CN106328723B - 抗pid电池片的制备方法及光伏组件 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种抗PID电池片的制备方法及光伏组件，该制备方法先将晶体硅片置于臭氧气氛中进行初步氧形成第一SiO₂薄膜，然后以含有N₂O的气体作为反应气体在第一SiO₂薄膜上沉积第二SiO₂薄膜，然后在第一混合气体中沉积第一SiN_x薄膜以及在第二混合气体中沉积第二SiN_x薄膜。第二SiO₂薄膜可以弥补初步氧化的不完全覆盖，增加SiO₂膜层的厚度和致密性。第一SiN_x薄膜与第二SiN_x薄膜配合可以增强电池片表面对紫外短波部分的吸收。这种方法制备得到的电池片，膜层的致密性好，界面更加连续，抗PID性能较好。

Description

抗PID电池片的制备方法及光伏组件

技术领域

本发明涉及电池领域，尤其涉及一种抗PID电池片的制备方法及光伏组件。

背景技术

随着全球环境和能源危机的加剧，太阳电池的发电成本不断下降，光伏发电技术应用得到进一步推广。由于太阳电池的发电收益与使用寿命直接相关，对太阳电池组件在使用过程中的长期可靠性问题的关注也随着市场的日趋成熟而不断提高，其中电势诱导衰减(Potential induced degaradtion，PID)现象由于其在商品电池组件中的普遍存在，已经成为整个行业不得不面对和解决的技术问题。PID现象是指组件在户外多组串联获得高电压，长期在高电压作用下使得玻璃，封装材料之间存在漏电流，大量电荷聚集在电池片表面，使电池表面的钝化效果恶化，导致FF(Filling factor，填充因子)、Isc(Short circuitcurrent，短路电流)以及Voc(Open-circuit voltage，开路电流)等降低，功率衰减。PID现象一直是光伏行业需要解决的一个技术问题，据2016年DNV GL推出“光伏组件可靠性记分卡”，提供第三方数据，全球有17至22家知名光伏企业参与，PID是其中可靠性测试的项目之一，各企业测试性能结果参差不齐，有的PID竟达58.27％以上，这表明在实际应用中达到PID-free(免于电势差诱发衰减))还有很大差距。一种解决方法是在常温下采用UV氧化法在硅片表面形成一层SiO₂薄层掩蔽膜，以实现硅片表面钝化和对Na+的阻隔效果，以提高电池片的抗PID性能。但通过此种方式形成的SiO₂薄膜的厚度以及致密性、均匀性无法保证。或者通过提高电池片SiN_x(氮化硅层)的折射率来实现抗PID，但会致使Isc下降而损失效率，且电性能不良率会上升，致使效益受损。

综上，传统的电池片抗PID性能较差。

发明内容

基于此，有必要提供一种能够制备抗PID性能较好的电池片的制备方法及光伏组件。

一种抗PID电池片的制备方法，包括如下步骤：

提供晶体硅片；

将所述晶体硅片置于臭氧气氛中进行初步氧化，在所述晶体硅片表面形成第一SiO₂薄膜；

将初步氧化后的晶体硅片置于化学气相沉积设备的腔体中，真空条件下，以含有N₂O的气体作为反应气体在所述第一SiO₂薄膜上沉积第二SiO₂薄膜；

向所述腔体中通入第一混合气体，其中，所述第一混合气体中含有体积比为1:3～6的SiH₄和NH₃，在所述第二SiO₂薄膜上沉积第一SiN_x薄膜；以及

向所述腔体中通入第二混合气体，其中，所述第二混合气体中含有体积比为1:7～9的SiH₄和NH₃，在所述第一SiN_x薄膜上沉积第二SiN_x薄膜，得到抗PID电池片。

在一个实施方式中，所述以含有N₂O的气体作为反应气体在所述第一SiO₂薄膜上沉积第二SiO₂薄膜的操作中，反应温度为400℃～480℃。

在一个实施方式中，所述以含有N₂O的气体作为反应气体在所述第一SiO₂薄膜上沉积第二SiO₂薄膜的操作中，具体为采用等离子体增强化学气相沉积法，溅射功率为4000W～7000W。

在一个实施方式中，所述第一混合气体中含有体积比为1:4～5的SiH₄和NH₃。

在一个实施方式中，所述第二混合气体中含有体积比为1:8～9的SiH₄和NH₃。

在一个实施方式中，向所述腔体中通入第一混合气体的操作之前，先抽去所述腔体中的N₂O。

在一个实施方式中，所述将所述晶体硅片置于臭氧气氛中进行初步氧化的操作具体为：将所述晶体硅片置于臭氧氧化设备中，向所述臭氧氧化设备中通入氧气，在紫外光照射下对所述晶体硅片进行初步氧化。

在一个实施方式中，所述以含有N₂O的气体作为反应气体在所述第一SiO₂薄膜上沉积第二SiO₂薄膜的操作之前，还包括采用含N₂的气体吹扫初步氧化后的所述晶体硅片。

在一个实施方式中，将所述晶体硅片置于臭氧气氛中进行初步氧化的操作之前，还包括对所述晶体硅片进行预处理，所述预处理包括对所述晶体硅片制绒、扩散以及蚀刻清洗。

一种光伏组件，包括上述抗PID电池片的制备方法制备得到的抗PID电池片。

上述抗PID电池片的制备方法，先将晶体硅片置于臭氧气氛中进行初步氧形成第一SiO₂薄膜，然后以含有N₂O(笑气)的气体作为反应气体在第一SiO₂薄膜上沉积第二SiO₂薄膜，第二SiO₂薄膜可以弥补初步氧化的不完全覆盖，增加SiO₂膜层的厚度和致密性。然后在第一混合气体中沉积第一SiN_x薄膜以及在第二混合气体中沉积第二SiN_x薄膜。第一混合气体中SiH₄的含量相对较高，使得第一SiN_x薄膜中富含Si，晶格、原子排序与硅基底本身更为接近，与第二SiO₂薄膜具有较强的附着力，形成的SiO₂-SiN_x界面连续，钝化效果好。而第二混合气体中NH₃的含量比第一混合气中NH₃的含量大，使得第二SiN_x薄膜中富含N，第一SiN_x薄膜与第二SiN_x薄膜配合可以增强电池片表面对紫外短波部分的吸收。这种方法制备得到的电池片，膜层的致密性好，各膜层之间的附着力强，界面更加连续，提升对Na⁺的阻隔作用，抗PID性能较好。

附图说明

图1为一实施方式的抗PID电池片的制备方法的流程图；

图2为一实施方式的光伏组件的结构示意图；

图3a为实施例1制备的电池片测试前的EL图像；

图3b为实施例1制备的电池片按IEC62804测试标准测试96h后的EL图像；

图4a为实施例2制备的电池片测试前的EL图像；

图4b为实施例2制备的电池片按IEC62804测试标准测试96h后的EL图像。

具体实施方式

下面主要结合附图及具体实施例对抗PID电池片的制备方法及光伏组件作进一步详细的说明。

如图1所示的一实施方式的抗PID电池片的制备方法，包括如下步骤：

S10、提供晶体硅片。

在一个实施方式中，晶体硅片可以为P型多晶硅片。

在另一实施方式中，晶体硅片可以为N型多晶硅片。

在其他实施方式中，晶体硅片还可以是单晶硅片等。

具体的，在将晶体硅片置于臭氧气氛中进行初步氧化的操作之前，还包括对晶体硅片进行预处理，预处理包括对晶体硅片制绒、扩散以及蚀刻清洗。经过预处理可以促进对晶体硅片的氧化，提升晶体硅片的抗PID性能。

S20、将S10中得到的晶体硅片置于臭氧气氛中进行初步氧化，在晶体硅片表面形成第一SiO₂薄膜。

具体的，可以将晶体硅片置于臭氧氧化设备中，向臭氧氧化设备中通入氧气，在紫外光照射下对晶体硅片进行初步氧化。在紫外光照射的辐射下，通入的氧气电离为臭氧和游离的氧原子，然后通过喷淋装置喷洒到硅片表面形成SiO₂薄膜。

一实施方式中，臭氧氧化设备可置于预处理工序设备的下料区，从而不需要对现有的工序进行大改，降低生产成本。具体的，将晶体硅片酸制绒、扩散以及蚀刻清洗后，进入臭氧氧化设备，向臭氧氧化设备中通入氧气和工艺气体，在晶体硅片表面形成第一SiO₂薄膜。其中，氧气的气流量例如可以为5sccm左右；工艺气体例如为压缩空气，气流量例如可以为10sccm。

具体的，第一SiO₂薄膜的厚度可以为0.5nm～2nm，例如1nm。

S30、将S20中初步氧化后的晶体硅片置于化学气相沉积设备的腔体中，真空条件下，以含有N₂O的气体作为反应气体在S20中得到的第一SiO₂薄膜上沉积第二SiO₂薄膜。

具体的，将初步氧化后的晶体硅片置于化学气相沉积设备的腔体中后，抽真空，使腔体中的真空度维持在1500mTor～2000mTor左右。

具体的，在以含有N₂O的气体作为反应气体在第一SiO₂薄膜上沉积第二SiO₂薄膜的操作之前，还包括采用含N₂的气体吹扫初步氧化后的晶体硅片。经含N₂的气体吹扫，风干晶体硅片表面，提升沉积效果。

具体的，含有N₂O的气体可以仅为N₂O，也还可以包括N₂、Ar等惰性气体。本实施方式中，先用N₂吹扫初步氧化后的晶体硅片，然后通入N₂O的气体，以N₂O作为反应气体在第一SiO₂薄膜上沉积第二SiO₂薄膜。

本实施方式中，以含有N₂O的气体作为反应气体在第一SiO₂薄膜上沉积第二SiO₂薄膜的操作中，具体为采用等离子体增强化学气相沉积法(plasma enhanced chemicalvapor deposition，PECVD)溅射N₂O，溅射功率为4000W～7000W。镀膜时间约为100s。具体的，将初步氧化后的晶体硅片置于PECVD的炉管中，激发N₂O，使其产生低温等离子体，增强N₂O的化学活性，N₂O与晶体硅片上的Si反应，形成第二SiO₂薄膜。采用PECVD沉积第二SiO₂薄膜，可以去除预沉积，减少了高功率对第一SiO₂薄膜的轰击损伤，保证薄膜厚度以及致密性、均匀性，提升对Na⁺阻隔效果。

具体的，以含有N₂O的气体作为反应气体在第一SiO₂薄膜上沉积第二SiO₂薄膜的操作中，反应温度为400℃～480℃。更具体的，反应温度为420℃～460℃。本实施方式中，反应温度为450℃。在400℃～480℃下，N₂O能够较好的与晶体硅片上的Si反应，在第一SiO₂薄膜上沉积第二SiO₂薄膜，以弥补初步氧化的不完全覆盖，增加SiO₂膜层的厚度和致密性。

具体的，N₂O的气流量为5000sccm～10000sccm，例如7000sccm。

具体的，第二SiO₂薄膜的厚度可以为1nm～10nm，例如5nm。

通入N₂O化学气相沉积形成的致密的SiO₂层作为缓冲层，既具有良好的钝化效果又形成了较低的界面态密度。另外，SiO₂的热膨胀系数较Si更小，改善了与SiN_x层的附着力，形成一个连续的界面，该结构的界面在高温下具有更好地热稳定性，抗PID效果更好。

S40、向腔体中通入第一混合气体，其中，第一混合气体中含有体积比为1:3～6的SiH₄和NH₃，在S30中得到的第二SiO₂薄膜上沉积第一SiN_x薄膜。

具体的，向腔体中通入第一混合气体的操作之前，先抽去腔体中的N₂O，使得晶体硅片在含有SiH₄和NH₃的混合气体中沉积第一SiN_x薄膜。

本实施方式中，第一混合气体中含有SiH₄和NH₃。SiH₄和NH₃的体积比为1:3～6。当然，在其他实施方式中，第一混合气体中也还可以含有其他不参与反应的工艺气体。进一步的，第一混合气体中含有体积比为1:4～5的SiH₄和NH₃。

具体的，第一混合气体中SiH₄的气流量为500sccm～1000sccm，例如880sccm。NH₃的气流量为1500sccm～6000sccm，例如3700sccm。

具体的，第一SiN_x薄膜的厚度可以为5nm～15nm，例如10nm。

具体为采用等离子体增强化学气相沉积法(plasma enhanced chemical vapordeposition，PECVD)溅射第一混合气体，溅射功率为4000W～7000W。镀膜时间约为150s。

以体积比为1:3～6的SiH₄和NH₃的第一混合气体为反应气体沉积的第一SiN_x薄膜，制备的第一SiN_x薄膜折射率较常规提高0.2～0.3，具有更好的抗PID性能。由于第一混合气体中SiH₄的含量高，使得第一SiN_x薄膜中富含Si，第一SiN_x薄膜中SiN_x的晶格、原子排序与硅基底本身更为接近，与N₂O中沉积的第二SiO₂薄膜配合，第一SiN_x薄膜与第二SiO₂薄膜具有较强的附着力，形成的SiO₂-SiN_x界面连续，钝化效果好。

S50、向腔体中通入第二混合气体，其中，第二混合气体中含有体积比为1:7～9的SiH₄和NH₃，在S40中得到的第一SiN_x薄膜上沉积第二SiN_x薄膜，得到抗PID电池片。

具体的，向腔体中通入第二混合气体的操作之前，先抽去腔体中的第一混合气体，使得晶体硅片在含有SiH₄和NH₃的第二混合气体中沉积第二SiN_x薄膜。

本实施方式中，第二混合气体中含有SiH₄和NH₃。SiH₄和NH₃的体积比为1:7～9。当然，在其他实施方式中，第二混合气体中也还可以含有其他不参与反应的工艺气体。进一步的，第二混合气体中含有体积比为1:8～9的SiH₄和NH₃。

具体的，第二混合气体中SiH₄的气流量为500sccm～1000sccm，例如780sccm。NH₃的气流量为3500sccm～9000sccm，例如6500sccm。

具体的，第二SiN_x薄膜的厚度可以为70nm～80nm，例如75nm。

具体为采用等离子体增强化学气相沉积法(plasma enhanced chemical vapordeposition，PECVD)溅射第二混合气体，溅射功率为4000W～7000W。镀膜时间约为470s。

具体的，第一SiN_x薄膜和第二SiN_x薄膜最终总膜厚控制在79nm～83nm。折射率为2.08～2.10。

第二混合气体中，SiH₄和NH₃的体积比为1:7～9，第二混合气体中NH₃的含量第一混合气中NH₃的含量大，使得第二SiN_x薄膜中富含N，而第一SiN_x薄膜中富含Si。第一SiN_x薄膜与第二SiN_x薄膜配合形成内层富Si，外层富N的双层SiN_x膜层，提高折射率，增强电池片表面对紫外短波部分的吸收。

当然，电池片的制备方法中还可以包括印刷线路、测试等步骤，采用常规的方法即可，在此不作赘述。

上述方法制备得到的电池片，先将晶体硅片置于臭氧气氛中进行初步氧形成第一SiO₂薄膜，然后以含有N₂O(笑气)的气体作为反应气体在第一SiO₂薄膜上沉积第二SiO₂薄膜，第二SiO₂薄膜可以弥补初步氧化的不完全覆盖，增加SiO₂膜层的厚度和致密性。然后在第一混合气体中沉积第一SiN_x薄膜以及在第二混合气体中沉积第二SiN_x薄膜。第一混合气体中SiH₄的含量高，使得第一SiN_x薄膜中富含Si，晶格、原子排序与硅基底本身更为接近，与第二SiO₂薄膜具有较强的附着力，形成的SiO₂-SiN_x界面连续，钝化效果好。而第二混合气体中NH₃的含量第一混合气中NH₃的含量大，使得第二SiN_x薄膜中富含N，第一SiN_x薄膜与第二SiN_x薄膜配合可以增强电池片表面对紫外短波部分的吸收。这种方法制备得到的电池片，晶体硅片表面沉积有第一SiO₂薄膜、第二SiO₂薄膜、第一SiN_x薄膜以及第二SiN_x薄膜，膜层的致密性好，各膜层之间的附着力强，界面更加连续，提升对Na⁺的阻隔作用，抗PID性能较好。

此外，请参阅图2，本发明还提供一实施方式的光伏组件10，光伏组件10包括上述抗PID电池片的制备方法制备得到的抗PID电池片。具体的光伏组件10包括第一电极100、抗PID电池片200以及第二电极400。

其中，第一电极100可以为银电极。抗PID电池片200包括晶体硅片210和抗PID层220。晶体硅片210具体包括P型区211以及N型区213，晶体硅片210可以由P型多晶硅原料或N型多晶硅原料扩散形成。抗PID层220包括第一SiO₂薄膜221、第二SiO₂薄膜222、第一SiN_x薄膜223以及第二SiN_x薄膜224。本实施方式中，N型区213上层叠的第一SiO₂薄膜221、第二SiO₂薄膜222、第一SiN_x薄膜223以及第二SiN_x薄膜224。第二电极400可以包括铝背场410以及银电极420。太阳光从第一电极100方向照射，经光伏组件10转换成电能。

这种光伏组件，晶体硅片210与第一电极100之间设置有第一SiO₂薄膜221、第二SiO₂薄膜222、第一SiN_x薄膜223以及第二SiN_x薄膜224，膜层的致密性好，各膜层之间的附着力强，界面更加连续，提升对Na⁺的阻隔作用，抗PID性能较好。

以下为具体实施例。

以下实施例中，为特别说明，PECVD表示等离子增强体化学气相沉积法。sccm为气体流量单位，表示标准毫升每分钟。mTor为毫托，压强单位。W为瓦特，功率单位。

实施例1

将P型多晶硅片依次经过常规酸制绒、扩散(扩散后形成P形区和N形区)后进行湿法刻蚀清洗。以将晶体硅片置于臭氧氧化设备中，向臭氧氧化设备中通入氧气，在紫外光照射下对晶体硅片进行初步氧化，在晶体硅片表面形成第一SiO₂薄膜。氧气流量控制在5sccm，压缩空气流量控制在10sccm。第一SiO₂薄膜的厚度约为1nm。得到晶体硅片表面沉积有第一SiO₂薄膜的电池片。

实施例2

采用与实施例1相同的方法在在晶体硅片表面形成第一SiO₂薄膜。然后将初步氧化后的晶体硅片置于管式PECVD炉管中，抽真空，使腔体中的真空度维持在1700mTor左右。采用N₂吹扫初步氧化后的晶体硅片，然后通入N₂O，气流量为7000sccm，控制反应温度为450℃，溅射功率为5600W，镀膜时间约为100s，在第一SiO₂薄膜上沉积厚度约为5nm的第二SiO₂薄膜。抽去腔体中的N₂O，使腔体中的真空度维持在1600mTor左右，通入第一混合气体，第一混合气体中SiH₄的气流量为880sccm，NH₃的气流量为3700sccm，溅射功率为6400W，镀膜时间约为150s，在第二SiO₂薄膜上沉积厚度约为10nm的第一SiN_x薄膜。然后通入第二混合气体，第二混合气体中SiH₄的气流量为780sccm，NH₃的气流量为6500sccm，溅射功率为6400W，镀膜时间约为470s，在第一SiN_x薄膜上沉积第二SiN_x薄膜。其中第一SiN_x薄膜和第二SiN_x薄膜最终总膜厚控制在79nm～83nm，折射率为2.08～2.10。得到晶体硅片表面沉积有第一SiO₂薄膜、第二SiO₂薄膜、第一SiN_x薄膜以及第二SiN_x薄膜的电池片。

实施例3

将P型多晶硅片依次经过常规酸制绒、扩散后，进行湿法刻蚀清洗。以将晶体硅片置于臭氧氧化设备中，向臭氧氧化设备中通入氧气，在紫外光照射下对晶体硅片进行初步氧化，在晶体硅片表面形成第一SiO₂薄膜。氧气流量控制在5sccm，压缩空气流量控制在10sccm。第一SiO₂薄膜的厚度约为0.5nm。然后将初步氧化后的晶体硅片置于管式PECVD炉管中，抽真空，使腔体中的真空度维持在1500mTor左右。采用N₂吹扫初步氧化后的晶体硅片，然后通入N₂O，气流量为5000sccm，控制反应温度为400℃，溅射功率为4000W，镀膜时间约为100s，在第一SiO₂薄膜上沉积厚度约为5nm的第二SiO₂薄膜。抽去腔体中的N₂O，使腔体中的真空度维持在1600mTor左右，通入第一混合气体，第一混合气体中SiH₄的气流量为500sccm，NH₃的气流量为1500sccm，溅射功率为4000W，镀膜时间约为150s，在第二SiO₂薄膜上沉积厚度约为10nm的第一SiN_x薄膜。然后通入第二混合气体，第二混合气体中SiH₄的气流量为500sccm，NH₃的气流量为3500sccm，溅射功率为4000W，镀膜时间约为470s，在第一SiN_x薄膜上沉积第二SiN_x薄膜。其中第一SiN_x薄膜和第二SiN_x薄膜最终总膜厚控制在79nm～83nm，折射率为2.08～2.10。得到晶体硅片表面沉积有第一SiO₂薄膜、第二SiO₂薄膜、第一SiN_x薄膜以及第二SiN_x薄膜的电池片。

实施例4

将N型多晶硅片依次经过常规酸制绒、扩散后，进行湿法刻蚀清洗。以将晶体硅片置于臭氧氧化设备中，向臭氧氧化设备中通入氧气，在紫外光照射下对晶体硅片进行初步氧化，在晶体硅片表面形成第一SiO₂薄膜。氧气流量控制在5sccm，压缩空气流量控制在10sccm。第一SiO₂薄膜的厚度约为2nm。然后将初步氧化后的晶体硅片置于管式PECVD炉管中，抽真空，使腔体中的真空度维持在2000mTor左右。采用N₂吹扫初步氧化后的晶体硅片，然后通入N₂O，气流量为10000sccm，控制反应温度为480℃，溅射功率为7000W，镀膜时间约为100s，在第一SiO₂薄膜上沉积厚度约为5nm的第二SiO₂薄膜。抽去腔体中的N₂O，使腔体中的真空度维持在1600mTor左右，通入第一混合气体，第一混合气体中SiH₄的气流量为1000sccm，NH₃的气流量为6000sccm，溅射功率为7000W，镀膜时间约为150s，在第二SiO₂薄膜上沉积厚度约为10nm的第一SiN_x薄膜。然后通入第二混合气体，第二混合气体中SiH₄的气流量为1000sccm，NH₃的气流量为9000sccm，溅射功率为7000W，镀膜时间约为470s，在第一SiN_x薄膜上沉积第二SiN_x薄膜。其中第一SiN_x薄膜和第二SiN_x薄膜最终总膜厚控制在79nm～83nm，折射率为2.08～2.10。得到晶体硅片表面沉积有第一SiO₂薄膜、第二SiO₂薄膜、第一SiN_x薄膜以及第二SiN_x薄膜的电池片。

测试

将实施例1和2中制备的电池片采用相同的封装材料制成两块光伏组件，送至第三方检测机构(苏州美华UL)进行测试。按照IEC62804测试标准进行，具体的先将组件于5.2kw/m²的条件下进行预处理，待衰减稳定后，于85℃、85％RH、-1000V的条件下，测试96h。PID测试电性能数据见表1。

表1：实施例1和2的电池片的PID测试电性能数据

其中，Isc表示短路电流。Ipm表示峰值电流。Voc表示开路电压。Vpm表示峰值电压。Pmax表示最大功率。FF表示填充因子。Rs表示串联电阻。Rsh表示并联电阻。

经第三方检测机构进行PID测试，若先对组件进行预处理，按阿特斯标准功率(Pmax)衰减值在±8％以内即为合格。从表1中可以看出，实施例2的电池片的Pmax衰减比例为-0.47％，明显小于实施例1的-7.90％。实施例2制备的电池片其他参数(Isc、Ipm、Voc、Vpm、Pmax、FF、Rs、Rsh)等衰减值也较小，抗PID性能较好。

按常规方法电池片进行EL测试(电子发光检测)，实施例1制备的电池片测试前后的EL图像分别如图3a和图3b所示。实施例2制备的电池片测试前后的EL图像分别如图4a和图4b所示。对比图3b和图4b可以看出，实施例2制备的电池片经衰减处理后，电池内部的几乎无隐裂、断栅黑心等现象，稳定性明显好于实施例1制备的电池片。

采用与测试实施例1和2相同的方法测试实施例3和4制备的电池片，表明实施例3和4制备的电池片用于光伏组件功率(Pmax)衰减值均在±1％以内，符合阿特斯标准。

以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (6)

1.一种抗PID电池片的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

提供晶体硅片；

将所述晶体硅片置于臭氧气氛中进行初步氧化，在所述晶体硅片表面形成第一SiO₂薄膜；

将初步氧化后的晶体硅片置于化学气相沉积设备的腔体中，真空条件下，以含有N₂O的气体作为反应气体在所述第一SiO₂薄膜上沉积第二SiO₂薄膜；

向所述腔体中通入第一混合气体，其中，所述第一混合气体中含有体积比为1:3～6的SiH₄和NH₃，在所述第二SiO₂薄膜上沉积第一SiN_x薄膜；以及

向所述腔体中通入第二混合气体，其中，所述第二混合气体中含有体积比为1:7～9的SiH₄和NH₃，在所述第一SiN_x薄膜上沉积第二SiN_x薄膜，得到抗PID电池片；

所述将所述晶体硅片置于臭氧气氛中进行初步氧化的操作具体为：将所述晶体硅片置于臭氧氧化设备中，向所述臭氧氧化设备中通入氧气，在紫外光照射下对所述晶体硅片进行初步氧化；

所述以含有N₂O的气体作为反应气体在所述第一SiO₂薄膜上沉积第二SiO₂薄膜的操作中，具体为采用等离子体增强化学气相沉积法，溅射功率为4000W～7000W，反应温度为400℃～480℃，所述含有N₂O的气体仅为N₂O，所述N₂O的气流量为5000sccm～10000sccm；

向所述腔体中通入第一混合气体的操作之前，先抽去所述腔体中的N₂O；

所述第一SiO₂薄膜的厚度为0.5nm～2nm；

所述第二SiO₂薄膜的厚度为1nm～5nm。

2.根据权利要求1所述的抗PID电池片的制备方法，其特征在于，所述第一混合气体中含有体积比为1:4～5的SiH₄和NH₃。

3.根据权利要求1所述的抗PID电池片的制备方法，其特征在于，所述第二混合气体中含有体积比为1:8～9的SiH₄和NH₃。

4.根据权利要求1所述的抗PID电池片的制备方法，其特征在于，所述以含有N₂O的气体作为反应气体在所述第一SiO₂薄膜上沉积第二SiO₂薄膜的操作之前，还包括采用含N₂的气体吹扫初步氧化后的所述晶体硅片。

5.根据权利要求1所述的抗PID电池片的制备方法，其特征在于，将所述晶体硅片置于臭氧气氛中进行初步氧化的操作之前，还包括对所述晶体硅片进行预处理，所述预处理包括对所述晶体硅片制绒、扩散以及蚀刻清洗。

6.一种光伏组件，其特征在于，包括如权利要求1～5任一项所述的抗PID电池片的制备方法制备得到的抗PID电池片。