
非晶硅/单晶硅异质结太阳能电池是一种应用广泛的电池，但硅片的质量对电池性能具有重要影响。该类电池需要低缺陷、高少子寿命以及电阻率适宜的单晶硅片。在单晶硅材料加工过程中容易引入氧，由于氧具有提供电子的能力而成为氧施主。氧施主效应会诱发位错等缺陷，增加少数载流子负荷，缩短少子寿命，降低电池电性能；氧施主效应还会使硅片的应力增加，提高硅片的碎片率，从而影响硅片的机械性能。
现有技术中，硅异质结太阳能电池采用非晶硅/单晶硅相结合的方法，该方法在低于250℃的条件下进行，包括硅片的清洗制绒、非晶硅层沉积、透明导电膜层沉积、丝网印刷电极和退火步骤。现有技术中，全部工艺过程虽然保持在250℃以下进行以保证非晶硅材料的性能不受高温破坏，但无法消除单晶硅材料中的氧施主效应，从而降低了非晶硅/单晶硅异质结太阳能电池的电性能和机械性能。
发明内容
本发明提供了一种硅异质结太阳能电池及其制备方法。根据本发明的制备方法，解决了现有技术中硅异质结太阳能电池的单晶硅片中存在的氧施主效应的问题，消除了氧施主效应，延长了少子寿命、提高了电池的开路电压，提高了电性能；同时电池的碎片率降低，提高了机械性能。
根据本发明的一方面，提供了一种硅异质结太阳能电池的制备方法，该方法包括：
硅片处理步骤：所述硅片处理步骤包括预退火处理、制绒和清洗处理；
非晶硅层形成步骤：在处理后的硅片两面均沉积非晶硅，形成非晶硅层；
透明导电膜层形成步骤：在两面的非晶硅层均沉积透明导电膜，形成透明导电膜层；
电极形成步骤：在两面的所述透明导电膜层通过丝网印刷形成电极；；
退火步骤：将经上述步骤形成的两面均具有非晶硅层、透明导电膜层和电极的硅片在退火炉中退火处理，得到硅异质结太阳能电池。
可选地，根据本发明的制备方法，在硅片处理步骤中，预退火处理为将硅片在600℃～720℃退火处理5min-45min。
可选地，根据本发明的制备方法，在预退火处理中，退火温度为650℃～700℃。
可选地，根据本发明的制备方法，在预退火处理中，退火时间为10min～30min。
可选地，根据本发明的制备方法，在硅片处理步骤中，预退火处理在制绒和清洗处理之前进行。
可选地，根据本发明的制备方法，预退火处理在真空、惰性气体或空气中进行。
可选地，根据本发明的制备方法，在硅片处理步骤中，预退火步骤在制绒和清洗处理之后进行。
可选地，根据本发明的制备方法，预退火处理在惰性气体中进行。
可选地，根据本发明的制备方法，惰性气体为氮气或氩气。
根据本发明的另一方面，提供了一种根据本发明制备方法得到的硅异质结太阳能电池。
本发明有益效果如下：
根据本发明制备方法得到的硅异质结太阳能电池，消除了氧施主效应，延长了少子寿命、提高了电池的开路电压，因此提高了电池的电性能；同时电池的碎片率降低，提高了电池的机械性能。
具体实施方式
具体的实施方式仅为对本发明的说明，而不构成对本发明内容的限制，下面将结合具体的实施方式对本发明进行进一步说明和描述。
根据本发明的一方面，提供了一种硅异质结太阳能电池的制备方法，该方法包括：
硅片处理步骤：硅片处理步骤包括预退火处理、制绒和清洗处理；
非晶硅层形成步骤：在处理后的硅片两面均沉积非晶硅，形成非晶硅层；
透明导电膜层形成步骤：在两面的非晶硅层均沉积透明导电膜，形成透明导电膜层；
电极形成步骤：在两面的透明导电膜层通过丝网印刷形成电极；
退火步骤：将经上述步骤形成的两面均具有非晶硅层、透明导电膜层和电极的硅片在退火炉中退火处理，得到硅异质结太阳能电池。
根据本发明的制备方法，制绒处理为：将硅片置于重量百分比为3～8％，优选5％，的氢氧化钠溶液和体积百分比为0.1～0.5％，优选0.3％，的制绒添加剂的溶液中，在80～90℃，优选85℃，浸泡15～25分钟，优选20分钟，用去离子水冲洗5～10分钟。
根据本发明的制备方法，清洗处理为经过三次清洗后甩干：首先进行第一次清洗：将制绒后的硅片放入体积比为1∶1∶5的NH3·H2O∶H2O2∶H2O的溶液中在75℃浸泡15min，其中，NH3·H2O代表质量百分比为29％的氨水的水溶液；H2O2代表质量百分比为30％的双氧水溶液；然后用去离子水冲洗5-10min；然后进行第二次清洗：将进行第一次清洗的硅片放入HCl：H2O2：H2O体积比为1：1：5的溶液中，其中，HCl代表质量百分比为36％的盐酸水溶液，H2O2代表质量百分比为30％的双氧水溶液,在75℃浸泡15分钟，用去离子水冲洗5～10分钟；之后进行第三次清洗：用重量百分比为2％的HF溶液清洗2分钟，然后用去离子水冲洗2～5分钟；最后将硅片放入甩干机中甩干。其中优选电阻率1-5Ω·cm、N型(也可选用P型)、厚度195μm的硅片。
根据本发明制备方法，其中预退火处理是指将硅片曝露于高温一段时间后，再慢慢冷却的热处理制程。在硅片制备的过程中，晶体生长阶段会引入氧，晶体生长阶段完成后进行了各种温度的热处理形成硅片，在热处理阶段过饱和的间隙氧形成了氧施主、氧沉淀和二次缺陷。硅片中的氧以间隙态存在于晶格中，氧浓度为1017～1018atoms/cm3(每立方厘米中含有的原子个数)。由于硅片是在低温(一般在小于250℃)条件下制备，无法消除氧施主效应，因此使硅片乃至用硅片制成的电池的电性能和机械性能均受到影响。在本发明中采用的预退火处理在高温下进行，可以使氧施主失去提供电子的能力，消除氧施主效应，提高硅片乃至电池的电性能；采用的预退火处理还有助于硅片释放应力，降低碎片率提高机械性能；另外，采用的预退火处理还可以使氧向硅片外部扩散，降低硅片中的氧含量，从而减少二次缺陷。
在非晶硅层形成步骤中，在150℃用等离子体增强化学气相沉积设备(PECVD设备)在硅片两面沉积非晶硅的本征层和掺杂层，形成pi/c-Si/in结构，其中，p代表非晶硅的p层，i代表非晶硅的本征层，n代表非晶硅的n层。
在透明导电膜层形成步骤中，利用离子镀膜设备，在两面各沉积100纳米的透明导电薄膜(TCO)，形成透明导电膜层。
在电极形成步骤中，在两面的透明导电膜层均用银浆料丝网印刷形成电极；
退火步骤为在退火炉中，在200℃，在大气氛围下退火处理30min。
根据本发明的制备方法的一种实施方式，在硅片处理步骤中，预退火处理为将硅片在600℃～720℃，退火处理5-45min。
预退火处理温度在小于600℃时Si-O键不能断裂，无法消除氧施主效应，大于720℃时则会诱发位错等二次缺陷。预退火时间小于5min时Si-O键不能断裂，无法消除氧施主效应，大于45min时则会诱发位错等二次缺陷。
根据本发明的制备方法的一种实施方式，退火温度优选650℃～700℃，退火时间优选10-30min。
根据本发明的制备方法的一种实施方式，预退火处理在制绒和清洗处理之前进行，此时预退火处理在真空、惰性气体或空气中进行。
根据本发明的制备方法预退火处理在制绒和清洗处理之前进行，可以在真空、惰性气体或空气中等条件下进行，条件比较宽松，容易操作。
根据本发明的制备方法的一种实施方式，预退火处理在制绒和清洗处理之后进行，此时硅片预退火步骤在惰性气体中进行，惰性气体优选氮气或氩气。
硅片表面存在氧化层，在清洗处理过程中的第三次清洗时会采用重量百分比为2％的HF溶液进行清洗，此时可以清洗掉硅片表面的氧化层，使沉积的非晶硅对硅片均匀覆盖。若在硅片表面存在氧化层，则影响非晶硅层在硅片上的沉积。因此，预退火处理在制绒和清洗处理之后进行时，采用在惰性气体中进行以保证不在硅片表面形成氧化层，从而保证不影响非晶硅层在硅片表面的沉积。
根据本发明的另一方面，提供了根据本发明制备方法得到的硅异质结太阳能电池。
根据本发明的硅异质结太阳能电池消除了氧施主效应，延长了少子寿命、提高了电池的开路电压，提高了电池的电性能，降低了电池的碎片率，因此提高了电池的机械性能。
由此可见，根据本发明的硅异质结太阳能电池及其制备方法可选因素较多，根据权利要求可以组合出不同的实施例。因此实施例仅用于对本发明的说明和描述，并不是对本发明进行限制，下面将结合本发明的实施例对本发明进行说明。
实施例1
根据本发明硅异质结太阳能电池的制备方法，首先进行硅片处理步骤：将硅片进行预退火处理以及制绒和清洗处理。先进行预退火处理：将硅片在600℃下退火处理5min，在真空中进行；然后进行制绒处理：将硅片放在重量百分比为5％的氢氧化钠溶液和体积百分比为0.3％的制绒添加剂的溶液中，在85℃浸泡20分钟，用去离子水冲洗8分钟；之后进行第一次清洗：将制绒后的硅片放入体积比为1∶1∶5的NH3·H2O∶H2O2∶H2O的混合溶液中在75℃浸泡15min，用去离子水冲洗5min；接下来进行第二次清洗：将进行第一次清洗后的硅片放入HCl：H2O2：H2O体积比为1：1：5的溶液中，在75℃浸泡15分钟，用去离子水冲洗5分钟；之后进行第三次清洗：用重量百分比为2％的HF溶液清洗2分钟，用去离子水冲洗2分钟；最后将第三次清洗后的硅片放入甩干机中甩干。
然后进行非晶硅层形成步骤：在处理后的硅片两面均沉积非晶硅，形成非晶硅层，即用等离子体增强化学气相沉积设备(PECVD设备)在150℃时，在硅片两面沉积非晶硅本征层和掺杂层，形成pi/c-Si/in结构，形成pi/c-Si/in结构，其中，p代表非晶硅的p层，i代表非晶硅的本征层，n代表非晶硅的n层。
接下来进行透明导电膜层形成步骤：在两面的非晶硅层均沉积透明导电膜，形成透明导电膜层，即利用离子镀膜设备，在两面各沉积100纳米的透明导电薄膜(TCO)。
之后进行印刷电极步骤：在两面的透明导电膜层均丝网印刷形成电极。
最后进行退火步骤：将经上述步骤形成的两面均具有非晶硅层、透明导电膜层和电极的硅片在退火炉中在200℃下，在大气气氛下退火处理30min，得到硅异质结太阳能电池。至此，退火步骤结束，硅异质结太阳能电池制备完成。
对比例1
在对比例1中，制备硅异质结太阳能电池时，不包含预退火步骤，其余条件与实施例1完全相同。
实施例2
根据本发明硅异质结太阳能电池的制备方法，首先进行硅片处理步骤：将硅片进行预退火处理以及制绒和清洗处理。先进行预退火处理：将硅片在720℃下退火处理45min，在惰性气体中进行；然后进行制绒处理：将硅片放在重量百分比为5％的氢氧化钠溶液和体积百分比为0.3％的制绒添加剂的溶液中，在85℃浸泡20分钟，用去离子水冲洗8分钟；之后进行第一次清洗：将制绒后的硅片放入体积比为1∶1∶5的NH3·H2O∶H2O2∶H2O的混合溶液中在75℃浸泡15min，用去离子水冲洗5-10min；接下来进行第二次清洗：将进行第一次清洗后的硅片放入HCl：H2O2：H2O体积比为1：1：5的溶液中，在75℃浸泡15分钟，用去离子水冲洗10分钟；之后进行第三次清洗：用重量百分比为2％的HF溶液清洗2分钟，用去离子水冲洗5分钟；最后将第三次清洗后的硅片放入甩干机中甩干。
然后进行非晶硅层形成步骤：在处理后的硅片两面均沉积非晶硅，形成非晶硅层，即用等离子体增强化学气相沉积设备(PECVD设备)在150℃时，在硅片两面沉积非晶硅本征层和掺杂层，形成pi/c-Si/in结构。
接下来进行透明导电膜层形成步骤：在两面的非晶硅层均沉积透明导电膜，形成透明导电膜层，即利用离子镀膜设备，在两面各沉积100纳米的透明导电薄膜(TCO)。
之后进行印刷电极步骤：在两面的透明导电膜层均用丝网印刷形成电极。
最后进行退火步骤：将经上述步骤形成的两面均具有非晶硅层、透明导电膜层和电极的硅片在退火炉中在200℃下，在大气气氛下退火处理30min，得到硅异质结太阳能电池。至此，退火步骤结束，硅异质结太阳能电池制备完成。
对比例2
在对比例2中，制备硅异质结太阳能电池时，不包含预退火步骤，其余条件与实施例2完全相同。
实施例3
根据本发明硅异质结太阳能电池的制备方法，首先进行硅片处理步骤：将硅片进行预退火处理以及制绒和清洗处理。首先进行制绒处理：将硅片放在重量百分比为5％的氢氧化钠溶液和体积百分比为0.3％的制绒添加剂的溶液中，在85℃浸泡20分钟，用去离子水冲洗8分钟；之后进行第一次清洗：将制绒后的硅片放入体积比为1∶1∶5的NH3·H2O∶H2O2∶H2O的混合溶液中在75℃浸泡15min，用去离子水冲洗7min；接下来进行第二次清洗：将进行第一次清洗后的硅片放入HCl：H2O2：H2O体积比为1：1：5的溶液中，在75℃浸泡15分钟，用去离子水冲洗6分钟；之后进行第三次清洗：用重量百分比为2％的HF溶液清洗2分钟，用去离子水冲洗3分钟；最后将第三次清洗后的硅片放入甩干机中甩干。然后进行预退火处理：将甩干的硅片在650℃下退火处理30min，在惰性气体中进行。
然后进行非晶硅层形成步骤：在处理后的硅片两面均沉积非晶硅，形成非晶硅层，即用等离子体增强化学气相沉积设备(PECVD设备)在150℃时，在硅片两面沉积非晶硅本征层和掺杂层，形成pi/c-Si/in结构。
接下来进行透明导电膜层形成步骤：在两面的非晶硅层均沉积透明导电膜，形成透明导电膜层，即利用离子镀膜设备，在两面各沉积100纳米的透明导电薄膜(TCO)。
之后进行印刷电极步骤：在两面的透明导电膜层均丝网印刷形成电极。
最后进行退火步骤：将经上述步骤形成的两面均具有非晶硅层、透明导电膜层和电极的硅片在退火炉中在200℃下，在大气气氛下退火处理30min，得到硅异质结太阳能电池。至此，退火步骤结束，硅异质结太阳能电池制备完成。
对比例3
在对比例3中，制备硅异质结太阳能电池时，不包含预退火步骤，其余条件与实施例3完全相同。
实施例4
根据本发明硅异质结太阳能电池的制备方法，首先进行硅片处理步骤：将硅片进行预退火处理以及制绒和清洗处理。
先进行预退火处理：将硅片在650℃下退火处理30min，在真空中进行；然后进行制绒处理：将硅片放在重量百分比为5％的氢氧化钠溶液和体积百分比为0.3％的制绒添加剂的溶液中，在85℃浸泡20分钟，用去离子水冲洗8分钟；之后进行第一次清洗：将制绒后的硅片放入体积比为1∶1∶5的NH3·H2O∶H2O2∶H2O的混合溶液中在75℃浸泡15min，用去离子水冲洗6min；接下来进行第二次清洗：将进行第一次清洗后的硅片放入HCl：H2O2：H2O体积比为1：1：5的溶液中，在75℃浸泡15分钟，用去离子水冲洗7分钟；之后进行第三次清洗：用重量百分比为2％的HF溶液清洗2分钟，用去离子水冲洗4分钟；最后将第三次清洗后的硅片放入甩干机中甩干。
然后进行非晶硅层形成步骤：在处理后的硅片两面均沉积非晶硅，形成非晶硅层，即用等离子体增强化学气相沉积设备(PECVD设备)在150℃时，在硅片两面沉积非晶硅本征层和掺杂层，形成pi/c-Si/in结构。
接下来进行透明导电膜层形成步骤：在两面的非晶硅层均沉积透明导电膜，形成透明导电膜层，即利用离子镀膜设备，在两面各沉积100纳米的透明导电薄膜(TCO)。
之后进行印刷电极步骤：在两面的透明导电膜层均丝网印刷形成电极。
最后进行退火步骤：将经上述步骤形成的两面均具有非晶硅层、透明导电膜层和电极的硅片在退火炉中在200℃下，在大气气氛下退火处理30min，得到硅异质结太阳能电池。至此，退火步骤结束，硅异质结太阳能电池制备完成。
对比例4
在对比例4中，制备硅异质结太阳能电池时，不包含预退火步骤，其余条件与实施例4完全相同。
实施例5
根据本发明硅异质结太阳能电池的制备方法，首先进行硅片处理步骤：将硅片进行预退火处理以及制绒和清洗处理。
先进行预退火处理：将硅片在600℃下退火处理30min，在惰性气体中进行；然后进行制绒处理：将硅片放在重量百分比为5％的氢氧化钠溶液和体积百分比为0.3％的制绒添加剂的溶液中，在85℃浸泡20分钟，用去离子水冲洗8分钟；之后进行第一次清洗：将制绒后的硅片放入体积比为1∶1∶5的NH3·H2O∶H2O2∶H2O的混合溶液中在75℃浸泡15min，用去离子水冲洗9min；接下来进行第二次清洗：将进行第一次清洗后的硅片放入HCl：H2O2：H2O体积比为1：1：5的溶液中，在75℃浸泡15分钟，用去离子水冲洗8分钟；之后进行第三次清洗：用重量百分比为2％的HF溶液清洗2分钟，用去离子水冲洗4分钟；最后将第三次清洗后的硅片放入甩干机中甩干。
然后进行非晶硅层形成步骤：在处理后的硅片两面均沉积非晶硅，形成非晶硅层，即用等离子体增强化学气相沉积设备(PECVD设备)在150℃时，在硅片两面沉积非晶硅本征层和掺杂层，形成ip/c-Si/in结构。
接下来进行透明导电膜层形成步骤：在两面的非晶硅层均沉积透明导电膜，形成透明导电膜层，即利用离子镀膜设备，在两面各沉积100纳米的透明导电薄膜(TCO)。
之后进行印刷电极步骤：在两面的透明导电膜层均丝网印刷形成电极。
最后进行退火步骤：将经上述步骤形成的两面均具有非晶硅层、透明导电膜层和电极的硅片在退火炉中在200℃下，在大气气氛下退火处理30min，得到硅异质结太阳能电池。至此，退火步骤结束，硅异质结太阳能电池制备完成。
对比例5
在对比例5中，制备硅异质结太阳能电池时，不包含预退火步骤，其余条件与实施例5完全相同。
实施例6
根据本发明硅异质结太阳能电池的制备方法，首先进行硅片处理步骤：将硅片进行预退火处理以及制绒和清洗处理。
先进行预退火处理：将硅片在720℃下退火处理15min，在惰性气体中进行；然后进行制绒处理：将硅片放在重量百分比为5％的氢氧化钠溶液和体积百分比为0.3％的制绒添加剂的溶液中，在85℃浸泡20分钟，用去离子水冲洗8分钟；之后进行第一次清洗：将制绒后的硅片放入体积比为1∶1∶5的NH3·H2O∶H2O2∶H2O的混合溶液中在75℃浸泡15min，用去离子水冲洗5-10min；接下来进行第二次清洗：将进行第一次清洗后的硅片放入HCl：H2O2：H2O体积比为1：1：5的溶液中，在75℃浸泡15分钟，用去离子水冲洗5～10分钟；之后进行第三次清洗：用重量百分比为2％的HF溶液清洗2分钟，用去离子水冲洗2～5分钟；最后将第三次清洗后的硅片放入甩干机中甩干。
然后进行非晶硅层形成步骤：在处理后的硅片两面均沉积非晶硅，形成非晶硅层，即用等离子体增强化学气相沉积设备(PECVD设备)在150℃时，在硅片两面沉积非晶硅本征层和掺杂层，形成ip/c-Si/in结构。
接下来进行透明导电膜层形成步骤：在两面的非晶硅层均沉积透明导电膜，形成透明导电膜层，即利用离子镀膜设备，在两面各沉积100纳米的透明导电薄膜(TCO)。
之后进行印刷电极步骤：在两面的透明导电膜层均丝网印刷形成电极。
最后进行退火步骤：将经上述步骤形成的两面均具有非晶硅层、透明导电膜层和电极的硅片在退火炉中在200℃下，在大气气氛下退火处理30min，得到硅异质结太阳能电池。至此，退火步骤结束，硅异质结太阳能电池制备完成。
对比例6
在对比例6中，制备硅异质结太阳能电池时，不包含预退火步骤，其余条件与实施例6完全相同。
申请人将本发明实施例1-6中含有预退火步骤得到的硅异质结太阳能电池与不含有预退火步骤但其它条件完全相同制备得到的硅异质结太阳能电池进行少子寿命测试、开路电压测试以及碎片率进行测试，测试结果如表1所示。其中，在硅片沉积非晶硅层后用WCT-120少子寿命测试仪测试少子寿命；用Newport模拟器测试了电池的开路电压。
表1
根据表1可以看出，根据本发明的包含预退火处理的实施例1～6的制备方法得到的硅异质结太阳能电池与不包含预退火处理步骤的制备方法对比例1～6得到硅异质结太阳能电池相比，提高了少子寿命和电池的开路电压，因此提升了电池的电性能；另外，降低了电池的碎片率，碎片率相对减少了10％左右，因此提升了电池的机械性能。
显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (10)

1.一种硅异质结太阳能电池的制备方法，其特征在于，该方法包括：
硅片处理步骤：所述硅片处理步骤包括预退火处理、制绒和清洗处理；
非晶硅层形成步骤：在处理后的硅片两面均沉积非晶硅，形成非晶硅层；
透明导电膜层形成步骤：在两面的所述非晶硅层均沉积透明导电膜，形成透明导电膜层；
电极形成步骤：在两面的所述透明导电膜层通过丝网印刷形成电极；
退火步骤：将经上述步骤形成的两面均具有非晶硅层、透明导电膜层和电极的硅片在退火炉中退火处理，得到硅异质结太阳能电池。
2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述硅片处理步骤中，所述预退火处理为将硅片在600℃～720℃退火处理5min-45min。
3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，在所述预退火处理中，退火温度为650℃～700℃。
4.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，在所述预退火处理中，退火时间为10min-30min。
5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述硅片处理步骤中，所述预退火处理在所述制绒和清洗处理之前进行。
6.根据权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述预退火处理在真空、惰性气体或空气中进行。
7.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，在所述硅片处理步骤中，所述预退火步骤在所述制绒和清洗处理之后进行。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述预退火处理在惰性气体中进行。
9.根据权利要求8所述的制备方法，其特征在于，所述惰性气体为氮气或氩气。
10.一种根据权利要求1～9任一所述制备方法得到的硅异质结太阳能电池。
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