CN111527430A - 光纤 - Google Patents

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Abstract

本发明的光纤具备纤芯、围绕纤芯的下陷层、以及围绕下陷层的包层。纤芯的折射率分布是指数(α)为1.0以上2.9以下的α次方分布，下陷层相对于包层的相对折射率差Δ－设定为其绝对值|Δ－|为0.05％以上且0.15％以下，纤芯的半径(r1)相对于下陷层的外周半径(r2)之比(r1/r2)设定为0.35以上且0.60以下，22m的缆线截止波长λcc不足1.26μm，波长1.31μm处的模场直径大于8.6μm，并小于9.5μm。

Description

光纤
技术领域
本发明涉及光纤。
本申请基于在2018年2月13日在日本申请的专利2018-023228号主张优先权，并在此引用其内容。
背景技术
在专利文献1中公开有在纤芯与包层之间具有折射率小于包层的下陷层的光纤。另外，在专利文献1中记载有：通过将下陷层相对于包层的相对折射率差Δ－、和纤芯的半径r1相对于下陷层的外周半径r2之比r1/r2最佳化，从而能够实现以下光纤，上述光纤维持模场直径并减小与通用光纤的连接损耗，并且弯曲损耗满足作为与光纤有关的国际规格的ITU-T(International Telecommunication Union Telecommunication StandardizationSector-国际电信联盟电信标准化部门)推荐G.657.A1。
专利文献1：国际公开第2016/047749号
另外，在光纤中，要求将零色散波长和1.55μm处的波长色散值(以下，称为“波长色散特性”)设为规定的范围内，并且将弯曲损耗进一步减小。
发明内容
本发明是考虑这样的情况而完成的，其目的在于在具有下陷层的光纤中将波长色散特性设为规定的范围内，并且将弯曲损耗进一步减少。
为了解决上述课题，本发明的一个形态所涉及的光纤具备纤芯、围绕上述纤芯的下陷层、以及围绕上述下陷层的包层，上述纤芯的折射率分布是指数α为1.0以上且2.9以下的α次方分布，上述下陷层相对于上述包层的相对折射率差Δ－设定为其绝对值|Δ－|为0.05％以上且0.15％以下，上述纤芯的半径r1相对于上述下陷层的外周半径r2之比r1/r2设定为0.35以上且0.60以下，22m的缆线截止波长λcc不足1.26μm，波长1.31μm处的模场直径大于8.6μm且小于9.5μm。
根据本发明的上述形态，在具有下陷层的光纤中，能够将波长色散特性设为规定的范围内，并且能够进一步减少弯曲损耗。
附图说明
图1A是表示本实施方式所涉及的光纤的构造的剖视图(左)和侧视图(右)。
图1B是表示本实施方式所涉及的光纤的折射率分布的一个例子的曲线图。
图2的实线是表示根据本实施方式所涉及的定义决定的理想的折射率分布的曲线图。虚线是表示模拟了实际的折射率分布的曲线图。
图3A是表示Δ－与弯曲损耗及零色散波长(ZDW)的关系的曲线图。
图3B是表示Δ－与弯曲损耗及1.55μm处的波长色散的值的关系的曲线图。
图4A是表示α与弯曲损耗及零色散波长(ZDW)的关系的曲线图。
图4B是表示α与弯曲损耗及1.55μm处的波长色散的值的关系的曲线图。
具体实施方式
以下，基于本实施方式的光纤附图进行说明。此外，本发明并不限定于以下的实施方式。
如图1A所示，光纤1是以二氧化硅玻璃为主要成分的圆柱状的构造体。光纤1具有：纤芯11，具有圆形状的剖面；下陷层12，具有围绕纤芯11的圆环状的剖面；以及包层13，具有围绕下陷层12的圆环状的剖面。图1A所示的点划线L是光纤1的中心轴线(以下，称为中心轴线L)。
在本实施方式中，将纤芯11的半径表示为r1，将下陷层12的外周半径(外周面的半径)表示为r2，将包层13的外周半径表示为r3。此外，下陷层12的内周半径(内周面的半径)为r1，包层13的内周半径为r2。
纤芯11是添加了锗等提升掺杂剂(使折射率上升的添加剂)的折射率比包层13高的区域。下陷层12是添加了氟等降低掺杂剂(使折射率降低的添加剂)的折射率比包层13低的区域。
图1B是表示图1A所示的光纤1的折射率分布的一个例子的曲线图。图1B的横轴表示距中心轴线L的距离(以下，称为半径r)。图1B的纵轴表示与半径r对应的部分中的折射率n的值。
如图1B所示，纤芯11的折射率近似于α次方分布。换言之，在0≤r≤r1的范围内，半径r时的折射率n(r)近似于n(r)＝n1[1－2Δ+(r/r1)α]1/2。这里，n1是中心轴线L上的折射率(最大折射率)，Δ+是纤芯11的中心部相对于包层13的相对折射率差。此外，若增大α，则α次方分布与折射率恒定的阶梯型的折射率分布渐进。
如图1B所示，下陷层12的折射率近似于均匀分布。换言之，在r1≤r≤r2的范围内，半径r时的折射率n(r)近似于n(r)＝nd(常量)。另外，如图1B所示，包层13的折射率近似于均匀分布。换言之，在r2≤r≤r3的范围内，半径r时的折射率n(r)近似于n(r)＝n2(常量)。
在纤芯11的最大折射率n1、下陷层12的折射率nd、以及包层13的折射率n2之间，nd＜n2＜n1的关系成立。
在以下的说明中，代替纤芯11的最大折射率n1，而使用纤芯11的中心部相对包层13的相对折射率差Δ+。这里，相对折射率差Δ+是通过Δ+＝(n12－n22)/(2n12)×100[％]定义的量。另外，在以下的说明中，代替下陷层12的折射率nd，而使用下陷层12相对于包层13的相对折射率差Δ－。这里，相对折射率差Δ－是通过Δ－＝(nd2－n22)/(2nd2)×100[％]定义的量。
光纤1的折射率分布根据上述的常量α、Δ+、Δ－、r1、r2唯一地确定。以下，将这5个常量记载为光纤1的“构造参数”。
此外，实际上光纤1的折射率分布n’(r)存在与图1B所示的理想的折射率分布n(r)不一致的情况。然而，即使针对实际的光纤1的折射率分布n’(r)，也能够根据下述的顺序(步骤1～步骤5)定义构造参数α、Δ+、Δ－、r1、r2。而且，实际的光纤1的折射率分布n’(r)高精度地近似于由根据下述的顺序定义的构造参数α、Δ+、Δ－、r1、r2确定的理想的折射率分布n(r)。
步骤1：对于实际的光纤1的折射率分布n’(r)而言，求出作为包层13的折射率大致恒定的范围的平均值，并将该平均值设为包层13的折射率n2。对于n2的大致恒定的范围的计算方法，例如，使用后述的r0的值的5.5倍～6.5倍的范围的r时的n(r)的平均值。
步骤2：决定以α次方分布近似的纤芯的区域。对于实际的折射率分布n’(r)而言，在纤芯与下陷层的边界经常发生n(r)相对于r缓慢地变化的情况。例如在该边界，存在随着r增加而n(r)逐渐减少的情况。可以认为这是因为例如在使用了VAD法的坯材(母材)的制造过程中，掺杂于二氧化硅玻璃的Ge、F等元素热扩散。在这样的折射率分布中，在包括纤芯/下陷层的边界在内进行拟合的情况下，存在没有高精度地近似的可能性。另一方面，在针对除了纤芯/下陷层的边界的纤芯区域进行拟合的情况下，能够高精度地近似。具体而言，求出获得n’(r)的r的一阶微分dn’(r)/dr的最小值的r，并将其设为r0。接下来，在0≤r≤r0的范围内，求出最佳近似n’(r)(使平方误差为最小)的α次方分布，从而确定n1和α的值。
此外，通过使用CVD法(Chemical Vapor Deposition method-化学气相沉积法)来制成母材，从而即使在有意地设定为在纤芯与下陷层的边界n(r)相对于r缓慢地变化的情况下，也能够应用包括上述拟合方法在内的本申请的结构。
对于r1，求出获得n2(即，n(r0×5.5)～n(r0×6.5)的平均值)的最小的r，并将该r设为r1。在r0＜r＜r1中，例如，可以应用实际的折射率分布，也可以针对该区域定义为n(r)＝n2。此外，作为求出n2的方法，例如能够举出每隔r0×5.5≤r≤r0×6.5的规定间隔取得取样点，并计算各取样点处的n’(r)的平均值的方法等。在该情况下，并不特别地限定规定间隔，但例如是0.5μm、或者小于0.5μm的值。
步骤3：在实际的光纤1的折射率分布n’(r)中，求出n’(r)的最小值nmin，并求出该最小值nmin与折射率n2的平均值nave＝(nmin+n2)/2。而且，在实际的光纤1的折射率分布n’(r)中，求出成为n’(r)＝nave的最大的r，并将该r作为下陷层12的外周半径r2。
步骤4：求出成为n’(r)＝nave的最小的r，并将该r作为r4。在区域r4＜r＜r2内，求出实际的光纤1的折射率分布n’(r)的平均值，并将该平均值作为下陷层12的折射率nd。此外，作为求出平均值的方法，例如，能够举出在r4＜r＜r2中每隔规定间隔取得取样点，并计算各取样点处的n’(r)的平均值的方法等。在该情况下，并不特别地限定规定间隔，但例如是0.5μm、或者小于0.5μm的值。
步骤5：根据在步骤1中特定的包层13的折射率n2、和在步骤2中特定的纤芯11的最大折射率n1，并根据Δ+＝(n12－n22)/(2n12)×100[％]确定纤芯11相对于包层13的相对折射率差Δ+。另外，根据在步骤1中特定的包层13的折射率n2、和在步骤4中特定的下陷层12的折射率nd，并根据Δ－＝(nd2－n22)/(2nd2)×100[％]确定下陷层12相对于包层13的相对折射率差Δ－。
在图2中用实线表示的曲线图模拟了实际的折射率分布n’(r)。图2的(a)表示r0＝r1的情况下的折射率分布，图2的(b)表示r0＜r1的情况下的折射率分布。在任意一个折射率分布中，若对该折射率分布n’(r)应用上述的顺序，则也确定某些构造参数α、Δ+、Δ－、r1、r2。而且，若描绘具有该构造参数α、Δ+、Δ－、r1、r2的理想的折射率分布n(r)，则获得在图2中用点线表示的曲线图。由图2可见：实际的折射率分布n’(r)高精度地近似于具有根据上述的顺序确定的构造参数α、Δ+、Δ－、r1、r2的理想的折射率分布n(r)。
(光纤的特性)
通过IEC60793-1-45定义光纤的模场直径(MFD：Mode Field Diameter)。通过IEC60793-1-44定义作为光纤的有效的截止波长确定的、线缆截止波长和缆线截止波长。通过IEC60793-1-44和IEC60793-1-47确定光纤的波长色散和弯曲损耗。
截止波长表示高阶模(在本说明书中表示LP11模)充分衰减的最小的波长。具体而言，是高阶模的损耗为19.3dB的最小波长。在截止波长中存在纤维截止波长和缆线截止波长，例如能够通过ITU-T推荐G.650所记载的测定法来测定。
零色散波长是指波长色散的值为零的波长。这里，波长色散是材料色散与波导色散的合计。另外，零色散斜率是指零色散波长中的波长色散相对于波长的变化率。
本申请发明人们专心研究的结果发现了光纤的诸多特性存在以下的相关关系。
图3A是表示在使MFD、缆线截止波长以及α的值恒定，并使Δ－的值变化的情况下，零色散波长ZDW(Zero Dispersion Wavelength)和弯曲损耗怎样变化的曲线图。图3B是表示在使MFD、缆线截止波长以及α的值恒定，并使Δ－的值变化的情况下，波长1.55μm中的波长色散的值和弯曲损耗怎样变化的曲线图。在图3A、图3B中，将MFD设为9.05μm，将缆线截止波长设为1.21μm，并将α设为3.5。图3A、图3B的横轴表示上述的相对折射率差Δ－的值。在图3A、图3B的任意一个中，第1纵轴都表示弯曲半径R＝10mm、波长1.55μm处的相对的弯曲损耗的大小。图3A的第2纵轴表示ZDW的值。图3B的第2纵轴表示波长1.55μm处的波长色散的值。
