CN105226108A - 太阳能电池组件的制造方法、透光基板的制造方法和太阳能电池组件 - Google Patents

太阳能电池组件的制造方法、透光基板的制造方法和太阳能电池组件 Download PDF

Info

Publication number
CN105226108A
CN105226108A CN201510364404.3A CN201510364404A CN105226108A CN 105226108 A CN105226108 A CN 105226108A CN 201510364404 A CN201510364404 A CN 201510364404A CN 105226108 A CN105226108 A CN 105226108A
Authority
CN
China
Prior art keywords
solar module
transparent substrates
antireflection film
manufacture method
siloxanes
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201510364404.3A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105226108B (zh
Inventor
矢野博史
上野纮幸
内藤亮治
柳浦聪生
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd
Original Assignee
Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd filed Critical Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd
Publication of CN105226108A publication Critical patent/CN105226108A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105226108B publication Critical patent/CN105226108B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0216—Coatings
    • H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H01L31/02168—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells the coatings being antireflective or having enhancing optical properties for the solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/048—Encapsulation of modules
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/34—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
    • C03C17/3405—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions with at least two coatings of organic materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C17/00—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating
    • C03C17/34—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions
    • C03C17/42—Surface treatment of glass, not in the form of fibres or filaments, by coating with at least two coatings having different compositions at least one coating of an organic material and at least one non-metal coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H01L31/0216—Coatings
    • H01L31/02161—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
    • H01L31/02167—Coatings for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H02—GENERATION; CONVERSION OR DISTRIBUTION OF ELECTRIC POWER
    • H02S—GENERATION OF ELECTRIC POWER BY CONVERSION OF INFRARED RADIATION, VISIBLE LIGHT OR ULTRAVIOLET LIGHT, e.g. USING PHOTOVOLTAIC [PV] MODULES
    • H02S30/00—Structural details of PV modules other than those related to light conversion
    • H02S30/10—Frame structures
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2217/00—Coatings on glass
    • C03C2217/70—Properties of coatings
    • C03C2217/73—Anti-reflective coatings with specific characteristics
    • C03C2217/732—Anti-reflective coatings with specific characteristics made of a single layer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2217/00—Coatings on glass
    • C03C2217/70—Properties of coatings
    • C03C2217/75—Hydrophilic and oleophilic coatings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
    • C03C2217/00—Coatings on glass
    • C03C2217/70—Properties of coatings
    • C03C2217/76—Hydrophobic and oleophobic coatings
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Geochemistry & Mineralogy (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)

Abstract

本发明提供一种能够容易地除去附着在防反射膜上的油脂成分等污垢的太阳能电池组件的制造方法、透光基板的制造方法和太阳能电池组件。本发明的太阳能电池组件的制造方法，该太阳能电池组件(1)具有透光基板(10)，该透光基板(10)包括：具有透光性的基板(11)和形成于基板(11)的表面的防反射膜(12)，所述太阳能电池组件的制造方法包括：在防反射膜(12)的表面形成硅氧烷层(13)的硅氧烷涂敷工序。

Description

太阳能电池组件的制造方法、透光基板的制造方法和太阳能电池组件
技术领域
本发明涉及太阳能电池组件的制造方法、透光基板的制造方法和太阳能电池组件。
背景技术
现有技术中，作为将光能转换为电能的光电转换装置，太阳能电池组件的开发进展中。由于太阳能电池组件能够将无穷尽的太阳能直接转换为电，与用化石燃料进行发电相比，环境负荷小且清洁，所以作为新的能源而受到期待。
这种太阳能电池组件例如采用在玻璃基板与背罩(backcover)之间用填充材料将作为光电转换部的太阳能电池单元密封的结构。在太阳能电池组件中，为了吸取更多的光，存在在受光侧的玻璃基板的表面还形成有防反射膜(AntiReflectionCoat)的情况。
例如在专利文献1中公开了如下的薄膜太阳能电池组件：为了获得良好的光封闭效果，在形成于玻璃基板的防反射层的表面还形成有多层防反射膜。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2012-124386号公报
发明内容
发明要解决的课题
然而，在形成有防反射膜的太阳能电池组件中，存在当防反射膜上附着油脂成分等污垢时不容易除去该污垢的问题。在这种情况下，即使为了除去附着的污垢而清洁防反射膜的表面，也不容易除去暂时附着在防反射膜上的污垢。这样，如果防反射膜因附着有油脂成分等而保持不干净的状态，则太阳能电池组件的性能下降。
本发明是为了解决上述问题而完成的，其目的在于提供一种能够容易地除去附着在防反射膜上的油脂成分等污垢的太阳能电池组件的制造方法、透光基板的制造方法和太阳能电池组件。
用于解决课题的方法
为了解决上述问题，本发明的太阳能电池组件的制造方法的一个实施方式中，该太阳能电池组件具有透光基板，该透光基板包括：具有透光性的基板和形成于上述基板的表面的防反射膜，所述太阳能电池组件的制造方法包括：在上述防反射膜的表面形成硅氧烷层的硅氧烷涂敷工序。
此外，本发明的透光基板的制造方法的一个实施方式中，该透光基板包括：具有透光性的基板和形成于上述基板的表面的防反射膜，所述透光基板的制造方法包括：在上述防反射膜的表面形成硅氧烷层的工序。
此外，本发明的太阳能电池组件的一个实施方式中，其为在受光侧具有透光基板的太阳能电池组件，上述透光基板包括：具有透光性的基板；形成于上述基板的表面的防反射膜；和形成于上述防反射膜的表面的硅氧烷层。
此外，本发明的透光性基板的一个实施方式中，其为设置在太阳能电池组件的受光侧的透光性基板，包括：具有透光性的基板；形成于上述基板的表面的防反射膜；和形成于上述防反射膜的表面的硅氧烷层。
发明的效果
根据本发明，能够容易地除去附着在防反射膜上的油脂成分等污垢。
附图说明
图1为本发明的实施方式的透光基板的一部分的截面图。
图2为表示硅氧烷化合物的一个例子的图。
图3为用于说明本发明的实施方式的透光基板的制造方法的图。
图4为用于说明关于本发明的实施方式的透光基板为了确认硅氧烷层覆盖在防反射膜上而进行的实验的工序的图。
图5A为表示在本发明的实施方式的透光基板配置有遮光部件的区域内的表面层(露出层)的由飞行时间式二次离子质谱分析进行的(TOF-SIMS：TimeofFlightSecondaryIonMassSpectrometry)测量结果的图。
图5B为表示在本发明的实施方式的透光基板没有配置遮光部件的区域内的表面层(露出层)的由TOF-SIMS进行的测量结果的图。
图6为示意性表示图4中的配置有遮光部件的区域内的表面反应的图。
图7为用于说明本发明的实施方式的透光基板的作用效果的图。
图8A为用于说明附着在本发明的实施方式的透光基板上的污垢的评价方法的图。
图8B为表示在进行图8A所示的评价时使用的透光基板的反射率分布的一个例子的图。
图9为本发明的实施方式的太阳能电池组件的俯视图。
图10为图9的A-A’线的该太阳能电池组件的一部分放大截面图。
图11为用于说明本发明的实施方式的太阳能电池组件的制造方法的图。
图12为用于说明在安装于组件之前的基板形成硅氧烷层时的状况的图。
图13为用于说明在安装于组件之后的基板形成硅氧烷层时的状况的图。
具体实施方式
以下，关于本发明的具体实施方式，参照附图进行说明。下面说明的实施方式均表示本发明的优选的一个具体例。因此，以下实施方式中所示的数值、形状、材料、结构要素、结构要素的配置位置和连接方式等仅为一个示例，并非限定本发明的内容。由此，对于以下实施方式的结构要素中的、没有记载在表示本发明的最上位概念的独立权利要求中的结构要素，作为任意的结构要素进行说明。
另外，各图仅为示意图，并非严密地图示。此外，在各图中，对实质上相同的结构标注相同的符号，并省略或简化重复的说明。
(实施方式)
[透光基板]
首先，使用图1说明本发明的实施方式的透光基板10的结构。图1为本发明的实施方式的透光基板的一部分的截面图。
如图1所示，透光基板10包括：具有透光性的基板11；在基板11的一个表面形成的防反射膜12；和在防反射膜12的表面形成的硅氧烷层13。
透光基板10为在基板11的表面形成有防反射膜12的低反射基板，例如用作太阳能电池组件的表面保护部件。以下对透光基板10的各构成部件进行详述。
基板11例如为由透明玻璃材料构成的玻璃基板(透明玻璃基板)。
此外，基板11不限于玻璃基板，也可以是由透明树脂材料等透光性树脂材料构成的树脂基板等。
防反射膜12是为了容易地将接收的光(例如太阳光等可见光)吸取到基板11的内部而形成的。通过在基板11形成防反射膜12，能够减少入射光在透光基板10的受光面(露出面)上反射。
防反射膜12可以通过使用低反射材料等对原材料本身下功夫来实现低反射结构，也可以通过对透光性材料的表面施加凹凸加工或者在内部设置多个空隙等对表面形状或内部形状下功夫来实现低反射结构。在本实施方式中，防反射膜12的表面是凹凸结构。此外，在本实施方式中，防反射膜12的表面为亲水性。作为防反射膜12的材料，能够使用SiO2类材料、TiO2类材料或亲水性丙烯酸单体等。此外，作为一例，防反射膜12的膜厚为100nm左右。
这样构成的防反射膜12将例如被基板11的大致整个面覆膜。另外，防反射膜12可以是单层结构，也可以是层叠结构。
