CN105121516B - 用于制备氯代多硅烷的方法和装置 - Google Patents

用于制备氯代多硅烷的方法和装置 Download PDF

Info

Publication number
CN105121516B
CN105121516B CN201480023110.8A CN201480023110A CN105121516B CN 105121516 B CN105121516 B CN 105121516B CN 201480023110 A CN201480023110 A CN 201480023110A CN 105121516 B CN105121516 B CN 105121516B
Authority
CN
China
Prior art keywords
silane
tower
pure
ultra
chlorosilane
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CN201480023110.8A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105121516A (zh
Inventor
J.E.朗
H.劳莱德
E.米
I.穆萨莱姆
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Evonik Operations GmbH
Original Assignee
Evonik Degussa GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Evonik Degussa GmbH filed Critical Evonik Degussa GmbH
Publication of CN105121516A publication Critical patent/CN105121516A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105121516B publication Critical patent/CN105121516B/zh
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
    • C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
    • C01B33/08—Compounds containing halogen
    • C01B33/107—Halogenated silanes
    • C01B33/10773—Halogenated silanes obtained by disproportionation and molecular rearrangement of halogenated silanes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J19/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J19/08—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
    • B01J19/087—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electric or magnetic energy
    • B01J19/088—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electric or magnetic energy giving rise to electric discharges
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C08—ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08G—MACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G77/00—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G77/60—Macromolecular compounds obtained by reactions forming a linkage containing silicon with or without sulfur, nitrogen, oxygen or carbon in the main chain of the macromolecule in which all the silicon atoms are connected by linkages other than oxygen atoms
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J2219/08—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
    • B01J2219/0803—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electric or magnetic energy
    • B01J2219/0805—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electric or magnetic energy giving rise to electric discharges
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J2219/08—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
    • B01J2219/0871—Heating or cooling of the reactor
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J2219/08—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
    • B01J2219/0873—Materials to be treated
    • B01J2219/0881—Two or more materials
    • B01J2219/0883—Gas-gas
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2219/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J2219/08—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
    • B01J2219/0894—Processes carried out in the presence of a plasma
    • B01J2219/0898—Hot plasma
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
    • Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
    • Y02P20/582—Recycling of unreacted starting or intermediate materials

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Medicinal Chemistry (AREA)
  • Polymers & Plastics (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Silicon Compounds (AREA)

Abstract

本发明涉及通过对氯代硅烷施以热等离子体而由单体氯代硅烷制备氯代多硅烷的方法和装置。

Description

用于制备氯代多硅烷的方法和装置
本发明涉及通过对单体氯代硅烷施以热等离子体而由氯代硅烷制备氯代多硅烷的方法和装置。
现有技术公开了许多制备氯代多硅烷的方法。例如，DE 10 2006 034 061公开了四氯化硅与氢的反应以制备多硅烷。由于在氢存在下反应，制成的多硅烷含氢。为了能使该装置保持连续运行，相对于氢过量添加四氯硅烷。此外，所公开的装置具有复杂结构并且只能制备多硅烷混合物。只有通过多个反应器和高频发生器的串联才能实现多硅烷的提高的分子量。在经过各串联的等离子体反应器后，各等离子体反应器后的多硅烷的分子量提高。所公开的方法局限于制备可转化成气相而不分解的化合物。
EP 1 264 798 A1公开了多晶硅制备中的包含六氯二硅烷的副产物的后处理方法。
US 4,542,002和WO 2009/143823 A2也公开了由四氯化硅和氢制备氯代多硅烷的等离子体化学法。由于该制备，获得含氢的氯代多硅烷。根据WO 2009/143823 A2，获得含氢的高分子量氯代多硅烷的混合物。在进一步使用前必须以昂贵和不便的方式通过在减压下蒸馏除去氯代多硅烷中存在的四氯化硅。现有技术中的一个特定缺点是需要在气态氢存在下制备氯代多硅烷。因此，对材料和该装置的安全性提出非常高的安全措施要求。
本发明针对的问题在于提供具有高收率和特别高的工艺产物纯度的经济可行的制备氯代多硅烷，尤其是全氯多硅烷的方法。针对的另一问题在于能够不用氢制备氯代多硅烷。同样还能制备氯代多硅烷而不要求它们在制备过程中必须无分解地转化成气相。另一要求是直接制备基本不含单体氯代硅烷的氯代多硅烷。针对的另一问题在于提供用于制备氯代多硅烷的价廉、构造简单并容易运行的装置。特定的焦点在于将有助于氯代多硅烷污染的内表面减至最少。此外，该装置应该几乎不需要垂直空间。更特别地，还应可制备高纯高分子量氯代多硅烷，在进一步加工，例如用于硅沉积之前完全不需要进一步提纯。针对的另一问题在于提供制备高纯高分子量氯代多硅烷的方法，和提供所述氯代多硅烷而完全不需要将这些氯代多硅烷在提纯之前预先无分解地转化成气相或蒸馏。
通过根据权利要求1的方法、可根据权利要求15获得的氯代多硅烷和通过根据权利要求12的装置解决所述问题。
已经发现，令人惊讶地，氯代硅烷——包含单体氯代硅烷，任选与氯代多硅烷混合——在热等离子体，即在热平衡下的等离子体中可以以良好收率转化成氯代多硅烷，根据本发明转化成全氯多硅烷，尤其转化成包含六氯二硅烷、八氯三硅烷、十氯四硅烷、十二氯五硅烷的混合物和/或包含至少两种所述化合物的混合物。优选的是包含具有2至8个硅原子的全氯多硅烷的全氯多硅烷混合物。还特别优选制备具有至少3个硅原子，尤其具有3至8个硅原子的更高分子量氯代多硅烷。就此而言特别令人惊讶的是，可在热等离子体中在基本不存在氢气的情况下由单体氯代硅烷，优选由四氯硅烷，也由四氯硅烷、三氯硅烷和/或二氯硅烷制备氯代多硅烷。尤其通过包含布置在两个塔之间的气体放电反应器的本发明的装置实现本发明的方法的特定经济优点。
本发明的装置包含等离子体反应器，即气体放电反应器以及两个专用的反应性蒸馏塔。优选地，塔之一和气体放电反应器具有专用的再循环线路以使未转化的单体氯代硅烷再经过气体放电反应器，这示意性显示在图3中。根据本发明制备的氯代多硅烷，尤其是全氯多硅烷优选不含氢。
在本发明中，当其氢原子含量低于1x10-0重量%，尤其低于1x10-4重量%，更优选低于1x10-6重量%直至检出限（这目前为1x10-10重量%）时，氯代多硅烷被视为不含氢。
本发明还提供具有低于1x10-0重量%，优选低于1x10-4重量%直至上述检出限的氢原子含量的氯代多硅烷。测定氢原子含量的优选方法是1H NMR波谱法。
本发明的氯代多硅烷包含通式II的全氯多硅烷的同系物
II SinCl2n+2
其中n大于或等于2，其形成直链和/或支链，
和形成环或多聚物的全氯多硅烷，其中该多聚物也可以是支化和/或环状的，具有理想式III
III SinCl2n
其中n大于或等于3，以及理想式IV的具有较低氯含量的氯化硅
IV SiCl1.5。
特别优选的氯代多硅烷被认为是通式II SinCl2n+2的化合物，其中n大于或等于2，尤其其中n大于或等于2至100，优选其中n大于或等于2至50，优选在每种情况中独立地其中n大于或等于2、3、4、5、6、7、8、9或10，优选2至8，更优选其中n等于2或3，其中它们可形成直链或支链；和通式III SinCl2n的化合物，其形成环和多聚物，其中n大于或等于3，尤其其中n大于或等于4至100，尤其其中n大于或等于4至50，更优选在每种情况中独立地其中n大于或等于4、5、6、7、8、9或10，以及根据通式IV SinCl1.5n的具有较低氯含量的氯代多硅烷，其中n大于或等于4或5，尤其其中n大于或等于6至200，优选其中n大于或等于8至100。本发明的方法的一个特别大的优点在于这些氯代多硅烷可作为单一化合物或在混合物中（不经进一步提纯）用于沉积具有太阳能硅质量或甚至半导体质量的高纯硅层。根据本发明，这些氯代多硅烷基本不含氢；更特别地，其中的氢原子含量低于1x10-0重量%，尤其低于1x10-4重量%，更优选低于1x10-6重量%直至1x10-10重量%的检出限。根据本发明获得的氯代多硅烷因此不含氢原子。
本发明因此提供制备氯代多硅烷的方法和可通过这种方法获得的氯代多硅烷，尤其是全氯多硅烷，其中对包含至少一种通式I的单体氯代硅烷的氯代硅烷
I HxSiCl4-x
其中x彼此独立地选自0、1、2或3，x优选为0、1或2，x更优选为0或1且x更优选为0，或包含至少两种尤其选自四氯硅烷、三氯硅烷和二氯硅烷的式I的单体氯代硅烷的混合物，优选纯四氯硅烷或在混合物中具有小于或等于20重量%的三氯硅烷和/或二氯硅烷总含量的纯四氯硅烷，和任选在具有低六氯二硅烷含量的混合物中的氯代硅烷施以热等离子体并将它们转化成氯代多硅烷。
该方法的特定优点在于不需要使用任何氢气载气或任何附加催化剂。因此在该方法中可以在热等离子体中将通式I的单体氯代硅烷或式I的单体氯代硅烷的混合物转化成氯代多硅烷，而基本不需要添加任何附加的含氢化合物，尤其是氢。氯代硅烷被认为是单体氯代硅烷和可能氯代多硅烷，如优选六氯二硅烷。
仅通过通式I的单体氯代硅烷在热等离子体存在下，尤其在热等离子体中的转化制备氯代多硅烷。
优选地，在本发明的装置中的冷凝器处设定被视为低沸物的通式I的单体氯代硅烷的指定回流比。
可以另外有利地在该装置中的低沸物塔的顶部从该系统中仅除去形成的单氯硅烷、HCl和/或单硅烷。
将所有其它单体氯代硅烷冷凝并再循环到该系统中。借助冷凝器中的适当温度控制容易实现这种分离。在一个特别优选的方法方案中，在具有一定的三氯硅烷和/或二氯硅烷含量的四氯硅烷作为反应物的情况下，形成的六氯二硅烷在冷凝器中冷凝并排出，而其它氯代硅烷以气体形式再送回气体放电反应器。
热等离子体中的可能的反应可以以理想形式如下表示：
例如HCl和H2，其中x = 0、1、2或3，优选其中x等于1或0，且优选其中n独立地为2或3。
优选地，所用通式I的氯代硅烷是四氯硅烷、三氯硅烷、二氯硅烷或这些的混合物。该方法的一个特定优点是有可能由超高纯四氯硅烷（STCeg）制备具有半导体质量的氯代多硅烷。
在本发明中，术语“电子级”，缩写为“eg”，用于“超高纯”。
或者，可以由超高纯三氯硅烷（TCSeg）或由超高纯二氯硅烷（DCSeg）和由所提到的氯代硅烷的混合物制备氯代多硅烷。相应超高纯度的优选混合物包含具有三氯硅烷和/或二氯硅烷含量的四氯硅烷。
为了制备本发明的氯代多硅烷，使用通式I的高纯至超高纯单体氯代硅烷或式I的单体氯代硅烷的混合物，如超高纯四氯硅烷、超高纯三氯硅烷和/或超高纯二氯硅烷，优选具有80至99.9999999重量%的氯代硅烷含量，用氯代多硅烷加至100重量%。在高纯氯代硅烷中，总杂质为100重量ppm至0.001重量ppt，在超高纯氯代硅烷中为50重量ppm至0.001重量ppt，优选40重量ppm至0.001重量ppt。
这种总杂质包含下文给出的元素a至i。
优选地，单体氯代硅烷的含量为98重量%至99.9999999重量%，在高纯氯代硅烷中含小于或等于100重量ppm至0.001重量ppt的总杂质，在超高纯氯代硅烷中优选小于50重量ppm至0.001重量ppt，并任选用氯代多硅烷加至100重量%，其中通式I的单体氯代硅烷的总杂质具有如下元素：
a. 15重量ppm至0.0001重量ppt的铝，和/或
b. 5至0.0001重量ppt的硼，
优选3重量ppm至0.0001重量ppt，和/或
c. 小于2重量ppm的钙，
优选2重量ppm至0.0001重量ppt，和/或
d. 5重量ppm至0.0001重量ppt的铁，
优选0.6重量ppm至0.0001重量ppt，和/或
e. 5重量ppm至0.0001重量ppt的镍，
优选0.5重量ppm至0.0001重量ppt，和/或
f. 5重量ppm至0.0001重量ppt的磷，
优选3重量ppm至0.0001重量ppt，和/或
h. 小于或等于10重量ppm的钛，
优选小于或等于2重量ppm，
更优选1重量ppm至0.0001重量ppt，
更优选0.6重量ppm至0.0001重量ppt，
最优选0.1重量ppm至0.0001重量ppt，和/或
h. 小于或等于3重量ppm的锌，
优选1重量ppm至0.0001重量ppt，
更优选0.3重量ppm至0.0001重量ppt，和/或
i. 碳，
其中碳的目标值是在检出限附近的浓度，检出限取决于测量方法并且是本领域技术人员已知的。
优选借助ICP-MS测定上述元素的总杂质。
本发明的方法的一个特定优点在于可以选择性控制多硅烷的制备。通过该方法获得的氯代多硅烷优选是具有2至8个硅原子的全氯多硅烷，优选的是具有2、3、4、5、6和/或7个硅原子，优选具有式II、II和/或IV的氯代多硅烷，其就质谱学中已知的检出限而言不含氢。
特别优选的氯代多硅烷包括六氯二硅烷、八氯三硅烷、正十氯四硅烷、异十氯四硅烷、叔十氯四硅烷、十二氯五硅烷如正十二氯五硅烷、2-三氯甲硅烷基十氯四硅烷、1,1-二(三氯甲硅烷基)八氯三硅烷、2,2-二(三氯甲硅烷基)八氯三硅烷和/或1,2-二(三氯甲硅烷基)八氯三硅烷——作为单一化合物或作为包含至少两种所述氯代多硅烷的混合物。
该方法的另一优点是制备符合半导体工业的要求的超高纯氯代多硅烷，如超高纯八氯三硅烷或超高纯六氯二硅烷，和上文提到的超高纯十氯四硅烷和/或十二氯五硅烷。
因此，在一个特别优选的方法变体中，分离出的氯代多硅烷是具有95.9999重量%至99.999999重量%的八氯三硅烷含量的超高纯八氯三硅烷，在每种情况中配至99.999999重量%的其余含量包含六氯二硅烷、十氯四硅烷和/或十二氯五硅烷。在一个备选方案中，分离出的氯代多硅烷是具有95.9999重量%至99.999999重量%的六氯二硅烷含量的超高纯六氯二硅烷，在每种情况中配至99.999999重量%的其余含量包含八氯三硅烷、十氯四硅烷和/或十二氯五硅烷。上文提到的氯代多硅烷中的氢含量优选低于检出限。合适的分析是本领域技术人员已知的方法，如CHN分析、优选与ICP-MS联用的1H NMR。
在一个特别优选的方法变体中，分离出的氯代多硅烷是各自具有低于10重量ppm，优选低于8重量ppm，更优选低于5重量ppm，更优选低于1重量ppm（借助ICP-MS测得）的钛含量的超高纯六氯二硅烷、超高纯八氯三硅烷、超高纯十氯四硅烷或超高纯十二氯五硅烷或氯代多硅烷混合物形式的超高纯氯代多硅烷。
超高纯氯代多硅烷，优选超高纯全氯多硅烷，尤其是超高纯六氯二硅烷、超高纯八氯三硅烷、超高纯十氯四硅烷或超高纯十二氯五硅烷，优选上述氯代多硅烷的超高纯混合物被认为是具有99.99至99.9999999重量%，优选99.9999至99.9999999重量%的氯代多硅烷含量，优选全氯多硅烷含量的氯代多硅烷，其中总杂质低于100重量ppm，尤其具有选自硼、磷、碳和外来金属以及氢，优选选自硼、磷、碳、铝、钙、铁、镍、钛和锌和/或氢的一种、多于一种或所有元素的杂质。
更优选地，在本发明的方法中，所得氯代多硅烷是全氯多硅烷，优选根据下述定义具有小于或等于100重量ppm至检出限或至0.001重量ppt的总杂质的高纯全氯多硅烷。更优选获得具有50重量ppm至0.001重量ppt总杂质的超高纯氯代多硅烷。
更优选获得氯代多硅烷，简称为PCS，尤其是六氯二硅烷、八氯三硅烷或包含六氯二硅烷、八氯三硅烷、十氯四硅烷和/或十二氯五硅烷的混合物，优选具有2至8，优选具有2至7个硅原子，更优选具有3至8个硅原子的高纯至超高纯氯代多硅烷，优选全氯多硅烷，其中该氯代多硅烷尤其具有20至99.9999重量%的八氯三硅烷含量，优选与其它氯代多硅烷混合，更优选具有91至99.9999999重量%的八氯三硅烷含量，再更优选具有99.99至99.9999999重量%的含量。
也可以获得可与其它氯代多硅烷，优选全氯多硅烷混合存在的高纯至超高纯六氯二硅烷。特别优选的是具有20至99.9999重量%的含量，优选具有91至99.9999999重量%的含量，更优选具有99.99至99.9999999重量%的含量的六氯二硅烷，其中上述多硅烷各自独立地具有下列一种、多于一种或所有元素的杂质状况。
高纯氯代多硅烷在本发明中是指具有下列浓度的杂质的氯代多硅烷：
a. 小于5重量ppm的铝，
优选5重量ppm至0.0001重量ppt，
更优选3重量ppm至0.0001重量ppt，和/或
b. 10重量ppm至0.0001重量ppt的硼，
优选5至0.0001重量ppt，
更优选3重量ppm至0.0001重量ppt，和/或
c. 小于2重量ppm的钙，
优选2重量ppm至0.0001重量ppt，和/或
d. 小于或等于20重量ppm的铁，
优选10重量ppm至0.0001重量ppt，
更优选0.6重量ppm至0.0001重量ppt，和/或
e. 小于或等于10重量ppm的镍，
优选5重量ppm至0.0001重量ppt，
更优选0.5重量ppm至0.0001重量ppt，和/或
f. 10重量ppm至0.0001重量ppt的磷，
优选5重量ppm至0.0001重量ppt，
更优选3重量ppm至0.0001重量ppt，和/或
g. 小于或等于10重量ppm的钛，
优选小于或等于2重量ppm，
更优选1重量ppm至0.0001重量ppt，
更优选0.6重量ppm至0.0001重量ppt，
尤其优选0.1重量ppm至0.0001重量ppt，和/或
h. 小于或等于3重量ppm的锌，
优选1重量ppm至0.0001重量ppt，
更优选0.3重量ppm至0.0001重量ppt，和/或
i. 碳，和/或
j. 氢，
其中碳和氢的目标值是在检出限附近的浓度，检出限取决于测量方法并且是本领域技术人员已知的。
如所述，具有上述元素或杂质的氯代多硅烷的总杂质在高纯氯代多硅烷中为100重量ppm至0.001重量ppt，优选在超高纯氯代多硅烷中为50重量ppm至0.001重量ppt，更优选10重量ppm至0.001重量ppt，更优选总共5重量ppm至0.001重量ppt。可以借助本领域技术人员已知的在线分析连续监测该运行。可以在Si沉积后借助GC、IR、NMR、ICP-MS或通过电阻测量或GD-MS检查所需纯度。
该方法的另一优点在于可以免除添加昂贵的稀有气体或惰性气体。或者，可以添加夹带气体，优选加压惰性气体，如氮气、氩气、另一稀有气体或其混合物。
在另一优选的方法变体中，在包含具有两个塔的气体放电反应器的装置中使用本发明的方法通过对通式I的单体氯代硅烷，尤其是四氯硅烷、三氯硅烷、二氯硅烷或包含两种所述化合物或所有三种化合物的式I的单体氯代硅烷的混合物施以热等离子体来制备氯代多硅烷，尤其是包含六氯二硅烷、八氯三硅烷、十氯四硅烷和/或十二氯五硅烷的氯代多硅烷混合物，任选与具有6至7个硅原子的更高分子量氯代多硅烷混合。
更优选将式I的氯代硅烷供往安置在气体放电反应器上游的用于除去氯代多硅烷的塔，或直接引入气体放电反应器。除去的氯代多硅烷被视为高沸物。在本发明的方法中可以经由流速通过气体放电反应器中的接触时间以简单方式控制具有6至8个硅原子的较高分子量氯代多硅烷与具有2至5个硅原子的低分子量氯代多硅烷的比率。
在一个特别优选的实施方案中，在具有在气体放电反应器上游（尤其是下方）的用于除去氯代多硅烷的具有塔入口的第一个塔和在气体放电反应器下游（尤其是上方）的用于除去低沸物，尤其是单体氯代硅烷和任何夹带的高沸物，如氯代多硅烷的具有塔入口的第二个塔的装置中进行该方法。优选地，第二个塔的塔出口具有用于冷凝低沸物的专用冷凝器。该装置也可被称作等离子体反应性蒸馏装置，在这种情况下将等离子体反应器布置在两个反应性蒸馏塔之间。
优选在上述冷凝器中冷凝任选排出的氯代多硅烷，如六氯二硅烷。此外，该冷凝器具有专用的再循环线路，其将低沸物和任选一起冷凝的氯代多硅烷再送回第一个塔，尤其是上半部，优选上1/3，或再送入气体放电反应器。
第一个塔中的氯代多硅烷可流出到塔底排出口中，或任选可根据所需氯代多硅烷产物，部分或完全冷凝，并送往在塔底排出口处的接收容器或送往塔底蒸发器。调节塔底蒸发器的温度以使所需氯代多硅烷不转化成气相。所用塔底蒸发器优选是用于温和加热多硅烷的循环蒸发器。或者，也可以连续排出塔底产物，以使热应力最小化。
所得氯代多硅烷可以视需要进一步提纯，例如蒸馏或借助色谱法提纯。但是，根据本发明制成的氯代多硅烷通常不必进一步提纯。如果获得氯代多硅烷的混合物，如果需要，可以将所得氯代多硅烷送往真空蒸馏，尤其用于调节特定氯代多硅烷的含量。因此，优选在减压下蒸馏包含八氯三硅烷或十氯四硅烷的氯代多硅烷以提高所需氯代多硅烷的含量。或者或另外，也可以接着色谱后处理以除去杂质或调节氯代多硅烷中的八氯三硅烷含量，或例如十氯四硅烷含量。
如果所需氯代多硅烷是具有3至7个硅原子的全氯多硅烷，使包含单体氯代硅烷，尤其是六氯二硅烷作为低沸物的冷凝的低沸物经过第二个塔并在冷凝器中作为低沸物冷凝并经再循环线路再循环到第一个塔或气体放电反应器中。在第一个塔中，将温度控制系统设定为能在第一个塔的塔出口除去尤其具有至少2个硅原子的基本高纯氯代多硅烷的值。
该氯代多硅烷尤其包括包含具有2至8个硅原子的全氯多硅烷，优选八氯三硅烷、十氯四硅烷和/或十二氯五硅烷，或具有6和7个硅原子的全氯多硅烷的全氯多硅烷混合物，其可流入第一个塔的塔出口的塔底物中。由此，所需氯代多硅烷可经第一个塔流出并在不预先转化成气相的情况下取出。
在另一方法变体中，(i) 经第二个塔离开气体放电反应器的与六氯二硅烷混合的式I的氯代硅烷可以在装置(0)中使用冷凝器(5)与六氯二硅烷分离。例如，仅冷凝和排出六 氯二硅烷；单体氯代硅烷留在气相中并再循环，(ii) 式I的氯代硅烷经再循环线路再循环到第一个塔，和(iii) 再经过气体放电反应器，和(iv) 在第一个塔的塔出口获得氯代多硅烷，尤其是包含八氯三硅烷、十氯四硅烷和/或十二氯五硅烷的超高纯全氯多硅烷，尤其作为包含具有2至8个硅原子，尤其具有3至8个硅原子的全氯多硅烷的全氯多硅烷混合物。
在另一方法变体中，(i) 经第二个塔离开气体放电反应器的与六氯二硅烷混合的式I的氯代硅烷可以在装置(0)中使用冷凝器(5)与六氯二硅烷分离，例如仅冷凝和排出六 氯二硅烷；单体氯代硅烷留在气相中并再循环，(ii) 式I的氯代硅烷经再循环线路再经过气体放电反应器和(iii) 在第一个塔的塔出口获得氯代多硅烷。
作为上述特征之一的补充或替代，优选获得在总组成中具有至少1摩尔%的支化氯代多硅烷的氯代多硅烷混合物，该比例优选大于或等于1.5摩尔%。
还优选的是将通式I的氯代硅烷或式I的氯代硅烷的混合物和任选与六氯二硅烷混合的氯代硅烷引入气体放电反应器或供往第一个塔的方法，该氯代硅烷或混合物优选以气体形式供往气体放电反应器或第一个塔。更优选在初次供应时蒸发氯代硅烷；当作为低沸物送回时，氯代硅烷在第一个塔中蒸发，而形成的八氯三硅烷和/或如果需要，六氯二硅烷不蒸发并可流出到塔底的接收容器中并收集。
单体氯代硅烷被视为低沸物，而氯代多硅烷被视为高沸物，例外是制备具有3至8个硅原子的氯代多硅烷的情况。在这种特殊情况中，六氯二硅烷同样被视为要在冷凝器中冷凝的低沸物。在所有其它制备变体中，六氯二硅烷被视为高沸物并应在第一个塔中流出到接收器中。在本发明的方法中，任选形成的氢气和/或氯化氢作为工艺气体从该方法中排出并随后分离，在这种装置外冷凝或送入另一工艺。
同样优选的是，在本发明的方法中，
(i) 经第二个塔离开气体放电反应器的式I的氯代硅烷，尤其是四氯硅烷、三氯硅烷和/或二氯硅烷和/或这些的混合物，和尤其包含六氯二硅烷和任选八氯三硅烷的氯代多硅烷在该装置中使用冷凝器冷凝和(ii) 使用再循环线路再循环到第一个塔和(iii) 将任选与六氯二硅烷和/或八氯三硅烷混合的这种氯代硅烷再送回气体放电反应器，同时(iv)在第一个塔的塔出口获得具有优选4至8个硅原子的氯代多硅烷；更特别在专属于该塔出口的接收容器或专属于该塔出口的塔底蒸发器中获得氯代多硅烷(v)。由此获得的氯代多硅烷根据上述定义为高纯至超高纯。
关于更高分子量的氯代多硅烷的形成，该方法不受限制，因此通过冷凝的氯代多硅烷的再循环也可以获得在所选工艺条件下是液体并具有3、4、5、6、7、8、9和/或10个硅原子并可以是直链、支链和/或环状的高分子量氯代多硅烷。通过调节回流以简单和经济可行的方式调节氯代多硅烷的分子量，即仅将单体氯代硅烷或另外二-和/或三硅烷再送回气体放电反应器。
由此获得的氯代多硅烷根据上述定义为高纯至超高纯。
在另一方法方案中，在步骤(iv)中获得六氯二硅烷。
经第二个塔离开气体放电反应器，尤其是等离子管的式I的氯代硅烷，尤其是四氯硅烷、三氯硅烷和/或二氯硅烷相当于在该方法中未转化的氯代硅烷，将其再送回气体放电反应器以供转化。该方法的特定优点及其经济可行性来源于在气体放电反应器中未转化的氯代硅烷的再循环或循环。
氢、氯、氯化氢、单硅烷和单氯硅烷不在冷凝器中冷凝并从该方法中排出。根据本发明未转化的氯代硅烷反应物的再循环和同时在第一个塔中作为塔底产物排出氯代多硅烷可以用构造简单的装置或设施提供特别经济可行的方法，其中该装置或设施的内表面积极大降低。已知的方法和设施在相当大的程度上导致产物的污染和设施部件的成本。本发明的方法和本发明的装置显著降低成本和污染。
该方法的另一优点在于，在未转化的氯代硅烷再循环的情况下，可以尤其借助IR、GC在线测量这些氯代硅烷的摩尔比，并因此可以有针对性地控制作为反应物的其它氯代硅烷的摩尔添加量以便能在气体放电反应器中建立通式I的氯代硅烷之间的指定摩尔比。
在另一方法方案中，可以将低沸物送入反应物进料的蒸发器或送入气体放电反应器中的蒸发器，以蒸发氯代硅烷和任选六氯二硅烷并且未蒸发的八氯三硅烷可在第一个塔中流出。
作为上述方法特征之一的补充或替代，优选在该方法中使用通式I的单体氯代硅烷的指定摩尔混合物或在热等离子体中建立指定摩尔比。四氯硅烷和三氯硅烷的优选摩尔比优选等于或在1:10至10:1，尤其是1:5至5:1，优选1:2至2:1之间，优选使用大致等摩尔比制备六氯二硅烷。
为了制备八氯三硅烷，优选使用a) 尤其以等于或在1:10至10:1，尤其是1:5至5:1，优选1:2至2:1之间的摩尔比包含四氯硅烷和二氯硅烷的通式I的氯代硅烷的混合物，优选使用大致等摩尔比制备六氯二硅烷；或优选使用b) 三氯硅烷作为氯代硅烷。
由于所用的高纯至超高纯氯代硅烷，可实现对制成的氯代多硅烷的高纯度要求，因为本发明的方法另外免去使用其它化学化合物，如催化剂或载气等。用于由单体氯代硅烷制备氯代多硅烷的装置的特定构造能够显著降低会与高纯至超高纯氯代硅烷和氯代多硅烷接触的设施部件及其表面积。因此，与本发明的方法结合的本发明的设施构造能实现具有显著降低的污染影响的特别经济可行的方法方案。
因此，在本发明的方法中，并尤其使用本发明的装置，可以获得在每种情况中具有小于或等于1重量ppm的钛的高纯八氯三硅烷，尤其是超高纯八氯三硅烷，高纯六氯二硅烷，尤其是超高纯六氯二硅烷，或这两种氯代多硅烷的混合物。
在本发明的方法中，可以在电平衡下生成热等离子体。热等离子体被认为是在升高的压力下工作并带来平衡态的等离子体。在热等离子体中，电子TE和离子TI具有相对较高的温度，因为这些粒子的自由程长度低且碰撞频率高，以建立均匀气体温度TG，TE大致等于TI且TI大致等于TG。热等离子体因此具有高能量密度和高工作温度。该等离子体是光弧等离子体并根据施加的电压，具有在几毫安培至几千安培之间的电流。优选在自动放电范围内进行该方法，其中在辉光放电范围（70至1000 V，1至1000 mA）内，更优选在电弧放电范围（10至50 V，大于1 A）内工作。借助等离子管生成光弧等离子体或热等离子体。一般而言，直接、间接以及直流或交流等离子管适用于实施本发明的方法。为了制造优选的均匀热等离子体，使用间接直流等离子管。
在间接等离子管中，通式I的单体氯代硅烷围绕并穿过在等离子管内的阴极和阳极之间的光弧流动并任选离解和离子化。为了生成不熄灭的光弧，优选用直流等离子管运行。
为了实施本发明的方法，气体放电反应器中的压力为3至30 000 mbarabs.，优选100至1200 mbarabs.。
本发明还提供可通过上述方法，尤其根据权利要求1至12任一项获得的氯代多硅烷，其中该氯代多硅烷是包含六氯二硅烷、八氯三硅烷、正十氯四硅烷、叔十氯四硅烷和/或十二氯五硅烷和它们的结构异构体的混合物并具有小于或等于10重量ppm，优选小于8重量ppm，更优选小于6重量ppm，尤其优选小于4重量ppm的钛含量。尤其优选地，钛含量小于2重量ppm，且支化氯代多硅烷的比例大于或等于1摩尔%，尤其大于1.5摩尔%。
本发明还提供示意性显示在图3和4中的装置或设施。该装置特别适用于实施本发明的方法。装置0具有气体放电反应器1以及两个专用塔2a、2b。气体放电反应器优选是等离子管（直流或交流），更优选是间接等离子管。该装置更优选除气体放电反应器外还具有在气体放电反应器1上游的用于除去氯代多硅烷的具有塔入口3a的第一个塔2a和在气体放电反应器1下游的用于除去低沸物和任选循环的六氯二硅烷的具有塔入口4a的第二个塔2b。这种装置基本如图3和4中所示垂直布置。此外，塔2b的塔出口4b优选具有用于冷凝低沸物的专用冷凝器5。为了向气体放电反应器供应氯代硅烷，该反应器具有专用反应物进料9（图4），其在一个备选方案中具有用于反应物的蒸发和/或温度控制的蒸发器10（图4）。或者，该蒸发器也可以在气体放电反应器内。
在一个特别优选的实施方案中，冷凝器5具有专用的再循环线路6，其将低沸物送入第一个塔2a或任选送入气体放电反应器、送入气体放电反应器中的蒸发器或送入专用于反应物进料的蒸发器。第一个塔的下方塔出口具有在塔底排出口的专用接收容器7或塔底蒸发器8。根据本发明，使用可能具有例如拉西环或泡罩塔板的所谓填充塔或反应塔作为第一个和/或第二个塔。制成的氯代多硅烷在专用于第一个塔的塔出口3b的接收容器7或专用于塔出口3b的塔底蒸发器8中以高纯度或超高纯度分离。
本发明还提供选自具有小于或等于1重量ppm的钛含量的八氯三硅烷、六氯二硅烷以及八氯三硅烷和六氯二硅烷的混合物的氯代多硅烷及其用于沉积硅的用途。
通过该方法制成的氯代多硅烷和本发明的氯代多硅烷显著适用于沉积包含高纯至超高纯硅的层。根据本发明制成的多硅烷的使用能够明显降低沉积过程中的氯负荷以及沉积温度。通过本发明的方法制成的高纯或超高纯二聚、三聚、四聚和/或五聚氯代多硅烷及其混合物非常适用于制备氮化硅、氮氧化硅、碳化硅、碳氧化硅或氧化硅，尤其用于制造这些材料的层和用于制造外延层，优选通过低温取向附生。可以例如通过化学气相沉积（CVD）制造这些层。此外，制成的高纯或超高纯氯代多硅烷适合作为用于制备高纯二硅烷（Si2H6）或三硅烷（Si3H8）的原料物质。
下面通过附图详细图解本发明。
图1: 通过本发明的方法制成的包含八氯三硅烷和六氯二硅烷的混合物，在DMSO中的99.34 MHz 29Si NMR。
图2: 通过本发明的方法制成的包含六氯二硅烷、八氯三硅烷、叔十氯四硅烷、正十氯四硅烷和十二氯五硅烷的氯代多硅烷，在DMSO中的99.34 MHz 29Si NMR。A = Si2Cl6，B= n-Si3Cl8，C = (Cl3Si)3SiCl，D = n-Si4Cl10和E = n-Si5Cl12，其中组分A相当于51.1%的摩尔比例，B相当于30.0%的摩尔比例，C相当于1.4%的摩尔比例，D相当于13.7%的摩尔比例，E相当于3.7%的摩尔比例。通过将各个面积峰标准化至100%进行计算。
图3: 包含气体放电反应器1和第一个塔2a和第二个塔2b以及冷凝器5和再循环线路6的装置0的示意图。
图4: 具有塔底蒸发器8和反应物进料9以及蒸发器10的装置0的示意图。
标号列表:
0 装置/设施
1 气体放电反应器
2a 第一个塔
2b 第二个塔
3a 第一个塔的上方塔出口
3b 第一个塔的下方塔出口
4a 第二个塔的下方塔出口
4b 第二个塔的上方塔出口
5 冷凝器
6 再循环线路
7 接收容器
8 塔底蒸发器
9 反应物进料
10 蒸发器。

Claims (9)

1.通过在不存在氢气的情况下对包含至少一种通式I的单体氯代硅烷的氯代硅烷施以热等离子体并将它们转化成氯代多硅烷来制备氯代多硅烷的方法，
HxSiCl4-x (I)
其中x彼此独立地选自0、1、2或3，
其中所述方法在包含具有两个塔(2a、2b)的气体放电反应器(1)的装置(0)中进行，且提供在气体放电反应器(1)上游的用于除去氯代多硅烷的具有塔入口(3a)的第一个塔(2a)和在气体放电反应器(1)下游的用于除去低沸物的具有塔入口(4a)的第二个塔(2b)，并且
- 塔(2b)的塔出口(4b)具有用于冷凝低沸物的冷凝器(5)，和
- 冷凝器(5)具有再循环线路(6)，其将低沸物送入第一个塔(2a)或气体放电反应器(1)。
2.根据权利要求1的方法，
其特征在于
所得氯代多硅烷是具有2至8个硅原子的全氯多硅烷。
3.根据权利要求1或2的方法，
其特征在于
分离出的氯代多硅烷是超高纯六氯二硅烷、超高纯八氯三硅烷、超高纯十氯四硅烷或超高纯十二氯五硅烷或包含至少两种所述化合物的混合物。
4.根据权利要求1或2的方法，
其特征在于
分离出的氯代多硅烷是各自具有低于10 ppm的钛含量的超高纯六氯二硅烷、超高纯八氯三硅烷、超高纯十氯四硅烷或超高纯十二氯五硅烷。
5.根据权利要求1或2的方法，
其特征在于
所用反应物是超高纯四氯硅烷、超高纯三氯硅烷和/或超高纯二氯硅烷。
6.根据权利要求1的方法，
其特征在于
将式I的氯代硅烷，和任选与六氯二硅烷混合的氯代硅烷引入气体放电反应器(1)或供入第一个塔(2a)。
7.根据权利要求1的方法，
其特征在于
(i) 经第二个塔(2b)离开气体放电反应器的式I的氯代硅烷和六氯二硅烷在装置(0)中使用冷凝器(5)冷凝和(ii) 经再循环线路(6)再循环到第一个塔(2a)，和(iii) 任选与六氯二硅烷混合的这种通式I的氯代硅烷再经过气体放电反应器(1)，和(iv) 在第一个塔(2a)的塔出口(3b)获得具有至少2个硅原子的氯代多硅烷。
8.根据权利要求1、2、6或7的方法，
其特征在于
(i) 经第二个塔(2b)离开气体放电反应器的与六氯二硅烷混合的式I的氯代硅烷在装置(0)中使用冷凝器(5)通过冷凝六氯二硅烷而与六氯二硅烷分离，(ii) 式I的氯代硅烷经再循环线路(6)再循环到第一个塔(2a)，和(iii) 这些氯代硅烷再经过气体放电反应器(1)，和(iv) 在第一个塔(2a)的塔出口(3b)获得氯代多硅烷。
9.根据权利要求1、2、6或7的方法，
其特征在于
在气体放电反应器(1)中存在300至800 mbarabs.的压力。
CN201480023110.8A 2013-04-24 2014-03-04 用于制备氯代多硅烷的方法和装置 Expired - Fee Related CN105121516B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102013207444.1 2013-04-24
DE102013207444.1A DE102013207444A1 (de) 2013-04-24 2013-04-24 Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Polychlorsilanen
PCT/EP2014/054116 WO2014173573A1 (de) 2013-04-24 2014-03-04 Verfahren und vorrichtung zur herstellung von polychlorsilanen

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105121516A CN105121516A (zh) 2015-12-02
CN105121516B true CN105121516B (zh) 2019-01-15

Family

ID=50193507

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201480023110.8A Expired - Fee Related CN105121516B (zh) 2013-04-24 2014-03-04 用于制备氯代多硅烷的方法和装置

Country Status (9)

Country Link
US (1) US9994456B2 (zh)
EP (1) EP2989146A1 (zh)
JP (1) JP6385425B2 (zh)
KR (1) KR101760592B1 (zh)
CN (1) CN105121516B (zh)
DE (1) DE102013207444A1 (zh)
MY (1) MY171203A (zh)
TW (1) TWI582045B (zh)
WO (1) WO2014173573A1 (zh)

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102013207447A1 (de) 2013-04-24 2014-10-30 Evonik Degussa Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Octachlortrisilan
DE102013207442A1 (de) 2013-04-24 2014-10-30 Evonik Degussa Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Silanen
DE102013207441A1 (de) 2013-04-24 2014-10-30 Evonik Degussa Gmbh Verfahren zur Herstellung von Hexachlordisilan durch Spaltung von höheren Polychlorsilanen wie Octachlortrisilan
DE102013207443A1 (de) 2013-04-24 2014-10-30 Evonik Degussa Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Polysilanen
EP3088359B1 (de) 2015-04-28 2018-09-12 Evonik Degussa GmbH Verfahren zur herstellung von octachlortrisilan und höherer polychlorsilane unter verwertung von hexachlordisilan
JP7028604B2 (ja) * 2017-10-24 2022-03-02 デンカ株式会社 ヘキサクロロジシランの製造方法
CN113912066A (zh) * 2021-09-09 2022-01-11 全椒亚格泰电子新材料科技有限公司 一种制备氯代硅烷的方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101193820A (zh) * 2005-05-25 2008-06-04 Rev可再生能源投资股份公司 由卤代硅烷制备硅的方法
CN101298457A (zh) * 2007-02-14 2008-11-05 赢创德固赛有限责任公司 较高级硅烷的制备方法
US7708970B2 (en) * 2008-01-14 2010-05-04 Wacker Chemie Process for depositing polycrystalline silicon

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4102764A (en) * 1976-12-29 1978-07-25 Westinghouse Electric Corp. High purity silicon production by arc heater reduction of silicon intermediates
US4321246A (en) * 1980-05-09 1982-03-23 Motorola, Inc. Polycrystalline silicon production
ES510013A0 (es) 1982-03-01 1983-02-01 Perez Pariente Joaquin "procedimiento para la obtencion de un silicato derivado de la sepiolita".
FR2530638A1 (fr) * 1982-07-26 1984-01-27 Rhone Poulenc Spec Chim Procede de preparation d'un melange a base de trichlorosilane utilisable pour la preparation de silicium de haute purete
JPS60247917A (ja) * 1984-05-23 1985-12-07 Seiko Epson Corp 非晶質シリコン薄膜の製造方法
JPS63222011A (ja) * 1987-03-11 1988-09-14 Mitsubishi Metal Corp 多結晶シリコンの製造方法
JP4465961B2 (ja) 2000-08-02 2010-05-26 三菱マテリアル株式会社 六塩化二珪素の製造方法
JP2004224591A (ja) 2003-01-20 2004-08-12 Sogo Kaihatsu Kk 二重管型放電ガス反応器
DE102006034061A1 (de) 2006-07-20 2008-01-24 REV Renewable Energy Ventures, Inc., Aloha Polysilanverarbeitung und Verwendung
DE102006043929B4 (de) * 2006-09-14 2016-10-06 Spawnt Private S.À.R.L. Verfahren zur Herstellung von festen Polysilanmischungen
JP5435188B2 (ja) * 2006-11-14 2014-03-05 三菱マテリアル株式会社 多結晶シリコンの製造方法および多結晶シリコン製造設備
DE102008025261B4 (de) 2008-05-27 2010-03-18 Rev Renewable Energy Ventures, Inc. Halogeniertes Polysilan und plasmachemisches Verfahren zu dessen Herstellung
DE102008002537A1 (de) * 2008-06-19 2009-12-24 Evonik Degussa Gmbh Verfahren zur Entfernung von Bor enthaltenden Verunreinigungen aus Halogensilanen sowie Anlage zur Durchführung des Verfahrens
DE102009056731A1 (de) * 2009-12-04 2011-06-09 Rev Renewable Energy Ventures, Inc. Halogenierte Polysilane und Polygermane
DE102010002342A1 (de) 2010-02-25 2011-08-25 Evonik Degussa GmbH, 45128 Verwendung der spezifischen Widerstandsmessung zur indirekten Bestimmung der Reinheit von Silanen und Germanen und ein entsprechendes Verfahren
DE102011078942A1 (de) 2011-07-11 2013-01-17 Evonik Degussa Gmbh Verfahren zur Herstellung höherer Silane mit verbesserter Ausbeute
EP2918865A4 (en) 2012-11-08 2016-06-29 Akebono Brake Ind DISC BRAKE PAD ASSEMBLY
DE102013207443A1 (de) 2013-04-24 2014-10-30 Evonik Degussa Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Polysilanen
DE102013207442A1 (de) 2013-04-24 2014-10-30 Evonik Degussa Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Silanen
DE102013207447A1 (de) 2013-04-24 2014-10-30 Evonik Degussa Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von Octachlortrisilan

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101193820A (zh) * 2005-05-25 2008-06-04 Rev可再生能源投资股份公司 由卤代硅烷制备硅的方法
CN101298457A (zh) * 2007-02-14 2008-11-05 赢创德固赛有限责任公司 较高级硅烷的制备方法
US7708970B2 (en) * 2008-01-14 2010-05-04 Wacker Chemie Process for depositing polycrystalline silicon

Also Published As

Publication number Publication date
EP2989146A1 (de) 2016-03-02
US20160039681A1 (en) 2016-02-11
TW201504142A (zh) 2015-02-01
MY171203A (en) 2019-10-02
CN105121516A (zh) 2015-12-02
KR101760592B1 (ko) 2017-07-21
TWI582045B (zh) 2017-05-11
KR20160002832A (ko) 2016-01-08
JP6385425B2 (ja) 2018-09-05
WO2014173573A1 (de) 2014-10-30
US9994456B2 (en) 2018-06-12
JP2016516665A (ja) 2016-06-09
DE102013207444A1 (de) 2014-10-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105121516B (zh) 用于制备氯代多硅烷的方法和装置
CN105121341B (zh) 用于制备八氯三硅烷的方法和装置
CN101298457B (zh) 较高级硅烷的制备方法
US7632478B2 (en) Process for producing silicon
JP6207719B2 (ja) ポリシランの製造方法および製造装置
CN105121343B (zh) 通过裂解更高级的氯代多硅烷例如八氯三硅烷以制备六氯二硅烷的方法
CN103648981A (zh) 具有改善的产量的制造较高硅烷的方法
KR20080085717A (ko) 고순도 실리콘의 제조 방법
US20150123038A1 (en) Advanced off-gas recovery process and system
CN102390836B (zh) 三氯氢硅合成工艺和设备
CN107867695A (zh) 三氯硅烷的纯化系统和多晶硅的制造方法
US10475646B2 (en) Process for producing of polycrystalline silicon
US10294110B2 (en) Pentachlorodisilane production method and pentachlorodisilane produced by same
US20180141819A1 (en) Primary distillation boron reduction

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20190115

Termination date: 20210304

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee