CN105130420A - 一种Ca-Nd-Ti体系中温共烧陶瓷及其制备方法 - Google Patents
一种Ca-Nd-Ti体系中温共烧陶瓷及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN105130420A CN105130420A CN201510533071.2A CN201510533071A CN105130420A CN 105130420 A CN105130420 A CN 105130420A CN 201510533071 A CN201510533071 A CN 201510533071A CN 105130420 A CN105130420 A CN 105130420A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- burning
- cnt
- hours
- preparation
- agent
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
本发明属于电子陶瓷及其制造领域,涉及电子材料技术,尤其涉及一种中温烧结CNT体系微波介质陶瓷及其制备方法。该陶瓷的原料成分为质量百分比39.96%~71.11%的Ca-Nd-Ti(CNT)、质量百分比20.24%~57.66%的Li-Nd-Ti(LNT)和质量百分比2.38%~8.65%的降烧剂。本发明制备的微波介质陶瓷,其烧结温度≤1000℃,介电常数(60~100),Qxf(GHz):1500~2500和接近于零的τf(3~15)。可用于中温共烧陶瓷系统、多层介质谐振器、微波天线、滤波器等微波器件的制造。
Description
技术领域
本发明属于电子陶瓷及其制造领域,涉及一种中温烧结Ca-Nd-Ti体系微波介质陶瓷材料及其制备方法。
背景技术
微波介质陶瓷是指应用于微波(300MHz到30GHz)频段电路中作为介质材料并完成一种或多种功能的陶瓷,是现代通信技术中的关键基础材料,被广泛应用于介质谐振器、滤波器、介质基片、介质波导回路、微波电容、双工器、天线等微波元器件。
应用于微波频段的介质陶瓷,应满足如下要求:(1)适宜的介电常数以利于器件的小型化(介质元器件的尺寸与介电常数εr的平方根成反比);(2)高的品质因数Q以降低损耗,一般要求Q×f≥3000GHz(其中f为谐振频率)。;(3)稳定的接近零的频率温度系数,以保证器件的温度稳定性;(4)与银或铜有良好的共烧性。近年来随着电子信息技术不断向高频化和数字化方向发展,对元器件的小型化,集成化以至模块化的要求也越来越迫切。中温共烧陶瓷以其优异的电学、机械、热学及工艺特性,已经成为电子器件模块化的主要技术之一。近年来国内外的研究人员对一些中温烧结体系材料进行了广泛的探索和研究。在微波介质陶瓷中Ca-Nd-Ti体系具有良好的微波介电性能,和可调的频率温度系数,但通常都具有高的烧结温度(>1300℃),不能直接与Cu等低熔点金属共烧,这在很大程度上限制了其在各个领域的应用。因此如何降低微波介质材料的烧结温度成了研究重点,目前通常采用的降低微波介质材料的烧结温度的方法有:(1)改进制备工艺如采用化学合成方法制备,降低烧结温度,但该方法工艺复杂,制作周期增加;(2)使用超细粉体作原料,提高粉体活性,降低陶瓷烧结温度,但该方法成本高;(3)添加低熔点氧化物或低熔点玻璃烧结助剂,在烧结过程中,低熔点氧化物或玻璃烧结助剂形成液相,降温效果明显,且工艺简单,易于批量生产。因此为降低制作成本,大多采用第三种方法降低微波介质材料的烧结温度。
近年来,越来越多的陶瓷材料研究大多数都朝着高介电、低损耗和高品质因数等方向发展。众所周知,应用在微波材料方面的Ca-Nd-Ti(CNT)体系陶瓷也不例外。CNT材料具有良好的微波介电性能,较高的介电常数(120~140)和品质因数(5000~10000GHz)以及可调的谐振频率温度系数。然而,未掺杂的CNT陶瓷材料烧结温度却高达1350℃,无法与铜共烧。为了降低烧结温度,传统的方法一种为掺入低熔点氧化物,如B2O3及V2O5,然而游离的B2O3及V2O5在后期流延过程中易导致浆料粘度过大而不稳定,限制了其实际应用;另一种方法是掺入低熔点玻璃,但玻璃相的存在大大提高了材料的介质损耗,且玻璃在熔炼过程中性能不稳定,成本较高。虽然已有研究关注无玻璃相的中温高介电陶瓷,但实际生产中能应用的体系并不多。此外未掺杂的CNT陶瓷材料具有较高的谐振频率温度系数(τf>200),极大限制了中温共烧技术及微波多层器件的发展。鉴于以上叙述,如何制备一种稳定的、可中温烧结的、高性能的高介电常数微波介质陶瓷材料是工业应用的迫切需求。
发明内容
针对上述存在的问题或不足,本发明提供了一种Ca-Nd-Ti(CNT)体系中温共烧陶瓷及其制备方法。其烧结温度≤1000℃,介电常数(60~100),品质因数Q×f值(1500~2500)GHz,接近于0的τf(3~15)ppm/℃。
该Ca-Nd-Ti体系中温共烧陶瓷,其原料组成为质量百分比39.96%~71.11%的Ca-Nd-Ti(CNT)、质量百分比20.24%~57.66%的Li-Nd-Ti(LNT)和质量百分比2.38%~8.65%的降烧剂。
所述降烧剂组成的质量百分比为:44.05%≤La2O3≤47.47%、1.65%≤ZnO≤5.69%、49.57%≤H3BO3≤50.56%和0.29%≤CaCO3≤0.69%。
该Ca-Nd-Ti体系中温共烧陶瓷的制备方法,包括下列步骤:
步骤1:将原材料CaCO3、Nd2O3和TiO2粉体按摩尔比CaCO3:Nd2O3:TiO2=6:1.33:10配料,以去离子水为介质行星球磨3~7小时,取出后在100℃下烘干,以60目筛网过筛,然后在800℃~1200℃大气气氛中预烧5~8小时合成主要晶相为具有钙钛矿结构的固溶体Ca0.6Nd0.26TiO3即CNT基料;
步骤2:将原材料Li2CO3、Nd2O3、TiO2粉体按摩尔比Li2CO3:Nd2O3:TiO2=0.25:0.25:1进行配料,以酒精为介质行星球磨3~7小时,烘干后以60目筛网过筛,于800℃~1200℃预烧2~5小时,制得即LNT基料;
步骤3:降烧剂的制备,将原材料La2O3、ZnO、H3BO3、CaCO3按质量百分比44.05%≤La2O3≤47.47%、1.65%≤ZnO≤5.69%和49.57%≤H3BO3≤50.56%、0.29%≤CaCO3≤0.69%配料,使用去离子水为球磨介质,行星球磨3~12小时,烘干过筛,在500℃~800℃下保温2~8小时预烧,然后在1100℃~1500℃保温1~5小时熔融,再淬火形成玻璃渣,将制备的玻璃渣再破碎球磨成降烧剂备用;
步骤4:将步骤1-3制备的CNT基料、LNT基料和降烧剂按照质量百分比39.96%≤CNT≤71.11%、20.24%≤LNT≤57.66%、2.38%≤降烧剂≤8.65%进行混合,以酒精为介质行星球磨15-30min,取出后在100℃下烘干,添加剂量占原料总质量2~5%的丙烯酸溶液作为粘结剂造粒,压制成型,最后在950℃~1025℃大气气氛中烧结1~4小时,制成Ca-Nd-Ti体系中温共烧陶瓷材料。
综上所述本发明具有以下优点:Ca-Nd-Ti体系陶瓷烧结温度≤1000℃,高等介电常数(60~100)以利于器件的小型化,较好的品质因数Q×f值(1500~2500)GHz和接近于0的τf(3~15)ppm/℃。
具体实施方式
本发明材料原料组成为:质量百分比39.96%~71.11%的Ca-Nd-Ti(CNT)、质量百分比20.24%~57.66%的Li-Nd-Ti(LNT)和质量百分比2.38%~8.65%的降烧剂。
所述降烧剂组成的质量百分比为:44.05%≤La2O3≤47.47%、1.65%≤ZnO≤5.69%和49.57%≤H3BO3≤50.56%、0.29%≤CaCO3≤0.69%。
实施例:
表1示出了构成本发明的各成分含量的几个具体实施例的数据,表2给出各实施例的微波介电性能。其制备方法如上所述,用圆柱介质谐振器法进行微波介电性能的评价。
表1:
表2
从上表可以看出,通过LNT和降烧剂的加入,使得体系能够在较低温度下烧结致密。实施例1、2、3、4为加入固定量的LNT和降烧剂在不同温度下烧结的的Ca-Nd-Ti陶瓷,实施例4、7、8、9掺入固定量的LNT和不同量降烧剂在1000℃下烧结的Ca-Nd-Ti陶瓷,实施例3、5、6为掺入固定量的降烧剂和不同量LNT和不同量的CNT在1000℃下烧结的Ca-Nd-Ti陶瓷。对比可见,适量LNT和降烧剂的加入,能进一步促进烧结,使烧结温度降至1000℃,并且能将τf降至5.06,极大的提高了CNT陶瓷的微波性能。
Claims (3)
1.一种Ca-Nd-Ti体系中温共烧陶瓷,其特征在于:
原料组成为质量百分比39.96%~71.11%的Ca-Nd-Ti即CNT、质量百分比20.24%~57.66%的Li-Nd-Ti即LNT和质量百分比2.38%~8.65%的降烧剂;
降烧剂组成的质量百分比为:44.05%≤La2O3≤47.47%、1.65%≤ZnO≤5.69%、49.57%≤H3BO3≤50.56%和0.29%≤CaCO3≤0.69%。
2.如权利要求1所述Ca-Nd-Ti体系中温共烧陶瓷,其特征在于:
烧结温度≤1000℃,介电常数为60~100,品质因数Q×f值1500~2500GHz,τf为3~15ppm/℃。
3.如权利要求1所述Ca-Nd-Ti体系中温共烧陶瓷的制备方法,包括下列步骤:
步骤1:将原材料CaCO3、Nd2O3和TiO2粉体按摩尔比CaCO3:Nd2O3:TiO2=6:1.33:10配料,以去离子水为介质行星球磨3~7小时,取出后在100℃下烘干,以60目筛网过筛,然后在800℃~1200℃大气气氛中预烧5~8小时合成主要晶相为具有钙钛矿结构的固溶体Ca0.6Nd0.26TiO3即CNT基料;
步骤2:将原材料Li2CO3、Nd2O3、TiO2粉体按摩尔比Li2CO3:Nd2O3:TiO2=0.25:0.25:1进行配料,以酒精为介质行星球磨3~7小时,烘干后以60目筛网过筛,于800℃~1200℃预烧2~5小时,制得即LNT基料;
步骤3:降烧剂的制备,将原材料La2O3、ZnO、H3BO3、CaCO3按质量百分比44.05%≤La2O3≤47.47%、1.65%≤ZnO≤5.69%和49.57%≤H3BO3≤50.56%、0.29%≤CaCO3≤0.69%配料,使用去离子水为球磨介质,行星球磨3~12小时,烘干过筛,在500℃~800℃下保温2~8小时预烧,然后在1100℃~1500℃保温1~5小时熔融,再淬火形成玻璃渣,将制备的玻璃渣再破碎球磨成降烧剂备用;
步骤4:将步骤1-3制备的CNT基料、LNT基料和降烧剂按照质量百分比39.96%≤CNT≤71.11%、20.24%≤LNT≤57.66%、2.38%≤降烧剂≤8.65%进行混合,以酒精为介质行星球磨15-30min,取出后在100℃下烘干,添加剂量占原料总质量2~5%的丙烯酸溶液作为粘结剂造粒,压制成型,最后在950℃~1025℃大气气氛中烧结1~4小时,制成Ca-Nd-Ti体系中温共烧陶瓷材料。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201510533071.2A CN105130420A (zh) | 2015-08-27 | 2015-08-27 | 一种Ca-Nd-Ti体系中温共烧陶瓷及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201510533071.2A CN105130420A (zh) | 2015-08-27 | 2015-08-27 | 一种Ca-Nd-Ti体系中温共烧陶瓷及其制备方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN105130420A true CN105130420A (zh) | 2015-12-09 |
Family
ID=54716068
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201510533071.2A Pending CN105130420A (zh) | 2015-08-27 | 2015-08-27 | 一种Ca-Nd-Ti体系中温共烧陶瓷及其制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN105130420A (zh) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1349952A (zh) * | 2000-10-24 | 2002-05-22 | 浙江大学 | 微波介质陶瓷 |
CN104230329A (zh) * | 2014-09-15 | 2014-12-24 | 电子科技大学 | 一种低温烧结微波陶瓷材料及其制备方法 |
CN104671775A (zh) * | 2015-01-26 | 2015-06-03 | 电子科技大学 | 一种Ba-Nd-Ti体系LTCC材料及制备方法 |
-
2015
- 2015-08-27 CN CN201510533071.2A patent/CN105130420A/zh active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN1349952A (zh) * | 2000-10-24 | 2002-05-22 | 浙江大学 | 微波介质陶瓷 |
CN104230329A (zh) * | 2014-09-15 | 2014-12-24 | 电子科技大学 | 一种低温烧结微波陶瓷材料及其制备方法 |
CN104671775A (zh) * | 2015-01-26 | 2015-06-03 | 电子科技大学 | 一种Ba-Nd-Ti体系LTCC材料及制备方法 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
HUI-LIANG CHEN.ETAL.: "Microwave Dielectric Properties and Microstructures of Ca1-xNd2x/3TiO3–Li1/2Nd1/2TiO3 Ceramics", 《JPN. J. APPL. PHYS.》 * |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN104108929B (zh) | 一种低温烧结复合微波介质陶瓷材料及其制备方法 | |
CN103232235B (zh) | 一种低温烧结复合微波介质陶瓷材料及其制备方法 | |
CN106007703B (zh) | 一种低温烧结复合微波介质陶瓷材料及其制备方法 | |
CN107986774B (zh) | 低温烧结高介电常数微波介质陶瓷材料及其制备方法 | |
CN103864414A (zh) | 一种低介电常数的微波介质陶瓷及其制备方法 | |
CN104211391A (zh) | 温度稳定型中介电常数微波介电陶瓷Bi3La5Ti7O26 | |
CN101913858B (zh) | Li2O-ZnO-TiO2微波介质陶瓷材料及其制备方法 | |
CN103408299B (zh) | 一种钛酸锌钡体系陶瓷低温烧结材料及制备方法 | |
CN104671775A (zh) | 一种Ba-Nd-Ti体系LTCC材料及制备方法 | |
CN103951425B (zh) | 一种温度稳定型白钨矿结构微波介质陶瓷及其制备方法 | |
CN101823879A (zh) | 一种白钨矿型钼基超低温烧结微波介质陶瓷材料及其制备方法 | |
CN110229004A (zh) | 一种低温烧结微波介质陶瓷材料及其制备方法 | |
CN104016670B (zh) | 一种低温烧结温度稳定型微波介质陶瓷材料及其制备方法 | |
CN103467084B (zh) | 一种高介电常数锂铌钛系低温烧结陶瓷及其制备方法 | |
CN103896577B (zh) | 一种钒基温度稳定型低温烧结ltcc微波介质陶瓷材料及其制备方法和应用 | |
CN102887708B (zh) | 可低温烧结的微波介电陶瓷NaCa2(Mg1-xZnx)2V3O12及制备方法 | |
CN104387057A (zh) | 一种温度稳定型钛基尖晶石微波介质陶瓷及其低温制备方法 | |
CN105130418A (zh) | 一种Li-Nb-Ti系微波介质陶瓷材料 | |
CN106587991B (zh) | 一种低温烧结复合微波介质陶瓷材料及其制备方法 | |
CN104961457B (zh) | 一种Ca‑Nd‑Ti体系中温共烧陶瓷及其制备方法 | |
CN104193326B (zh) | 一种ltcc材料及其制备方法 | |
CN104944937A (zh) | 一种ZnAl2O4/Li4Ti5O12微波介质陶瓷材料及其制备方法 | |
CN101265097B (zh) | 一种低温烧结的复合微波介质陶瓷及其制备方法 | |
CN109650886B (zh) | 一种Ba-Mg-Ta系LTCC材料及其制备方法 | |
CN104710175A (zh) | 一种低介电常数锆酸镁锂微波介质陶瓷材料及其制备方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20151209 |
|
RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |