CN105143836B - 热式流量计 - Google Patents

热式流量计 Download PDF

Info

Publication number
CN105143836B
CN105143836B CN201480016738.5A CN201480016738A CN105143836B CN 105143836 B CN105143836 B CN 105143836B CN 201480016738 A CN201480016738 A CN 201480016738A CN 105143836 B CN105143836 B CN 105143836B
Authority
CN
China
Prior art keywords
mentioned
semiconductor chip
flow
subaisle
thermal
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN201480016738.5A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105143836A (zh
Inventor
田代忍
德安升
河野务
森野毅
渡边翼
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Astemo Ltd
Original Assignee
Hitachi Automotive Systems Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Automotive Systems Ltd filed Critical Hitachi Automotive Systems Ltd
Publication of CN105143836A publication Critical patent/CN105143836A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105143836B publication Critical patent/CN105143836B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01FMEASURING VOLUME, VOLUME FLOW, MASS FLOW OR LIQUID LEVEL; METERING BY VOLUME
    • G01F1/00Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow
    • G01F1/68Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow by using thermal effects
    • G01F1/696Circuits therefor, e.g. constant-current flow meters
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01FMEASURING VOLUME, VOLUME FLOW, MASS FLOW OR LIQUID LEVEL; METERING BY VOLUME
    • G01F1/00Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow
    • G01F1/68Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow by using thermal effects
    • G01F1/684Structural arrangements; Mounting of elements, e.g. in relation to fluid flow
    • G01F1/6842Structural arrangements; Mounting of elements, e.g. in relation to fluid flow with means for influencing the fluid flow
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01FMEASURING VOLUME, VOLUME FLOW, MASS FLOW OR LIQUID LEVEL; METERING BY VOLUME
    • G01F1/00Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow
    • G01F1/68Measuring the volume flow or mass flow of fluid or fluent solid material wherein the fluid passes through a meter in a continuous flow by using thermal effects
    • G01F1/684Structural arrangements; Mounting of elements, e.g. in relation to fluid flow
    • G01F1/688Structural arrangements; Mounting of elements, e.g. in relation to fluid flow using a particular type of heating, cooling or sensing element
    • G01F1/69Structural arrangements; Mounting of elements, e.g. in relation to fluid flow using a particular type of heating, cooling or sensing element of resistive type
    • G01F1/692Thin-film arrangements
    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01FMEASURING VOLUME, VOLUME FLOW, MASS FLOW OR LIQUID LEVEL; METERING BY VOLUME
    • G01F5/00Measuring a proportion of the volume flow
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/565Moulds
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/303Surface mounted components, e.g. affixing before soldering, aligning means, spacing means
    • H05K3/305Affixing by adhesive
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321Disposition
    • H01L2224/32151Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32225Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48135Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip
    • H01L2224/48137Connecting between different semiconductor or solid-state bodies, i.e. chip-to-chip the bodies being arranged next to each other, e.g. on a common substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481Disposition
    • H01L2224/48151Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732Location after the connecting process
    • H01L2224/73251Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265Layer and wire connectors
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181Encapsulation
    • H01L2924/1815Shape

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Fluid Mechanics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Measuring Volume Flow (AREA)

Abstract

为了提供能够降低因模制成形而产生的半导体芯片的变形的热式流量计的制造方法,本发明提供具有对半导体芯片(602)进行树脂模制的电路封装件(400)的热式流量计(300)的制造方法,包含有如下的工序:在设置于半导体芯片(602)的表面的热传递面(437)和设定于半导体芯片(602)的表面且从热传递面(437)离开的位置的按压面(602a)上,在对模具(703)进行按压的状态下,对半导体芯片(602)进行树脂模制。

Description

热式流量计
技术领域
本发明涉及热式流量计。
背景技术
测量气体的流量的热式流量计具备用于测量流量的流量检测部,通过在上述流量检测部与作为测量对象的上述气体之间进行热传递,对上述气体的流量进行测量。热式流量计测量的流量作为各种装置的重要的控制参数而被广泛使用。热式流量计的特征为与其它方式的流量计相比能够以相对较高的精度对气体的流量例如质量流量进行测量。
然而期望进一步提高气体流量的测量精度。例如,在装载了内燃机的车辆中,节省燃料的期望、排气净化的期望非常高。为了满足这些期望,要求以高精度测量作为内燃机的主要参数的吸入空气量。对被引导至内燃机的吸入空气量进行测量的热式流量计具备将吸入空气量的一部分摄入的副通道和配置于上述副通道的流量检测部,上述流量检测部通过在与被测量气体之间进行热传递,对上述副通道中流动的被测量气体的状态进行测量,并输出表示被引导至上述内燃机的吸入空气量的电信号。这样的技术在例如日本特开2011-252796号公开公报(专利文献1)中公开。
专利文献1中公开了对被引导至内燃机的吸入空气量进行测量的热式流量计的技术。该公报的热式流量计具有如下结构:具备将吸入空气量的一部分摄入的副通道和配置于上述副通道的流量检测部,上述流量检测部通过在与被测量气体之间进行热传递,对上述副通道中流动的被测量气体的状态进行测量,并输出表示被引导至上述内燃机的吸入空气量的电信号。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2011-252796号公报
专利文献2:日本特开2011-122984号公报
发明内容
发明所要解决的课题
然而,半导体芯片的表面被模具部分地按压,所以在半导体芯片作用有弯曲应力而使半导体芯片存在变形的隐患。尤其是,存在因半导体芯片与其它配件的公差而使模具的按压力增大的情况下,存在在半导体芯片作用有过大的弯曲应力而导致折损的隐患。
本发明鉴于上述情况而完成,其目的在于,提供能够降低因模制成形而造成的半导体芯片的变形的热式流量计的制造方法。
解决课题所用的方法
为了解决上述课题,本发明的热式流量计的制造方法是具有对半导体芯片进行树脂模制的电路封装件的热式流量计的制造方法,其特征在于,包含有如下的工序:在设置于上述半导体芯片的表面的热传递面和设定于上述半导体芯片的表面且从上述热传递面离开的位置的按压面上,在对模具进行按压的状态下,对上述半导体芯片进行树脂模制。
发明的效果
根据本发明,能够降低因模制成形而造成的半导体芯片的变形。此外,上述的以外的课题、结构以及效果通过以下的实施方式的说明将变得更明确。
附图说明
图1是表示在内燃机控制系统使用本发明的热式流量计的一实施例的系统图。
图2是表示热式流量计的外观的图,图2(A)是左侧视图,图2(B)是主视图。
图3是表示热式流量计的外观的图,图3(A)是右侧视图,图3(B)是后视图。
图4是表示热式流量计的外观的图,图4(A)是俯视图,图4(B)是仰视图。
图5是表示热式流量计的外壳的图,图5(A)是外壳的左侧视图,图5(B)是外壳的主视图。
图6是表示热式流量计的外壳的图,图6(A)是外壳的右侧视图,图6(B)是外壳的后视图。
图7是表示配置于副通道的流道面的状态的部分放大图。
图8是表示表罩的外观的图,图8(A)是左侧视图,图8(B)是主视图,图8(C)是俯视图。
图9是表示背罩304的外观的图,图9(A)是左侧视图,图9(B)是主视图,图9(C)是俯视图。
图10是电路封装件的外观图,图10(A)是左侧视图,图10(B)是主视图,图10(C)是后视图。
图11是表示在电路封装件的框架装载电路配件的状态的图。
图12是图11所示的流量检测部的放大图。
图13是图10(B)的C-C线剖视图。
图14是说明电路封装件的模制成形方法的实施例的图。
图15-1是说明电路封装件的模制成形方法的比较例的图。
图15-2是说明电路封装件的模制成形方法的比较例的图。
图16是说明其它的实施例的剖视图。
图17是说明其它的实施例的剖视图。
图18是表示第一树脂模制工序后的电路封装件的状态的图。
图19是表示电路封装件的生产工序的图。
图20是表示热式流量计的生产工序的图。
图21是表示热式流量计的流量检测电路的电路图。
图22是说明流量检测电路的流量检测部的说明图。
具体实施方式
以下说明的用于实施发明的实施方式(以下称为实施例)解决作为实际产品所期望的各种课题,尤其是解决为了用作测量车辆的吸入空气量的测量装置而期望的各种课题,实现各种效果。下述实施例解决的多种课题内的一个,是上述的发明所要解决的课题的栏内所记载的内容,另外下述实施例所起到的多种效果内的一个是发明的效果栏所记载的效果。对于下述实施例所解决的多种课题,进而对于通过下述实施例而起到的多种效果,在下述实施例的说明中进行叙述。因此下述实施例中叙述的实施例所解决的课题、效果,对发明所要解决的课题栏或发明的效果栏的内容以外的内容也进行了记载。
在以下的实施例中,相同的参照符号即使图号不同也表示相同的结构,实现相同的作用效果。对于已经说明过的结构,有时仅在图中标记参照符号并省略说明。
1.将本发明的热式流量计用于内燃机控制系统的一实施例
图1是表示将本发明的热式流量计用于电子燃料喷射方式的内燃机控制系统的一实施例的系统图。基于具备引擎缸112和引擎活塞114的内燃机110的动作,吸入空气作为被测量气体30从空气净化器122吸入,经过作为主通道124的例如吸气体、节气门体126、吸气歧管128而被引导至引擎缸112的燃烧室。被引导至上述燃烧室的吸入空气即被测量气体30的流量由本发明的热式流量计300测量,基于测量到的流量通过燃料喷射阀152供给燃料,并与被测量气体30一同以混合气体的状态被引导至燃烧室。此外,本实施例中,燃料喷射阀152设置于内燃机的吸气口,被喷射至吸气口的燃料与被测量气体30一同成形为混合气体,经过吸入阀116而被引导至燃烧室,燃烧并产生机械能。
近年,许多车中作为优化排气净化、燃料利用率提高的方式,采用在内燃机的缸盖安装燃料喷射阀152,并从燃料喷射阀152向各燃烧室直接喷射燃料的方式。热式流量计300不仅能够用于向图1所示的内燃机的吸气口直接喷射燃料的方式,也同样能够用于向各燃烧室直接喷射燃料的方式。两方式都包含热式流量计300的使用方法的控制参数的测量方法以及燃料供给量、包含点火时刻的内燃机的控制方法的基本概念大致相同,作为两方式的代表例,向吸气口喷射燃料的方式由图1所示。
被引导至燃烧室的燃料以及空气成为燃料与空气的混合状态,利用火花塞154的火花点火,爆炸地燃烧,产生机械能。燃烧后的气体从排气阀118被引导至排气管,作为废气24从排气管排出至车外。被引导至上述燃烧室的吸入空气即被测量气体30的流量基于油门踏板的操作由其开度变化的节气阀132控制。基于被引导至上述燃烧室的吸入空气的流量控制燃料供给量,驾驶员控制节气阀132的开度来控制被引导至上述燃烧室的吸入空气的流量,由此能够控制内燃机产生的机械能。
1.1内燃机控制系统的控制的概要
从空气净化器122摄入并在主通道124内流动的吸入空气即被测量气体30的流量以及温度由热式流量计300测量,表示吸入空气的流量以及温度的电信号从热式流量计300输入控制装置200。另外,测量节气阀132的开度的节气门角度传感器144的输出被输入至控制装置200,为了进一步测量内燃机的引擎活塞114、吸入阀116、排气阀118的位置、状态,进而测量内燃机的转速,而使旋转角度传感器146的输出被输入至控制装置200。为了从废气24的状态测量燃料量与空气量的混合比的状态,氧传感器148的输出被输入至控制装置200。
控制装置200,基于热式流量计300的输出即吸入空气的流量以及旋转角度传感器146的输出而测量内燃机的转速,并基于该测量到的转速来计算燃料喷射量、点火时刻。基于这些计算结果,控制从燃料喷射阀152供给的燃料量或被火花塞154点火的点火时刻。燃料供给量、点火时刻还实时地基于由热式流量计300测量的吸气温度、节气门角度的变化状态、引擎转速的变化状态、由氧传感器148测量的空气燃料比的状态,进行细微控制。控制装置200还在内燃机的空转状态中,将对节气阀132进行旁通的空气量由空转空气控制阀156控制,从而对空转状态下的内燃机的转速进行控制。
1.2热式流量计的测量精度提高的重要性和热式流量计的装载环境
作为内燃机的主要的控制量的燃料供给量、点火时刻均作为主要参数来计算热式流量计300的输出。因此热式流量计300的测量精度的提高、老化的抑制、可靠性的提高对确保车辆的控制精度的提高、可靠性的确保而言很重要。尤其是近年来,对于车辆的节省燃料的期望非常高,另外对废气净化的期望也非常高。为了应对这些期望,提高由热式流量计300测量的被测量气体30的流量的测量精度是极为重要的。另外热式流量计300维持较高的可靠性也很重要。
装载有热式流量计300的车辆在温度变化较大的环境中使用,另外在风雨、雪中使用。在车在雪地中行驶的情况下,在散布有防冻剂的道路上行驶。热式流量计300期望可以考虑对其使用环境中温度变化的对应、对尘埃、污染物等的对应。再有,热式流量计300设置于承受内燃机的振动的环境。针对振动也寻求维持较高的可靠性。
另外,热式流量计300装配于接受来自内燃机的发热的影响的吸气管。因此内燃机的发热经过作为主通道124的吸气管,传递至热式流量计300。热式流量计300通过与被测量气体进行热传递来测量被测量气体的流量,所以重要的是尽可能地抑制来自外部的热的影响。
装载于车的热式流量计300如以下说明所述,不单单解决发明所要解决的课题栏所记载的课题、起到发明的效果栏所记载的效果,还可以如以下说明所述,充分考虑上述的多种课题,解决作为制品而寻求的多种课题,起到多种效果。热式流量计300解决的具体的课题、实现的具体的效果在以下的实施例的记载中进行说明。
2.热式流量计300的结构
2.1热式流量计300的外观构造
图2以及图3、图4是表示热式流量计300的外观的图,图2(A)是热式流量计300的左侧视图,图2(B)是主视图,图3(A)是右侧视图,图3(B)是后视图,图4(A)是俯视图,图4(B)是仰视图。热式流量计300具备外壳302、表罩303、背罩304。外壳302具备:用于将热式流量计300固定于作为主通道124的吸气体的凸缘312;具有用于进行与外部设备的电连接的外部端子306的外部连接部305;以及用于测量流量等的测量部310。在测量部310的内部,设置有用于制作副通道的副通道槽,在测量部310的内部,还设置有用于测量在主通道124中流动的被测量气体30的流量的流量检测部602(参照图21)、具备用于测量在主通道124中流动的被测量气体30的温度的温度检测部452的电路封装件400。
2.2基于热式流量计300的外观构造的效果
热式流量计300的入口350设置在从凸缘312朝向主通道124的中心方向延伸的测量部310的前端侧,所以不仅主通道124的内壁面附近,而且靠近从内壁面离开的中央部的部分的气体也能够被摄入副通道。因此热式流量计300能够测定从主通道124的内壁面离开的部分的气体的流量、温度,能够抑制热等的影响造成的测量精度的降低。在主通道124的内壁面附近,容易受到主通道124的温度的影响,相对于气体本来的温度被测量气体30的温度处于不同的状态,变得与主通道124内的主气体的平均的状态不同。尤其是主通道124是引擎的吸气体的情况下,收到来自引擎的热的影响,维持在高温的情况较多。因此主通道124的内壁面附近的气体相对于主通道124本来的气温较高的情况较多,成为使测量精度降低的主要原因。
主通道124的内壁面附近流体阻力较大,相比主通道124的平均的流速,流速变低。因此若将主通道124的内壁面附近的气体作为被测量气体30摄入副通道,则流速相对于主通道124的平均流速的降低存在导致测量误差的隐患。在图2至图4所示的热式流量计300中,在从凸缘312朝向主通道124的中央延伸的薄且长的测量部310的前端部设置有入口350,所以能够降低与内壁面附近的流速降低有关的测量误差。另外,图2至图4所示的热式流量计300中,不仅在从凸缘312朝向主通道124的中央延伸的测量部310的前端部设置有入口350,还在测量部310的前端部设置副通道的出口,所以能够进一步降低测量误差。
热式流量计300的测量部310成为从凸缘312朝向主通道124的中心方向延长的形状,在其前端部设置有用于将吸入空气等被测量气体30的一部分摄入副通道的入口350和用于从副通道使被测量气体30返回主通道124的出口352。测量部310成为沿从主通道124的外壁朝向中央的轴延长的形状,但宽度如图2(A)以及图3(A)所记载,成为较窄的形状。即热式流量计300的测量部310中侧面的宽度较薄的正面成为大致长方形的形状。由此,热式流量计300能够具备足够的长度的副通道,对于被测量气体30能够将流体阻力抑制在较小的值。
因此,热式流量计300能够将流体阻力抑制在较小的值并且以较高的精度对被测量气体30的流量进行测量。
2.3温度检测部452的构造
比设置于测量部310的前端侧的副通道更位于凸缘312侧一方,如图2以及图3所示,成形有朝向被测量气体30的流动的上游侧开口的入口343,在入口343的内部配置有用于测量被测量气体30的温度的温度检测部452。在设置有入口343的测量部310的中央部,构成外壳302的测量部310内的上游侧外壁朝向下游侧凹陷,温度检测部452成为从上述凹陷形状的上游侧外壁朝向上游侧突出的形状。另外在上述凹陷形状的外壁的两侧部设置有表罩303和背罩304,上述表罩303与背罩304的上游侧端部成为从上述凹陷形状的外壁朝向上游侧突出的形状。因此通过上述凹陷形状的外壁与其两侧的表罩303和背罩304,成形用于将被测量气体30摄入的入口343。从入口343摄入的被测量气体30通过与设置于入口343的内部的温度检测部452接触,被温度检测部452测量温度。进而被测量气体30沿着对从成为凹陷形状的外壳302的外壁向上游侧突出的温度检测部452进行支撑的部分流动,并从设置于表罩303与背罩304的表侧出口344以及背侧出口345排出至主通道124。
2.4与温度检测部452有关的效果
从沿被测量气体30的流动方向的上游侧流入入口343的气体的温度被温度检测部452测量,进而通过该气体朝向作为支撑温度检测部452的部分的温度检测部452的根部分流动,起到使支撑温度检测部452的部分的温度向被测量气体30的温度接近的方向进行冷却的作用。作为主通道124的吸气管的温度通常变高,从凸缘312或热绝缘部315通过测量部310内的上游侧外壁,热传递至支撑温度检测部452的部分,存在对温度的测量精度造成影响的隐患。如上所述,被测量气体30被温度检测部452测量后,沿温度检测部452的支撑部分流动,由此上述支撑部分被冷却。因此能够抑制从凸缘312或热绝缘部315通过测量部310内的上游侧外壁热传递至支撑温度检测部452的部分。
尤其是在温度检测部452的支撑部分中,测量部310内的上游侧外壁成为朝向下游侧凹入的形状(以下使用图5以及图6进行说明),所以能够加长测量部310内的上游侧外壁与温度检测部452之间的距离。热传导距离变长,并且利用被测量气体30的冷却部分的距离变长。因此能够降低从凸缘312或热绝缘部315带来的热的影响。综上所述测量精度提高。上述上游侧外壁成为朝向下游侧凹入的形状(以下使用图5以及图6进行说明),所以以下说明的电路封装件400(参照图5和图6)的固定变得容易。
2.5测量部310的上游侧侧面与下游侧侧面的构造和效果
在构成热式流量计300的测量部310的上游侧侧面与下游侧侧面分别设置有上游侧突起317和下游侧突起318。上游侧突起317和下游侧突起318成为相对于根部随着靠近前端而变细的形状,能够降低作为在主通道124内流动的吸入空气的被测量气体30的流体阻力。在热绝缘部315与入口343之间设置有上游侧突起317。上游侧突起317的截面积较大,来自凸缘312或热绝缘部315的热传导较大,但在入口343跟前上游侧突起317被切断,进而从上游侧突起317的温度检测部452侧向温度检测部452的距离因后述的外壳302的上游侧外壁的凹陷而成为变长的形状。因此抑制向温度检测部452的支撑部分的来自热绝缘部315的热传导。
另外在凸缘312或热绝缘部315与温度检测部452之间,制作包含后述的端子连接部320以及端子连接部320的空隙。因此凸缘312或热绝缘部315与温度检测部452之间变长,在该较长的部分设置有表罩303、背罩304,该部分起到冷却面的作用。因此能够降低主通道124的壁面的温度波及温度检测部452的影响。另外凸缘312或热绝缘部315与温度检测部452之间变长,由此能够使被引导至副通道的被测量气体30的摄入部分靠近主通道124的中央。能够抑制与主通道124的壁面有关的测量精度的降低。
如图2(B)、图3(B)所示,插入主通道124内的测量部310的两侧面特别窄,进而下游侧突起318、上游侧突起317成为相对于降低空气阻力的根部前端较窄的形状。因此,能够抑制将热式流量计300插入主通道124带来的流体阻力的增大。另外在设置有下游侧突起318、上游侧突起317的部分,利用表罩303、背罩304的两侧部,做成上游侧突起317、下游侧突起318向两侧变突出的形状。上游侧突起317、下游侧突起318由树脂模制制作,所以容易成形为空气阻力较小的形状,成为一方表罩303、背罩304具备较宽的冷却面的形状。因此热式流量计300具有降低空气阻力、进而容易被主通道124中流动的被测量空气冷却的效果。
2.6凸缘312的构造和效果
在凸缘312上,与作为其下表面的主通道124对置的部分设置有多个凹陷314,减少与主通道124之间的热传递面,热式流量计300难以受到热的影响。凸缘312的螺纹孔313用于将热式流量计300固定于主通道124,以与这些螺纹孔313的周围的主通道124对置的面从主通道124远离的方式,在与各螺纹孔313的周围的主通道124的对置的面与主通道124之间成形有空间。这样,针对热式流量计300的来自主通道124的热传递降低,做成能够防止热造成的测定精度的降低的构造。再者,上述凹陷314不仅起到热传导的降低效果,还起到在外壳302的成形时降低构成凸缘312的树脂的收缩的影响的作用。
在凸缘312的测量部310侧设置有热绝缘部315。热式流量计300的测量部310从设置于主通道124的安装孔插入至内部,热绝缘部315与主通道124的上述安装孔的内表面对置。主通道124例如是吸气体,主通道124维持于高温的情况较多。相反地在寒冷地方的启动时,需要考虑主通道124为极低的温度。若这样的主通道124的高温或低温的状态对温度检测部452、后述的流量测量波及影响,则测量精度降低。因此与主通道124的安装孔的孔内表面接触的热绝缘部315并列设置有多个凹陷316,与相邻的凹陷316间的上述孔内面接触的热绝缘部315的宽度极薄,为凹陷316的流体的流动方向的宽度三分之一以下。由此能够降低温度的影响。另外热绝缘部315的部分的树脂变厚。在外壳302的树脂模制时,树脂从高温状态降至低温而硬化时产生体积收缩,产生应力的产生带来的变形。通过在热绝缘部315成形凹陷316能够使体积收缩均匀化,从而能够降低应力集中。
热式流量计300的测量部310从设置于主通道124的安装孔插入内部,通过热式流量计300的凸缘312由螺钉固定于主通道124。期望相对于设置于主通道124的安装孔以规定的位置关系固定热式流量计300。能够将设置于凸缘312的凹陷314用于主通道124和热式流量计300的定位。通过在主通道124成形凸部,能够做成上述凸部和凹陷314具有嵌合关系的形状,能够将热式流量计300在正确的位置固定于主通道124。
2.7外部连接部305以及凸缘312的构造和效果
图4(A)是热式流量计300的俯视图。在外部连接部305的内部设置有四根外部端子306和修正用端子307。外部端子306是用于输出作为热式流量计300的测量结果的流量和温度的端子以及供给用于热式流量计300动作的直流电的电源端子。修正用端子307是用于进行生产出的热式流量计300的测量、求得与各个热式流量计300相关的修正值、并在热式流量计300内部的存储器存储修正值的端子,之后的热式流量计300的测量动作中使用表示上述的存储器所存储的修正值的修正数据,不使用该修正用端子307。因此在外部端子306与其它的外部设备的连接中,以修正用端子307不会成为妨碍的方式,做成修正用端子307与外部端子306不同的形状。本实施例中修正用端子307做成比外部端子306短的形状,即使通向连接于外部端子306的外部设备的连接端子插入外部连接部305,也不会成为连接的阻碍。另外在外部连接部305的内部沿外部端子306设置有多个凹陷308,这些凹陷308用于降低在作为凸缘312的材料的树脂冷却凝固时由于树脂的收缩产生的应力集中。
除了在热式流量计300的测量动作中所使用的外部端子306之外,通过设置修正用端子307,能够在热式流量计300的出货前分别对其测量特性,测量制品的波动,并将用于降低波动的修正值存储在热式流量计300内部的存储器。在上述修正值的设定工序后,以修正用端子307不会成为外部端子306与外部设备的连接的障碍的方式,修正用端子307制作成与外部端子306不同的形状。这样热式流量计300能够在其出货前分别对其波动进行降低,从而能够实现测量精度的提高。
3.外壳302的整体构造与其效果
3.1副通道与流量检测部的构造和效果
在图5以及图6中表示从热式流量计300将表罩303以及背罩304拆下的的外壳302的状态。图5(A)是外壳302的左侧视图,图5(B)是外壳302的主视图,图6(A)是外壳302的右侧视图,图6(B)是外壳302的后视图。外壳302成为测量部310从凸缘312向主通道124的中心方向延伸的构造,在其前端侧设置有用于成形副通道的副通道槽。本实施例中在外壳302的表背两面设置有副通道槽,图5(B)表示表侧副通道槽332,图6(B)表示背侧副通道槽334。用于成形副通道的入口350的入口槽351与用于成形出口352的出口槽353设置在外壳302的前端部,所以能够将从主通道124的内壁面离开的部分的气体换句话说在靠近主通道124的中央部分的部分流动的气体作为被测量气体30从入口350摄入。在主通道124的内壁面附近流动的气体受到主通道124的壁面温度的影响,作为吸入空气的被测量气体30等具有与在主通道124中流动的气体的平均温度不同的温度的情况较多。另外在主通道124的内壁面附近流动的气体表示比在主通道124流动的气体的平均流速慢的流速的情况较多。实施例的热式流量计300中难以受到这样的影响,所以能够抑制测量精度的降低。
由上述的表侧副通道槽332、背侧副通道槽334制作的副通道利用外壁凹陷部366、上游侧外壁335、下游侧外壁336而与热绝缘部315相连接。另外在上游侧外壁335设置有上游侧突起317,在下游侧外壁336设置有下游侧突起318。通过这样的构造,由凸缘312将热式流量计300固定于主通道124,由此具有电路封装件400的测量部310具有较高的可靠性而固定于主通道124。
在本实施例中外壳302设置有用于成形副通道的副通道槽,通过将罩覆盖在外壳302的表面以及背面,组成由副通道槽和罩来完成副通道的结构。通过做成这样的构造,能够在外壳302的树脂模制工序中作为外壳302的一部分来成形全部的副通道槽。另外在外壳302的成形时在外壳302的两面设置有模具,所以通过适用该双方的模具,能够将表侧副通道槽332与背侧副通道槽334的双方作为外壳302的一部分全部成形。通过在外壳302的两面设置表罩303和背罩304能够完成外壳302的两面的副通道。通过利用模具在外壳302的两面成形表侧副通道槽332和背侧副通道槽334能够以较高的精度来成形副通道。另外得到较高的生产性。
图6(B)中在主通道124中流动的被测量气体30的一部分从成形入口350的入口槽351被摄入至背侧副通道槽334内,并在背侧副通道槽334内流动。背侧副通道槽334形成随着前进而变深的形状,被测量气体30随着沿槽流动而逐渐向表侧的方向移动。尤其是背侧副通道槽334设置有在电路封装件400的上游部342急速变深的急倾斜部347,质量较小的空气的一部分沿急倾斜部347移动,在电路封装件400的上游部342在图5(B)所记载的测量用流道面430一方流动。另一方质量较大的杂物因惯性力而难以进行急剧的行进路径改变,因此在图6(B)所示的背侧露出面403一方移动。之后通过电路封装件400的下游部341,在图5(B)所记载的测量用流道面430一方流动。
使用图7对热传递面露出部436附近的被测量气体30的流动进行说明。在图5(B)所记载的表侧副通道槽332中,从上述的电路封装件400的上游部342向表侧副通道槽332侧移动的被测量气体30即空气沿测量用流道面430流动,经过设置于测量用流道面430的热传递面露出部436而在与用于测量流量的流量检测部602之间进行热传递,从而进行流量的测量。通过了测量用流道面430的被测量气体30、从电路封装件400的下游部341向表侧副通道槽332流来的空气均沿表侧副通道槽332流动,并从用于成形出口352的出口槽353排出至主通道124。
混入被测量气体30的垃圾等质量较大的物质的惯性力较大,沿槽的深度急速变深的图6(B)所示的急倾斜部347的部分的表面,难以在槽的深方向急速地改变行进路径。因此质量较大的杂物在背侧露出面403一方移动,能够抑制杂物通过热传递面露出部436的附近。本实施例中气体以外的质量较大的杂物较多,但因为以通过测量用流道面430的背面即背侧露出面403侧的方式构成,所以能够降低油分、碳、垃圾等杂物造成的污染的影响,从而能够抑制测量精度的降低。即具有沿横切主通道124的流动的轴的轴使被测量气体30的路径快速变化的形状,所以能够降低混入被测量气体30的杂物的影响。
本实施例中,由背侧副通道槽334构成的流道一边描绘曲线一边从外壳302的前端部朝向凸缘方向,在最靠凸缘侧的位置,在副通道中流动的气体相对于主通道124的流向成为反方向的流动,在该反方向的流动的部分中作为一方侧的背面侧的副通道连接于成形于作为另一方侧的表面侧的副通道。这样,电路封装件400的热传递面露出部436向副通道的固定变得容易,进而将被测量气体30在靠近主通道124的中央部的位置摄入也变得容易。
本实施例中,是如下的结构,由在用于测量流量的测量用流道面430的流动方向上的前后贯通于背侧副通道槽334与表侧副通道槽332的结构构成,并且电路封装件400的前端侧不仅是由外壳302支持的结构还具有空洞部383,电路封装件400的上游部342的空间与电路封装件400的下游部341的空间相连接。作为贯通该电路封装件400的上游部342与电路封装件400的下游部341的结构,以被测量气体30从成形于外壳302的一方的面的背侧副通道槽334向成形于外壳302的另一方的面的表侧副通道槽332移动的形状成形副通道。通过做成这样的结构,能够以一次的树脂模制工序在外壳302的两面成形副通道槽,另外能够配合连接两面的副通道槽的构造地成形。
在外壳302的成形时,通过由成型模具将形成于电路封装件400的测量用流道面430的两侧夹住而能够形成将电路封装件400的上游部342和电路封装件400的下游部341贯通的结构,并且在外壳302的树脂模制成形的同时,能够将电路封装件400安装于外壳302。通过这样地在外壳302的成形模具嵌入并成形电路封装件400,能够相对于副通道将电路封装件400以及热传递面露出部436高精度地安装。
本实施例中,做成将该电路封装件400的上游部342与电路封装件400的下游部341贯通的结构。但是,也能够通过做成将电路封装件400的上游部342与下游部341无论哪一方贯通的结构,来将连接背侧副通道槽334与表侧副通道槽332的副通道形状由一次树脂模制工序成形。
此外,在背侧副通道槽334的两侧设置有背侧副通道内周壁391和背侧副通道外周壁392,通过将这些背侧副通道内周壁391与背侧副通道外周壁392各自的高度方向的前端部与背罩304的内侧面紧贴,来成形外壳302的背侧副通道。另外在表侧副通道槽332的两侧设置有表侧副通道内周壁393和表侧副通道外周壁394,通过将这些表侧副通道内周壁393与表侧副通道外周壁394的高度方向的前端部与表罩303的内侧面紧贴,来成形外壳302的表侧副通道。
在设置于测量用流道面430的用于测量流量的热传递面露出部436的部分成形有收缩形状(以下使用图7进行说明),通过该收缩效果使流速变快,测量精度提高。另外即使在热传递面露出部436的上游侧在气体的流动中产生涡旋也能够通过上述收缩来消灭涡旋,从而使测量精度提高。
图5以及图6中,上游侧外壁335成为在温度检测部452的根部向下游侧凹陷的形状,具备外壁凹陷部366。通过该外壁凹陷部366,温度检测部452与外壁凹陷部366之间的距离变长,能够降低经过上游侧外壁335而传递来的热的影响。
另外,通过将电路封装件400由固定部372包围,从而将电路封装件400固定,但通过由外壁凹陷部366进一步将电路封装件400固定,能够增大固定电路封装件400的力。固定部372在沿被测量气体30的流动轴的方向上包含电路封装件400。一方外壁凹陷部366在横切被测量气体30的流动轴的方向上包含电路封装件400。即以相对于固定部372包含的方向不同的方式包含电路封装件400。以两个不同的方向包含电路封装件400,所以固定的力增大。外壁凹陷部366是上游侧外壁335的一部分,但若为了增大固定的力,也可以代替上游侧外壁335而由下游侧外壁336在与固定部372不同的方向上包含电路封装件400。例如,也可以由下游侧外壁336包含电路封装件400的板部,或是设置在下游侧外壁336向上游方向凹陷的凹陷或设置向上游方向突出的突出部来包含电路封装件400。在上游侧外壁335设置外壁凹陷部366来包含电路封装件400的方法在电路封装件400的固定之外,还具有使温度检测部452与上游侧外壁335之间的热阻增大的作用。
在温度检测部452的根部设置有外壁凹陷部366,由此能够降低从凸缘312或热绝缘部315经由上游侧外壁335而传来的热的影响。还设置有利用在上游侧突起317与温度检测部452之间的切口而成形的测温用凹陷368。利用该测温用凹陷368也能够降低经过上游侧突起317对温度检测部452带来的热的传递。由此温度检测部452的检测精度提高。尤其是上游侧突起317因其截面积较大所以热容易传递,阻止热的传递的测温用凹陷368的作用较为重要。
3.2副通道的流道检测部的构造和效果
图7是表示电路封装件400的测量用流道面430配置在副通道槽的内部的状态的部分放大图,是图6的A-A剖视图。此外,该图是示意图,相对于图5、图6所示的详细形状,图7中进行了细节的省略以及简化,对细节进行少许变形。图7的左部分是背侧副通道槽334的终端部,右侧部分是表侧副通道槽332的始端部分。虽然图7中没有明确记载,但在具有测量用流道面430的电路封装件400的左右两侧设置有贯通部,由具有测量用流道面430的电路封装件400的左右两侧将背侧副通道槽334与表侧副通道槽332连接。
从入口350摄入并在由背侧副通道槽334构成的背侧副通道中流动的被测量气体30从图7的左侧被引导,被测量气体30的一部分经过电路封装件400的上游部342的贯通部,在由电路封装件400的测量用流道面430的表面和设置于表罩303的突起部356构成的流道386一方流动,其它的被测量气体30在由背侧露出面403和背罩304构成的流道387一方流动。之后,在流道387中流动的被测量气体30经过电路封装件400的下游部341的贯通部移至表侧副通道槽332一方,与在流道386中流动的被测量气体30合流,在表侧副通道槽332中流动,并从出口352向主通道124排出。
从背侧副通道槽334经过电路封装件400的上游部342的贯通部而被引导至流道386的被测量气体30的一方,因为以比被引导至流道387的流道弯曲变大的方式成形副通道槽,所以包含于被测量气体30的垃圾等质量较大的物质集中于弯曲较少的流道387一方。因此异物向流道386的流入几乎没有。
流道386中,与表侧副通道槽332的最前端部连续,设置于表罩303的突起部356向测量用流道面430一方逐渐突出,由此成为成形有收缩的构造。在流道386的收缩部的一方侧配置有测量用流道面430,在测量用流道面430设置有用于流量检测部602在与被测量气体30之间进行热传递的热传递面露出部436。为了以高精度进行流量检测部602的测量,期望在热传递面露出部436的部分被测量气体30为涡旋较少的层流。另外流速越快测量精度越提高。因此,与测量用流道面430对置地设置于表罩303的突起部356朝向测量用流道面430平滑地突出从而成形收缩。该收缩起到使被测量气体30的涡旋减少而接近层流的作用。再有,在收缩部分流速变快,该收缩部分配置有用于测量流量的热传递面露出部436,所以流量的测量精度提高。
以与设置于测量用流道面430的热传递面露出部436对置的方式使突起部356向副通道槽内突出从而成形收缩,能够使测量精度提高。用于成形收缩的突起部356将设置于与设置于测量用流道面430的热传递面露出部436对置的一方的罩。图7中与设置于测量用流道面430的热传递面露出部436对置的一方的罩为表罩303,所以在表罩303设置热传递面露出部436,但只要在与设置于表罩303或背罩304内的流道面430的热传递面露出部436对置的一方的罩上设置即可。根据电路封装件400中设置测量用流道面430以及热传递面露出部436的面是哪一个,与热传递面露出部436对置的一方的罩就变为哪一个。
在图5以及图6中,在设置于测量用流道面430的热传递面露出部436的背侧露出面403,残留有电路封装件400的树脂模制工序中所使用的模具的按压痕迹442。按压痕迹442并不成为流量的测量的障碍,直接残留按压痕迹442也没问题。虽然在后叙述,但在将电路封装件400由树脂模制成形时,流量检测部602具有的半导体隔膜的保护变得重要。因此热传递面露出部436的背面(背侧露出面403)的按压较为重要。另外在热传递面露出部436使覆盖电路封装件400的树脂不流入很重要。出于这样的观点,将包含热传递面露出部436的测量用流道面430由模具包围,另外将热传递面露出部436的背面由其它的模具按压,阻止树脂的流入。电路封装件400由传递模制制作,所以树脂的压力较高,来自热传递面露出部436的背面的按压较为重要。另外期望在流量检测部602使用半导体隔膜,并成形由半导体隔膜制作的空隙的通气用通道。为了保持固定用于成形通气用通道的板等,来自热传递面露出部436的背面的按压较为重要。
3.3表罩303与背罩304的形状和效果
图8是表示表罩303的外观的图,图8(A)是左侧视图,图8(B)是主视图,图8(C)是俯视图。图9是表示背罩304的外观的图,图9(A)是左侧视图,图9(B)是主视图,图9(C)是俯视图。图8以及图9中,表罩303、背罩304通过塞住外壳302的副通道槽,来用于制作副通道。另外具备突起部356而用于制作收缩。因此期望成形精度较高。表罩303、背罩304通过向模具注入热可塑性树脂的树脂模制工序来制作,所以能够以较高的成形精度来制作。另外,在表罩303和背罩304上成形有突起部380和突起部381,成为在外壳302嵌合时,在埋设图5(B)以及图6(B)所表示的电路封装件400的前端侧的空洞部383的间隙的同时覆盖电路封装件400的前端部的结构。
在图8、图9所示的表罩303、背罩304,成形有表保护部322、背保护部325。如图2、图3所示,在入口343的表侧侧面配置有设置于表罩303的表保护部322,另外在入口343的背侧侧面,配置有设置于背罩304的背保护部325。配置于入口343内部的温度检测部452由表保护部322和背保护部325保护,生产中以及向车的装载时能够防止温度检测部452与某物碰撞等情况引起的温度检测部452的机械的损伤。
在表罩303的内侧面设置有突起部356,如图7的例所示,突起部356对置于测量用流道面430地配置,做成在沿副通道的流道的轴的方向上延长的形状。突起部356的截面形状也可以如图8(C)所示以突起部的顶点为边界朝向下游侧倾斜。通过测量用流道面430与突起部356,在上述的流道386成形收缩,使产生于被测量气体30的涡旋减少,起到使层流产生的作用。该实施例中,具有收缩部分的副流道分为槽的部分和完成塞住槽且具备收缩的流道的盖的部分,将槽的部分在用于成形外壳302的第二树脂模制工序中制作,接下来将具有突起部356的表罩303在其它的树脂模制工序中成形,通过将表罩303作为槽的盖来覆盖槽,从而制作副通道。成形外壳302的第二树脂模制工序中,也进行具有测量用流道面430的电路封装件400向外壳302的固定。通过这样地将形状复杂的槽的成形在树脂模制工序中进行,并将用于收缩的突起部356设置于表罩303,能够以较高的精度成形图7所示的流道386。另外能够高精度地维持槽与测量用流道面430、热传递面露出部436的配置关系,所以能够减少量产品中的波动,其结果得到较高的测量结果。另外生产性也提高。
利用背罩304与背侧露出面403进行的流道387的成形也一样。分为流道386的槽部分与盖部分,将槽部分在成形外壳302的第二树脂模制工序中制作,通过由背罩304覆盖槽,成形流道387。通过这样地制作流道387,能够以高精度制作流道386,生产性也提高。
3.4利用第二树脂模制工序进行的外壳302成形和效果
在上述的图5以及图6所示的外壳302中,将具备流量检测部602、处理部604的电路封装件400由第一树脂模制工序制造,接下来,将具有成形供被测量气体30流动的副通道的例如表侧副通道槽332、背侧副通道槽334的外壳302由第二树脂模制工序制造。在该第二树脂模制工序中,将上述电路封装件400内置于外壳302的树脂内,并在外壳302内通过树脂模制而固定。这样,用于流量检测部602在与被测量气体30之间进行热传递而测量流量的热传递面露出部436与副通道例如表侧副通道槽332、背侧副通道槽334的形状的关系例如位置关系、方向的关系能够以极高的精度被维持。能够将每个电路封装件400产生的误差、波动抑制在非常小的值。其结果能够较大地改善电路封装件400的测量精度。例如与使用以往的粘接剂进行固定的方式相比,能够提高测量精度两倍以上。热式流量计300通过量产来生产的情况较多,一边在此进行严密地测量一边由粘接剂进行粘接的方法中,就测量精度的提高而言存在界限。但是,像本实施例一样通过第一树脂模制工序制造电路封装件400,之后在成形供被测量气体30流动的副通道的第二树脂模制工序中成形副通道的同时,将电路封装件400和上述副通道固定,能够大幅地降低测量精度的波动,能够大幅地提高各热式流量计300的测量精度。这种情况不仅在图5、图6所示的实施例中,在图7所示的实施例中也一样。
例如若对图5、图6所示的实施例进行进一步的说明,则能够以表侧副通道槽332与背侧副通道槽334与热传递面露出部436之间的关系成为规定的关系的方式以较高的精度将电路封装件400固定于外壳302。由此,量产的热式流量计300中能够分别将各电路封装件400的热传递面露出部436与副通道的位置关系、形状等的关系以非常高的精度平稳地得到。固定了电路封装件400的热传递面露出部436的副通道槽例如表侧副通道槽332与背侧副通道槽334能够以非常高的精度成形,所以根据该副通道槽成形副通道的作业是由表罩303、背罩304覆盖外壳302的两面的作业。该作业十分简单,所以是使测量精度降低的主要原因较少的作业工序。另外,表罩303、背罩304通过成形精度较高的树脂模制工序而生产。因此将以与电路封装件400的热传递面露出部436规定的关系设置的副通道能够以较高的精度完成。通过这种方法,在测量精度提高之外,得到较高的生产性。
与此相对,以往的技术,制造副通道,接下来通过在副通道由粘接剂粘接测量部,来生产热式流量计。这样地使用粘接剂的方法中粘接剂的厚度的波动较大,另外粘接位置、粘接角度按照每个产品而波动。因此测量精度提高存在界限。再有在将这些作业在量产工序中进行的情况下,测量精度的提高变难。
本发明的实施例中,首先,将具备流量检测部602的电路封装件400利用第一树脂模制生产,接下来将电路封装件400利用树脂模制固定并且同时由上述树脂模制将用于成形副通道的副通道槽利用第二树脂模制成形。这样,能够以极高的精度来决定副通道槽的形状以及在上述副通道槽固定流量检测部602。
将与流量的测量有关系的部分例如安装有流量检测部602的热传递面露出部436、热传递面露出部436的测量用流道面430成形于电路封装件400的表面。之后,使测量用流道面430与热传递面露出部436从成形外壳302的树脂露出。即,使热传递面露出部436以及热传递面露出部436周边的测量用流道面430没有由成形外壳302的树脂覆盖。将电路封装件400的由树脂模制成形的测量用流道面430、热传递面露出部436或是将温度检测部452直接在外壳302的树脂模制后利用,用于热式流量计300的流量测量、温度测量。这样,测量精度提高。
在本发明的实施例中,将电路封装件400一体地成形于外壳302,由此在具有副通道的外壳302固定电路封装件400,所以能够以较少的固定面积将电路封装件400固定于外壳302。即,能够较多地取得没有与外壳302接触的电路封装件400的表面积。没有接触上述外壳302的电路封装件400的表面例如露出至空隙。吸气管的热传递至外壳302,并从外壳302传递至电路封装件400。即使没有由外壳302来包含电路封装件400的整面或大部分,而是使外壳302与电路封装件400的接触面积较小,也能够维持高精度且高可靠性地将电路封装件400固定于外壳302。因此能够将从外壳302向电路封装件400的热传递抑制得较低,能够抑制测量精度的降低。
在图5、图6所示的实施例中,能够使电路封装件400的露出面的面积A与由外壳302的成形用模制材覆盖的面积B相等或是使面积A比面积B多。实施例中面积A变得比面积B多。这样,能够抑制从外壳302向电路封装件400的热的传递。另外能够降低因成形电路封装件400的热硬化性树脂的热膨胀系数与成形外壳302的热可塑性树脂的膨胀系数之差而产生的应力。
4.电路封装件400的外观
4.1具备热传递面露出部436的测量用流道面430的成形
图10表示第一树脂模制工序中制作的电路封装件400的外观。此外,电路封装件400的外观上所记载的斜线部分表示,第一树脂模制工序中制造电路封装件400后,在第二树脂模制工序中成形外壳302时,由第二树脂模制工序中使用的树脂将电路封装件400覆盖的固定面432。图10(A)是电路封装件400的左侧视图,图10(B)是电路封装件400的主视图,图10(C)是电路封装件400的后视图。电路封装件400内置后述的流量检测部602、处理部604,由热硬化性树脂将它们模制,并一体成形。
如图10(B)、图10(C)所示,电路封装件400具有与被测量气体30的流动方向正交的纵长的平板形状,固定面432模制固定于外壳302,由此前端部401向副通道内突出,前端部401的表侧露出面402与背侧露出面403沿被测量气体30的流动方向相互平行地配置。
图10(B)所示的电路封装件400的表面400a中,在前端部401的表侧露出面402,起到用于供被测量气体30流动的面的作用的测量用流道面430以沿被测量气体30的流动方向延长的形状成形。本实施例中测量用流道面430成为沿被测量气体30的流动方向延长的长方形。测量用流道面430如图10(A)所示,制作得比其它的部分薄,测量用流道面430在其一部分设置有热传递面露出部436。
内置的流量检测部602(参照图21)经过热传递面露出部436而与被测量气体30进行热传递,测量被测量气体30的状态例如被测量气体30的流速,并输出表示在主通道124内流动的流量的电信号。
为了内置的流量检测部602以高精度测量被测量气体30的状态,期望热传递面露出部436的附近流动的气体为层流且扰乱较少。因此优选热传递面露出部436的流道侧面与引导气体的测量用流道面430的面的高度差较小。通过这样的结构,保持流量测量精度高精度,并且能够抑制在流量检测部602作用有不均等的应力以及变形。而且,只要是不对流量测量精度造成影响的程度的高度差就能够设置。
在具有热传递面露出部436的测量用流道面430的背侧露出面403,如图10(C)所示,残留有在电路封装件400的树脂模制成形时支撑内部基板或板的模具的按压的按压痕迹442。热传递面露出部436是为了进行与被测量气体30之间热的交换而使用的部位,为了准确地测量被测量气体30的状态,期望流量检测部602与被测量气体30之间的热传递良好地进行。因此,热传递面露出部436的部分必须避免被第一树脂模制工序中的树脂覆盖。在热传递面露出部436与作为其背面的背侧露出面403的两面放置模具,通过该模具来防止树脂向热传递面露出部436的流入。
在表侧露出面402的热传递面露出部436的附近位置,如图10(B)所示,形成有电路封装件400的树脂模制成形时支撑流量检测部(流量检测元件)602的模具造成的凹部形状的按压痕迹439,流量检测部602的按压面602a露出。作为半导体芯片的流量检测部602,若在电路封装件400的树脂模制成形时因模具703而成为热传递面露出部436的热传递面437被按压,则存在作用有弯曲应力而变形的隐患。因此,与热传递面437一同,设定于流量检测部602的表面且从热传递面437离开的位置的按压面602a也被模具703按压,防止弯曲应力作用于流量检测部602。
在热传递面露出部436的背侧露出面403成形有凹部形状的按压痕迹442。该部分中,构成流量检测部602等的元件较近地配置,期望这些元件的发热极可能地向外部散热。成形的凹部受树脂的影响较小,起到容易散热的效果。
在由半导体元件构成的流量检测部(流量检测元件)602,形成有相当于热传递面露出部436的半导体隔膜,半导体隔膜能够通过在流量检测部602的背面成形空隙来得到。密封上述空隙后因温度变化而产生上述空隙内的压力的变化,使半导体隔膜变形,测量精度降低。因此本实施例中,将与半导体隔膜背面的空隙连通的开口438设置在电路封装件400的表面,将连接半导体隔膜背面的空隙与开口438的连通道设置在电路封装件400内部。此外,上述开口438以在第二树脂模制工序中没有被树脂塞住的方式,设置于图10所示的没有记载斜线的部分,即,固定面432以外的部分。
第一树脂模制工序中需要成形上述开口438,在开口438的部分与其背面放置模具,通过用模具按压表背两面,阻止树脂向开口438的部分的流入,成形开口438。对于将开口438以及半导体隔膜的背面的空隙和开口438连接的连通道的成形在后叙述。
4.2温度检测部452以及突出部424的成形和效果
设置于电路封装件400的温度检测部452,为了支撑温度检测部452也设置在沿被测量气体30的上游方向延伸的突出部424的前端,具备检测被测量气体30的温度的功能。为了高精度地检测被测量气体30的温度,期望被测量气体30以外部分与热的传递尽可能的少。支撑温度检测部452的突出部424形成相比其根部前端部分较细的形状,在其前端部分设置有温度检测部452。通过这样的形状,可以降低向温度检测部452的来自突出部424的根部的热的影响。
另外,在由温度检测部452检测被测量气体30的温度后,被测量气体30沿突出部424流动,起到使突出部424的温度接近被测量气体30的温度的作用。由此,抑制突出部424的根部的温度波及温度检测部452的影响。尤其是本实施例中,具备温度检测部452的突出部424的附近较细,而随着靠近突出部424的根部变粗。因此,被测量气体30沿该突出部424的形状流动,有效地对突出部424进行冷却。
突出部424的根部中斜线部使在第二树脂模制工序中被成形外壳302的树脂覆盖的固定面432。在突出部424的根部的斜线部设置有凹陷。这表示设置有外壳302的没有被树脂覆盖的凹陷形状的部分。通过这样地制作突出部424的根部的外壳302的没有被树脂覆盖的凹陷形状的部分,通过被测量气体30进一步使突出部424容易冷却。
4.3电路封装件400的端子
在电路封装件400上,为了输出用于使内置的流量检测部602、处理部604动作的电力的供给以及流量的测量值、温度的测量值,设置有连接端子412。再有,为了进行电路封装件400是否正确动作、在电路配件及其连接是否产生异常的检查,设置有端子414。本实施例中,第一树脂模制工序中将流量检测部602、处理部604通过使用热硬化性树脂进行传递模制来制作电路封装件400。通过进行传递模制成形,能够提高电路封装件400的尺寸精度,但在传递模制工序中,向内置流量检测部602、处理部604的密封的模具的内部压入加压了的高温的树脂,所以对于完成的电路封装件400,期望不损伤流量检测部602、处理部604以及它们的配线关系的检查。本实施例中,设置用于检查的端子414,对生产的各电路封装件400分别实施检查。检查用的端子414不能用于测量,所以如上所述地,端子414没有连接于外部端子内端361。此外在各连接端子412上,为了增加机械的弹力,设置有弯曲部416。通过使各连接端子412具有机械的弹力,从而能够吸收因第一树脂模制工序的树脂与第二树脂模制工序的树脂的热膨胀系数的差异而产生的应力。即,各连接端子412受到因第一树脂模制工序而产生的热膨胀的影响,进而连接于各连接端子412的外部端子内端361受到因第二树脂模制工序而产生的树脂的影响。能够吸收因这些树脂的差异而引起的应力的产生。
4.4利用第二树脂模制工序进行的电路封装件400的固定及其效果
图10中斜线的部分表示固定面432,其在第二树脂模制工序中,为了在外壳302固定电路封装件400,用于由第二树脂模制工序中使用的热可塑性树脂覆盖电路封装件400。按照使用图5、图6进行的说明,为了使测量用流道面430以及设置于测量用流道面430的热传递面露出部436和副通道的形状的关系成为规定的关系,重要的是以较高精度维持。在第二树脂模制工序中,成形副通道并且同时在成形副通道的外壳302固定电路封装件400,所以上述副通道与测量用流道面430以及热传递面露出部436的关系能够以极高的精度维持。即,在第二树脂模制工序中将电路封装件400固定于外壳302,所以在用于成形具备副通道的外壳302的模具内,能够对电路封装件400较高精度地进行定位并固定。通过向该模具内注入高温的热可塑性树脂,从而以较高精度成形副通道,并且电路封装件400以较高精度被固定。
本实施例中,电路封装件400的整面并没有做成由成形外壳302的树脂覆盖的固定面432,而是在电路封装件400的连接端子412侧,表面露出,即设置有没有被外壳302用树脂覆盖的部分。在图10所示的实施例中,在电路封装件400的表面之内,相比外壳302用树脂所包含的固定面432的面积,外壳302的树脂没有包含的从外壳302用树脂露出的面积更大。
成形电路封装件400的热硬化性树脂和成形具备固定部372的外壳302的热可塑性树脂存在热膨胀系数差,希望使基于该热膨胀系数差的应力尽可能地不施加于电路封装件400。通过减小电路封装件400的表面的固定面432,从而能够降低基于热膨胀系数之差的影响。例如通过做成宽度L的带状,能够减小电路封装件400的表面的固定面432。
另外通过在突出部424的根部设置固定面432,能够增加突出部424的机械强度。通过在电路封装件400的表面,沿被测量气体30流动的轴的方向设置带状的固定面,还设置与被测量气体30流动的轴交叉的方向的固定面,从而能够更牢固地将电路封装件400和外壳302相互固定。在固定面432上,沿测量用流道面430以宽度L带状地包围电路封装件400的部分是沿上述的被测量气体30的流动轴的方向的固定面,覆盖突出部424的根部分是横切被测量气体30的流动轴的方向的固定面。
5.电路配件向电路封装件的装载
5.1电路封装件的框架
图11表示电路封装件400的框架512以及装载于框架512的电路配件516的芯片的装载状态。图12是图11的流量检测部602的放大图。此外,虚线部508表示被在电路封装件400模制成形时所使用的模具覆盖的部分。
在框架512机械地连接有导线514,在框架512的中央,装载有板(基板)532,在板532装载有作为片状的流量检测部(流量检测元件)602以及LSI而制作的处理部604。流量检测部602利用夹在与板532之间的粘接剂531而将流量检测部602的背面固定于板532。在流量检测部602上,在流量检测区域形成有隔膜672,以下说明的流量检测部602的各端子623与处理部604由金属线542电连接。再有处理部604的各端子与对应的导线514由金属线543连接。另外位于成为电路封装件400的连接端子的部分与板532之间的导线514在它们之间连接有片状的电路配件516。
流量检测部602具有沿板532的长方形,在比流量检测部602的中心靠长边方向的一方侧的、成为电路封装件400的前端侧的部分配置有隔膜672。而且,在比流量检测部602的中心靠长边方向另一方侧的、成为电路封装件400的基端(连接端子)侧的部分,设置有由金属线542连接的多个端子623。如图12所示,多个端子沿流量检测部602的表面且成为从隔膜672离开最远的端边的短边部602b而设置。多个端子623沿流量检测部602的短边部602b分为两组地设置,在这两组端子组之间的位置,设定有被模具703按压的按压面602a。
在这样地作为电路封装件400完成的情况下的最前端侧,配置具有隔膜672的流量检测部602,在相对于上述流量检测部602成为连接端子的一方,处理部604以LSI的状态配置,而且,在处理部604的端子侧配置有连接用的金属线543。这样,从电路封装件400的前端侧朝向连接端子的方向依次配置为流量检测部602、处理部604、金属线543、电路配件516以及连接用的导线514,由此整体变得简单,成为整体简洁的配置。
为了支撑板532,设置有较粗的导线,该导线被导线556、导线558固定于架512。此外,在板532的下表面设置有与和上述较粗的导线连接的板532同等面积的未图示的导线面,板532装载在该导线面上。这些导线面接地。由此,使上述流量检测部602、处理部604的电路内的接地共通,经由上述导线面而进行,能够抑制干扰,从而提高被测量气体30的测量精度。另外在从板532向流道的上游侧,即以沿将上述的流量检测部602、处理部604、电路配件516的轴横切的方向的轴突出的方式,设置有导线544。在该导线544连接有温度检测元件518例如片状的热敏电阻。在靠近作为上述突出部的根部的处理部604的一方设置有导线548,导线544与导线548由较细的连接线546电连接。若直接连结导线548和导线544,则热经过这些导线548和导线544传递至温度检测元件518,将不能准确地测量被测量气体30的温度。因此通过由作为截面积较小的线的热阻较大的线进行连接,能够使导线548与导线544之间的热阻增大。由此,热的影响不会波及温度检测元件518,被测量气体30的温度的测量精度提高。
另外,导线548通过导线552、导线554,固定于架512。
这些导线552、导线554与架512的连接部分相对于上述突出的温度检测元件518的突出方向以倾斜的状态固定于架512,模具也成为该部分倾斜的配置。第一树脂模制工序中模制用树脂沿该倾斜的状态流动,由此在设置有温度检测元件518的前端部分,第一树脂模制工序的模制用树脂顺利地流动,可靠性提高。
图11表示对树脂的压入方向进行表示的箭头592。装载了电路配件的导线框由模具覆盖,在模具上将树脂注入用的压入口590设置在圆形标记的位置,从上述箭头592的方向将热硬化性树脂注入至上述模具内。从上述压入口590向箭头592的方向,有电路配件516、温度检测元件518,有用于保持温度检测元件518的导线544。而且,在与箭头592的方向接近的方向设置有板532、处理部604、流量检测部602。通过这样地配置,第一树脂模制工序中树脂顺利地流动。第一树脂模制工序中,使用热硬化性树脂,重要的是在硬化前树脂流过整体。因此导线514上的电路配件、配线的配置和压入口590、压入方向的关系变得特别重要。
5.2连接电路封装件的隔膜背面的空隙与开口的构造
图13是表示图10的C-C截面的一部的图,是对连接设置于隔膜672以及流量检测部(流量检测元件)602的内部的空隙674和孔520的连通孔676进行说明的说明图。
如后所述地,测量被测量气体30的流量的流量检测部(流量检测元件)602,以在流量检测元件的流量检测区域形成有隔膜的方式,在流量检测部602的背面形成有空隙。在隔膜672上虽然没有图示但设置有进行被测量气体30与热的交换、由于用于测量流量的元件(图21所示的发热体608、作为上游测温电阻体的电阻652、电阻654和作为下游测温电阻体的电阻656、电阻658等)。在成形于隔膜672的元件间,除了与被测量气体30的热的交换,若热经过隔膜672而在元件间传递,则难以准确地测量流量。因此隔膜672需要增大热阻,隔膜672制作得尽可能薄。电路封装件400在相当于导线的第二板536上配置有用于形成连通通道的第一板532。在第一板532上,装载有作为片状的流量检测部602以及LSI而制作的处理部604。流量检测部602的各端子与处理部604经过铝垫而由金属线542电连接。再有,处理部604经过铝垫而由金属线543连接于第二板536。
流量检测部(流量检测元件)602以隔膜672的热传递面437露出的方式埋设于由第一树脂模制工序成形的电路封装件400的第一树脂并固定。隔膜672的表面设置有未图示的上述元件。上述元件在相当于隔膜672的热传递面露出部436经过元件表面的热传递面437而与未图示的被测量气体30相互进行热的传递。热传递面437也可以由各元件的表面构成,也可以在其上设置较薄的保护膜。期望元件与被测量气体30的热传递顺利地进行,且另一方面元件间的直接的热传递尽可能的少。
流量检测部(流量检测元件)602的设置有上述元件的部分配置于测量用流道面430的热传递面露出部436,相当于流量检测区域的热传递面437从成形测量用流道面430的树脂露出。流量检测部602的外周部被成形测量用流道面430的在第一树脂模制工序中使用的热硬化性树脂所覆盖。假设仅流量检测部602的侧面被上述热硬化性树脂覆盖,而流量检测部602的外周部的表面侧(即隔膜672周围的区域)没有被热硬化性树脂覆盖,则仅由流量检测部602的侧面承受在成形测量用流道面430的树脂产生的应力,在隔膜672产生变形,存在特性劣化的隐患。通过使图13所示的流量检测部602的表侧外周部成为也被上述热硬化性树脂覆盖的状态,来降低隔膜672的变形。若一方热传递面437与被测量气体30流动的测量用流道面430的高度差较大,则被测量气体30的流动被干扰,测量精度降低。因此期望热传递面437与被测量气体30流动的测量用流道面430的高度差W较小。
隔膜672为了抑制各元件间的热传递而制作得非常薄,通过在流量检测部602的背面成形空隙674来实现薄壁化。若对该空隙674进行密封后,由于温度变化,形成于隔膜672的背面的空隙674的压力基于温度而变化。若空隙674与隔膜672的表面的压力差变大,则隔膜672受到压力而产生变形,高精度的测量变得困难。因此,在板532设置有与向外部开口的开口438连接的孔520,并设置有连接该孔520和空隙674的连通孔676。该连通孔676例如由第一板532和第二板536这两块板制作。在第一板532设置有孔520和孔521,还设置有用于制作连通孔676的槽。通过由第二板536将槽以及孔520和孔521从第一板532的背面侧塞住,来形成连通孔676。
这样,通过孔521、连通孔676以及孔520,形成连通空隙674与电路封装件400的外部的连通通道440。具体来说,连通通道440由第一~第三连通通道构成,第一连通通道是从与空隙674连接的连通口521a沿作为第一板532的基板的厚度方向形成的通道,相当于孔521。第二连通通道是与第一连通通道连通并且沿与基板的厚度交叉的方向(本实施例中大致直角方向)形成的通道,相当于连通孔676。再有,第三连通通道是连通第二连通通道和外部,并且沿基板的厚度方向形成的通道,相当于孔520。通过这样地设置连通通道440,作用于隔膜672的表面以及背面的气压大致相等,测量精度提高。
如上所述,在第一板(基板)532的表面形成有将流量检测部602的空隙674与电路封装件400的外部连通的连通通道的连通口521a。将该连通口521a由流量检测部602的空隙674覆盖,并以将空隙674的开口缘674a的整体由粘接面532a包围的方式,经过由三聚氰胺、苯酚、环氧树脂、硅酮等热硬化性树脂构成的糊状粘接剂来粘接流量检测部602。为了对该糊状粘接剂赋予导电性,也可以在该糊状粘接剂中再添加例如针状的银或铜粒子等导电性粒子。此外,粘接剂并不限定于糊状,也可以是具有一定厚度的带状。
在此,在将流量检测部602装载于第一板(基板)532时,在粘接剂涂敷工序中,在第一板532涂敷粘接剂531。接下来,在元件安装工序中,在涂敷有粘接剂531的第一板532安装流量检测部602。在安装有元件的状态下,如上所述地由第一树脂包覆模制,成形于电路封装件400。
如上所述,通过由第二板536塞住槽以及孔520和孔521,能够制作连通孔676,但作为其它方法,能够将导线(导线框)用作第二板536。在板532上设置有作为隔膜672以及处理部604而动作的LSI。在它们的下侧设置有用于支撑装载了隔膜672以及处理部604的板532的导线框。因此通过利用该导线框,构造变得更简单。另外能够将上述导线框用作接地电极。这样上述导线框起到第二板536的作用,使用该导线框塞住成形于第一板532的孔520和孔521并且将成形于第一板532的槽由上述导线框覆盖地塞住来形成连通孔676,由此整体构造变得简单之外,通过导线框起到接地电极的作用,能够降低来自外部的干扰对隔膜672以及处理部604的影响。
再有,在这些实施例中,在电路封装件400中,形成有热传递面露出部436的电路封装件400的背侧露出面403残留有按压痕迹442。在第一树脂模制工序中,为了防止树脂向热传递面露出部436的流入而在热传递面露出部436的部分放置模具例如嵌入块,而且在其相反面的按压痕迹442的部分放置模具,通过两模具来阻止树脂向热传递面露出部436的流入。这样通过成形热传递面露出部436的部分,能够以极高的精度测量被测量气体30的流量。
图14是对利用第一树脂模制工序进行的电路封装件的模制成形方法的实施例进行说明的剖视图,图14(A)表示向模具腔内注射模制树脂前的状态,图14(B)表示注射后的状态。图15是对电路封装件的模制成形方法的比较例进行说明的剖视图,图15(A)表示注射前的状态,图15(B)、(C)表示注射后的状态。
流量检测部602在被粘接剂531粘接于第一板532上的状态下配置于模具701、702的腔内。而且,为了使模制树脂不会流入热传递面露出部436,经过弹性模705按压模具703,隔膜672的热传递面437被模具703的抵接部711包围。
在此,如作为比较例的图15(A)所示,若由模具703仅按压流量检测部602的热传递面437,则如图15(B)所示,按压部分的粘接剂被压缩,从而厚度变得比其它部分薄,在流量检测部602作用有弯曲应力,流量检测部602的从热传递面437离开的位置的端部602b向从板532浮起的方向变形。作用于流量检测部602的弯曲应力对应模具703的按压力变大而增大。
例如,在被夹在模具703、704之间的流量检测部602、第一板532、第二板536的厚度尺寸以及粘接剂531的厚度等全部在层叠尺寸公差范围内的情况下,模具703的按压力能够被弹性模705吸收,因此流量检测部602不会破损。然而,因制造上的误差等而超出流量检测部602等的层叠尺寸公差范围,且超过弹性模705的按压力的吸收界限的情况下,存在在流量检测部602作用有过大的弯曲应力的隐患。流量检测部602是板状的半导体芯片,所以若作用有过大的弯曲应力则有可能变形而导致折损。
另外,如图15(C)所示,因弯曲应力的作用,粘接剂531剥落而使流量检测部602的端部602b从板532浮起,流量检测部602与板532之间形成间隙,则在该间隙因传递模制而流入高压的树脂,由此有可能在流量检测部602作用过大的弯曲应力而导致变形、折损。
对此,本实施例中,如图14(A)、(B)所示,在抵接部711之外,在模具703设置抵接部712并使之抵接于流量检测部602。抵接部712抵接于设定于流量检测部602的表面且从热传递面437离开的位置的按压面602a。按压面602a设定于作为从流量检测部602的热传递面437离开最远的端边的短边部602b与热传递面437之间的位置,本实施例中,设定于短边部602b的附近位置。
因此,在将模具703按压于流量检测部602的情况下,能够使抵接部711和712双方抵接在流量检测部602的表面并在多点按压流量检测部602,能够对流量检测部602整体施加均等的负载。因此,即使超出流量检测部602等的层叠尺寸公差范围且超出弹性模705的按压力的吸收界限的情况下,也不会在流量检测部602作用有过大的弯曲应力。因此,能够在树脂模制工序中防止因模具而对流量检测部602施加不均等的负载,能够防止在流量检测部602作用有过大的弯曲应力而在流量检测部602产生变形、折损。而且,在使模具703的抵接部711和712的双方抵接并按压的状态下进行树脂模制,所以能够防止粘接剂531剥落而使流量检测部602的短边部602b从板532浮起,能够防止在其间填充模制树脂而在流量检测部602作用有过大的弯曲应力而在流量检测部602产生变形、折损。
在电路封装件400的表面,如图10(B)所示,在露出至副通道内的前端部分形成有因抵接部712而造成的按压痕迹439,按压面602a露出。在按压面602a能够例如如图12所示地设置用于检查流量检测部602的动作的检查端子621。因此,在对电路封装件400进行模制成形后,或者,在对外壳302进行模制成形后,能够从检查端子621对流量检测部602的动作进行检查。
在上述的实施例中,虽然对在模具703设置两个抵接部711、712来按压流量检测部602的情况进行了说明,但也可以再设置有多个抵接部。另外,也可以将遍及热传递面437与按压面602a之间抵接的单一的抵接部设置于模具703来按压流量检测部602,在这种情况下,成为热传递面437与按压面602a连接的形状。在将遍及热传递面437与按压面602a之间地抵接的单一的抵接部设置于模具703的情况下,模具的尺寸精度变高,能够防止经过弹性模705而施加于流量检测部(半导体芯片)602的负载变得不平衡。另外,经过弹性模705而施加有模具负载的区域贴成为大范围,因此能够定性地减少弯曲应力的产生风险。
图16是对其它的实施例进行说明的剖视图,相当于图10的C-C线剖视图。
本实施例中,在因按压痕迹439而露出的按压面602a形成有湿度检测部。即,作为半导体芯片的流量检测部602还具有湿度检测部。按压面602a利用湿度检测部的半导体隔膜而形成。半导体隔膜能够通过在流量检测部602的背面成形空隙675而得到。对上述空隙进行密封后因温度变化而产生上述空隙内的压力的变化,使得半导体隔膜变形,测量精度降低。因此,本实施例中,将与半导体隔膜背面的空隙连通的开口438设置在电路封装件400的表面,将连接半导体隔膜背面的空隙和开口438的连通道设置在电路封装件400内部。
图17是对其它的实施例进行说明的剖视图,对应于图10的C-C线剖视图。
本实施例中,流量检测部602和处理部604构成在一个半导体芯片605内。即,半导体芯片605具有流量检测部602和处理部604。
在设置于其表面的热传递面437和设定于半导体芯片605的表面且从热传递面437离开的位置的按压面602a上,以模具703进行按压的状态,树脂模制半导体芯片605。由此,在电路封装件400的表面400a,在露出至电路室内的部分,形成有因抵接部712而造成的按压痕迹439,按压面602a露出。
根据本实施例,在由模具703按压流量检测部602的情况下,能够按压设置于半导体芯片605的表面的热传递面437和设定于半导体芯片605的表面且从热传递面437离开的位置的按压面602a的双方,从而能够对半导体芯片605整体施加均等的负载。尤其是,本实施例中,在按压面602a与热传递面437之间设置有处理部604,并相互离开距离,所以在仅按压热传递面437的情况下,短边部602b容易浮起,但通过由热传递面437与按压面602a的双方按压,能够有效地防止短边部602b的浮起。
因此,即使在超出流量检测部602等的层叠尺寸公差范围且超出弹性模705的按压力的吸收界限的情况下,也不会在流量检测部602作用有过大的弯曲应力。因此,在树脂模制工序中防止因模具703而对半导体芯片605施加不均等的负载,从而能够防止过大的弯曲应力作用而产生半导体芯片605的变形、折损。而且,在由模具703按压的状态下进行树脂模制,所以能够防止粘接剂531剥落而使作为从半导体芯片605的热传递面437离开最远的端边的短边部605b从板532浮起,并能够防止在其间充填有模制树脂而在半导体芯片605作用有过大的弯曲应力而产生变形、折损。
图18表示通过第一树脂模制工序将包含金属制的导线的框架由热硬化性树脂模制并由热硬化性树脂覆盖的状态。通过该模制成形,在电路封装件400的表面成形有测量用流道面430,热传递面露出部436设置于测量用流道面430。相当于热传递面露出部436的隔膜672的背面的空隙674成为与开口438相连接的结构。在突出部424的前端部设置有用于测量被测量气体30的温度的温度检测部452,并在内部内置有温度检测元件518。在突出部424的内部,为了抑制热传递,而将用于引出温度检测元件518的电信号的导线分断,配置热阻较大的连接线546。由此,抑制向温度检测部452的来自突出部424的根部的热传递,从而抑制热带来的影响。
而且,在突出部424的根部制作倾斜部594、倾斜部596。第一树脂模制工序中的树脂的流动变得顺利,并且在装配于车并进行动作的状态下,通过倾斜部594、倾斜部596,由温度检测部452测量的被测量气体30从突出部424向其根部的方向顺利地流动,突出部424的根部被冷却,具有能够降低热对温度检测部452的影响的效果。在该图18所示的状态之后,导线514按照每个端子而切断,成为连接端子412、端子414。
在第一树脂模制工序中,需要防止树脂向热传递面露出部436、开口438的流入。因此,在第一树脂模制工序中,在热传递面露出部436、开口438的位置放置阻止树脂流入的例如比隔膜672大的嵌入块,并在其背面对压,从两面夹入。在图10(C)中,在与图19的热传递面露出部436、开口438或者图10(B)的热传递面露出部436、开口438对应的背面400b上残留有按压痕迹442、按压痕迹441。
图18中从架512切断的导线的切截面因从树脂面露出,所以存在从导线的切截面水分等在使用中侵入内部的隐患。从耐久性提高的角度、可靠性提高的角度出发,重要的是不产生这种情况。例如倾斜部594、倾斜部596的导线切断部在第二树脂模制工序中被树脂覆盖,导线的切截面被上述树脂覆盖。由此来防止导线的切截面的腐蚀、水从切断部的侵入。导线的切截面与传递温度检测部452的电信号的重要的导线部分接近。因此期望将切截面在第二树脂模制工序中覆盖。
6.热式流量计300的生产工序
6.1电路封装件400的生产工序
图19以及图20表示热式流量计300的生产工序,图19表示电路封装件400的生产工序,图20表示热式流量计的生产工序。图19中,步骤1表示生产金属制的框架的工序。该框架例如通过冲压加工而制作。
步骤2为,在步骤1所制作的框架上,首先装载板532,进而在板532上装载流量检测部602、处理部604,再装载温度检测元件518、片状电容等电路配件。另外在步骤2中,在电路配件间、电路配件与导线间,进行导线彼此的电气配线。在该步骤2中,将导线544与导线548间由用于使热阻增大的连接线546连接。在步骤2中,电路配件装载于框架,进一步制作完成电连接的电路。
接下来在步骤3中,通过第一树脂模制工序,由热硬化性树脂进行模制。该状态由图18所示。另外,在步骤3中,将连接的导线分别从框架切断,进而导线间也切断,完成图10所示的电路封装件400。在该电路封装件400,如图10所示地,成形有测量用流道面430、热传递面露出部436。
在步骤4中,进行完成的电路封装件400的外观检查、动作的检查。在步骤3的第一树脂模制工序中,将由步骤2制作的电路固定在模具内,并向模具以较高的压力注入高温的树脂,所以期望检查是否产生了电气配件、电气配线的异常。为了该检查,除了使用图10所示的连接端子412之外,还使用端子414。此外,端子414在之后不使用,所以也可以在该检查后从根部切断。
6.2热式流量计300的生产工序和特性的修正
在图20所示的工序中,使用由图19生产的电路封装件400和外部端子306,在步骤5中通过第二树脂模制工序制作外壳302。该外壳302制作有树脂制的副通道槽、凸缘312、外部连接部305,并且图10所示的电路封装件400的斜线部分被第二树脂模制工序的树脂覆盖,电路封装件400固定于外壳302。通过利用上述第一树脂模制工序进行的电路封装件400的生产(步骤3)和利用第二树脂模制工序进行热式流量计300的外壳302的成形的组合,流量检测精度大幅地改善。步骤6中进行各外部端子内端的切断,连接端子与外部端子内端的连接在步骤7中进行。
通过步骤7完成外壳302后,接下来在步骤8中将表罩303和背罩304安装于外壳302,外壳302的内部由表罩303和背罩304密封,并且完成用于供被测量气体30流动的副通道。再有,图7中说明的收缩构造由设置于表罩303或背罩304的突起部356制作。此外,该表罩303在步骤10中通过模制成形来制作,背罩304在步骤11中通过模制成形来制作。另外,这些表罩303和背罩304分别由单独工序制作,分别利用不同的模具来成形制作。
步骤9中,实际地向副通道引导气体,进行特性的试验。如上所述地以较高精度来维持副通道与流量检测部的关系,所以通过进行特性的试验的特性修正,可以得到非常高的测量精度。另外在第一树脂模制工序和第二树脂模制工序中进行左右副通道与流量检测部的关系的定位、形状关系的成形,所以即使长期使用特性的变化也较少,在高精度之外确保高可靠性。
7.热式流量计300的电路结构
7.1热式流量计300的电路结构的整体
图21是表示热式流量计300的流量检测电路601的电路图。此外,热式流量计300中也设置有与之前在实施例中说明了的温度检测部452相关的测量电路,但在图21中省略。热式流量计300的流量检测电路601具备具有发热体608的流量检测部602和处理部604。处理部604控制流量检测部602的发热体608的发热量,并且将基于流量检测部602的输出而表示流量的信号经过端子662输出。为了进行上述处理,处理部604具备中央处理器(以下称为CPU)612和输入电路614、输出电路616、保持表示修正值或测量值与流量的关系的数据的存储器618以及将固定电压分别供给至必要的电路的电源电路622。向电源电路622从车载电池等外部电源经过端子664和未图示的接地端子供给直流电。
在流量检测部602设置有用于对被测量气体30加热的发热体608。从电源电路622向构成发热体608的电流供给电路的二极管606的集电极供给电压V1,从CPU612经过输出电路616向上述二极管606的基极施加控制信号,基于该控制信号从上述二极管606经过端子624向发热体608供给电流。供给至发热体608的电流量被从上述CPU612经过输出电路616施加于构成发热体608的电流供给电路的二极管606的控制信号而控制。处理部604以通过由发热体608加热而使被测量气体30的温度从初始温度升高固定温度例如100℃的方式控制发热体608的发热量。
流量检测部602具有用于控制发热体608的发热量的发热控制桥接器640和用于测量流量的流量探测桥接器650。在发热控制桥接器640的一端经过端子626从电源电路622供给固定电压V3,发热控制桥接器640的另一端连接于接地端子630。另外在流量探测桥接器650的一端从电源电路622经过端子625供给固定电压V2,流量探测桥接器650的另一端连接于接地端子630。
发热控制桥接器640具有基于被加热的被测量气体30的温度而电阻值变化的作为测温电阻体的电阻642,电阻642、电阻644、电阻646、电阻648构成桥接器电路。电阻642与电阻646的交点A以及电阻644与电阻648的交点B的电位差经过端子627以及端子628输入至输入电路614,CPU612以交点A与交点B间的电位差为规定值本实施例中为零伏的方式控制从二极管606供给的电流并控制发热体608的发热量。图21所记载的流量检测电路601以相对于被测量气体30的原本的温度升高一定温度例如始终为100℃的方式由发热体608对被测量气体30加热。为了高精度地进行该加热控制,以由发热体608加热的被测量气体30的温度相对于最开始的温度升高一定温度例如始终为100℃时上述交点A与交点B间的电位差成为零伏的方式设定构成发热控制桥接器640的各电阻的电阻值。因此图21所记载的流量检测电路601中,CPU612以交点A与交点B间的电位差成为零伏的方式控制向发热体608的供给电流。
流量探测桥接器650由电阻652、电阻654、电阻656、电阻658四个测温电阻体构成。这四个测温电阻体沿被测量气体30的流动配置,电阻652和电阻654相对于发热体608配置于被测量气体30的流道中的上游侧,电阻656和电阻658相对于发热体608配置于被测量气体30的流道中的下游侧。另外为了提高测量精度,电阻652和电阻654以到发热体608位置的距离相互大致相同的方式配置,电阻656和电阻658以到发热体608位置的距离相互大致相同的方式配置。
电阻652与电阻656的交点C和电阻654与电阻658的交点D之间的电位差经过端子631和端子632而输入至输入电路614。为了提高测量精度,例如在被测量气体30的流动为零的状态下,以上述交点C与交点D之间的电位差为零的方式设定流量探测桥接器650的各电阻。因此上述交点C与交点D之间的电位差在例如为零伏的状态下,CPU612基于被测量气体30的流量为零的测量结果,将意味着主通道124的流量为零的电信号从端子662输出。
被测量气体30朝图21的箭头方向流动的情况下,配置于上游侧的电阻652、电阻654被被测量气体30冷却,配置于被测量气体30的下游侧的电阻656和电阻658被由发热体608加热的被测量气体30加热,这些电阻656和电阻658的温度上升。因此,流量探测桥接器650的交点C与交点D之间产生电位差,该电位差经过端子631和端子632,输入值输入电路614。CPU612基于流量探测桥接器650的交点C与交点D之间的电位差,检索存储于存储器618的表示上述电位差和主通道124的流量的关系的数据,并求得主通道124的流量。这样表示求得的主通道124的流量的电信号经过端子662而输出。此外,图21所示的端子664以及端子662以新的参照符号记载,但包含于之前说明的图5、图6所示的连接端子412。
上述存储器618中,存储有表示上述交点C与交点D的电位差和主通道124的流量的关系的数据,还存储有在电路封装件400生产后基于气体的实测值求得的、用于降低波动等测定误差的修正数据。此外,电路封装件400的生产后的气体的实测以及基于其的修正值向存储器618的写入,使用图4所示的外部端子306、修正用端子307来进行。本实施例中,在流动有被测量气体30的副通道和测量用流道面430的配置关系,或流通有被测量气体30的副通道和热传递面露出部436的配置关系高精度地波动非常小的状态下,由于生产电路封装件400,所以由利用上述修正值进行的修正可以得到极高精度的测量结果。
7.2流量检测电路601的结构
图22是表示上述的图21的流量检测电路601的电路配置的电路结构图。流量检测电路601作为矩形形状的半导体芯片而制作,从图22所示的流量检测电路601的左侧朝向右侧,沿箭头的方向,被测量气体30流动。
在由半导体芯片构成的流量检测部(流量检测元件)602成形有使半导体芯片的厚度较薄的矩形形状的隔膜672,在该隔膜672设置有虚线所示的薄厚区域(即上述的热传递面)603。在该薄厚区域603的背面侧成形有上述的空隙,上述空隙与图10、图5所示的开口438连通,上述空隙内的气压依赖于从开口438被引导的气压。
通过使隔膜672的厚度较薄,热传导率变低,抑制向设置于隔膜672的薄厚区域(热传递面)603的电阻652、电阻654、电阻658、电阻656的经过隔膜672的热传递,通过与被测量气体30的热传递,几乎可以确定这些电阻的温度。
在隔膜672的薄厚区域603的中央部设置有发热体608,该发热体608的周围设置有构成发热控制桥接器640的电阻642。而且,在薄厚区域603的外侧设置有构成发热控制桥接器640的电阻644、646、648。利用这样地成形的电阻642、644、646、648来构成发热控制桥接器640。
另外,以隔着发热体608的方式,配置有作为上游测温电阻体的电阻652、电阻654和作为下游测温电阻体的电阻656、电阻658,相对于发热体608在被测量气体30流动的箭头方向的上游侧,配置有作为上游测温电阻体的电阻652、电阻654,相对于发热体608在被测量气体30流动的箭头方向的下游侧配置有作为下游测温电阻体的电阻656、电阻658。这样,利用配置于薄厚区域603的电阻652、电阻654和电阻656、电阻658而成形流量探测桥接器650。
另外,上述发热体608的双方的端部分别连接在记载于图22的下侧的端子624以及629。在此,如图21所示,在端子624施加从二极管606供给至发热体608的电流,端子629作为接地端接地。
构成发热控制桥接器640的电阻642、电阻644、电阻646、电阻648分别连接,并与端子626和630连接。如图21所示,向端子626从电源电路622供给固定电压V3,端子630作为接地端接地。另外,上述电阻642与电阻646之间或电阻646与电阻648之间的连接点与端子627和端子628连接。如图22所记载,端子627输出电阻642与电阻646的交点A的电位,端子627输出电阻644与电阻648的交点B的电位。如图21所示,向端子625从电源电路622供给固定电压V2,端子630作为接地端子接地。另外,上述电阻654与电阻658的连接点连接于端子631,端子631输出图21的点B的电位。电阻652与电阻656的连接点连接于端子632,端子632输出图21所示的交点C的电位。
如图22所示,构成发热控制桥接器640的电阻642成形于发热体608的附近,所以能够高精度地测量由来自发热体608的发热加热的气体的温度。另一方面,构成发热控制桥接器640的电阻644、646、648从发热体608离开地配置,所以成为难以受到来自发热体608的发热的影响的结构。电阻642构成为对由发热体608加热的气体的温度敏感地反应,电阻644、电阻646、电阻648成为难以受到发热体608的影响的结构。因此,利用发热控制桥接器640进行的被测量气体30的检测精度较高,能够高精度地进行将被测量气体30相对于其初始温度提高固定温度。
本实施例中,在隔膜672的背面侧形成有空隙,该空隙与图10、图5所记载的开口438连通,隔膜672的背面侧空隙的压力与隔膜672的表侧的压力之差不会变大。能够抑制因该压力差而产生的隔膜672的变形。这种情况关系到流量测量精度的提高。
如上所述地隔膜672成形薄厚区域603,包含薄厚区域603的部分的厚度非常薄,极大抑制经过隔膜672的热传导。因此流量探测桥接器650、发热控制桥接器640因经过隔膜672的热传导的影响被抑制,而使依赖于被测量气体30的温度而动作的趋势更强,测量动作被改善。因此可以得到较高的测量精度。
工业上的可用性
本发明能够应用于用于测量上述的气体的流量的测量装置。
符号的说明
30—被测量气体,124—主通道,300—热式流量计,302—外壳,303—表罩,304—背罩,305—外部连接部,306—外部端子,307—修正用端子,310—测量部,320—端子连接部,332—表侧副通道槽,334—背侧副通道槽,356—突起部,359—树脂部,361—外部端子内端,372—固定部,400—电路封装件,402—表侧露出面(露出面),412—连接端子,414—端子,424—突出部,430—测量用流道面,432—固定面,434—固定面,436—热传递面露出部,437—热传递面,438—开口,452—温度检测部,461—引导部,461A—上游引导部,461B—下游引导部,462、463—凹槽部,464、465—凸条部,466—凹部,467—凸条部,531—粘接剂,532—第一板(基板),536—第二板,542—金属线,590—压入孔,594—倾斜部,596—倾斜部,601—流量检测电路,602—流量检测部(半导体芯片),602a—按压面,604—处理部,608—发热体,623—端子,640—发热控制桥接器,650—流量探测桥接器,672—隔膜,701、702、703、704—模具。

Claims (9)

1.一种热式流量计的制造方法,该热式流量计具有对半导体芯片进行树脂模制的电路封装件,
上述热式流量计的制造方法的特征在于,
包含有如下的工序:在设置于上述半导体芯片的表面的热传递面和设定于上述半导体芯片的表面且从上述热传递面离开的位置的按压面上,在对模具进行按压的状态下,对上述半导体芯片进行树脂模制,
上述按压面设定在从上述半导体芯片的上述热传递面离开最远的端边与上述热传递面之间的位置。
2.根据权利要求1所述的热式流量计的制造方法,其特征在于,
上述热传递面与上述按压面相连接。
3.根据权利要求1所述的热式流量计的制造方法,其特征在于,
具有装载上述半导体芯片的基板,
上述半导体芯片利用被夹在与上述基板之间的粘接剂来将上述半导体芯片的背面固定于上述基板。
4.根据权利要求2所述的热式流量计的制造方法,其特征在于,
具有装载上述半导体芯片的基板,
上述半导体芯片利用被夹在与上述基板之间的粘接剂来将上述半导体芯片的背面固定于上述基板。
5.根据权利要求1至权利要求4中任一项所述的热式流量计的制造方法,其特征在于,
具有与上述半导体芯片一同装载于基板的处理部,
上述半导体芯片分成两组地设置有经过金属线而电连接于上述处理部的多个端子,并在该两组端子组之间的位置设定上述按压面。
6.根据权利要求5所述的热式流量计的制造方法,其特征在于,
在上述按压面设置有上述半导体芯片的检查端子。
7.根据权利要求1所述的热式流量计的制造方法,其特征在于,
上述半导体芯片具有流量检测部,
上述热传递面利用上述流量检测部的隔膜而形成。
8.根据权利要求1所述的热式流量计的制造方法,其特征在于,上述半导体芯片具有湿度检测部,
上述按压面利用上述湿度检测部的隔膜而形成。
9.根据权利要求1所述的热式流量计的制造方法,其特征在于,上述半导体芯片具有流量检测部和处理部。
CN201480016738.5A 2013-03-21 2014-01-20 热式流量计 Expired - Fee Related CN105143836B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013059187A JP5973371B2 (ja) 2013-03-21 2013-03-21 熱式流量計
JP2013-059187 2013-03-21
PCT/JP2014/050881 WO2014148080A1 (ja) 2013-03-21 2014-01-20 熱式流量計

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105143836A CN105143836A (zh) 2015-12-09
CN105143836B true CN105143836B (zh) 2018-06-01

Family

ID=51579777

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201480016738.5A Expired - Fee Related CN105143836B (zh) 2013-03-21 2014-01-20 热式流量计

Country Status (5)

Country Link
US (1) US9791306B2 (zh)
EP (1) EP2977728B1 (zh)
JP (1) JP5973371B2 (zh)
CN (1) CN105143836B (zh)
WO (1) WO2014148080A1 (zh)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5884769B2 (ja) 2013-05-09 2016-03-15 株式会社デンソー 空気流量計測装置
JP2017015420A (ja) * 2015-06-29 2017-01-19 日立オートモティブシステムズ株式会社 物理量検出装置
EP3358316B1 (en) * 2015-09-30 2023-05-10 Hitachi Astemo, Ltd. Physical quantity detection device
JP6520636B2 (ja) * 2015-10-16 2019-05-29 株式会社デンソー 物理量センササブアセンブリおよび物理量測定装置
JP6387953B2 (ja) * 2015-12-22 2018-09-12 株式会社デンソー 空気流量測定装置
DE102017206226A1 (de) * 2017-04-11 2018-10-11 Robert Bosch Gmbh Sensor zur Erfassung mindestens einer Eigenschaft eines fluiden Mediums
DE102017218893A1 (de) * 2017-10-23 2019-04-25 Robert Bosch Gmbh Sensoranordnung zur Bestimmung wenigstens eines Parameters eines durch einen Messkanal strömenden fluiden Mediums
US11965760B2 (en) * 2018-05-22 2024-04-23 Hitachi Astemo, Ltd. Flow rate detecting device of intake air in an internal combustion engine
JP6950653B2 (ja) 2018-09-06 2021-10-13 株式会社デンソー 物理量計測装置及び物理量計測装置の製造方法
JP7095507B2 (ja) * 2018-09-06 2022-07-05 株式会社デンソー 物理量計測装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2784286B2 (ja) * 1991-12-09 1998-08-06 三菱電機株式会社 半導体センサー装置の製造方法
CN1529807A (zh) * 2001-07-18 2004-09-15 ������������ʽ���� 气体流量测定装置
CN101852631A (zh) * 2009-03-31 2010-10-06 日立汽车系统株式会社 热式流量测量装置
JP2011119500A (ja) * 2009-12-04 2011-06-16 Denso Corp センサ装置およびその製造方法
CN102575955A (zh) * 2010-10-13 2012-07-11 日立汽车系统株式会社 流量传感器及其制造方法和流量传感器模块及其制造方法

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4677850A (en) * 1983-02-11 1987-07-07 Nippon Soken, Inc. Semiconductor-type flow rate detecting apparatus
DE3604202C2 (de) * 1985-02-14 1997-01-09 Nippon Denso Co Direkt beheizte Strömungsmeßvorrichtung
JP3328547B2 (ja) * 1997-06-16 2002-09-24 株式会社日立製作所 熱式空気流量センサ
CN1657881A (zh) * 1997-11-21 2005-08-24 三井金属矿业株式会社 流量传感器
CN1272606C (zh) * 2000-07-27 2006-08-30 株式会社日立制作所 热式空气流量计
JP2003139593A (ja) * 2001-11-07 2003-05-14 Hitachi Ltd 車載電子機器および熱式流量計
JP2005123542A (ja) * 2003-10-20 2005-05-12 Genusion:Kk 半導体装置のパッケージ構造およびパッケージ化方法
JP4882732B2 (ja) * 2006-12-22 2012-02-22 株式会社デンソー 半導体装置
JP4894669B2 (ja) * 2007-08-01 2012-03-14 株式会社デンソー センサ装置及びその製造方法
JP4577370B2 (ja) * 2008-02-12 2010-11-10 株式会社デンソー センサ装置およびその製造方法
DE102008011943B4 (de) * 2008-02-29 2012-04-26 Robert Bosch Gmbh Sensoranordnung zur Differenzdruckmessung
EP2107347B1 (en) * 2008-04-04 2016-08-31 Sensirion AG Flow detector with a housing
JP5208099B2 (ja) * 2009-12-11 2013-06-12 日立オートモティブシステムズ株式会社 流量センサとその製造方法、及び流量センサモジュール
JP5195819B2 (ja) * 2010-06-02 2013-05-15 株式会社デンソー 空気流量測定装置
JP5220955B2 (ja) * 2010-10-13 2013-06-26 日立オートモティブシステムズ株式会社 流量センサ
JP5456815B2 (ja) * 2010-10-13 2014-04-02 日立オートモティブシステムズ株式会社 流量センサおよびその製造方法
JP5965706B2 (ja) * 2012-04-12 2016-08-10 日立オートモティブシステムズ株式会社 流量センサの製造方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2784286B2 (ja) * 1991-12-09 1998-08-06 三菱電機株式会社 半導体センサー装置の製造方法
CN1529807A (zh) * 2001-07-18 2004-09-15 ������������ʽ���� 气体流量测定装置
CN101852631A (zh) * 2009-03-31 2010-10-06 日立汽车系统株式会社 热式流量测量装置
JP2011119500A (ja) * 2009-12-04 2011-06-16 Denso Corp センサ装置およびその製造方法
CN102575955A (zh) * 2010-10-13 2012-07-11 日立汽车系统株式会社 流量传感器及其制造方法和流量传感器模块及其制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2014185865A (ja) 2014-10-02
EP2977728A4 (en) 2016-12-21
JP5973371B2 (ja) 2016-08-23
CN105143836A (zh) 2015-12-09
WO2014148080A1 (ja) 2014-09-25
US20160282163A1 (en) 2016-09-29
US9791306B2 (en) 2017-10-17
EP2977728B1 (en) 2019-03-13
EP2977728A1 (en) 2016-01-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105143836B (zh) 热式流量计
JP6154966B2 (ja) 物理量検出装置
CN106662476B (zh) 物理量检测装置
CN107063368B (zh) 热式流量计
JP5758850B2 (ja) 熱式流量計
CN107817029B (zh) 热式流量计
CN107255494B (zh) 热式流量计
CN104380053B (zh) 热式流量计
CN104364616B (zh) 热式流量计
CN107607164A (zh) 热式流量计
CN104412074B (zh) 热式流量计
CN104364619B (zh) 热式流量计
JP2014071032A (ja) 熱式流量計
CN108027266A (zh) 物理量检测装置
CN104412072B (zh) 热式流量计
JP2018204993A (ja) 物理量測定装置
JP6272399B2 (ja) 熱式流量計
CN108027265A (zh) 物理量检测装置
CN104380054B (zh) 热式流量计
JP5961731B2 (ja) 熱式流量計
CN105190255B (zh) 热式流量计
CN108027334A (zh) 物理量检测装置
JP6670818B2 (ja) 熱式流量計
JP6775650B2 (ja) 熱式流量計
JP7356957B2 (ja) 物理量検出装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CP01 Change in the name or title of a patent holder

Address after: Ibaraki

Patentee after: Hitachi astemo Co.,Ltd.

Address before: Ibaraki

Patentee before: HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS, Ltd.

CP01 Change in the name or title of a patent holder
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20180601

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee