CN105088349A - 一种降低多晶硅位错的铸锭方法 - Google Patents

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马洋
张卫东
谷守伟
王猛
李利军
关成
赵志宏
朱红勇
申磊
云艳茹
王岩
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Abstract

本发明涉及一种降低多晶硅位错的铸锭方法,本方法适用于顶部加热器与侧部加热器共同加热的铸锭炉,边角长晶结束后,跳转至退火工步,退火工步1时,顶部加热器的温度由1370℃降低至1310℃,退火工步2时,顶部加热器的温度由1370℃降低至1210℃,退火工步3时,顶部加热器的温度由0℃提升至1110℃,退火工步4时,顶部加热器的温度由0℃提升至1000℃,退火工步5时,顶部加热器的温度由0℃提升至700℃。通过采用本方法,使得多晶硅锭内部的热应力缓慢释放,降低多晶硅锭内部位错的数量。

Description

一种降低多晶硅位错的铸锭方法
技术领域
本发明涉及一种多晶铸锭工艺,尤其能使多晶硅退火时的头尾温度一致,降低位错增殖,提升多晶硅的品质。
背景技术
近20年来,随着光伏发电的迅速发展,对多晶硅的品质要求也日渐苛刻,在多晶硅生长的过程中,当晶体受到外力时,依据外力的大小,晶体会产生弹性或塑性变形,在弹性形变范围内,当外力去除,晶体会恢复原来的形状;在大于屈服值的应力作用下晶体在滑移面发生形变滑移,当外力去除,晶体不能恢复原来的形状,产生塑性变形,导致位错产生。根据原子的滑移方向和位错线取向的几何特征不同,位错分为刃位错、螺位错和混合位错,位错有两种运动方式:位错线在滑移面上的滑移运动和位错线垂直滑移面的攀移运动。位错是一种很重要的晶体缺陷,对材料的力学行为如塑性变形、强度、断裂等起着决定性的作用,对材料的扩散、相变过程有较大影响。
DSS法生长多晶硅的具体工艺步骤如下:包括装料、加热,熔化、长晶、退火、冷却等。在退火工步中,原有工艺退火温度设定在1370℃,硅锭在1370℃恒温退火一段时间,再缓慢降温。长晶结束时,硅锭头尾存在温差,尾部1420℃,头部1100℃;合上隔热笼加热退火,硅锭尾部降温少,受到的热冲击小;锭头部升温大,受到较大热冲击,可产生位错增殖。1370℃高温退火,头尾杂质向中部固相扩散,可能增大头尾的少子寿命不良区域长度;温度越高,固相扩散越严重。
发明内容
本发明所要解决的问题在于打破现有铸锭工艺技术,提出一种使多晶硅锭在退火过程中热应力缓慢释放,降低多晶硅位错的方法,通过调整隔热笼的开度0-140mm,顶部加热器的温度0-1400℃,侧部加热器温度0-1400℃,退火时间0-15h,使多晶退火过程中,硅锭尾部缓慢降温,锭头部温度基本保持不变,当头尾温度一致时,再整锭缓慢降温,使热应力释放均匀,位错降低,多晶品质提升。
为实现上述目的,本发明所采用的技术方案是:一种降低多晶硅位错的铸锭方法,本方法适用于顶部加热器与侧部加热器共同加热的铸锭炉,边角长晶结束后,跳转至退火工步,其特征在于:退火工步1时,顶部加热器的温度由1370℃降低至1310℃,退火工步2时,顶部加热器的温度由1370℃降低至1210℃,退火工步3时,顶部加热器的温度由0℃提升至1110℃,退火工步4时,顶部加热器的温度由0℃提升至1000℃,退火工步5时,顶部加热器的温度由0℃提升至700℃。
上述退火工步1时,隔热笼的开度由0mm提升至135mm,退火工步2时,隔热笼的开度由0mm提升至65mm,退火工步3时,隔热笼的开度由0mm提升至40mm。
上述加热器的温度由1370℃降低至0℃,退火工步2时,顶部加热器的温度由1370℃降低至0℃,退火工步3时,侧部加热器的功率由28kw降低至0kw。
上述退火工步1时,退火时间由0.75h提升至2h,退火工步2时,退火时间由1.5h提升至2h,退火工步3时,退火时间由1.5h提升至2h,退火工步4时,退火时间由0h提升至2h,退火工步5时,退火时间由0h提升至2h。
本发明所产生的有益效果是:
所述方法通过退火时,缓慢下降隔热笼高度,使得硅锭头部的温度恒温(温度基本保持不变,避免反向升温产生热冲击),多晶尾部的温度随着顶部加热器温度的降低逐渐降低,头尾温度一致后,再整锭缓慢降温,使热应力缓慢均匀释放,解决头尾位错高的问题。
通过采用本方法,使得多晶硅锭内部的热应力缓慢释放,降低多晶硅锭内部位错的数量。
具体的实施方式:
旧退火工艺:边角长晶结束后,跳转至退火工步,
工序1,顶部加热器温度设定在1370℃,侧部加热器温度设定在1370℃,隔热笼的位置为0mm,使硅锭在45min内缓慢降温至1370℃;
工序2,顶部加热器温度设定在1370℃,侧部加热器温度设定在1370℃,隔热笼的位置为0mm,硅锭在1370℃恒温1.5小时;
工序3,由温度控制改为功率控制,顶部加热器功率设定在28KW,侧部加热器功率设定在28KW,隔热笼的位置为0mm,使硅锭缓慢降温1.5小时后进入冷却阶段。
表1旧退火工艺参数
新退火工艺:边角长晶结束后,跳转至退火工步,
工序1,顶部加热器温度设定在1310℃,侧部加热器温度设定在0℃,隔热笼的位置为130mm,使硅锭尾部在2小时内缓慢降温至1310℃;
工序2,顶部加热器温度设定在1210℃,侧部加热器温度设定在0℃,隔热笼的位置为70mm,硅锭在尾部在2小时内缓慢降温至1210℃;
工序3,顶部加热器温度设定在1110℃,侧部加热器温度设定在0℃,隔热笼的位置为45mm,硅锭在尾部在2小时内缓慢降温至1110℃;
工序4,顶部加热器温度设定在1000℃,侧部加热器温度设定在0℃,隔热笼的位置为0mm,硅锭头部与尾部在2小时内缓慢降温至1000℃;
工序5,顶部加热器温度设定在700℃,侧部加热器温度设定在0℃,隔热笼的位置为0mm,硅锭头部与尾部在2小时内缓慢降温至700℃,之后进入冷却阶段。
表2新退火工艺参数
本方法适用于所有顶部加热器与侧部加热器共同加热的铸锭炉。

Claims (4)

1.一种降低多晶硅位错的铸锭方法,本方法适用于顶部加热器与侧部加热器共同加热的铸锭炉,边角长晶结束后,跳转至退火工步,其特征在于:退火工步1时,顶部加热器的温度由1370℃降低至1310℃,退火工步2时,顶部加热器的温度由1370℃降低至1210℃,退火工步3时,顶部加热器的温度由0℃提升至1110℃,退火工步4时,顶部加热器的温度由0℃提升至1000℃,退火工步5时,顶部加热器的温度由0℃提升至700℃,之后进入冷却阶段。
2.如权利要求1所述的降低多晶硅位错的铸锭方法,其特征在于,退火工步1时,隔热笼的开度由0mm提升至135mm,退火工步2时,隔热笼的开度由0mm提升至65mm,退火工步3时,隔热笼的开度由0mm提升至40mm。
3.如权利要求1或2所述的降低多晶硅位错的铸锭方法,其特征在于,退火工步1时,侧部加热器的温度由1370℃降低至0℃,退火工步2时,顶部加热器的温度由1370℃降低至0℃,退火工步3时,侧部加热器的功率由28kw降低至0kw。
4.如权利要求1或2所述的降低多晶硅位错的铸锭方法,其特征在于,退火工步1时,退火时间由0.75h提升至2h,退火工步2时,退火时间由1.5h提升至2h,退火工步3时,退火时间由1.5h提升至2h,退火工步4时,退火时间由0h提升至2h,退火工步5时,退火时间由0h提升至2h。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106087065A (zh) * 2016-08-19 2016-11-09 西安华晶电子技术股份有限公司 一种多晶硅铸锭用退火工艺
CN106087052A (zh) * 2016-08-10 2016-11-09 中联西北工程设计研究院有限公司 一种多晶硅铸锭的两步退火工艺
CN106884207A (zh) * 2017-04-18 2017-06-23 宜昌南玻硅材料有限公司 一种提高多晶硅锭成晶率的退火工艺
CN109750354A (zh) * 2019-03-28 2019-05-14 浙江晶科能源有限公司 一种硅片铸锭方法、硅锭及多晶硅片
CN110004489A (zh) * 2019-03-11 2019-07-12 包头晶澳太阳能科技有限公司 一种制备多晶硅锭的工艺

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3310827A1 (de) * 1983-03-24 1984-09-27 Bayer Ag, 5090 Leverkusen Verfahren zur herstellung von grobkristallinem silicium
CN103046129A (zh) * 2013-01-28 2013-04-17 天津英利新能源有限公司 多晶硅铸锭工艺
CN103305924A (zh) * 2013-06-24 2013-09-18 英利集团有限公司 铸锭过程中减少硅锭内部晶体的位错的方法
CN104695014A (zh) * 2015-03-13 2015-06-10 湖南红太阳光电科技有限公司 一种铸造多晶硅的退火工艺

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3310827A1 (de) * 1983-03-24 1984-09-27 Bayer Ag, 5090 Leverkusen Verfahren zur herstellung von grobkristallinem silicium
CN103046129A (zh) * 2013-01-28 2013-04-17 天津英利新能源有限公司 多晶硅铸锭工艺
CN103305924A (zh) * 2013-06-24 2013-09-18 英利集团有限公司 铸锭过程中减少硅锭内部晶体的位错的方法
CN104695014A (zh) * 2015-03-13 2015-06-10 湖南红太阳光电科技有限公司 一种铸造多晶硅的退火工艺

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106087052A (zh) * 2016-08-10 2016-11-09 中联西北工程设计研究院有限公司 一种多晶硅铸锭的两步退火工艺
CN106087065A (zh) * 2016-08-19 2016-11-09 西安华晶电子技术股份有限公司 一种多晶硅铸锭用退火工艺
CN106884207A (zh) * 2017-04-18 2017-06-23 宜昌南玻硅材料有限公司 一种提高多晶硅锭成晶率的退火工艺
CN106884207B (zh) * 2017-04-18 2020-02-14 宜昌南玻硅材料有限公司 一种提高多晶硅锭成晶率的退火工艺
CN110004489A (zh) * 2019-03-11 2019-07-12 包头晶澳太阳能科技有限公司 一种制备多晶硅锭的工艺
CN109750354A (zh) * 2019-03-28 2019-05-14 浙江晶科能源有限公司 一种硅片铸锭方法、硅锭及多晶硅片

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