CN109427399A - 一种NOR Flash的编程方法和编程装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种NOR Flash的编程方法和编程装置，方法包括：在对NOR Flash中N个存储单元进行编程时，检测电荷泵的输出端电压是否小于预设电压；电荷泵的输出端与N个存储单元的位线连接，N为大于1的整数；如果是，断开N个存储单元中预设数量个存储单元的位线与电荷泵的连接；对N个存储单元中其它存储单元进行编程；若N个存储单元中其它存储单元编程成功，将预设数量个存储单元的位线与电荷泵的输出端进行连接；对预设数量个存储单元进行编程，直至预设数量个存储单元编程成功。在对N个存储单元同时编程时，即便电荷泵的输出端电压无法保证同时成功编程，本发明仍然可以保证该N个存储单元成功编程，提高了编程成功率。

Description

一种NOR Flash的编程方法和编程装置

技术领域

本发明涉及存储器技术领域，特别是涉及一种NOR Flash的编程方法和一种NORFlash的编程装置。

背景技术

目前，在对NOR Flash存储单元进行编程时，通常采用热电子注入的方式，该方式需要在存储单元的栅极端(WL，字线)和漏极端(BL，位线)加正高压，并从漏极端抽取一路电流。其中，NOR Flash存储单元的阈值越低，字线电压越高，位线电压越高，从漏极端抽取的电流越大。

为了提高编程效率，现有技术中的编程方法通常将N个存储单元作为1组，同时对N个存储单元进行编程，N越大，从漏极端抽取的电流越大。

现有技术中的编程方法存在以下缺陷：为了将存储单元的阈值编程到目标值，需要维持足够高的字线电压和位线电压，若电源电压较低等原因造成给位线提供电压的电荷泵驱动能力太低，而无法提供N个存储单元同时编程时位线所需要的电流，位线电压可能会掉得比较低，使得擦除后的存储单元无法被编程，存储单元的阈值一直维持在较低值，导致编程失败。

发明内容

鉴于上述问题，本发明实施例的目的在于提供一种NOR Flash的编程方法和一种NOR Flash的编程装置，以解决现有技术中的编程方法中在给位线提供电压的电荷泵驱动能力低时编程失败的问题。

为了解决上述问题，本发明实施例公开了一种NOR Flash的编程方法，包括以下步骤：

在对NOR Flash中N个存储单元进行编程时，检测电荷泵的输出端电压是否小于预设电压；所述电荷泵的输出端与所述N个存储单元的位线连接，N为大于1的整数；

如果是，断开所述N个存储单元中预设数量个存储单元的位线与所述电荷泵的连接；

对所述N个存储单元中其它存储单元进行编程；

若所述N个存储单元中其它存储单元编程成功，将所述预设数量个存储单元的位线与所述电荷泵的输出端进行连接；

对所述预设数量个存储单元进行编程，直至所述预设数量个存储单元编程成功。

可选地，在所述对所述N个存储单元中其它存储单元进行编程之后，以及在所述将所述预设数量个存储单元的位线与所述电荷泵进行连接之前，还包括：

对编程之后的存储单元进行校验；

若校验成功，则确定所述N个存储单元中其它存储单元编程成功。

可选地，在对NOR Flash中N个存储单元进行编程预设时间后，检测电荷泵的输出端电压是否小于预设电压。

可选地，所述预设电压为确保对所述N个存储单元同时编程成功的最小电压，或所述预设电压为确保对所述N个存储单元同时编程成功的平均电压。

可选地，所述预设数量小于或等于N/2。

为了解决上述问题，本发明实施例公开了一种NOR Flash的编程装置，其特征在于，包括：

检测模块，在对NOR Flash中N个存储单元进行编程时，用于检测电荷泵的输出端电压是否小于预设电压；所述电荷泵的输出端与所述N个存储单元的位线连接，N为大于1的整数；

断开连接模块，用于在所述电荷泵的输出端电压小于所述预设电压时，断开所述N个存储单元中预设数量个存储单元的位线与所述电荷泵的连接；

第一编程模块，对所述N个存储单元中其它存储单元进行编程；

连接模块，若所述N个存储单元中其它存储单元编程成功，将所述预设数量个存储单元的位线与所述电荷泵的输出端进行连接；

第二编程模块，用于对所述预设数量个存储单元进行编程，直至所述预设数量个存储单元编程成功。

可选地，在所述第一编程模块对所述N个存储单元中其它存储单元进行编程之后，以及在所述连接模块将所述预设数量个存储单元的位线与所述电荷泵进行连接之前，还包括：

校验模块，用于对编程之后的存储单元进行校验；

编程成功确定模块，若所述校验模块校验成功，则用于确定所述N个存储单元中其它存储单元编程成功。

可选地，在对NOR Flash中N个存储单元进行编程预设时间后，所述检测模块检测电荷泵的输出端电压是否小于预设电压。

可选地，所述预设电压为确保对所述N个存储单元同时编程成功的最小电压，或所述预设电压为确保对所述N个存储单元同时编程成功的平均电压。

可选地，所述预设数量小于或等于N/2。

本发明实施例包括以下优点：在对NOR Flash中N个存储单元进行编程过程中，检测电荷泵的输出端电压是否小于预设电压，其中，电荷泵的输出端与N个存储单元的位线连接，N为大于1的整数，若电荷泵的输出端电压小于预设电压，即电荷泵的输出端电压无法保证同时成功编程，则断开N个存储单元中预设数量个存储单元的位线与电荷泵的连接，先对N个存储单元中其它存储单元进行编程，当N个存储单元中其它存储单元编程成功时，将预设数量个存储单元的位线与电荷泵的输出端进行连接后，对预设数量个存储单元进行编程，直至预设数量个存储单元编程成功。这样，在对N个存储单元同时编程时，即便电荷泵的输出端电压无法保证同时成功编程，本发明仍然可以保证该N个存储单元成功编程，提高了编程成功率。

附图说明

图1是本发明的一种NOR Flash的编程方法实施例的步骤流程图；

图2是本发明的一种NOR Flash的编程方法具体实施例的波形示意图；

图3是本发明的另一种NOR Flash的编程方法实施例的步骤流程图；

图4是本发明的一种NOR Flash的编程装置实施例的结构框图；

图5是本发明的另一种NOR Flash的编程装置实施例的结构框图。

具体实施方式

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。

实施例一

参照图1，示出了本发明的一种NOR Flash的编程方法实施例的步骤流程图，具体可以包括如下步骤：

步骤S10，在对NOR Flash中N个存储单元进行编程时，检测电荷泵的输出端电压是否小于预设电压；电荷泵的输出端与N个存储单元的位线连接，N为大于1的整数。

具体地，电荷泵的输出端与N个存储单元的位线连接后，电荷泵为N个存储单元的位线同时提供电流。

其中，电荷泵的输出端电压小于预设电压时，说明电荷泵驱动能力低，无法提供N个存储单元同时编程时位线所需要的电流，N个存储单元的位线电压无法达到目标值，N个存储单元无法同时成功编程，进入步骤S20。

步骤S20，断开N个存储单元中预设数量个存储单元的位线与电荷泵的连接。

步骤S20中，断开N个存储单元中预设数量个存储单元的位线与电荷泵的连接后，仅N个存储单元中其它存储单元的位线与电荷泵的输出端连接。这样，电荷泵仅需提供N个存储单元中其它存储单元同时编程时位线所需要的电流，大大降低了对电荷泵驱动能力的需求，N个存储单元中其它存储单元的位线电压可以达到目标值，便于对N个存储单元中其它存储单元成功编程。具体地，预设数量可以根据确保电荷泵可以提供N个存储单元中其它存储单元同时编程时位线所需要的电流和确保电荷泵可以提供预设数量个存储单元同时编程时位线所需要的电流为准进行设置。

步骤S30，对N个存储单元中其它存储单元进行编程。

步骤S40，若N个存储单元中其它存储单元编程成功，将预设数量个存储单元的位线与电荷泵的输出端进行连接。

其中，将预设数量个存储单元的位线与电荷泵的输出端进行连接后，电荷泵向预设数量个存储单元提供同时编程时位线所需要的电流。

步骤S50，对预设数量个存储单元进行编程，直至预设数量个存储单元编程成功。

在本发明的一个具体实施例中，N个存储单元中预设数量个存储单元的位线可以通过第一开关与电荷泵的输出端连接，N个存储单元中其它存储单元的位线可以通过第二开关与电荷泵的输出端连接。这样，步骤S20可以通过断开第一开关，来断开N个存储单元中预设数量个存储单元的位线与电荷泵的连接，此时，第二开关处于导通状态。步骤S40可以通过使第一开关导通，将预设数量个存储单元的位线与电荷泵的输出端进行连接。存储单元中位线的电压波形、第一开关的控制信号波形、第二开关的控制信号波形如图2所示。其中，BL为位线的电压波形，S1为第一开关的控制信号波形，S2为第二开关的控制信号波形。

本发明实施例一包括以下优点：在对NOR Flash中N个存储单元进行编程过程中，检测电荷泵的输出端电压是否小于预设电压，其中，电荷泵的输出端与N个存储单元的位线连接，N为大于1的整数，若电荷泵的输出端电压小于预设电压，即电荷泵的输出端电压无法保证同时成功编程，则断开N个存储单元中预设数量个存储单元的位线与电荷泵的连接，先对N个存储单元中其它存储单元进行编程，当N个存储单元中其它存储单元编程成功时，将预设数量个存储单元的位线与电荷泵的输出端进行连接后，对预设数量个存储单元进行编程，直至预设数量个存储单元编程成功。这样，在对N个存储单元同时编程时，即便电荷泵的输出端电压无法保证同时成功编程，本发明仍然可以保证该N个存储单元成功编程，提高了编程成功率。

实施例二

参照图3，示出了本发明的另一种NOR Flash的编程方法实施例的步骤流程图，具体可以包括如下步骤：

步骤S310，在对NOR Flash中N个存储单元进行编程预设时间后，检测电荷泵的输出端电压是否小于预设电压；电荷泵的输出端与N个存储单元的位线连接，N为大于1的整数。

可选地，预设电压可以为确保对N个存储单元同时编程成功的最小电压或平均电压。

具体地，在对NOR Flash中N个存储单元进行编程预设时间后，电荷泵的输出端电压将达到稳定状态，便于提高检测电荷泵的输出端电压是否小于预设电压的准确性。其中，预设时间可以大于或等于电荷泵的输出端电压达到稳定状态的最小时间或平均时间。

具体地，电荷泵的输出端与N个存储单元的位线连接后，电荷泵为N个存储单元的位线同时提供电流。

其中，电荷泵的输出端电压小于预设电压时，说明电荷泵驱动能力低，无法提供N个存储单元同时编程时位线所需要的电流，N个存储单元无法同时成功编程，进入步骤S320。

步骤S320，断开N个存储单元中预设数量个存储单元的位线与电荷泵的连接。

步骤S320中，断开N个存储单元中预设数量个存储单元的位线与电荷泵的连接后，仅N个存储单元中其它存储单元的位线与电荷泵的输出端连接。这样，电荷泵仅需提供N个存储单元中其它存储单元同时编程时位线所需要的电流，大大降低了对电荷泵驱动能力的需求，便于对N个存储单元中其它存储单元成功编程。

步骤S330，对N个存储单元中其它存储单元进行编程。

步骤S340，若N个存储单元中其它存储单元编程成功，将预设数量个存储单元的位线与电荷泵的输出端进行连接。

其中，将预设数量个存储单元的位线与电荷泵的输出端进行连接后，电荷泵向预设数量个存储单元提供同时编程时位线所需要的电流。

步骤S350，对预设数量个存储单元进行编程，直至预设数量个存储单元编程成功。

可选地，预设数量小于或等于N/2，N个存储单元中其它存储单元的数量大于或等于N/2。这样，若N个存储单元中其它存储单元编程成功，说明电荷泵的驱动能力可以向大于或等于N/2个存储单元提供同时编程时位线所需要的电流。当步骤S340将预设数量个存储单元的位线与电荷泵的输出端进行连接后，电荷泵的驱动能力可以满足向预设数量个存储单元提供同时编程时位线所需要的电流。

可选地，在本发明的一个实施例中，在步骤S330对N个存储单元中其它存储单元进行编程之后，以及在步骤S340将预设数量个存储单元的位线与电荷泵进行连接之前，还包括：

步骤S360，对编程之后的存储单元进行校验。

其中，若校验成功，进入步骤S370，若校验失败，则可以返回步骤S330，或可以标记为对N个存储单元中其它存储单元进行编程失败。

具体地，步骤S360可以采用现有技术对编程之后的存储单元进行校验。

步骤S370，若校验成功，则确定N个存储单元中其它存储单元编程成功。

本发明实施例二包括以下优点：在对NOR Flash中N个存储单元进行编程预设时间后，检测电荷泵的输出端电压是否小于预设电压，其中，电荷泵的输出端与N个存储单元的位线连接，N为大于1的整数，若电荷泵的输出端电压小于预设电压，即电荷泵的输出端电压无法保证同时成功编程，则断开N个存储单元中预设数量(预设数量小于或等于N/2)个存储单元的位线与电荷泵的连接，先对N个存储单元中其它存储单元进行编程，当N个存储单元中其它存储单元编程校验成功时，将预设数量个存储单元的位线与电荷泵的输出端进行连接后，对预设数量个存储单元进行编程，直至预设数量个存储单元编程成功。这样，在对N个存储单元同时编程时，即便电荷泵的输出端电压无法保证同时成功编程，本发明仍然可以保证该N个存储单元成功编程，提高了编程成功率。

需要说明的是，对于方法实施例，为了简单描述，故将其都表述为一系列的动作组合，但是本领域技术人员应该知悉，本发明实施例并不受所描述的动作顺序的限制，因为依据本发明实施例，某些步骤可以采用其他顺序或者同时进行。其次，本领域技术人员也应该知悉，说明书中所描述的实施例均属于优选实施例，所涉及的动作并不一定是本发明实施例所必须的。

实施例三

参照图4，示出了本发明的一种NOR Flash的编程装置实施例的结构框图，具体可以包括如下模块：

检测模块10，在对NOR Flash中N个存储单元进行编程时，用于检测电荷泵的输出端电压是否小于预设电压；电荷泵的输出端与N个存储单元的位线连接，N为大于1的整数。

断开连接模块20，用于在电荷泵的输出端电压小于预设电压时，断开N个存储单元中预设数量个存储单元的位线与电荷泵的连接。

第一编程模块30，对N个存储单元中其它存储单元进行编程。

连接模块40，若N个存储单元中其它存储单元编程成功，将预设数量个存储单元的位线与电荷泵的输出端进行连接。

第二编程模块50，用于对预设数量个存储单元进行编程，直至预设数量个存储单元编程成功。

本发明实施例三包括以下优点：在对NOR Flash中N个存储单元进行编程过程中，检测模块检测电荷泵的输出端电压是否小于预设电压，其中，电荷泵的输出端与N个存储单元的位线连接，N为大于1的整数，若电荷泵的输出端电压小于预设电压，即电荷泵的输出端电压无法保证同时成功编程，则断开连接模块断开N个存储单元中预设数量个存储单元的位线与电荷泵的连接，第一编程模块先对N个存储单元中其它存储单元进行编程，当N个存储单元中其它存储单元编程成功时，连接模块将预设数量个存储单元的位线与电荷泵的输出端进行连接后，第二编程模块对预设数量个存储单元进行编程，直至预设数量个存储单元编程成功。这样，在对N个存储单元同时编程时，即便电荷泵的输出端电压无法保证同时成功编程，本发明仍然可以保证该N个存储单元成功编程，提高了编程成功率。

实施例四

参照图5，示出了本发明的另一种NOR Flash的编程装置实施例的结构框图，具体可以包括如下模块：

检测模块510，在对NOR Flash中N个存储单元进行编程时，用于检测电荷泵的输出端电压是否小于预设电压；电荷泵的输出端与N个存储单元的位线连接，N为大于1的整数。

断开连接模块520，用于在电荷泵的输出端电压小于预设电压时，断开N个存储单元中预设数量个存储单元的位线与电荷泵的连接。

第一编程模块530，对N个存储单元中其它存储单元进行编程。

连接模块540，若N个存储单元中其它存储单元编程成功，将预设数量个存储单元的位线与电荷泵的输出端进行连接。

第二编程模块550，用于对预设数量个存储单元进行编程，直至预设数量个存储单元编程成功。

可选地，在第一编程模块对N个存储单元中其它存储单元进行编程之后，以及在连接模块将预设数量个存储单元的位线与电荷泵进行连接之前，还包括：

校验模块560，用于对编程之后的存储单元进行校验。

编程成功确定模块570，若校验模块校验成功，则用于确定N个存储单元中其它存储单元编程成功。

可选地，在对NOR Flash中N个存储单元进行编程预设时间后，检测模块检测电荷泵的输出端电压是否小于预设电压。

可选地，预设电压为确保对N个存储单元同时编程成功的最小电压，或预设电压为确保对N个存储单元同时编程成功的平均电压。

可选地，预设数量小于或等于N/2。

本发明实施例二包括以下优点：在对NOR Flash中N个存储单元进行编程预设时间后，检测模块检测电荷泵的输出端电压是否小于预设电压，其中，电荷泵的输出端与N个存储单元的位线连接，N为大于1的整数，若电荷泵的输出端电压小于预设电压，即电荷泵的输出端电压无法保证同时成功编程，则断开连接模块断开N个存储单元中预设数量(预设数量小于或等于N/2)个存储单元的位线与电荷泵的连接，第一编程模块先对N个存储单元中其它存储单元进行编程，当N个存储单元中其它存储单元编程校验成功时，连接模块将预设数量个存储单元的位线与电荷泵的输出端进行连接后，第二编程模块对预设数量个存储单元进行编程，直至预设数量个存储单元编程成功。这样，在对N个存储单元同时编程时，即便电荷泵的输出端电压无法保证同时成功编程，本发明仍然可以保证该N个存储单元成功编程，提高了编程成功率。

对于装置实施例而言，由于其与方法实施例基本相似，所以描述的比较简单，相关之处参见方法实施例的部分说明即可。

本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可。

本领域内的技术人员应明白，本发明实施例的实施例可提供为方法、装置、或计算机程序产品。因此，本发明实施例可采用完全硬件实施例、完全软件实施例、或结合软件和硬件方面的实施例的形式。而且，本发明实施例可采用在一个或多个其中包含有计算机可用程序代码的计算机可用存储介质(包括但不限于磁盘存储器、CD-ROM、光学存储器等)上实施的计算机程序产品的形式。

本发明实施例是参照根据本发明实施例的方法、终端设备(系统)、和计算机程序产品的流程图和/或方框图来描述的。应理解可由计算机程序指令实现流程图和/或方框图中的每一流程和/或方框、以及流程图和/或方框图中的流程和/或方框的结合。可提供这些计算机程序指令到通用计算机、专用计算机、嵌入式处理机或其他可编程数据处理终端设备的处理器以产生一个机器，使得通过计算机或其他可编程数据处理终端设备的处理器执行的指令产生用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的装置。

这些计算机程序指令也可存储在能引导计算机或其他可编程数据处理终端设备以特定方式工作的计算机可读存储器中，使得存储在该计算机可读存储器中的指令产生包括指令装置的制造品，该指令装置实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能。

这些计算机程序指令也可装载到计算机或其他可编程数据处理终端设备上，使得在计算机或其他可编程终端设备上执行一系列操作步骤以产生计算机实现的处理，从而在计算机或其他可编程终端设备上执行的指令提供用于实现在流程图一个流程或多个流程和/或方框图一个方框或多个方框中指定的功能的步骤。

尽管已描述了本发明实施例的优选实施例，但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念，则可对这些实施例做出另外的变更和修改。所以，所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明实施例范围的所有变更和修改。

最后，还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、物品或者终端设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、物品或者终端设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、物品或者终端设备中还存在另外的相同要素。

以上对本发明所提供的一种NOR Flash的编程方法和一种NOR Flash的编程装置，进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的一般技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。

Claims (10)

1.一种NOR Flash的编程方法，其特征在于，包括以下步骤：

在对NOR Flash中N个存储单元进行编程时，检测电荷泵的输出端电压是否小于预设电压；所述电荷泵的输出端与所述N个存储单元的位线连接，N为大于1的整数；

如果是，断开所述N个存储单元中预设数量个存储单元的位线与所述电荷泵的连接；

对所述N个存储单元中其它存储单元进行编程；

若所述N个存储单元中其它存储单元编程成功，将所述预设数量个存储单元的位线与所述电荷泵的输出端进行连接；

对所述预设数量个存储单元进行编程，直至所述预设数量个存储单元编程成功。

2.根据权利要求1所述的编程方法，其特征在于，在所述对所述N个存储单元中其它存储单元进行编程之后，以及在所述将所述预设数量个存储单元的位线与所述电荷泵进行连接之前，还包括：

对编程之后的存储单元进行校验；

若校验成功，则确定所述N个存储单元中其它存储单元编程成功。

3.根据权利要求1所述的编程方法，其特征在于，在对NOR Flash中N个存储单元进行编程预设时间后，检测电荷泵的输出端电压是否小于预设电压。

4.根据权利要求1所述的编程方法，其特征在于，所述预设电压为确保对所述N个存储单元同时编程成功的最小电压，或所述预设电压为确保对所述N个存储单元同时编程成功的平均电压。

5.根据权利要求1所述的编程方法，其特征在于，所述预设数量小于或等于N/2。

6.一种NOR Flash的编程装置，其特征在于，包括：

检测模块，在对NOR Flash中N个存储单元进行编程时，用于检测电荷泵的输出端电压是否小于预设电压；所述电荷泵的输出端与所述N个存储单元的位线连接，N为大于1的整数；

断开连接模块，用于在所述电荷泵的输出端电压小于所述预设电压时，断开所述N个存储单元中预设数量个存储单元的位线与所述电荷泵的连接；

第一编程模块，对所述N个存储单元中其它存储单元进行编程；

连接模块，若所述N个存储单元中其它存储单元编程成功，将所述预设数量个存储单元的位线与所述电荷泵的输出端进行连接；

第二编程模块，用于对所述预设数量个存储单元进行编程，直至所述预设数量个存储单元编程成功。

7.根据权利要求6所述的编程装置，其特征在于，在所述第一编程模块对所述N个存储单元中其它存储单元进行编程之后，以及在所述连接模块将所述预设数量个存储单元的位线与所述电荷泵进行连接之前，还包括：

校验模块，用于对编程之后的存储单元进行校验；

编程成功确定模块，若所述校验模块校验成功，则用于确定所述N个存储单元中其它存储单元编程成功。

8.根据权利要求6所述的编程装置，其特征在于，在对NOR Flash中N个存储单元进行编程预设时间后，所述检测模块检测电荷泵的输出端电压是否小于预设电压。

9.根据权利要求6所述的编程装置，其特征在于，所述预设电压为确保对所述N个存储单元同时编程成功的最小电压，或所述预设电压为确保对所述N个存储单元同时编程成功的平均电压。

10.根据权利要求6所述的编程装置，其特征在于，所述预设数量小于或等于N/2。