CN105097030A - 存储器的编程校验方法和编程校验装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种存储器的编程校验方法和编程校验装置，以解决编程校验结果不准确的问题。所述的方法包括：发送执行编程校验的数据读取指令，其中数据读取指令用于从选中存储单元中读取数据；依据数据读取指令，所述存储器的电压生成模块为选中存储单元提供预设正电压，并为与选中存储单元在同一位线上的其他存储单元均提供设定负电压，以降低所述其他存储单元的漏电流；存储器的读取放大器读取位线的实际电流；将实际电流与预设电流进行比较，依据比较结果确定所述选中存储单元的编程校验成功与否。降低了所述其他存储单元的漏电流，使得位线上的实际电流更加接近选中存储单元产生的电流，确保编程校验的准确性。
Description
技术领域
本发明涉及存储技术领域，特别是涉及一种存储器的编程校验方法和一种编程校验装置。
背景技术
存储器的存储单元一般处于一个大的存储阵列中，基于存储器的结构特征，同一根位线(BL)上会连接很多(通常有几千个)存储单元。
当选中某一BL线上的一个存储单元进行操作时，在该BL线连接上的其他存储单元虽被选中仍会对该BL线造成影响。存储器的编程校验中，会选中某一BL线上的一个存储单元进行测试，但是由于BL线上的其他存储单元的影响导致该BL线内的电流不准确，从而影响了校验结果。而且随着工艺尺寸的不断缩小，存储单元对BL线的影响变得越来越大，使得编程校验的结果越来越不准确，一些已经编程成功的存储单元可能无法通过编程校验，导致编程效率降低。
发明内容
本发明实施例提供一种存储器的编程校验方法，以解决编程校验结果不准确的问题。
相应的，本发明实施例还提供了一种编程校验装置，用以保证上述方法的实现及应用。
为了解决上述问题，本发明公开了一种存储器的编程校验方法，包括：发送执行编程校验的数据读取指令，其中所述数据读取指令用于从选中存储单元中读取数据；依据所述数据读取指令，所述存储器的电压生成模块为所述选中存储单元提供预设正电压，并为与所述选中存储单元在同一位线上的其他存储单元均提供设定负电压，以降低所述其他存储单元的漏电流；所述存储器的读取放大器读取所述位线的实际电流；将所述实际电流与预设电流进行比较，依据比较结果确定所述选中存储单元的编程校验成功与否。
可选的，所述存储器的电压生成模块为所述选中存储单元提供预设正电压之前，还包括：从所述数据读取指令中获取所述选中存储单元；依据所述存储器的存储阵列查找所述选中存储单元的阵列信息；依据所述阵列信息查找与所述选中存储单元位于同一位线的其他存储单元。
可选的，所述存储器的电压生成模块为所述选中存储单元提供预设正电压，并为与所述选中存储单元在同一位线上的其他存储单元提供设定负电压，包括：所述存储器的电压生成模块在所述选中存储单元的栅极上加载所述预设正电压，以使连接所述选中存储单元的漏极的位线接收所述漏极产生的电流；所述存储器的电压生成模块在所述选中存储单元在同一位线上的其他存储单元的栅极均加载所述设定负电压，以降低连接所述其他存储单元的漏极的位线接收的漏电流。
可选的，还包括：所述存储器的读取放大器的第一输入端读取所述预设电流；所述存储器的读取放大器读取所述位线上的实际电流，包括：所述存储器的读取放大器确定所述选中存储单元的漏极连接的位线，并采用第二输入端读取所述位线上流过的实际电流。
可选的，所述将所述实际电流与预设电流进行比较，依据比较结果确定所述选中存储单元的编程校验通过与否，包括：将所述第二输入端读取的实际电流与所述第一输入端读取预设电流进行比较；当所述实际电流小于或等于所述预设电流时，所述选中存储单元的编程校验成功；当所述实际电流大于所述预设电流时，所述选中存储单元的编程校验失败。
相应的，本发明还公开了一种编程校验装置，包括：发送模块，用于发送执行编程校验的数据读取指令，其中所述数据读取指令用于从选中存储单元中读取数据；电压输入模块，用于依据所述数据读取指令，为所述选中存储单元提供预设正电压，并为与所述选中存储单元在同一位线上的其他存储单元均提供设定负电压，以降低所述其他存储单元的漏电流；电流读取模块，用于读取所述位线的实际电流；校验检测模块，用于将所述实际电流与预设电流进行比较，依据比较结果确定所述选中存储单元的编程校验成功与否。
可选的，还包括：阵列信息确定模块，用于从所述数据读取指令中获取所述选中存储单元；依据所述存储器的存储阵列查找所述选中存储单元的阵列信息；依据所述阵列信息查找与所述选中存储单元位于同一位线的其他存储单元。
可选的，所述电压输入模块，用于在所述选中存储单元的栅极上加载所述预设正电压，以使连接所述选中存储单元的漏极的位线接收所述漏极产生的电流；在所述选中存储单元在同一位线上的其他存储单元的栅极均加载所述设定负电压，以降低连接所述其他存储单元的漏极的位线接收的漏电流。
可选的，所述电流读取模块，还用于触发读取放大器的第一输入端读取所述预设电流；且所述电流读取模块，具体用于触发读取放大器确定所述选中存储单元的漏极连接的位线，并采用第二输入端读取所述位线上流过的实际电流。
可选的，所述校验检测模块，用于将所述第二输入端读取的实际电流与所述第一输入端读取预设电流进行比较；当所述实际电流小于或等于所述预设电流时，所述选中存储单元的编程校验成功；当所述实际电流大于所述预设电流时，所述选中存储单元的编程校验失败。
与现有技术相比，本发明实施例包括以下优点：
综上所述，发送用于从选中存储单元中读取数据的读取指令，依据所述数据读取指令，所述存储器的电压生成模块为所述选中存储单元提供预设正电压，并为与所述选中存储单元在同一位线上的其他存储单元均提供设定负电压，以降低所述其他存储单元的漏电流，使得位线上受漏电流的影响较小，位线上的实际电流更加接近选中存储单元产生的电流，使得读取放大器将读取的位线的实际电流与预设电流的比较结果更加准确，确保编程校验的准确性。
附图说明
图1是存储器的校验中读操作的窗口示意图；
图2是本发明的一种存储器的编程方法实施例的步骤流程图；
图3是本发明一种存储器的编程校验方法可选实施例中存储阵列示意图；
图4是本发明一种存储器的编程校验方法可选实施例中读取放大器示意图；
图5是本发明一种存储器的编程校验方法可选实施例的步骤流程图；
图6是本发明一种编程校验装置实施例的结构框图。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。
本发明实施例的核心构思之一在于，提出一种存储器的编程校验方法，以解决编程校验结果不准确的问题。发送用于从选中存储单元中读取数据的读取指令，依据所述数据读取指令，所述存储器的电压生成模块为所述选中存储单元提供预设正电压，并为与所述选中存储单元在同一位线上的其他存储单元均提供设定负电压，以降低所述其他存储单元的漏电流，使得位线上受漏电流的影响较小，位线上的实际电流更加接近选中存储单元产生的电流，使得读取放大器将读取的位线的实际电流与预设电流的比较结果更加准确，确保编程校验的准确性。
本发明实施例对存储器如快闪存储器进行编程校验，例如快闪存储器是一种非易失类存储器，它通过改变浮栅(栅极)中电子的数量来存储信息，即将电子注入到存储单元的浮栅时，存储单元的阈值电压增加，这时存储单元处于已编程状态。当将浮栅中俘获的电子去除后，存储单元的阈值电压降低，这时存储单元处于已擦除状态。
为了保证读过程的准确性，已编程单元和已擦除单元的阈值电压之间要有足够大的间隔窗口。所以，在对存储单元进行擦除或者编程操作之后，要有校验的步骤，以保证编程或者擦除操作的已经成功实现。擦除校验(eraseverify，EV)保证已擦除单元的阈值电压都小于某个预定数值，编程校验(programverify，PV)保证已编程单元的阈值电压都大于某个预定数值。擦除校验和编程校验之间就是读操作的窗口，如图1所示。
其中，Id为漏极电流，Vwl为栅极电压，Erasedcell为处于擦除状态的存储单元，Programmedcell为处于编程状态的存储单元，EV为擦除校验标准，PV为编程校标准，READ为读过程区分通过与否如“0”和“1”的标准。
因此，在对存储单元进行编程操作之后，要有编程校验的步骤，以保证存储单元已经成功置为已编程状态。
实施例一
参照图2，示出了本发明的一种存储器的编程方法实施例的步骤流程图，具体可以包括如下步骤：
步骤202，发送执行编程校验的数据读取指令。
其中，所述数据读取指令用于从选中存储单元中读取数据。
在编程操作完成之后，需要对编程后的存储单元进行校验，将该编程后的存储单元作为选中存储单元，产生并发送执行编程校验的数据读取指令，其中该数据读取指令用于从所述选中存储单元中读取数据，因此该数据读取指令中可以包括该选中存储单元的标识等信息，如在存储器中的阵列编号等。
步骤204，依据所述数据读取指令，所述存储器的电压生成模块为所述选中存储单元提供预设正电压，并为与所述选中存储单元在同一位线上的其他存储单元均提供设定负电压。
依据该数据读取指令可以确定选中存储单元，则存储器的电压生成模块可以为存储单元提供预设正电压，使得该存储单元可以与其连接的位线提供电流，即该位线上的电流即存储单元提供的电流，而实际上该位线上除了选中存储单元之外，还连接了其他存储电源，这些存储单元虽未加载正电压仍然产生漏电流而对位线造成影响，为使该位线上的电流更加准确，可以为与所述选中存储单元在同一位线上的其他存储单元均提供设定负电压，在加载负电压后，其他存储单元产生的漏电流会大大降低，可以忽略不计，从而极大地降低了漏电流对位线上电流的影响，使位线上的电流更加准确。
步骤206，所述存储器的读取放大器读取所述位线的实际电流。
步骤208，将所述实际电流与预设电流进行比较，依据比较结果确定所述选中存储单元的编程校验成功与否。
电压加载完成后，存储器的读取放大器读取该位线上实际流过的实际电流，然后将该实际电流与预设电流进行比较，确定比较结果并依据比较结果确定选中存储单元的编程校验成功与否。
综上所述，发送用于从选中存储单元中读取数据的读取指令，依据所述数据读取指令，所述存储器的电压生成模块为所述选中存储单元提供预设正电压，并为与所述选中存储单元在同一位线上的其他存储单元均提供设定负电压，以降低所述其他存储单元的漏电流，使得位线上受漏电流的影响较小，位线上的实际电流更加接近选中存储单元产生的电流，使得读取放大器将读取的位线的实际电流与预设电流的比较结果更加准确，确保编程校验的准确性。
实施例二
在上述实施例的基础上，本实施例继续论述存储器的编程校验方法，其中存储器的存储阵列示意图如图3所示，读取放大器的示意图如图4所示。
其中，存储单元N1、N2、N3和N4等的漏极连接同一位线BL1，它们的源极均接地(0V)；ICell为位线上测量的实际电流，IRef为预设电流，out为比较输入的结果，下面结合该存储阵列举例论述编程校验方法。
参照图5，示出了本发明的一种存储器的编程方法可选实施例的步骤流程图，具体可以包括如下步骤：
步骤502，发送执行编程校验的数据读取指令。
其中，所述数据读取指令用于从选中存储单元中读取数据，如数据读取指令中包括所述选中存储单元的编号N1。
步骤504，从所述数据读取指令中获取所述选中存储单元。
步骤506，依据所述存储器的存储阵列查找所述选中存储单元的阵列信息。
步骤508，依据所述阵列信息查找与所述选中存储单元位于同一位线的其他存储单元。
从数据读取指令中获取所述选中存储单元，如图3中，假设选中存储单元的编号N1，通过该存储器的存储阵列查找选中存储单元的阵列信息，可以确定选中存储单元N1的漏极连接的位线为BL1，进一步查找BL1上连接的其他存储单元的编号为N2、N3和N4等。
步骤510，在所述选中存储单元的栅极上加载所述预设正电压，并在所述选中存储单元在同一位线上的其他存储单元的栅极均加载所述设定负电压。
本发明实施例中，存储器的电压生成模块在所述选中存储单元的栅极上加载所述预设正电压，以使连接所述选中存储单元的漏极的位线接收所述漏极产生的电流，同时电压生成模块在所述选中存储单元在同一位线上的其他存储单元的栅极均加载所述设定负电压，以降低连接所述其他存储单元的漏极的位线接收的漏电流。
如图3所示，为了检验选中存储单元N1是否已经编程成功，可以在其栅极上加一个预先设定的正电压。同时，对同一位线上未选中的单元即其他存储单元N2、N3、N4……，在其他存储单元的栅极上加载适当的负压，而不是空载的0V。
其中，快闪存储器的存储单元在电流-电压关系上类似于n沟道的MOS管，它在负栅压下漏电流要比栅压为0时小的多。所以，当对其他存储单元的栅极上加负压时，它们所产生的漏电流大大减小。在编程校验(PV)过程中，其他单元的漏电流与通过N1的电流相比可以忽略不计，因此位线BL1上的电流与通过N1的电流基本相同。因此编程校验在这种情况下对位线BL1上的电流进行评价时，其校验结果可以更真实的反应N1所处的状态，提升了编程校验结果的可靠性。
其中，在编程校验的过程中，选中存储单元(N1)栅极上加载的预设正电压以及同一位线上其他存储单元(N2、N3、N4……)的栅极上所加载的负压，都是由快闪存储器内部的电压生成模块(ChargePump)产生的。电压生成模块是快闪存储器的基本组成部分，负责生成除电源电压以外的快闪存储器工作所需要的电压，也可称为电荷泵，如采用开关电容式电压变换器。
步骤512，存储器的读取放大器的第一输入端读取所述预设电流，且读取放大器的第二输入端读取所述位线上流过的实际电流。
存储器的读取放大器(SenseAmplifier)示意图如图5所示，采用读取放大器的第一输入端读取所述预设电流Iref，并且，采用第二输入端位线上(如BL1)流过的实际电流ICell。
步骤514，将所述第二输入端读取的实际电流ICell与所述第一输入端读取预设电流IRef进行比较。
当所述实际电流ICell大于所述预设电流IRef时，执行步骤518；当所述实际电流ICell小于或等于所述预设电流IRef时，执行步骤516。
步骤516，选中存储单元的编程校验成功。
步骤518，选中存储单元的编程校验失败。
在对存储单元进行编程操作之后，要有编程校验的步骤，以保证存储单元已经成功置为已编程状态。在存储单元的电压加载完毕后，读取流经存储单元的电流值，如果电流值小于某个预先设定的预设电流，则认为该单元已经处于已编程状态，编程校验成功。如果电流值大于预设电流，则重新对该单元进行编程操作，直到编程校验通过。
如图4所示的SA中，编程校验的结果由SA(SenseAmplifier)提供，即将第二输入端读取的BL上的电流ICell与第一输入端读取的预先设定的电流值IRef进行比较。如果ICell≤IRef，则SA输出out＝1，表明编程校验通过(pass)，即编程校验成功；如果ICell>IRef，则SA输出out＝0，表明编程校验未通过(fail)即编程校验失败。当然SA的输出结果也可以反过来，即pass对应out＝0，fail时对应out＝1，本发明实施例对此不做限定。
从而在编程校验(programverify，PV)过程中，降低未选中的存储单元的漏电流，减轻这些漏电流对校验过程的影响，保证编程校验结果的可靠性。
需要说明的是，对于方法实施例，为了简单描述，故将其都表述为一系列的动作组合，但是本领域技术人员应该知悉，本发明实施例并不受所描述的动作顺序的限制，因为依据本发明实施例，某些步骤可以采用其他顺序或者同时进行。其次，本领域技术人员也应该知悉，说明书中所描述的实施例均属于优选实施例，所涉及的动作并不一定是本发明实施例所必须的。
实施例三
在上述实施例的基础上，本实施例还提供了一种编程校验装置。
参照图6，示出了本发明一种编程校验装置实施例的结构框图，具体可以包括如下模块：
该编程校验装置，包括：发送模块602、电压输入模块604、电流读取模块606和校验检测模块608。
其中，发送模块602，用于发送执行编程校验的数据读取指令，其中所述数据读取指令用于从选中存储单元中读取数据；电压输入模块604，用于依据所述数据读取指令，为所述选中存储单元提供预设正电压，并为与所述选中存储单元在同一位线上的其他存储单元均提供设定负电压，以降低所述其他存储单元的漏电流；电流读取模块606，用于所述存储器的读取放大器读取所述位线的实际电流；校验检测模块608，用于将所述实际电流与预设电流进行比较，依据比较结果确定所述选中存储单元的编程校验成功与否。
实际处理中，在存储器中可以采用存储器的电压生成模块执行电压输入模块604的功能，或由电压输入模块604触发电压生成模块执行该功能。且电流读取模块606和校验检测模块608可由存储器读出放大器直接或经这两个模块的触发实现该对应的功能。
综上所述，发送用于从选中存储单元中读取数据的读取指令，依据所述数据读取指令，所述存储器的电压生成模块为所述选中存储单元提供预设正电压，并为与所述选中存储单元在同一位线上的其他存储单元均提供设定负电压，以降低所述其他存储单元的漏电流，使得位线上受漏电流的影响较小，位线上的实际电流更加接近选中存储单元产生的电流，使得读取放大器将读取的位线的实际电流与预设电流的比较结果更加准确，确保编程校验的准确性。
在上述实施例的基础上，本实施例进一步论述该编程校验装置。
本发明一个可选实施例中，该编程校验装置还包括：阵列信息确定模块，用于从所述数据读取指令中获取所述选中存储单元；依据所述存储器的存储阵列查找所述选中存储单元的阵列信息；依据所述阵列信息查找与所述选中存储单元位于同一位线的其他存储单元。
其中，所述电压输入模块604，用于在所述选中存储单元的栅极上加载所述预设正电压，以使连接所述选中存储单元的漏极的位线接收所述漏极产生的电流；在所述选中存储单元在同一位线上的其他存储单元的栅极均加载所述设定负电压，以降低连接所述其他存储单元的漏极的位线接收的漏电流。
所述电流读取模块606，还用于读取放大器的第一输入端读取所述预设电流；且所述电流读取模块606，具体用于所述存储器的读取放大器确定所述选中存储单元的漏极连接的位线，并采用第二输入端读取所述位线上流过的实际电流。
所述校验检测模块608，用于将所述第二输入端读取的实际电流与所述第一输入端读取预设电流进行比较；当所述实际电流小于或等于所述预设电流时，所述选中存储单元的编程校验成功；当所述实际电流大于所述预设电流时，所述选中存储单元的编程校验失败。
从而在编程校验(programverify，PV)过程中，降低未选中的存储单元的漏电流，减轻这些漏电流对校验过程的影响，保证编程校验结果的可靠性。
对于装置实施例而言，由于其与方法实施例基本相似，所以描述的比较简单，相关之处参见方法实施例的部分说明即可。
本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。
本领域内的技术人员应明白，本发明实施例的实施例可提供为方法、装置、或计算机程序产品。因此，本发明实施例可采用完全硬件实施例、完全软件实施例、或结合软件和硬件方面的实施例的形式。而且，本发明实施例可采用在一个或多个其中包含有计算机可用程序代码的计算机可用存储介质(包括但不限于磁盘存储器、CD-ROM、光学存储器等)上实施的计算机程序产品的形式。
本发明实施例是参照根据本发明实施例的方法、终端设备(系统)、和计算机程序产品的流程图和/或方框图来描述的。应理解可由计算机程序指令实现流程图和/或方框图中的每一流程和/或方框、以及流程图和/或方框图中的流程和/或方框的结合。可提供这些计算机程序指令到通用计算机、专用计算机、嵌入式处理机或其他可编程数据处理终端设备的处理器以产生一个机器，使得通过计算机或其他可编程数据处理终端设备的处理器执行的指令产生用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的装置。
这些计算机程序指令也可存储在能引导计算机或其他可编程数据处理终端设备以特定方式工作的计算机可读存储器中，使得存储在该计算机可读存储器中的指令产生包括指令装置的制造品，该指令装置实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能。
这些计算机程序指令也可装载到计算机或其他可编程数据处理终端设备上，使得在计算机或其他可编程终端设备上执行一系列操作步骤以产生计算机实现的处理，从而在计算机或其他可编程终端设备上执行的指令提供用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的步骤。
尽管已描述了本发明实施例的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例做出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明实施例范围的所有变更和修改。
最后，还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者终端设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者终端设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者终端设备中还存在另外的相同要素。
以上对本发明所提供的一种存储器的编程校验方法和一种编程校验装置，进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。
Claims (10)
1.一种存储器的编程校验方法，其特征在于，包括：
发送执行编程校验的数据读取指令，其中所述数据读取指令用于从选中存储单元中读取数据；
依据所述数据读取指令，所述存储器的电压生成模块为所述选中存储单元提供预设正电压，并为与所述选中存储单元在同一位线上的其他存储单元均提供设定负电压，以降低所述其他存储单元的漏电流；
所述存储器的读取放大器读取所述位线的实际电流；
将所述实际电流与预设电流进行比较，依据比较结果确定所述选中存储单元的编程校验成功与否。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述存储器的电压生成模块为所述选中存储单元提供预设正电压之前，还包括：
从所述数据读取指令中获取所述选中存储单元；
依据所述存储器的存储阵列查找所述选中存储单元的阵列信息；
依据所述阵列信息查找与所述选中存储单元位于同一位线的其他存储单元。
3.根据权利要求1或2所述的方法，其特征在于，所述存储器的电压生成模块为所述选中存储单元提供预设正电压，并为与所述选中存储单元在同一位线上的其他存储单元提供设定负电压，包括：
所述存储器的电压生成模块在所述选中存储单元的栅极上加载所述预设正电压，以使连接所述选中存储单元的漏极的位线接收所述漏极产生的电流；
所述存储器的电压生成模块在所述选中存储单元在同一位线上的其他存储单元的栅极均加载所述设定负电压，以降低连接所述其他存储单元的漏极的位线接收的漏电流。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，还包括：
所述存储器的读取放大器的第一输入端读取所述预设电流；
所述存储器的读取放大器读取所述位线上的实际电流，包括：
所述存储器的读取放大器确定所述选中存储单元的漏极连接的位线，并采用第二输入端读取所述位线上流过的实际电流。
5.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述将所述实际电流与预设电流进行比较，依据比较结果确定所述选中存储单元的编程校验通过与否，包括：
将所述第二输入端读取的实际电流与所述第一输入端读取预设电流进行比较；
当所述实际电流小于或等于所述预设电流时，所述选中存储单元的编程校验成功；
当所述实际电流大于所述预设电流时，所述选中存储单元的编程校验失败。
6.一种编程校验装置，其特征在于，包括：
发送模块，用于发送执行编程校验的数据读取指令，其中所述数据读取指令用于从选中存储单元中读取数据；
电压输入模块，用于依据所述数据读取指令，为所述选中存储单元提供预设正电压，并为与所述选中存储单元在同一位线上的其他存储单元均提供设定负电压，以降低所述其他存储单元的漏电流；
电流读取模块，用于读取所述位线的实际电流；
校验检测模块，用于将所述实际电流与预设电流进行比较，依据比较结果确定所述选中存储单元的编程校验成功与否。
7.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，还包括：
阵列信息确定模块，用于从所述数据读取指令中获取所述选中存储单元；依据所述存储器的存储阵列查找所述选中存储单元的阵列信息；依据所述阵列信息查找与所述选中存储单元位于同一位线的其他存储单元。
8.根据权利要求6或7所述的装置，其特征在于：
所述电压输入模块，用于在所述选中存储单元的栅极上加载所述预设正电压，以使连接所述选中存储单元的漏极的位线接收所述漏极产生的电流；在所述选中存储单元在同一位线上的其他存储单元的栅极均加载所述设定负电压，以降低连接所述其他存储单元的漏极的位线接收的漏电流。
9.根据权利要求8所述的装置，其特征在于：
所述电流读取模块，还用于触发读取放大器的第一输入端读取所述预设电流；
且所述电流读取模块，具体用于触发读取放大器确定所述选中存储单元的漏极连接的位线，并采用第二输入端读取所述位线上流过的实际电流。
10.根据权利要求8所述的装置，其特征在于：
所述校验检测模块，用于将所述第二输入端读取的实际电流与所述第一输入端读取预设电流进行比较；当所述实际电流小于或等于所述预设电流时，所述选中存储单元的编程校验成功；当所述实际电流大于所述预设电流时，所述选中存储单元的编程校验失败。
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|---|---|
| CN (1) | CN105097030A (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107633865A (zh) * | 2016-07-19 | 2018-01-26 | 北京兆易创新科技股份有限公司 | 一种非易失性存储器的数据读取装置及方法 |
| CN109427399A (zh) * | 2017-08-31 | 2019-03-05 | 北京兆易创新科技股份有限公司 | 一种NOR Flash的编程方法和编程装置 |
| CN111667871A (zh) * | 2019-03-05 | 2020-09-15 | 爱思开海力士有限公司 | 存储器设备及其操作方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6285593B1 (en) * | 1998-12-31 | 2001-09-04 | Sandisk Corporation | Word-line decoder for multi-bit-per-cell and analog/multi-level memories with improved resolution and signal-to-noise ratio |
| US6490203B1 (en) * | 2001-05-24 | 2002-12-03 | Edn Silicon Devices, Inc. | Sensing scheme of flash EEPROM |
| CN101911203A (zh) * | 2008-01-11 | 2010-12-08 | 高通股份有限公司 | 在存储器装置读取操作期间向字线选择性地施加负电压的系统和方法 |
| CN103426477A (zh) * | 2012-05-18 | 2013-12-04 | 北京兆易创新科技股份有限公司 | 一种NOR Flash 存储器的读方法及装置 |
-
2014
- 2014-04-25 CN CN201410171942.6A patent/CN105097030A/zh active Pending
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6285593B1 (en) * | 1998-12-31 | 2001-09-04 | Sandisk Corporation | Word-line decoder for multi-bit-per-cell and analog/multi-level memories with improved resolution and signal-to-noise ratio |
| US6490203B1 (en) * | 2001-05-24 | 2002-12-03 | Edn Silicon Devices, Inc. | Sensing scheme of flash EEPROM |
| CN101911203A (zh) * | 2008-01-11 | 2010-12-08 | 高通股份有限公司 | 在存储器装置读取操作期间向字线选择性地施加负电压的系统和方法 |
| CN103426477A (zh) * | 2012-05-18 | 2013-12-04 | 北京兆易创新科技股份有限公司 | 一种NOR Flash 存储器的读方法及装置 |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107633865A (zh) * | 2016-07-19 | 2018-01-26 | 北京兆易创新科技股份有限公司 | 一种非易失性存储器的数据读取装置及方法 |
| CN107633865B (zh) * | 2016-07-19 | 2024-02-20 | 兆易创新科技集团股份有限公司 | 一种非易失性存储器的数据读取装置及方法 |
| CN109427399A (zh) * | 2017-08-31 | 2019-03-05 | 北京兆易创新科技股份有限公司 | 一种NOR Flash的编程方法和编程装置 |
| CN111667871A (zh) * | 2019-03-05 | 2020-09-15 | 爱思开海力士有限公司 | 存储器设备及其操作方法 |
| CN111667871B (zh) * | 2019-03-05 | 2023-09-08 | 爱思开海力士有限公司 | 存储器设备及其操作方法 |
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