CN105121032B - 用于对基体的下侧进行湿处理的装置 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种通过用流体使下侧润湿而对平坦的基体（S1、S2）进行湿处理的装置。该装置包括具有用于使用流体使被处理基体的下侧润湿的至少一个润湿辊（W_A、W_B）的至少一个润湿站（B_A、B_B），所述基体在输送方向（TR）上在处理滚子上方运动。该装置还包括具有以相互间隔方式在输送方向上相继布置的多个输送滚子（T1至T7、W_A、W_B）的滚子输送系统，其包括至少一个润湿辊。根据本发明，润湿辊被布置在比由滚子输送系统的与润湿辊的供给侧相邻的部分所限定的高度（Hu）高出预定的高度偏移（ΔH_A）的高度（Hm）。

Description

用于对基体的下侧进行湿处理的装置

技术领域

本发明涉及一种通过用流体使基体下侧润湿而对平坦的基体（Substrate）进行湿处理的装置；其中该装置包括至少一个润湿站（Benetzungsstation），该润湿站具有用流体使将被处理的并且在输送方向上在处理滚子（Behandlungswalze）上方运动的基体的下侧润湿的至少一个润湿辊（Benetzungswalze）；以及一种具有以相互间隔的方式在输送方向上相继布置的多个输送滚子（Transportrollen）的滚子输送系统（Rollentransportsystem），所述输送滚子包括至少一个润湿辊，该润湿辊是用于沿输送方向输送将被处理的并且放置在输送滚子上的基体。此外，本发明还涉及用于基体的湿处理的这种装置的应用。

背景技术

此类型的装置是已知的，正如例如由本发明申请人所提供的并且在本发明申请人的早先德国专利申请DE 10 2011 081 981中所提供的；利用该装置可以在连续过程中对基体进行处理，并且该装置包括以相互间隔方式在输送方向上相继布置的多个润湿站，这些润湿站各自具有一个或多个润湿辊。滚子输送系统确保将下侧被润湿的基体从一个润湿站水平地输送至下一个润湿站，并且在各自的润湿站上方输送基体。为此目的，滚子输送系统包括以相互间隔方式在水平输送方向上相继布置的多个输送滚子，基体放置在这些输送滚子上并且润湿辊也属于这些输送滚子。所有润湿站的输送滚子（包括润湿辊）放置在这些常规装置中，并且它们的顶侧处于均匀的高度，使得基体始终以水平放置在水平面中的方式在各自的润湿站上方从一个润湿站运动到下一个润湿站。润湿辊与它们的周向表面的底部一起浸泡入处理流体浴中，并且利用它们的旋转的周向表面将处理流体向上运送至基体的下侧。

用于通过用流体使下侧润湿而对平坦的基体进行湿处理的其它装置公开于专利申请公开DE 10 2005 062 527 A1和DE 10 2005 062 528 A1中，其中所述专利文件中的装置具有在水平的基体输送方向上相继布置的多个润湿辊，所述润湿辊具备一个共用的润湿流体箱。这里，相关的连续滚子输送系统的被布置在润湿流体箱外部的所有润湿辊以及输送滚子也全部位于某一相同的高度，以便将被处理基体在润湿辊上方（即以放置在旋转的润湿辊上方的方式）在水平面上输送至润湿流体浴（Benetzungsfluidbad）。

专利申请公开DE 101 28 386 A1公开了一种滚子输送系统，例如可以用于在化学浴（chemischen Bädern）中对电路板进行处理的装置。所述专利文件中所揭示的滚子输送系统具有用于安装特定的输送滚子的特定装置。该装置包括一对侧向的纵构件，该纵构件具有用于各自输送滚子的U形凹槽。将特殊的插入物导入这些凹槽中，所述插入物的内边界壁起辊轴承的作用。

在基体湿处理开始阶段的上述类型装置是用于例如对平坦的基体的下侧并且通常也对侧边（即其纵向和/或横向的侧边）进行蚀刻。为此目的，借助于润湿站，用作为润湿流体的合适的蚀刻溶剂使基体的下侧和任选地其外围润湿。例如，可以以这种方式对用于制造太阳能电池的硅晶片进行蚀刻。在这种情况下，据观察在一些情况下发生不均匀的蚀刻，具体地在输送方向上的晶片后区有更大的蚀刻腐蚀。如果蚀刻工艺是用于太阳能电池晶片的边缘蚀刻，那么这意味着与前边缘相比在后边缘有更大的边缘蚀刻。为了实现更均匀的蚀刻结果，可以想到原则上在例如处理部分的一半之后使晶片围绕其竖直轴线旋转180°并因此使晶片的前边缘与和后边缘换位，并且在此晶片位置继续实施蚀刻工艺的剩余部分。然而，这会需要相应的旋转站。

本发明通过提供一种在基体湿处理开始时所使用的上述类型装置来解决问题；利用该装置可通过相对少的工作用流体获得基体下侧的相对较均匀的润湿，因而例如在蚀刻工艺的情况下，在蚀刻基体的前边缘区和后边缘区中实现相对较均匀的蚀刻腐蚀。本发明的另一个目的是提供一种这种装置的有利应用。

本发明通过提供以下装置而解决了这个问题：该装置是通过用流体使下侧润湿而对平坦的基体进行湿处理的装置，所述装置具有：

—至少一个润湿站，其具有用于用流体使将被处理的并且沿输送方向在润湿辊上方运动的基体的所述下侧润湿的至少一个润湿辊，及

—滚子输送系统，其具有以相互间隔方式沿所述输送方向相继布置的多个输送滚子，其包括至少一个润湿辊，用于沿所述输送方向输送将被处理的且放置在所述输送滚子上的基体；

其特征在于

—所述润湿辊被布置在高度处，其比由所述滚子输送系统的与所述润湿辊的供给侧相邻的那部分所限定的高度高出预定的高度偏移。本发明还通过提供一种具有所述装置的特征的应用来解决这个问题。

在根据本发明的装置中，至少一个润湿辊被布置在比由滚子输送系统的与润湿辊的供给侧相邻的那部分所限定的高度高出预定高度偏移的高度。这具有如下结果：将被处理的基体到达位于低于其高度的高度的润湿辊，随后它们的前边缘接触并抵靠润湿辊或者与润湿辊一起行进，以便然后被提高至其水平并且进一步被输送由此与放置在润湿辊上的基体下侧一起被输送。

试验已表明，以这种方式可以将在基体前区（特别还在基体前边缘处）的使用流体的润湿改进到出乎意料地高程度。因此，前边缘区中的较小程度润湿与经处理基体的后边缘区的较大程度润湿之间的上述非均匀性（正如在上述晶片边缘蚀刻的情况下所观察到的）可以完全地或者至少部分地得到补偿。在太阳能电池晶片下侧的上述湿法蚀刻的情况下，这意味着通过使用根据本发明的装置可以非常均匀地蚀刻晶片。根据本发明的装置的使用能够实现如下效果：在不使用在蚀刻工艺第一部分之后使晶片旋转的旋转站的情况下，在下侧上进行湿法化学蚀刻的硅晶片的前边缘和后边缘获得特别均匀的边缘蚀刻。进一步的有利应用在于例如：对电路板下侧的蚀刻、和对晶片或电路板下侧的清洗处理。

在另一个改进方案中，根据本发明的装置包括在输送方向上相继布置的多个润湿站或润湿辊，在各种情况下滚子输送系统的一个或多个输送滚子被布置在所述润湿站或润湿辊之间。在这种情况下，至少两个润湿辊具有相对于滚子输送系统的与供给侧相邻部分的所述高度偏移。以这种方式，可以相继地多次获得由高度偏移所实现的基体前区润湿的增加。

在具有多个润湿辊的这种装置的另一个构造中，至少两个连续的润湿辊及具有一个或多个输送滚子的滚子输送系统的中间部位于相同高度。因此，以这种方式构造的装置，将具有用于基体前边缘的润湿增加的润湿辊高度偏移的一个或多个处理部与其中润湿辊以常规方式位于和滚子输送系统的与供给侧相邻的部分相同的高度的一个或多个处理部加以合并。可以以任何期望的顺序在基体输送方向上将具有高度偏移的润湿辊和没有高度偏移的润湿辊布置在这种装置中，从而分别获得期望的基体润湿或处理效果。

在另一个构造中，在这种装置中，具有高度偏移润湿辊的更多润湿站被布置在相比在处理路径的出口侧半部中的最后的润湿站最靠前的处理路径的进口侧半部的内部。试验证明，例如对于下侧的蚀刻处理或者太阳能电池晶片的边缘蚀刻，这可以导致有利的蚀刻或边缘蚀刻结果。

在另一个构造中，在根据本发明的具有多个润湿辊的装置中，在各种情况下在两个连续的高度偏移润湿辊之间的距离大于将被处理的基体在输送方向上的长度。这确保将被处理的基体在它到达下一个高度偏移润湿辊之前，完全地通过前述的高度偏移润湿辊。这避免基体的前侧被下一个高度偏移润湿辊提高，同时它仍然进一步放置在前述润湿辊上。此外，这避免了其中基体在到达后高度偏移润湿辊时仍然处于非水平位置（其中润湿辊朝向前部向上倾斜）的情况，由于前述的高度偏移润湿辊而实现此位置。在此倾斜位置，基体的前边缘将会有可能根本不接触抵靠下一个高度偏移润湿辊。

本发明的另一个改进方案中，相对于滚子输送系统的与供给侧相邻的部分的润湿辊高度偏移是在0.1mm和1.5mm之间。可替代地或者另外，此高度偏移大于将被处理的平坦的基体的厚度。试验证明，润湿辊高度偏移的该定量选择导致非常好的均匀润湿或处理结果，尤其是也在对太阳能电池晶片或硅晶片的下侧进行蚀刻的情况下。

附图说明

在附图和下文中的详细说明中，对本发明的有利示例性实施例进行了说明。在附图中：

图1示出了具有多个润湿站的经过用于基体湿处理的装置的一部分的示意性纵剖视图，

图2示出了图1的装置部件的示意性侧视图，

图3示出了具有多个润湿站的、用于基体湿处理的另一个装置的示意性侧视图。

具体实施方式

图1和图2示出了通过利用多个润湿站B_A、B_B用流体使下侧润湿而对平坦的基体S1、S2进行湿处理的装置的在此所关心的部件。滚子输送系统的功用是在连续过程中在水平输送方向TR上使将被处理的基体S1、S2相继运动至两个润湿站B_A、B_B示出为所属于的各种站。根据要求，可以以常规方式提供用于实施基体S1、S2的其它处理步骤的在润湿站B_A、B_B上游和/或下游位置的其它站。基体S1、S2可以是用于制造太阳能电池或者可替代地其它平坦的基体（诸如电路板等）的硅晶片，在这种连续工艺中对这些硅晶片进行常规处理，并且意图是经历流体处理，例如蚀刻处理或清洗处理。

所述滚子输送系统包括多个输送滚子T1、T2、…、T7、W_A、W_B，这些输送滚子以相互间隔的方式在输送方向TR上相继地布置，并且利用这些输送滚子可以使放置在输送滚子上的基体S1、S2在输送方向TR上运动。为此目的，输送滚子T1至T7、W_A、W_B具备横向延伸至输送方向TR的水平纵向轴线，并且被安装在各自滚子纵向构件的两侧上，因而在图1和图2的视图中能够分别从内侧和外侧看见一个滚子纵向构件1。从其顶侧各自的滚子纵向构件1具备U形的切口或凹槽L1、…、L7，轴承插入物被导入承载用于各自输送滚子T1至T7的轴承的这些凹槽中。这种输送滚子装置在本质上是例如从上述DE 101 28 386 A1中获知，可参考该专利而获得进一步的细节内容。

各自润湿站B_A、B_B包括处理流体浴，并且在图示的实例中，这里未更详细示出的以常规方式布置的单独润湿辊W_A、W_B是在处理流体浴的上方，以便润湿辊与其周向的底部浸泡入处理流体浴中。润湿辊W_A、W_B连同不具有润湿功能的剩余的输送滚子T1至T7属于滚子输送系统的输送滚子；类似的输送滚子T1至T7具备横向地延伸至输送方向TR的水平纵向轴线，并且同样地在它们的端部被安装在各自的滚子纵向构件1上。为此目的，滚子纵向构件1再次具有在凹槽L_A、L_B中的合适的轴承插入物。非润湿输送滚子T1至T7及润湿辊W_A、W_B都被设置成以常规方式利用相关的驱动装置而旋转。输送滚子T1至T7的旋转导致在输送方向TR上的基体输送，另外润湿辊W_A、W_B的旋转确保将处理流体从润湿辊W_A、W_B周向的处理流体浴中向上取出并且使在润湿辊上方运动的基体S1、S2的下侧润湿，其中润湿辊W_A、W_B的顶侧与基体下侧接触，例如沿后者的辊。这种润湿站在本质上对于本领域技术人员是已知的，例如采用申请人的相应产品的形式，并且描述于申请人的上述早先德国专利申请10 2011 081981中；可参考该专利申请而获得进一步的详细内容。

典型地，在图1和图2中所示的装置中，在各种情况下润湿辊W_A、W_B是以相对于滚子输送系统的与供给侧相邻的部分向上高度偏移的方式而布置。具体地，滚子输送系统的部分（所述部分位于首先显示且包括显示为最向前的两个输送滚子T1、T2的润湿站B_A的上游）位于高度Hu处，其是在比润湿辊W_A的高度低高度偏移ΔH_A的水平Hm中，即Hm=Hu+ΔH_A。术语“高度”应当被理解成表示在各种情况下，输送滚子T1至T7或者润湿辊W_A、W_B的顶侧的水平，即处在它们的旋转在周向/侧向表面的最高点处的辊T1至T7或者辊W_A、W_B的水平。因此，在各种情况下此高度对应于放置在辊T1至T7或辊W_A、W_B上的基体S1、S2的下侧的高度。

滚子输送系统的中心部（所述中心部包括在两个润湿站B_A、B_B之间的三个输送滚子T3、T4、T5）处于与位于其上游位置的润湿站B_A的润湿辊W_A相同的高度，即输送滚子T3、T4和T5具有与润湿辊W_A相同的顶侧水平Hm。相反，在滚子输送系统的这一中心部之后的第二润湿站B_B的润湿辊W_B相应地具有可预定的向上高度偏移ΔH_B，即润湿辊W_B的顶侧水平处于高度Ho=Hm+ΔH_B。滚子输送系统的第三部（所述第三部在输送方向TR上与第二润湿站B_B相邻并且包括输送滚子T6和T7）是处于与位于其上游位置的润湿辊W_B相同的高度Ho。

根据本发明的各自润湿辊W_A、W_B相对于位于上游位置的部分（即滚子输送系统的与的供给侧相邻的部分）的高度偏移ΔH_A、ΔH_B具有如下结果：基体S1、S2向上运动到特定的润湿辊W_A、W_B并且利用前边缘区V行进或者接触抵靠旋转的润湿辊W_A、W_B，然后被后者携带到升高的水平。图1和图2示出了如下的情况：其中后基体S1仅接触抵靠第一润湿辊W_A的其前边缘区V，同时利用第二润湿辊W_B将前基体S2的前边缘区V提高到其较高的水平Ho。

当然，各自的润湿辊W_A、W_B相对于滚子输送系统的与供给侧相邻的部分的高度偏移ΔH_A、ΔH_B始终被选择成小于、优选地远小于润湿辊W_A、W_B的半径，以便导入的基体与靠近顶侧的辊的周向区中的润湿辊W_A、W_B接触，并且可以沿所述润湿辊W_A、W_B被携带并且被所述润湿辊W_A、W_B顺利地提高。优选地，基体的前边缘撞击润湿辊W_A、W_B的点是处于从圆形辊截面的中点起所测量的相对于竖直方向小于60°优选地小于45°的角度。然后，辊高度偏移ΔH_A、ΔH_B仍然充分地小于润湿辊半径。在优选实施例中，各自的高度偏移ΔH_A、ΔH_B是在0.1mm和1.5mm之间，其中可以将这两个值ΔH_A和ΔH_B选择成是相同或不同的。另外，高度偏移ΔH_A、ΔH_B可以与将被处理的平坦的基体S1、S2的厚度协调，例如因此其大于基体的厚度。为了使高度偏移可清楚地辨别，在图1和图2中以放大的方式示出了该高度偏移，该高度偏移未按比例绘制。

在图1和图2中的实例中，输送滚子T1至T7及润湿辊W_A、W_B的高度是单独地由滚子纵向构件1中的相关竖直凹槽L1至L7的深度所设定。这意味着将中心输送滚子T3、T4、T5以及第一润湿辊W_A的凹槽L3、L4、L5、L_A的深度选择成小于在进口侧上的两个输送滚子T1、T2的凹槽L1、L2的深度达到高度偏移ΔH_A。类似地，将第二润湿辊W_B及最后两个输送滚子T6、T7的凹槽L_B、L6、L7的深度选择成小于在上游方向滚子输送系统的相邻的部分的输送滚子T3、T4、T5的凹槽L3、L4、L5的深度达到高度偏移ΔH_B。可以将同样构造的轴承插入物导入具有不同深度的凹槽L1至L7、L_A、L_B中。在图2中，示出了用于提供各自高度偏移的用于轴承插入物的凹槽L1至L7、L_A、L_B的不同深度，这些凹槽未按比例绘制并且以放大的方式再现了高度偏移的大小。在一个替代实施例中，以相同深度将所有凹槽导入滚子纵向构件中，并且使用具有所提供的安装水平的相应高度偏移的不同构造的轴承插入物，从而实现输送滚子T1至T7及润湿辊W_A、W_B的高度偏移。

作为在接触或行进抵靠相对于供给侧输送水平而向上高度偏移的润湿辊W_A、W_B的下侧上的被润湿基体S1、S2的前边缘区V的结果，沿此前基体区V通过使润湿辊W_A、W_B旋转而承载并提高，用处理流体可以使基体S1、S2的润湿程度增强或者均质化。这确保基体S1、S2的前边缘区V直接地成为与润湿辊W_A、W_B接触并且在特定的运动路径上仍然保持与润湿辊W_A、W_B接触，具体地从其接触抵靠润湿辊W_A、W_B的点直到它到达润湿辊W_A、W_B的最高点（即逆转点）。

试验已证明，以这种方式可以出人意料地恰当地抵消对前边缘区V中的基体下侧的过少润湿。因此，可以获得在基体整个下侧上相对均匀的润湿结果。具体地，在用于边缘蚀刻的硅晶片下侧的湿法化学蚀刻的应用中，能够同时在前边缘区V和在输送方向TR上与前边缘区相反的后边缘区中实现均匀的边缘蚀刻。为了在处理路径中使前和后边缘区换位并且以这种方式确保在前和后边缘区域中更均匀的蚀刻结果，可以通过使用根据本发明的装置而省略用于使晶片旋转的旋转站的上述使用。

特别在硅晶片下侧的湿法蚀刻的情况下，通过提高在各自的向上高度偏移润湿辊上方的经处理平坦的基体的前边缘区而获得的略微倾斜的位置具有其它的优点。常常将流体掩膜（例如水掩膜）涂覆于基体顶侧从而保护此侧免受涂覆到下侧的蚀刻流体的影响。在达到高度偏移润湿辊之后的基体的略微升高可靠地防止在顶侧上的一部分流体掩膜到达到此润湿辊上并且以不期望的方式在那里稀释处理流体。相反，在顶侧上的流体掩膜可以在基体后边缘的方向上流掉。

尽管图1和图2示出了具有带高度偏移润湿辊W_A、W_B的两个润湿站B_A、B_B的装置部件，但当然本发明还包括仅具有一个具有润湿辊高度偏移的润湿站、或者多于两个的这种润湿站的装置。在图示的实例中，各润湿站B_A、B_B包括单独的润湿辊W_A、W_B。当然，在本发明的替代实施例中，各自的润湿站也可具有多个润湿辊，这些润湿辊浸泡入例如普通的处理流体浴中，其中多个润湿辊的可根据需要所选择的全部或者仅一个部件可具备高度偏移。

优选地，具有高度偏移的两个连续的润湿辊之间的距离大于在输送方向TR上的将被处理的基体的长度。这确保在离开前润湿辊之后，在它们达到具有高度偏移的后面的润湿辊之前，基体在还是两个高度偏移润湿辊之间的一个或多个输送滚子上开始呈现它们的精确的水平位置。

图3示意性地示出了用于基体的湿处理的装置，该装置可以用于例如对太阳能电池硅晶片下侧进行湿法蚀刻。为此目的，在这里是感兴趣的并且示于图3中的其处理部中，该装置具有上面参照图1和图2所描述的润湿站B_A、B_B类型的十二个润湿站B1至B12；各润湿站具有润湿辊W1至W12、以及上面参照图1和图2所描述的滚子输送系统的滚子输送系统，其中为了清楚起见在图3中已将非润湿输送滚子省略。正如上面对图1和图2中的装置所描述的，这些输送滚子（包括润湿辊W1至W12）被安装在侧向的滚子纵向构件上，其中的一个滚子纵向构件1’可以在图3的示图中看见。具体地，为此目的滚子纵向构件1’再次具备插孔或切口，这些插孔或切口是用于输送滚子的合适的轴承插入物已从它们的顶侧竖直导入。正如上面关于图1和图2的示例性实施例中所描述的，这里也对滚子纵向构件1’中的切口及被导入所述切口的插入物进行选择，使得在各自情况下安装在切口上的输送滚子具有期望的高度。

图3中所示的用于平坦的基体下侧进行湿处理或湿法蚀刻的装置的处理部件具有相继布置的多个处理部P1至P5，所述处理部P1至P5各自包括润湿站B1至B12中的一个或多个，这些润湿站的润湿辊处于相同高度并且相对于各自的前述处理部的润湿辊高度而提高。在图3中，不同的高度是由用于相关的处理部P1至P5及用于滚子输送系统的相邻部分E、Z的相应的数值数据所表示。

具体地，在滚子输送系统的进口侧部E之后的是第一处理部P1，该处理部P1包括第一润湿站B1。与预定的零参考高度相比，在进口侧部E中的输送滚子处于下降达-1.25mm的高度。相反，第一润湿站B1的紧邻的润湿辊W1以及第一处理部P1中的相邻输送滚子的高度被升高达0.5mm，即处于-0.75mm。这对应于在图1和图2的实例中的高度偏移ΔH_A。在第一处理部P1之后的是第二处理部P2，该第二处理部P2包括后面的三个润湿站B2、B3、B4，并且分别在输送滚子之后的润湿辊W2、W3、W4的高度再次相对于第一处理部P1的高度被向上偏移达0.5mm，即处于-0.25mm。因此，第二处理部P2的润湿辊W2相对于与供给侧（其具有第一处理部P1的输送滚子）相邻的输送滚子部的高度偏移再次出现在第二处理部P2的最靠前的润湿站B2的位置处。这对应于在图1和图2的实例中的第二润湿站B_B的高度偏移ΔH_B。

在输送方向TR上的在第二处理部P2之后的是第三处理部P3，该第三处理部P3包括后继的两个润湿站B5、B6，并且这两个润湿站的高度相对于前述处理部P2相应地向上偏移达0.5mm，即处于+0.25mm。这相应地导致前润湿站B5的润湿辊W5相对于位于处理部P2的上游位置输送滚子的高度偏移。以类似的方式，在第三处理部P3之后的是第四处理部P4，该第四处理部P4具有后继的三个润湿站B7、B8、B9并且在第四处理部P4之后的是具有最后三个润湿站B10、B11、B12的第五处理部P5，润湿站B10、B11、B12各自相应地具有0.5mm的相对于前述处理部的向上高度偏移。在最后处理部P5之后的是滚子输送系统的输出侧部Z，其中基体输送高度以分步骤的方式在三个步骤中减少，在各种情况下这些步骤是由从最后处理部P5的+1.25mm的升高高度经由在+1.0mm和+0.5mm的中间高度到0mm的零参考水平的至少一个输送滚子所构成。在图3中所示滚子输送系统的出口侧的部分Z可以是例如后面的清洗模块的供给部，其中残留在基体上的任何处理流体被清洗掉。

这导致用于用图3中的工艺部件进行处理的基体的以下处理步骤。在滚子输送系统的进口侧部E中，将基体从-1.25mm的降低高度向上引导至第一润湿辊W1，该第一润湿辊W1与降低高度相比向上偏移达0.5mm，并且在基体的前边缘区中由于高度偏移而被所述润湿辊W1润湿到提高的程度，如上所述。基体在润湿辊W1上方行进并且第一次用处理流体使其下侧润湿。随后，它进行至第二润湿辊W2，该第二润湿辊相应地具有高度偏移，该第二润湿辊的下侧被第二次润湿，再次由于高度偏移而使前边缘获得增加的润湿。随后，基体以通常的方式在后继的两个润湿辊W3和W4上方进行，从而在各种情况下以常规的方式在没有润湿辊高度偏移的情况下被第三和第四次润湿。然后，基体行进到第五润湿辊W5，该第五润湿辊W5相应地具有高度偏移，在此处其第三次受到前边缘的增加润湿，从而随后在没有前边缘的增加润湿的情况下被润湿辊W6再一次润湿，该润湿辊不具有相对于前一个输送滚子的高度偏移。从此位置，基体行进到第七润湿辊W7，该第七润湿辊W7相应地具有高度偏移，并且基体在其中被第四次润湿并且使前边缘获得增加的润湿。接下来的是下一个润湿辊W8和W9的两次润湿操作，这两个润湿辊W8和W9不具有高度偏移。然后，基体行进到位于第五处理部P5开始处的最后的高度偏移润湿辊W10，并且经历润湿并且在此处前边缘最后一次获得增加的润湿。接下来的是两个通常的润湿操作，没有润湿辊W11和W12的前边缘的增加的润湿。这结束了润湿处理并且基体行进到滚子输送系统的出口侧Z，经过两个中间阶段从+1.25mm的提高高度到达0mm的参考高度。

正如从图3中以及以上陈述中可以看出的，具有高度偏移润湿辊的更多润湿站具备从第一润湿站B1延伸至最后润湿站B12的处理路径前半部分，与在出口侧的后半部分相比所述前半部分是在输送方向TR上的前部。具体地，具有高度偏移润湿辊W1、W2、W5的三个润湿站B1、B2、B5被设置在包括前三个处理部P1、P2、P3的前半部分中，并且具有高度偏移润湿辊W7、W10的仅两个润湿站B7、B10被设置在出口侧的前半部分中。这有利于在处理期间基体前边缘区的增加的润湿，各自基体的处理期暂时地从到达第一润湿辊W1直到离开最后的润湿辊W12。当然具有高度偏移润湿辊的润湿站以及不具有高度偏移润湿辊的润湿站的顺序可以根据需要以与各自的应用协调的方式而适当地设定。这同样适用于特定的高度偏移的量。在图3的实例中，高度偏移始终为0.5mm，但在本发明的替代实施例中高度偏移了具有任何其它期望的值，例如在0.1mm至1.5mm的范围内，并且必要时也可以设定为不同的值，尤其是对于沿处理路径的不同的润湿站。

Claims (7)

1.通过用流体使下侧润湿而对平坦的基体（S1、S2）进行湿处理的装置，所述装置具有：

—至少一个润湿站（B_A、B_B），其具有用于用流体使将被处理的并且沿输送方向（TR）在润湿辊上方运动的基体的所述下侧润湿的至少一个润湿辊（W_A、W_B），及

—滚子输送系统，其具有以相互间隔方式沿所述输送方向相继布置的多个输送滚子（T1至T7、W_A、W_B），其包括至少一个润湿辊，用于沿所述输送方向输送将被处理的且放置在所述输送滚子上的基体（S1、S2）；

其特征在于

—所述润湿辊（W_A、W_B）被布置在高度（Hm、Ho）处，其比由所述滚子输送系统的与所述润湿辊的供给侧相邻的那部分所限定的高度（Hu、Hm）高出预定的高度偏移（ΔH_A、ΔH_B）。

2.如权利要求1所述的装置，其特征还在于，所述至少一个润湿站包括沿所述输送方向相继布置的多个润湿站（B_A、B_B）或润湿辊，在各种情况下所述滚子输送系统的一个或多个输送滚子（T3、T4、T5）被布置在所述润湿站（B_A、B_B）或润湿辊之间，其中在各种情况下所述润湿辊的至少两个被布置在比所述滚子输送系统的与所述润湿辊的所述供给侧相邻的那部分的高度（Hu、Hm）高出预定量（ΔH_A、ΔH_B）的高度（Hm、Ho）处。

3.如权利要求2所述的装置，其特征还在于，至少两个连续的润湿辊（W2、W3）被布置在与所述滚子输送系统的中间部的高度相同的一个相同的高度处。

4.如权利要求3所述的装置，其特征还在于，布置在从最靠前到最后一个润湿辊（W1至W12）的处理路径的进口侧半部内的具有高度偏移的润湿辊比在所述处理路径的出口侧半部内的多。

5.如权利要求2至4中任一项所述的装置，其特征还在于，在各种情况下，两个连续的具有高度偏移的润湿辊之间的距离大于在所述输送方向上将被处理的所述基体的长度。

6.如权利要求1至4中任一项所述的装置，其特征还在于，所述润湿辊高度偏移是在0.1mm和1.5mm之间并且/或者大于所述平坦的基体的厚度。

7.如权利要求1至6中任一项所述的装置的应用，其用于电路板或硅晶片的下侧的清洗处理或下侧的湿法化学蚀刻。