CN105022682A - 处理目标存储器 - Google Patents

处理目标存储器 Download PDF

Info

Publication number
CN105022682A
CN105022682A CN201510175148.3A CN201510175148A CN105022682A CN 105022682 A CN105022682 A CN 105022682A CN 201510175148 A CN201510175148 A CN 201510175148A CN 105022682 A CN105022682 A CN 105022682A
Authority
CN
China
Prior art keywords
sector
target
memory
described target
page
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201510175148.3A
Other languages
English (en)
Other versions
CN105022682B (zh
Inventor
C·彼得斯
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Infineon Technologies AG
Original Assignee
Infineon Technologies AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Infineon Technologies AG filed Critical Infineon Technologies AG
Publication of CN105022682A publication Critical patent/CN105022682A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN105022682B publication Critical patent/CN105022682B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F11/00—Error detection; Error correction; Monitoring
    • G06F11/07—Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
    • G06F11/16—Error detection or correction of the data by redundancy in hardware
    • G06F11/20—Error detection or correction of the data by redundancy in hardware using active fault-masking, e.g. by switching out faulty elements or by switching in spare elements
    • G06F11/2053—Error detection or correction of the data by redundancy in hardware using active fault-masking, e.g. by switching out faulty elements or by switching in spare elements where persistent mass storage functionality or persistent mass storage control functionality is redundant
    • G06F11/2094—Redundant storage or storage space
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C16/00—Erasable programmable read-only memories
    • G11C16/02—Erasable programmable read-only memories electrically programmable
    • G11C16/06—Auxiliary circuits, e.g. for writing into memory
    • G11C16/34—Determination of programming status, e.g. threshold voltage, overprogramming or underprogramming, retention
    • G11C16/3436—Arrangements for verifying correct programming or erasure
    • G11C16/344—Arrangements for verifying correct erasure or for detecting overerased cells
    • G11C16/3445—Circuits or methods to verify correct erasure of nonvolatile memory cells
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/04—Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
    • G11C29/08—Functional testing, e.g. testing during refresh, power-on self testing [POST] or distributed testing
    • G11C29/12—Built-in arrangements for testing, e.g. built-in self testing [BIST] or interconnection details
    • G11C29/44—Indication or identification of errors, e.g. for repair
    • G11C29/4401—Indication or identification of errors, e.g. for repair for self repair
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/04—Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
    • G11C29/50—Marginal testing, e.g. race, voltage or current testing
    • G11C29/50004—Marginal testing, e.g. race, voltage or current testing of threshold voltage
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F11/00—Error detection; Error correction; Monitoring
    • G06F11/07—Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
    • G06F11/08—Error detection or correction by redundancy in data representation, e.g. by using checking codes
    • G06F11/10—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's
    • G06F11/1008—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's in individual solid state devices
    • G06F11/1068—Adding special bits or symbols to the coded information, e.g. parity check, casting out 9's or 11's in individual solid state devices in sector programmable memories, e.g. flash disk
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F11/00—Error detection; Error correction; Monitoring
    • G06F11/07—Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
    • G06F11/16—Error detection or correction of the data by redundancy in hardware
    • G06F11/1666—Error detection or correction of the data by redundancy in hardware where the redundant component is memory or memory area
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F11/00—Error detection; Error correction; Monitoring
    • G06F11/07—Responding to the occurrence of a fault, e.g. fault tolerance
    • G06F11/16—Error detection or correction of the data by redundancy in hardware
    • G06F11/20—Error detection or correction of the data by redundancy in hardware using active fault-masking, e.g. by switching out faulty elements or by switching in spare elements
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/04—Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
    • G11C2029/0409—Online test

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Quality & Reliability (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Read Only Memory (AREA)
  • Techniques For Improving Reliability Of Storages (AREA)

Abstract

提出了一种用于处理目标存储器的方法，该方法包括步骤：(i)在针对目标存储器的擦除操作之后检查目标存储器；以及(ii)在检测到缺陷的情况下用备用存储器代替目标存储器。

Description

处理目标存储器
技术领域
本发明的实施例涉及用于处理目标存储器的方法和设备，具体地涉及即使在存储器的存储器单元故障的情况下高效地继续使用用于应用的存储器。
发明内容
第一实施例涉及一种用于处理目标存储器的方法，该方法包括步骤：
–在针对目标存储器的擦除操作之后检查目标存储器；
–在检测到缺陷的情况下用备用存储器代替目标存储器。
第二实施例涉及一种用于处理目标存储器的设备，该设备包括处理单元，该处理单元被布置用于：
–在针对目标存储器的擦除操作之后检查目标存储器；
–在检测到缺陷的情况下用备用存储器代替目标存储器。
第三实施例涉及一种直接可加载到数字计算机的存储器中的计算机程序产品，包括用于执行如本文所描述的方法的步骤的软件代码部分。
第四实施例涉及一种计算机可读介质，例如任何类型的存储，该计算机可读介质具有适于使得计算机系统执行如本文所描述的方法的计算机可执行指令。
附图说明
参考附图示出并且图示了实施例。附图用来图示基本原理，使得只有用于理解基本原理必要的方面被图示。附图不一定成比例。在附图中，相同的附图标记表示同样的特征。
图1示出了包括在线修复页面擦除操作的步骤的示意流程图；
图2示出了包括在线修复页面擦除操作的步骤的示意流程图；
图3示出了可视化在线修复页面操作的示意图；
图4示出了可视化在线修复扇区操作的示意图。
具体实施方式
存储器单元，例如闪存单元，可能经历在制造过程期间引入的局部缺陷。这样的局部缺陷可以导致存储器单元与像例如源极或者漏极接触的其他结构之间的隔离中的薄弱。用于对存储器单元进行编程的电压和用于擦除存储器单元或者包括存储器单元的存储器区域(例如，页面或者扇区)的电压(可能不同)可能导致隔离的失效并且因此导致至少一个缺陷存储器单元。
在存储器单元的制造过程之后，可以运行测试程序以在它们被销售或者被置于服务中之前测试存储器单元。然而，测试程序可能未展现所有的缺陷存储器单元或者所有潜在的缺陷存储器单元。具体地，一些存储器单元可以随着时间退化，并且在置于服务中之后达到它们的缺陷状态。另外，测试程序是耗时且昂贵的并且可能在一些产品中不覆盖所有缺陷。
存储器单元可以是嵌入闪速存储器单元的存储器单元，例如在独立的或者嵌入式设备中的FLASH或者EEPROM存储器单元。
本文所提供的示例引入在线修复构思，其允许降低存储器单元的可能的缺陷的影响。这样的在线修复构思可以用于已经在设备中实现并使用的存储器单元上。解决方案具体地确定至少一个缺陷存储器单元并且提供不使用该至少一个缺陷存储器单元的措施。注意，术语“修复”可以指逻辑存储器区域的功能被保持的结果，尽管目标存储器可能已经由备用存储器代替。就这点而言，“修复”包括由备用存储器(部分)代替的含义。
此外，所提供的示例可以利用对于包括几个备用页面的一个备用存储器部分(即，备用扇区)的页面和扇区擦除操作的组合。例如，假如目标页面的擦除示出故障，可以使用备用扇区的备用页面面代替(目标扇区的)目标页面。此外，在目标扇区的擦除示出故障的情况下，可以使用备用扇区代替目标扇区。
给出的示例不需要将数据移动到不同的位置并且重新映射地址信息(至不同的位置)。这样的数据移动是耗时的并且承受在这样的数据移动期间如果电源中断数据可能丢失的风险。
有利地，给出的解决方案检测并修复(例如，回避)在擦除操作期间发生的错误。因此，没有客户数据必须被转移。
此外，该方法允许在存储器区域的扇区擦除或者页面擦除期间至少一个存储器单元的故障的处理并且对正常用户操作可以是完全透明的(不可见)。优选地，不应当被擦除的数据可以不受本文所建议的故障处理影响。
给出的方法可以具体地实现在软件、硬件和/或固件中。
有利地，备用存储器部分(例如，备用扇区)被提供并且可以用于修复操作。备用存储器部分在生产测试期间可以被测试和/或擦除。
作为示例，关于备用存储器部分的使用的(映射)信息可以被存储在非易失性配置区域中，该区域在加电之后可以用于恢复数据。
示例：在线修复页面擦除操作
图1示出了包括在线修复页面擦除操作的步骤的流程图。
注意，目标页面是包括若干存储器单元的存储器的存储器部分。目标存储器(当前使用的存储器)可以包括若干(目标)扇区，其中每个(目标)扇区可以包括若干(目标)页面。
目标页面可以包括有缺陷的存储器单元，其在目标页面的擦除操作期间被确定。擦除操作可以针对整个页面，即目标页面的所有存储器单元通过擦除操作擦除。
可以提供包括若干备用页面的备用存储器。备用页面可以用于代替目标页面。备用页面可以具有与目标扇区中的任何目标扇区相同的尺寸。可选地，可以提供若干备用扇区。
在步骤101中，擦除目标页面。在擦除操作之后，在步骤102中，检查目标页面。这样的检查可以包括读取操作以认证擦除的数据。在步骤103中，检查在目标页面的检查期间是否发生故障。如果没有发生故障，则接下来是步骤104，如果备用页面被映射例如在配置(存储器)区域中，则步骤104使用该备用页面。
如果在步骤103中已经检测到故障，则分支到步骤105。在该步骤105中，目标页面由备用扇区的备用页面代替。备用页面可以具有与目标页面在目标扇区内具有的物理位置相同的在备用扇区内的物理位置。
接下来，在步骤106中，备用页面被映射并且在步骤107中，映射信息被写入至配置区域中以指示哪个存储器部分将由系统或者程序使用。
在启动过程期间可以检查配置区域以确定是否使用备用页面以及哪个目标页面由备用页面代替。
在步骤107之后，步骤104指示由于在配置区域中找到的映射信息而从现在起使用备用页面。
图3示出了可视化在线修复页面操作的示意图。(目标)存储器301包括若干目标扇区302-304，其中目标扇区302至304中的每个目标扇区包括若干目标页面。对目标存储器301的擦除操作可以针对目标扇区302-304中的任何目标扇区的单个目标页面或者针对目标扇区302-304中的任何目标扇区。
示例性备用扇区305具有与目标扇区302至304中的任何目标扇区相同的物理结构，即包括相同数目的页面。在图3中示出的示例中，目标扇区302中的第一目标页面具有(至少一个)有缺陷的单元，其在应用到该目标单元的擦除操作之后的检查操作期间已经被展现。备用扇区305的第一备用页面然后用于代替该备用页面。
存储在配置区域中的映射信息确保数据可以在当前使用的物理存储器部分(例如，扇区305的备用页面)中找到。
示例：在线修复扇区擦除操作
图2示出了包括在线修复扇区擦除操作的步骤的示意流程图。
在步骤201中，检查备用扇区的备用页面是否已经正在用于目标扇区。如果是这样，则目标扇区的目标页面中的至少一个存储器单元是有缺陷的并且对于该目标页面，备用页面已经被映射。因此，在后续步骤208中(假定有用于目标扇区中的备用页面)，目标扇区由备用扇区代替。然后，备用扇区被擦除。在下一步骤209中，备用扇区被映射并且在步骤210中，映射信息被写入至配置区域中以便使用备用扇区而不是目标扇区。在下一步骤205中，如果备用扇区被映射在配置区域中，则使用备用扇区；否则，使用目标扇区。
在启动过程期间可以检查配置区域以确定是否将使用备用页面(或者备用扇区)以及哪个目标页面(或者目标扇区)由备用页面(或者备用扇区)代替。为此目的，配置区域可以包括两个条目(针对每个可用的备用扇区)。两个条目最初都可以被擦除。备用页面可以被写入第一条目并且备用扇区可以被写入第二条目。
如果在启动期间第一条目不是空的并且第二条目是空的，则第一条目的信息用于确定备用扇区的哪个页面将被使用而不是哪个目标扇区的相应页面。可选地，可以标识若干页面以通过备用扇区的相应页面代替一个目标扇区的若干页面。
如果在启动期间第二条目不是空的，则第二条目确定哪个目标扇区由备用扇区代替。
作为选项，可以提供若干备用扇区。在这种情况下，配置区域可以为备用扇区中的每个扇区提供两个条目以允许确定(在启动期间)哪个(些)目标页面和/或目标扇区由哪个(些)备用页面和/或备用扇区代替。
如果步骤201展现出没有备用扇区的备用页面被用于目标扇区，则目标扇区在步骤202中被擦除。在后续步骤203中，检查目标扇区。这样的检查可以包括读取操作以认证在目标扇区的所有目标页面中的擦除的数据。在步骤204中，检查在目标扇区的检查期间是否发生故障。如果没有发生故障，则接下来是步骤205，(由于备用扇区未被映射)使用目标扇区。
如果在步骤204中已经检测到故障，则分支到步骤206。在该步骤206中，目标扇区由备用扇区代替。在下一步骤207中，备用扇区被映射在配置区域中以便使用备用扇区而不是目标扇区。接着是步骤205，其指示使用先前映射的备用扇区而不是目标扇区。
图4示出了可视化在线修复扇区操作的示意图。图4基于图3。由于目标扇区的第一目标页面的故障，替代单纯的备用页面利用，整个备用扇区305用于代替目标扇区302。在针对扇区302的擦除操作之后发生这样的代替。因此，使用备用扇区305的所有备用页面而不是目标扇区302的目标页面。
注意，假如发生附加的存储器单元故障，可以提供若干备用页面(由第二备用扇区306指出)并且目标页面和/或目标扇区在擦除操作之后需要替换。
进一步的优点和实施例
优点是不需要移动用户数据。所建议的方法具体地由擦除操作触发，并且提供透明的机制以基于这样的擦除操作修复目标存储器。由于所请求的擦除操作，提供了擦除的目标或者(如果检测到故障)擦除的备用存储器区域。考虑到设备的寿命，方法是高效的并且并不显著地恶化擦除操作所需要的时间。
本文所提出的示例可以具体地基于以下解决方案中的至少一个解决方案。具体地，可以利用以下特征的组合以便达到期望的结果。该方法的特征可以与设备、装置或者系统的任何特征组合，或者反之亦然。
提出一种用于处理目标存储器的方法，该方法包括步骤：
-在针对目标存储器的擦除操作之后检查目标存储器；
-在检测到缺陷的情况下用备用存储器代替目标存储器。
因此，由于擦除操作，检查了目标存储器。
缺陷可以是单个缺陷或者它可以是达到和/或超过预定阈值的多个缺陷。缺陷可以被确定，例如以防现存的纠错码(ECC)不足以纠正错误的情况下。缺陷可以具体地基于根据读取操作确定的有缺陷的存储器单元。
如果检查展现这样的缺陷，则目标存储器由备用存储器代替。
优选地，目标存储器可以是通过操作设备或者用于操作设备的存储器的一部分。受到擦除操作的目标存储器可以具有与备用存储器相同的大小和/或结构。
因此，解决方案有利地允许对有缺陷的或者部分有缺陷的目标存储器的透明修复操作。
在一个实施例中，目标存储器具有与备用存储器相同的大小或者结构。
在一个实施例中，该方法包括步骤：
–在未检测到缺陷的情况下则不用备用存储器代替目标存储器。
在一个实施例中，目标存储器是作为整体受到擦除操作的存储器的区域。
因此，目标存储器(以及备用存储器)可以对应于由擦除操作完全擦除的存储器区域。
在一个实施例中，该方法包括在用备用存储器代替目标存储器之后的步骤：
–映射将被使用的备用存储器而不是目标存储器。
作为示例，关于备用存储器部分的使用的映射信息可以被存储在非易失性配置区域中，该非易失性配置区域在加电后能够用于恢复数据。
在一个实施例中，目标存储器包括闪速存储器的存储器单元。
在一个实施例中，目标存储器包括页面并且备用存储器包括页面。
在一个实施例中，目标存储器包括目标扇区并且其中备用存储器包括备用扇区，其中每个扇区包括若干页面。
在一个实施例中，该方法包括步骤：
–在针对目标页面的擦除操作之后检查目标页面；
–在检测到缺陷的情况下用备用页面代替目标页面。
在一个实施例中，该方法包括步骤：
–如果备用扇区的备用页面已经正在用于目标扇区，则进行步骤：
–用备用扇区代替目标扇区；
–擦除备用扇区；
–映射将被使用的备用扇区而不是目标扇区；
–如果备用扇区的备用页面没有正在用于目标扇区，则进行步骤：
–擦除目标扇区；
–检查目标扇区；
–在检测到缺陷的情况下用备用扇区代替目标扇区并且映射将被使用的备用扇区而不是目标扇区；
–映射将被使用的备用扇区而不是目标扇区。
在一个实施例中，该方法包括步骤：
–在未检测到缺陷的情况下不用备用扇区代替目标扇区。
在一个实施例中，在生产测试期间测试备用扇区。
可以在备用存储器(例如，备用扇区或者页面)置于服务中之前(例如，在生产测试期间)测试和/或擦除它。
提供一种用于处理目标存储器的设备，该设备包括处理单元，该处理单元被布置用于：
–在针对目标存储器的擦除操作之后检查目标存储器；
-在检测到缺陷的情况下用备用存储器代替目标存储器。
注意，本文所陈述的方法的步骤在该处理单元上也可以是可执行的。
进一步注意，所述处理单元可以包括至少一个，具体是若干被布置以执行本文所描述的方法的步骤的装置。该装置可以是逻辑或者物理分离的；具体是若干逻辑分离的装置可以被组合在至少一个物理单元中。
所述处理单元可以包括以下各项中的至少一项：处理器、微控制器、硬连线电路、ASIC、FPGA、逻辑设备。
在一个实施例中，该设备包括目标存储器和备用存储器。
在一个实施例中，目标存储器具有与备用存储器相同的大小或者结构。
在一个实施例中，处理单元被布置用于：
-在未检测到缺陷的情况下不用备用存储器代替目标存储器。
在一个实施例中，目标存储器包括闪速存储器的存储器单元。
在一个实施例中，目标存储器包括页面并且备用存储器包括页面。
在一个实施例中，目标存储器包括目标扇区并且其中备用存储器包括备用扇区，其中每个扇区包括若干页面。
在一个实施例中，处理单元被布置用于进行步骤：
–如果备用扇区的备用页面已经正在用于目标扇区，则进行步骤：
–用备用扇区代替目标扇区；
–擦除备用扇区；
–映射将被使用的备用扇区而不是目标扇区；
–如果备用扇区的备用页面没有正在用于目标扇区，则进行步骤：
–擦除目标扇区；
–检查目标扇区；
–在检测到缺陷的情况下用备用扇区代替目标扇区并且映射将被使用的备用扇区而不是目标扇区；
–映射将被使用的备用扇区而不是目标扇区。
提供一种可以直接可加载到数字计算机的存储器中的计算机程序产品，该计算机程序产品包括用于执行如本文所描述的方法的步骤的软件代码部分。
此外，提出了一种具有计算机可执行指令的计算机可读介质，该计算机可读指令适于使得计算机系统执行如本文所描述的方法。
在一个或者多个示例中，本文所描述的功能可以至少部分地被实现在硬件中，诸如特定硬件部件或者处理器。更一般地，技术可以被实现在硬件、处理器、软件、固件或其组合中。如果实现在软件中，功能可以被存储在计算机可读介质上的一个或者多个指令或者代码上或者通过计算机可读介质上的一个或者多个指令或者代码传输并且由基于硬件的处理单元执行。计算机可读介质可以包括计算机可读存储介质，其对应于诸如数据存储介质之类的有形介质，或者包括有助于计算机程序例如根据通信协议从一个地方向另一地方转移的任何介质的通信介质。以这种方式，计算机可读介质通常可以对应于(1)非瞬态的有形计算机可读存储介质或者(2)诸如信号或者载波之类的通信介质。数据存储介质可以是可以由一个或者多个计算机或者一个或者多个处理器访问以获取用于本公开所描述的技术的实施方式的指令、代码和/或数据结构的任何可用的介质。计算机程序产品可以包括计算机可读介质。
通过示例而不是限制的方式，这样的计算机可读存储介质可以包括RAM、ROM、EEPROM、CD-ROM或者其他光盘存储、磁盘存储或者其他磁存储设备、闪速存储器、或者可以用于以指令或者数据结构的形式存储期望的程序代码的并且可以由计算机访问的任何其他介质。此外，任何连接被合适地叫做计算机可读介质，即，计算机可读传输介质。例如，如果指令使用同轴电缆、光纤光缆、双绞线、数字订户线(DSL)或者诸如红外、无线电或者微波之类的无线技术从网站、服务器或者其他远程源传输，则同轴电缆、光纤光缆、双绞线、DSL或者诸如红外、无线电或者微波之类的无线技术被包括在介质的定义中。然而，应当理解，计算机可读存储介质和数据存储介质不包括连接、载波、信号或者其他暂态介质，而是相反涉及非暂态、有形存储介质。如本文所使用的盘和碟包括紧致盘(CD)、激光盘、光盘、数字万用盘(DVD)、软盘和蓝光盘，其中盘通常磁地再现数据，而碟用激光光学地再现数据。以上的组合也应当被包括在计算机可读介质的范围内。
指令可以由一个或者多个处理器执行，诸如一个或者多个中央处理单元(CPU)、数字信号处理器(DSP)、通用微处理器、专用处理器(ASIC)、现场可编程逻辑阵列(FPGA)或者其他等价的集成或者分立逻辑电路系统。因此，如本文所使用的术语“处理器”可以指前述结构或者适合用于本文所描述的技术的实现方式的任何其他结构中的任何结构。另外，在一些方面，本文所描述的功能可以被提供在配置用于编码和解码的专用硬件和/或软件模块内，或者被并入经组合的编码解码器中。此外，该技术可以完全实现在一个或者多个电路或者逻辑元件中。
本公开的技术可以被实现在各种设备或者装置中，包括无线手机、集成电路(IC)或者IC组(例如，芯片组)。各种部件、模块或者单元被描述在本公开中以强调配置以执行所公开的技术的设备的功能方面，但不一定需要由不同的硬件单元实现。相反，如上文所描述的，各种单元可以被组合在单个硬件单元或者由包括如上文所描述的一个或者多个处理器的互操作硬件单元的集合结合合适的软件和/或固件提供。
虽然已经公开了本发明的各种示例性实施例，但是对于本领域技术人员明显的是在不脱离本发明的精神和范围的情况下可以做出各种变化和修改，这将实现本发明的优点中的一些优点。对于本领域技术人员明显的是执行相同功能的其他部件可以被合适地替代。应当注意，参考特定附图所解释的特征可以与其他附图的特征结合，即使在那些其中这未明确提及的情况下。进一步地，本发明的方法可以使用合适的处理器指令以全软件实现方式实现，或者以利用硬件逻辑和软件逻辑的组合的混合实现方式实现以实现相同的结果。对发明构思的这样的修改旨在由所附权利要求书涵盖。

Claims (22)

1.一种用于处理目标存储器的方法，所述方法包括步骤：
-在针对所述目标存储器的擦除操作之后检查所述目标存储器；
-在检测到缺陷的情况下用备用存储器代替所述目标存储器。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述目标存储器具有与所述备用存储器相同的大小或者结构。
3.根据权利要求1所述的方法，进一步包括步骤：
-在未检测到缺陷的情况下不用备用存储器代替所述目标存储器。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述目标存储器是作为整体受到所述擦除操作的存储器的区域。
5.根据权利要求1所述的方法，进一步包括在用所述备用存储器代替所述目标存储器之后的步骤：
-映射将被使用的所述备用存储器而不是所述目标存储器。
6.根据权利要求1所述的方法，其中所述目标存储器包括闪速存储器的存储器单元。
7.根据权利要求1所述的方法，其中所述目标存储器包括页面，并且所述备用存储器包括页面。
8.根据权利要求1所述的方法，其中所述目标存储器包括目标扇区并且其中所述备用存储器包括备用扇区，其中每个扇区包括多个页面。
9.根据权利要求8所述的方法，进一步包括步骤：
-在针对所述目标页面的擦除操作之后检查所述目标页面；
-在检测到缺陷的情况下用所述备用页面代替所述目标页面。
10.根据权利要求8所述的方法，进一步包括步骤：
-如果所述备用扇区的备用页面已经正在用于所述目标扇区，则进行步骤：
-用所述备用扇区代替所述目标扇区；
-擦除所述备用扇区；
-映射将被使用的所述备用扇区而不是所述目标扇区；
-如果所述备用扇区的备用页面没有正在用于所述目标扇区，则进行步骤：
-擦除所述目标扇区；
-检查所述目标扇区；
-在检测到缺陷的情况下用所述备用扇区代替所述目标扇区并且映射将被使用的所述备用扇区而不是所述目标扇区；
-映射将被使用的所述备用扇区而不是所述目标扇区。
11.根据权利要求10所述的方法，进一步包括步骤：
-在未检测到缺陷的情况下不用所述备用扇区代替所述目标扇区。
12.根据权利要求1所述的方法，其中在生产测试期间测试所述备用存储器。
13.一种用于处理目标存储器的设备，所述设备包括处理单元，所述处理单元被布置用于：
-在针对所述目标存储器的擦除操作之后检查所述目标存储器；
-在检测到缺陷的情况下用备用存储器代替所述目标存储器。
14.根据权利要求13所述的设备，其中所述设备包括所述目标存储器和所述备用存储器。
15.根据权利要求13所述的设备，其中所述目标存储器具有与所述备用存储器相同的大小或者结构。
16.根据权利要求13所述的设备，其中所述处理单元被布置用于：
-在未检测到缺陷的情况下不用备用存储器代替所述目标存储器。
17.根据权利要求13所述的设备，其中所述目标存储器包括闪速存储器的存储器单元。
18.根据权利要求13所述的设备，其中所述目标存储器包括页面，并且所述备用存储器包括页面。
19.根据权利要求13所述的设备，其中所述目标存储器包括目标扇区并且其中所述备用存储器包括备用扇区，其中每个扇区包括多个页面。
20.根据权利要求13所述的设备，其中所述处理单元被布置用于进行步骤：
-如果所述备用扇区的备用页面已经正在用于所述目标扇区，则进行步骤：
-用所述备用扇区代替所述目标扇区；
-擦除所述备用扇区；
-映射将被使用的所述备用扇区而不是所述目标扇区；
-如果所述备用扇区的备用页面没有正在用于所述目标扇区，则进行步骤：
-擦除所述目标扇区；
-检查所述目标扇区；
-在检测到缺陷的情况下用所述备用扇区代替所述目标扇区并且映射将被使用的所述备用扇区而不是所述目标扇区；
-映射将被使用的所述备用扇区而不是所述目标扇区。
21.一种能够直接加载到数字计算机的存储器中的计算机程序产品，包括用于执行根据权利要求1所述的方法的所述步骤的软件代码部分。
22.一种计算机可读介质，具有适于使计算机系统执行根据权利要求1所述的方法的计算机可执行指令。
CN201510175148.3A 2014-04-15 2015-04-14 处理目标存储器 Active CN105022682B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US14/252,925 2014-04-15
US14/252,925 US9465705B2 (en) 2014-04-15 2014-04-15 Processing a target memory

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN105022682A true CN105022682A (zh) 2015-11-04
CN105022682B CN105022682B (zh) 2018-07-10

Family

ID=54193377

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510175148.3A Active CN105022682B (zh) 2014-04-15 2015-04-14 处理目标存储器

Country Status (3)

Country Link
US (1) US9465705B2 (zh)
CN (1) CN105022682B (zh)
DE (1) DE102015105414B4 (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106710632A (zh) * 2015-11-17 2017-05-24 华邦电子股份有限公司 存储器装置

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2016001962A1 (ja) * 2014-06-30 2016-01-07 株式会社日立製作所 ストレージシステム及び記憶制御方法
US9842045B2 (en) * 2016-02-19 2017-12-12 International Business Machines Corporation Failure recovery testing framework for microservice-based applications
US10261891B2 (en) 2016-08-05 2019-04-16 International Business Machines Corporation Automated test input generation for integration testing of microservice-based web applications

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5200959A (en) * 1989-10-17 1993-04-06 Sundisk Corporation Device and method for defect handling in semi-conductor memory
US5978273A (en) * 1997-06-06 1999-11-02 Sharp Kabushiki Kaisha Non-volatile semiconductor memory device
CN1494085A (zh) * 2002-09-11 2004-05-05 ��ʿͨ��ʽ���� 具有冗余结构的存储器电路
CN101331554A (zh) * 2005-11-08 2008-12-24 桑迪士克股份有限公司 具有可重定目标的存储器单元冗余的存储器
CN103383863A (zh) * 2012-05-04 2013-11-06 北京兆易创新科技股份有限公司 改善快闪存储器擦除性能的方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002150789A (ja) * 2000-11-09 2002-05-24 Hitachi Ltd 不揮発性半導体記憶装置
US6381174B1 (en) * 2001-03-12 2002-04-30 Micron Technology, Inc. Non-volatile memory device with redundant columns
US8291295B2 (en) 2005-09-26 2012-10-16 Sandisk Il Ltd. NAND flash memory controller exporting a NAND interface
US9128822B2 (en) 2012-06-22 2015-09-08 Winbond Electronics Corporation On-chip bad block management for NAND flash memory

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5200959A (en) * 1989-10-17 1993-04-06 Sundisk Corporation Device and method for defect handling in semi-conductor memory
US5978273A (en) * 1997-06-06 1999-11-02 Sharp Kabushiki Kaisha Non-volatile semiconductor memory device
CN1494085A (zh) * 2002-09-11 2004-05-05 ��ʿͨ��ʽ���� 具有冗余结构的存储器电路
CN101331554A (zh) * 2005-11-08 2008-12-24 桑迪士克股份有限公司 具有可重定目标的存储器单元冗余的存储器
CN103383863A (zh) * 2012-05-04 2013-11-06 北京兆易创新科技股份有限公司 改善快闪存储器擦除性能的方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106710632A (zh) * 2015-11-17 2017-05-24 华邦电子股份有限公司 存储器装置
CN106710632B (zh) * 2015-11-17 2020-01-07 华邦电子股份有限公司 存储器装置

Also Published As

Publication number Publication date
DE102015105414B4 (de) 2023-12-07
US20150293824A1 (en) 2015-10-15
DE102015105414A1 (de) 2015-10-15
US9465705B2 (en) 2016-10-11
CN105022682B (zh) 2018-07-10

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101675075B1 (ko) 비-휘발성 램 에러 재-맵핑을 위한 방법 및 장치
CN105144302A (zh) 存储器装置中的错误校正操作
CN105022682A (zh) 处理目标存储器
CN102890971B (zh) 存储器的可靠性测试方法
US10564866B2 (en) Bank-level fault management in a memory system
CN105575434A (zh) 非易失性存储器的健康状态
US9437327B2 (en) Combined rank and linear address incrementing utility for computer memory test operations
CN103247345A (zh) 快闪存储器及快闪存储器失效存储单元检测方法
KR20150087315A (ko) 구성 정보를 저장하기 위해 예비 섹터를 지닌 메모리 셀 어레이
US9965346B2 (en) Handling repaired memory array elements in a memory of a computer system
CN110286853A (zh) 一种数据写入方法和装置、计算机可读存储介质
US20190013084A1 (en) Memory testing method and memory apparatus therefor
US20090199043A1 (en) Error correction in an integrated circuit with an array of memory cells
KR20150019442A (ko) 퓨즈 셀들의 프로그래밍 방법 및 메모리 복구 방법
CN106067326B (zh) 错误校正电路及包括其的半导体存储器件
CN110349617A (zh) 一种存储器
CN210136722U (zh) 一种存储器
CN103092713A (zh) 使用与非闪存存储嵌入式代码的方法
US10140186B2 (en) Memory error recovery
US10754566B2 (en) Data storage device and data storage method
US20150254176A1 (en) Method for managing a flash memory
CN112908401A (zh) 内存修复电路、内存模块及内存修复方法
TWI523019B (zh) 記憶體裝置及使用非揮發性記憶體元件對系統進行開機之方法
CN102543210A (zh) 闪存错误检查及纠正修复方法
US11984176B2 (en) Method and apparatus of testing word line to detect fault after repair

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant