CN105140306A - 抗pid效应的太阳能电池结构及生产方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种抗PID效应的太阳能电池结构及生产方法，太阳能电池包括：基层、P+层、硅基体、扩散层、热氧化SiOx层、双层PECVD？SiNx膜和Ag电极，热氧化SiOx层用于提高所述的太阳能电池的抗PID能力；该抗PID效应的太阳能电池的生产方法包括前处理步骤、高温石英管清洗饱和步骤、高温氧化步骤、双层PECVD？SiNx膜的生长步骤和后处理步骤。本发明利用SiOx的物理结构，将其应用在太阳能电池的表面，形成一层稳定的膜层，有效隔离外界对太阳能电池的影响，起到抗PID的效果。本发明不需要任何设备的采购和气路改造的大量资金投入，就能实现抗PID的效果；本发明所生长的氧化层致密性好，在组件端的抗PID衰减测试结果显示其组件功率衰减保持在0.5％～1.5％之间，超出预期的抗PID效果。
Description
技术领域
本发明涉及太阳能电池制造领域，尤其涉及光伏太阳能电池制造领域，具体是指一种抗PID效应的太阳能电池结构及生产方法。
背景技术
近年来倍受关注的由于组件的电位诱发衰减(PotentialInducedDegradation，简记为PID)现象引起的光伏系统发电量下降的问题越来越多的收到人们的关注。该现象最早是由Sunpower公司在2005年发现，PID是指组件长期在高电压作用下使得玻璃、封装材料之间存在漏电流，导致组件性能低于设计标准。2010年，美国可再生能源实验室(NREL)和Solon公司研究发现采用P型晶体硅电池片所制备的组件在负偏压下都有潜在的PID现象。PID现象严重时候它可以引起一块组件功率衰减50％以上，从而影响整个电站的功率输出，因此组件的PID现象越来越受到光伏行业的重视。安装在美国Florida户外的组件在经过十个月的～1500V的偏压下组件功率已衰减到初始功率的35％。上述的组件PID现象，不仅降低了系统的发电量，而且还会对光伏系统的安全可靠运行造成了较大的影响。
大量研究表明在高温、高湿、高盐碱地区和沿海地区组件的功率衰减最为严重，除了外部环境因素外，造成组件PID现象的原因主要有以下三个方面：系统方面，组成光伏阵列的组件其边框通常是接地的，造成在单个组件和边框之间形成偏压，组件所处偏压越高则发生PID现象越严重；组件方面，高温、高湿的外界环境使得电池片和接地边框之间形成漏电流，封装材料、背板、玻璃和边框之间形成了漏电流通道。通过使用改变的EVA是实现组件抗PID的方式之一，在使用不同EVA封装胶膜条件下，组件的抗PID性能会存在差异；电池片方面，电池片方块电阻的均匀性、减反射层的厚度和折射率，氧化层等对PID性能都有着不同的影响。
如图1所示，现有的抗PID的太阳能电池结构从下到上依次为：Ag电极1A、PECVDSiNx膜2A、N型扩散层4A、P型硅基体5A、P+层、铝背场7A。现阶段的抗PID电池(抗PID的关键是隔绝玻璃中的Na离子迁移形成导电通路，因此高折射率SiNx也是这个作用，隔绝Na离子通过水解的EVA中的离子在SiNx表层形成电荷聚集，而低折射率SiNx的电荷隔绝或者说绝缘作用较差，容易使得电池端的电子逸出和SiNx表面正电荷复合)生产方法技术中，如图2所示有如下几种电池制造工艺方案：
如专利号CN103337525A中所描述，采用高折射率的SiNX方案，即在生长SiNX薄膜时，采用双层高折射率的SiNX膜，其生长的抗PID效应膜层具有厚度较薄，电导率较高的性质，电导率较高可以将从钙钠玻璃里面移动至电池片表面的金属离子均匀分布，从而消除PID效应；
如专利号CN103872184A中所描述，采用臭氧氧化的工艺方案，即通过臭氧氧化的工艺，在硅基底与氮化硅之间制作一层氧化硅层。由于臭氧的氧化能力极强，能够在硅基底表面迅速的生成一层致密氧化硅层。该氧化硅层，能够在非常薄的情况下，满足抗PID的需求；
