CN104982285B - 基于吸芽的香蕉幼苗快速繁殖方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了基于吸芽的香蕉幼苗快速繁殖方法，本方法通过留取吸芽球茎基部，再用刀环剥去除覆盖在生长点上方的叶鞘；之后于球茎刀口表面刻划刀痕，埋于干净基质中培养得到丛生芽，进一步培养得到香蕉幼苗。本发明的方法，使用一个香蕉吸芽就可以繁殖出30‑50株蕉苗，大大减少吸芽的需求量；从取芽到出苗，生产过程历时3‑4个月，比组培快繁法缩短4‑5个月，大大节约生产成本。本发明的方法无需无菌操作，对技术及设备要求低，特别适用于中小型农场。同时避免了组培继代数高而易变异的缺点，也适用于香蕉资源保存评价，可较好补充现有香蕉快繁方法的不足，促使香蕉种苗产业健康发展。

Description

基于吸芽的香蕉幼苗快速繁殖方法
技术领域
本发明涉及一种幼苗的繁殖方法，特别涉及基于吸芽的香蕉幼苗快速繁殖方法。
背景技术
香（大）蕉属于芭蕉科(Musaceae)芭蕉属（Musa），鲜食香蕉大多为三倍体（AAA），栽培香蕉（Musa，spp.）则为单性三倍体（AAA，AAB，或ABB），具有高度不育性。
在香蕉产业化生产中种苗的生产至关重要，目前香蕉繁殖主要有以下几种方法，一种是传统的直接利用母株生长的吸芽进行种植，繁殖系数很低，不适宜于现代大规模的商品生产；还有一种据报道利用香蕉未成熟雄花为外植体离体快繁，虽然其繁殖系数较高，但是该法需要先诱导愈伤组织，再对愈伤组织进行分化，操作技术及过程较为复杂，难度较大，周期颇长，目前仅限用于实验室试验阶段，难以用于大规模生产。
传统使用吸芽培育香蕉幼苗的方法中，对吸芽的要求高，且一个吸芽仅能培育出一株香蕉幼苗，耗时长，繁殖效率极为低下。此外，过多取芽直接影响蕉园的产量。这一方法已经基本弃用了。
现有香蕉幼苗的培育中，应用较广泛的手段是利用吸芽茎尖分生组织培养人工进行繁芽，该方法需要较高技术水平工人进行无菌操作，生产商为获得大量种苗需多次继代培养，而随着继代数的增加，种苗质量会逐渐下降并使变异率升高，会造成大量劣质种苗进入市场，损害蕉农利益，而且此法耗时很长，从取吸芽，到分化，生根出苗，历时至少9个月。
以上香蕉组培生产方式存在的不足，已经开始制约香蕉产业的快速健康的发展。针对不足对传统香蕉快繁方法进行改良及开发新技术方法进行补充，保证香蕉种苗产业的持久健康生命力已经成为香蕉生产亟待解决的问题。
发明内容
本发明的目的在于克服现有技术的不足，提供一种基于吸芽的香蕉幼苗快速繁殖方法。
本发明所采取的技术方案是：
一种基于吸芽的香蕉幼苗快速繁殖方法，包括如下步骤：
1)挖取健壮吸芽，留取5～8cm高叶鞘6～9cm宽的吸芽球茎基部，再用刀环剥去除吸芽表面叶鞘2～3层，待表面刀口干燥后平切除去覆盖在生长点上方的叶鞘；
2)用刀于球茎刀口表面刻划深度为2mm～4mm的刀痕，干燥表面汁液，备用；
3)出芽培养：将刻划后的球茎埋于干净基质中，用干净水浇透基质，25～35℃保温保湿棚内培养至出现丛生芽，培养期间，保持基质湿度为50%～80%；
4)待丛生芽生根，去除保温保湿棚，适时施肥促进小苗生长；
5)将丛生芽挖出，分离健康小苗，移栽培养得到香蕉幼苗。
进一步的，上述快速繁殖方法中使用的基质选自木屑、椰糠。
进一步的，上述快速繁殖方法中，球茎的埋藏深度为3～4cm。
进一步的，上述快速繁殖方法中，出芽培养中，保持温度为27～33℃。
进一步的，上述快速繁殖方法中，干净基质的初始湿度为40～50%。
进一步的，上述快速繁殖方法中，将刻划后的球茎埋于干净基质后24～48小时后用干净水浇透基质。
进一步的，上述快速繁殖方法中，刻划的刀痕经过中心生长点上方。
本发明的有益效果是：
本发明的方法，使用一个香蕉吸芽就可以繁殖出30-50株蕉苗，比传统吸芽种植方法高出30-50倍，大大减少吸芽的需求量；可有效缩短生产周期，从取芽到出苗，生产过程历时3-4个月，比组培快繁法缩短4-5个月；且不用借助无菌操作，即达到快速出苗效果，简化了快繁程序，易于操作，大大节约生产成本。
本发明的方法，对技术及设备要求低，出苗快而适用于中小型农场香蕉种苗繁殖的要求，同时因其生长期短，避免组培继代数高而易变异的优点也适用于香蕉资源保存评价，可较好补充现有香蕉快繁方法的不足，促使香蕉种苗产业健康发展。
附图说明
图1是刻划处理后的香蕉球茎；
图2是香蕉球茎丛生芽的照片。
具体实施方式
一种基于吸芽的香蕉幼苗快速繁殖方法，包括如下步骤：
1)挖取健壮吸芽，留取5～8cm高叶鞘6～9cm宽的吸芽球茎基部，再用刀环剥去除吸芽表面叶鞘2～3层，待表面刀口干燥后平切除去覆盖在生长点上方的叶鞘；
2)用刀于球茎刀口表面刻划深度为2mm～4mm的刀痕，干燥表面汁液，备用；
3)出芽培养：将刻划后的球茎埋于干净基质中，用干净水浇透基质，25～35℃保温保湿棚内培养至出现丛生芽，培养期间，保持基质湿度为50%～80%；
4)待丛生芽生根，去除保温保湿棚，适时施肥促进小苗生长；
5)将丛生芽挖出，分离健康小苗，移栽培养得到香蕉幼苗。
在挖取健壮吸芽后，为避免带来污染物，应去除表面的残泥，并用刀削掉吸芽根系、球茎表层及叶鞘，留取5～8cm高叶鞘6～9cm宽的吸芽球茎基部。去除部分表面叶鞘的作用在于进一步暴露生长点，利于发芽。将刀口表面干燥，可以有效减少污染，保证吸芽可以正常出芽。使刀口表面干燥的有多种，常温通风环境下风干48～72小时即可实现。也可以使用不超过50℃的热风吹干表面。
基质的作用在于维持一定的湿度，便于出芽。基质的组成无特殊要求，基本上干净，无霉变腐烂，对香蕉苗的生长无抑制作用即可。基质的原则可以根据现有技术确定。进一步的，上述快速繁殖方法中使用的基质选自木屑、椰糠等低成本、易得的材料。
进一步的，上述快速繁殖方法中，球茎的埋藏深度为3～4cm。
进一步的，上述快速繁殖方法中，出芽培养中，保持温度为27～33℃。
进一步的，上述快速繁殖方法中，干净基质的初始湿度为40～50%。
进一步的，上述快速繁殖方法中，将刻划后的球茎埋于干净基质后24～48小时后用干净水浇透基质。这样球茎表面可以在基质中进一步干燥，进一步减少污染的发生。
进一步的，上述快速繁殖方法中，刻划的刀痕经过中心生长点上方。
下面结合实施例，进一步说明本发明的技术方案。
实施例1
香蕉吸芽的选取及处理：从田间挖取健康香蕉植株基部约50cm高度粗壮吸芽，清除余泥，并用刀削掉吸芽根系、球茎表层及叶鞘，留取5-8cm高叶鞘6-9cm宽的吸芽球茎基部，再用刀环剥去除吸芽表面叶鞘2-3层。吸芽头置于塑料筐中，常温通风环境下风干48-72小时，使表面刀口干燥，减少污染。用刀于球茎离叶鞘1-2mm处平切除去叶鞘，使露出生长点，减少出芽阻力，留取球茎芽基部。于球茎表面划上几道约1～3mm深刀痕（如“米”字型，如图1所示），风干1-2小时，使表面汁液干燥，减少污染，备用；
基质准备及吸芽分化培养：细度约1-2mm的干净椰糠为基质作培养所用，准备1×1平方米，深30cm的平整培养槽，将处理好的球茎头隔约10cm排列整齐，埋于初始湿度为50%的基质中，深度为3-4cm。在培养槽外用竹篾支撑，覆盖白色薄膜，制成约1m高度密闭保温保湿拱棚。24小时后用干净自来水浇透基质；之后一周淋一次，保持基质湿润，基质湿度60-75%，棚内温度保持在25～35℃之间，户外自然光照；吸芽头培养约45天，出现丛生绿色小芽；约两周成长为4-5cm高，3-4叶健康小苗，去除拱棚；
壮芽处理及生根培养：待丛生吸芽长出根，小苗4-5cm高时，一周施用一次稀释1000倍氮磷钾复合肥。幼苗长至8-10cm高度时（如图2所示），小心挖出丛芽，从基部分离幼苗，选取健壮香蕉幼苗种植于装有椰糠基质10×12cm的培养杯中；
炼苗移栽。杯状香蕉小苗栽培于炼苗大棚中，保持温度20-35℃，适时浇水保证基质湿润，适当施肥管理，驯化1个月后，即可移栽到田间，给予适当的肥水管理。
可见，使用一个香蕉吸芽可以繁殖出30～50个香蕉苗。
实施例2：同实施例1，不同之处在于球茎表面刻划刀痕，刀痕未经过中心生长点上方。结果显示，使用一个香蕉吸芽可以繁殖出2～5个香蕉苗。
对比例1：同实施例1，不同之处在于吸芽未作叶鞘切除处理，在球茎表面未刻划刀痕。同样的培养操作后，仅有一个香蕉苗。

Claims (8)

1.一种基于吸芽的香蕉幼苗快速繁殖方法，包括如下步骤：
1）挖取健壮吸芽，留取5～8cm高叶鞘6～9cm宽的吸芽球茎基部，再用刀环剥去除吸芽表面叶鞘2～3层，待表面刀口干燥后平切除去覆盖在生长点上方的叶鞘；
2）用刀于球茎刀口表面刻划深度为2mm～4mm的刀痕，干燥表面汁液，备用；
3）出芽培养：将刻划后的球茎埋于干净基质中，用干净水浇透基质，25～35℃保温保湿棚内培养至出现丛生芽，培养期间，保持基质湿度为50%～80%；
4）待丛生芽生根，去除保温保湿棚，适时施肥促进小苗生长；
5）将丛生芽挖出，分离健康小苗，移栽培养得到香蕉幼苗。
2.根据权利要求1所述的香蕉幼苗快速繁殖方法，其特征在于：基质选自木屑、椰糠。
3.根据权利要求1所述的香蕉幼苗快速繁殖方法，其特征在于：球茎的埋藏深度为3～4cm。
4.根据权利要求1所述的香蕉幼苗快速繁殖方法，其特征在于：出芽培养中，保持温度为27～33℃。
5.根据权利要求1所述的香蕉幼苗快速繁殖方法，其特征在于：出芽培养中，保持基质湿度为60～75%。
6.根据权利要求1或2所述的香蕉幼苗快速繁殖方法，其特征在于：干净基质的初始湿度为40～50%。
7.根据权利要求6所述的香蕉幼苗快速繁殖方法，其特征在于：将刻划后的球茎埋于干净基质后24～48小时后用干净水浇透基质。
8.根据权利要求1所述的香蕉幼苗快速繁殖方法，其特征在于：刻划的刀痕经过中心生长点上方。
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