硅氧烷层13是通过用硅氧烷覆盖防反射膜12的表面而形成的层(硅氧烷涂层)。硅氧烷是以硅原子(Si)和氧原子(O)为骨架的化合物，具有Si-O-Si键(硅氧烷键)。作为一例，硅氧烷是图2所示的化合物。硅氧烷层13的膜厚为5nm以下的数nm程度。
由于硅氧烷为疏水性，所以硅氧烷层13的表面为疏水性。在本实施方式中，硅氧烷层13在防反射膜12的大致整个面上形成。也就是说，硅氧烷覆盖防反射膜12的大致整个面。因此，透光基板10的受光面(露出面)为疏水面。另外，硅氧烷层13在防反射膜12的大致整个面上形成的情况，除了包含硅氧烷层13在防反射膜12的整个表面上无间隙地形成的情况以外，还包含虽然稍稍存在没有形成的部位，但是硅氧烷层13形成为防反射膜12的整个表面的情况。
此外，在本实施方式中，硅氧烷层13在防反射膜12的大致整个面上形成，但是也可以不是在防反射膜12的大致整个面、而是在防反射膜12的一部分表面形成。例如硅氧烷层13可以在防反射膜12的表面的一半以下的区域中形成，如果硅氧烷层13是所需要的部位为很小的区域，则可以在防反射膜12的表面的很小的区域形成。
接着，使用图3说明本实施方式的透光基板10的制造方法。
图3为用于说明本实施方式的透光基板的制造方法的图。
首先，如图3(a)所示，准备在表面形成有防反射膜12的基板11(基板准备工序)。
接着，在防反射膜12的表面覆盖硅氧烷(硅氧烷涂敷工序)。由此，如图3(b)所示，在防反射膜12的表面形成硅氧烷层13。
在这种情况下，例如如图3(a)所示，通过配置收纳有硅酮(silicon)13a的容器100，能够使用从硅酮13a自然挥发(脱离)的硅氧烷(硅氧烷气体)而在防反射膜12的表面涂敷硅氧烷。此时，需要以硅氧烷挥发到容器100之外的状态配置硅酮13a。例如通过将容器100的盖一直打开，使得从硅酮13a挥发的硅氧烷附着在防反射膜12的表面上。
硅酮13a是以在硅氧烷(硅氧烷键)上带有有机基团的有机多晶硅作为基础的材料，耐油性、耐氧化性和耐热性较高，并且具有绝缘性。作为硅酮13a，例如是作为粘接剂(粘接树脂)使用的硅酮树脂、作为防水剂使用的硅涂敷剂或硅油等。由于这些硅酮13a中含有低分子硅氧烷，所以从硅酮13a中产生低分子硅氧烷气体。
此外，在形成硅氧烷层13的硅氧烷涂敷工序中，也可以对容器100内的硅酮13a进行加热。或者，也可以在加热环境下进行硅氧烷涂敷工序。由此，由于能够促进硅氧烷从硅酮13a的挥发，所以能够增加每单位时间内产生的硅氧烷气体的量。因此，能够在短时间内形成硅氧烷层13。
而且，也可以在密闭空间内进行硅氧烷涂敷工序。例如在用壁部包围上下四方的空间(屋)内配置在表面形成有防反射膜12的基板11和以硅氧烷可挥发到容器100之外的状态收纳有硅酮13a的容器100即可。这样，通过将基板11和硅酮13a配置在同一个密闭空间内，即使是从硅酮13a自然挥发的硅氧烷，也能够容易地形成硅氧烷层13。
另外，在由从硅酮13a自然挥发的硅氧烷形成硅氧烷层13的情况下，在密闭空间内，在室温下能够以数个小时到数天的时间形成硅氧烷层13。在这种情况下，为了使硅氧烷容易挥发，还对硅酮13a进行加热，由此能够在短时间内形成硅氧烷层13。例如通过将硅酮13a加热到100℃以上，能够在30分钟以内形成硅氧烷层13。
这里，使用图4、图5A和图5B对为了确认硅氧烷层13覆盖在防反射膜12上而进行的实验、以及通过该实验所了解到的情况进行说明。图4为用于说明此时的实验的工序的图，图5A、图5B为表示透光基板配置有遮光部件的区域(遮光区域)和没有配置遮光部件的区域(非遮光区域)中的表面层(露出层)的由TOF-SIMS进行的测量结果的图。
在该实验中，首先，如图4(a)所示，与图3同样地准备在表面形成有防反射膜12的基板11。此时，防反射膜12的表面为亲水性。另外，作为基板11，使用玻璃基板。
接着，如图4(b)所示，利用与图3同样的方法，通过使硅氧烷附着在防反射膜12的表面上，而在防反射膜12的表面形成硅氧烷层13。此时，硅氧烷层13的表面因硅氧烷的性质而为疏水性。
接着，如图4(c)所示，以覆盖硅氧烷层13的一部分的方式配置遮光部件200，使其暴露在屋外。也就是说，配置在太阳光会照射到的场所。作为遮光部件200，例如使用黑色的遮挡板。
接着，如图4(d)所示，除去遮光部件200。此时，图5A表示配置有遮光部件200的区域的表面层的TOF-SIMS的测量结果。此外，图5B表示没有配置遮光部件200的区域的表面层的TOF-SIMS的测量结果。
如图5A的质谱图所示，对于配置有遮光部件200的区域(遮光区域)的表面层，能够确认原子质量每增加74就出现峰值。该原子质量的增加量(74)与硅氧烷的硅氧烷单位((CH3)2SiO)的原子质量(74)一致。这样，对于配置有遮光部件200的区域的表面层，能够确认产生起因于硅氧烷的峰值，并且可知该表面层是硅氧烷层13。
另一方面，如图5B的质谱图所示那样，可知对于没有配置遮光部件200的区域(非遮光区域)的表面层，不产生起因于硅氧烷的峰值。也就是说，可以认为是硅氧烷层13因暴露在屋外而被除去。通常认为这是由于硅氧烷层13因暴露在屋外而接收紫外线(UV)，使附着在防反射膜12上的硅氧烷从防反射膜12脱离。
根据该实验结果可知，在配置有遮光部件200的区域中保持存在有硅氧烷层13的状态不变，而在没有配置遮光部件200的区域中硅氧烷层13被除去。也就是说，可知在配置有遮光部件200的区域中，保持存在有硅氧烷层13且露出面为疏水性的状态不变，而在没有配置遮光部件200的区域中硅氧烷层13被除去使防反射膜12露出，露出面恢复亲水性。
此外，还可知覆盖防反射膜12的硅氧烷层13能够通过照射紫外线来除去。
图6为示意性表示图4中的配置有遮光部件200的区域内的表面反应的图。
如图6(a)所示，在图4(a)中，防反射膜12露出，露出面因OH基而为亲水性。
如图6(b)所示，在图4(b)中，由于硅氧烷附着在防反射膜12的表面上而以覆盖防反射膜12的方式形成硅氧烷层13，所以露出面为疏水性。