如专利号CN103311337A中所描述，采用HNO3溶液进行湿氧氧化，即采用质量浓度69％HNO3，在70℃下，用时10mins，在P型晶硅基片的表面生长一层3～8nm的氧化层，来阻止光生载流子在P型晶硅基片表面被快速复合，达到抗PID的效应；
如专利号CN103943718A中所描述，采用UV紫外氧化的方式，即在经过常规制绒和扩散后的P型晶硅基片的受光面上，采用UV设备(CDA流量5slm、灯管功率20％、温度：25℃)在P型晶硅基片表面制备厚度为2nm和折射率为1.46的氧化硅薄膜，来满足抗PID的要求；
如专利号CN102864439A中所描述，采用笑气(N2O)在高频辉光放电的离子态下沉积氧化层，即对P型晶硅基片进行预处理，要采用PEVCD生长减反射膜，温度420℃，一氧化二氮流量为3.8～5.2slm，压力为1700mTorr，预处理3分钟，获得较薄的氧化层，以达到后期的抗PID效应；
上述几种抗PID的工艺方案中，存在如下缺点：
采用高折射率的SiNX方案，会降低表层光谱吸收的效果，从而影响光生载流子的产生，导致短路电流的下降，最终会降低太阳能电池的转换效率；
采用臭氧氧化的工艺方案，由于臭氧属于有害气体，它强烈刺激人的呼吸道，造成咽喉肿痛、胸闷咳嗽、引发支气管炎和肺气肿；造成人的神经中毒，头晕头痛、视力下降、记忆力衰退；对人体皮肤中的维生素E起到破坏作用，致使人的皮肤起皱、出现黑斑；破坏人体的免疫机能，诱发淋巴细胞染色体病变，加速衰老，致使孕妇生畸形儿；
采用HNO3溶液进行湿氧氧化，由于湿法化学生长的氧化层并不十分致密，并且不容易控制氧化层的生长，因此在实际生产中不容易控制
采用UV紫外氧化的方式和采用笑气(N2O)在高频辉光放电的离子态下沉积氧化层，会增加额外的设备采购和设备气路改造等大量资金投入。
二氧化硅用途很广泛，主要用于制玻璃、水玻璃、陶器、搪瓷、耐火材料、气凝胶毡、硅铁、型砂、单质硅、水泥等，在古代，二氧化硅也用来制作瓷器的釉面和胎体。一般的石头主要由二氧化硅、碳酸钙构成。二氧化硅中，硅原子的4个价电子与4个氧原子形成4个共价键，硅原子位于正四面体的中心，4个氧原子位于正四面体的4个顶角上。其Si-O键的键能很高，高温热生长的SiOx,其表面致密性较高，并且物理结构较稳定。只要扩散好的晶P型晶硅基片在刻蚀完去除PSG后，是放置在高温环境中，并且通入其他强氧化性气体，例如氯乙酰氯，纯氧等，进行高温环境下的化学氧化反应，生长SiOx氧化层的路线都可以实现抗PID的效果。
一些研究已经表明，在温湿条件下，组件EVA水解产生醋酸，醋酸腐蚀玻璃析出钠离子，在电池片同玻璃间具有较强的负偏压条件下，钠离子从玻璃迁移到电池片表面从而造成电池片性能衰减是PID产生的主要原因，因此阻止钠离子的迁移是抗PID的主要途径之一。氧化硅层的引入，就如同在硅基底前设置了一堵墙，有效的阻止了钠离子侵入到硅基底中，因此对于抗PID的太阳能电池来说，该层氧化硅层决定了抗PID的能力。
发明内容
本发明的目的是克服了上述现有技术的缺点，在现有的设备基础上，不增加任何的资金投入，同时考虑安全性的前提下，提供了一种能够实现的抗PID效应的太阳能电池结构及生产方法。
为了实现上述目的，本发明具有如下构成：
该抗PID效应的太阳能电池结构，其主要特点是，所述的太阳能电池结构包括从下到上依次设置的基层、P+层、硅基体、扩散层和热氧化SiOx层，所述的SiOx层上还设置有双层PECVDSiNx膜，用于提高太阳能电池对光谱的吸收率，在所述的扩散层上还分布着电极
优选地，所述的硅基体为P型晶硅基片。
更优选地，所述的扩散层为N型扩散层。
进一步地，所述的双层PECVDSiNx膜的第一层膜的厚度为20nm，折射率为2.25。
更进一步地，所述的双层PECVDSiNx膜的第二层膜的厚度为50nm，折射率为2.05。
优选地，所述的热氧化SiOx层为热氧化SiO2层。
进一步地，所述的双层PECVDSiNx膜均为Si3N4膜。
更优选地，所述的基层为铝背场。
最优选地，所述的电极为Ag电极。
一种生产基于所述的抗PID效应的太阳能电池结构的生产方法，其主要特点是，所述的步骤包括：
(1)前处理步骤：碱性制绒，酸洗杂质，制备N型层并进行刻蚀工序；
(2)高温石英管清洗饱和步骤：在石英扩散炉中进行饱和清洗；
(3)高温氧化步骤：石英管升温后通入N2进行气氛保护，通入O2进行高温氧化；
(4)双层PECVDSiNx膜的生长步骤：在PECVD管中抽真空进行两次SiNx膜的生长过程；
(5)后处理步骤：完成所述的双层PECVDSiNx膜后进行镀膜、丝网印刷和烧结步骤。
优选地，所述的前处理步骤包括：
(11)P型晶硅基片，在碱性溶液的环境下，进行金字塔绒面的制备；
(1.2)将所述的P型晶硅基片放入HF/HCL的混酸液中进行酸洗，去除所述的P型晶硅基片表面残留的金属杂质离子；
(1.3)将所述的P型晶硅基片放入高温石英扩散炉中，进行高温扩散，制备N型层；
(1.4)将扩散后的所述的P型晶硅基片进行边缘N型层的去除，以及表面磷硅玻璃层的去除；
(1.5)将刻蚀后的所述的P型晶硅基片重新放入石英舟承载槽中。
优选地，所述的高温石英管清洗饱和步骤包括：
将所述的P型晶硅基片放入已经清洗干净的高温石英扩散炉中，进行1000℃、12h的饱和清洗。
更优选地，所述的高温石英管清洗饱和步骤包括：
将所述的P型晶硅基片放入已经清洗干净的高温石英扩散炉中，采用氯乙酰氯对酸洗后的石英管进行1000℃、12h的饱和清洗。
优选地，所述的高温氧化步骤包括：
(3.1)将石英管温度设定至835℃，并等待至温度恒定在835℃；
(3.2)打开N2阀门,将整个石英炉管内通入惰性气体N2进行气氛保护；
(3.3)打开O2阀门，通入热氧化所需要的O2进行高温氧化；
(3.4)热氧化层生长完毕后，等待所述的P型晶硅基片冷却后，将其取出、插入石墨舟内。
进一步地，所述打开N2阀门,将整个石英炉管内通入惰性气体N2进行气氛保护，具体为：
将气体流量设定为25000ml/min，打开N2阀门,将整个石英炉管内通入惰性气体N2进行气氛保护。
更进一步地，所述的打开O2阀门，通入热氧化所需要的O2进行高温氧化，具体为：
(3.3.1)将气体流量设定为5000ml/min，打开O2阀门，通入热氧化所需要的O2进行高温氧化；
(3.3.2)氧化时间设定为17mins，预计生长的热氧化层厚度在2～5nm之间。
优选地，所述的双层PECVDSiNx膜的生长步骤为：
(4.1)将生长好氧化层的所述的P型晶硅基片，放入PECVD管中进行双层SiNx膜的生长；
(4.2)所述的P型晶硅基片进入PECVD炉管后，抽真空并将炉管温度升至450℃；
(4.3)打开清洗器，进行所述的PECVD炉管内废气的处理，同时再次进行抽真空；
(4.4)进行第一层SiNx膜的沉积，通入SiH4和NH3，并且保持在1：3的体积比；
(4.5)将高频打开，功率设定在4500W，镀膜时间控制170s，获得第一层SiNx膜；
(4.6)第二次抽真空，同时进行第二层SiNx膜的制备，通入SiH4和NH3，保持体积比为1：7；
(4.7)打开高频电源，功率设定在4800W，镀膜时间控制在450s，获得第二层SiNx膜。
更优选地，所述的抽真空步骤均为4mins/80mTorr。
优选地，所述的后处理步骤为：
(5.1)所述的SiNx膜完全生长完毕后，再次进行抽真空和尾气的处理，并出炉，完成镀膜程序；
(5.2)将生长好的所述的SiNx膜的P型晶硅基片进行丝网印刷和烧结，插入Ag电极；
最优选地，所述的步骤(5)之后，还包括以下步骤：
(6)进行所述的太阳能电池电性能参数的测试和筛选。
采用本发明的热氧化方法生长的SiO2薄膜与衬底硅的晶格系数更加匹配，钝化效果更佳。热氧化生长SiO2钝化膜技术采用干氧氧化方法，在晶体硅表面生长SiO2薄膜,主要原因是干氧氧化生长的SiO2薄膜结构致密、均匀、钝化效果好，有效的阻止了钠离子侵入到硅基底中，因此对于抗PID的太阳能电池来说，热氧化方法生长的氧化层效果最佳。
附图说明
图1为常规太阳能电池结构的示意图；
图2为常规太阳能电池的生产方法的流程图。
图3为本发明提供的太阳能电池结构的示意图；
图4为本发明太阳能电池的生产方法的流程图；
附图标记
1AAg电极
2APECVDSiNx膜
4AN型扩散层
5AP型硅基体
6AP+层
7A铝背场
1Ag电极
2双层PECVDSiNx膜
3热氧化SiOx层
4N型扩散层
5P型硅基体
6P+层
7铝背场
具体实施方式
为了能够更清楚地描述本发明的技术内容，下面结合具体实施例来进行进一步的描述。
如图1～2所述，抗PID效应的太阳能电池结构及生产方法如下：在铝背板7上附上P+层6，选取传统的P型晶硅基片5，在碱性溶液的环境下，进行金字塔绒面的制备；将P型晶硅基片放入HF/HCl的混酸液中进行酸洗，去除P型晶硅基片表面残留的金属杂质离子；而后放入高温石英扩散炉中，进行高温扩散，制备N型层扩散层4；将扩散后的P型晶硅基片5进行边缘N型层的去除，以及表面磷硅玻璃层的去除，即刻蚀工序；将刻蚀后的P型晶硅基片5重新放入石英舟承载槽中，注意保持P型晶硅基片表面的洁净度，防止P型晶硅基片5表面的脏污对氧化层产生影响，从而导致PECVD后出现色斑点；将P型晶硅基片5放入已经清洗干净的高温石英扩散炉中，建议可以采用氯乙酰氯对酸洗后的石英管进行1000℃、12h的饱和清洗，防止氧化过程中石英管内的P5+掺入氧化层中，影响抗PID效果；将石英管温度设定至835℃，并等待至温度恒定在835℃，打开N2阀门,将整个石英炉管内通入惰性气体N2进行气氛保护,并将气体流量设定为25000ml/min；打开O2阀门，通入热氧化所需要的O2,并将气体流量设定为5000ml/min，设定氧化时间，将其设定为17mins，预计生长的热氧化层厚度在2～5nm之间；热氧化层生长完毕后，等待P型晶硅基片5冷却后，将其取出、插入石墨舟内，注意P型晶硅基片5表面的摩擦，防止氧化层的破坏，影响抗PID的效果；将生长好氧化层3的晶P型晶硅基片，放入PECVD管中进行双层SiNx膜2的生长，晶P型晶硅基片5进入PECVD炉管后，进行4mins/80mTorr的抽真空，并将炉管温度升至450℃；取消常规PECVD镀膜过程中的预处理步骤，防止高频环境下，N+离子的对SiO2层的轰击作用，削弱抗PID的效果，打开清洗器，进行炉管内废气的处理，同时再次进行抽真空至80mTorr，进行第一层SiNx膜的沉积，通入SiH4和NH3，并且保持在1：3的体积比，将高频打开，功率设定在4500W，镀膜时间控制170s，获得第一层膜厚为20nm、折射率为2.25的Si3N4膜；第二次抽真空，同时进行第二层SiNx膜的制备，通入SiH4和NH3，体积比为1：7，同时打开高频电源，功率设定在4800W，镀膜时间控制在450s，获得第二层膜厚为50nm、折射率为2.05的Si3N4膜；双层Si3N4膜用于增加太阳光的入射率，从而提高太阳能电池对光谱的吸收率，Si3N4完全生长完毕后，再次进行抽真空和尾气的处理，并出炉，完成镀膜程序。将生长好Si3N4膜的P型晶硅基片进行丝网印刷和烧结，插入Ag电极，最后进行太阳能电池电性能参数的测试和筛选，测试条件如下：－1000V高压，测试恒温保持85℃，相对湿度保持在85％，测试时间为60h。
本发明创造性的利用SiO2的物理结构，将其应用在太阳能电池的表面，形成一层稳定的膜层，有效隔离外界对太阳能电池的影响，起到抗PID的效果。本发明不需要任何设备的采购和气路改造的大量资金投入，就能实现抗PID的效果；本发明所生长的氧化层致密性好，并且非常稳定，在组件端的抗PID衰减测试结果显示其组件功率衰减保持在0.5％～1.5％之间，超出预期的抗PID效果。测试结果如下表1：
表1抗PID生产方法下的组件端光衰结果
采用本发明的热氧化方法生长的SiO2薄膜与衬底硅的晶格系数更加匹配，钝化效果更佳。热氧化生长SiO2钝化膜技术采用干氧氧化方法，在晶体硅表面生长SiO2薄膜,主要原因是干氧氧化生长的SiO2薄膜结构致密、均匀、钝化效果好，有效的阻止了钠离子侵入到晶硅基片中，因此对于抗PID的太阳能电池来说，热氧化方法生长的氧化层效果最佳。本发明创造性的利用SiO2的物理结构，将其应用在太阳能电池的表面，形成一层稳定的膜层，有效隔离外界对太阳能电池的影响，起到抗PID的效果。本发明不需要任何设备的采购和气路改造的大量资金投入，就能实现抗PID的效果；本发明所生长的氧化层致密性好，并且非常稳定，在组件端的抗PID衰减测试结果显示其组件功率衰减保持在0.5％～1.5％之间，超出预期的抗PID效果。
在此说明书中，本发明已参照其特定的实施例作了描述。但是，很显然仍可以作出各种修改和变换而不背离本发明的精神和范围。因此，说明书和附图应被认为是说明性的而非限制性的。
Claims (20)
1.一种抗PID效应的太阳能电池结构，其特征在于，所述的太阳能电池结构包括从下到上依次设置的基层、P+层、硅基体、扩散层和热氧化SiOx层，所述的SiOx层上还设置有双层PECVDSiNx膜，用于提高太阳能电池对光谱的吸收率，在所述的扩散层上还分布着电极。
2.根据权利要求1所述的抗PID效应的太阳能电池结构，其特征在于，所述的硅基体为P型晶硅基片。
3.根据权利要求1所述的抗PID效应的太阳能电池结构，其特征在于，所述的扩散层为N型扩散层。
4.根据权利要求1所述的抗PID效应的太阳能电池结构，其特征在于，所述的双层PECVDSiNx膜的第一层膜的厚度为20nm，折射率为2.25。
5.根据权利要求1所述的抗PID效应的太阳能电池结构，其特征在于，所述的双层PECVDSiNx膜的第二层膜的厚度为50nm，折射率为2.05。
6.根据权利要求1所述的抗PID效应的太阳能电池结构，其特征在于，所述的热氧化SiOx层为热氧化SiO2层。
7.根据权利要求1所述的抗PID效应的太阳能电池结构，其特征在于，所述的双层PECVDSiNx膜均为Si3N4膜。
8.根据权利要求1所述的抗PID效应的太阳能电池结构，其特征在于，所述的电极为Ag电极。
9.根据权利要求1所述的抗PID效应的太阳能电池结构，其特征在于，所述的基层为铝背场。
10.一种权利要求1至9中任一项所述的抗PID效应的太阳能电池结构的生产方法，其特征在于，所述的方法包括：
(1)前处理步骤：碱性制绒，酸洗杂质，制备所述的扩展层并进行刻蚀工序；
(2)高温石英管清洗饱和步骤：在石英扩散炉中进行饱和清洗；
(3)高温氧化步骤：将石英管升温后通入N2进行气氛保护，通入O2进行高温氧化；
(4)双层PECVDSiNx膜的生长步骤：在PECVD管中抽真空进行两次SiNx膜的生长过程；
(5)后处理步骤：完成所述的双层PECVDSiNx膜后进行镀膜、丝网印刷和烧结步骤。
11.根据权利要求10所述的抗PID效应的太阳能电池结构的生产方法，其特征在于，所述的前处理步骤包括以下步骤：
(1.1)P型晶硅基片，在碱性溶液的环境下，进行金字塔绒面的制备；
(1.2)将所述的P型晶硅基片放入HF/HCL的混酸液中进行酸洗，去除所述的P型晶硅基片表面残留的金属杂质离子；
(1.3)将所述的P型晶硅基片放入高温石英扩散炉中，进行高温扩散，制备N型扩散层；
(1.4)将扩散后的所述的P型晶硅基片进行边缘N型扩散层的去除，以及表面磷硅玻璃层的去除；
(1.5)将刻蚀后的所述的P型晶硅基片重新放入石英舟承载槽中。
12.根据权利要求10所述的抗PID效应的太阳能电池结构的生产方法，其特征在于，所述的高温石英管清洗饱和步骤，具体为：
将所述的P型晶硅基片放入已经清洗干净的高温石英扩散炉中，进行1000℃、12h的饱和清洗。
13.根据权利要求12所述的抗PID效应的太阳能电池结构的生产方法，其特征在于，所述的高温石英管清洗饱和步骤，具体为：
将所述的P型晶硅基片放入已经清洗干净的高温石英扩散炉中，采用氯乙酰氯对酸洗后的石英管进行1000℃、12h的饱和清洗。
14.根据权利要求10所述的抗PID效应的太阳能电池结构结构的生产方法，其特征在于，所述的高温氧化步骤包括：
(3.1)将石英管温度设定至835℃，并等待至温度恒定在835℃；
(3.2)打开N2阀门，将整个石英炉管内通入惰性气体N2进行气氛保护；
(3.3)打开O2阀门，通入热氧化所需要的O2进行高温氧化；
(3.4)热氧化层生长完毕后，等待所述的P型晶硅基片冷却后，将其取出、插入石墨舟内。
15.根据权利要求14所述的抗PID效应的太阳能电池结构的生产方法，其特征在于，所述的打开N2阀门，将整个石英炉管内通入惰性气体N2进行气氛保护，具体为：
将气体流量设定为25000ml/min，打开N2阀门，将整个石英炉管内通入惰性气体N2进行气氛保护。
16.根据权利要求14所述的抗PID效应的太阳能电池结构的生产方法，其特征在于，所述的打开O2阀门，通入热氧化所需要的O2进行高温氧化，具体为：
(3.3.1)将气体流量设定为5000ml/min，打开O2阀门，通入热氧化所需要的O2进行高温氧化；
(3.3.2)氧化时间设定为17mins，预计生长的热氧化层厚度在2～5nm之间。
17.根据权利要求10所述的抗PID效应的太阳能电池结构的生产方法，其特征在于，所述的双层PECVDSiNx膜的生长步骤，包括：
(4.1)将生长好氧化层的所述的P型晶硅基片，放入PECVD管中进行双层SiNx膜的生长；
(4.2)所述的P型晶硅基片进入PECVD炉管后，抽真空并将炉管温度升至450℃；
(4.3)打开清洗器，进行所述的PECVD炉管内废气的处理，同时再次进行抽真空；
(4.4)进行第一层SiNx膜的沉积，通入SiH4和NH3，并且保持在1：3的体积比；
(4.5)将高频打开，功率设定在4500W，镀膜时间控制170s，获得第一层SiNx膜；
(4.6)第二次抽真空，同时进行第二层SiNx膜的制备，通入SiH4和NH3，保持体积比为1：7；
(4.7)打开高频电源，功率设定在4800W，镀膜时间控制在450s，获得第二层SiNx膜。
18.根据权利要求17所述的抗PID效应的太阳能电池结构的生产方法，其特征在于，所述的抽真空均为4mins/80mTorr。
19.根据权利要求10所述的抗PID效应的太阳能电池结构的生产方法，其特征在于，所述的后处理步骤包括以下步骤：
(5.1)所述的SiNx膜完全生长完毕后，再次进行抽真空和尾气的处理，并出炉，完成镀膜程序；
(5.2)将生长好的所述的SiNx膜的P型晶硅基片进行丝网印刷和烧结，插入Ag电极。
20.根据权利要求10所述的抗PID效应的太阳能电池结构的生产方法，其特征在于，所述的步骤(5)之后，还包括以下步骤：
(6)进行所述的太阳能电池电性能参数的测试和筛选。
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| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
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Granted publication date: 20170329 |