如图3A所示，Δ－的绝对值越大(越朝向曲线图的左侧)，弯曲损耗越小。另一方面，Δ－的绝对值越大，ZDW的值越小。因此，可以认为在增大Δ－的绝对值的情况下，ZDW的值低于作为通过ITU-T推荐G.652或者G.657定义的下限值的1.300μm。另外，如图3B所示，Δ－的绝对值越大(越朝向曲线图的左侧)，弯曲损耗越小，但波长1.55μm的波长色散的值越大。因此，可以认为：在增大Δ－的绝对值的情况下，ZDW与波长1.55μm的波长色散的值双方脱离作为通过ITU-T推荐G.652.D或者G.657定义的规格范围的“ZDW为1.300μm以上并且波长1.55μm处的波长色散的值为18.6ps/km/nm以下”。即，可知：弯曲损耗与波长色散特性处于所谓的折衷的关系，若为了减少弯曲损耗而单纯地增大Δ－的绝对值，则有时不能获得所希望的波长色散特性。
图4A是表示在使MFD、缆线截止波长以及Δ－的值恒定，并使α的值变化的情况下，ZDW和弯曲损耗怎样变化的曲线图。图4B是表示在使MFD、缆线截止波长以及Δ－的值恒定，并使α的值变化的情况下，波长1.55μm处的波长色散的值和弯曲损耗怎样变化的曲线图。在图4A、图4B中，将MFD设为9.05μm，将缆线截止波长设为1.21μm，并将Δ－设为-0.02％。图4A、图4B的横轴表示上述的α次方分布(纤芯11的折射率分布)所涉及的指数α的值。图4A、图4B的第1纵轴和第2纵轴与图3A、图3B相同。
如图4A、图4B所示，α的值几乎不影响弯曲损耗的大小。与此相对地，如图4A所示，若减小α的值，则能够增大ZDW的值。另外，如图4B所示，若减小α的值，则能够减小波长1.55μm处的波长色散的值。
若整理与以上的图3A、图3B、图4A、图4B有关的考察，则通过增大Δ－的绝对值，从而能够减少弯曲损耗。并且，对于伴随着增大Δ－的绝对值而恶化的波长色散特性，通过减小α的值，从而能够改善到所希望的范围内。即，通过将Δ－与α双方的值设为适当的范围，从而能够将波长色散特性维持在规格内，并且能够实现弯曲损耗的进一步的减少。
实施例
以下，使用实施例对构造参数的适当的范围进行说明。
(光纤的规格)
首先，对与光纤的诸特性有关的规格进行整理。
在ITU-T推荐G.657.A2中，规定有与弯曲损耗有关的以下的条件(A)～(C)。
＜条件(A)＞当在半径10mm的圆筒形的卷筒卷绕了一次光纤时，波长1.55μm处的损耗增加(以下，表示为BLR＝10(1.55μm))为0.1dB/turn以下，波长1.625μm处的损耗增加(以下，表示为BLR＝10(1.625μm))为0.2dB/turn以下。
＜条件(B)＞当在半径15mm的圆筒形的卷筒卷绕了10次光纤时，波长1.55μm处的损耗增加(以下，表示为BLR＝15(1.55μm))为0.03dB/10turn以下，波长1.625μm处的损耗增加(以下，表示为BLR＝15(1.625μm))为0.1dB/10turn以下。
＜条件(C)＞当在半径7.5mm的圆筒形的卷筒卷绕了一次光纤时，波长1.55μm处的损耗增加(以下，表示为BLR＝7.5(1.55μm))为0.5dB/turn以下，波长1.625μm处的损耗增加(以下，表示为BLR＝7.5(1.625μm))为1.0dB/turn以下。
另外，为了满足ITU-T推荐G.652.D等规定的必要条件，作为弯曲损耗以外的光纤的特性，优选满足以下的条件(1)～(5)。
＜条件(1)＞波长1.31μm处的MFD的值大于8.6μm，并小于9.5μm。
＜条件(2)＞零色散波长ZDW的值为1.305μm以上且1.319μm以下。
＜条件(3)＞零色散斜率的值为0.073ps/km/nm2以上且0.092ps/km/nm2以下。
＜条件(4)＞波长1.55μm处的波长色散的值为18.0ps/km/nm以下。
＜条件(5)＞22m的缆线截止波长λcc的值小于1.26μm。
此外，在ITU-T推荐G.652.D中，推荐将零色散波长ZDW设为1.300μm以上且1.324μm以下，将零色散斜率设为0.073ps/km/nm2以上且0.092ps/km/nm2以下，将波长1.55μm处的波长色散的值设为18.6ps/km/nm以下。若考虑制造差别，则要求设计零色散波长变为1.305μm以上且1.319μm以下(即满足上述条件(2))，波长1.55μm处的波长色散的值变为18.0ps/km/nm以下(即满足上述条件(4))的光纤。
(实施例1～27)
在下述表1中，示出了构造参数为1.0≤α≤2.9、0.35≤r1/r2≤0.60、0.05％≤|Δ－|≤0.15％的范围内的实施例1～27。此外，以下的表1、2所示的MAC值是波长1.31μm处的将MFD的值除以缆线截止波长λcc而得的值。
[表1]
Figure BDA0002515330790000091
对于表1所示的实施例1～27而言，BLR＝10(1.55μm)的值是0.002～0.056dB/turn，均不足0.1dB/turn，相对于该上限值至少具有0.044dB/turn的余量。另外，BLR＝10(1.625μm)的值是0.004～0.191dB/turn，均不足0.2dB/turn，相对于该上限值至少具有0.009dB/turn的余量。这样，实施例1～27满足上述条件(A)。
对于实施例1～27而言，BLR＝15(1.55μm)的值是0.004～0.014dB/10turn，均不足0.03dB/10turn，相对于该上限值至少具有0.016dB/10turn的余量。另外，BLR＝15(1.625μm)的值是0.014～0.054dB/10turn，均不足0.1dB/10turn，相对于该上限值至少具有0.046dB/10turn的余量。这样，实施例1～27满足上述条件(B)。
如以上那样，在实施例1～27中，满足与弯曲有关的条件(A)、(B)。这是因为，通过比以往增大|Δ－|的值，从而减少了弯曲损耗(参照图3A、3B)。
并且，对于实施例1～27而言，波长1.31μm处的MFD的值是8.63～9.13μm，因此满足上述条件(1)，相对于下限值具有0.03μm的余量，相对于上限值具有0.37μm的余量。另外，ZDW(零色散波长)的值是1.305～1.317μm，因此满足上述条件(2)，相对于上限值具有0.002μm的余量。另外，零色散斜率的值是0.089～0.092ps/km/nm2，因此满足上述条件(3)，相对于下限值具有0.016ps/km/nm2的余量。另外，波长1.55μm处的波长色散的值是17.32～18.00ps/km/nm，因此满足上述条件(4)。另外，λcc(缆线截止波长)的值是1.202～1.255μm，因此满足上述条件(5)。
根据以上的结果，通过将构造参数设为1.0≤α≤2.9、0.35≤r1/r2≤0.60、0.05％≤|Δ－|≤0.15％的范围内，从而能够获得满足弯曲损耗以外的条件(1)～(5)并且减少弯曲损耗并满足条件(A)、(B)的光纤1。
(比较例1～4)
接下来，使用表2对比较例1～4进行说明。比较例1～2满足1.0≤α≤2.9，但不满足0.05％≤|Δ－|≤0.15％。比较例3～4满足0.05％≤|Δ－|≤0.15％，但不满足1.0≤α≤2.9。
[表2]
Figure BDA0002515330790000111
如表2所示，对于比较例1而言，BLR＝15(1.55μm)的值超过0.03dB/10turn，另外，BLR＝15(1.625μm)的值超过0.1dB/10turn，不满足条件(B)。对于比较例3而言，满足条件(A)，但零色散波长ZDW的值低于1.305μm，不满足条件(2)。对于比较例2和比较例4而言，满足条件(A)，但零色散斜率的值超过0.092ps/km/nm2，不满足条件(3)。另外，对于比较例2和比较例4而言，波长1.55μm处的波长色散的值超过18.0ps/km/nm，不满足条件(4)。
根据实施例1～27与比较例1～4的对比可知，为了满足条件(1)～(4)并且满足条件(A)，需要满足0.05％≤|Δ－|≤0.15％和α≤2.9。
另外，优先α的值为1.0以上。以下叙述其理由。作为控制α的纤芯区域的制造方法，一般公知有CVD法(Chemical Vapor Deposition method-化学气相沉积法)，但存在通过CVD法形成所谓的中心凹陷的情况。中心凹陷是指在纤芯中心部折射率降低的部分。为了将ZDW(零色散波长)的值维持在上述条件(2)内，并且在实现弯曲损耗的进一步的减少后难以受到中心凹陷的影响，优选将α的值设为1.0以上。在α的值不足1.0的情况下，折射率朝向纤芯中心部急剧地增加，因此易于受到中心凹陷的影响。因此，实际上不容易制造α的值不足1.0的光纤。
若综合以上情况，则优选满足0.05％≤|Δ－|≤0.15％和1.0≤α≤2.9。由此，能够提供例如满足在ITU-T推荐G.652.D中规定的诸多特性，并且比以往减少弯曲损耗的光纤。更详细而言，通过增大|Δ－|的值，从而能够使弯曲损耗减少。而且，对于伴随着增大|Δ－|的值而恶化的零色散波长和波长1.55μm处的波长色散值，通过减小指数α的值，从而能够分别设为规定的范围内。
另外，对于表1中的实施例1～19而言，BLR＝7.5(1.55μm)的值是0.058～0.477dB/turn，均不足0.5dB/turn，相对于上限值至少具有0.023dB/turn的余量。另外，对于实施例1～19而言，BLR＝7.5(1.625μm)的值是0.051～0.995dB/turn，均不足1.0dB/turn，相对于上限值至少具有0.005dB/turn的余量。因此，实施例1～19满足条件(C)。
与此相对地，对于实施例20～27而言，BLR＝7.5(1.625μm)的值超过1.0dB/turn，不满足上述条件(C)。
这里，比较实施例1～19和实施例20～27的构造参数。对于实施例1～19而言，构造参数为1.0≤α≤2.2、0.35≤r1/r2≤0.60、0.08％≤|Δ－|≤0.15％的范围内。另一方面，对于实施例20～27而言，α的值为2.4以上，|Δ－|的值为0.07％以下。
根据以上的结果，通过将构造参数设为1.0≤α≤2.2、0.35≤r1/r2≤0.60、0.08％≤|Δ－|≤0.15％的范围内，从而能够获得满足弯曲损耗以外的条件(1)～(4)，并且减少弯曲损耗并满足条件(A)～(C)的光纤1。另外，通过满足全部条件(A)～(C)，从而能够提供满足ITU-T推荐G.657.A2规定的与弯曲损耗有关的必要条件的光纤1。
此外，若r1/r2的值过度变小，则模场直径变小，其结果是，可能产生与其他的光纤连接后的连接损耗超过可允许范围的上限值的问题。若使r1/r2为0.40以上，则难以产生这样的问题。若考虑该点，则r1/r2的值设定为0.40以上且0.60以下即可。
另一方面，若r1/r2变得过大，则可能产生弯曲损耗超过可允许范围的上限值的问题。若使r1/r2为0.55以下，则难以产生这样的问题。若考虑该点，则r1/r2的值设定为0.40以上且0.55以下即可。
另外，在实施例1～27中，在半径15mm的圆筒形的卷筒卷绕了10次时的波长1.55μm处的损耗增加不足0.03dB，在半径15mm的圆筒形的卷筒卷绕了10次时的波长1.625μm处的损耗增加不足0.1dB，在半径10mm的圆筒形的卷筒卷绕了1次时的波长1.55μm处的损耗增加不足0.1dB，在半径10mm的圆筒形的卷筒卷绕了1次时的波长1.625μm处的损耗增加不足0.2dB。这样，根据本实施方式，能够提供在ITU-T推荐G.657.A2中规定的使弯曲半径15mm和10mm时的弯曲损耗为规定的范围内的光纤。
另外，在实施例1～19中，在半径15mm的圆筒形的卷筒卷绕了10次时的波长1.55μm处的损耗增加不足0.03dB，在半径15mm的圆筒形的卷筒卷绕了10次时的波长1.625μm处的损耗增加不足0.1dB，在半径10mm的圆筒形的卷筒卷绕了1次时的波长1.55μm处的损耗增加不足0.1dB，在半径10mm的圆筒形的卷筒卷绕了1次时的波长1.625μm处的损耗增加不足0.2dB，在半径7.5mm的圆筒形的卷筒卷绕了1次时的波长1.55μm处的损耗增加不足0.5dB，在半径7.5mm的圆筒形的卷筒卷绕了1次时的波长1.625μm处的损耗增加不足1.0dB。这样，根据本实施方式，能够提供在ITU-T推荐G.657.A2中规定的使弯曲半径15mm、10mm以及7.5mm时的弯曲损耗为规定的范围内的光纤。
另外，通过使波长1.31μm处的MFD(模场直径)大于8.6μm，并且小于9.5μm，从而能够满足ITU-T推荐G.652等所规定的必要条件之一。此外，若考虑制造差别等，则更优选MFD的值为8.8μm以上且9.2μm以下。
此外，本发明的技术范围并不限定于上述实施方式，在不脱离本发明的主旨的范围内，能够施加各种变更。
另外，在不脱离本发明的主旨的范围内，能够适当地将上述的实施方式或者实施例中的结构要素替换为公知的结构要素。
附图标记说明
1…光纤；11…纤芯；12…下陷层；13…包层。

Claims (8)

1.一种光纤，其中，
具备纤芯、围绕所述纤芯的下陷层、以及围绕所述下陷层的包层，
所述纤芯的折射率分布是指数α为1.0以上且2.9以下的α次方分布，
所述下陷层相对于所述包层的相对折射率差Δ－设定为其绝对值|Δ－|为0.05％以上且0.15％以下，
所述纤芯的半径r1相对于所述下陷层的外周半径r2之比r1/r2设定为0.35以上且0.60以下，
22m的缆线截止波长λcc不足1.26μm，
波长1.31μm处的模场直径大于8.6μm且小于9.5μm。
2.根据权利要求1所述的光纤，其中，
所述r1/r2设定为0.40以上且0.60以下。
3.根据权利要求1或2所述的光纤，其中，
在半径15mm的圆筒形的卷筒卷绕了10次时的波长1.55μm处的损耗增加不足0.03dB，
在半径15mm的圆筒形的卷筒卷绕了10次时的波长1.625μm处的损耗增加不足0.1dB，
在半径10mm的圆筒形的卷筒卷绕了1次时的波长1.55μm处的损耗增加不足0.1dB，
在半径10mm的圆筒形的卷筒卷绕了1次时的波长1.625μm处的损耗增加不足0.2dB。
4.根据权利要求1～3中任一项所述的光纤，其中，
满足零色散波长ZDW的值为1.305～1.319μm、零色散斜率的值为0.092ps/km/nm2以下以及波长1.55μm处的波长色散的值为18.00ps/km/nm以下中的任意一个。
5.根据权利要求1～4中任一项所述的光纤，其中，
设定为所述指数α为1.0以上且2.2以下，所述相对折射率差Δ－的绝对值|Δ－|为0.08％以上且0.15％以下。
6.根据权利要求5所述的光纤，其中，
在半径15mm的圆筒形的卷筒卷绕了10次时的波长1.55μm处的损耗增加不足0.03dB，
在半径15mm的圆筒形的卷筒卷绕了10次时的波长1.625μm处的损耗增加不足0.1dB，
在半径10mm的圆筒形的卷筒卷绕了1次时的波长1.55μm处的损耗增加不足0.1dB，
在半径10mm的圆筒形的卷筒卷绕了1次时的波长1.625μm处的损耗增加不足0.2dB，
在半径7.5mm的圆筒形的卷筒卷绕了1次时的波长1.55μm处的损耗增加不足0.5dB，
在半径7.5mm的圆筒形的卷筒卷绕了1次时的波长1.625μm处的损耗增加不足1.0dB。
7.根据权利要求1～6中任一项所述的光纤，其中，
所述r1/r2设定为0.40以上且0.55以下。
8.根据权利要求1～7中任一项所述的光纤，其中，
波长1.31μm处的模场直径为8.8μm以上且9.2μm以下。
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