CN105097008A - 一种驱动脉冲的确定方法、控制器及磁性存储设备 - Google Patents
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Abstract
本发明实施例提供了一种驱动脉冲的确定方法，包括向磁性存储轨道和读取装置发送第i个驱动脉冲，其中，i是不为0的自然数；确定读取装置在第i个驱动脉冲的驱动下是否读取到一个磁畴的数据；在确定未读取到一个磁畴的数据时，向磁性存储轨道和读取装置发送第i+1个驱动脉冲，第i+1个驱动脉冲的驱动强度比第i个驱动脉冲的驱动强度增加第一预设强度值；确定在第i+1个驱动脉冲的驱动下读取到一个磁畴的数据；确定第i+1个驱动脉冲的驱动强度为磁畴的最小驱动强度。本发明实施例实现了确定驱动所述磁畴移动的最小驱动强度。本发明实施例还提供了一种控制器及磁性存储设备。
Description
技术领域
本发明涉及通信领域，尤其涉及一种驱动脉冲的确定方法、控制器及磁性存储设备。
背景技术
随着集成电子设备被关注程度越来越高，具有高速低功耗的半导体存储设备也越来越被业界需求。因此，新数据存储器件的出现满足了业界的需要。新数据存储器件是利用磁畴壁移动来进行数据的读取及存储。
其中，新数据存储器件包括磁性存储轨道及读取装置。所述磁性存储轨道由若干磁畴及磁畴壁组成。其中，组成磁性存储轨道的微小磁区域被命名为磁畴。磁畴中电子的旋转，即磁矩的方向是相同的。磁畴的尺寸和磁化方向能通过磁物质的形状和尺寸以及外部能量被适应地控制。磁畴壁是具有与另一磁畴不同的磁化方向的磁畴的边界部分。磁畴壁能被外磁场或通过施加到磁物质的电流而驱动。
磁畴壁移动的原理可应用与诸如非易失性存储器。即，可写/读数据“0”或“1”的非易失性存储器可利用磁物质中的电压根据具有沿特定方向磁化的磁畴和磁畴壁的移动而变化的原理来实现。这样，因为可通过在线性磁物质中流过特定电流而改变磁畴壁的位置来读写数据，所述能实现具有简单结构的高度集成器件。但是，驱动磁畴壁移动的驱动能量的过大或过小均会影响磁畴壁的移动行为或移动的精确性。
发明内容
提供一种驱动脉冲的确定方法、控制器及磁性存储设备，以精确地驱动磁畴壁移动。
第一方面，提供了一种驱动脉冲的确定方法，应用于磁性存储设备的控制器中以确定所述磁性存储设备中磁畴的驱动脉冲，其中，所述磁性存储设备包括由磁畴组成的磁性存储轨道，控制器及读取装置，所述控制器用于向所述磁性存储轨道和所述读取装置发送驱动脉冲，所述方法包括：
所述控制器向所述磁性存储轨道和所述读取装置发送第i个驱动脉冲，其中，所述i是不为0的自然数；
所述控制器确定所述读取装置在所述第i个驱动脉冲的驱动下是否读取到所述磁性存储轨道中一个磁畴的数据；
所述控制器在确定所述读取装置未读取到所述磁性存储轨道中一个磁畴的数据时，向所述磁性存储轨道和所述读取装置发送第i+1个驱动脉冲，其中，所述第i+1个驱动脉冲的驱动强度比第i个驱动脉冲的驱动强度增加第一预设强度值；
所述控制器确定所述读取装置在所述第i+1个驱动脉冲的驱动下读取到所述磁性存储轨道中一个磁畴的数据；
所述控制器确定所述第i+1个驱动脉冲的驱动强度为所述磁畴的最小驱动强度。
在第一方面的第一种可能的实现方式中，所述方法还包括：
所述控制器向所述磁性存储轨道和所述读取装置发送第j个驱动脉冲，其中，第j个驱动脉冲的驱动强度大于所述最小驱动强度，j为大于i+1的自然数；
所述控制器确定所述读取装置在所述第j个驱动脉冲的驱动下是否读取到所述磁性存储轨道中两个磁畴的数据；
所述控制器在确定所述读取装置未读取所述磁性存储轨道中两个磁畴的数据时，向所述磁性存储轨道和所述读取装置发送第j+1个驱动脉冲，其中，所述第j+1个驱动脉冲的驱动强度比第j个驱动脉冲的驱动强度增加第二预设强度值；
所述控制器确定所述读取装置在所述第j+1个驱动脉冲的驱动下读取到所述磁性存储轨道中所述两个磁畴的数据；
所述控制器确定第j个驱动脉冲的驱动强度为所述磁畴的最大驱动强度。
在第一方面的第二种可能的实现方式中，所述第一预设强度值为所述第i个驱动脉冲的驱动强度的十分之一或百分之一。
第二方面，提供了一种驱动脉冲的确定方法，应用于磁性存储设备的控制器中以确定所述磁性存储设备中磁畴的驱动脉冲，其中，所述磁性存储设备包括由磁畴组成的磁性存储轨道，控制器及读取装置，所述控制器用于向所述磁性存储轨道和所述读取装置发送驱动脉冲，所述方法包括：
所述控制器向所述磁性存储轨道和所述读取装置发送第k个驱动脉冲,其中，所述k是不为0的自然数；
所述控制器确定所述读取装置在所述第k个驱动脉冲的驱动下是否读取到所述磁性存储轨道中两个磁畴的数据；
所述控制器在确定所述读取装置读取到所述磁性存储轨道中两个磁畴的数据时，向所述磁性存储轨道和所述读取装置发送第k+1个驱动脉冲，其中，第k+1个驱动脉冲的驱动强度比第k个驱动脉冲的驱动强度减小第一预设强度值；
所述控制器确定所述读取装置在第k+1个驱动脉冲的驱动下未读取到所述磁性存储轨道中两个磁畴的数据；
所述控制器确定第k+1个驱动脉冲的驱动强度为所述磁畴的最大驱动强度。
在第二方面的第一种可能的实现方式中，所述方法还包括：
所述控制器向所述磁性存储轨道和所述读取装置发送第m个驱动脉冲，其中，所述m为大于k+1的自然数；
所述控制器确定所述读取装置在所述第m个驱动脉冲的驱动下是否读取到所述磁性存储轨道中一个磁畴的数据；
所述控制器在确定所述读取装置读取到所述磁性存储轨道中一个磁畴的数据时，向所述磁性存储轨道和所述读取装置发送第m+1个驱动脉冲，其中，第m+1个驱动脉冲的驱动强度比第m个驱动脉冲的驱动强度减小第二预设强度值；
所述控制器确定所述读取装置在第m+1个驱动脉冲的驱动下未读取到所述磁性存储轨道一个磁畴的数据；
所述控制器确定所述第m个驱动脉冲的驱动强度为所述磁畴的最小驱动强度。
在第二方面的第二种可能的实现方式中，所述第一预设强度值为所述第k个驱动脉冲的驱动强度的十分之一或百分之一。
第三方面，提供了一种控制器，应用于磁性存储设备中，以确定所述磁性存储设备中磁畴的驱动脉冲，其中，所述磁性存储设备包括由磁畴组成的磁性存储轨道，控制器及读取装置，所述控制器用于向所述磁性存储轨道和所述读取装置发送驱动脉冲，所述控制器包括：
发送模块，用于向所述磁性存储轨道和所述读取装置发送第i个驱动脉冲，其中，所述i是不为0的自然数；
确定模块，用于确定所述读取装置在所述第i个驱动脉冲的驱动下是否读取到所述磁性存储轨道中一个磁畴的数据；
所述发送模块，还用于在确定所述读取装置在所述第i个驱动脉冲的驱动下未读取到所述磁性存储轨道中一个磁畴的数据时，向所述磁性存储轨道和所述读取装置发送第i+1个驱动脉冲，其中，所述第i+1个驱动脉冲的驱动强度比第i个驱动脉冲的驱动强度增加第一预设强度值；
所述确定模块，还用于在确定所述读取装置在所述第i+1个驱动脉冲的驱动下读取到所述磁性存储轨道中一个磁畴的数据时，确定所述第i+1个驱动脉冲的驱动强度为所述磁畴的最小驱动强度。在第三方面的第一种可能的实现方式中，
所述发送模块，还用于向所述磁性存储轨道和所述读取装置发送第j个驱动脉冲，其中，第j个驱动脉冲的驱动强度大于所述最小驱动强度，j为大于i+1的自然数；
所述确定模块，还用于确定所述读取装置在所述第j个驱动脉冲的驱动下是否读取到所述磁性存储轨道中两个磁畴的数据；
所述发送模块，还用于在确定所述读取装置在所述第j个驱动脉冲的驱动下未读取所述磁性存储轨道中两个磁畴的数据时，向所述磁性存储轨道和所述读取装置发送第j+1个驱动脉冲，其中，所述第j+1个驱动脉冲的驱动强度比第j个驱动脉冲的驱动强度增加第二预设强度值；
所述确定模块，还用于在确定所述读取装置在所述第j+1个驱动脉冲的驱动下读取到所述磁性存储轨道中所述两个磁畴的数据时，确定所述第j个驱动脉冲的驱动强度为所述磁畴的最大驱动强度。
在第三方面的第二种可能的实现方式中，所述第一预设强度值为所述第i个驱动脉冲的驱动强度的十分之一或百分之一。
第四方面，提供了一种控制器，应用于磁性存储设备中，以确定所述磁性存储设备中磁畴的驱动脉冲，其中，所述磁性存储设备包括由磁畴组成的磁性存储轨道，控制器及读取装置，所述控制器用于向所述磁性存储轨道和所述读取装置发送驱动脉冲，所述控制器包括：
发送模块，用于向所述磁性存储轨道和所述读取装置发送第k个驱动脉冲,其中，所述k是不为0的自然数；
确定模块，用于确定所述读取装置在所述第k个驱动脉冲的驱动下是否读取到所述磁性存储轨道中两个磁畴的数据；
所述发送模块，还用于在确定所述读取装置读取到所述磁性存储轨道中两个磁畴的数据时，向所述磁性存储轨道和所述读取装置发送第k+1个驱动脉冲，其中，第k+1个驱动脉冲的驱动强度比第k个驱动脉冲的驱动强度减小第一预设强度值；
所述确定模块，还用于在确定所述读取装置在第k+1个驱动脉冲的驱动下未读取到所述磁性存储轨道中两个磁畴的数据时，确定第k+1个驱动脉冲的驱动强度为所述磁畴的最大驱动强度。
在第四方面的第一种可能的实现方式中，
所述发送模块，还用于向所述磁性存储轨道和所述读取装置发送第m个驱动脉冲，其中，所述m为大于k+1的自然数；
所述确定模块，还用于确定所述读取装置在所述第m个驱动脉冲的驱动下是否读取到所述磁性存储轨道中一个磁畴的数据；
所述发送模块，还用于在确定所述读取装置在所述第m个驱动脉冲的驱动下读取到所述磁性存储轨道中一个磁畴的数据时，向所述磁性存储轨道和所述读取装置发送第m+1个驱动脉冲，其中，第m+1个驱动脉冲的驱动强度比第m个驱动脉冲的驱动强度减小第二预设强度值；
所述确定模块，还用于在确定所述读取装置在第m+1个驱动脉冲的驱动下未读取到所述磁性存储轨道一个磁畴的数据时，确定所述第m个驱动脉冲的驱动强度为所述磁畴的最小驱动强度。
在第四方面的第二种可能的实现方式中，所述第一预设强度值为所述第k个驱动脉冲的驱动强度的十分之一或百分之一。
第五方面，提供了一种磁性存储设备，包括由磁畴组成的磁性存储轨道，读取装置及任一种可能的实现方式中的控制器，所述控制器连接至所述磁性存储轨道及所述读取装置，以向所述磁性存储轨道和所述读取装置发送驱动脉冲。
根据各种实现方式提供的驱动脉冲的确定方法，该方法应用于磁性存储设备的控制器中以确定所述磁性存储设备中磁畴的驱动脉冲，其中，所述磁性存储设备包括由磁畴组成的磁性存储轨道，控制器及读取装置，所述控制器用于向所述磁性存储轨道和所述读取装置发送驱动脉冲。所述方法包括：所述控制器向所述磁性存储轨道和所述读取装置发送第i个驱动脉冲，其中，所述i是不为0的自然数；所述控制器确定所述读取装置在所述第i个驱动脉冲的驱动下是否读取到所述磁性存储轨道中一个磁畴的数据；所述控制器在确定所述读取装置未读取到所述磁性存储轨道中一个磁畴的数据时，向所述磁性存储轨道和所述读取装置发送第i+1个驱动脉冲，其中，所述第i+1个驱动脉冲的驱动强度比第i个驱动脉冲的驱动强度增加第一预设强度值；所述控制器确定所述读取装置在所述第i+1个驱动脉冲的驱动下读取到所述磁性存储轨道中一个磁畴的数据；所述控制器确定所述第i+1个驱动脉冲的驱动强度为所述磁畴的最小驱动强度。本发明实施例实现了确定驱动所述磁畴移动的最小驱动强度。且由于本发明实施例已经确定了磁畴移动的最小驱动强度，因此可以使所述控制器根据确定的最小驱动强度向磁性存储轨道发送驱动强度驱动脉冲，从而可以精确地驱动磁畴移动，提高磁性存储设备工作的准确性。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍。
图1是本发明实施例的第一方案第一实施方式提供的一种驱动脉冲的确定方法的流程图；
图2是本发明实施例的第一方案第二实施方式提供的一种驱动脉冲的确定方法的流程图；
图3是本发明实施例的第二方案第一实施方式提供的一种驱动脉冲的确定方法的流程图；
图4是本发明实施例的第二方案第二实施方式提供的一种驱动脉冲的确定方法的流程图；
图5是本发明实施例的第三方案实施方式提供的一种控制器的框图；
图6是本发明实施例的第四方案实施方式提供的一种控制器的框图；
图7是本发明实施例的第五方案实施方式提供的一种磁性存储设备的示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。
请参阅图1，本发明实施例第一方案第一实施方式提供了一种驱动脉冲的确定方法。该方法应用于磁性存储设备的控制器中以确定所述磁性存储设备中磁畴的驱动脉冲。其中，所述磁性存储设备包括由磁畴组成的磁性存储轨道，控制器及读取装置。所述控制器用于向所述磁性存储轨道和所述读取装置发送驱动脉冲。所述方法包括以下步骤。
步骤101、所述控制器向所述磁性存储轨道和所述读取装置发送第i个驱动脉冲。其中，所述i是不为0的自然数。
步骤102、所述控制器确定所述读取装置在所述第i个驱动脉冲的驱动下是否读取到所述磁性存储轨道中一个磁畴的数据。
需要说明的是，在本实施方式中，i可以为自然数1，且使所述控制器第一次发送的驱动脉冲的驱动强度足够小，以无法驱动所述磁畴移动，从而使得所述读取装置无法读取到所述磁性存储轨道中一个磁畴的数据。所述驱动脉冲可以为电流脉冲或电场脉冲。
步骤103、所述控制器在确定所述读取装置未读取到所述磁性存储轨道中一个磁畴的数据时，向所述磁性存储轨道和所述读取装置发送第i+1个驱动脉冲。其中，所述第i+1个驱动脉冲的驱动强度比第i个驱动脉冲的驱动强度增加第一预设强度值。
其中，在本实施方式中，所述第一预设强度值为所述第i个驱动脉冲的驱动强度的十分之一。即若第i个驱动脉冲的驱动强度为Hi，则所述第i+1个驱动脉冲的驱动强度为Hi+1＝Hi+D1。其中，D1为第一预设强度值。所述D1＝Hi/10。当然，在D1＝Hi/10中，分母“10”可以根据实际需要进行调整。当需要精确性较高时，则分母可以设置较大。即在其他实施方式中，所述第一预设强度值也可以为所述第i个驱动脉冲的驱动强度的百分之一。
步骤104、所述控制器确定所述读取装置在所述第i+1个驱动脉冲的驱动下读取到所述磁性存储轨道中一个磁畴的数据。
需要说明的是，所述控制器通过确定所述读取装置是否读取到所述磁性存储轨道中一个磁畴的数据来确定所述磁畴是否移动了1bit位置，从而确定选择的驱动强度是否是确保所述磁性存储设备不发生读写错误的驱动强度。当所述控制器确定所述读取装置未读取到所述磁性存储轨道中的一个磁畴数据时，表明所述磁畴未被移动1bit位置，需要增加再次发送的驱动脉冲的驱动强度，直至所述控制器确定所述读取装置读取到所述磁性存储轨道中一个磁畴的数据，表明所述磁畴移动了1bit位置为止。
步骤105、所述控制器确定所述第i+1个驱动脉冲的驱动强度为所述磁畴的最小驱动强度。
需要说明的是，当确定了所述磁畴的最小驱动强度后，所述控制器只要发送驱动强度等于或略大于所述最小驱动强度的驱动脉冲至所述磁性存储轨道，便可驱动所述磁畴移动1bit位置，从而确保所述磁性存储设备不发生读写错误。
在本实施方式中，所述驱动脉冲的确定方法通过控制器向所述磁性存储轨道和所述读取装置发送第i个驱动脉冲，其中，所述i是不为0的自然数；确定所述读取装置在所述第i个驱动脉冲的驱动下是否读取到所述磁性存储轨道中一个磁畴的数据；在确定所述读取装置未读取到所述磁性存储轨道中一个磁畴的数据时，向所述磁性存储轨道和所述读取装置发送第i+1个驱动脉冲，其中，所述第i+1个驱动脉冲的驱动强度比第i个驱动脉冲的驱动强度增加第一预设强度值；确定所述读取装置在所述第i+1个驱动脉冲的驱动下读取到所述磁性存储轨道中一个磁畴的数据，即表示所述磁畴移动了1bit位置；确定所述第i+1个驱动脉冲的驱动强度为所述磁畴的最小驱动强度。因此，本发明实施例实现了确定驱动所述磁畴移动的最小驱动强度的目的。且由于本发明实施例已经确定了磁畴移动的最小驱动强度，因此可以使所述控制器发送驱动强度等于或略大于所述最小驱动强度的驱动脉冲便可精确地驱动磁畴移动ibit位置，确保了磁性存储设备不发生读写错误。
请继续参阅图2，本发明实施例第一方案第二实施方式提供一种驱动脉冲的确定方法。所述第二实施方式提供的驱动脉冲的确定方法与所述第一实施方式提供的驱动脉冲的确定方法相似，两者之区别在于：在第二实施方式中，所述驱动脉冲的确定方法还包括如下步骤。
步骤201、所述控制器向所述磁性存储轨道和所述读取装置发送第j个驱动脉冲。其中，第j个驱动脉冲的驱动强度大于所述最小驱动强度，j为大于i+1的自然数。
步骤202、所述控制器确定所述读取装置在所述第j个驱动脉冲的驱动下是否读取到所述磁性存储轨道中两个磁畴的数据。
需要说明的是，所述控制器通过确定所述读取装置是否读数到所述磁性存储轨道中两个磁畴的数据来确定所述磁畴是否移动了至少2bit位置。若确定所述读取装置读数到所述磁性存储轨道中两个磁畴的数据，则表明所述控制器发送的驱动脉冲的驱动强度过大导致所述磁畴移动了至少2bit位置，从而会导致所述磁性存储设备发生读写错误。若确定所述读取装置未读数到所述磁性存储轨道中两个磁畴的数据，则表明所述控制器发送的驱动脉冲的驱动强度未驱动所述磁畴移动了至少2bit位置。其中，所述控制器确定读取装置获得所述磁性存储轨道中两个磁畴的数据的表现形式之一是获得的数据在预定时间内发生变化(即所述磁畴的阻态在预设时间发生改变)。
步骤203、所述控制器在确定所述读取装置未读取所述磁性存储轨道中两个磁畴的数据时，向所述磁性存储轨道和所述读取装置发送第j+1个驱动脉冲，其中，所述第j+1个驱动脉冲的驱动强度比第j个驱动脉冲的驱动强度增加第二预设强度值。
其中，在本实施方式中，所述第二预设强度值为所述第j个驱动脉冲的驱动强度的十分之一。即若第j个驱动脉冲的驱动强度为Hj，则所述第j+1个驱动脉冲的驱动强度为Hj+1＝Hj+D2。其中，D2为第二预设强度值。所述D2＝Hj/10。当然，在D2＝Hj/10中，分母“10”可以根据实际需要进行调整。当需要精确性较高，则分母可以设置较大。即在其他实施方式中，所述第二预设强度值也可以为所述第j个驱动脉冲的驱动强度的百分之一。所述第二预设强度值也可以与第一预设强度值相等。
步骤204、所述控制器确定所述读取装置在所述第j+1个驱动脉冲的驱动下读取到所述磁性存储轨道中两个磁畴的数据。
其中，若所述控制器确定所述读取装置未读数到所述磁性存储轨道中两个磁畴的数据，则表明所述控制器发送的驱动脉冲的驱动强度还未达到可以驱动所述磁畴移动1bit位置的极限，需要增加再次发送的驱动脉冲的驱动强度，直至所述控制器确定所述读取装置读取到所述磁性存储轨道中两个磁畴的数据，表明所述磁畴移动了2bit位置为止。
步骤205、所述控制器确定第j个驱动脉冲的驱动强度为所述磁畴的最大驱动强度。
需要说明的是，当所述控制器确定第j+1个驱动脉冲的驱动强度使得所述读取装置读取到所述磁性存储轨道中两个磁畴的数据，表明所述磁畴移动了2bit位置，而第j个驱动脉冲的驱动强度未使得所述读取装置读取到所述磁性存储轨道中两个磁畴的数据，则第j个驱动脉冲的驱动强度为确保所述磁畴移动1bit位置的最大驱动强度。
因此，所述控制器只要发送驱动强度等于或大于所述最小驱动强度且小于或等于所述最大驱动强度的驱动脉冲至所述磁性存储轨道，便可驱动所述磁畴移动1bit位置，从而确保所述磁性存储设备不发生读写错误。
请参阅图3，本发明实施例第二方案的第一实施方式提供了一种驱动脉冲的确定方法。该方法应用于磁性存储设备的控制器中以确定所述磁性存储设备中磁畴的驱动脉冲。其中，所述磁性存储设备包括由磁畴组成的磁性存储轨道，控制器及读取装置，所述控制器用于向所述磁性存储轨道和所述读取装置发送驱动脉冲。所述方法包括以下步骤。
步骤301、所述控制器向所述磁性存储轨道和所述读取装置发送第k个驱动脉冲。其中，所述k是不为0的自然数。
步骤302、所述控制器确定所述读取装置在所述第k个驱动脉冲的驱动下是否读取到所述磁性存储轨道中两个磁畴的数据。
需要说明的是，在本实施方式中，k可以为自然数1，且使所述控制器第一次发送的驱动脉冲的驱动强度足够大，以驱动所述磁畴移动至少2bit位置，从而使得所述读取装置读取到所述磁性存储轨道中至少两个磁畴的数据。所述驱动脉冲可以为电流脉冲或电场脉冲。
步骤303、所述控制器在确定所述读取装置读取到所述磁性存储轨道中两个磁畴的数据时，向所述磁性存储轨道和所述读取装置发送第k+1个驱动脉冲。其中，第k+1个驱动脉冲的驱动强度比第k个驱动脉冲的驱动强度减小第一预设强度值。
其中，在本实施方式中，所述第一预设强度值为所述第k个驱动脉冲的驱动强度的十分之一。即若第k个驱动脉冲的驱动强度为Hk，则所述第k+1个驱动脉冲的驱动强度为Hk+1＝Hk-N1。其中，N1为第一预设强度值。所述N1＝Hk/10。当然，在N1＝Hk/10中，分母“10”可以根据实际需要进行调整。当需要精确性较高时，则分母可以设置较大。即在其他实施方式中，所述第一预设强度值也可以为所述第k个驱动脉冲的驱动强度的百分之一。
步骤304、所述控制器确定所述读取装置在第k+1个驱动脉冲的驱动下未读取到所述磁性存储轨道中两个磁畴的数据。
需要说明的是，所述控制器通过确定所述读取装置是否读数到所述磁性存储轨道中两个磁畴的数据来确定所述磁畴是否移动了至少2bit位置。若确定所述读取装置读数到所述磁性存储轨道中两个磁畴的数据，则表明所述控制器发送的驱动脉冲的驱动强度过大导致所述磁畴移动了至少2bit位置，从而会导致所述磁性存储设备发生读写错误。则所述控制器需要减小再次发送的驱动脉冲的驱动强度，直至所述控制器确定所述读取装置读取到所述磁性存储轨道中一个磁畴的数据，表明所述磁畴仅移动了1bit位置为止。其中，所述控制器确定读取装置获得所述磁性存储轨道中两个磁畴的数据的表现形式之一是获得的数据在预定时间内发生变化(即所述磁畴的阻态在预设时间发生改变)。当获取的数据在预定时间内未发生变化，则表明所述读取装置获得了所述磁性存储轨道的一个磁畴的数据。
步骤305、所述控制器确定第k+1个驱动脉冲的驱动强度为所述磁畴的最大驱动强度。
需要说明的是，当所述控制器确定第k个驱动脉冲的驱动强度使得所述读取装置读取到所述磁性存储轨道中两个磁畴的数据，表明所述磁畴移动了2bit位置，而第k+1个驱动脉冲的驱动强度未使得所述读取装置读取到所述磁性存储轨道中两个磁畴的数据，则可以确定第k+1个驱动脉冲的驱动强度为确保所述磁畴移动1bit位置的最大驱动强度。
因此，所述控制器只要发送驱动强度等于或略小于所述最大驱动强度的驱动脉冲至所述磁性存储轨道，便可驱动所述磁畴移动1bit位置，从而确保所述磁性存储设备不发生读写错误。
在本实施方式中，所述驱动脉冲的确定方法通过控制器向向所述磁性存储轨道和所述读取装置发送第k个驱动脉冲，其中，所述k是不为0的自然数；确定所述读取装置在所述第k个驱动脉冲的驱动下是否读取到所述磁性存储轨道中两个磁畴的数据；在确定所述读取装置读取到所述磁性存储轨道中两个磁畴的数据时，向所述磁性存储轨道和所述读取装置发送第k+1个驱动脉冲，其中，第k+1个驱动脉冲的驱动强度比第k个驱动脉冲的驱动强度减小第一预设强度值；确定所述读取装置在第k+1个驱动脉冲的驱动下未读取到所述磁性存储轨道中两个磁畴的数据；确定第k+1个驱动脉冲的驱动强度为所述磁畴的最大驱动强度。因此，本发明实施例实现了确定驱动所述磁畴移动的最大驱动强度的目的。且由于本发明实施例已经确定了磁畴移动的最大驱动强度，因此可以使所述控制器发送驱动强度等于或略小于所述最大驱动强度的驱动脉冲便可精确地驱动磁畴移动ibit位置，确保了磁性存储设备不发生读写错误。
请参阅图4，本发明实施例第二方案的第二实施方式提供了一种驱动脉冲的确定方法。本发明实施例第二方案的第二实施方式提供的一种驱动脉冲的确定方法与第二方案的第一实施方式提供的一种驱动脉冲的确定方法相似，两者的区别在于：在所述第二方案的第二实施方式中，所述方法还包括如下步骤。
步骤401、所述控制器向所述磁性存储轨道和所述读取装置发送第m个驱动脉冲。其中，所述m为大于k+1的自然数。
步骤402、所述控制器确定所述读取装置在所述第m个驱动脉冲的驱动下是否读取到所述磁性存储轨道中一个磁畴的数据。
需要说明的是，所述控制器通过确定所述读取装置是否读数到所述磁性存储轨道中一个磁畴的数据来确定所述磁畴是否移动了1bit位置。若确定所述读取装置读数到所述磁性存储轨道中一个磁畴的数据，则表明所述控制器发送的驱动脉冲的驱动强度未达到驱动所述磁畴移动了1bit位置的极限。所述控制器需要减小再次发送的驱动脉冲的驱动强度，直至所述控制器确定所述读取装置未读取到所述磁性存储轨道中一个磁畴的数据，表明所述磁畴未被移动为止。
步骤403、所述控制器在确定所述读取装置读取到所述磁性存储轨道中一个磁畴的数据时，向所述磁性存储轨道和所述读取装置发送第m+1个驱动脉冲，其中，第m+1个驱动脉冲的驱动强度比第m个驱动脉冲的驱动强度减小第二预设强度值。
其中，在本实施方式中，所述第二预设强度值为所述第m个驱动脉冲的驱动强度的十分之一。即若第m个驱动脉冲的驱动强度为Hm，则所述第m+1个驱动脉冲的驱动强度为Hm+1＝Hm-N2。其中，N2为第二预设强度值。所述N2＝Hm/10。当然，在N2＝Hm/10中，分母“10”可以根据实际需要进行调整。当需要精确性较高，则分母可以设置较大。即在其他实施方式中，所述第二预设强度值也可以为所述第m个驱动脉冲的驱动强度的百分之一。所述第二预设强度值也可以与第一预设强度值相等。
步骤404、所述控制器确定所述读取装置在第m+1个驱动脉冲的驱动下未读取到所述磁性存储轨道一个磁畴的数据。
其中，若所述控制器确定所述读取装置未读数到所述磁性存储轨道中一个磁畴的数据，则表明所述控制器发送的驱动脉冲的驱动强度已太小，已无法驱动所述磁畴移动1bit位置。
步骤405、所述控制器确定所述第m个驱动脉冲的驱动强度为所述磁畴的最小驱动强度。
需要说明的是，当所述控制器确定第m+1个驱动脉冲的驱动强度使得所述读取装置未读取到所述磁性存储轨道中一个磁畴的数据，表明所述磁畴未被移动，而第m个驱动脉冲的驱动强度使得所述读取装置读取到所述磁性存储轨道中一个磁畴的数据，则第m个驱动脉冲的驱动强度为确保所述磁畴移动1bit位置的最小驱动强度。
因此，所述控制器只要发送驱动强度等于或大于所述最小驱动强度且小于或等于所述最大驱动强度的驱动脉冲至所述磁性存储轨道，便可驱动所述磁畴移动1bit位置，从而确保所述磁性存储设备不发生读写错误。
请参阅图5，本发明实施例第三方案实施方式提供一种控制器100。所述控制器100应用于磁性存储设备中，以确定所述磁性存储设备中磁畴的驱动脉冲。其中，所述磁性存储设备包括由磁畴组成的磁性存储轨道，控制器及读取装置。所述控制器用于向所述磁性存储轨道和所述读取装置发送驱动脉冲。所述控制器100包括发送模块10及确定模块20。
所述发送模块10用于向所述磁性存储轨道和所述读取装置发送第i个驱动脉冲。其中，所述i是不为0的自然数。
所述确定模块20用于确定所述读取装置在所述第i个驱动脉冲的驱动下是否读取到所述磁性存储轨道中一个磁畴的数据。
需要说明的是，在本实施方式中，i可以为自然数1，且使所述发送模块10第一次发送的驱动脉冲的驱动强度足够小，以无法驱动所述磁畴移动，从而使得所述读取装置无法读取到所述磁性存储轨道中一个磁畴的数据。所述驱动脉冲可以为电流脉冲或电场脉冲。
所述发送模块10还用于在确定所述读取装置未读取到所述磁性存储轨道中一个磁畴的数据时，向所述磁性存储轨道和所述读取装置发送第i+1个驱动脉冲，其中，所述第i+1个驱动脉冲的驱动强度比第i个驱动脉冲的驱动强度增加第一预设强度值。
其中，在本实施方式中，所述第一预设强度值为所述第i个驱动脉冲的驱动强度的十分之一。即若第i个驱动脉冲的驱动强度为Hi，则所述第i+1个驱动脉冲的驱动强度为Hi+1＝Hi+D1。其中，D1为第一预设强度值。所述D1＝Hi/10。当然，在D1＝Hi/10中，分母“10”可以根据实际需要进行调整。当需要精确性较高时，则分母可以设置较大。即在其他实施方式中，所述第一预设强度值也可以为所述第i个驱动脉冲的驱动强度的百分之一。
所述确定模块20还用于在确定所述读取装置在所述第i+1个驱动脉冲的驱动下读取到所述磁性存储轨道中一个磁畴的数据时，确定所述第i+1个驱动脉冲的驱动强度为所述磁畴的最小驱动强度。
需要说明的是，所述确定模块20通过确定所述读取装置是否读取到所述磁性存储轨道中一个磁畴的数据来确定所述磁畴是否移动了1bit位置，从而确定选择的驱动强度是否是确保所述磁性存储设备不发生读写错误的驱动强度。当所述确定模块20确定所述读取装置未读取到所述磁性存储轨道中的一个磁畴数据时，表明所述磁畴未被移动1bit位置，需要增加再次发送的驱动脉冲的驱动强度，直至所述确定模块20确定所述读取装置读取到所述磁性存储轨道中一个磁畴的数据，表明所述磁畴移动了1bit位置为止。
需要说明的是，当确定了所述磁畴的最小驱动强度后，所述发送模块10只要发送驱动强度等于或略大于所述最小驱动强度的驱动脉冲至所述磁性存储轨道，便可驱动所述磁畴移动1bit位置，从而确保所述磁性存储设备不发生读写错误。
在本实施方式中，所述控制器100的发送模块10用于向所述磁性存储轨道和所述读取装置发送第i个驱动脉冲，其中，所述i是不为0的自然数。所述确定模块20用于确定所述读取装置在所述第i个驱动脉冲的驱动下是否读取到所述磁性存储轨道中一个磁畴的数据。所述发送模块10还用于在确定所述读取装置未读取到所述磁性存储轨道中一个磁畴的数据时，向所述磁性存储轨道和所述读取装置发送第i+1个驱动脉冲，其中，所述第i+1个驱动脉冲的驱动强度比第i个驱动脉冲的驱动强度增加第一预设强度值。所述确定模块20还用于确定所述读取装置在所述第i+1个驱动脉冲的驱动下读取到所述磁性存储轨道中一个磁畴的数据，即表示所述磁畴移动了1bit位置；确定所述第i+1个驱动脉冲的驱动强度为所述磁畴的最小驱动强度。因此，本发明实施例实现了确定驱动所述磁畴移动的最小驱动强度的目的。且由于本发明实施例已经确定了磁畴移动的最小驱动强度，因此可以使所述控制器发送驱动强度等于或略大于所述最小驱动强度的驱动脉冲便可精确地驱动磁畴移动ibit位置，确保了磁性存储设备不发生读写错误。
进一步地，所述发送模块10还用于向所述磁性存储轨道和所述读取装置发送第j个驱动脉冲，其中，第j个驱动脉冲的驱动强度大于所述最小驱动强度，j为大于i+1的自然数。
所述确定模块20还用于确定所述读取装置在所述第j个驱动脉冲的驱动下是否读取到所述磁性存储轨道中两个磁畴的数据。
需要说明的是，所述确定模块20通过确定所述读取装置是否读数到所述磁性存储轨道中两个磁畴的数据来确定所述磁畴是否移动了至少2bit位置。若确定所述读取装置读数到所述磁性存储轨道中两个磁畴的数据，则表明所述控制器发送的驱动脉冲的驱动强度过大导致所述磁畴移动了至少2bit位置，从而会导致所述磁性存储设备发生读写错误。若确定所述读取装置未读数到所述磁性存储轨道中两个磁畴的数据，则表明所述发送模块10发送的驱动脉冲的驱动强度未驱动所述磁畴移动了至少2bit位置。其中，所述确定模块确定读取装置获得所述磁性存储轨道中两个磁畴的数据的表现形式之一是获得的数据在预定时间内发生变化(即所述磁畴的阻态在预设时间发生改变)。
所述发送模块还用于在确定所述读取装置未读取所述磁性存储轨道中两个磁畴的数据时，向所述磁性存储轨道和所述读取装置发送第j+1个驱动脉冲，其中，所述第j+1个驱动脉冲的驱动强度比第j个驱动脉冲的驱动强度增加第二预设强度值。
其中，在本实施方式中，所述第二预设强度值为所述第j个驱动脉冲的驱动强度的十分之一。即若第j个驱动脉冲的驱动强度为Hj，则所述第j+1个驱动脉冲的驱动强度为Hj+1＝Hj+D2。其中，D2为第二预设强度值。所述D2＝Hj/10。当然，在D2＝Hj/10中，分母“10”可以根据实际需要进行调整。当需要精确性较高，则分母可以设置较大。即在其他实施方式中，所述第二预设强度值也可以为所述第j个驱动脉冲的驱动强度的百分之一。所述第二预设强度值也可以与第一预设强度值相等。
所述确定模块20还用于在确定所述读取装置在所述第j+1个驱动脉冲的驱动下读取到所述磁性存储轨道中所述两个磁畴的数据时，确定第j个驱动脉冲的驱动强度为所述磁畴的最大驱动强度。
其中，若所述确定模块20确定所述读取装置未读数到所述磁性存储轨道中两个磁畴的数据，则表明所述控制器发送的驱动脉冲的驱动强度还未达到可以驱动所述磁畴移动1bit位置的极限，需要增加再次发送的驱动脉冲的驱动强度，直至所述确定模块20确定所述读取装置读取到所述磁性存储轨道中两个磁畴的数据，表明所述磁畴移动了2bit位置为止。
需要说明的是，当所述确定模块20确定第j+1个驱动脉冲的驱动强度使得所述读取装置读取到所述磁性存储轨道中两个磁畴的数据，表明所述磁畴移动了2bit位置，而第j个驱动脉冲的驱动强度未使得所述读取装置读取到所述磁性存储轨道中两个磁畴的数据，则第j个驱动脉冲的驱动强度为确保所述磁畴移动1bit位置的最大驱动强度。
因此，所述发送模块21只要发送驱动强度等于或大于所述最小驱动强度且小于或等于所述最大驱动强度的驱动脉冲至所述磁性存储轨道，便可驱动所述磁畴移动1bit位置，从而确保所述磁性存储设备不发生读写错误。
请参阅图六，本发明实施例第四方案的实施方式提供一种控制器200。所述控制器200应用于磁性存储设备中，以确定所述磁性存储设备中磁畴的驱动脉冲。其中，所述磁性存储设备包括由磁畴组成的磁性存储轨道，控制器及读取装置，所述控制器用于向所述磁性存储轨道和所述读取装置发送驱动脉冲。所述控制器包括发送模块210及确定模块220。
所述发送模块210用于向所述磁性存储轨道和所述读取装置发送第k个驱动脉冲,其中，所述k是不为0的自然数。
所述确定模块用于确定所述读取装置在所述第k个驱动脉冲的驱动下是否读取到所述磁性存储轨道中两个磁畴的数据。
需要说明的是，在本实施方式中，k可以为自然数1，且使所述发送模块210第一次发送的驱动脉冲的驱动强度足够大，以驱动所述磁畴移动至少2bit位置，从而使得所述读取装置读取到所述磁性存储轨道中至少两个磁畴的数据。所述驱动脉冲可以为电流脉冲或电场脉冲。
所述发送模块210还用于在确定所述读取装置读取到所述磁性存储轨道中两个磁畴的数据时，向所述磁性存储轨道和所述读取装置发送第k+1个驱动脉冲，其中，第k+1个驱动脉冲的驱动强度比第k个驱动脉冲的驱动强度减小第一预设强度值。
其中，在本实施方式中，所述第一预设强度值为所述第k个驱动脉冲的驱动强度的十分之一。即若第k个驱动脉冲的驱动强度为Hk，则所述第k+1个驱动脉冲的驱动强度为Hk+1＝Hk-N1。其中，N1为第一预设强度值。所述N1＝Hk/10。当然，在N1＝Hk/10中，分母“10”可以根据实际需要进行调整。当需要精确性较高时，则分母可以设置较大。即在其他实施方式中，所述第一预设强度值也可以为所述第k个驱动脉冲的驱动强度的百分之一。
所述确定模块220还用于在确定所述读取装置在第k+1个驱动脉冲的驱动下未读取到所述磁性存储轨道中两个磁畴的数据时，确定第k+1个驱动脉冲的驱动强度为所述磁畴的最大驱动强度。
需要说明的是，所述确定模块220通过确定所述读取装置是否读数到所述磁性存储轨道中两个磁畴的数据来确定所述磁畴是否移动了至少2bit位置。若确定所述读取装置读数到所述磁性存储轨道中两个磁畴的数据，则表明所述控制器发送的驱动脉冲的驱动强度过大导致所述磁畴移动了至少2bit位置，从而会导致所述磁性存储设备发生读写错误。则所述发送模块210需要减小再次发送的驱动脉冲的驱动强度，直至所述确定模块220确定所述读取装置读取到所述磁性存储轨道中一个磁畴的数据，表明所述磁畴仅移动了1bit位置为止。其中，所述确定模块220确定读取装置获得所述磁性存储轨道中两个磁畴的数据的表现形式之一是获得的数据在预定时间内发生变化(即所述磁畴的阻态在预设时间发生改变)。当获取的数据在预定时间内未发生变化，则表明所述读取装置获得了所述磁性存储轨道的一个磁畴的数据。
需要说明的是，当所述确定模块确定第k个驱动脉冲的驱动强度使得所述读取装置读取到所述磁性存储轨道中两个磁畴的数据，表明所述磁畴移动了2bit位置，而第k+1个驱动脉冲的驱动强度未使得所述读取装置读取到所述磁性存储轨道中两个磁畴的数据，则可以确定第k+1个驱动脉冲的驱动强度为确保所述磁畴移动1bit位置的最大驱动强度。
因此，所述发送模块210只要发送驱动强度等于或略小于所述最大驱动强度的驱动脉冲至所述磁性存储轨道，便可驱动所述磁畴移动1bit位置，从而确保所述磁性存储设备不发生读写错误。
在本实施方式中，所述发送模块210向所述磁性存储轨道和所述读取装置发送第k个驱动脉冲，其中，所述k是不为0的自然数。所述确定模块220确定所述读取装置在所述第k个驱动脉冲的驱动下是否读取到所述磁性存储轨道中两个磁畴的数据；所述发送模块210在确定所述读取装置读取到所述磁性存储轨道中两个磁畴的数据时，向所述磁性存储轨道和所述读取装置发送第k+1个驱动脉冲，其中，第k+1个驱动脉冲的驱动强度比第k个驱动脉冲的驱动强度减小第一预设强度值。所述确定模块220确定所述读取装置在第k+1个驱动脉冲的驱动下未读取到所述磁性存储轨道中两个磁畴的数据；确定第k+1个驱动脉冲的驱动强度为所述磁畴的最大驱动强度。因此，本发明实施例实现了确定驱动所述磁畴移动的最大驱动强度的目的。且由于本发明实施例已经确定了磁畴移动的最大驱动强度，因此可以使所述控制器发送驱动强度等于或略小于所述最大驱动强度的驱动脉冲便可精确地驱动磁畴移动ibit位置，确保了磁性存储设备不发生读写错误。
进一步地，所述发送模块210还用于向所述磁性存储轨道和所述读取装置发送第m个驱动脉冲，其中，所述m为大于k+1的自然数。
所述确定模块220还用于确定所述读取装置在所述第m个驱动脉冲的驱动下是否读取到所述磁性存储轨道中一个磁畴的数据。
需要说明的是，所述确定模块220通过确定所述读取装置是否读数到所述磁性存储轨道中一个磁畴的数据来确定所述磁畴是否移动了1bit位置。若确定所述读取装置读数到所述磁性存储轨道中一个磁畴的数据，则表明所述发送模块210发送的驱动脉冲的驱动强度未达到驱动所述磁畴移动了1bit位置的极限。所述发送模块210需要减小再次发送的驱动脉冲的驱动强度，直至所述确定模块220确定所述读取装置未读取到所述磁性存储轨道中一个磁畴的数据，表明所述磁畴未被移动为止。
所述发送模块210还用于在确定所述读取装置读取到所述磁性存储轨道中一个磁畴的数据时，向所述磁性存储轨道和所述读取装置发送第m+1个驱动脉冲，其中，第m+1个驱动脉冲的驱动强度比第m个驱动脉冲的驱动强度减小第二预设强度值。
其中，在本实施方式中，所述第二预设强度值为所述第m个驱动脉冲的驱动强度的十分之一。即若第m个驱动脉冲的驱动强度为Hm，则所述第m+1个驱动脉冲的驱动强度为Hm+1＝Hm-N2。其中，N2为第二预设强度值。所述N2＝Hm/10。当然，在N2＝Hm/10中，分母“10”可以根据实际需要进行调整。当需要精确性较高，则分母可以设置较大。即在其他实施方式中，所述第二预设强度值也可以为所述第m个驱动脉冲的驱动强度的百分之一。所述第二预设强度值也可以与第一预设强度值相等。
所述确定模块220还用于在确定所述读取装置在第m+1个驱动脉冲的驱动下未读取到所述磁性存储轨道一个磁畴的数据时，确定所述第m个驱动脉冲的驱动强度为所述磁畴的最小驱动强度。
其中，若所述确定模块220确定所述读取装置未读数到所述磁性存储轨道中一个磁畴的数据，则表明所述发送模块210发送的驱动脉冲的驱动强度已太小，已无法驱动所述磁畴移动1bit位置。
需要说明的是，当所述确定模块220确定第m+1个驱动脉冲的驱动强度使得所述读取装置未读取到所述磁性存储轨道中一个磁畴的数据，表明所述磁畴未被移动，而第m个驱动脉冲的驱动强度使得所述读取装置读取到所述磁性存储轨道中一个磁畴的数据，则第m个驱动脉冲的驱动强度为确保所述磁畴移动1bit位置的最小驱动强度。
因此，所述发送模块210只要发送驱动强度等于或大于所述最小驱动强度且小于或等于所述最大驱动强度的驱动脉冲至所述磁性存储轨道，便可驱动所述磁畴移动1bit位置，从而确保所述磁性存储设备不发生读写错误。
请参阅图7，本发明实施例第五方案实施方式提供一种磁性存储设备400。所述磁性存储设备400包括由磁畴组成的磁性存储轨道410、读取装置420及上述第三或第四方案提供的控制器。所述控制器连接至所述磁性存储轨道410及所述读取装置420，以向所述磁性存储轨道410和所述读取装置420发送驱动脉冲。由于所述控制器已在上述第三或第四方案中进行了详细的描述，故在此不再赘述。
在本发明实施例中，所述确定模块220所述磁畴的最小驱动强度及最大驱动强度均已确定，所述发送模块210只要发送驱动强度等于或大于所述最小驱动强度且小于或等于所述最大驱动强度的驱动脉冲至所述磁性存储轨道，便可驱动所述磁畴移动1bit位置，从而确保所述磁性存储设备400不发生读写错误。
本发明实施例中，作为分离部件说明的模块可以是或者也可以不是物理上分开的，作为模块显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部，模块来实现本实施例方案的目的。
本发明实施例还提供一种数据处理的计算机程序产品，包括存储了程序代码的计算机可读存储介质，所述程序代码包括的指令用于执行前述任意一个方法实施例所述的方法流程。本领域普通技术人员可以理解，前述的存储介质包括：U盘、移动硬盘、磁碟、光盘、随机存储器(Random-AccessMemory，RAM)、固态硬盘(SolidStateDisk，SSD)或者非易失性存储器(non-volatilememory)等各种可以存储程序代码的非短暂性的(non-transitory)机器可读介质。
需要说明的是，本申请所提供的实施例仅仅是示意性的。所属领域的技术人员可以清楚地了解到，为了描述的方便和简洁，在上述实施例中，对各个实施例的描述都各有侧重，某个实施例中没有详述的部分，可以参见其他实施例的相关描述。在本发明实施例、权利要求以及附图中揭示的特征可以独立存在也可以组合存在。在本发明实施例中以硬件形式描述的特征可以通过软件来执行，反之亦然。在此不做限定。
Claims (13)
1.一种驱动脉冲的确定方法，应用于磁性存储设备的控制器中以确定所述磁性存储设备中磁畴的驱动脉冲，其中，所述磁性存储设备包括由磁畴组成的磁性存储轨道，控制器及读取装置，所述控制器用于向所述磁性存储轨道和所述读取装置发送驱动脉冲，其特征在于，所述方法包括：
所述控制器向所述磁性存储轨道和所述读取装置发送第i个驱动脉冲，其中，所述i是不为0的自然数；
所述控制器确定所述读取装置在所述第i个驱动脉冲的驱动下是否读取到所述磁性存储轨道中一个磁畴的数据；
所述控制器在确定所述读取装置未读取到所述磁性存储轨道中一个磁畴的数据时，向所述磁性存储轨道和所述读取装置发送第i+1个驱动脉冲，其中，所述第i+1个驱动脉冲的驱动强度比第i个驱动脉冲的驱动强度增加第一预设强度值；
所述控制器确定所述读取装置在所述第i+1个驱动脉冲的驱动下读取到所述磁性存储轨道中一个磁畴的数据；
所述控制器确定所述第i+1个驱动脉冲的驱动强度为所述磁畴的最小驱动强度。
2.如权利要求1所述的驱动脉冲的确定方法，其特征在于，所述方法还包括：
所述控制器向所述磁性存储轨道和所述读取装置发送第j个驱动脉冲，其中，第j个驱动脉冲的驱动强度大于所述最小驱动强度，j为大于i+1的自然数；
所述控制器确定所述读取装置在所述第j个驱动脉冲的驱动下是否读取到所述磁性存储轨道中两个磁畴的数据；
所述控制器在确定所述读取装置未读取所述磁性存储轨道中两个磁畴的数据时，向所述磁性存储轨道和所述读取装置发送第j+1个驱动脉冲，其中，所述第j+1个驱动脉冲的驱动强度比第j个驱动脉冲的驱动强度增加第二预设强度值；
所述控制器确定所述读取装置在所述第j+1个驱动脉冲的驱动下读取到所述磁性存储轨道中所述两个磁畴的数据；
所述控制器确定第j个驱动脉冲的驱动强度为所述磁畴的最大驱动强度。
3.如权利要求1所述的驱动脉冲的确定方法，其特征在于，所述第一预设强度值为所述第i个驱动脉冲的驱动强度的十分之一或百分之一。
4.一种驱动脉冲的确定方法，应用于磁性存储设备的控制器中以确定所述磁性存储设备中磁畴的驱动脉冲，其中，所述磁性存储设备包括由磁畴组成的磁性存储轨道，控制器及读取装置，所述控制器用于向所述磁性存储轨道和所述读取装置发送驱动脉冲，其特征在于，所述方法包括：
所述控制器向所述磁性存储轨道和所述读取装置发送第k个驱动脉冲,其中，所述k是不为0的自然数；
所述控制器确定所述读取装置在所述第k个驱动脉冲的驱动下是否读取到所述磁性存储轨道中两个磁畴的数据；
所述控制器在确定所述读取装置读取到所述磁性存储轨道中两个磁畴的数据时，向所述磁性存储轨道和所述读取装置发送第k+1个驱动脉冲，其中，第k+1个驱动脉冲的驱动强度比第k个驱动脉冲的驱动强度减小第一预设强度值；
所述控制器确定所述读取装置在第k+1个驱动脉冲的驱动下未读取到所述磁性存储轨道中两个磁畴的数据；
所述控制器确定第k+1个驱动脉冲的驱动强度为所述磁畴的最大驱动强度。
5.如权利要求4所述的驱动脉冲的确定方法，其特征在于，所述方法还包括：
所述控制器向所述磁性存储轨道和所述读取装置发送第m个驱动脉冲，其中，所述m为大于k+1的自然数；
所述控制器确定所述读取装置在所述第m个驱动脉冲的驱动下是否读取到所述磁性存储轨道中一个磁畴的数据；
所述控制器在确定所述读取装置读取到所述磁性存储轨道中一个磁畴的数据时，向所述磁性存储轨道和所述读取装置发送第m+1个驱动脉冲，其中，第m+1个驱动脉冲的驱动强度比第m个驱动脉冲的驱动强度减小第二预设强度值；
所述控制器确定所述读取装置在第m+1个驱动脉冲的驱动下未读取到所述磁性存储轨道一个磁畴的数据；
所述控制器确定所述第m个驱动脉冲的驱动强度为所述磁畴的最小驱动强度。
6.如权利要求4所述的驱动脉冲的确定方法，其特征在于，所述第一预设强度值为所述第k个驱动脉冲的驱动强度的十分之一或百分之一。
7.一种控制器，应用于磁性存储设备中，以确定所述磁性存储设备中磁畴的驱动脉冲，其中，所述磁性存储设备包括由磁畴组成的磁性存储轨道，控制器及读取装置，所述控制器用于向所述磁性存储轨道和所述读取装置发送驱动脉冲，其特征在于，所述控制器包括：
发送模块，用于向所述磁性存储轨道和所述读取装置发送第i个驱动脉冲，其中，所述i是不为0的自然数；
确定模块，用于确定所述读取装置在所述第i个驱动脉冲的驱动下是否读取到所述磁性存储轨道中一个磁畴的数据；
所述发送模块，还用于在确定所述读取装置在所述第i个驱动脉冲的驱动下未读取到所述磁性存储轨道中一个磁畴的数据时，向所述磁性存储轨道和所述读取装置发送第i+1个驱动脉冲，其中，所述第i+1个驱动脉冲的驱动强度比第i个驱动脉冲的驱动强度增加第一预设强度值；
所述确定模块，还用于在确定所述读取装置在所述第i+1个驱动脉冲的驱动下读取到所述磁性存储轨道中一个磁畴的数据时，确定所述第i+1个驱动脉冲的驱动强度为所述磁畴的最小驱动强度。
8.如权利要求7所述的控制器，其特征在于：
所述发送模块，还用于向所述磁性存储轨道和所述读取装置发送第j个驱动脉冲，其中，第j个驱动脉冲的驱动强度大于所述最小驱动强度，j为大于i+1的自然数；
所述确定模块，还用于确定所述读取装置在所述第j个驱动脉冲的驱动下是否读取到所述磁性存储轨道中两个磁畴的数据；
所述发送模块，还用于在确定所述读取装置在所述第j个驱动脉冲的驱动下未读取所述磁性存储轨道中两个磁畴的数据时，向所述磁性存储轨道和所述读取装置发送第j+1个驱动脉冲，其中，所述第j+1个驱动脉冲的驱动强度比第j个驱动脉冲的驱动强度增加第二预设强度值；
所述确定模块，还用于在确定所述读取装置在所述第j+1个驱动脉冲的驱动下读取到所述磁性存储轨道中所述两个磁畴的数据时，确定所述第j个驱动脉冲的驱动强度为所述磁畴的最大驱动强度。
9.如权利要求7所述的控制器，其特征在于，所述第一预设强度值为所述第i个驱动脉冲的驱动强度的十分之一或百分之一。
10.一种控制器，应用于磁性存储设备中，以确定所述磁性存储设备中磁畴的驱动脉冲，其中，所述磁性存储设备包括由磁畴组成的磁性存储轨道，控制器及读取装置，所述控制器用于向所述磁性存储轨道和所述读取装置发送驱动脉冲，其特征在于，所述控制器包括：
发送模块，用于向所述磁性存储轨道和所述读取装置发送第k个驱动脉冲,其中，所述k是不为0的自然数；
确定模块，用于确定所述读取装置在所述第k个驱动脉冲的驱动下是否读取到所述磁性存储轨道中两个磁畴的数据；
所述发送模块，还用于在确定所述读取装置读取到所述磁性存储轨道中两个磁畴的数据时，向所述磁性存储轨道和所述读取装置发送第k+1个驱动脉冲，其中，第k+1个驱动脉冲的驱动强度比第k个驱动脉冲的驱动强度减小第一预设强度值；
所述确定模块，还用于在确定所述读取装置在第k+1个驱动脉冲的驱动下未读取到所述磁性存储轨道中两个磁畴的数据时，确定第k+1个驱动脉冲的驱动强度为所述磁畴的最大驱动强度。
11.如权利要求10所述的控制器，其特征在于：
所述发送模块，还用于向所述磁性存储轨道和所述读取装置发送第m个驱动脉冲，其中，所述m为大于k+1的自然数；
所述确定模块，还用于确定所述读取装置在所述第m个驱动脉冲的驱动下是否读取到所述磁性存储轨道中一个磁畴的数据；
所述发送模块，还用于在确定所述读取装置在所述第m个驱动脉冲的驱动下读取到所述磁性存储轨道中一个磁畴的数据时，向所述磁性存储轨道和所述读取装置发送第m+1个驱动脉冲，其中，第m+1个驱动脉冲的驱动强度比第m个驱动脉冲的驱动强度减小第二预设强度值；
所述确定模块，还用于在确定所述读取装置在第m+1个驱动脉冲的驱动下未读取到所述磁性存储轨道一个磁畴的数据时，确定所述第m个驱动脉冲的驱动强度为所述磁畴的最小驱动强度。
12.如权利要求10所述的控制器，其特征在于，所述第一预设强度值为所述第k个驱动脉冲的驱动强度的十分之一或百分之一。
13.一种磁性存储设备，包括由磁畴组成的磁性存储轨道、读取装置及如权利要求7-12任一项所述的控制器，所述控制器连接至所述磁性存储轨道及所述读取装置，以向所述磁性存储轨道和所述读取装置发送驱动脉冲。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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