CN105085488A - 异喹啉类化合物及其制备方法、有机电致发光器件 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种异喹啉类化合物及其制备方法、有机电致发光器件，该异喹啉类化合物如图(I)所示。与现有技术相比，本发明提供的异喹啉类化合物是在苯并[g]异喹啉化合物中引入Q1、Q2、Ar1、Ar2、Ar3与Ar4基团，可提高电子密集度及技能，同时，R1可以改善异喹啉类化合物的性能，从而使包含式(I)所示的异喹啉类化合物的有机电致发光器件具备较高的亮度、较好的耐热性、长寿命及高效率等特点。

Description

异喹啉类化合物及其制备方法、有机电致发光器件
技术领域
本发明涉及有机发光材料技术领域，尤其涉及异喹啉类化合物及其制备方法、有机电致发光器件。
背景技术
发光材料是指各种形式能量激发下能发光的物质。自然界中的许多物质，包括无机化合物和有机化合物，或多或少均可以发光。发光材料是一种精细高技术产业，广泛应用在工业、医学、交通及军事领域。发光材料按其组分可分为无机发光材料和有机发光材料。
而在众多发光材料中，由于有机化合物的种类繁多，可调性好，色彩丰富，色纯度高，分子设计相对比较灵活，并且在发光机理、物理化学性能上，或是在应用上都有各自的特点。因而，有机材料的研究日益受到人们的重视，这其中根据不同的分子结构，有机发光材料可分为：有机小分子发光材料、有机高分子发光材料和有机配合物发光材料。而这其中有机小分子发光材料种类繁多，它们多带有共轭杂环及各种生色团，结构易于调整，通过引入烯键、苯环等不饱和基团及各种生色团来改变其共轭长度，从而使化合物光电性质发生变化。因而，得到了众多的科研工作者一方面致力于小分子的研究，如恶二唑及其衍生物类，三唑及其衍生物类，罗丹明及其衍生物类，香豆素类衍生物，1,8-萘酰亚胺类衍生物，吡唑啉衍生物，三苯胺类衍生物，卟啉类化合物，咔唑、吡嗪、噻唑类衍生物，苝类衍生物等。它们广泛应用于光学电子器件、DNA诊断、光化学传感器、染料、荧光增白剂、荧光涂料、激光染料、有机电致发光器件(OLED)等方面。
这其中，有机电致发光器件通常是指由两个对置的电极和插入在该两个电极之间的至少一层有机发光化合物组成。电荷被注入到在阳极和阴极之间形成的有机层中，以形成电子和空穴对，使具有荧光或磷光特性的有机化合物产生了光发射。它是一种新型的平面显示器件，具有节能、响应速度快、颜色稳定、环境适应性强、无辐射、质量轻、厚度薄等诸多优点。而且随着近几年光电通讯和多媒体领域的迅速发展，有机光电子材料已成为现代社会信息和电子产业的核心。因此，随着领域的高速发展，对有机发光材料在性能上也提出了更高的要求。
有鉴于此，如何找到一种具有更好性能的有机发光材料，提高发光器件的发光效率和使用寿命，一直是本领域研究人员亟待解决的问题。
发明内容
有鉴于此，本发明要解决的技术问题在于提供异喹啉类化合物及其制备方法、有机电致发光器件，该化合物发光效率较好。
本发明提供了一种异喹啉类化合物，如式(I)所示：
其中，L1、L2、L3与L4各自独立地为0或1；
Q1与Q2各自独立地选自N、O、S、C6～C30的芳基或C1～C30的杂环基；
Ar1、Ar2、Ar3、Ar4与R1各自独立地选自H、取代或未取代的C7～C50的芳烷基、取代或未取代的C7～C50的芳烷氧基、取代或未取代的C7～C50的芳烷巯基、取代或未取代的C6～C50的芳基、取代或未取代的C5～C50的杂环基、取代或未取代的C7～C30的芳香族胺基或C1～C30的烷基。
优选的，所述L1与L2不同时为0。
优选的，如式(II-1)～式(II-9)任意一项所示：
其中，Z1～Z30各自独立地选自C、CH或N；L3与L4各自独立地为0或1；
Ar1、Ar2、Ar3、Ar4与R1各自独立地选自H、取代或未取代的C7～C50的芳烷基、取代或未取代的C7～C50的芳烷氧基、取代或未取代的C7～C50的芳烷巯基、取代或未取代的C6～C50的芳基、取代或未取代的C5～C50的杂环基、取代或未取代的C7～C30的芳香族胺基或C1～C30的烷基。
优选的，如式(III-1)～式(III-6)任意一项所示：
其中，Z31～Z45各自独立地选自C、CH或N；L3与L4各自独立地为0或1；
Q1与Q2各自独立地选自N、O、S、C6～C30的芳基或C1～C30的杂环基；
Ar1、Ar2、Ar3与Ar4各自独立地选自H、取代或未取代的C7～C50的芳烷基、取代或未取代的C7～C50的芳烷氧基、取代或未取代的C7～C50的芳烷巯基、取代或未取代的C6～C50的芳基、取代或未取代的C5～C50的杂环基、取代或未取代的C7～C30的芳香族胺基或C1～C30的烷基；
R1′与R2′各自独立地为取代或未取代的C6～C50的芳烷基、取代或未取代的C5～C50的芳香族胺基或C1～C30的烷基。
优选的，所述-Ar1、-Ar2、-Ar3与-Ar4各自独立地选自下列式(1)～式(35)结构中的任意一种：
其中，X与Y各自独立地为H、卤原子、取代或未取代的C1～C30的烷基、取代或未取代的C1～C30的烷氧基、取代或未取代的C2～C30的烯基、取代或未取代的C7～C30的芳烷基、取代或未取代的C7～C30的芳烷氧基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C6～C30的芳氧基、取代或未取代的C5～C30的杂环基、取代或未取代的C7～C30的芳香族胺基或氰基。
本发明还提供了一种异喹啉类化合物的制备方法，包括：
将式(IV)所示的化合物与式(V)所示的化合物和式(VI)所示的化合物进行反应，得到式(I)所示的异喹啉类化合物；
其中，X′为卤原子，Y′与Y1′各自独立地为B(OH)2或H；
L1、L2、L3与L4各自独立地为0或1；
Q1与Q2各自独立地选自N、O、S、C6～C30的芳基或C1～C30的杂环基；
Ar1、Ar2、Ar3、Ar4与R1各自独立地选自H、取代或未取代的C7～C50的芳烷基、取代或未取代的C7～C50的芳烷氧基、取代或未取代的C7～C50的芳烷巯基、取代或未取代的C6～C50的芳基、取代或未取代的C5～C50的杂环基、取代或未取代的C7～C30的芳香族胺基或C1～C30的烷基。
本发明还提供了一种有机电致发光器件，包括式(I)所示的异喹啉类化合物。
优选的，所述有机电致发光器件包括第一电极、第二电极和设置于所述第一电极与第二电极之间的有机物层；所述有机物层式(I)所示的异喹啉类化合物。
优选的，所述有机物层包括空穴注入层、空穴传输层、既具备空穴注入又具备空穴传输技能层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层与既具备电子传输又具备电子注入技能层中的一层或多层。
本发明还提供了一种有机光电材料，包括式(I)所示的异喹啉类化合物；
所述有机光电材料包括有机太阳电池、电子纸、有机感光体或有机晶体管。
本发明提供了一种异喹啉类化合物及其制备方法、有机电致发光器件，该异喹啉类化合物如式(I)所示，其中，L1、L2、L3与L4各自独立地为0或1；Ar1、Ar2、Ar3、Ar4与R1各自独立地选自H、取代或未取代的C7～C50的芳烷基、取代或未取代的C7～C50的芳烷氧基、取代或未取代的C7～C50的芳烷巯基、取代或未取代的C6～C50的芳基、取代或未取代的C5～C50的杂环基、取代或未取代的C7～C30的芳香族胺基或C1～C30的烷基。与现有技术相比，本发明提供的异喹啉类化合物是在苯并[g]异喹啉化合物中引入Q1、Q2、Ar1、Ar2、Ar3与Ar4基团，可提高电子密集度及技能，同时，R1可以改善异喹啉类化合物的性能，从而使包含式(I)所示的异喹啉类化合物的有机电致发光器件具备较高的亮度、较好的耐热性、长寿命及高效率等特点。
具体实施方式
为了进一步理解本发明，下面结合实施例对本发明优选实施方案进行描述，但是应当理解，这些描述只是为进一步说明本发明的特征和优点，而不是对本发明权利要求的限制。
本发明提供了一种异喹啉类化合物，如式(I)所示：
其中，L1、L2、L3与L4各自独立地为0或1，优选L1、L2、L3与L4不同时为0；更优选的，L1、L2不同时为0；
Q1与Q2各自独立地选自N、O、S、C6～C30的芳基或C1～C30的杂环基，优选选自N、O、S、C6～C24的芳基或C1～C24的杂环基，更优选选自N、O、S、C6～C14的芳基或C1～C14的杂环基；此时，所述异喹啉类化合物优选如式(II-1)～式(II-9)任意一结构所示：
其中，Z1～Z30各自独立地选自C、CH或N。
本发明中Ar1、Ar2、Ar3、Ar4与R1各自独立地选自H、取代或未取代的C7～C50的芳烷基、取代或未取代的C7～C50的芳烷氧基、取代或未取代的C7～C50的芳烷巯基、取代或未取代的C6～C50的芳基、取代或未取代的C5～C50的杂环基、取代或未取代的C7～C30的芳香族胺基或C1～C30的烷基。
其中，所述Ar1、Ar2、Ar3与Ar4优选各自独立地选自H、取代或未取代的C7～C30的芳烷基、取代或未取代的C7～C30的芳烷氧基、取代或未取代的C7～C30的芳烷巯基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C5～C30的杂环基、取代或未取代的C7～C30的芳香族胺基或C1～C30的烷基，更优选为取代或未取代的C7～C30的芳烷基、取代或未取代的C7～C30的芳烷氧基、取代或未取代的C7～C30的芳烷巯基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C5～C30的杂环基、取代或未取代的C7～C30的芳香族胺基或C1～C30的烷基，再优选为取代或未取代的C7～C20的芳烷基、取代或未取代的C7～C20的芳烷氧基、取代或未取代的C7～C20的芳烷巯基、取代或未取代的C6～C20的芳基、取代或未取代的C5～C20的杂环基、取代或未取代的C7～C20的芳香族胺基或C1～C20的烷基，最优选选自下列式(1)～式(35)结构中的任意一种：
其中，X与Y各自独立地为H、卤原子、取代或未取代的C1～C30的烷基、取代或未取代的C1～C30的烷氧基、取代或未取代的C2～C30的烯基、取代或未取代的C7～C30的芳烷基、取代或未取代的C7～C30的芳烷氧基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C6～C30的芳氧基、取代或未取代的C5～C30的杂环基、取代或未取代的C7～C30的芳香族胺基或氰基，更优选为H、卤原子、未取代的C1～C30的烷基、未取代的C1～C30的烷氧基、未取代的C2～C30的烯基、未取代的C7～C30的芳烷基、未取代的C7～C30的芳烷氧基、未取代的C6～C30的芳基、未取代的C6～C30的芳氧基、未取代的C5～C30的杂环基、未取代的C7～C30的芳香族胺基或氰基。
所述R1优选选自H、取代或未取代的C7～C30的芳烷基、取代或未取代的C7～C30的芳烷氧基、取代或未取代的C7～C30的芳烷巯基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C5～C30的杂环基、取代或未取代的C7～C30的芳香族胺基或C1～C30的烷基；更优选选自取代或未取代的C7～C20的芳烷基、取代或未取代的C7～C20的芳烷氧基、取代或未取代的C7～C20的芳烷巯基、取代或未取代的C6～C20的芳基、取代或未取代的C5～C20的杂环基、取代或未取代的C7～C20的芳香族胺基或C1～C20的烷基；进一步的，本发明异喹啉类化合物优选如式(III-1)～式(III-6)任意一项所示：
上述式(III-1)～式(III-6)中其中，Z31～Z45各自独立地选自C、CH或N；L3与L4各自独立地为0或1；Q1、Q2、Ar1、Ar2、Ar3与Ar4均同上所述，在此不再赘述；R1′与R2′各自独立地为取代或未取代的C6～C50的芳烷基、取代或未取代的C5～C50的芳香族胺基或C1～C30的烷基，优选为取代或未取代的C6～C30的芳烷基、取代或未取代的C5～C30的芳香族胺基或C1～C30的烷基，更优选为取代或未取代的C6～C14的芳烷基、取代或未取代的C5～C20的芳香族胺基或C1～C20的烷基。
本发明中，上述取代的芳基、取代的杂环基、取代的芳香族胺基、取代的芳烷氧基、取代的芳烷巯基、取代的芳烷基、取代的烯基、取代的芳氧基中，所述取代的是指含有取代基的，所述取代基优选选自卤素、C1～C30的烷基、C2～C30的烯基、C2～C30的炔基、羟基、C1～C30的烷氧基、氨基、硝基、巯基、硫醚基、亚胺基、氰基、酰胺基、膦酸根、膦、羧基、硫代羰基、磺酰基、氨磺酰、羰基、酯基、乙酰基、乙酰氧基、氨基甲酰基、氧代基(＝O)、卤代烷基、取代的氨酰基和氨基烷基、环烷基(可为单环、稠合多环或非稠合多环)、杂环基(可为单环、稠合多环或非稠合多环)、单环或稠合或非稠合多环芳基(如苯基、萘基、吡咯基、吲哚基、呋喃基、噻吩基、咪唑基、噁唑基、异噁唑基、噻唑基、三唑基、四唑基、吡唑基、喹啉基、异喹啉基、吖啶基、吡嗪基、哒嗪基、嘧啶基、苯并咪唑基、苯并噻吩基或苯并呋喃基)、氨基、O-C1～C20的烷基、O-芳基、芳基、芳基-C1～C20的烷基、-CO2CH3、-CONH2、-OCH2CONH2、-NH2、-SO2NH2、-OCHF2、-CF3或-OCF3。这些取代基可任选地进一步被选自这类基团的取代基取代。本发明中，所述取代基更优选选自以下式36～65中的任一取代基：
本发明提供的异喹啉类化合物是在苯并[g]异喹啉化合物中引入Q1、Q2、Ar1、Ar2、Ar3与Ar4基团，可提高电子密集度及技能，同时，R1可以改善异喹啉类化合物的性能，从而使包含式(I)所示的异喹啉类化合物的有机电致发光器件具备较高的亮度、较好的耐热性、长寿命及高效率等特点。
本发明还提供了一种上述异喹啉类化合物的制备方法，包括：将式(IV)所示的化合物与式(V)所示的化合物和/或式(VI)所示的化合物进行反应，得到式(I)所示的异喹啉类化合物；
其中，X′为卤原子，优选为Cl或Br，Y′与Y1′各自独立地为B(OH)2或H；
L1、L2、L3与L4各自独立地为0或1；
Q1与Q2各自独立地选自N、O、S、C6～C30的芳基或C1～C30的杂环基；
Ar1、Ar2、Ar3、Ar4与R1各自独立地选自H、取代或未取代的C7～C50的芳烷基、取代或未取代的C7～C50的芳烷氧基、取代或未取代的C7～C50的芳烷巯基、取代或未取代的C6～C50的芳基、取代或未取代的C5～C50的杂环基、取代或未取代的C7～C30的芳香族胺基或C1～C30的烷基。
其中，所述L1、L2、L3、L4、Q1、Q2、Ar1、Ar2、Ar3、Ar4与R1均同上所述，在此不再赘述。
本发明对所有原料的来源并没有特殊的限制，可为市售也可为制备。本发明中所述式(IV)所示的化合物优选按照以下方法进行制备：
按照本发明，当Q1或Q2为C6～C30的芳基或C1～C30的杂环基；Y′或Y1′为B(OH)2，式(IV)所示的化合物与式(V)所示的化合物或式(VI)所示的化合物在催化剂作用下进行Suzuki偶联反应，所述反应条件为本领域技术人员熟知的反应条件即可，并无特殊的限制。
当所述Q1或Q2为N、O或S时，Y′或Y1′为H，此时，式(IV)所示的化合物与式(V)所示的化合物或式(IV)所示的化合物进行置换反应；所述置换反应的条件为本领域技术人员熟知的置换反应条件即可，并无特殊的限制。
本发明中，当Y＇为B(OH)2时，所述式(V)所示的化合物优选按照以下方法制备：
X＂为卤素原子。
当Y1′为B(OH)2时，式(VI)所示的化合物，优选按照以下方法制备：
X＂为卤素原子。
在本发明中，当所述L1与L2同时为0时，将式(IV)所示的化合物还原即可得到式(I)所示的化合物。
本发明提供的异喹啉化合物制备方法简单，易于产业化。
本发明还提供了一种有机电致发光器件，包括上述式(I)所示的异喹啉类化合物。
所述有机电致发光器件为本领域技术人员熟知的有机电致发光器件即可，本发明优选包括第一电极、第二电极和设置于所述第一电极与第二电极之间的有机物层；所述有机物层包含上述的异喹啉类化合物。所述有机物层是指有机电致发光器件第一电极和第二电极之间的全部层。所述有机物层中的至少一层为发光层。
按照本发明，所述有机物层优选包括空穴注入层、空穴传输层、既具备空穴注入又具备空穴传输技能层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层与既具备电子传输又具备电子注入技能层中的一层或多层，更优选包括依次设置的空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层与电子注入层或依次设置的既具备空穴注入又具备空穴传输技能层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层与既具备电子传输又具备电子注入技能层。
当本发明有机物层包含空穴注入层、空穴传输层或既具备空穴注入又具备空穴传输技能层时，优选所述空穴注入层、空穴传输层或既具备空穴注入又具备空穴传输技能层中至少一层包含空穴注入物质、空穴传输物质或既具备空穴注入又具备空穴传输技能的物质。
当本发明有机物层为单层结构时，所述有机物层为发光层，当所述有机物层为多层结构时，所述有机物层包括发光层；所述发光层中优选包括磷光主体、荧光主体、磷光掺杂材料与荧光掺杂中的一种或多种；所述磷光主体、荧光主体、磷光掺杂材料与荧光掺杂材料中的一种或多种为式(I)所示的异喹啉类化合物。
所述发光层还可优选为红色、黄色或青色发光层，所述异喹啉类化合物为红色、黄色或青色发光层的主体或掺杂物质。如，当所述发光层为青色发光层时，所述式(I)所示的异喹啉类化合物用作青色主体或青色掺杂时，可提供高效率、高亮度、高分辨率及长寿命的有机发光器件。
当所述有机物层包括电子传输层时，所述电子传输层可包括式(I)所示的异喹啉类化合物和/或金属化合物。所述金属化合物为本领域技术人员熟知的用于电子传输的物质即可，并无特殊的限制。
当所述有机物层同时包括发光层与电子传输层时，所述发光层与电子传输层可包括结构相同或不相同的式(I)所示的异喹啉类化合物。
本发明提供的有机电致发光器件利用式(I)所示的异喹啉类化合物及常规材料制成有机电子器件的方法制备，并无特殊的限制，本发明优选利用薄膜蒸镀、电子束蒸发或物理气相沉积等方法在基板上蒸镀金属及具有导电性的氧化物及它们的合金形成阳极，然后在其上形成有机物层及蒸镀阴极，得到有机电致发光器件。
所述有机物层可以同时包括上述的空穴注入层、空穴传输层、发光层、空穴阻挡层及电子传输层的多层结构，并且这些多层结构可按照上述薄膜蒸镀、电子束蒸发或物理气相沉积等方法蒸镀，也可使用多样的高分子材料溶剂工程替代蒸镀方法，如旋转涂膜(spin-coating)、薄带成型(tape-casting)、刮片法(doctor-blading)、丝网印刷(Screen-Printing)、喷墨印刷或热成像(Thermal-Imaging)等方法减少层数制造。
本发明提供的有机电致发光器件按照使用的材料也可分为前面发光、背面发光或两面发光；并且该有机电致发光器件可以同样原理应用在有机发光器件(OLED)、有机太阳电池(OSC)、电子纸(e-paper)、有机感光体(OPC)或有机薄膜晶体管(OTFT)上。
本发明还提供了一种有机光电材料，包括上述式(I)所示的异喹啉类化合物；所述有机光电材料包括有机太阳电池、电子纸、有机感光体或有机晶体管。
为了进一步说明本发明，下面结合实施例对本发明提供的异喹啉类化合物及其制备方法、有机电致发光器件进行详细描述。
实施例1
中间体5-溴-2-苯基吡啶(A-1)的合成：
将溴苯17.3g(0.11mol)、对溴吡啶硼酸20.1g(0.1mol)与四三苯基磷钯0.5g，加入到1000ml反应瓶中，然后加入甲苯、乙醇和水体积比2:1:1混合液共计800ml，氮气保护，油浴80℃反应24h。后处理过程：降温，静止30分钟分液，保留有机层，旋干甲苯，固体加入二氯甲烷溶解，过柱分离，用石油醚:二氯甲烷＝1:1(体积比)冲柱，得固体(A-1)14g，产率60％。
实施例2
中间体A-2～A-5的合成：
按照上述实施例1中间体A-1的合成方法，用相同摩尔量比制备得到表1所示的化合物，表1是本发明实施例2反应物质、生成物质及产率汇总。
表1实施例2反应物质、生成物质及产率汇总
实施例3
中间体2,2'-(5-溴-1,3-苯基)二吡啶(A-7)的合成：
将5-溴1,3-二苯硼酸24.5g(0.1mol)、3-溴喹啉38g(0.22mol)与四三苯基膦钯7g(3％)加入到反应瓶中，然后加入甲苯、乙醇和水2:1:1(体积比)混合液共计800ml，氮气保护，油浴90℃反应，过夜。
后处理过程：降温，分液，旋干甲苯，剩余物用二氯甲烷全溶，再入等量的石油醚，过硅胶漏斗，用二氯甲烷:石油醚＝1:2(体积比)冲洗，直到无产品点流出，旋干溶剂，得深色固体(A-7)25.8g，产率83％。
实施例4
中间体5-氯-N,N-二苯基吡啶-2-胺(A-8)的合成：
将二苯胺16.9g(0.1mol)、叔丁醇钠28g(0.3mol)与甲苯400ml加入到反应瓶中，搅拌30分钟，氮气保护，加入5-氯-2溴-吡啶23g(0.12mol)与三(二亚卞基丙酮)二钯1.5g，最后加入三叔丁基膦4g，升温到100℃反应24h。后处理过程：降温，加入水中止反应，过滤，分液，旋干甲苯，加入二氯甲烷溶解固体，过柱分离(石油醚:二氯甲烷＝3:1)，得固体(A-8)15.4g，产率55％。
实施例5
中间体5-氯-2-(吡啶-4-氧基)吡啶(A-9)的合成：
取4-羟基吡啶10g(0.1mol)溶于100ml无水四氢呋喃中，搅拌，准确称量NaH0.96g(0.4mol)分批次加到反应瓶中(不要太快，防止太多气泡产生)，加完后溶液呈现黄色，然后再加入5-氯-2-溴吡啶21.1g(0.11mol，分批加入)，室温反应过夜。
后处理过程：过滤，除去固体物质，旋干，加入二氯甲烷溶解，过柱用石油醚：乙酸乙酯＝1:5(体积比)冲柱，得固体(A-9)15g，产率71％。
实施例6
中间体5-氯-2-(吡啶-4-硫基)吡啶(A-10)的合成：
具体合成方法和处理过程，参照中间体5-氯-2-(吡啶-4-氧基)吡啶(A-9)的合成。
实施例7
中间体2-(吡啶-2-羰基)苯甲酸甲酯(B-1)的合成：
将0.1mol的3-溴吡啶15.7g溶于300ml无水乙醚中，干冰浴-78℃、氮气保护，加入0.11mol的BuLi(2.5mol/L)，搅拌反应1h，再加入0.1mol的邻苯二甲酸二甲酯，反应2h，然后逐渐升到室温，加入水中止反应，后处理过程：分液，分去水层，水层用乙酸乙酯萃取一遍，合并有机层并旋干有机溶剂，用二氯甲烷:石油醚＝9:1(体积比)过柱分离，得白色固体(B-1)13.5g，产率56％。
实施例8
中间体B-2～B-9的合成：
按照上述实施例7中间体B-1的合成方法，用相同摩尔量比制备得到表2所示化合物，表2是本发明实施例8反应物质、生成物质及产率汇总。
表2本发明实施例8反应物质、生成物质及产率汇总
实施例9
中间体苯并[g]异喹啉-5,10-二酮(C-1)的合成：
将B-1(10g，0.0415mol)化合物溶解于300ml的THF中，降温至0℃，加入混合液LTMP(LTMP的合成：在500mL的THF中，保持0℃溶解0.13molBuLi，0.14mol的2,2,6,6-四甲基哌啶)。0℃搅拌反应2h，加入200mL水中止反应，分去水层，有机层旋干，用二氯甲烷:石油醚＝10:1(体积比)过柱分离，得固体(C-1)9.5g，产率44％。
实施例10
中间体C-2～C-9的合成：
按照上述实施例9中间体C-1的合成方法，用相同摩尔量比制备得到表3所示化合物，表3是本发明实施例10反应物质、生成物质及产率汇总。
表3本发明实施例10反应物质、生成物质及产率汇总
实施例11
中间体5,10-二氯苯并[g]异喹啉(D-1)的合成：
准确称取实施例9中得到的(C-1)10g，加入到反应瓶中，然后加入200ml乙腈，再称取30g三氯氧磷缓慢滴加到反应瓶中，滴加完毕后缓慢升温至60℃，反应5h。反应完毕后，加入水小心萃灭，再加入大量的碳酸钠饱和溶液调pH值为7～8，再加入二氯甲烷，萃取三次，旋干得固体9.8g(D-1)，产率79％。
实施例12
中间体D-2～D-9的合成：
按照上述实施例11中间体D-1的合成方法，用相同摩尔量比制备得到表4所示化合物，表4是本发明实施例12反应物质、生成物质及产率汇总。
表4本发明实施例12反应物质、生成物质及产率汇总
实施例13
中间体5-(4-吡啶基)嘧啶-2-基硼酸(E-1)的合成：
将5-(4-吡啶基)-2-溴嘧啶10g(0.424mol)加入到三口瓶中，加入THF100ml，氮气保护，-78℃搅拌30min，加入正丁基锂21ml(2.5mol)，反应1h，再加入硼酸三异丙酯14g，低温反应1h，逐渐恢复室温。后处理过程：加2M的盐酸使溶液pH值为4～5，静止分液，水层用乙酸乙酯萃取一遍，合并有机层，旋干，得白色固体(E-1)7.5g，产率88％。
实施例14
中间体E-2～E-6的合成：
按照上述实施例13中间体E-1的合成方法，用相同摩尔量比制备得到表5所示化合物，表5是本发明实施例14反应物质、生成物质及产率汇总。
表5本发明实施例14反应物质、生成物质及产率汇总
实施例15
5,10-二(4-吡啶基)苯并[g]异喹啉(F-1)的合成：
将实施例11中得到的5,10-二氯-苯并[g]异喹啉15g(0.6mol)、4-硼酸吡啶18g(0.146mol)与四三苯基膦钯4g加入到反应瓶中，再加入甲苯、乙醇和水2:1:1(体积比)混合液共计600ml，氮气保护，搅拌升温到110℃反应24h。后处理过程：体系降温，分液，旋干甲苯。加入二氯甲烷溶解固体，过柱，石油醚：乙酸乙酯＝2:1(体积比)冲洗，得固体(F-1)13g，产率65％。
利用核磁共振对实施例15中得到的5,10-二(4-吡啶基)苯并[g]异喹啉(F-1)进行分析，得到结果为：1HNMR(500MHz,Chloroform)δ9.29(s,1H),8.71(s,4H),8.53(d,J＝10.0Hz,3H),7.90(s,4H),7.62(d,J＝10.0Hz,3H)。
实施例16
按照上述实施例15中F-1的合成方法，用相同摩尔量比制备得到表6所示化合物，表6是本发明实施例16反应物质、生成物质及产率汇总。
表6本发明实施例16反应物质、生成物质及产率汇总
实施例17
按照上述实施例15中F-1的合成方法，用相同摩尔量比制备得到表7所示化合物，表7是本发明实施例17反应物质、生成物质及产率汇总。
表7本发明实施例17反应物质、生成物质及产率汇总
利用核磁共振对实施例17中得到的G-1进行分析，得到结果为：1HNMR(500MHz,Chloroform)δ9.29(s,1H),9.18(s,1H),8.71(s,4H),8.55(t,J＝2.5Hz,4H),7.90(s,4H),7.74(s,1H),7.61(s,2H),7.23(s,1H)。
利用核磁共振对实施例17中得到的G-2进行分析，得到结果为：1HNMR(500MHz,Chloroform)δ8.39(d,J＝35.0Hz,5H),7.28–7.15(m,5H),7.03(s,4H),5.27(d,J＝18.9Hz,2H),2.71(s,2H),1.63(s,2H),1.27(d,J＝15.0Hz,12H),0.89(s,3H)。
实施例18
按照上述实施例15中F-1的合成方法，用相同摩尔量比制备得到表8所示化合物，表8是本发明实施例18反应物质、生成物质及产率汇总。
表8本发明实施例18反应物质、生成物质及产率汇总
实施例19
按照上述实施例15中F-1的合成方法，用相同摩尔量比制备得到表9所示化合物，表9是本发明实施例19反应物质、生成物质及产率汇总。
表9本发明实施例19反应物质、生成物质及产率汇总
利用核磁共振对实施例19中得到的I-1进行分析，得到结果为：1HNMR(500MHz,Chloroform)δ9.48(s,1H),9.10(s,1H),8.71(s,4H),8.54(s,2H),8.12(d,J＝0.6Hz,2H),7.92(d,J＝17.1Hz,5H),7.82(s,1H),7.72(s,1H),7.58(d,J＝30.0Hz,3H)。
实施例20
按照上述实施例15中F-1的合成方法，用相同摩尔量比制备得到表10所示化合物，表10是本发明实施例20反应物质、生成物质及产率汇总。
表10本发明实施例20反应物质、生成物质及产率汇总
利用核磁共振对实施例20中得到的J-1进行分析，得到结果为：1HNMR(500MHz,Chloroform)δ9.54(s,1H),8.80(s,2H),8.71(s,4H),8.54(s,2H),8.25(s,1H),8.18–8.06(m,3H),7.90(s,4H),7.61(s,2H),7.39(s,2H)。
实施例21
按照上述实施例15中F-1的合成方法，用相同摩尔量比制备得到表11所示化合物，表11是本发明实施例21反应物质、生成物质及产率汇总。
表11本发明实施例21反应物质、生成物质及产率汇总
利用核磁共振对实施例21中得到的K-1进行分析，得到结果为：1HNMR(500MHz,Chloroform)δ8.69(d,J＝20.0Hz,5H),8.54(s,2H),7.90(s,4H),7.61(s,2H),7.24(s,4H),7.04(d,J＝40.0Hz,6H),6.78(s,1H)。
实施例22
按照上述实施例15中F-1的合成方法，用相同摩尔量比制备得到表12所示化合物，表12是本发明实施例22反应物质、生成物质及产率汇总。
表12本发明实施例22反应物质、生成物质及产率汇总
利用核磁共振对实施例22中得到的L-1进行分析，得到结果为：1HNMR(500MHz,Chloroform)δ8.90(s,1H),8.71(s,4H),8.54(s,2H),8.26(s,2H),7.90(s,4H),7.61(s,2H),7.00(s,2H),6.75(s,1H)。
实施例23
按照上述实施例15中F-1的合成方法，用相同摩尔量比制备得到表13所示化合物，表13是本发明实施例23反应物质、生成物质及产率汇总。
表13本发明实施例23反应物质、生成物质及产率汇总
利用核磁共振对实施例23中得到的M-1进行分析，得到结果为：1HNMR(500MHz,Chloroform)δ9.10(s,1H),8.69(d,J＝20.0Hz,6H),8.54(s,2H),7.90(s,4H),7.72(s,1H),7.61(s,2H),7.51(s,2H)。
实施例24
N5,N10-二(1-萘基)-N5,N10-二苯基苯并[g]异喹啉-5,10-二胺(N-1)的合成：
参照实施例4中间体5-氯-N,N-二苯基吡啶-2-胺(A-8)的合成，将5,10-二氯苯并[g]异喹啉4.8g(0.02mol)与N-苯基-2-萘胺5g为原料进行反应，得固体(N-1)约5g，产率40％。
利用核磁共振对实施例24中得到的N-1进行分析，得到结果为：1HNMR(500MHz,Chloroform)δ9.39(s,1H),8.49(s,1H),8.22(s,2H),7.84(s,4H),7.73(s,1H),7.68–7.39(m,12H),7.24(s,4H),7.04(d,J＝40.0Hz,6H)。
实施例25
N,N-二苯基-5-(吡啶-4-基氧基)苯并[g]异喹啉-10-胺(N-2)的合成：
25.15-氯-N,N-二苯基苯并[g]异喹啉-10-胺的合成
按照实施例5中间体5-氯-2-(吡啶-4-氧基)吡啶(A-9)的合成，以5,10-二氯苯并[g]异喹啉4.8g(0.02mol)与4-羟基吡啶4g为原料进行反应，得中间体5-氯-N,N-二苯基苯并[g]异喹啉-10-胺约8.5g，产率58％。
25.2N,N-二苯基-5-(吡啶-4-基氧基)苯并[g]异喹啉-10-胺的(N-2)合成
取4-羟基吡啶(10g,0.1mol)溶于100ml无水四氢呋喃中，搅拌，准确称量NaH(0.96g,0.4mol)分批次加到反应瓶中(不要太快，防止太多气泡产生)，加完后溶液呈现黄色，再加入25.1中得到的5-氯-N,N-二苯基苯并[g]异喹啉-10-胺42.0g(0.11mol，也要分批加入)，室温反应过夜。后处理过程：过滤，除去固体物质，旋干，加入二氯甲烷溶解，过柱用石油醚：乙酸乙酯＝1：5(体积比)冲柱，得固体(N-2)22.0g，产率为50％。
利用核磁共振对实施例25中得到的N-2进行分析，得到结果为：1HNMR(500MHz,Chloroform)δ9.34(s,1H),8.50(d,J＝25.0Hz,2H),8.39(s,2H),7.95(s,1H),7.84(s,1H),7.48(s,2H),7.24(s,4H),7.13–6.94(m,8H)。
实施例26
N,N-二苯基-5-(吡啶-4-基硫)苯并[g]异喹啉-10-胺(N-3)的合成：
此步参考实施例15中5,10-二(吡啶-4-基)苯并[g]异喹啉(F-1)的合成，以N,N-二苯基-5-(吡啶-4-基氧基)苯并[g]异喹啉-10-胺5.3g(0.014mol)与4-羟基吡啶2.6g(0.028mol)为原料，110℃反应24h，得固体(N-3)2.6g，产率41％。
利用核磁共振对实施例26中得到的N-3进行反应，得到结果为：1HNMR(500MHz,Chloroform)δ9.39(s,1H),8.88(s,2H),8.49(s,1H),7.84(s,2H),7.63(s,1H),7.45(d,J＝25.0Hz,4H),7.24(s,4H),7.04(d,J＝40.0Hz,6H)。
实施例27
5,10-二(吡啶-4-基氧基)苯并[g]异喹啉(N-4)的合成：
参考实施例6中间体5-氯-2-(吡啶-4-硫基)吡啶(A-10)的合成，以N,N-二苯基-5-(吡啶-4-基氧基)苯并[g]异喹啉-10-胺2g(0.005mol)与4-巯基吡啶1.2g(0.01mol)为原料进行反应，得固体(N-4)1g，产率44％。
利用核磁共振对实施例27中得到的N-3进行分析，得到结果为：1HNMR(500MHz,Chloroform)δ9.56(s,1H),8.50(d,J＝25.0Hz,3H),8.39(s,4H),7.90(s,1H),7.48(s,2H),6.99(d,J＝3.3Hz,4H)。
实施例28
5,10-二(吡啶-4-硫基)苯并[g]异喹啉(N-5)的合成：
参考实施例6中间体5-氯-2-(吡啶-4-基硫)吡啶(A-10)的合成方法，以5,10-二氯苯并(G)喹啉4.8g(0.02mol)与4-羟基吡啶4.4g(0.04mol)为原料进行反应，得固体(N-5)约6.1g，产率75％。
实施例29
将费希尔公司涂层厚度为的ITO玻璃基板放在蒸馏水中清洗2次，超声波洗涤30min，然后按异丙醇、丙酮、甲醇按顺序洗涤30min，再用蒸馏水反复清洗2次，超声波洗涤10min，干燥，转移到等离子体清洗机中将上述基板洗涤5min，送到蒸镀机中；将已经准备好的ITO透明电极上蒸镀空穴注入层2-TNATA蒸镀空穴传输层a-NPD蒸镀青色主体ADN/掺杂5％的TPPDA蒸镀空穴阻挡层及空穴传输层如表14所示蒸镀阴极LiF得到有机电致发光器件；上述过程有机物蒸镀速度是保持LiF是Al是
上述方法得到的有机发光器件的电子发光特性见表14。
表14实施例29中空穴阻挡层及空穴传输层物质种类与有机电致发光器件的电子发光特性
从上述表14中可以看出利用本发明的异喹啉类化合物的器件的发光效率及寿命特性均有显著的提高。
本发明利用新的异喹啉类化合物的有机发光器件可以得到发光效率和寿命良好的结果，因此可应用于实用性高的OLED产业。本发明的有机电致发光器件可适用于平面面板显示、平面发光体、照明用面发光OLED发光体、柔性发光体、复印机、打印机、LCD背光灯或计量机类的光源、显示板、标识等。
以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想。应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以对本发明进行若干改进和修饰，这些改进和修饰也落入本发明权利要求的保护范围内。
对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (10)

1.一种异喹啉类化合物，如式(I)所示：
其中，L1、L2、L3与L4各自独立地为0或1；
Q1与Q2各自独立地选自N、O、S、C6～C30的芳基或C1～C30的杂环基；
Ar1、Ar2、Ar3、Ar4与R1各自独立地选自H、取代或未取代的C7～C50的芳烷基、取代或未取代的C7～C50的芳烷氧基、取代或未取代的C7～C50的芳烷巯基、取代或未取代的C6～C50的芳基、取代或未取代的C5～C50的杂环基、取代或未取代的C7～C30的芳香族胺基或C1～C30的烷基。
2.根据权利要求1所述的异喹啉类化合物，其特征在于，所述L1与L2不同时为0。
3.根据权利要求1所述的异喹啉类化合物，其特征在于，如式(II-1)～式(II-9)任意一项所示：
其中，Z1～Z30各自独立地选自C、CH或N；L3与L4各自独立地为0或1；
Ar1、Ar2、Ar3、Ar4与R1各自独立地选自H、取代或未取代的C7～C50的芳烷基、取代或未取代的C7～C50的芳烷氧基、取代或未取代的C7～C50的芳烷巯基、取代或未取代的C6～C50的芳基、取代或未取代的C5～C50的杂环基、取代或未取代的C7～C30的芳香族胺基或C1～C30的烷基。
4.根据权利要求1所述的异喹啉类化合物，其特征在于，如式(III-1)～式(III-6)任意一项所示：
其中，Z31～Z45各自独立地选自C、CH或N；L3与L4各自独立地为0或1；
Q1与Q2各自独立地选自N、O、S、C6～C30的芳基或C1～C30的杂环基；
Ar1、Ar2、Ar3与Ar4各自独立地选自H、取代或未取代的C7～C50的芳烷基、取代或未取代的C7～C50的芳烷氧基、取代或未取代的C7～C50的芳烷巯基、取代或未取代的C6～C50的芳基、取代或未取代的C5～C50的杂环基、取代或未取代的C7～C30的芳香族胺基或C1～C30的烷基；
R1′与R2′各自独立地为取代或未取代的C6～C50的芳烷基、取代或未取代的C5～C50的芳香族胺基或C1～C30的烷基。
5.根据权利要求1所述的异喹啉类化合物，其特征在于，所述-Ar1、-Ar2、-Ar3与-Ar4各自独立地选自下列式(1)～式(35)结构中的任意一种：
其中，X与Y各自独立地为H、卤原子、取代或未取代的C1～C30的烷基、取代或未取代的C1～C30的烷氧基、取代或未取代的C2～C30的烯基、取代或未取代的C7～C30的芳烷基、取代或未取代的C7～C30的芳烷氧基、取代或未取代的C6～C30的芳基、取代或未取代的C6～C30的芳氧基、取代或未取代的C5～C30的杂环基、取代或未取代的C7～C30的芳香族胺基或氰基。
6.一种异喹啉类化合物的制备方法，其特征在于，包括：
将式(IV)所示的化合物与式(V)所示的化合物和式(VI)所示的化合物进行反应，得到式(I)所示的异喹啉类化合物；
其中，X′为卤原子，Y′与Y1′各自独立地为B(OH)2或H；
L1、L2、L3与L4各自独立地为0或1；
Q1与Q2各自独立地选自N、O、S、C6～C30的芳基或C1～C30的杂环基；
Ar1、Ar2、Ar3、Ar4与R1各自独立地选自H、取代或未取代的C7～C50的芳烷基、取代或未取代的C7～C50的芳烷氧基、取代或未取代的C7～C50的芳烷巯基、取代或未取代的C6～C50的芳基、取代或未取代的C5～C50的杂环基、取代或未取代的C7～C30的芳香族胺基或C1～C30的烷基。
7.一种有机电致发光器件，其特征在于，包括权利要求1～5任意一项所述的异喹啉类化合物或权利要求6所制备的异喹啉类化合物。
8.根据权利要求7所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述有机电致发光器件包括第一电极、第二电极和设置于所述第一电极与第二电极之间的有机物层；所述有机物层包含权利要求1～5任意一项所述的异喹啉类化合物或权利要求6所制备的异喹啉类化合物。
9.根据权利要求7所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述有机物层包括空穴注入层、空穴传输层、既具备空穴注入又具备空穴传输技能层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层与既具备电子传输又具备电子注入技能层中的一层或多层。
10.一种有机光电材料，其特征在于，包括权利要求1～5任意一项所述的芳杂环化合物或权利要求6所述的制备方法制备的异喹啉类化合物；
所述有机光电材料包括有机太阳电池、电子纸、有机感光体或有机晶体管。
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