CN104975350B - 传感器单晶硅刻蚀过程中的片架定位装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种传感器单晶硅刻蚀过程中的片架定位装置，其包括有反应室，反应室的轴线位置设置有片架，其连接至设置在反应室外部的片架旋转机构；所述反应室外侧设置有电磁线圈；所述反应室中，片架之上设置有多个在水平方向上延伸的支撑杆件，每一个支撑杆件的端部位置均设置有导向轮，其与支撑杆件通过转轴进行连接，所述导向轮的轴线平行于反应室的轴线，导向轮相交于反应室的内壁之上；采用上述技术方案的传感器单晶硅刻蚀过程中的片架定位装置，其可在片架于反应室内部进行刻蚀加工的过程中，通过多个支撑杆件对片架进行定位处理，使得其始终处于反应室的轴线位置，从而使得片架之中的多个单晶硅的刻蚀加工的精度得以改善。
Description
技术领域
本发明涉及一种传感器部件的加工装置，尤其是一种传感器单晶硅刻蚀过程中的片架定位装置。
背景技术
传感器用单晶硅在加工过程中，均需对其进行刻蚀处理；现有的刻蚀加工过程中，其往往通过将多个单晶硅叠放在片架之上，并通过向片架所在位置导入反应气体，并使得反应气体在电场环境下产生等离子体，以对单晶硅进行刻蚀；片架在刻蚀过程中通常需要进行旋转以增加单晶硅与等离子体的接触均度，然而，片架的旋转可能导致其发生偏移，从而造成单晶硅与等离子之间的接触不均，进而影响其刻蚀效果。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种传感器单晶硅刻蚀过程中的片架定位装置，其可在片架于反应室内部进行旋转的过程中对其进行支撑定位处理，以提高单晶硅刻蚀的加工精度。
为解决上述技术问题，本发明涉及一种传感器单晶硅刻蚀过程中的片架定位装置，其包括有反应室，反应室的上端部设置有送气管道，其连接至设置在反应室外部的气源室，反应室的下端部设置有抽气管道，其连接至设置在反应室外部的真空泵；所述反应室的轴线位置设置有片架，其连接至设置在反应室外部的片架旋转机构；所述反应室外侧设置有电磁线圈；所述反应室中，片架之上设置有多个在水平方向上延伸的支撑杆件，每一个支撑杆件的端部位置均设置有导向轮，其与支撑杆件通过转轴进行连接，所述导向轮的轴线平行于反应室的轴线，导向轮相交于反应室的内壁之上。
作为本发明的一种改进，所述反应室中设置有多组支撑杆件，其在片架的高度方向上均匀分布；每组支撑杆件均包括有多根位于同一水平位置的支撑杆件。采用上述设计，其可通过多组位于不同高度位置的支撑杆件，以对片架进行更为稳定的支撑，从而确保其各个位置均不会发生偏移现象，进而使得片架中各个高度的单晶硅的加工精度均可得以保证。
作为本发明的一种改进，所述反应室中设置有至少两组支撑杆件，每组支撑杆件均包括有至少4根支撑杆件，同一组中的支撑杆件关于反应室的轴线成旋转对称。采用上述设计，其通过多根对称的支撑杆件，使得片架在同一高度位置的支撑效果得以改善，并通过支撑杆件的对称设计，使得多根支撑杆件对于片架形成的支持力亦可相互对称。
作为本发明的一种改进，所述反应室中，每一个支撑杆件的对应水平位置均设置有沿反应室侧端面进行延伸的导向轨道，所述导向轮延伸至导向轮内部，其可通过导向轨道以使得导向轮的导向效果更为精准，以避免其在反应室轴向上发生偏移。
作为本发明的一种改进，所述导向轨道的侧端面之上设置有橡胶层，其可通过橡胶层以吸收导向轮在工作过程中产生的机械振动。
作为本发明的一种改进，所述反应室中，电磁线圈所在的水平位置与导向轨道所在的水平位置彼此交错排列。采用上述设计，其可避免导向轮在工作过程中对电磁线圈造成影响，使其发生脱落。
作为本发明的一种改进，所述反应室中，每一个导向轨道的对应位置均设置有沿反应室的外壁成环形延伸的加强筋。采用上述设计，其可避免因导向轨道的设置而造成的反应室侧壁稳定性的下降。
作为本发明的一种改进，所述加强筋的厚度至少为3厘米。
采用上述技术方案的传感器单晶硅刻蚀过程中的片架定位装置，其可在片架于反应室内部进行刻蚀加工的过程中，通过多个支撑杆件对片架进行定位处理，使得其始终处于反应室的轴线位置，从而使得片架之中的多个单晶硅的刻蚀加工的精度得以改善；与此同时，支撑杆件端部的导向轮可沿反应室进行滚动，从而使得支撑杆件与片架可实现更为平滑的旋转。
附图说明
图1为本发明示意图；
图2为本发明中片架水平截面图；
附图标记列表：
1—反应室、2—送气管道、3—气源室、4—抽气管道、5—真空泵、6—片架、7—片架旋转机构、8—电磁线圈、9—支撑杆件、10—导向轮、11—导向轨道、12—加强筋。
具体实施方式
下面结合具体实施方式，进一步阐明本发明，应理解下述具体实施方式仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围。需要说明的是，下面描述中使用的词语“前”、“后”、“左”、“右”、“上”和“下”指的是附图中的方向，词语“内”和“外”分别指的是朝向或远离特定部件几何中心的方向。
实施例1
如图1所示的一种传感器单晶硅刻蚀过程中的片架定位装置，其包括有反应室1，反应室1的上端部设置有送气管道2，其连接至设置在反应室1外部的气源室3，反应室1的下端部设置有抽气管道4，其连接至设置在反应室1外部的真空泵5；所述反应室1的轴线位置设置有片架6，其连接至设置在反应室1外部的片架旋转机构7，其具体包括有电机；所述反应室1外侧设置有电磁线圈8；所述反应室1中，片架6之上设置有多个在水平方向上延伸的支撑杆件9，每一个支撑杆件9的端部位置均设置有导向轮10，其与支撑杆件9通过转轴进行连接，所述导向轮10的轴线平行于反应室1的轴线，导向轮10相交于反应室1的内壁之上。
所述反应室1中设置有多组支撑杆件，其在片架6的高度方向上均匀分布；每组支撑杆件均包括有多根位于同一水平位置的支撑杆件9。采用上述设计，其可通过多组位于不同高度位置的支撑杆件，以对片架进行更为稳定的支撑，从而确保其各个位置均不会发生偏移现象，进而使得片架中各个高度的单晶硅的加工精度均可得以保证。
作为本发明的一种改进，如图2所示，所述反应室1中设置有两组支撑杆件，每组支撑杆件均包括有4根支撑杆件9，同一组中的支撑杆件9关于反应室1的轴线成旋转对称。采用上述设计，其通过多根对称的支撑杆件，使得片架在同一高度位置的支撑效果得以改善，并通过支撑杆件的对称设计，使得多根支撑杆件对于片架形成的支持力亦可相互对称。
采用上述技术方案的传感器单晶硅刻蚀过程中的片架定位装置，其可在片架于反应室内部进行刻蚀加工的过程中，通过多个支撑杆件对片架进行定位处理，使得其始终处于反应室的轴线位置，从而使得片架之中的多个单晶硅的刻蚀加工的精度得以改善；与此同时，支撑杆件端部的导向轮可沿反应室进行滚动，从而使得支撑杆件与片架可实现更为平滑的旋转。
实施例2
作为本发明的一种改进，所述反应室中，每一个支撑杆件9的对应水平位置均设置有沿反应室1侧端面进行延伸的导向轨道11，所述导向轮10延伸至导向轮11内部，其可通过导向轨道以使得导向轮的导向效果更为精准，以避免其在反应室轴向上发生偏移。
本实施例其余特征与优点均与实施例1相同。
实施例3
作为本发明的一种改进，所述导向轨道11的侧端面之上设置有橡胶层，其可通过橡胶层以吸收导向轮在工作过程中产生的机械振动。
本实施例其余特征与优点均与实施例2相同。
实施例4
作为本发明的一种改进，所述反应室中，电磁线圈8所在的水平位置与导向轨道11所在的水平位置彼此交错排列。采用上述设计，其可避免导向轮在工作过程中对电磁线圈造成影响，使其发生脱落。
本实施例其余特征与优点均与实施例3相同。
实施例5
作为本发明的一种改进，所述反应室中，每一个导向轨道11的对应位置均设置有沿反应室1的外壁成环形延伸的加强筋12。采用上述设计，其可避免因导向轨道的设置而造成的反应室侧壁稳定性的下降。
作为本发明的一种改进，所述加强筋12的厚度为5厘米。
Claims (7)
1.一种传感器单晶硅刻蚀过程中的片架定位装置，其包括有反应室，反应室的上端部设置有送气管道，其连接至设置在反应室外部的气源室，反应室的下端部设置有抽气管道，其连接至设置在反应室外部的真空泵；所述反应室的轴线位置设置有片架，其连接至设置在反应室外部的片架旋转机构；所述反应室外侧设置有电磁线圈；其特征在于，所述反应室中，片架之上设置有多个在水平方向上延伸的支撑杆件，每一个支撑杆件的端部位置均设置有导向轮，其与支撑杆件通过转轴进行连接，所述导向轮的轴线平行于反应室的轴线，导向轮相交于反应室的内壁之上，所述反应室中设置有多组支撑杆件，其在片架的高度方向上均匀分布；每组支撑杆件均包括有多根位于同一水平位置的支撑杆件。
2.按照权利要求1所述的传感器单晶硅刻蚀过程中的片架定位装置，其特征在于，所述反应室中设置有至少两组支撑杆件，每组支撑杆件均包括有至少4根支撑杆件，同一组中的支撑杆件关于反应室的轴线成旋转对称。
3.按照权利要求2所述的传感器单晶硅刻蚀过程中的片架定位装置，其特征在于，所述反应室中，每一个支撑杆件的对应水平位置均设置有沿反应室侧端面进行延伸的导向轨道，导向轮延伸至所述导向轨道内部。
4.按照权利要求3所述的传感器单晶硅刻蚀过程中的片架定位装置，其特征在于，所述导向轨道的侧端面之上设置有橡胶层。
5.按照权利要求4所述的传感器单晶硅刻蚀过程中的片架定位装置，其特征在于，所述反应室中，电磁线圈所在的水平位置与导向轨道所在的水平位置彼此交错排列。
6.按照权利要求5所述的传感器单晶硅刻蚀过程中的片架定位装置，其特征在于，所述反应室中，每一个导向轨道的对应位置均设置有沿反应室的外壁成环形延伸的加强筋。
7.按照权利要求6所述的传感器单晶硅刻蚀过程中的片架定位装置，其特征在于，所述加强筋的厚度至少为3厘米。
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