如图6(c)所示，在图4(c)中，由于暴露在屋外，在太阳光中包含的紫外线的作用下，附着在防反射膜12上的硅氧烷脱离。由此，硅氧烷层13被除去。
如图6(d)所示，在图4(d)中，硅氧烷层13被除去使防反射膜12露出，露出面重新成为亲水性。
接着，使用图7来说明本实施方式的透光基板10的作用效果。
图7为用于说明本实施方式的透光基板的作用效果的图，与图4(d)的透光基板对应。
如图7(a)所示，在污垢附着在硅氧烷层13露出的部分和防反射膜12露出的部分等各部分上而用剃刀刮掉污垢将其除去的情况下，如图7(b)所示，能够容易地除去附着在硅氧烷层13上的污垢。
另一方面，难以除去附着在防反射膜12上的污垢。
这是由于，在防反射膜12的情况下，表面为亲水性或为凹凸结构，一旦附着有污垢则无法容易地除去污垢，但是在硅氧烷层13的情况下，由于污垢被硅氧烷阻挡(block)而能够容易地除去附着的污垢。
另外，在除去污垢之后，用酒精等清洗硅氧烷层13的表面即可。
这样，通过形成硅氧烷层13作为表面层，能够容易地除去附着的污垢。特别是，在此之前的透光基板，附着在防反射膜12上的污垢中还有即使清洁也难以除去的污垢(固化型粘接树脂等)，但是在形成硅氧烷层13的情况下，此前难以除去的污垢也能够容易地除去。
此外，此前对这样的难以除去的污垢需要特殊的清洁溶剂或清洁方法，但是在本实施方式的透光基板10中能够容易地除去污垢，因此也不需要使用特殊的清洁溶剂或清洁方法。
而且，通过形成硅氧烷层13作为表面层，除去污垢之后的痕迹也难以残留。也就是说，在没有形成硅氧烷层13的情况(露出面为防反射膜的情况)下，即使能够除去污垢，污垢也会污染防反射膜而使污垢的痕迹显眼。然而，在如本实施方式这样形成硅氧烷层13的情况下，由于污垢被硅氧烷阻挡而使污垢难以形成污染。因此，在除去污垢之后，几乎不残留污垢的痕迹。
此外，通常作为透光基板采用反射率较低(透射率较高)的基板，但是由于透射率越高污垢越显眼，从美观的角度出发，不能将透射率提升得过分地高。与此相对，在本实施方式的透光基板10中，由于能够容易地除去附着在表面上的污垢，所以能够不考虑污垢的附着地进行透光基板的透射率的设计。因此，能够容易地提高透光基板的透光性能(反射性能)。
此外，在本实施方式的透光基板10中，能够通过照射紫外线简单地除去硅氧烷层13而使防反射膜12露出。由此，也可以在制造工序中将表面层做成硅氧烷层13而容易地除去污垢，而在出货前除去硅氧烷层13使制品的表面层成为防反射膜12。
另外，在本实施方式中，由于防反射膜12的表面为亲水性，所以通过使防反射膜12恢复成露出面而能够减弱尘土附着在透光基板10的表面上的情况。
这样，由于能够通过照射紫外线简单地除去硅氧烷层13，所以能够不施加处理负荷地选择使表面层为硅氧烷层13还是防反射膜12。
另外，本申请的发明人在评价附着在透光基板10上的污垢时发现了以下评价方法。利用图8A和图8B来说明该评价方法。图8A为用于说明附着在本实施方式的透光基板上的污垢的评价方法的图。图8B为表示在该评价时使用的透光基板的反射率分布的一个例子的图。
此前，附着在玻璃基板等透光基板上的污垢和外观大多进行感观性评价。因此，存在结果因人或场所、状况、印象不同而不同的问题、需要进行限度样品(样本)的现物管理的问题。此外，玻璃基板等透光性较高的部件即使使用色差计等也难以进行准确的评价。
因此，本申请的发明人积极研究的结果是，发现通过测量透光基板的反射率而能够定量地评价透光基板的污垢等。
具体而言，如图8A所示，在透光基板10上配置光源301和积分球302，使光源301的光照射到透光基板10的规定区域上，并且使来自透光基板10的反射光(测量光)入射到积分球302来测量反射率。反射率的测量例如能够使用岛津制作所(股份制)制造的分光光度计(SolidSpec-3700)进行。
作为光源301，例如使用氘灯和卤素灯这两者，以使得出射光的波长段至少为400nm～800nm。另外，作为光源301，例如可以使用发出峰值波长为550nm的单色光的光的光源。
在积分球302中，基于来自透光基板10的反射光计算反射率。图8B表示透光基板10的规定区域的反射率分布的一个例子。
此时，在反射率超过一定阈值的情况下，能够判断为在透光基板10存在污垢。此外，也可以在作为评价对象的透光基板10的放射率相比基准的透光基板(参照物)的反射率为一定的差值以上的情况下，判断为在作为评价对象的透光基板10存在污垢。无论哪种方式，都能够通过用反射率这一数值定量地进行评价来准确地管理污垢的程度。
另外，根据本申请发明人的实验可知，例如如果相比参照物的反射率为1.2倍左右，则污垢不显眼，但是在为1.5倍时污垢显眼。
根据以上的评价方法，由于能够不依赖于人或场所、状况、印象地得到一定的结果，所以能够定量地进行透光基板的污垢的评价。由此，能够以数值管理透光基板的外观限度。此外，不再需要现货的限度样品(样本)，不再需要以现货进行管理。除此以外，由于通过定量地进行评价来得到客观的评价，所以能够更准确地向第三者提供信息。
此外，无论露出面是硅氧烷层13、防反射膜12和基板11中的哪一个，该评价方法都能够适用。
[太阳能电池组件]
接着，利用图9和图10来说明本发明的实施方式的太阳能电池组件1的结构。图9为本发明的实施方式的太阳能电池组件的俯视图。图10为图9的A-A’线的该太阳能电池组件的一部分放大截面图。
如图9和图10所示，太阳能电池组件1包括透光基板10A、太阳能电池单元20、填充材料30、背罩40、框50和端子箱60。
如图9所示，太阳能电池单元(太阳能电池元件)20呈行列状地配置有多个。太阳能电池单元(太阳能电池元件)20是将太阳光等光转换成电力的光电转换元件(光伏元件)。
在行方向上排列的多个太阳能电池单元20形成电池单元串(cellstring)(太阳能电池串)，相邻的太阳能电池单元20彼此通过导电性的连接条配线(互连器)电连接。电池单元串中的多个太阳能电池单元20串联连接。此外，在列方向上排列的电池单元串彼此通过连接配线等电连接。将多串电池单元串联连接或并联连接而构成电池单元阵列(cellarray)。
如图10所示，太阳能电池组件1是在相对的透光基板10A与背罩40之间用填充材料30将太阳能电池单元20密封的结构。此外，透光基板10A、电池单元阵列的太阳能电池单元20、填充材料30和背罩40的层叠体是太阳能电池面板2。如图9所示，太阳能电池面板2例如是矩形。
作为一个例子，太阳能电池2横向长度为大致1600mm、纵向长度为大致800mm的矩形面板。
透光基板10A保护太阳能电池组件1的内部不受到风雨或外部冲击、火灾等外部环境的影响，是用于确保太阳能电池组件1暴露在屋外的长期可靠性的表面保护部件(前罩)。例如透光基板10A保护太阳能电池单元20的受光面，配置在太阳能电池单元20的受光面侧。
在本实施方式中，使用图1所示的透光基板10作为透光基板10A。
因此，如图10所示，透光基板10A具有基板11、防反射膜12和硅氧烷层13。在本实施方式中，基板11是玻璃基板。透光基板10A设置在太阳能电池组件1的受光侧，接收太阳光等光。具体而言，硅氧烷层13接收太阳光。也就是说，硅氧烷层13的表面为太阳能电池组件1的露出面。
填充材料30是乙烯醋酸乙烯酯(EVA：ethylenevinylacetate)等树脂材料，密封太阳能电池单元20。例如在2个EVA片(树脂片)之间夹着太阳能电池单元20进行层压加工，由此能够制作将太阳能电池单元20密封在由EVA构成的填充材料30内而成的太阳能电池面板2。
背罩40是保护太阳能电池组件1的背面不受到外部环境影响的背面保护部件。背罩40例如是树脂制或玻璃制。另外，在也从太阳能电池组件1的背面侧吸收光发电的情况下，背罩40使用玻璃基板或透明树脂基板等透光基板。在这种情况下，也可以使用图1所示的透光基板10作为背罩40，配置成受光面侧(露出面侧)成为硅氧烷层13。
框(frame)50是覆盖太阳能电池面板2的周缘端部的外框。本实施方式中的框50是铝制的铝框架(aluminum框)。如图9所示，使用4根框50，分别安装于太阳能电池面板2的4条边各自的端部。此外，如图10所示，框50例如通过由硅酮树脂构成的粘接剂51固接于太阳能电池面板2的各边的端部。此外，为了防水、防尘，也可以在框50与太阳能电池面板2之间插入橡胶制的密封材料。
端子箱60是为了获取由太阳能电池面板2的电池单元阵列发出的电力而设置的。在本实施方式中，端子箱60被固定于背罩40。在端子箱60内置有安装于电路基板的多个电路部件。此外，在端子箱60灌注有硅酮树脂等绝缘性粘接剂。
接着，使用图11说明本实施方式的太阳能电池组件1的制造方法。图11是用于说明本实施方式的太阳能电池组件的制造方法的图。
如图11(a)所示，进行将多个太阳能电池单元20连结的串接(string)化(电池单元串制作工序)。具体而言，通过焊接等用2条连接条配线21将相邻的太阳能电池单元20各自的电极彼此依次连结，由此制作将多个太阳能电池单元20连结成一列的电池单元串20S。
接着，如图11(b)所示，进行多个电池单元串20S的设置(设置工序)。具体而言，以太阳能电池单元20成为二维排列的方式对多个电池单元串20S进行排列。
接着，如图11(c)所示，对透光基板10A、太阳能电池单元20和树脂片30S的层叠体进行热压接来制作太阳能电池面板2(层压工序)。具体而言，用2个EVA片即树脂片30S夹着所设置的多个电池单元串20S，进而在其上下配置透光基板10A和背罩40而准备层叠体。然后，例如以100℃以上的温度在真空中对该层叠体进行热压接(加热和压接)。通过该热压接，树脂片30S被加热而熔融，成为密封太阳能电池单元20的填充材料30。由此，能够制作太阳能电池面板2。
在本实施方式中，透光基板10A使用通过图3所示的方法制造的透光基板10。也就是说，作为透光基板10A，使用预先在基板11形成硅氧烷层13所得的基板。
在这种情况下，例如如图12所示，将多个基板11分开装载的基板架400配置在作为密闭空间的屋内，并且在该屋内配置收纳有硅酮13a的容器100。在各基板11形成有防反射膜12(图12中未图示)。由此，从硅酮13a自然挥发的硅氧烷(硅氧烷气体)附着在防反射膜12的表面上形成硅氧烷层13。这样，在本实施方式中，在设置工序或层压工序之前进行形成硅氧烷层13的硅氧烷涂敷工序。例如硅氧烷层13在基板11上的形成也可以在基板11被载置于平台(pallet)保管时进行。
接着，如图11(d)所示，为了产生加强填充材料30中树脂的分子键的交联，对太阳能电池面板2进行150℃左右的热处理(固化工序)。
该工序可以在使用EVA作为填充材料30(树脂片30S)的材料的情况下进行，但不是必须进行。
接着，如图11(e)所示，在太阳能电池面板2安装框50(形成框架工序(framing工序))。具体而言，利用硅酮树脂等粘接剂51(图11中未图示)将框50固定于太阳能电池面板2的4条边各自的周缘端部。
接着，如图11(f)所示，将端子箱60安装于背罩40。此时，将硅酮树脂灌注在端子箱60内。由此，形成太阳能电池组件1。
接着，如图11(g)所示，进行熟化直到粘接剂51等的硅酮树脂(粘接树脂)固化(熟化工序)。具体而言，将多个太阳能电池组件1装载在面板架500上，放置直到由太阳能电池组件1使用的硅酮树脂完全固化并且太阳能电池面板2的温度下降到室温程度(25℃左右)为止。
接着，如图11(h)所示，进行太阳能电池组件1的输出测量(完成品检查)，之后捆包。
另外，在本实施方式中，如上所述，在基板11形成硅氧烷层13的硅氧烷涂敷工序是在层压工序之前以制作透光基板10A的工序另外进行的，但是不限于此。
例如也可以使用在基板11形成防反射膜12所得的基板(未形成硅氧烷层13的透光基板10A)作为透光基板10B，并通过熟化工序在透光基板10B的防反射膜12形成硅氧烷层13。
具体而言，如图13所示，将载置有多个具有透光基板10B且带框50的太阳能电池面板2A的面板架(熟化架)500配置在密闭空间的屋内，并且将收纳有硅酮13a的容器100配置在该屋内。通过将太阳能电池面板2B和硅酮13a配置在同一个密闭空间内，从硅酮13a自然挥发的硅氧烷(硅氧烷气体)附着在防反射膜12的表面上。由此，能够在太阳能电池面板2A的表面(防反射膜12的表面)上形成硅氧烷层13。这样，硅氧烷涂敷工序可以是熟化工序本身，也可以通过熟化工序形成硅氧烷层13。
此外，在本实施方式中，在形成硅氧烷层13时，另外配置收纳有硅酮13a的容器100，但是不限于此，也可以使用制造太阳能电池组件1时所用的硅酮来形成硅氧烷层13。例如也可以使用制造太阳能电池组件1时所用的由硅酮树脂构成的粘接树脂来形成硅氧烷层13。具体而言，也可以使用在将框固定于太阳能电池面板2时所用的硅酮树脂或灌注在端子箱60内的硅酮树脂来形成硅氧烷层13。
这样，可以利用从制造太阳能电池组件1时所用的硅酮自然产生的硅氧烷来形成硅氧烷层13，但是在这种情况下，需要将所用的硅酮(硅酮树脂等)在硅氧烷挥发的状态下涂敷于太阳能电池组件1。进而，由于太阳能电池组件1所用的硅酮的使用量不需要那么多且从硅酮自然产生的硅氧烷也不需要那么多，所以这种情况下进行使硅氧烷积极地从硅酮产生的处理即可。例如为了提高每单位时间从硅酮挥发的硅氧烷的量，对硅酮加热或对太阳能电池面板加热即可。此外，为了使从硅酮挥发的硅氧烷高效地附着在防反射膜12的表面上，在密闭空间内进行硅氧烷涂敷工序(熟化工序)即可。由此，通过从制造太阳能电池组件1时所用的硅酮自然产生的硅氧烷也能够形成硅氧烷层13。
以上，根据本实施方式，在太阳能电池组件1的透光基板10A形成有硅氧烷层13。由此，能够容易地除去附着在透光基板10A上的污垢。
特别是，在此前的透光基板，附着在防反射膜12上的污垢中还有即使进行清洁也难以除去的污垢。例如如果在制造太阳能电池组件时或进行施工等时所用的粘接剂或填充剂、或者使用者(制造作业人员或者施工作业人员、顾客)手上污垢等的油脂成分等污垢附着在防反射膜12上，则不实施特殊的清洁溶剂或清洁方法就无法将其除去。与此相对，在本实施方式中，由于在防反射膜12形成有硅氧烷层13，所以即使附着有这种难以除去的污垢，也无需使用特殊的清洁溶剂或清洁方法，也能够通过擦拭等容易地将该污垢除去。
此外，与上述的透光基板10同样地形成硅氧烷层13作为透光基板10A的表面层，由此即使附着有油脂成分等污垢，污垢也难以污染。因此，在除去污垢之后，几乎不残留污垢的痕迹。
此外，与上述的透光基板10同样地，此前由于透射率提高时如果附着有污垢就会很显眼，所以不太能提高透射率，而在本实施方式中，由于能够容易地除去附着在表面上的污垢，所以能够不考虑污垢的附着地进行透光基板的透射率的设计。因此，能够容易地提高透光基板的透光性能(反射性能)。
此外，在本实施方式的太阳能电池组件1中，通过在防反射膜12的表面形成硅氧烷层13，能够使太阳能电池组件1的表面从亲水性(防反射膜12)成为疏水性(硅氧烷层14)。
这样，由于太阳能电池组件1的表面成为疏水性，所以能够抑制光吸入效率下降。下面，对这一点进行说明。
例如由于为亲水性时水容易附着而排水性较差，所以如果太阳能电池组件的露出面为亲水性(防反射膜12)，则水容易滞留在露出面上，导致太阳能电池组件的光吸入效率下降。
与此相对，在本实施方式的太阳能电池组件1中，由于露出面为疏水性，所以排水性提高。由此，能够抑制由于水的附着而导致的太阳能电池组件1的光吸入效率下降。
此外，当雪堆积在太阳能电池组件1的露出面上时会导致光吸入效率显著下降，但是如果太阳能电池组件1的露出面为疏水性，则雪难以堆积在露出面上。由此，能够抑制积雪导致的太阳能电池组件1的光吸入效率的大幅下降。
这样，通过硅氧烷层13使太阳能电池组件1的露出面成为疏水性，能够抑制光吸入效率下降。
此外，在本实施方式的太阳能电池组件1中，与上述的透光基板10同样地，透光基板10A的硅氧烷层13因紫外线的照射而被除去使防反射膜12露出。由此，在紫外线照射前，虽然太阳能电池组件1的露出面(受光面)因硅氧烷层13而为疏水性，但是在紫外线照射后太阳能电池组件1的露出面(受光面)因防反射膜12而成为亲水性。
由此，在将制作完成后的太阳能电池组件1设置在规定的屋外之后，由于太阳能电池组件1暴露在包含紫外线的太阳光中，所以硅氧烷层13从透光基板10A被自然地除去。由此，防反射膜12露出，所以太阳能电池组件1的露出面从疏水性恢复为亲水性。
这样，通过使太阳能电池组件1的露出面成为亲水性，水容易附着在露出面上，能够容易地洗掉尘土等。由此，能够减少尘土附着在太阳能电池组件1的露出面上。
另外，在不等待硅氧烷层13被自然地除去而想要根据情况使表面为亲水性或疏水性等情况下，也可以在制造太阳能电池组件1时或施工后有意图地除去硅氧烷层13。例如在制造时想要使表面为疏水性(硅氧烷层13)而在制造完后想要使表面为亲水性(防反射膜12)这样的情况下，在制造太阳能电池组件1时通过紫外线照射除去临时形成的硅氧烷层13即可(除去工序)。
此外，即使在检查工序前附着有硅氧烷，也由于其膜厚为数nm程度，所以几乎不影响检查。
此外，附着的硅氧烷几乎不影响透射率，因此也不影响输出。
(其他变形例等)
以上，基于上述实施方式说明本发明的太阳能电池组件，但是本发明不限定于上述实施方式。
例如在上述实施方式的太阳能电池组件1中，太阳能电池单元20采用仅透光基板10A侧(表面侧)为受光面的单面受光方式，但是也可以采用双面是受光面的双面受光方式。
此外，在上述实施方式的太阳能电池组件1中，多个太阳能电池单元20以俯视时形成行列状的方式配置，但是不限于此。例如多个太阳能电池单元20也可以配置成圆环状或者配置成直线状或曲线状的线状(一维)。
此外，在上述实施方式中，在密闭空间内进行硅氧烷涂敷工序时将基板11和硅酮配置在同一个屋内，但是在这种情况下，作为密闭空间只要是几乎不产生对流的空间即可，不限于屋内，也可以是覆盖或包围等。
此外，在上述实施方式中，使透光基板10和10A中的防反射膜12的表面为亲水性，但是不限于此。
除此以外，通过对各实施方式实施本领域技术人员能够想到的各种变形而得到的实施方式、在不脱离本发明的主旨的范围内通过将各实施方式的结构要素和功能任意地组合而实现的实施方式也包含在本发明中。
附图标记说明
1太阳能电池组件
2、2A太阳能电池面板
10、10A、10B透光基板
11基板
12防反射膜
13硅氧烷层
13a硅酮

Claims (14)

1.一种太阳能电池组件的制造方法，该太阳能电池组件具有透光基板，该透光基板包括：具有透光性的基板和形成于所述基板的表面的防反射膜，所述太阳能电池组件的制造方法的特征在于：
包括在所述防反射膜的表面形成硅氧烷层的硅氧烷涂敷工序。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池组件的制造方法，其特征在于：
在所述硅氧烷涂敷工序中，在所述防反射膜的大致整个面形成硅氧烷层。
3.根据权利要求1或2所述的太阳能电池组件的制造方法，其特征在于：
还包括对所述透光基板、太阳能电池单元和树脂片的层叠体进行热压接的层压工序，
所述硅氧烷涂敷工序在所述层压工序之前进行。
4.根据权利要求1或2所述的太阳能电池组件的制造方法，其特征在于，还包括：
对所述透光基板、太阳能电池单元和树脂片的层叠体进行热压接的层压工序；和
使用粘接树脂将框固定在经过层压的所述层叠体的周边的框固定工序，
所述硅氧烷涂敷工序在所述框工序之后进行。
5.根据权利要求4所述的太阳能电池组件的制造方法，其特征在于：
还包括进行熟化直至所述粘接树脂固化的熟化工序，
所述硅氧烷涂敷工序为所述熟化工序。
6.根据权利要求4或5所述的太阳能电池组件的制造方法，其特征在于：
所述粘接树脂为硅酮树脂，
所述硅氧烷层由从所述硅酮树脂挥发的硅氧烷构成。
7.根据权利要求1～5中任一项所述的太阳能电池组件的制造方法，其特征在于：
在所述硅氧烷涂敷工序中，在硅氧烷挥发的状态下配置硅酮，
所述硅氧烷层由从所述硅酮挥发的硅氧烷构成。
8.根据权利要求7所述的太阳能电池组件的制造方法，其特征在于：
在所述硅氧烷涂敷工序中，对所述硅酮树脂进行加热。
9.根据权利要求1～7中任一项所述的太阳能电池组件的制造方法，其特征在于：
所述硅氧烷涂敷工序在加热环境下进行。
10.根据权利要求1～9中任一项所述的太阳能电池组件的制造方法，其特征在于：
所述硅氧烷涂敷工序在密闭空间内进行。
11.根据权利要求1～10中任一项所述的太阳能电池组件的制造方法，其特征在于：
还包括通过照射紫外线而除去所述硅氧烷层的除去工序。
12.一种透光基板的制造方法，该透光基板包括：具有透光性的基板和形成于所述基板的表面的防反射膜，所述透光基板的制造方法的特征在于：
包括在所述防反射膜的表面形成硅氧烷层的工序。
13.一种太阳能电池组件，其在受光侧设置有透光基板，所述太阳能电池组件的特征在于：
所述透光基板包括：
具有透光性的基板；
形成于所述基板的表面的防反射膜；和
形成于所述防反射膜的表面的硅氧烷层。
14.一种透光性基板，其设置在太阳能电池组件的受光侧，该透光性基板的特征在于，包括：
具有透光性的基板；
形成于所述基板的表面的防反射膜；和
形成于所述防反射膜的表面的硅氧烷层。
CN201510364404.3A 2014-06-27 2015-06-26 太阳能电池组件的制造方法、透光基板的制造方法和太阳能电池组件 Expired - Fee Related CN105226108B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014-133085 2014-06-27
JP2014133085A JP2016012638A (ja) 2014-06-27 2014-06-27 太陽電池モジュールの製造方法、透光基板の製造方法及び太陽電池モジュール

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105226108A true CN105226108A (zh) 2016-01-06
CN105226108B CN105226108B (zh) 2017-04-26

Family

ID=53434280

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510364404.3A Expired - Fee Related CN105226108B (zh) 2014-06-27 2015-06-26 太阳能电池组件的制造方法、透光基板的制造方法和太阳能电池组件

Country Status (4)

Country Link
US (2) US20150380573A1 (zh)
EP (1) EP2960949A1 (zh)
JP (1) JP2016012638A (zh)
CN (1) CN105226108B (zh)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CA2985703C (en) * 2015-05-27 2023-10-17 Pella Corporation Water management systems for fenestration products
JP6589701B2 (ja) * 2016-03-11 2019-10-16 信越化学工業株式会社 難燃性太陽電池モジュールの製造方法
JP2018006699A (ja) * 2016-07-08 2018-01-11 株式会社エコ・２４ 太陽光発電モジュールおよびその製造方法
CN114975660A (zh) * 2022-06-04 2022-08-30 骥志(江苏)新能源科技有限公司 一种基于超薄钢化玻璃的轻质叠瓦光伏组件
CN115566081B (zh) * 2022-11-11 2023-04-18 宁波长阳科技股份有限公司 一种光伏组件及其制备方法与太阳能电池
CN116656155A (zh) * 2023-05-22 2023-08-29 兰州空间技术物理研究所 一种太阳能电池表面月尘防护涂层及其制备方法和防尘效率评价方法

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002270866A (ja) * 2001-03-07 2002-09-20 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd 太陽電池モジュール
CN103165684A (zh) * 2011-12-14 2013-06-19 松下电器产业株式会社 太阳能电池组件的制造方法及太阳能电池组件

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2008083164A1 (en) * 2006-12-27 2008-07-10 Dow Corning Corporation Structural attachment of solar modules to frames by glazing
JP2008161806A (ja) * 2006-12-28 2008-07-17 Honda Motor Co Ltd 金属表面の処理方法
US8319095B2 (en) * 2007-11-27 2012-11-27 Guardian Industries Corp. Method of making an antireflective silica coating, resulting product, and photovoltaic device comprising same
CN102317228B (zh) * 2009-01-12 2015-11-25 清洁阳光能源有限公司 具有自清洁减反射涂层的基材及其制备方法
US8673393B2 (en) * 2009-06-08 2014-03-18 Innovanano, Inc. Hydrophobic materials made by vapor deposition coating and applications thereof
EP2530734A4 (en) * 2010-01-26 2015-11-18 SOLAR CELL MODULE, AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME
JP5542038B2 (ja) 2010-12-09 2014-07-09 三菱電機株式会社 薄膜太陽電池およびその製造方法、薄膜太陽電池モジュール
JP2012204459A (ja) * 2011-03-24 2012-10-22 Fujifilm Corp 太陽電池モジュールおよびその製造方法
JP2012256640A (ja) * 2011-06-07 2012-12-27 Asahi Kasei E-Materials Corp 太陽電池モジュール及びそのコーティング方法
JP2013243178A (ja) * 2012-05-18 2013-12-05 Panasonic Corp 太陽電池モジュールとその製造方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002270866A (ja) * 2001-03-07 2002-09-20 Kanegafuchi Chem Ind Co Ltd 太陽電池モジュール
CN103165684A (zh) * 2011-12-14 2013-06-19 松下电器产业株式会社 太阳能电池组件的制造方法及太阳能电池组件

Also Published As

Publication number Publication date
CN105226108B (zh) 2017-04-26
US20150380573A1 (en) 2015-12-31
JP2016012638A (ja) 2016-01-21
US20170077323A1 (en) 2017-03-16
EP2960949A1 (en) 2015-12-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105226108A (zh) 太阳能电池组件的制造方法、透光基板的制造方法和太阳能电池组件
Sun et al. Optics-based approach to thermal management of photovoltaics: selective-spectral and radiative cooling
Aitola et al. Encapsulation of commercial and emerging solar cells with focus on perovskite solar cells
US20080121270A1 (en) Photovoltaic roof tile system
JPWO2008096711A1 (ja) 太陽電池モジュール及び太陽電池モジュール用波長変換型集光フィルム
US20160276514A1 (en) Solar energy collection systems utilizing holographic optical elements useful for building integrated photovoltaics
CN102027183A (zh) 太阳能电池板窗户
WO2008050392A1 (fr) Appareil photovoltaïque à concentration
KR20120091670A (ko) 태양전지 모듈 및 그 제조방법
JP2013026030A (ja) 光電変換素子モジュールおよび建築物
CN109302850A (zh) 用于透明有机光伏装置的系统和方法
Huang et al. Large-area transparent “quantum dot glass” for building-integrated photovoltaics
Oreski et al. Designing new materials for photovoltaics: opportunities for lowering cost and increasing performance through advanced material innovations
JP2010500749A (ja) 光起電電気エネルギー生成多層化合物およびその製造と取りつけの方法
US20090000656A1 (en) Photovoltaic Module
CN102479858B (zh) 透光性光电模块及其制造方法以及包括该模块的多层玻璃
Kim et al. Enhanced light harvesting in photovoltaic devices using an edge-located one-dimensional grating polydimethylsiloxane membrane
KR101733054B1 (ko) 태양전지 모듈
Seifert et al. Light management in solar modules
CN208835076U (zh) 一种新型太阳能光伏组件
Rabanal-Arabach Development of a c-Si Photovoltaic Module for Desert Climates
KR101305660B1 (ko) 태양전지 모듈 및 이의 제조방법
US20200259029A1 (en) Photovoltaic module having scattering patterns
JPH10270730A (ja) 太陽電池モジュール
US20130037097A1 (en) Photovoltaic module with edge seal masking a bus bar

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20170426