CN101156551B

CN101156551B - 春石斛茎段扦插繁殖的方法

Info

Publication number: CN101156551B
Application number: CN 200610113661
Authority: CN
Inventors: 李振坚; 王雁
Original assignee: Research Institute of Forestry of Chinese Academy of Forestry
Current assignee: Research Institute of Forestry of Chinese Academy of Forestry
Priority date: 2006-10-11
Filing date: 2006-10-11
Publication date: 2011-05-11
Anticipated expiration: 2026-10-11
Also published as: CN101156551A

Abstract

本发明公开了一种春石斛茎段扦插繁殖的方法，首先选用6苄基氨基嘌呤或其它对植物的侧芽发育起促进作用的植物生长调节剂，以合适的浓度及使用方法喷施于春石斛植株上，促进腋芽发育，待腋芽发育至0.3～0.7厘米大小时，从假鳞茎上剪下插穗，扦插入适合插穗生根的育苗穴盘中；或者当假鳞茎的腋芽发育成未生根的当年生嫩枝时，将嫩枝连同嫩枝基部的膨大部分共同剪下，作为插穗扦插。待插穗生根后，进行移栽上盆。使春石斛腋芽芽体萌发整齐，可以加快繁殖的速度和效率，增加春石斛种苗的繁殖数量，有利于缩短栽培周期，使种苗整齐一致，进行规模化的批量销售。

Description

春石斛茎段扦插繁殖的方法

技术领域

本发明涉及一种植物的培育方法，尤其涉及一种春石斛茎段扦插繁殖的方法。

背景技术

春石斛为兰科石斛属植物，是继蝴蝶兰和大花蕙兰后出现的又一洋兰新品。为市场上刚刚兴起的高档盆栽花卉，在国内外市场具有极大的发展空间。春石斛喜干、喜光、耐低温，在我国具有很大的发展优势。

春石斛盆花生产中，从种苗的培育到成品开花，需要3年或更长的时间。其中，种苗的繁殖需要的时间比较长，且发育不整齐，上盆时间不统一。扦插是春石斛繁殖的主要手段，培育一段约10～20cm的假鳞茎，需要约1～2年的时间。这与春石斛的繁殖特性有关，春石斛扦插后，先长芽后生根，假鳞茎必须首先分化出一个完整芽体。一段时间后，芽体基部分化出根来，独立形成一个新植株，而不是在插穗的基部形成根系。这种特性导致春石斛扦插繁殖速度慢。繁殖时间长、生长慢，制约了春石斛产业的发展，影响了盆花的市场占有率。同时，各芽体营养状况不同，一致性差，易导致苗生长不齐。

现有的扦插方法，从扦插后到根系长出为止，需要3个月以上的时间，芽体一般在扦插后1～2月才能萌发，这样，春季扦插后，到生根时基本已经是夏末秋初，这时刚刚形成一小段3～10cm茎，气温已经下降，植株就已经停止生长了。这种假鳞茎植株比较弱，冬季休眠时会有损伤。第二年开始生长晚，生长势弱，生长量小，培育成20cm的半成品还需要一年时间。

春石斛也可以利用高芽或鳞芽进行扦插繁殖，现有的扦插都使用一年生以上的、已生根的高芽或鳞芽，当年生的鳞芽或者未生根高芽，基本上都成废品。繁殖效率低，繁殖期长。

现有的扦插技术，在插穗从母体剪下来前，插条不进行任何处理，剪取插穗后，采用育苗盘或者穴盘扦插，部分采用大体积的筐扦插。这种扦插，根系出现形成扦插苗时，秋季已到，植株开始停长。长度一般维持在3～10cm。还需要一年来达到半成品。所以，从种苗培育到成品开花，需要3年或更长的时间。同时这种扦插，植株生长势弱，生长量小，不利于大规模出苗上盆。

发明内容

本发明的目的是提供一种春石斛茎段扦插繁殖的方法，该方法可使春石斛腋芽繁殖期短日时间统一、芽体萌发整齐、繁殖效率高。

本发明的目的是通过以下技术方案实现的：

本发明的春石斛茎段扦插繁殖的方法，包括步骤：

A、选用对植物的侧芽发育起促进作用的植物生长调节剂，以合适的浓度及使用方法喷施于春石斛植株上，促进腋芽发育；

B、保持温暖的环境及适宜的光照条件一段时间，直至假鳞茎的腋芽发育至适合扦插的程度；

C、从假鳞茎上剪下插穗，扦插入带有基质的扦插盘中，所述基质适合插穗生根。

所述的步骤A中，选用的植物生长调节剂为6苄基氨基嘌呤。

所述的步骤B中，至假鳞茎的腋芽发育至0.3～0.7厘米大小；

所述的步骤C中，将每节生有腋芽的假鳞茎单独剪下，作为插穗进行扦插。

所述的插穗长度为2～3厘米，下切口距腋芽节位大于等于1.5厘米，扦插时将插穗的下切口部位插入基质中，且腋芽节位与基质上表面平齐或略高于基质上表面。

所述的步骤B中，至假鳞茎的腋芽发育成嫩枝；

所述的步骤C中，将嫩枝单独从假鳞茎上剪下，作为插穗进行扦插。

所述的嫩枝为未生根的当年生嫩枝，将嫩枝单独从假鳞茎上剪下时，连同嫩枝基部的膨大部分剪下。

还包括步骤：

D、待插穗生根后，进行移栽上盆。

所述的步骤A中喷施植物生长调节剂的时间在春石斛预计繁殖期前约一个月。

所述的基质为水苔或椰糠或椰丝或细树皮。

选用的植物生长调节剂为KT类植物生长调节剂，或ZT类植物生长调节剂。

由上述本发明提供的技术方案可以看出，本发明所述的春石斛茎段扦插繁殖的方法，由于采用对植物的侧芽发育起促进作用的植物生长调节剂，尤其使用6-BA(6苄基氨基嘌呤)来调控芽体萌发，可以促进成熟茎段上芽体全部萌发，使假鳞茎顶部、中部、基部的芽体同时萌发，用于扦插，提高繁殖效率。

又由于本发明可使用未生根的当年生嫩枝，将嫩枝连同其基部的膨大部分共同剪下，用于扦插，提高了繁殖速度，极大的增加了成品的繁殖能力，也缩短了成品的栽培周期。同时，由于当年生嫩枝的假鳞茎在扦插时尚未封顶，有利于形成高度足够的苗。

使用本发明的技术，可以加快繁殖的速度和效率，增加春石斛种苗的繁殖数量，有利于缩短栽培周期，使种苗整齐一致，进行规模化的批量销售。

附图说明

图1为本发明春石斛茎段扦插繁殖方法的主要流程图。

具体实施方式

本发明较佳的具体实施方式是，如图1所示，春石斛茎段扦插繁殖的方法，包括：

步骤11、选用对植物的侧芽发育起促进作用的植物生长调节剂，以合适的浓度及施用方法喷施于春石斛植株上，促进腋芽发育。

选用的植物生长调节剂为6苄基氨基嘌呤，也可以选用KT类植物生长调节剂，或ZT类植物生长调节剂，或其它类对植物侧芽发育起促进作用的植物生长调节剂。喷施植物生长调节剂的时间在春石斛预计繁殖期前约一个月，大概20到40天。

步骤12、保持温暖的环境及适宜的光照条件一段时间，直至假鳞茎的腋芽发育至适合扦插的程度。

然后，从假鳞茎上剪下插穗，并进行

步骤17、扦插入带有基质的穴盘中，所述基质适合插穗生根。基质可以为水苔或椰糠或椰丝或细树皮。

进行步骤12时，分为两种情况：

一种是，步骤13、至假鳞茎的腋芽发育至0.3～0.7厘米大小，最好是约0.5厘米大小。然后进行

步骤14、将每节生有腋芽的假鳞茎单独剪下，以便作为插穗进行扦插。剪切的插穗长度最好为2～3厘米，下切口距腋芽节位大于等于1.5厘米，最好是2厘米左右。上切口距腋芽节位最好是0.5厘米左右，之后进行步骤17。

扦插时应将插穗的下切口部位插入基质中，且腋芽节位与基质上表面平齐或略高于基质上表面。

另一种是，步骤15、至假鳞茎的腋芽发育成嫩枝，之后进行

步骤16、将嫩枝单独从假鳞茎上剪下，以便作为插穗进行扦插。所述的嫩枝为未生根的当年生嫩枝，将嫩枝单独从假鳞茎上剪下时，需连同嫩枝基部的膨大部分剪下，之后进行步骤17。

以上两种情况，步骤17完成后，进行

步骤18、待插穗生根后，进行移栽上盆。

以上春石斛茎段扦插繁殖的方法，具体的操作方法是：

春石斛花期过后温室气温回升时，就可进行茎段扦插，时间一般为2月中下旬至3月下旬。在扦插前一月，植株使用6-BA(6苄基氨基嘌呤)稀释成200mg/L的溶液喷雾，促进腋芽萌发。生长调节剂有多种使用方法，采用合适的浓度100～500mg/L，用不同的喷施，或者低浓度的多次使用，或者高浓度减少使用次数，皆能达到同样的效果。喷雾要均匀，叶片和茎段都喷到。促进生长调节剂的稳定吸收。期间，保持温暖的环境和适宜的光照条件，20天后，会发现有假鳞茎叶芽开始萌动。在假鳞茎芽体萌动开始至大约0.5cm大小期间，可把假鳞茎削成单节进行扦插。扦插和剪插穗时间应尽可能早，利于生长季结束前，生根后上盆的扦插苗有充分的生长时间，促进养分积累。扦插的基质用椰糠、水苔或细树皮，穴盘(扦插盘)使用50～72孔为宜。把生长饱满的春石斛削成单节，然后扦插于穴盘中。具体操作要领如下：

春石斛插穗采用单节，使用锋利的刀削制。若节过短可两节一个插穗。对于过长的节，需要再削去一段。去掉插条基部几节不饱满、发育差的节段。削插穗时要注意芽眼，芽子对生于假鳞茎上，生长不整齐，不小心容易削去。每个插穗长度为2～3cm，上切口距腋芽节位0.5cm左右，下切口距节位2cm。

操作时，需使用锋利刀片削，否则，切口不完整，形成毛茬，不利于扦插。扦插时插穗正反面应分开，不可倒置，插穗的大部分都要埋入基质中，插穗出芽节位基本上稍高于或与基质平齐。利于假鳞茎的稳定和根系的生长。如节位距离基质较远，根系无法扎入基质，难以形成良好根系。

扦插后，首先需维持基质湿润，定时浇水或喷雾，促进芽体分化和萌发。否则，缺水将导致插穗皱缩。其次穴盘扦插可形成良好的根团。扦插后，在适宜环境条件下，芽体生长很快，根系分化，很快达到上盆规格。

扦插苗高度生长至5～8cm时，根系也开始长出，固定缠绕在穴盘周围。此时可以进行上盆。上盆一般需要使用5～8cm口径的盆。同时根茎部位必须露在基质外，不可埋入基质中。上盆时，基质应稍紧些，利于水分适度。基质松含水量大，基质紧则含水分少。

运用当年生嫩枝(无根高芽或鳞芽)扦插时，则需连同膨大部位切下来进行扦插。采用带膨大根茎的高芽或鳞芽扦插，根系形成快。直接扦插于大孔穴盘中，使用水苔或椰糠、椰丝包裹扦插，扦插后一个月就可上盆，效果良好。高芽或鳞芽基部膨大组织，促进根系迅速形成，当年根系生长量很大。采用嫩枝扦插，未生根前就从植株上剪下高芽或鳞芽，对母体养分消耗小，利于母株发育。

利用当年生的嫩枝进行扦插生根，提高了繁殖速度，极大的增加了成品的繁殖能力，也缩短了成品的栽培周期。同时，当年生嫩枝的假鳞茎在扦插时尚未封顶，有利于形成高度足够的苗。

本发明主要包括两个方面，一是加快萌芽和生根时间，使植株一年的生长量达到常规扦插二年的生长量；二是提高扦插的萌芽率和整齐度，有利于形成高质量的成品，及形成规模化的产品。

通过使用生长调节剂6-BA，来提高春石斛假鳞茎的萌芽率，促进假鳞茎基部、中部、顶部的腋芽同时萌发，打破不同节位的发育差异。缩短扦插繁殖时间，促进当年生茎的生长量增加到10～20cm，扦插当年就把假鳞茎培育成半成品，使苗到成品的培育时间缩短1年。半成品经过一年可培育成成品进行销售。总体上需要2年时间。可应用于成品的规模化生产。

以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。

Claims

1.一种春石斛茎段扦插繁殖的方法，其特征在于，包括步骤：

A、选用对植物的侧芽发育起促进作用的植物生长调节剂喷施于春石斛植株上，促进腋芽发育；

B、生长一段时间，直至假鳞茎的腋芽发育至0.3～0.7厘米大小；

C、从假鳞茎上剪下生有腋芽的插穗，扦插入带有基质的扦插盘中。

2.根据权利要求1所述的春石斛茎段扦插繁殖的方法，其特征在于，所述的步骤A中，选用的植物生长调节剂为6苄基氨基嘌呤。

3.根据权利要求1或2所述的春石斛茎段扦插繁殖的方法，其特征在于，所述的步骤C中，将每节生有腋芽的假鳞茎单独剪下，作为插穗进行扦插。

4.根据权利要求3所述的春石斛茎段扦插繁殖的方法，其特征在于，所述的插穗长度为2～3厘米，下切口距腋芽节位大于等于1.5厘米，扦插时将插穗的下切口部位插入基质中，且腋芽节位与基质上表面平齐或略高于基质上表面。

5.根据权利要求1所述的春石斛茎段扦插繁殖的方法，其特征在于，还包括步骤：

D、待插穗生根后，进行移栽上盆。

6.根据权利要求1所述的春石斛茎段扦插繁殖的方法，其特征在于，所述的步骤A中喷施植物生长调节剂的时间在春石斛预计繁殖期前一个月。

7.根据权利要求1所述的春石斛茎段扦插繁殖的方法，其特征在于，所述的基质为水苔或椰糠或椰丝或细树皮。

8.根据权利要求1所述的春石斛茎段扦插繁殖的方法，其特征在于，选用的植物生长调节剂为KT类植物生长调节剂，或ZT类植物生长调节剂。