CN105209946A - 低弯曲损耗光纤 - Google Patents

Abstract

具有低弯曲损耗的光纤。光纤具有：中心纤芯区域(1)、内包层区域(2)和围绕内包层区域的第二包层区域(3)，所述中心纤芯区域具有折射率Δ₁，所述内包层区域的外半径r₂>17微米且具有折射率Δ₂，所述第二包层区域具有折射率Δ₃。光纤分布区段可布置成使得Δ₁>Δ₃>Δ₂。光纤可展现出内包层区域的分布体积V₂，其在r₁和r₂之间计算得到，并且至少是30％Δ微米²。

Description

低弯曲损耗光纤

相关申请的交叉引用

本申请根据35U.S.C.§119，要求2013年4月8日提交的美国临时申请系列第61/809,537号的优先权，本文以该申请为基础并将其全文通过引用结合于此。

技术领域

本发明涉及具有低弯曲损耗的光纤。

背景技术

存在对于低弯曲损耗的光纤的需求，特别是用于所谓的“接入(acces)”的光纤以及前提(FTTx)光学网络的光纤。可以在此类网络中以诱发传输通过光纤的光信号中的弯曲损耗的方式配置光纤。一些施加诱发弯曲损耗的物理需求(例如紧弯曲半径、光纤的压缩等)的应用包括光纤在光学下降电缆组件中的配置，具有工厂安装终端系统(FITS)和膨胀圈的分布电缆，位于连接馈电线和分布电缆的机柜内的小弯曲半径多端口，以及分配器和下降电缆之间的网络接入点中的跳线。难以在一些光纤设计中同时实现低弯曲损耗和低光缆截止波长。

发明内容

本文揭示了光波导光纤，其包括：中心纤芯区域、包层区域，所述中心纤芯区域具有外半径r₁和折射率Δ₁，所述包层区域包括第一内包层区域和第二内包层区域，所述第一内包层区域具有>17微米的外半径r₂和折射率Δ₂，所述第二包层区域围绕内包层区域并且包括折射率Δ₃，其中，Δ₃大于0.0％Δ，Δ₁>Δ₃>Δ₂。Δ₃和Δ₂之间的差异优选大于0.02％Δ。光纤可展现出内包层区域的分布体积V₂，其在r₁和r₂之间计算得到，如下所示：

$V_2=2\underset{r1}{\overset{r2}{\∫}}{\mathrm{\Δ}}_{(3-2)}\left(r\right)rdr$

以及|V₂|至少是30％的Δ微米²。

本文还揭示了光波导光纤，其包括：中心纤芯区域、包层区域，所述中心纤芯区域具有外半径r₁、折射率Δ₁和大于10的纤芯α，所述包层区域包括第一内包层区域和第二内包层区域，所述第一内包层区域具有>14微米的外半径r₂和折射率Δ₂，所述第二包层区域围绕内包层区域并且包括折射率Δ₃，其中，Δ₃大于0.0％，Δ₁>Δ₃>Δ₂。Δ₃和Δ₂之间的差异优选大于0.02％，光纤展现出内包层区域的分布体积V₂，其在r₁和r₂之间计算得到，如下所示：

$V_2=2\underset{r1}{\overset{r2}{\∫}}{\mathrm{\Δ}}_{(3-2)}\left(r\right)rdr$

以及|V₂|至少是5％的Δ微米²。

本文所揭示的光纤可展现出小于7.5的MAC数，并且优选展现出小于或等于1260nm的22m光缆截止。r₁/r₂之比可小于0.4，更优选小于0.35，甚至更优选小于0.3。在一些实施方式中，Δ₃和Δ₂之间的差异大于0.02％Δ，在一些实施方式中，Δ₃和Δ₂之间的差异大于0.05％Δ。在一些实施方式中，Δ₃和Δ₂之间的差异是0.02-0.17％Δ。在本文所揭示的光纤中，Δ₃优选大于0.0，更优选大于0.02％Δ，更优选大于0.04％Δ。

本文所揭示的光纤设计产生如下光纤：其光学性质为符合G.652，具有1310nm处8.2-9.1微米(更优选1310nm处8.3-8.9微米)的模场直径，零色散波长λ₀为1300≤λ0≤1324nm，光缆截止小于或等于1260nm，1550nm处的衰减≤0.195dB/Km，更优选≤0.185dB/Km，甚至更优选在1550nm处≤0.183dB/Km。纤芯区域中的折射率分布是渐变式折射率分布，通过纤芯α参数(α)进行表征。纤芯α参数优选小于10，更优选小于5，甚至更优选小于3。纤芯α参数优选大于1，更优选大于1.3，甚至更优选大于1.5。在一些实施方式中，纤芯可包括如下折射率分布，其至少基本上符合超高斯分布，即至少基本符合等式％Δ(r)＝％Δ_1最大·EXP(-((r/a)^γ))的分布，其中，r是距离光纤中心的径向距离，a是对应于％Δ＝((％Δ_1最大/e)的径向位置的径向换算参数，e是自然对数的底(约为2.71828…)，以及γ是正数。优选地，a大于4.0微米，更优选大于4.6微米，最优选大于4.7微米。

包层区域包括围绕纤芯的内区域，所述内区域的折射率相对于外包层区域是凹陷的。优选地，该凹陷区域是通过增加外包层的折射率形成的。以这种方式，可以避免凹陷包层区域中的负掺杂剂，例如氟。具有该凹陷包层区域的光纤具有降低的宏弯曲和微弯曲损耗。凹陷折射率包层区域可具有相对于外包层处于-0.02至-0.15％Δ的折射率，凹陷折射率包层区域的绝对体积大于30％Δ微米²。凹陷折射率内包层区域优选紧邻纤芯区域，并且可通过凹槽区域的负掺杂(例如通过氟掺杂或者通过非周期性空穴掺杂)形成或者通过外包层的正掺杂形成。在其他实施方式中，光纤可同时包括凹陷折射率内包层区域和相对于石英的正掺杂的外包层区域，即包层区域包含增加折射率的掺杂剂，例如氧化锗或氯，其含量足以显著提升石英的折射率。

相比于阶梯式折射率纤芯分布氧化锗掺杂的单模(1550nm)产品，包含超高斯分布的光纤产生的衰减下降了0.001-0.005dB/km。较低的衰减会允许这些光纤降低网络中的信噪比。超高斯分布还产生较低的宏弯曲和微弯曲损耗。具有凹陷包层区域的其他实施方式实现对于色散属性更为控制的新的光纤设计。

在一些实施方式中，光纤的纤芯α大于10，内包层半径r₂大于14微米，并且具有至少5％Δ微米²的槽体积|V₂|。

优选地，本文所揭示的光纤能够展现出1550nm处小于或等于0.07db/km，更优选小于或等于0.05dB/km的丝网覆盖鼓微弯曲损耗(即，来自未弯曲状态的衰减的增加)。此外，本文所揭示的光纤能够展现出：1550nm处20mm直径弯曲损耗不大于0.08dB/转，1625nm处20mm直径弯曲损耗不大于0.2dB/转，以及1550nm处15mm直径弯曲损耗不大于0.4dB/转。此外，本文所揭示的光纤能够展现出通过丝网鼓测试小于0.1dB/km，更优选小于0.05dB/km的微弯曲损耗。

同时，这些光纤能够提供1550nm处小于或等于0.195dB/km，更优选小于0.19dB/km，最优选小于0.185dB/km的衰减，以及1310nm处小于或等于0.34dB/km，更优选小于0.32dB/km的衰减。光纤可涂覆施加到光纤的第一和第二涂层，其中，第一涂层的杨氏模量小于5MPa，更优选小于1MPa，第二涂层的杨氏模量大于500MPa，更优选大于900MPa，甚至更优选大于1100MPa。

如本文所用，MAC数表示1310nm波长处的模场直径(单位，nm)除以22m光缆截止波长(单位，nm)。优选地，本文所揭示的光纤展现出小于7.5的MAC数。

下面详细参考本发明的优选实施方式，这些实施方式的例子在附图中示出。

附图说明

图1显示对应本文所揭示的光波导光纤的实施方式的折射率分布。

优选实施方式

在以下的详细描述中提出了本发明的附加特征和优点，其中的部分特征和优点对本领域的技术人员而言由所述内容就容易理解，或按下面的描述和权利要求书以及附图所述实施本发明而被认识。

“折射率分布”是折射率或相对折射率与波导光纤半径之间的关系。折射率分布的每个区段的半径具有缩写r₁、r₂、r₃等，本文中大小写可互换使用(例如，r₁等于R₁)。

“相对折射率百分比”定义为Δ％＝100x(n_i ²-n_c ²)/2n_i ²，本文所用n_c是未掺杂的石英的平均折射率。除非另有说明，否则，本文所用的相对折射率用Δ表示，其数值以“％”为单位。术语：delta、Δ、Δ％、％Δ、delta％、％delta和百分比Δ在本文中可互换使用。在本文中，“正掺杂剂”视为相对于纯的未掺杂SiO₂倾向于提高折射率的掺杂剂。在本文中，“负掺杂剂”视为相对于纯的未掺杂SiO₂倾向于降低折射率的掺杂剂。正掺杂剂的例子包括：GeO₂(氧化锗)、Al₂O₃、P₂O₅、TiO₂、Cl、Br。负掺杂剂的例子包括氟和硼。

除非另外说明，否则在本文中，将“色散”称作“分散”，波导光纤的色散是材料色散、波导色散和模间色散之和。对于单模波导光纤，模间色散为零。零色散波长是色散值等于零的波长。色散斜率表示色散相对于波长的变化率。

“有效面积”定义如下：

A_eff＝2π(∫f²rdr)²/(∫f⁴rdr)，

其中，积分限为0至∞，f是与波导中所传播的光相关的电场的横向分量。如本文所用，“有效面积”或“A_eff”指的是波长为1550nm的光学有效面积，除非另有说明。

术语“α分布”指的是相对折射率分布，用Δ(r)表示，单位为“％”，其中r为半径，该参数符合如下方程式：

Δ(r)＝(r_o)(1-[|r-r_o|/(r₁-r_o]^α)，

其中，r_o表示Δ(r)为最大值的点，r₁表示Δ(r)％为零的点，r的范围是r_i<r<r_f，其中Δ如上文所定义，r_i是α-分布的起点，r_f是α-分布的终点，α是指数，为实数。

采用彼得曼II方法测量模场直径(MFD)，其中，2w＝MFD，w²＝(2∫f²rdr/∫[df/dr]²rdr)，积分限是0至∞。

波导光纤的抗弯曲性可以通过规定测试条件下所诱发的衰减进行度量，例如通过将光纤绕着规定直径的心轴配置或缠绕，例如绕着6mm、10mm或20mm或者类似直径缠绕1圈(例如，“1x10mm直径宏弯曲损耗”或“1x20mm直径宏弯曲损耗”)，并测量每圈的衰减增加。

另一种类型的弯曲测试是丝网覆盖的鼓微弯曲测试(WMCD)。在该测试中，用丝网缠绕400mm直径的铝鼓。网应该是没有拉伸情况下的紧密缠绕，并且不应该有孔、下沉或损坏。丝网材料规格：麦克马斯特-卡尔供应公司(McMaster-CarrSupplyCompany)(俄亥俄州克利夫兰市(Cleveland,OH))，部件编号85385T106，抗腐蚀型304不锈钢编织丝布，每线性英寸网为165x165，丝直径为0.0019”，宽度开口为0.0041”，开放区域％为44.0。将规定长度(750米)的波导光纤以1m/s绕到丝网鼓上，当施加80(+/-1)克的张力时，具有0.050厘米的拉紧间距。规定长度光纤的端部胶带固定，以维持张力，并且没有光纤交叉。在具体波长(通常在1200-1700nm范围内，例如，1310nm或1550nm或1625nm)测量光纤的衰减；测量绕到光滑鼓上的光纤的参比衰减。衰减的增加是规定波长(通常在1200-1700nm范围内，例如，1310nm或1550nm或1625nm)处的波导的丝网覆盖的鼓衰减，单位dB/km。

对于本文所用的光缆截止波长(或者“光缆截止”)，指的是EIA-445光纤光学测试步骤所述的22m光缆截止测试，其是EIA-TIA光纤光学标准的一部分，即电子工业联盟-电信工业联盟光纤光学标准(ElectronicsIndustryAlliance-TelecommunicationsIndustryAssociationFiberOpticsStandards)。

除非本文另有说明，否则光学性质(例如，色散、色散斜率等)是LP01模式的。

本文所揭示的光纤能够在1550nm处展现出大于约55微米²，优选55-85微米²，甚至更优选约为65-80微米²的有效面积。在一些优选的实施方式中，1550nm处的光学模式有效面积约为70-80微米²。

一种示例性光纤10如图1所示，其包含中心玻璃纤芯区域1，其包括具有纤芯α参数(α)和最大折射率Δ百分比Δ₁的渐变式折射率分布。第一凹陷内包层区域2围绕中心纤芯区域1，所述第一内包层区域2包括折射率Δ百分比Δ₂。外包层区域3围绕第一内包层区域2并且包括Δ₃。在优选的实施方式中，Δ₁>Δ₃>Δ₂。在如图1所示的实施方式中，区域1、2、3相互紧邻。

中心纤芯区域1包括外半径r₁，其定义为从中心纤芯区域1的折射率的最大斜率绘制的切线与零Δ线相交的位置。纤芯区域1优选展现出折射率Δ百分比，Δ₁，其约为0.3-0.7％Δ，在一些实施方式中，约为0.3-0.55％Δ，更优选约为0.32-0.52％Δ。纤芯半径r₁优选3-10微米，更优选约为4.0-7.0微米。中心纤芯区域1展现出的α大于0.5且小于16，在一些实施方式中，小于10、小于5或者小于3。

在如图1所示的实施方式中，内凹陷包层区域2围绕中心纤芯区域1并且包括内半径r₁和外半径r₂，r₂定义为折射率分布曲线增加到形成区域3的位置。在一些情况下，区域2中的折射率是基本平坦的，在一些实施方式中，区域2中的折射率是随着半径增加而增加折射率。在其他情况下，可以存在作为小的分布设计或工艺变化结果的波动。在一些实施方式中，第一内包层区域含有小于0.02重量％的氟。内包层区域2优选包含基本未掺杂氟、硼或氧化锗的石英，即，使得该区域基本不含氟、硼和氧化锗。

内包层区域2相对于外包层区域3是下陷的，优选展现出约为9-25微米，更优选10-20微米，甚至更优选约为11-15微米的宽度。在一些实施方式中，R₂可大于14、大于17、大于19微米，或者大于21微米且小于30微米，更优选小于25微米。在一些实施方式中，纤芯半径r₁与内包层区域2的半径r₂之比小于.4，更优选小于0.35，甚至更优选小于0.3。

外包层区域3围绕凹陷环形区域3并且包括折射率Δ百分比Δ₃，其高于内包层区域2的折射率Δ₂，从而形成相对于内包层区域2的“未掺杂”外包层区域3，例如通过将掺杂剂(例如氧化锗或氯)的量增加至足以增加外包层区域的折射率。但是，注意的是，基于在区域3中必须包含增加折射率的掺杂剂的意义上而言，区域3是未掺杂的并非是关键的。事实上，可以通过相对于外包层区域3负掺杂内包层区域2，来实现外包层区域3中的相同类别的折射率增加效应。但是，在一些实施方式中，在内包层区域2中不存在氟或其他负掺杂剂，区域3包含正掺杂剂(例如氟)。外包层区域3包括高于内包层区域2的折射率，优选包括折射率Δ百分比Δ₃，其大于0.02％Δ，优选至少0.05％Δ，例如至少0.08％Δ，并且可以大于0.1或0.12百分比Δ。优选地，外包层区域3(相比于内包层区域2)较高的折射率部分至少延伸到传输通过光纤的光功率大于或等于90％的传输的光功率的点，更优选延伸到传输通过光纤的光功率大于或等于95％的传输的光功率的点，最优选延伸到传输通过光纤的光功率大于或等于98％的传输的光功率的点。在许多实施方式中，这是通过使得“正掺杂”的第三环形区域至少延伸到约30微米的径向点实现的。因此，本文中V₂的体积定义为采用半径r₁和r₂之间的Δ(3-2)(r)rdr计算，从而定义如下：

$V_2=2\underset{r1}{\overset{r2}{\&Integral;}}{\mathrm{\&Delta;}}_{(3-2)}\left(r\right)rdr$

所有的体积是绝对量(即，V₂＝|V₂|)。相比于外包层区域3的体积，内包层区域的体积V₂优选大于30％Δ微米²，在一些实施方式中，可以大于40、50甚至55％Δ微米²。

当相比于内包层区域2的折射率，在一些实施方式中，外包层区域的折射率Δ₃大于0.02％Δ；在一些实施方式中，大于0.03％Δ；在一些实施方式中，至少0.05％Δ；以及在一些实施方式中，至少0.08％Δ，更优选大于0.1％Δ。在一些实施方式中，相比于内包层区域2，第三环形区域包含大于200ppm的氯(Cl)，例如大于400或700或1000ppm或更多，在一些实施方式中，优选大于1500ppm，以及在一些实施方式中，最优选大于2000ppm(0.2％)，以重量计，(例如，2200ppm、2500ppm、3000ppm、4000ppm、5000ppm、6000ppm、10000ppm或之间的数值)。本文所述的氯浓度的单位是每百万份，以重量计(本文缩写为ppm，以重量计，或者ppm)。

内包层区域2优选具有基本恒定的相对折射率分布，即，中间区域内的任意两个半径处的相对折射率的差异小于0.02％，在一些优选的实施方式中，小于0.01％。因此，内包层区域20的相对折射率分布优选具有基本平坦形状。

在优选的实施方式中，纤芯区域1具有包括α形状的折射率分布，纤芯α参数范围是1-5，更优选1.5-3。在优选的实施方式中，R₁小于8.0微米，更优选4.0-7.0微米。在这些实施方式中，凹槽体积V₂大于30％Δ微米²。对于MAC数小于7.5的光纤，当绕在20mm半径心轴上的时候，光纤能够展现出小于0.08dB/转的弯曲损耗。对于MAC数小于7.5的光纤，当绕在15mm半径心轴上的时候，光纤能够展现出小于0.4dB/转的弯曲损耗。

在一些其他实施方式中，纤芯的纤芯α参数大于10，并且凹槽体积V₂大于5％Δ微米²。

通过以下实施例进一步阐述本发明的各个示例性实施方式。对本领域的技术人员而言，显而易见的是可以在不背离权利要求书的精神或范围的情况下作出各种修改和变动。

下表1列出具有如图1所示的折射率的建模示意性实施例1-9的特性。具体来说，以下对于各个实施例所示是中心纤芯区域1的折射率Δ(Δ₁)、纤芯α和外半径R₁，内包层区域2的折射率Δ(Δ₂)和外半径R₂，和内包层区域2的分布体积V₂(其是在R₁和R₂之间计算的)，以及外包层区域3的折射率Δ(Δ₃)。还有外包层区域3的折射率Δ(Δ₃)，玻璃光纤的外直径R_最大，和外包层区域3的分布体积V₃(其是在R₂和30微米的半径距离之间、以及折射率Δ(Δ₃)和未掺杂的石英的折射率之间计算的)。还有1310nm处的零色散和散射斜率，1550nm处的色散和散射斜率，1310nm和1550nm处的模场直径，22m光缆截止，1310nm处的MAC数，1550nm处的1x10mm直径的弯曲损耗，1550nm处的1x20mm直径的弯曲损耗，1550nm处的1x15mm直径的弯曲损耗，1550nm处的1x30mm直径的弯曲损耗，以及1310和1550nm处的衰减，以及通过丝网鼓测试测得的微弯曲损耗。

表1

从上表1的示例性光纤可以看出，示例性光纤实施方式采用具有折射率Δ₁的中心玻璃纤芯区域、具有折射率Δ₂的第一内包层区域以及具有折射率Δ₃的外包层区域，其中Δ₁>Δ₃>Δ₂，其中Δ₃与Δ₂之差大于或等于0.02％Δ，并且分布体积的绝对值|V₂|至少为30％微米²。这些示例性光纤实施方式展现出小于红等于1260nm的光缆截止以及小于或等于0.08dB/转的弯曲损耗，当缠绕在20mm直径心轴上的时候。这些示例性光纤实施方式还展现出1310nm处约为8.2-9.1微米、更优选8.3-8.9微米的模场直径，1300-1324nm之间的零色散波长，1310nm处小于或等于0.092ps/nm²/km的色散斜率。当缠绕在15mm直径心轴上的时候，这些光纤中的大部分还展现出1550nm处小于0.3dB/转的弯曲损耗，并且在一些情况下小于0.2或0.1dB/转。当缠绕在20mm直径心轴上的时候，这些光纤还展现出1550nm处小于0.010dB/转的弯曲损耗，更优选小于0.008dB/转，一些光纤最优选小于0.006dB/转。当缠绕在30mm直径心轴上的时候，这些光纤还展现出1550nm处小于0.010dB/转的弯曲损耗，一些光纤更优选小于0.003dB/转。这些实施例中的一些在外包层区域中采用氯，含量大于1200ppm，例如1200-12000ppm。这些实施例中的一些在外包层区域中采用氯，含量大于或等于1400ppm。这些实施例中的一些在外包层区域中采用氯，含量大于1400ppm且小于3000ppm。这些实施例中的一些在外包层区域中采用氯，含量大于2000ppm，在一些情况下大于3000或者甚至大于4000ppm，以重量计。在一些实施方式中，外包层区域包含氯，其含量大于2000且小于12000ppm，以重量计。

1550nm处的衰减优选小于0.20dB/km，更优选小于0.195dB/km，甚至更优选小于0.190dB/km。在一些优选的实施方式中，1550nm处的衰减小于0.189dB/km，甚至更优选小于或等于0.186dB/km，甚至更优选小于或等于0.184dB/km，最优选小于或等于0.182dB/km。

应理解，前述描述仅是示例性的并且旨在提供权利要求书所限定的光纤的性质和特性的总体理解。包括的附图提供了对优选实施方式的进一步理解，附图被结合在本说明书中并构成说明书的一部分。附图说明了各个特征和实施方式，并与其说明书一起用来解释原理和操作。对于本领域的技术人员显而易见的是，可以在不偏离所附权利要求的精神或范围的情况下，对本文所述的优选实施方式进行各种改动。

Claims (20)

1.一种光纤，其包括：

具有外半径r₁和折射率Δ₁的中心纤芯区域，

包层区域，其包括第一内包层区域和围绕所述第一内包层区域的第二外包层区域，所述第一内包层区域的外半径r₂>17微米并且具有折射率Δ₂，所述第二外包层区域包括折射率Δ₃，其中，Δ₃大于0.0％，Δ₁>Δ₃>Δ₂，并且Δ₃与Δ₂之差大于0.02％Δ，所述光纤展现出所述内包层区域的分布体积V₂，其在r₁和r₂之间计算得到，并且等于下式：

$V_2=2\underset{r1}{\overset{r2}{\&Integral;}}{\mathrm{\&Delta;}}_{(3-2)}\left(r\right)rdr$

以及|V₂|至少是30％Δ微米²。

2.如权利要求1所述的光纤，其特征在于，所述光纤还展现出小于7.5的MAC数。

3.如权利要求1所述的光纤，其特征在于，Δ₃与Δ₂之差大于0.05％。

4.如权利要求3所述的光纤，其特征在于，所述内包层区域至少基本不含氟。

5.如权利要求1所述的光纤，当绕着15mm直径的鼓缠绕时，所述光纤在1550nm处还展现出小于0.4dB/转的弯曲损耗。

6.如权利要求1所述的光纤，当绕着20mm直径的鼓缠绕时，所述光纤在1550nm处还展现出小于或等于0.08dB/转的弯曲损耗。

7.如权利要求4所述的光纤，其特征在于，所述第二外包层区域中的氯浓度高于2000ppm。

8.如权利要求7所述的光纤，其特征在于，所述光纤展现出小于或等于1260nm的22m光缆截止，以及1310nm处小于约9.1的模场直径。

9.如权利要求1所述的光纤，其特征在于，所述光纤的纤芯展现出小于10的α。

10.如权利要求1所述的光纤，其特征在于，所述纤芯区域包括超高斯分布。

11.如权利要求1所述的光纤，其特征在于，所述第一内包层区域基本不含氟、硼和氧化锗。

12.如权利要求1所述的光纤，其特征在于，对于从r₂延伸到至少30微米半径的长度，Δ₃>Δ₂。

13.如权利要求1所述的光纤，其特征在于，所述光纤在1550nm处展现出小于或等于0.195dB/km的衰减。

14.如权利要求1所述的光纤，其特征在于，所述光纤在1300-1324nm具有零色散波长。

15.如权利要求14所述的光纤，其特征在于，所述光纤展现出通过丝网鼓测试测量的小于0.1dB/km的微弯曲损耗。

16.一种光纤，其包括：

中心纤芯区域，其具有外半径r₁、折射率Δ₁和大于10的纤芯α，

包层区域，其包括第一内包层区域和围绕所述第一内包层区域的第二包层区域，所述第一内包层区域的外半径r₂>14微米并且具有折射率Δ₂，所述第二包层区域包括折射率Δ₃，其中，Δ₃大于0.0％，Δ₁>Δ₃>Δ₂，并且Δ₃与Δ₂之差大于0.02％Δ，所述光纤展现出所述内包层区域的分布体积V₂，其在r₁和r₂之间计算得到，并且等于下式：

$V_2=2\underset{r1}{\overset{r2}{\&Integral;}}{\mathrm{\&Delta;}}_{(3-2)}\left(r\right)rdr$

以及|V₂|至少是5％Δ微米²。

17.如权利要求16所述的光纤，其特征在于，所述内包层区域至少基本不含氟和硼。

18.如权利要求16所述的光纤，其特征在于，所述光纤展现出小于或等于1260nm的22m光缆截止，以及1310nm处小于约9.1的模场直径。

19.如权利要求16所述的光纤，当绕着15mm直径的鼓缠绕时，所述光纤在1550nm处还展现出小于0.4dB/转的弯曲损耗。

20.如权利要求16所述的光纤，其特征在于，所述光纤展现出通过丝网鼓测试测量的小于0.1dB/km的微弯曲损耗。