CN105096968B - 磁盘驱动器及控制数据重写的方法 - Google Patents

磁盘驱动器及控制数据重写的方法 Download PDF

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Abstract

本发明涉及磁盘驱动器及控制数据重写的方法。本发明的实施方式的磁盘驱动器的控制器，通过与盘上的第一磁道相关联的第一计数器及第二计数器管理向该第一磁道的外相邻磁道范围内的磁道及内相邻磁道范围内的磁道分别进行的数据写入对所述第一磁道带来的影响。所述第一计数器及所述第二计数器分别表示向所述外相邻磁道范围内的磁道及所述内相邻磁道范围内的磁道进行数据写入的次数。所述控制器基于所述第一计数器及所述第二计数器各自的值，读取所述第一磁道的数据并将该读取到的数据向该第一磁道重写。

Description

磁盘驱动器及控制数据重写的方法
技术领域
本发明的实施方式涉及磁盘驱动器及控制数据重写的方法。
背景技术
近年来，随着磁盘驱动器的记录容量的提高，推进高磁道密度化。由于该高磁道密度化，使得盘(磁盘)上的磁道的间隔(也就是磁道间距)窄小化。
若磁道间距窄小化，则在由头(磁头)向目标磁道磁性地写入数据时，可能导致已经磁性地写入到与该目标磁道相邻的磁道中的数据的磁性劣化。其原因在于，头所产生的磁场中的、无助于向目标磁道的数据写入的成分，所谓的漏磁场。
在此，对于某磁道(以下称为磁道T)的漏磁场影响在每次向相邻磁道进行数据写入时都会累积。因此，随着向相邻磁道进行数据写入的次数的增加，磁道T的磁化逐渐减少(也就是减磁)。这种现象被称为邻近磁道干扰(ATI)。
若在ATI的影响下磁道T的减磁发展，则从该磁道T读取数据时的出错率也增加。最终，即使最大限度地使用纠错码(ECC)来试图修复磁道T的数据，也难以修复该数据。由此，结果是数据消失。直到磁道T的数据消失为止的、向相邻磁道的数据写入次数根据写访问模式(write access pattern)而不同。
因此，在近年的磁盘驱动器中，需要在由于ATI的影响而变得不能从磁道T进行数据读取之前，进行用于使该磁道T的磁化恢复的重写(磁道刷新)。通过该磁道刷新，恢复磁道T的磁化。
发明内容
本发明的实施方式提供一种磁盘驱动器及控制数据重写的方法，能够基于向至少2个磁道的数据写入对该2个磁道之间的磁道带来的影响的强度，在合适的时机重写该2个磁道之间的磁道的数据。
实施方式的磁盘驱动器包括盘、头和控制器。所述盘具有包括第一磁道的多个磁道。所述头被构成为向所述盘写入数据，且从所述盘读取数据。所述控制器被构成为对利用所述头向所述盘的数据写入及从所述盘的数据读取进行控制。所述控制器被构成为：通过与所述第一磁道相关联的第一计数器及第二计数器，管理向外相邻磁道范围内的磁道及内相邻磁道范围内的磁道分别进行的数据写入对所述第一磁道带来的影响。所述外相邻磁道范围在所述第一磁道的外侧相邻且具有至少1个磁道。所述内相邻磁道范围在所述第一磁道的内侧相邻且具有至少1个磁道。所述第一计数器及所述第二计数器分别表示向所述外相邻磁道范围内的磁道及所述内相邻磁道范围内的磁道进行数据写入的次数。所述控制器基于所述第一计数器及所述第二计数器各自的值，读取所述第一磁道的数据并将该读取到的数据向该第一磁道重写。
附图说明
图1是表示实施方式涉及的磁盘驱动器的典型结构的框图。
图2是表示图1所示的控制存储器所存储的信息的例的图。
图3是表示图2所示的写入指令日志表的数据结构例的图。
图4是表示图2所示的两侧写入监视表的数据结构例的图。
图5是表示图2所示的写入计数器表的数据结构例的图。
图6是表示图2所示的写入设定信息的数据结构例的图。
图7是用于说明该实施方式的写入处理的典型步骤的流程图。
图8是用于说明图7所示的流程图中的写入地址确认处理的典型步骤的流程图。
图9是用于说明图8所示的流程图中的第一表更新处理的典型步骤的流程图。
图10是用于说明图8所示的流程图中的第二表更新处理的典型步骤的流程图。
具体实施方式
以下，参照附图说明本发明的实施方式。
图1是表示实施方式涉及的磁盘驱动器的典型结构的框图。图1所示的磁盘驱动器也称为硬盘驱动器(HDD)，包括盘(磁盘)11、头(磁头)12、主轴电机(SPM，spindle motor)13、促动器14、驱动器IC15、头IC16、温度传感器17和控制器18。
盘11例如是在其两个面具有用于磁记录数据的记录面的磁记录介质。通过SPM13使盘11高速旋转。SPM13被从驱动器IC15供给的驱动电流(或驱动电压)而驱动。
盘11(进一步详细而言是盘11的各记录面)具有例如同心圆状的多个磁道及多个伺服区域。多个伺服区域在盘11的半径方向呈放射状且在该盘11的圆周方向等间隔地离散配置。各磁道内的相邻的伺服区域之间用作数据区域。各磁道内的包括伺服区域和与该伺服区域相邻的数据区域的区域称为伺服扇区(servo sector)。数据区域具有多个数据扇区。
在伺服区域记录有伺服数据。伺服数据包括伺服标志、地址数据及伺服突发数据(サーボバーストデータ)。伺服标志包括用于识别对应的伺服扇区的特定代码(模式信号(pattern signal))。地址数据包括应的磁道的地址(也就是柱面地址)及对应的伺服扇区的地址(也就是伺服扇区地址)。伺服突发数据包括用于检测头12相对于对应的磁道的例如中心线的位置偏离(位置误差)的数据(所谓的相对位置数据)。
头12与盘11的一个记录面对应地配置。另外在图1中，为了便于作图而省略了与盘11的另一记录面对应配置的头。但是，在以下的说明中，有时将该头也记作头12。
头12安装于促动器14的顶端。头12通过盘11高速旋转而在该盘11上浮起。促动器14具有作为该促动器14的驱动源的音圈电机(VCM)140。VCM140由从驱动器IC15供给的驱动电流(电压)驱动。通过促动器14被VCM140驱动，从而头12在盘11的半径方向上以描绘圆弧的方式在该盘11上移动。
在图1的结构中，假定具有单张盘11的磁盘驱动器。但是，盘11可以配置多张。此外，在图1的结构中，盘11在其两个面具有记录面。但是，也可以是盘11仅一个面具有记录面，与该记录面对应地配置头12。
驱动器IC15按照控制器18(进一步详细而言是控制器18内的CPU184)的控制来驱动SPM13和VCM140。头IC16包括头放大器，对由头12(进一步详细而言是头12的读取元件)读取的信号(也就是读取信号)进行放大。头IC16还包括写入驱动器，将由控制器18(进一步详细而言是控制器18内的R/W通道(channel)181)送出的写入数据转换为写入电流，并将该写入电流送出到头12(进一步详细而言是头12的写入元件)。温度传感器17检测图1所示的磁盘驱动器的温度(环境温度)。
控制器18例如使用将多个元件集成于单一芯片的称为System-on-Chip(SOC，系统单芯片)的LSI而实现。控制器18包括读取/写入通道(R/W通道)181、硬盘控制器(HDC)182、缓存183、CPU184、闪存185及控制存储器186。
R/W通道181对与读取/写入相关的信号进行处理。R/W通道181将读取信号数字化，并从该数字化后的数据对读取数据进行译码。R/W通道181还从数字数据提取头12的定位所需的伺服数据。R/W通道181还将写入数据编码。
HDC182经由主机接口19而与主机连接。HDC182接收从主机传送来的指令(写入指令、读取指令等)。HDC182控制主机与该HDC182之间的数据传送。HDC182还控制R/W通道181与该HDC182之间的数据传送。
缓存183S使用易失性存储器、例如RAM构成。缓存183用于暂时存储应写入盘11的写入数据(还有指定向盘11写入该写入数据的写入指令)及从盘11经由头12、头IC16及R/W通道181读取到的数据。
CPU184作为磁盘驱动器的主控制器发挥作用。CPU184按照控制程序210(图2)控制磁盘驱动器内的其他的至少一部分要素。闪存185是如NAND闪存这样的可重写的非易失性存储器。闪存185中例如预先存储有控制程序210。控制存储器186是例如RAM这样的易失性存储器。
图2表示存储于图1所示的控制存储器186中的信息的例子。如图2所示，控制存储器186中存储有控制程序210、写入指令日志(WCL)表220、两侧写入监视(BSWM)表230、写入计数器(WC)表240及写入设定信息250各信息。
在本实施方式中，控制程序210如上述这样保存于闪存185，在图1所示的磁盘驱动器启动时，从该闪存185加载到控制存储器186。另一方面，WCL表220、BSWM表230、WC表240及写入设定信息250保存于盘11的系统区域，在磁盘驱动器启动时，从该系统区域加载到控制存储器186。系统区域是为了存储系统(例如，控制器18)进行管理所用的信息。盘11在系统区域之外具有用户区域。用户区域是可由用户使用的存储区域。
图3表示图2所示的WCL表220的数据结构例。WCL表220的各条目用于存储写入指令日志(WCL)。WCL(日志信息)包括写入地址信息及控制标记信息。
写入地址信息包括物理地址及块(block)数数据。物理地址通过将显示由写入指令所指定的写入目的地(开头的写入目的地)的逻辑地址(也就是，开始逻辑地址)进行地址变换而获得。物理地址表示盘11上的物理位置，包括柱面编号(也就是，柱面地址)、头编号及扇区编号(数据扇区编号)。通常，逻辑地址使用逻辑块地址。
块数数据表示由写入指令所指定的写入数据的大小(在此为写入数据的块数)。在本实施方式中，1个块的大小与1个扇区(数据扇区)的大小一致，因此块数数据所示的块数与扇区数一致。
控制标记信息包括－1标记(第一标记)及+1标记(第二标记)。－1标记及+1标记表示向对应磁道的数据写入是否已反映于分别与该对应磁道的外侧的相邻磁道(外相邻磁道)及内侧的相邻磁道(内相邻磁道)相关联的BSWM表230的条目中。对应磁道是指与控制标记信息成对的写入地址信息所示的磁道。
图4表示图2所示的BSWM表230的数据结构例。BSWM表230具有与盘11上的各磁道相关联的条目。BSWM表230的各条目用于存储两侧写入监视(BSWM)信息。BSWM信息表示向对应磁道的两侧的相邻磁道(也就是，外相邻磁道及内相邻磁道)各自的数据写入的监视结果。BSWM信息包括表示对应磁道的柱面编号及头编号这一对。BSWM信息还包括负计数器(以下，称为－CTR)及正计数器(以下，称为+CTR)这一对。－CTR(第一计数器)及+CTR(第二计数器)是用于分别表示向对应磁道的外相邻磁道及内相邻磁道进行的数据写入的次数的软件计数器。
图5表示图2所示的WC表240的数据结构例。WC表240具有与盘11上的各磁道相关联的条目。WC表240的各条目用于存储写入计数器(WC)信息。WC信息包括表示对应磁道的柱面编号及头编号这一对、和写入计数器(以下，称为WT＿CTR)。WT＿CTR(第三计数器)是用于分别表示向对应磁道的相邻磁道进行的数据写入的次数的软件计数器。
另外，由－CTR、+CTR及WT＿CTR分别示出的数据写入的次数是加权后(标准化后)的次数，不是实际的数据写入的次数。关于加权将后述。
图6表示图2所示的写入设定信息250的数据结构例。写入设定信息250包括重写阈值信息251、写入计数器更新(WCU)系数信息252及磁道偏离(OT)写入片(スライス)信息253。
重写阈值信息251包括用于基于写入计数器的重写(WCB重写)的阈值(以下，称为WCB重写阈值)及用于基于两侧写入监视的重写(BSWMB重写)的重写阈值(以下，称为BSWMB重写阈值)。WCB重写阈值表示基于WC表240内的WT＿CTR来启动(执行)对应磁道的数据的重写时的阈值。BSWMB重写阈值表示基于BSWM表230内的－CTR及+CTR这一对来启动对应磁道的数据的重写时的阈值。
WCU系数信息252例如包括3个温度系数(第一系数)、3个区域系数(第二系数)及2个写入重试系数(第三系数)。从这些系数分别选择出的温度系数、区域系数及写入重试系数作为决定对WT＿CTR、－CTR及+CTR相加的各个值时的权重来使用。
3个温度系数分别与3个温度水平(温度范围)、例如低温、常温及高温相关联。基于在向目标磁道写入数据时，由温度传感器17检测出的磁盘驱动器的环境温度(对应的环境温度)是低温、常温还是高温，而选择出3个温度系数中的一个。3个温度系数分别表示对应的环境温度对ATI的影响的强度比例。在图6的例子中，在温度水平为低温及常温时所选择(应用)的温度系数是基准的温度系数，为1.0。与此相对，在温度水平为高温时所选择的温度系数例如是1.3，也就是基准的1.3倍。也就是，温度系数1.3是考虑到在温度水平为高温时对相邻磁道带来的ATI的影响，与温度水平为低温或常温的情况相比增长了30％而设定的。
3个区域系数分别与盘11上的3个半径方向的范围(区域)、例如外侧、中央及内侧相关联。基于在向目标磁道写入数据时，该目标磁道位于盘11上的外侧、中央及内侧中的哪个区域(也就是，目标磁道在盘11上的半径位置)，而选择出3个区域系数中的一个。在图6的例子中，在目标磁道位于盘11上的中央区域时所选择的区域系数是基准的区域系数，为1.0。与此相对，在目标磁道位于盘11上的外侧(内侧)时所选择的区域系数是1.1(1.2)，是基准的1.1倍(1.2倍)。这样的、目标磁道在盘11上的半径方向的位置对ATI带来影响的强度的差异，是由于目标磁道(进一步详细而言，对于目标磁道在盘11上的半径方向的位置处的圆周的切线)与头12所成的角度(也就是，歪斜角)的差异而引起的。
2个写入重试系数与向目标磁道的数据写入是否是磁道偏离(OT)写入重试相关联。OT写入重试是指在OT状态下向该目标磁道写入了数据时所执行的重试(写入重试)。OT状态是指头12从目标磁道的例如中心线超过基准量(或基准比例)地偏离的状态。基于在向目标磁道写入数据时是否是OT写入重试，而选择出2个写入重试系数中的一个。在图6的例子中，在数据写入不是OT写入重试时所选择的写入重试系数为基准的写入重试系数，为1.0。与此相对，数据写入是OT写入重试时所选择的写入重试系数是1.5，也就是基准的1.5倍。
另外，与温度系数相关的低温、常温及高温的具体温度范围、以及温度系数(温度范围)的数量，只要根据图1所示的磁盘驱动器的例如类型或特性、还有要求的ATI的影响精度而设定即可。这对于区域系数、写入重试系数的设定也是同样。例如，可以将多个写入重试系数与OT写入重试的次数相关联地设定。
OT写入片信息253包括例如2个OT写入片值。2个OT写入片值分别与目标磁道(在此为数据应写入的磁道，也就是写入磁道)与BSWM(两侧写入监视)磁道(进一步详细而言，为登记于BSWM表230的BSWM磁道中的任意一个)之间的位置关系、即非相邻及相邻的哪一种相关联。BSWM磁道是指在存储于BSWM表230的条目的BSWM信息中的－CTR及+CTR的至少一方为非零时的、该BSWM信息中的柱面编号及头编号这一对所示的磁道。2个OT写入片值分别表示在使头12位于目标磁道来向该目标磁道写入数据时所允许的头12的位置偏移量。在本实施方式中，OT写入片值，将所允许的位置偏移相对于磁道宽度的比例作为所允许的位置偏移量而表示。在向目标磁道写入数据时，基于该目标磁道与登记于BSWM表230的BSWM磁道的哪一个相邻而选择出2个OT写入片值中的一个。在图6的例子中，在非相邻时所选择的OT写入片值是10％。与此相对，在相邻时所选择的OT写入片值是6％。OT写入片值6％是考虑到在与目标磁道相邻的磁道是BSWM磁道时，头12的位置偏移对该相邻磁道(也就是，BSWM磁道)带来的ATI的影响大于非相邻时带来的ATI的影响而设定的。
接着，以写入处理为例，参照图7至图10说明本实施方式的动作。图7是用于说明本实施方式的写入处理的典型步骤的流程图，图8是用于说明图7所示的流程图中的写入地址确认处理的典型步骤的流程图。图9是用于说明图8所示的流程图中的第一表更新处理的典型步骤的流程图，图10是用于说明图8所示的流程图中的第二表更新处理的典型步骤的流程图。本实施方式的写入处理大致分为未检测到受ATI的影响较大的写访问模式的第一情形和检测到受ATI的影响较大的写访问模式的第二情形。
首先说明第一情形的写入处理。现在，假设为，HDC182经由主机接口19接收由主机送出的写入指令及写入数据，将该写入指令及写入数据存储于缓存183(方框701)。此外，由HDC182接收到的写入指令被交给CPU184。该写入指令如公知那样包括表示写入目的地的逻辑地址(例如，逻辑块地址)及表示写入块数(扇区数)的块数数据。
CPU184使用例如地址变换表，将表示写入目的地的逻辑块地址变换为表示盘11上的物理位置的物理地址(也就是，包括柱面编号、头编号及扇区编号的物理地址)。基于该物理地址和块数，CPU184确定来自主机的写入指令所指定的盘11上的写入位置(进一步详细而言，是由物理地址和块数所示的写入位置)(方框702)。在此为了简化说明，将写入位置(写入范围)设为1个磁道的一部分或全部的扇区。因此，在以后的说明中，将确定出的写入位置称为磁道或写入磁道。
接着，CPU184通过头12将存储于缓存183的写入数据写入盘11上的确定出的磁道(也就是写入磁道)(方框703)。为了该数据的写入，CPU184作为伺服控制器发挥作用，基于由R/W通道181提取的伺服数据来控制驱动器IC15。通过该控制，CPU184使头12向盘11上的写入磁道(目标磁道)移动(查找动作)，然后使该头12位于该写入磁道的例如中心线(头定位动作)。
在上述的头定位中，CPU184参照BSWM表230，判定写入磁道是否与登记于该BSWM表230中的BSWM磁道的某一个相邻。也就是CPU184判定包括表示写入磁道的相邻磁道的写入地址信息在内的BSWM信息是否登记在了BSWM表230中。如果写入磁道与某一BSWM磁道相邻，也就是写入磁道的相邻磁道是BSWM磁道(登记在了BSWM表230中的磁道)，则CPU184选择与“相邻”相关联的OT写入片值(在此为6％)。与此相对，若写入磁道与哪个BSWM磁道都不相邻，则CPU184选择与“非相邻”相关联的OT写入片值(在此为10％)。
并且，CPU184基于通过R/W通道181提取的伺服数据(进一步详细而言，是伺服数据中的伺服突发数据)，以例如与伺服扇区对应的时间间隔反复计算头12相对于写入磁道的中心线的偏移量。并且，若计算出的偏移量超过所选择的OT写入片值所示的允许范围，则CPU184使向写入磁道的数据写入等待。与此相对，若头12的偏移量在所选择的OT写入片值所示的允许范围内，则CPU184如上述那样通过头12向写入磁道写入数据(方框703)。但是，在向写入磁道写入数据的期间，也存在头12的偏移量超过允许范围的情况。在该情况下，CPU184在方框703中重新尝试向写入磁道的数据写入。
根据本实施方式，在写入磁道与某一BSWM磁道相邻时，CPU184选择与“相邻”相关联的OT写入片值、也就是比与“非相邻”相关联的OT写入片值小的值的OT写入片值。这样，在写入磁道与某一BSWM磁道相邻从而存在头12的位置偏移可能加剧对相邻磁道的ATI影响的情况下，CPU184使用小值的OT写入片值。由此，能够排除使对相邻磁道的ATI影响加剧的因素。
CPU184执行完向写入磁道的数据写入(方框703)时，取得该数据写入的状态(方框704)。数据写入的状态例如包括由温度传感器17检测到的该数据写入的执行时的环境温度。数据写入的状态还包括写入磁道在盘11上的半径位置(写入位置)及写入重试(OT写入重试)的次数。
接着，CPU184基于所取得的数据写入的状态，如下这样更新与写入磁道的两侧的相邻磁道(外相邻磁道及内相邻磁道)分别相关联的WC表240内的条目的WT＿CTR(以下，称为第一及第二WT＿CTR)(方框705)。首先，分了分别更新第一及第二WT＿CTR，CPU184从WCU系数信息252选择与所取得的数据写入的状态(也就是环境温度、写入位置及写入重试次数)分别对应的温度系数(TC)、区域系数(ZC)及写入重试系数(WRC)。
接着，CPU184基于所选择的温度系数(TC)、区域系数(ZC)及写入重试系数(WRC)、和写入次数(WC)，按下式(1)计算分别应对第一及第二WT＿CTR相加的值(相加值)：
相加值＝WC×TC×ZC×WRC (1)
。在此，写入次数(WC)是指方框703中的数据写入的次数，也就是包括写入重试的次数在内的数据写入的次数(1+写入重试次数)。
CPU184算出相加值后，对第一及第二WT＿CTR各自的值分别加上该算出的相加值。由此，第一及第二WT＿CTR各自的值被增加了算出的相加值。
在此，在没有进行写入重试，且温度系数(TC)、区域系数(ZC)及写入重试系数(WRC)和写入次数(WC)均为1.0时，第一及第二WT＿CTR各自的值与以往同样地增加了写入次数(WC)。与此相对，在温度系数(TC)、区域系数(ZC)及写入重试系数(WRC)的至少1个不是1.0(进一步详细而言，比1.0大)时，第一及第二WT＿CTR各自的值与以往不同，增加了比写入次数(WC)大的值。也就是说，第一及第二WT＿CTR各自的值不是表示向写入磁道的实际的数据写入的次数，而是表示基于对该写入磁道的两侧的相邻磁道带来的ATI影响的强度而将向该写入磁道的数据写入加权(标准化)而成的数据写入的次数。
另外，在方框703，可以在每次执行向写入磁道的数据写入时，按照上述的式计算相加值，并将该算出的相加值与第一及第二WT＿CTR各自的值相加。也就是，可以在执行方框703的第一次数据写入时，执行第一次的相加值的算出及该相加值的相加，然后若进行写入重试，则在每次写入重试时执行相加值的算出及该相加值的相加。在该情况下，作为上述的式中的写入次数(WC)采用1即可。
在本实施方式中，向写入磁道(目标磁道)写入了数据时，CPU184更新与该写入磁道的两侧的相邻磁道(外相邻磁道及内相邻磁道)分别相关联的WC表240内的条目的WT＿CTR(第一及第二WT＿CTR)。但是如以下所述，CPU184也可以对与在写入磁道的两侧与该写入磁道相邻的磁道范围(外相邻磁道范围及内相邻磁道范围)内的各磁道分别相关联的WC表240内的条目的WT＿CTR进行更新。外相邻磁道范围及内相邻磁道范围各具有大于1的数量(第一数量)的磁道。本实施方式是外相邻磁道范围及内相邻磁道范围各具有1个磁道的情况，也就是相当于第一数量为1的情况。
在此，将以写入磁道为基准位置(第0个)时的外相邻磁道范围及内相邻磁道范围(两相邻磁道范围)各自中的第i个(i为比0大的整数)的磁道记作磁道i。此外，将与磁道i相关联的WC表240内的条目的WT＿CTR记作WT＿CTR(i)。
向写入磁道的数据写入对磁道i带来的ATI影响的强度，通常依赖于i(也就是，相邻磁道范围中的磁道i的相对位置)，i的值越大的磁道i，越难以受到ATI的影响。因此，可以增加与i的值对应的新系数(以下，称为磁道位置系数)。在该情况下，CPU184可以基于温度系数(TC)、区域系数(ZC)、写入重试系数(WRC)及磁道位置系数(TPC)和写入次数(WC)，按照下式(2)计算应对WT＿CTR(i)相加的值(相加值)：
相加值＝WC×TC×ZC×WRC×TPC (2)
。在此，与i＝1(外相邻磁道及内相邻磁道)对应的磁道位置系数(TPC)可以使用例如1.0。此外，磁道位置系数(TPC)可以以按照i的升序而变小的方式设定。
另外，CPU184执行方框705后进入方框706。在方框706，CPU184将在方框701接收到的写入指令的日志信息、也就是WCL(以下，称为第一WCL)追加到WCL表220。该第一WCL包括表示在盘11上的写入位置(写入磁道的位置)的写入地址信息、和2个控制标记(也就是，－1标记及+1标记)。在第一WCL追加到WCL表220的时刻，该第一WCL中的－1标记及+1标记都被清零。
<PN 143345>
接着，CPU184执行写入地址确认处理(方框707)。写入地址确认处理是指用于确认在WCL表220内的WCL的群中是否存在满足以下所述的第一或第二条件的WCL(第二WCL)的处理。该第一或第二条件是指WCL表示从本次的写入位置(第一写入位置)向盘11的内侧或外侧偏移2个磁道的写入位置(第二写入位置)。第一或第二条件还包括所写入的扇区范围(第二扇区范围)与本次的写入位置的扇区范围(第一扇区范围)有至少一部分重复。
在本实施方式中，柱面编号向盘11的内方向增加。因此在本实施方式中，作为表示盘11的内侧的记号而使用+，作为表示盘11的外侧的记号而使用－。此外，将从写入位置(第一写入位置)向盘11的内侧偏移了N个磁道的位置记作+N，将该位置的磁道记作+N侧的磁道。同样，将从写入位置(第一写入位置)向盘11的外侧偏移了N个磁道的位置记作－N，将该位置的磁道记作－N侧的磁道。而且，将向内侧偏移了N个磁道这一情况记作偏移了+N磁道，将向外侧偏移了N个磁道这一情况记作偏移了－N磁道。
CPU184按照图8所示的流程图如下这样执行上述的写入地址确认处理(方框707)。首先CPU184将未从WCL表220取出的1个WCL(但是，第一WCL除外)作为第二WCL而从该WCL表220取出(方框801)。接着CPU184比较第二WCL中的写入地址信息(第二写入地址信息)与第一WCL中的写入地址信息(第一写入地址信息)(方框802)。
CPU184基于该比较结果，判定第二WCL所示的第二写入位置(第三磁道的位置)相对于第一WCL所示的本次的写入位置、即第一写入位置(第二磁道的位置)是否满足第一或第二条件(方框803)。即CPU184判定比较结果是否符合第一或第二条件。
具体而言，在第二WCL所示的第三磁道位于第一WCL所示的第二磁道的+2侧(也就是，从第二磁道偏移了+2磁道的位置)、且两写入磁道中的扇区范围的至少一部分重复时，CPU184判定为比较结果符合第一条件。此外，在第二WCL所示的第三磁道位于第一WCL所示的第二磁道的－2侧(也就是，从第二磁道偏移了－2磁道的位置)、且两写入磁道中的扇区范围的至少一部分重复时，CPU184判定为比较结果符合第二条件。在此，扇区范围由写入地址信息中的扇区编号及块数表示。
如果比较结果符合第一条件，则CPU184判断为检测到受到ATI影响大的第一写访问模式。在该情况下，CPU184执行第一表更新处理(方框804)，然后进入方框806。此外，若比较结果符合第二条件，则CPU184判断为检测到受到ATI影响大的第二写访问模式。在该情况下，CPU184执行第二表更新处理(方框805)，然后进入方框806。
与此相对，若比较结果与第一及第二条件的哪个都不符合，则CPU184判断为未检测到受到ATI影响大的写访问模式(第一或第二写访问模式)。在该情况下，CPU184跳过方框804或方框805进入方框806。
在此，设为：若判断为比较结果与第一及第二条件的哪一个都不符合则进入方框806。在该情况下，在方框806，CPU184判定WCL表220内是否有尚未在方框801取出的WCL。如果存在未取出的WCL(方框806的是)，CPU184返回方框801，将未取出的1个WCL作为第二WCL而从WCL表220取出。以后的动作与上述情况相同。
在本实施方式中，设为：WCL表220内的除了第一WCL之外的所有WCL(第二WCL)所示的磁道(第三磁道)及第二扇区范围相对于第一WCL所示的第二磁道及第一扇区范围，第一及第二条件哪个都不满足。也就是，设为：在WCL表220内不存在符合第一或第二条件的WCL。在该情况下，第一表更新处理(方框804)及第二表更新处理(方框805)都一次也不执行，就结束写入地址确认处理(方框707)。
返回图7，CPU184基于重写阈值信息251决定重写条件(方框708)。更详细而言，在第一表更新处理及第二表更新处理都一次也不执行就结束写入地址确认处理的情况下，CPU184基于重写阈值信息251中的WCB重写阈值来决定重写条件(第一重写条件)。即CPU184将在方框705更新后的第一及第二WT＿CTR的至少一方的值超过WCB重写阈值，决定为第一重写条件。
接着CPU184基于更新后的第一及第二WT＿CTR各自的值和WCB重写阈值判定第一重写条件是否成立(方框709)。如果更新后的第一及第二WT＿CTR的至少一方的值超过WCB重写阈值，则CPU184判定为第一重写条件成立(方框709的是)。在此，设为仅第一WT＿CTR的值超过WCB重写阈值。在该情况下，CPU184将向由WC表240中与第一WT＿CTR(第三计数器)相关联的柱面编号及头编号这一对所示的磁道(第五磁道)写入的数据，使用头12向该磁道重写(方框710)。
接着CPU184将第一WT＿CTR(也就是，存储于WC表240且与被重写的磁道相关联的WT＿CTR)初始化为0(也就是，清零)(方框711)。另外，CPU184将存储于BSWM表230且与被重写的磁道相关联的－CTR及+CTR初始化为0(方框712)。由此CPU184结束写入处理。
另外，在第二WT＿CTR的值超过WCB重写阈值的情况下，也执行与第一WT＿CTR的值超过WCB重写阈值时同样的重写。并且，根据该重写动作，第二WT＿CTR以及与被重写的磁道相关联的－CTR及+CTR被初始化。
接着，说明第二情形(也就是，检测到受ATI影响大的写访问模式的第二情形)的写入处理。首先，与上述第一情形同样地执行图7所示的流程图的方框701至706。然后，按照图8所示的流程图执行写入地址确认处理(方框707)。即，对于WCL表220内的全部WCL，反复执行方框801至803。
在此，从WCL表220取出第二WCL(方框801)，将第二WCL中的写入地址信息(第二写入地址信息)与第一WCL中的写入地址信息(第一写入地址信息)比较(方框802)。在该情况下，CPU184与前述的第一情形同样，基于比较结果判定第二WCL所示的第二写入位置(第三磁道的位置)相对于第一WCL所示的本次的第一写入位置(第二磁道的位置)是否满足第一或第二条件(方框803)。
以下，对比较结果(也就是，方框802的比较结果)符合第一条件时的动作进行说明。在该情况下，CPU184按照图9所示的流程图如下这样执行第一表更新处理(方框804)。首先CPU184参照第二WCL中的－1标记(方框901)，判定是否设置了该－1标记(方框902)。
如果第二WCL中的－1标记未被设置(方框902的否)，则CPU184判断为向该第二WCL所示的第三磁道的数据写入尚未反映在与该第三磁道的－侧(外侧)的相邻磁道(也就是，－1侧的磁道)相关联的BSWM表230的条目中的+CTR。在此，由于比较结果符合第一条件，因此第三磁道位于第一WCL所示的第二磁道的+2侧。因此CPU184判断为第二磁道与该第二磁道的+2侧的磁道(第三磁道)之间的磁道(也就是，第二磁道的+1侧的磁道)受到ATI影响大。
在该情况下，CPU184对与第二磁道的+1侧的磁道、也就是第三磁道的－1侧的磁道(第四磁道)相关联的BSWM表230的条目中的+CTR进行更新(方框903)。在本实施方式中，该更新所用的相加值按照更新WT＿CTR时所用的式(1)计算出。但是，相加值也可以使用与写入次数(WC)也就是实际的写入次数一致的值。
另外，CPU184设置第二WCL(也就是，存储于WCL表220的第二WCL)中的－1标记(方框904)。由此，第二WCL中的－1标记表示以前执行的向第三磁道的数据写入已反映于与该第三磁道的－1侧的磁道(第四磁道)相关联的BSWM表230的条目中的+CTR。CPU184执行方框903及904后进入方框905。
另一方面，若第二WCL中的－1标记已被设置(方框902的是)，则CPU184判断为向第二WCL所示的第三磁道的数据写入已反映于与该第三磁道的－1侧的磁道(第四磁道)相关联的BSWM表230的条目中的+CTR。在该情况下，CPU184跳过方框903及904进入方框905。由此，防止第二WCL所示的向第三磁道的数据写入重复反映于与该第三磁道的－1侧的磁道相关联的BSWM表230的条目中的+CTR。
在方框905中，CPU184参照第一WCL中的+1标记。并且CPU184判定第一WCL中的+1标记是否被设置了(方框906)。
如果第一WCL中的+1标记未被设置(方框906的否)，则CPU184判断为本次的数据写入(也就是，向第一WCL所示的第二磁道的数据写入)尚未反映于与该第二磁道的+侧(内侧)的相邻磁道(也就是，+1侧的磁道)相关联的BSWM表230的条目中的－CTR。在该情况下，CPU184进入方框907。
在方框907，CPU184与上述的+CTR的更新(方框903)同样地更新与第二磁道的+1侧(也就是第三磁道的－1侧)的磁道(第四磁道)相关联的BSWM表230的条目中的－CTR。另外，CPU184设置第一WCL(也就是，存储于WCL表220的第一WCL)中的+1标记(方框908)。由此，第一WCL中的+1标记表示本次执行的向第二磁道的数据写入已反映于与该第二磁道的+1侧的磁道相关联的BSWM表230的条目中的－CTR。CPU184执行方框907及908后结束第一表更新处理(方框804)。
另一方面，若第一WCL中的+1标记已被设置(方框906的是)，则CPU184判断为向第一WCL所示的第二磁道的数据写入(此次的数据写入)已反映于与该第二磁道的+1侧的磁道(第四磁道)相关联的BSWM表230的条目中的－CTR。在该情况下，CPU184跳过方框907及908而结束第一表更新处理(方框804)。通过跳过方框907及908，防止向第一WCL所示的第二磁道的数据写入重复反映于与该第二磁道的+1侧的磁道相关联的BSWM表230的条目中的－CTR。
接着，对方框802的比较结果符合第二条件时的动作进行说明。在该情况下，CPU184按照图10所示的流程图如下这样执行第二表更新处理(方框805)。该第二表更新处理与上述的第一表更新处理(方框804)同样。为此，省略第二表更新处理的详细说明。若有需要，可以在上述的第一表更新处理中将+换为－、将－换为+。
首先CPU184参照第二WCL中的+1标记(方框1001)，判定该+1标记是否被设置了(方框1002)。如果第二WCL中的+1标记未设置(方框1002的否)，则CPU184进入方框1003。
在方框1003，CPU184对与第一WCL所示的第二磁道的－1侧的磁道、也就是第二WCL所示的第三磁道的+1侧的磁道(第四磁道)相关联的BSWM表230的条目中的－CTR进行更新。另外，CPU184设置第二WCL中的+1标记(方框1004)。由此，第二WCL中的+1标记表示以前执行的向第三磁道的数据写入已反映于与该第三磁道的+1侧的磁道相关联的BSWM表230的条目中的－CTR。
CPU184执行方框1003及1004后进入方框1005。另一方面，若第二WCL中的+1标记已设置(方框1002的是)，则CPU184跳过方框1003及1004而进入方框1005。在方框1005，CPU184参照第一WCL中的－1标记。并且CPU184判定第一WCL中的－1标记是否被设置了(方框1006)。
如果第一WCL中的－1标记未设置(方框1006的否)，则CPU184进入方框1007。在方框1007中，CPU184更新与第二磁道的－1侧的磁道、也就是第三磁道的+1侧的磁道(第四磁道)相关联的BSWM表230的条目中的+CTR。另外，CPU184设置第一WCL中的－1标记(方框1008)。CPU184执行方框1007及1008后结束第二表更新处理(方框805)。
另一方面，若第一WCL中的－1标记已被设置(方框1006的是)，则CPU184跳过方框1007及1008而结束第二表更新处理(方框805)。
CPU184结束第一表更新处理(方框804)或第二表更新处理(方框805)后进入方框806。在方框806，CPU184判定在WCL表220内是否有在方框801尚未取出的WCL。如果存在未取出的WCL(方框806的是)，则CPU184返回方框801，从WCL表220取出未取出的1个WCL作为第二WCL。以后的动作与上述情况同样。
最终，WCL表220内的除了第一WCL之外的全部WCL(第二WCL)被取出，结果在WCL表220内不剩余未取出的WCL(方框806的否)。在该情况下，CPU184结束写入地址确认处理(方框707)。
于是，CPU184基于重写阈值信息251决定重写条件(方框708)。进一步详细而言，如上述的例子所示，在第一或第二表更新处理至少执行了一次之后结束写入地址确认处理的情况下，CPU184基于重写阈值信息251中的WCB重写阈值及BSWMB重写阈值而如下这样决定重写条件(第一至第三重写条件)。
首先CPU184将在方框705更新后的第一及第二WT＿CTR的至少一方的值超过WCB重写阈值决定为第一重写条件。在方框903或907更新了与第二磁道的+1侧(也就是，第三磁道的－1侧)的磁道(第四磁道)相关联的BSWM表230的条目中的+CTR(以下，称为第一+CTR)或－CTR(以下，称为第一－CTR)的情况下，CPU184将该第一+CTR及第一－CTR的值均为第一值以上、且该第一+CTR及第一－CTR的值的综合超过BSWMB重写阈值决定为第二重写条件。另外，在方框1003或1007更新了与第二磁道的－1侧的磁道(第四磁道)相关联的BSWM表230的条目中的－CTR(以下，称为第二－CTR)或+CTR(以下，称为第二+CTR)的情况下，CPU184将该第二－CTR及第二+CTR的值均为所述第一值以上且该第二－CTR及第二+CTR的值的总和超过BSWMB重写阈值决定为第三重写条件。在本实施方式中，第一值是1。但是，第一值也可以是比1大的值。
接着CPU184基于更新后的第一及第二WT＿CTR各自的值和WCB重写阈值来判定第一重写条件是否成立(方框709)。此外，在方框709，CPU184基于第一+CTR及第一－CTR各自的值和BSWMB重写阈值来判定第二重写条件是否成立。而且，在方框709，CPU184基于第二+CTR及第二－CTR各自的值和BSWMB重写阈值来判定第三重写条件是否成立。在此，设为仅第二重写条件成立(方框709的是)。在该情况下，CPU184将向由在BSWM表230中与第一+CTR及第一－CTR这一对相关联的柱面编号及头编号这一对所示的磁道(第四磁道＝第一磁道)写入的数据，使用头12向该磁道重写(方框710)。
接着CPU184将存储于WC表240且与重写了的磁道相关联的WT＿CTR初始化为0(方框711)。CPU184将第一+CTR及第一－CTR(也就是，存储于BSWM表230且与重写了的磁道相关联的+CTR及－CTR)初始化为0(方框712)。由此CPU184结束写入处理。
另外，在第三重写条件成立的情况下，也执行与第二重写条件成立时同样的重写。即CPU184将向由在BSWM表230中与第二+CTR及第二－CTR这一对相关联的柱面编号及头编号这一对所示的磁道写入的数据，使用头12向该磁道重写(方框710)。
接着CPU184将存储于WC表240且与重写了的磁道相关联的WT＿CTR初始化为0(方框711)。另外，CPU184将第二+CTR及第二－CTR(也就是，存储于BSWM表230且与重写了的磁道相关联的+CTR及－CTR)初始化为0(方框712)。
根据本实施方式，在执行向由来自主机的写入指令所指定的磁道(第二磁道)的数据写入时(方框703)，CPU184执行写入地址确认处理(方框707)。由此CPU184检测受ATI影响大的第一或第二写访问模式(方框801至803)。进一步具体而言，CPU184基于存储于WCL表220的第二WCL的群，检测位于第二磁道的+2侧或－2侧的第三磁道(也就是，以前写入了数据的磁道)。
CPU184根据第一或第二写访问模式的检测(也就是，满足第一或第二条件的第三磁道的检测)，执行第一表更新处理(方框804)或第二表更新处理(方框805)。由此CPU184对与第二磁道和第三磁道(也就是，满足第一或第二条件的第三磁道)之间的磁道(第四磁道)相关联的BSWM表230的条目中的+CTR及－CTR进行更新(方框903及907，或方框1003及1004)。在该情况下，与更新后的+CTR及－CTR相关联的磁道(第四磁道)受到ATI的影响大。也就是，更新后的+CTR及－CTR的值反映了向第二及第三磁道的数据写入的模式(第一写访问模式)，与第四磁道受到的ATI影响的强度充分对应。
因此，CPU184基于比WCB重写阈值小的值的BSWMB重写阈值，判定是否需要向与更新后的+CTR及－CTR相关联的磁道进行数据重写。进一步具体而言，CPU184在更新后的+CTR及－CTR的值均为1(第一值)以上且该+CTR及－CTR的值的总和超过BSWMB重写阈值的情况下(方框709的是)，执行向与该+CTR及－CTR相关联的磁道的数据重写(方框710)。
这样根据本实施方式，CPU184基于比WCB重写阈值小的值的BSWMB重写阈值，在合适的时机将由于向第二及第三磁道的数据写入而受到ATI影响大的磁道(也就是，第二及第三磁道之间的磁道)的数据重写入该磁道(第四磁道＝第一磁道)。而且，在虽然反复进行向第二磁道的数据写入但不执行向第三磁道的数据写入的状况下(第二写访问模式)，基于WCB重写阈值而以较长的启动周期执行第四磁道(第五磁道)的数据重写。因此，根据本实施方式，能够可靠地防止盘11上的各磁道的数据消失，且能够防止磁盘驱动器的访问性能降低。
根据以上说明的至少一个实施方式，能够基于向至少2个磁道的数据写入对该至少2个磁道之间的磁道带来的影响的强度，以合适的时机重写该至少2个磁道之间的磁道的数据。
以上说明了本发明的几个实施方式，但这些实施方式仅是例示，不意图限定发明的范围。这些新的实施方式可以以其他各种方式加以实施，在不脱离发明要旨的范围内可以进行各种省略、置换、变更。这些实施方式及其变形包含于发明的范围、要旨，并包含于权利要求书记载的发明和与其等同的范围内。

Claims (14)

1.一种磁盘驱动器，包括：
盘，其具有包括第一磁道在内的多个磁道；
头，构成为向所述盘写入数据，并从所述盘读取数据；以及
控制器，构成为对由所述头进行的向所述盘的数据写入及从所述盘的数据读取进行控制，
所述控制器构成为：
通过与所述第一磁道相关联的第一计数器及第二计数器，管理向外相邻磁道范围内的磁道及内相邻磁道范围内的磁道分别进行的数据写入对所述第一磁道带来的影响，所述外相邻磁道范围在所述第一磁道的外侧相邻，且具有至少1个磁道,所述内相邻磁道范围在所述第一磁道的内侧相邻，且具有至少1个磁道,所述第一计数器及所述第二计数器分别表示向所述外相邻磁道范围内的磁道及所述内相邻磁道范围内的磁道进行数据写入的次数，
基于所述第一计数器及所述第二计数器各自的值，读取所述第一磁道的数据并将该读取到的数据向该第一磁道重写，
通过与所述多个磁道分别相关联的第三计数器，管理向在所述多个磁道各自的两侧分别与所述多个磁道各自相邻的相邻磁道范围内的磁道进行的数据写入对所述多个磁道各自带来的影响,所述第三计数器表示与向所述相邻磁道范围内的磁道进行数据写入的次数相应的值，
基于所述第三计数器的值，将与该第三计数器相关联的第五磁道的数据向该第五磁道重写，
在所述第一计数器及所述第二计数器各自的值均为第一值以上且所述第一计数器及所述第二计数器的值的总和超过第一重写阈值的情况下，将所述第一磁道的数据向该第一磁道重写，
在所述第三计数器的值超过比所述第一重写阈值大的第二重写阈值的情况下，将所述第五磁道的数据向该第五磁道重写。
2.根据权利要求1所述的磁盘驱动器，
还包括存储器，
所述控制器还构成为：
根据向所述盘的数据写入，将包括表示写入了该数据的磁道的位置的地址信息在内的日志信息存储于所述存储器，
在根据向第二磁道的数据写入而将包括表示该第二磁道的位置的地址信息在内的第一日志信息存储在了所述存储器的情况下，基于在所述存储器是否存储有包括表示第三磁道的地址信息在内的第二日志信息，更新与所述第二磁道和所述第三磁道之间的第四磁道相关联的第一计数器及第二计数器，所述第三磁道是从所述第二磁道向外侧或内侧离开至少2个磁道的磁道。
3.根据权利要求2所述的磁盘驱动器，
所述日志信息还包括第一标记和第二标记，所述第一标记表示向该日志信息中的地址信息所示的磁道的数据写入是否已反映于与该磁道的外相邻磁道范围内的磁道相关联的第一计数器，所述第二标记表示向该磁道的数据写入是否已反映于与该磁道的内相邻磁道范围内的磁道相关联的第二计数器,所述第一标记及所述第二标记在第一状态下分别表示已反映于所述第一计数器及所述第二计数器，在第二状态下分别表示未反映于所述第一计数器及所述第二计数器，
所述控制器还构成为：在所述第二日志信息存储于所述存储器且所述第二日志信息中的所述第一标记或所述第二标记为所述第二状态时，更新与所述第四磁道相关联的所述第一计数器或所述第二计数器，且将所述第二日志信息中的所述第一标记或所述第二标记变更为所述第一状态。
4.根据权利要求3所述的磁盘驱动器，所述控制器还构成为：
在所述第二日志信息存储于所述存储器且所述第一日志信息中的所述第一标记或所述第二标记为所述第二状态时，更新与所述第四磁道相关联的所述第一计数器或所述第二计数器，且将所述第一日志信息中的所述第一标记或所述第二标记变更为所述第一状态。
5.根据权利要求2所述的磁盘驱动器，所述控制器还构成为：
通过基于第一系数、第二系数及第三系数的至少1个对向所述第二磁道的数据写入的次数进行加权，由此计算出与所述第四磁道相关联的所述第一计数器或所述第二计数器的更新所用的相加值，所述第一系数、第二系数及第三系数分别对应于向所述第二磁道进行数据写入时的所述磁盘驱动器的环境温度、所述第二磁道在所述盘上的半径位置及向所述第二磁道进行数据写入时的重试的次数，
将所述计算出的相加值加到与所述第四磁道相关联的所述第一计数器或所述第二计数器的值。
6.根据权利要求2所述的磁盘驱动器，所述控制器还构成为：
基于在所述存储器是否存储有包括表示所述第二磁道的外相邻磁道范围或内相邻磁道范围内的磁道的位置的地址信息的日志信息，选择第一片值或值比所述第一片值小的第二片值,所述第一及第二片值分别对应于在使所述头位于数据应写入的磁道来写入数据的情况下所允许的所述头的位置偏移量，
在所述头的偏移量在所述选择出的片值的范围内的情况下，利用所述头对所述第二磁道写入数据。
7.根据权利要求1所述的磁盘驱动器，所述控制器还构成为：
在所述第一计数器及所述第二计数器各自的值均为第一值以上、且所述第一计数器及所述第二计数器的值的总和超过第一重写阈值的情况下，将所述第一磁道的数据向该第一磁道重写。
8.一种在磁盘驱动器中控制数据重写的方法，包括：
通过与盘上的第一磁道相关联的第一计数器及第二计数器，管理向外相邻磁道范围内的磁道及内相邻磁道范围内的磁道分别进行的数据写入对所述第一磁道带来的影响，所述盘具有包括所述第一磁道在内的多个磁道，所述外相邻磁道范围在所述第一磁道的外侧相邻，且具有至少1个磁道,所述内相邻磁道范围在所述第一磁道的内侧相邻，且具有至少1个磁道,所述第一计数器及所述第二计数器分别表示向所述外相邻磁道范围内的磁道及所述内相邻磁道范围内的磁道进行数据写入的次数；以及
基于所述第一计数器及所述第二计数器各自的值，读取所述第一磁道的数据并将该读取到的数据向该第一磁道重写，
通过与所述多个磁道分别相关联的第三计数器，管理向在所述多个磁道各自的两侧分别与所述多个磁道各自相邻的相邻磁道范围内的磁道进行的数据写入对所述多个磁道各自带来的影响,所述第三计数器表示与向所述相邻磁道范围内的磁道进行数据写入的次数相应的值；以及
基于所述第三计数器的值，将与该第三计数器相关联的第五磁道的数据向该第五磁道重写，
在所述第一计数器及所述第二计数器各自的值均为第一值以上、且所述第一计数器及所述第二计数器的值的总和超过第一重写阈值的情况下，将所述第一磁道的数据向该第一磁道重写；以及
在所述第三计数器的值超过比所述第一重写阈值大的第二重写阈值的情况下，将所述第五磁道的数据向该第五磁道重写。
9.根据权利要求8所述的方法，还包括：
根据向所述盘的数据写入，将包括表示写入了该数据的磁道的位置的地址信息在内的日志信息存储于所述磁盘驱动器的存储器；
在根据向第二磁道的数据写入而将包括表示该第二磁道的位置的地址信息在内的第一日志信息存储在了所述存储器的情况下，判定在所述存储器是否存储有包括表示第三磁道的地址信息在内的第二日志信息，所述第三磁道是从所述第二磁道向外侧或内侧离开至少2个磁道的磁道；以及
在所述存储器存储有所述第二日志信息的情况下，更新与所述第二磁道和所述第三磁道之间的第四磁道相关联的第一计数器及第二计数器。
10.根据权利要求9所述的方法，
所述日志信息还包括第一标记和第二标记，所述第一标记表示向该日志信息中的地址信息所示的磁道的数据写入是否已反映于与该磁道的外相邻磁道范围内的磁道相关联的第一计数器，所述第二标记表示向该磁道的数据写入是否已反映于与该磁道的内相邻磁道范围内的磁道相关联的第二计数器,所述第一标记及所述第二标记在第一状态下分别表示已反映于所述第一计数器及所述第二计数器，在第二状态下分别表示未反映于所述第一计数器及所述第二计数器，
所述方法还包括：
在所述第二日志信息存储于所述存储器、且所述第二日志信息中的所述第一标记或所述第二标记为所述第二状态的情况下，更新与所述第四磁道相关联的所述第一计数器或所述第二计数器；以及
将所述第二日志信息中的所述第一标记或所述第二标记变更为所述第一状态。
11.根据权利要求10所述的方法，还包括：
在所述第二日志信息存储于所述存储器、且所述第一日志信息中的所述第一标记或所述第二标记为所述第二状态的情况下，更新与所述第四磁道相关联的所述第一计数器或所述第二计数器；以及
将所述第一日志信息中的所述第一标记或所述第二标记变更为所述第一状态。
12.根据权利要求9所述的方法，还包括：
通过基于第一系数、第二系数及第三系数的至少1个对向所述第二磁道的数据写入的次数进行加权，由此计算出与所述第四磁道相关联的所述第一计数器或所述第二计数器的更新所用的相加值，所述第一系数、第二系数及第三系数分别对应于向所述第二磁道进行数据写入时的所述磁盘驱动器的环境温度、所述第二磁道在所述盘上的半径位置及向所述第二磁道进行数据写入时的写入的次数；以及
将所述计算出的相加值加到与所述第四磁道相关联的所述第一计数器或所述第二计数器的值。
13.根据权利要求9所述的方法，还包括：
基于在所述存储器是否存储有包括表示所述第二磁道的外相邻磁道范围或内相邻磁道范围内的磁道的位置的地址信息的日志信息，选择第一片值或值比所述第一片值小的第二片值,所述第一及第二片值分别对应于在使所述磁盘驱动器所具有的头位于数据应写入的磁道而写入数据的情况下所允许的所述头的位置偏移量；以及
在所述头的偏移量在所述选择出的片值的范围内的情况下，利用所述头对所述第二磁道写入数据。
14.根据权利要求8所述的方法，还包括：
在所述第一计数器及所述第二计数器各自的值均为第一值以上、且所述第一计数器及所述第二计数器的值的总和超过第一重写阈值的情况下，将所述第一磁道的数据向该第一磁道重写。
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