CN101180942B - 春石斛工厂化栽培方法 - Google Patents
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Abstract
春石斛工厂化栽培方法,属于花卉栽培技术领域。其特征在于包括以下步骤:幼苗经大棚炼苗后移栽至128孔穴盘;栽培6-8个月后,将植株从128孔中移栽至8cm营养钵中栽培,栽培阶段光照控制在3.5万Lux以下,温度控制在18-28℃;栽培第一年当根系长至钵壁时,每株施入15粒魔肥;栽培第二年春季施入菜籽饼肥,量为0.5cm3每株;在8cm营养钵栽培阶段的第三年进行催花处理:开花株上山低温处理,开花株下山加温催花。上述春石斛工厂化栽培方法,能适应我国气候条件,解决了春石斛工厂化栽培的技术问题,且工艺简单,生产成本低,得到的春石斛一致性好,产品品质高,具有良好的观赏价值和广阔的市场前景。
Description
技术领域
本发明属于花卉栽培技术领域,具体为春石斛工厂化栽培方法。
背景技术
春石斛(Dendrobium),兰科(Orchidaceae)石斛属,多年生草本,附生性,茎丛生,有节,黄绿色,叶近革质,卵状披针形,长9-12cm,总状花序。我国有76种原生种,主要分布于云南、广东、广西、台湾、海南等地。日本、泰国、新加坡等国家石斛兰产业化规模已非常成熟,而且育种工作突出,培育出丰富的杂交品种,花色有红色、白色、黄色及各种复合色,是当前国内外市场盆栽欣赏和切花生产的高档花卉。目前国内春石斛工厂化栽培,催化技术难以掌握,且生产成本高、高品质花卉率低,使春石斛在国内市场的开拓面临新的技术问题。
发明内容
针对现有技术中存在的上述问题,本发明的目的在于设计提供一种春石斛工厂化栽培方法的技术方案,其工艺简单,成本低。
所述的春石斛工厂化栽培方法,其特征在于包括以下步骤:
1)选择苗高3-5cm、有5片以上叶片和4-6条根的春石斛幼苗,经大棚炼苗后移栽至128孔穴盘,移栽前期空气湿度控制在90%以上,栽培阶段光照控制在1万Lux以下,温度控制在18-28℃,每隔20天施用3000-5000倍稀释的花多多肥料一次,至止叶长出;
2)栽培6-8个月后,将植株高度5cm以上、根系发达盘结完整的植株从128孔中移栽至8cm营养钵中栽培,栽培阶段光照控制在3.5万Lux以下,温度控制在18-28℃;栽培第一年当根系长至钵壁时,每株施入15粒魔肥;栽培第二年春季施入菜籽饼肥,量为0.5cm3每株;
3)在8cm营养钵栽培阶段的第三年进行催花处理:
a.开花株上山低温处理:止叶出现一月,茎杆饱满成熟后,将开花株搬入山上的大棚中,在10-15℃夜间温度超过1小时、白天最高温度不高于32℃的条件下累积处理30-45天,光照控制在4万Lux以下,并保持水苔湿润;
b.开花株下山加温催花:花芽呈半粒米大后,搬至山下温室,适当拉开植株间的距离,植株的短叶面朝南,光照控制在3万Lux以下,温度控制在18-28℃,空气湿度大于70%,增施稀释1000-2000倍的KH2PO4叶肥1-2次;
上述两次移栽均采用特级水苔包裹植株的整个根系部分。
所述的春石斛工厂化栽培方法,其特征在于植株从128孔中移栽至8cm营养钵中的时间为3-5月份。
所述的春石斛工厂化栽培方法,其特征在于8cm营养钵栽培第一年,前期以快速浇水的方式提供水分,半月后采用干透湿透的原则浇水,空气湿度控制在70±5%。
所述的春石斛工厂化栽培方法,其特征在于8cm营养钵栽培第一年,前1-2个月光照控制在2万Lux以下,后期控制在3万Lux以下,温度控制在夜温18-20℃,昼温26-28℃。
所述的春石斛工厂化栽培方法,其特征在于8cm营养钵栽培第一年的6-8月,等根系长至钵壁时,每株施入15粒魔肥。
所述的春石斛工厂化栽培方法,其特征在于8cm营养钵栽培第二年,新芽长出后,每钵内留一最健壮的芽,新芽生长期大量供应水,至止叶长出后,湿度控制在70±5%。
所述的春石斛工厂化栽培方法,其特征在于8cm营养钵栽培第二年,光照控制在3.5万Lux以下,至止叶长出后温度控制在夜温18-20℃,昼温26-28℃。
所述的春石斛工厂化栽培方法,其特征在于8cm营养钵栽培第二年的3-5月施入菜籽饼肥,量为0.5cm3每株。
所述的春石斛工厂化栽培方法,其特征在于经大棚炼苗后的幼苗用水冲洗根部后用0.1-0.2%高锰酸钾溶液浸泡2-3分钟,捞起晾干,采用纯水苔作为培养基质,单株移栽到128孔穴盘中。
所述的花多多的N∶P∶K为20-20-20,可由美国Scotts公司购得;魔肥的N∶P∶K为6-40-6,可由台湾台合园艺企业股份有限公司购得;水苔可由西洋园艺资材(广州)有限公司购得。
上述春石斛工厂化栽培方法,能适应我国气候条件,解决了春石斛工厂化栽培的技术问题,且工艺简单,生产成本低,得到的春石斛一致性好,产品品质高,具有良好的观赏价值和广阔的市场前景。
本专利申请文件中涉及的含量除另有说明外,其余均为重量百分含量。
具体实施方式
春石斛工厂化栽培方法,其特征在于包括以下步骤:
1)选择苗高3-5cm、有5片以上叶片和4-6条根的春石斛幼苗,经大棚炼苗后的幼苗用水冲洗掉根部的培养基后,用0.1-0.2%高锰酸钾溶液浸泡2-8分钟,捞起晾干,采用纯水苔作为培养基质,单株移栽到128孔穴盘中,植株基部露出水苔表面,插上标签,注明品种编号和种植日期;
移栽前期空气湿度控制在90%以上,栽培阶段光照控制在1万Lux以下,温度控制在18-28℃,不浇透水,以喷雾的方式提供植株蒸发所需水分,等新根长出来后再浇透水,1-2个月后可适当增加光照,每隔20天施用3000-5000倍稀释的花多多肥料一次,至止叶长出;
病虫害的防治:苗期主要病害有灰霉、炭疽及一些根部病害,10-15天喷杀菌剂,在日常管理中及时剪除老叶、病叶;发现根部病害,如镰孢菌、丝核菌,则应及早去除病株,消除病害来源,防止再侵染。
2)栽培6-8个月后,将植株高度5cm以上、根系发达盘结完整的植株从128孔中移栽至8cm营养钵中栽培,移栽采用特级水苔包裹植株的整个根系部分,栽培阶段光照控制在3.5万Lux以下,温度控制在18-28℃植株,从128孔中移栽至8cm营养钵中的时间为3-5月份;
8cm营养钵栽培第一年管理:8cm营养钵满放于15孔托盘内,植株高的放中间,矮的放两边,短叶面朝南,当植株生长至相临两株相互遮挡时则摆成梅花形;前期以快速浇水的方式提供水分,半月后采用干透湿透的原则浇水,空气湿度控制在70±5%;前1-2个月光照控制在2万Lux以下,后期控制在3万Lux以下,温度控制在18-28℃,优选夜温18-20℃、昼温26-28℃;新芽长出后,每钵内留一最健壮的芽,抹去多余的新芽,当新芽长至10cm高时则应插铁丝以固定植株,铁丝立于长叶的一面,扎丝剪为12cm长,用扎丝将新芽轻轻宽舒地固定在铁丝上;栽培第一年的6-8月,等根系长至钵壁时,每株施入15粒魔肥;
8cm营养钵栽培第二年管理:新芽长出后,每钵内留一最健壮的芽,抹去多余的新芽,当新芽长至10cm高时则应插铁丝以固定植株,铁丝立于长叶的一面,扎丝剪为12cm长,用扎丝将新芽轻轻宽舒地固定在铁丝上;新芽生长期大量供应水,至止叶长出后湿度控制在70±5%;光照控制在3.5万Lux以下,至止叶长出后温度控制在18-28℃,优选夜温18-20℃、昼温26-28℃;栽培第二年的3-5月施入菜籽饼肥,量为0.5cm3每株。
8cm营养钵栽培第一、二年的病虫害防治:春季虫害较多,10-15天喷洒乐斯本等杀虫剂,病害主要有炭疽病,用火把或炭疽福美防治;夏季易造成茎腐,叶腐等细菌性病害的大面积发生,该季也是蛾类和蝶类的幼虫、红蜘蛛危害的时候,这段时间加强温室的通风,10天打杀虫或杀菌剂防治,并控制浇水的时间;秋季害虫有蚜虫,蓟马,红蜘蛛等,炭疽病也时有发生;冬季病害相对教少,15-20天喷洒杀虫和杀菌剂,加强温室内通风,搞好温室内及周边的环境卫生工作,及时清除病株病叶等侵染源。
3)在8cm营养钵栽培阶段的第三年进行催花处理:
a.开花株上山低温处理:止叶出现一月,茎杆饱满成熟后,将开花株搬入山 上的大棚中,在10-15℃夜间温度超过1小时、白天最高温度25-32℃的条件下累积处理30-45天,光照控制在4万Lux以下,并保持水苔湿润;高山易发生蛞蝓和蜗牛等虫害,它们主要吃新芽和花苞,可以组织人工捕杀或用药诱杀,在苗床上放碗啤酒或撒些盐。
b.开花株下山加温催花:花芽呈半粒米大后,搬至山下温室,适当拉开植株间的距离,每排摆五张托盘,植株的短叶面朝南,光照控制在3万Lux以下,温度控制在18-28℃,空气湿度大于70%,增施稀释1000-2000倍的KH2PO4叶肥1-2次;此阶段主要的病害有软腐,导致花芽的黄化流失,此时要拉开植株间的距离,控制温度,加强关照与通风。
Claims (9)
1.春石斛工厂化栽培方法,其特征在于包括以下步骤:
1)选择苗高3-5cm、有5片以上叶片和4-6条根的春石斛幼苗,经大棚炼苗后移栽至128孔穴盘,移栽前期空气湿度控制在90%以上,栽培阶段光照控制在1万Lux以下,温度控制在18-28℃,每隔20天施用3000-5000倍稀释的花多多肥料一次,至止叶长出;
2)栽培6-8个月后,将植株高度5cm以上、根系发达盘结完整的植株从128孔中移栽至8cm营养钵中栽培,栽培阶段光照控制在3.5万Lux以下,温度控制在18-28℃;栽培第一年当根系长至钵壁时,每株施入15粒魔肥;栽培第二年春季施入菜籽饼肥,量为0.5cm3每株;
3)在8cm营养钵栽培阶段的第三年进行催花处理:
a.开花株上山低温处理:止叶出现一月,茎杆饱满成熟后,将开花株搬入山上的大棚中,在10-15℃夜间温度超过1小时、白天最高温度不高于32℃的条件下累积处理30-45天,光照控制在4万Lux以下,并保持水苔湿润;
b.开花株下山加温催花:花芽呈半粒米大后,搬至山下温室,适当拉开植株间的距离,植株的短叶面朝南,光照控制在3万Lux以下,温度控制在18-28℃,空气湿度大于70%,增施稀释1000-2000倍的KH2PO4叶肥1-2次;
上述两次移栽均采用特级水苔包裹植株的整个根系部分。
2.如权利要求1所述的春石斛工厂化栽培方法,其特征在于植株从128孔中移栽至8cm营养钵中的时间为3-5月份。
3.如权利要求1所述的春石斛工厂化栽培方法,其特征在于8cm营养钵栽培第一年,前期以快速浇水的方式提供水分,半月后采用干透湿透的原则浇水,空气湿度控制在70±5%。
4.如权利要求1所述的春石斛工厂化栽培方法,其特征在于8cm营养钵栽培第一年,前1-2个月光照控制在2万Lux以下,后期控制在3万Lux以下,温度控制在夜温18-20℃,昼温26-28℃。
5.如权利要求1所述的春石斛工厂化栽培方法,其特征在于8cm营养钵栽培第一年的6-8月份,等根系长至钵壁时,每株施入15粒魔肥。
6.如权利要求1所述的春石斛工厂化栽培方法,其特征在于8cm营养钵栽培第二年,新芽长出后,每钵内留一最健壮的芽,新芽生长期大量供应水,至止叶长出后,湿度控制在70±5%。
7.如权利要求1所述的春石斛工厂化栽培方法,其特征在于8cm营养钵栽培第二年,光照控制在3.5万Lux以下,至止叶长出后温度控制在夜温18-20℃,昼温26-28℃。
8.如权利要求1所述的春石斛工厂化栽培方法,其特征在于8cm营养钵栽培第二年的3-5月施入菜籽饼肥,量为0.5cm3每株。
9.如权利要求1所述的春石斛工厂化栽培方法,其特征在于经大棚炼苗后的幼苗用水冲洗根部后用0.1-0.2%高锰酸钾溶液浸泡2-3分钟,捞起晾干,采用纯水苔作为培养基质,单株移栽到128孔穴盘中。
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