CN104975351B - 可改善加工精度的传感器单晶硅刻蚀装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种可改善加工精度的传感器单晶硅刻蚀装置，其包括有反应室，反应室的上端部设置有送气管道，其连接至设置在反应室外部的气源室，所述反应室的轴线位置设置有片架；所述片架由有多个在水平方向上延伸的置放板件堆叠而成，每一个置放板件均采用环形结构；所述反应室中，送气管道的端部位置设置有导流板，其包括有连接至反应室侧端面，且沿水平方向进行延伸的连接部分，其采用环形结构；所述连接部分的内侧边部设置有延伸至置放板件内侧的导流部分，连接部分与导流部分之上分别设置有多个导流孔；上述刻蚀装置使得片架不同径向位置的单晶硅与反应气体之间可进行均匀的接触，进而使得片架中的单晶硅的整体加工精度可得以现在改善。
Description
技术领域
本发明涉及一种传感器用单晶硅的加工装置，尤其是一种可改善加工精度的传感器单晶硅刻蚀装置。
背景技术
传感器用单晶硅在加工过程中，均需对其进行刻蚀处理；现有的刻蚀加工过程中，其往往通过将多个单晶硅叠放在片架之上，并通过向片架所在位置导入反应气体，并使得反应气体在电场环境下产生等离子体，以对单晶硅进行刻蚀；然而，现有的刻蚀装置中，片架中外围的单晶硅与其内侧的单晶硅与反应气体的接触面积往往并不均匀，其造成整体单晶硅的加工精度收到影响。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种传感器单晶硅刻蚀装置，其可有效改善刻蚀装置对于批量单晶硅的刻蚀精度。
为解决上述技术问题，本发明涉及一种可改善加工精度的传感器单晶硅刻蚀装置，其包括有反应室，反应室的上端部设置有送气管道，其连接至设置在反应室外部的气源室，反应室的下端部设置有抽气管道，其连接至设置在反应室外部的真空泵；所述反应室的轴线位置设置有片架，其连接至设置在反应室外部的片架旋转机构；所述反应室外侧设置有电磁线圈；所述片架由有多个在水平方向上延伸的置放板件堆叠而成，每一个置放板件均采用环形结构；所述反应室中，送气管道的端部位置设置有导流板，其包括有连接至反应室侧端面，且沿水平方向进行延伸的连接部分，其采用环形结构，连接部分位于片架上方，且其内径小于片架中置放板件的内径；所述连接部分的内侧边部设置有沿竖直方向向下延伸至置放板件内侧的导流部分，所述连接部分与导流部分之上分别设置有多个导流孔。
作为本发明的一种改进，所述导流板中，导流部分的高度与片架高度相同，其可使得片架各个位置均可通过导流板的导流部分与反应气体之间进行良好的接触。
作为本发明的一种改进，所述导流部分中，任意两个相邻的置放板件之间的对应位置之上均设置有一组导流孔，每组导流孔分别包括有至少3个导流孔，其关于置放板件的轴线成旋转对称。采用上述设计，其可通过多个导流孔对于片架之中同一高度位置的单晶硅得以与反应气体之间实现良好的接触。
作为本发明的一种改进，所述导流部分中，每一个导流孔均采用弧形结构，且其弧长至少为导流部分直径的1/8。
作为本发明的一种改进，所述导流部分中，每组导流孔分别包括有4个导流孔，每个导流孔的弧长为导流部分直径的1/6。采用上述设计，其可使得单晶硅与反应气体之间的接触均度得以进一步的改善，以使得每一个单晶硅的刻蚀精度得以显著改善。
作为本发明的一种改进，所述反应室中，其侧端面设置有多个搅动装置，每一个搅动装置均包括有搅动轴，其连接至设置在反应室外部的搅动电机，搅动轴之上设置有搅动叶片。采用上述设计，其可使得通过连接部分之上的导流孔进入片架对应位置的反应气体在搅动装置的驱动下，形成朝向片架中的单晶硅运动的气流，从而使得单晶硅与气体的接触面积与接触效率得以进一步的改善。
作为本发明的一种改进，每一个搅动装置中，搅动叶片均采用斜浆式分布，其可使得搅动叶片的结构设置使其形成轴线气流，以使得气流均可朝向单晶硅运动。
作为本发明的一种改进，所述反应室中设置有至少2组搅动装置，其在高度方向上均匀分布；每组搅动装置分别包括有3个位于同一水平位置的搅动装置，其关于反应室的轴线成旋转对称。采用上述设计，其可通过搅动装置的位置设置使得各个位置的单晶硅均可收到气流影响。
采用上述技术方案的可改善加工精度的传感器单晶硅刻蚀装置，使得导入反应室中的反应气体通过导流板中的连接部分与导流部分中导流孔，同时从片架的内部与外部对片架之上的单晶硅进行刻蚀处理，从而避免了传统的刻蚀装置中，片架不同径向位置的单晶硅难以与反应气体之间进行均匀的接触等现象，进而使得片架中的单晶硅的整体加工精度可得以现在改善。
附图说明
图1为本发明示意图；
图2为本发明中导流板的导流部分水平截面图；
附图标记列表：
1—反应室、2—送气管道、3—气源室、4—抽气管道、5—真空泵、6—片架、61—置放板件、7—片架旋转机构、8—电磁线圈、9—导流板、91—连接部分、92—导流部分、10—导流孔、11—搅动轴、12—搅动电机、13—搅动叶片。
具体实施方式
下面结合具体实施方式，进一步阐明本发明，应理解下述具体实施方式仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围。需要说明的是，下面描述中使用的词语“前”、“后”、“左”、“右”、“上”和“下”指的是附图中的方向，词语“内”和“外”分别指的是朝向或远离特定部件几何中心的方向。
实施例1
如图1所示的一种传感器单晶硅刻蚀装置的送气机构，其包括有反应室1，反应室1的上端部设置有送气管道2，其连接至设置在反应室1外部的气源室3，反应室1的下端部设置有抽气管道4，其连接至设置在反应室1外部的真空泵5；所述反应室1的轴线位置设置有片架6，其连接至设置在反应室1外部的片架旋转机构7，其具体包括有电机；所述反应室1外侧设置有电磁线圈8；
所述片架6由有多个在水平方向上延伸的置放板件61堆叠而成，每一个置放板件61均采用环形结构；所述反应室1中，送气管道的端部位置设置有导流板9，其包括有连接至反应室1侧端面，且沿水平方向进行延伸的连接部分91，其采用环形结构，连接部分91位于片架6上方，且其内径小于片架中置放板件61的内径；所述连接部分91的内侧边部设置有沿竖直方向向下延伸至置放板件61内侧的导流部分92，所述连接部分91与导流部分92之上分别设置有多个导流孔10。
所述导流板9中，导流部分92的高度与片架6高度相同，其可使得片架各个位置均可通过导流板的导流部分与反应气体之间进行良好的接触。
如图2所示，所述导流部分92中，任意两个相邻的置放板件61之间的对应位置之上均设置有一组导流孔，每组导流孔分别包括有3个导流孔10，其关于置放板件的轴线成旋转对称。采用上述设计，其可通过多个导流孔对于片架之中同一高度位置的单晶硅得以与反应气体之间实现良好的接触。
所述导流部分92中，每一个导流孔10均采用弧形结构；每组导流孔分别包括有4个导流孔10，每个导流孔10的弧长为导流部分92直径的1/6。采用上述设计，其可使得单晶硅与反应气体之间的接触均度得以进一步的改善，以使得每一个单晶硅的刻蚀精度得以显著改善。
采用上述技术方案的可改善加工精度的传感器单晶硅刻蚀装置，使得导入反应室中的反应气体通过导流板中的连接部分与导流部分中导流孔，同时从片架的内部与外部对片架之上的单晶硅进行刻蚀处理，从而避免了传统的刻蚀装置中，片架不同径向位置的单晶硅难以与反应气体之间进行均匀的接触等现象，进而使得片架中的单晶硅的整体加工精度可得以现在改善。
实施例2
作为本发明的一种改进，所述反应室中，其侧端面设置有多个搅动装置，每一个搅动装置均包括有搅动轴11，其沿反应室1的径向延伸；所述搅动轴11连接至设置在反应室1外部的搅动电机12，搅动轴11之上设置有搅动叶片13。采用上述设计，其可使得通过连接部分之上的导流孔进入片架对应位置的反应气体在搅动装置的驱动下，形成朝向片架中的单晶硅运动的气流，从而使得单晶硅与气体的接触面积与接触效率得以进一步的改善。
作为本发明的一种改进，每一个搅动装置中，搅动叶片13均采用斜浆式分布，其可使得搅动叶片的结构设置使其形成轴线气流，以使得气流均可朝向单晶硅运动。
作为本发明的一种改进，所述反应室1中设置有3组搅动装置，其在高度方向上均匀分布；每组搅动装置分别包括有3个位于同一水平位置的搅动装置，其关于反应室的轴线成旋转对称。采用上述设计，其可通过搅动装置的位置设置使得各个位置的单晶硅均可收到气流影响。
本实施例其余特征与优点均与实施例1相同。
Claims (5)
1.一种可改善加工精度的传感器单晶硅刻蚀装置，其包括有反应室，反应室的上端部设置有送气管道，其连接至设置在反应室外部的气源室，反应室的下端部设置有抽气管道，其连接至设置在反应室外部的真空泵；所述反应室的轴线位置设置有片架，其连接至设置在反应室外部的片架旋转机构；所述反应室外侧设置有电磁线圈；其特征在于，所述片架由有多个在水平方向上延伸的置放板件堆叠而成，每一个置放板件均采用环形结构；所述反应室中，送气管道的端部位置设置有导流板，其包括有连接至反应室侧端面，且沿水平方向进行延伸的连接部分，其采用环形结构，连接部分位于片架上方，且其内径小于片架中置放板件的内径；所述连接部分的内侧边部设置有沿竖直方向向下延伸至置放板件内侧的导流部分，所述连接部分与导流部分之上分别设置有多个导流孔，所述导流部分中，任意两个相邻的置放板件之间的对应位置之上均设置有一组导流孔，每组导流孔分别包括有4个导流孔，其关于置放板件的轴线成旋转对称，所述导流部分中，每一个导流孔均采用弧形结构，每个导流孔的弧长为导流部分直径的1/6。
2.按照权利要求1所述的可改善加工精度的传感器单晶硅刻蚀装置，其特征在于，所述导流板中，导流部分的高度与片架高度相同。
3.按照权利要求1所述的可改善加工精度的传感器单晶硅刻蚀装置，其特征在于，所述反应室中，其侧端面设置有多个搅动装置，每一个搅动装置均包括有搅动轴，其连接至设置在反应室外部的搅动电机，搅动轴之上设置有搅动叶片。
4.按照权利要求3所述的可改善加工精度的传感器单晶硅刻蚀装置，其特征在于，每一个搅动装置中，搅动叶片均采用斜桨式分布。
5.按照权利要求3所述的可改善加工精度的传感器单晶硅刻蚀装置，其特征在于，所述反应室中设置有至少2组搅动装置，其在高度方向上均匀分布；每组搅动装置分别包括有3个位于同一水平位置的搅动装置，其关于反应室的轴线成旋转对称。
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