CN105097295B - 一种高性能微型超级电容器及其制备方法 - Google Patents

一种高性能微型超级电容器及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN105097295B
CN105097295B CN201510437564.6A CN201510437564A CN105097295B CN 105097295 B CN105097295 B CN 105097295B CN 201510437564 A CN201510437564 A CN 201510437564A CN 105097295 B CN105097295 B CN 105097295B
Authority
CN
China
Prior art keywords
ruthenium
ultracapacitor
substrate
deposition
basis
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201510437564.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105097295A (zh
Inventor
麦立强
肖蓓
石孟竹
田晓聪
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Wuhan University of Technology WUT
Original Assignee
Wuhan University of Technology WUT
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Wuhan University of Technology WUT filed Critical Wuhan University of Technology WUT
Priority to CN201510437564.6A priority Critical patent/CN105097295B/zh
Publication of CN105097295A publication Critical patent/CN105097295A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105097295B publication Critical patent/CN105097295B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E60/00—Enabling technologies; Technologies with a potential or indirect contribution to GHG emissions mitigation
    • Y02E60/13—Energy storage using capacitors

Landscapes

  • Electric Double-Layer Capacitors Or The Like (AREA)

Abstract

本发明涉及一种氧化钌修饰硫化钴纳米片异质结构的高性能微型超级电容器，包括有基底，其上沉积有集流体金属形成叉指电极，其特征在于所述的叉指电极负载有氧化钌修饰纳米片状硫化钴的电极材料。本发明的有益效果是：对于改善电容器能量密度低的问题，采用纳米片状的硫化钴增加电极材料与电解液的接触，提高二者之间电荷转移的效率，表面修饰的氧化钌，拥有良好的赝电容特性，可以储存更多电荷，提高器件的容量，二者相互组合的异质结构实现了超级电容器能量密度的进一步提高。

Description

一种高性能微型超级电容器及其制备方法
技术领域
本发明涉及一种氧化钌修饰硫化钴纳米片异质结构的高性能微型超级电容器。
背景技术
由于石油资源日趋短缺，并且燃烧石油的内燃机尾气排放对环境的污染越来越严重(尤其是在大、中城市)，人们都在研究替代内燃机的新型能源装置。已经进行混合动力、燃料电池、化学电池产品及应用的研究与开发，取得了一定的成效。但是由于它们固有的使用寿命短、温度特性差、化学电池污染环境、系统复杂、造价高昂等致命弱点，一直没有很好的解决办法。而超级电容器以其优异的特性扬长避短，可以部分或全部替代传统的化学电池用于车辆的牵引电源和启动能源，并且具有比传统的化学电池更加广泛的用途。正因为如此，世界各国(特别是西方发达国家)都不遗余力地对超级电容器进行研究与开发。
超级电容器根据储能机理的不同，可分为双电层电容和赝电容。双电层电容的产生主要基于电极/电解液界面上载流子分离所产生的双电层电容，如碳电极电容器；赝电容器电容的产生是基于电活性离子在贵金属电极表面发生欠电位沉积，或在贵金属氧化物电极表面发生氧化还原反应而产生的吸附电容。
现有研究中，无论是双电层电容还是赝电容，提高电容器容量的有效方法都是提高电极材料的比表面积。双电层电容器通常采用高比表面积的活性碳；赝电容器通常采用纳米粒度的金属氧化物。但是，电极材料内只有能够与电解质接触的微孔表面才能产生电容，现有的双电层电容器和赝电容器的不足在于，多孔电极表面积的主要部分是微孔，由于电解质溶液表面张力的作用，使电解质溶液很难进入到多孔电极的微孔内，导致电极材料表面积利用率低，甚至产生有的碳电极材料比表面积很大，但制成电容器后电容却不大的现象。因此，研究氧化钌修饰硫化钴纳米片异质结构的高性能储能器件具有重要意义。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是针对上述现有技术而提出一种氧化钌修饰硫化钴纳米片异质结构的高性能微型超级电容器，拥有良好的赝电容特性，可以储存更多电荷，提高器件的容量，实现了超级电容器能量密度的进一步提高。
为了实现上述目的，本发明的技术方案是：高性能微型超级电容器，包括有基底，其上沉积有集流体金属形成叉指电极，其特征在于所述的叉指电极负载有氧化钌修饰纳米片状硫化钴的电极材料。
按上述方案，所述的负载有氧化钌修饰纳米片状硫化钴是通过电聚合沉积得到氢氧化钴纳米片，再将其置入硫化钠水溶液中硫化，最后再次通过电聚合沉积氧化钌即得。
按上述方案，所述的电聚合沉积的沉积时间范围为300至500s。
按上述方案，所述的硫化时间范围为0.5至4小时，硫化温度75℃。
按上述方案，所述的基底可为下述材料中的一种：PET、硅基片、玻璃基片和PEN。
按上述方案，所述的叉指电极的宽度范围为100至200微米。
所述的高性能微型超级电容器的制备方法，其特征在于：包括有以下步骤：
1)清洁基底；
2)在步骤1)的基础上，通过匀胶机在基底上涂布光刻胶，烘烤；
3)在步骤2)的基础上，通过光刻蚀技术在匀过胶的基底上制备出电极沟槽；
4)在步骤3)的基础上，通过物理气相沉积(PVD)制备出所有的叉指电极；
5)在步骤4)的基础上，将带有叉指电极的基底于去胶液中浸泡，去除光刻胶；
6)在步骤5)的基础上，利用电化学测试系统对步骤4)所得器件采用恒压电聚合沉积法沉积氢氧化钴；
7)在步骤6)的基础上，将器件置入硫化钠水溶液中硫化；
8)在步骤7)的基础上，利用电化学测试系统对器件采用循环伏安法电沉积氧化钌。
本发明的有益效果是：对于改善电容器能量密度低的问题，采用纳米片状的硫化钴增加电极材料与电解液的接触，提高二者之间电荷转移的效率，表面修饰的氧化钌，拥有良好的赝电容特性，可以储存更多电荷，提高器件的容量，二者相互组合的异质结构实现了超级电容器能量密度的进一步提高。
附图说明
图1是实施例1构筑高性能微型超级电容器的流程图；
图2是实施例1高性能微型超级电容器的SEM图；
图3是实施例1高性能微型超级电容器的循环伏安图。
具体实施方案
为了更好地理解本发明，下面结合实施例进一步阐明本发明的内容，但本发明的内容不仅仅局限于下面的实施例。
实施例1：
如图1所示，氧化钌修饰硫化钴纳米片异质结构的高性能微型超级电容器的制备方法，包括如下步骤：
1、选择硅基片，将硅基片切成适当的尺寸，然后用异丙醇(IPA)超声清洗硅片约3min，用氮气吹干；
2、使用旋涂仪在基片上旋涂一层9000A，旋涂的转速为4000r/min，旋涂时间为40s，匀胶之后使用电热板烘烤，100℃，15min；
3、使用光刻机在旋涂好的硅片上刻蚀叉指电极图样，曝光时间28s；
4、显影：将光刻蚀过的基片先放在RD6显影液中浸泡90s，再放入去离子水中浸泡30s，再放入第二份去离子水中浸泡30s，氮气吹干；
5、金属热蒸发(PVD)：使用热蒸发镀膜仪蒸镀金属，制得叉指电极，叉指宽度100nm，Ti/Au(3nm/17nm)；
6、光刻胶剥离：将蒸镀有金属的基片放在SU8去胶液中静置3h，使9000A全部剥离，然后再用SU8的去胶液超声清洗5分钟，将电极间的光刻胶全部去除干净；
7、氢氧化钴的沉积：用银浆将基片的两电极引线连接起来，并使用电化学工作站进行恒压电沉积，恒压-1V，沉积时间300s，电解液为配制的0.025M硝酸钴溶液；
8、氢氧化钴的硫化：将电沉积氢氧化钴的片放入0.1M硫化钠水溶液中，75℃硫化1h；
9、氧化钌的沉积：使用电化学工作站对硫化过的片进行循环伏安扫描，扫描电压是(-0.2-1.0V)，扫速是0.01V/s，电解液为配制的0.005M三氯化钌溶液。用三电极循环伏安法循环10次；
10、性能测试：将连接两电极间的银浆刮离，使两电极分开，然后将基片置于探针台内，并在电极上滴加1mL电解液，1mol/L的稀硫酸，调用程序进行测试。
对器件进行扫描电镜测试，如图2所示，花片状的硫化钴上负载了许多颗粒状氧化钌，二者共同构成一种片花状纳米多孔三维结构，用1M硫酸作为电解液进行电化学测试，如图3所示，测试电压区间(0-0.8V)，氧化钌修饰硫化钴纳米片异质结构的高性能微型超级电容器的体积比容量为37.3F/cm3，性能比未修饰氧化钌的储能器件要提高许多。
实施例2：
氧化钌修饰硫化钴纳米片异质结构的高性能微型超级电容器的制备方法，包括如下步骤：
1、选择硅基片，将硅基片切成适当的尺寸，然后用异丙醇(IPA)超声清洗硅片约3min，用氮气吹干；
2、使用旋涂仪在基片上旋涂一层9000A，旋涂的转速为4000r/min，旋涂时间为40s，匀胶之后使用电热板烘烤，100℃，15min；
3、使用光刻机在旋涂好的硅片上刻蚀叉指电极图样，曝光时间28s；
4、显影：将光刻蚀过的基片先放在RD6显影液中浸泡90s，再放入去离子水中浸泡30s，再放入第二份去离子水中浸泡30s，氮气吹干；
5、金属热蒸发(PVD)：使用热蒸发镀膜仪蒸镀金属，制得叉指电极，叉指宽度100nm，Ti/Au(3nm/17nm)；
6、光刻胶剥离：将蒸镀有金属的基片放在SU8去胶液中静置3h，使9000A全部剥离，然后再用SU8的去胶液超声清洗5分钟，将电极间的光刻胶全部去除干净；
7、氢氧化钴的沉积：用银浆将基片的两电极引线连接起来，并使用电化学工作站进行恒压电沉积，恒压-1V，沉积时间400s，电解液为配制的0.025M硝酸钴溶液；
8、氢氧化钴的硫化：将电沉积氢氧化钴的片放入0.1M硫化钠水溶液中，75℃硫化1h；
9、氧化钌的沉积：使用电化学工作站对硫化过的片进行循环伏安扫描，扫描电压是(-0.2-1.0V)，扫速是0.01V/s，电解液为配制的0.005M三氯化钌溶液；用三电极循环伏安法循环10次；
10、性能测试：将连接两电极间的银浆刮离，使两电极分开，然后将基片置于探针台内，并在电极上滴加1mL电解液，1mol/L的稀硫酸，调用程序进行测试。
对器件进行扫描电镜测试，花片状的硫化钴上负载了许多颗粒状氧化钌，二者共同构成一种片花状纳米多孔三维结构，用1M硫酸作为电解液进行电化学测试，测试电压区间(0-0.8V)，氧化钌修饰硫化钴纳米片异质结构的高性能微型超级电容器的体积比容量为35.3F/cm3，性能比未修饰氧化钌的储能器件要提高许多。
实施例3：
氧化钌修饰硫化钴纳米片异质结构的高性能微型超级电容器的制备方法，包括如下步骤：
1、选择硅基片，将硅基片切成适当的尺寸，然后用异丙醇(IPA)超声清洗硅片约3min，用氮气吹干；
2、使用旋涂仪在基片上旋涂一层9000A，旋涂的转速为4000r/min，旋涂时间为40s，匀胶之后使用电热板烘烤，100℃，15min；
3、使用光刻机在旋涂好的硅片上刻蚀叉指电极图样，曝光时间28s；
4、显影：将光刻蚀过的基片先放在RD6显影液中浸泡90s，再放入去离子水中浸泡30s，再放入第二份去离子水中浸泡30s，氮气吹干；
5、金属热蒸发(PVD)：使用热蒸发镀膜仪蒸镀金属，制得叉指电极，叉指宽度100nm，Ti/Au(3nm/17nm)；
6、光刻胶剥离：将蒸镀有金属的基片放在SU8去胶液中静置3h，使9000A全部剥离，然后再用SU8的去胶液超声清洗5分钟，将电极间的光刻胶全部去除干净；
7、氢氧化钴的沉积：用银浆将基片的两电极引线连接起来，并使用电化学工作站进行恒压电沉积，恒压-1V，沉积时间300s，电解液为配制的0.025M硝酸钴溶液；
8、氢氧化钴的硫化：将电沉积氢氧化钴的片放入0.1M硫化钠水溶液中，75℃硫化0.5h；
9、氧化钌的沉积：使用电化学工作站对硫化过的片进行循环伏安扫描，扫描电压是(-0.2-1.0V)，扫速是0.01V/s，电解液为配制的0.005M三氯化钌溶液；用三电极循环伏安法循环10次；
10、性能测试：将连接两电极间的银浆刮离，使两电极分开，然后将基片置于探针台内，并在电极上滴加1mL电解液，1mol/L的稀硫酸，调用程序进行测试。
对器件进行扫描电镜测试，花片状的硫化钴上负载了许多颗粒状氧化钌，二者共同构成一种片花状纳米多孔三维结构，用1M硫酸作为电解液进行电化学测试，测试电压区间(0-0.8V)，氧化钌修饰硫化钴纳米片异质结构的高性能微型超级电容器的体积比容量为36.5F/cm3，性能比未修饰氧化钌的储能器件要提高许多。
实施例4：
氧化钌修饰硫化钴纳米片异质结构的高性能微型超级电容器的制备方法，包括如下步骤：
1、选择硅基片，将硅基片切成适当的尺寸，然后用异丙醇(IPA)超声清洗硅片约3min，用氮气吹干；
2、使用旋涂仪在基片上旋涂一层9000A，旋涂的转速为4000r/min，旋涂时间为40s，匀胶之后使用电热板烘烤，100℃，15min；
3、使用光刻机在旋涂好的硅片上刻蚀叉指电极图样，曝光时间28s；
4、显影：将光刻蚀过的基片先放在RD6显影液中浸泡90s，再放入去离子水中浸泡30s，再放入第二份去离子水中浸泡30s，氮气吹干；
5、金属热蒸发(PVD)：使用热蒸发镀膜仪蒸镀金属，制得叉指电极，叉指宽度100nm，Ti/Au(3nm/17nm)；
6、光刻胶剥离：将蒸镀有金属的基片放在SU8去胶液中静置3h，使9000A全部剥离，然后再用SU8的去胶液超声清洗5分钟，将电极间的光刻胶全部去除干净；
7、氢氧化钴的沉积：用银浆将基片的两电极引线连接起来，并使用电化学工作站进行恒压电沉积，恒压-1V，沉积时间300s，电解液为配制的0.025M硝酸钴溶液；
8、氢氧化钴的硫化：将电沉积氢氧化钴的片放入0.1M硫化钠水溶液中，75℃硫化1h；
9、氧化钌的沉积：使用电化学工作站对硫化过的片进行循环伏安扫描，扫描电压是(-0.2-1.0V)，扫速是0.01V/s，电解液为配制的0.005M三氯化钌溶液；用三电极循环伏安法循环10次；
10、性能测试：将连接两电极间的银浆刮离，使两电极分开，然后将基片置于探针台内，并在电极上滴加1mL电解液，1mol/L的H3PO4，调用程序进行测试。
对器件进行扫描电镜测试，花片状的硫化钴上负载了许多颗粒状氧化钌，二者共同构成一种片花状纳米多孔三维结构，用1MH3PO4作为电解液进行电化学测试，测试电压区间(0-0.8V)，氧化钌修饰硫化钴纳米片异质结构的高性能微型超级电容器的体积比容量为32.2F/cm3，性能比未修饰氧化钌的储能器件要提高许多。
实施例5：
氧化钌修饰硫化钴纳米片异质结构的高性能微型超级电容器的制备方法，包括如下步骤：
1、选择PET基片，将PET基片剪成适当的尺寸，然后用异丙醇(IPA)超声清洗PET基片约3min，用氮气吹干；
2、使用旋涂仪在基片上旋涂一层9000A，旋涂的转速为4000r/min，旋涂时间为40s，匀胶之后使用电热板烘烤，100℃，15min；
3、使用光刻机在旋涂好的硅片上刻蚀叉指电极图样，曝光时间28s；
4、显影：将光刻蚀过的基片先放在RD6显影液中浸泡90s，再放入去离子水中浸泡30s，再放入第二份去离子水中浸泡30s，氮气吹干；
5、金属热蒸发(PVD)：使用热蒸发镀膜仪蒸镀金属，制得叉指电极，叉指宽度100nm，Ti/Au(3nm/17nm)；
6、光刻胶剥离：将蒸镀有金属的基片放在SU8去胶液中静置3h，使9000A全部剥离，然后再用SU8的去胶液超声清洗5分钟，将电极间的光刻胶全部去除干净；
7、氢氧化钴的沉积：用银浆将基片的两电极引线连接起来，并使用电化学工作站进行恒压电沉积，恒压-1V，沉积时间300s，电解液为配制的0.025M硝酸钴溶液；
8、氢氧化钴的硫化：将电沉积氢氧化钴的片放入0.1M硫化钠水溶液中，75℃硫化1h；
9、氧化钌的沉积：使用电化学工作站对硫化过的片进行循环伏安扫描，扫描电压是(-0.2-1.0V)，扫速是0.01V/s，电解液为配制的0.005M三氯化钌溶液；用三电极循环伏安法循环10次；
10、性能测试：将连接两电极间的银浆刮离，使两电极分开，然后将基片置于探针台内，并在电极上滴加1mL电解液，1M稀硫酸，调用程序进行测试。
对器件进行扫描电镜测试，花片状的硫化钴上负载了许多颗粒状氧化钌，二者共同构成一种片花状纳米多孔三维结构，用1M稀硫酸作为电解液进行电化学测试，测试电压区间(0-0.8V)，氧化钌修饰硫化钴纳米片异质结构的高性能微型超级电容器的体积比容量为37.3F/cm3，性能比未修饰氧化钌的储能器件要提高许多。
实施例6：
氧化钌修饰硫化钴纳米片异质结构的高性能微型超级电容器的制备方法，包括如下步骤：
1、选择玻璃基片，将玻璃基片切成适当的尺寸，然后用异丙醇(IPA)超声清洗玻璃基片约3min，用氮气吹干；
2、使用旋涂仪在基片上旋涂一层9000A，旋涂的转速为4000r/min，旋涂时间为40s，匀胶之后使用电热板烘烤，100℃，15min；
3、使用光刻机在旋涂好的硅片上刻蚀叉指电极图样，曝光时间28s；
4、显影：将光刻蚀过的基片先放在RD6显影液中浸泡90s，再放入去离子水中浸泡30s，再放入第二份去离子水中浸泡30s，氮气吹干；
5、金属热蒸发(PVD)：使用热蒸发镀膜仪蒸镀金属，制得叉指电极，叉指宽度150nm，Ti/Au(3nm/17nm)；
6、光刻胶剥离：将蒸镀有金属的基片放在SU8去胶液中静置3h，使9000A全部剥离，然后再用SU8的去胶液超声清洗5分钟，将电极间的光刻胶全部去除干净；
7、氢氧化钴的沉积：用银浆将基片的两电极引线连接起来，并使用电化学工作站进行恒压电沉积，恒压-1V，沉积时间300s，电解液为配制的0.025M硝酸钴溶液；
8、氢氧化钴的硫化：将电沉积氢氧化钴的片放入0.1M硫化钠水溶液中，75℃硫化1h；
9、氧化钌的沉积：使用电化学工作站对硫化过的片进行循环伏安扫描，扫描电压是(-0.2-1.0V)，扫速是0.01V/s，电解液为配制的0.005M三氯化钌溶液；用三电极循环伏安法循环10次；
10、性能测试：将连接两电极间的银浆刮离，使两电极分开，然后将基片置于探针台内，并在电极上滴加1mL电解液，1mol/L的稀硫酸，调用程序进行测试。
对器件进行扫描电镜测试，花片状的硫化钴上负载了许多颗粒状氧化钌，二者共同构成一种片花状纳米多孔三维结构，用1M稀硫酸作为电解液进行电化学测试，测试电压区间(0-0.8V)，氧化钌修饰硫化钴纳米片异质结构的高性能微型超级电容器的体积比容量为35.6F/cm3，性能比未修饰氧化钌的储能器件要提高许多。

Claims (6)

1.高性能微型超级电容器，包括有基底，其上沉积有集流体金属形成叉指电极，其特征在于所述的叉指电极负载有氧化钌修饰纳米片状硫化钴的电极材料，所述的负载有氧化钌修饰纳米片状硫化钴是通过电聚合沉积得到氢氧化钴纳米片，再将其置入硫化钠水溶液中硫化，最后再次通过电聚合沉积氧化钌即得。
2.如权利要求1所述的高性能微型超级电容器，其特征在于：所述的电聚合沉积的沉积时间范围为300至500s。
3.如权利要求1所述的高性能微型超级电容器，其特征在于：所述的硫化时间范围为0.5至4小时，硫化温度75℃。
4.如权利要求1所述的高性能微型超级电容器，其特征在于：所述的基底可为下述材料中的一种：PET、硅基片、玻璃基片和PEN。
5.如权利要求1所述的高性能微型超级电容器，其特征在于：所述的叉指电极的宽度范围为100至200纳米。
6.权利要求1所述的高性能微型超级电容器的制备方法，其特征在于：包括有以下步骤：
1)清洁基底；
2)在步骤1)的基础上，通过匀胶机在基底上涂布光刻胶，烘烤；
3)在步骤2)的基础上，通过光刻蚀技术在匀过胶的基底上制备出电极沟槽；
4)在步骤3)的基础上，通过物理气相沉积(PVD)制备出所有的叉指电极；
5)在步骤4)的基础上，将带有叉指电极的基底于去胶液中浸泡，去除光刻胶；
6)在步骤5)的基础上，利用电化学测试系统对步骤4)所得器件采用恒压电聚合沉积法沉积氢氧化钴；
7)在步骤6)的基础上，将器件置入硫化钠水溶液中硫化；
8)在步骤7)的基础上，利用电化学测试系统对器件采用循环伏安法电沉积氧化钌。
CN201510437564.6A 2015-07-23 2015-07-23 一种高性能微型超级电容器及其制备方法 Active CN105097295B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510437564.6A CN105097295B (zh) 2015-07-23 2015-07-23 一种高性能微型超级电容器及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510437564.6A CN105097295B (zh) 2015-07-23 2015-07-23 一种高性能微型超级电容器及其制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105097295A CN105097295A (zh) 2015-11-25
CN105097295B true CN105097295B (zh) 2017-10-24

Family

ID=54577502

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510437564.6A Active CN105097295B (zh) 2015-07-23 2015-07-23 一种高性能微型超级电容器及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN105097295B (zh)

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106057491B (zh) * 2016-08-17 2018-06-26 武汉理工大学 一种高性能非对称式金属氧化物基微型超级电容器及其制备方法
CN106158411A (zh) * 2016-08-17 2016-11-23 武汉理工大学 一种高性能对称式金属氧化物基微型超级电容器及其制备方法
CN106449134B (zh) * 2016-11-03 2018-10-19 北京大学 一种基于激光图形化的自由式微型超级电容器及制造方法
CN108400019B (zh) * 2017-10-30 2019-09-17 上海幂方电子科技有限公司 柔性微型超级电容器及其制备方法
CN108231436B (zh) * 2017-12-31 2020-02-07 宁波大学 一种微电容的制备方法
CN108922791B (zh) * 2018-06-01 2020-07-14 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种具有纳米织构表面的叉指电极及其制备方法和应用
CN112002560B (zh) * 2020-08-21 2022-03-01 武汉理工大学 基于氮氧化钛/氮化钒纳米线的三维网络结构微型超级电容器的制作方法
CN112485298A (zh) * 2020-11-06 2021-03-12 电子科技大学 一种基于聚偏氟乙烯的柔性湿度传感器的制作方法
CN113936923B (zh) * 2021-08-26 2023-08-01 珠海格力新材料有限公司 一种复合电极材料、制备方法及超级电容器

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1963966A (zh) * 2006-11-29 2007-05-16 大连理工大学 混合型超级电容器
CN101989499A (zh) * 2009-07-29 2011-03-23 美国纳米股份有限公司 非对称电化学超级电容器及其制造方法
CN102424959A (zh) * 2011-11-23 2012-04-25 陕西科技大学 一种微波水热法在ito基板上制备硫化钴薄膜的方法
CN104637694A (zh) * 2015-02-03 2015-05-20 武汉理工大学 多孔石墨烯支撑聚苯胺异质结构基微型超级电容器纳米器件及其制备方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1963966A (zh) * 2006-11-29 2007-05-16 大连理工大学 混合型超级电容器
CN101989499A (zh) * 2009-07-29 2011-03-23 美国纳米股份有限公司 非对称电化学超级电容器及其制造方法
CN102424959A (zh) * 2011-11-23 2012-04-25 陕西科技大学 一种微波水热法在ito基板上制备硫化钴薄膜的方法
CN104637694A (zh) * 2015-02-03 2015-05-20 武汉理工大学 多孔石墨烯支撑聚苯胺异质结构基微型超级电容器纳米器件及其制备方法

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
Biomolecule-assisted synthesis of cobalt sulfide nanowires;Shu-Juan Bao;《Journal of Power Sources》;20080515;第180卷(第1期);676-681 *
Effect of RuO2eCoS2anode nanostructured on performance of H2S electrolytic splitting system;Jonathan Mbah;《International Journal of Hydrogen Energy》;20101031;第35卷(第19期);10094-10101 *

Also Published As

Publication number Publication date
CN105097295A (zh) 2015-11-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN105097295B (zh) 一种高性能微型超级电容器及其制备方法
CN103258656B (zh) 一种基于泡沫镍的超级电容器电极的制备方法及其产品
CN102568865B (zh) 一种基于纸张的柔性超级电容器的制备方法及其应用
US7553341B2 (en) High power density supercapacitors with carbon nanotube electrodes
CN104795252B (zh) 超薄Ti3C2纳米片自组装的超级电容器电极的制备方法
CN102723209B (zh) 一种石墨烯纳米片/导电聚合物纳米线复合材料的制备方法
CN103714978B (zh) 电极片及其制备方法、超级电容器
CN102509635A (zh) 一种基于碳布的柔性超级电容器的制备方法
JPWO2014065241A1 (ja) グラフェン超薄片とその作製装置、作製方法、及びキャパシターとその作製方法
CN109074966A (zh) 用于高电压和太阳能应用的装置和方法
Bai et al. Flexible carbon nanotubes-MnO2/reduced graphene oxide-polyvinylidene fluoride films for supercapacitor electrodes
RU2012111683A (ru) Устройство аккумулирования электроэнергии и его электрод
CN106783203B (zh) 一种二氧化锰/超微孔柔性碳布的制备方法、产品及应用
CN110183655A (zh) 一种二维碳化物晶体基聚酰亚胺有机正极材料的制备方法
CN107601501A (zh) 一种生物质基多孔碳的制备方法及其应用
CN101236841B (zh) 一种电化学超级电容器的制备方法
CN108538821B (zh) 一种与硅基集成电路集成的全固态超级电容及其制备方法
CN104952630A (zh) 具有高柔性和透明性的微型超级电容器及其大规模制备方法
CN107393724A (zh) 一种基于石墨烯/碳纳米管气凝胶的微型超级电容器制作方法
CN108364799A (zh) 一种柔性超级电容器及其制备方法
CN110136994B (zh) 一种高能量密度的纤维状超级电容器及其制备方法
Lee et al. A micromachined photo-supercapacitor integrated with CdS-sensitized solar cells and buckypaper
CN106024414A (zh) 一种无粘结剂的二氧化锰/聚吡咯复合电极、制备方法及其应用
Kulesza et al. Development of solid-state photo-supercapacitor by coupling dye-sensitized solar cell utilizing conducting polymer charge relay with proton-conducting membrane based electrochemical capacitor
CN111085691B (zh) 一种含Co@C结构的介孔活性炭材料及其制备方法与应用

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant