CN109449073A - 一种反应均匀的传感器单晶硅刻蚀装置 - Google Patents

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Abstract

本发明是涉及传感器的技术领域，具体是涉及一种反应均匀的传感器单晶硅刻蚀装置，反应室的上端部设置有送气管道，其连接至设置在反应室外部的气源室，反应室的下端部设置有抽气管道，其连接至设置在反应室外部的真空泵；反应室的轴线位置设置有片架，其连接至设置在反应室外部的伺服电机的输出轴；反应室外侧设置有电磁线圈；反应室内壁固定连接有分气盒，分气盒上端固定连接有与分气盒连通的一组进气管，分气盒内壁均匀的开设有出汽孔；分气盒内壁上端固定连接有进气盒，进气盒与送气管道连通，进气盒上固定连接有与进气盒连通的若干组出气管，进气管与一组出气管连通，本发明具有使用方便、提高刻蚀效果等优点。

Description

一种反应均匀的传感器单晶硅刻蚀装置
技术领域
本发明是涉及传感器的技术领域，具体是涉及一种反应均匀的传感器单晶硅刻蚀装置。
背景技术
传感器用单晶硅在加工过程中，均需对其进行刻蚀处理；现有的刻蚀加工过程中，其往往通过将多个单晶硅叠放在片架之上，并通过向片架所在位置导入反应气体，并使得反应气体在电场环境下产生等离子体，以对单晶硅进行刻蚀；片架在刻蚀过程中通常需要进行旋转以增加单晶硅与等离子体的接触均度，然而现在的刻蚀过程中，由于通过一个送气通道和一个抽气通道进行送气和出气，在送气进入反应室时很难让反应室内的空间各个位置的气体均匀，这就会导致片架上的传感器单晶硅刻蚀不均匀，刻蚀完成后有些传感器单晶硅还未充分刻蚀的问题。
发明内容
鉴于以上所述现有技术的缺点，本发明的目的在于提供一种反应均匀的传感器单晶硅刻蚀装置，用于解决现有的传感器单晶硅刻蚀装置存在反应室内各个位置的反应气体的量不同造成反应不完全的问题。
为实现上述目的及其他相关目的，本发明公开了一种反应均匀的传感器单晶硅刻蚀装置，包括有反应室，反应室的上端部设置有送气管道，其连接至设置在反应室外部的气源室，反应室的下端部设置有抽气管道，其连接至设置在反应室外部的真空泵；所述反应室的轴线位置设置有片架，其连接至设置在反应室外部的伺服电机的输出轴；所述反应室外侧设置有电磁线圈；所述反应室内壁固定连接有分气盒，所述分气盒上端固定连接有与分气盒连通的一组进气管，所述分气盒内壁均匀的开设有出汽孔；所述分气盒内壁上端固定连接有进气盒，所述进气盒与送气管道连通，所述进气盒上固定连接有与进气盒连通的若干组出气管，所述进气管与一组出气管连通。
优选的：一组所述进气管构成一个圆形，且进气管构成的圆形与进气盒为同心圆。
优选的：所述进气盒上设置有至少两组出气管，且每组出气管构成半径不同的圆形，且每组出气管都与进气盒为同心圆。
优选的：所述进气管与进气盒上最靠近进气盒外壁的一组出气管连通。
优选的：所述反应室底部内壁固定连接有吸气盒，所述吸气盒与抽气通道连通，所述吸气盒下端均匀的开设有吸气孔。
优选的：所述吸气孔内壁与吸气头外壁固定连接并连通，所述吸气头上均匀的开设有吸气口。
优选的：所述吸气头有两个连通的圆柱形盒组成。
如上所述，本发明的一种反应均匀的传感器单晶硅刻蚀装置，具有以下有益效果：通过将送气管道内的反应气体送入进气盒，再通过进气盒上的出气管有效的将反应气体送入反应室，然后再通过出气管和进气管将部分反应气体送入分气盒，再由分气盒上的出气孔将部分反应气体均匀的送入反应室内片架的各个位置，使得片架处的反应气体分布更加均匀，有效的提高了反应的效果；通过吸气盒上的吸气孔和吸气头上吸气头，使得气体被均匀的吸出反应室，避免了吸气不均匀的问题。
附图说明
图1是本发明一种反应均匀的传感器单晶硅刻蚀装置的剖视图。
图2是本发明进气盒的俯视图。
图3是本发明分气盒的仰视图。
图4是本发明吸气头的主视图的放大图。
其中：反应室1、送气管道2、气源室3、抽气管道4、真空泵5、片架6、伺服电机7、电磁线圈8、分气盒9、出气孔91、进气管92、进气盒10、出气管11、吸气盒12、吸气孔13、吸气头14、吸气口15。
具体实施方式
以下由特定的具体实施例说明本发明的实施方式，熟悉此技术的人士可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本发明的其他优点及功效。
实施例1
如图1-4所示，本发明公开了一种反应均匀的传感器单晶硅刻蚀装置，包括有反应室1，反应室1的上端部设置有送气管道2，其连接至设置在反应室1外部的气源室3，反应室1的下端部设置有抽气管道4，其连接至设置在反应室外部的真空泵5；所述反应室1的轴线位置设置有片架6，其连接至设置在反应室1外部的伺服电机的输出轴7；所述反应室1外侧设置有电磁线圈8；所述反应室1内壁固定连接有分气盒9，所述分气盒9上端固定连接有与分气盒9连通的一组进气管92，所述分气盒9内壁均匀的开设有出汽孔91；所述分气盒9内壁上端固定连接有进气盒10，所述进气盒10与送气管道2连通，所述进气盒10上固定连接有与进气盒10连通的若干组出气管11，所述进气管92与一组出气管11连通。
优选的：一组所述进气管92构成一个圆形，且进气管92构成的圆形与进气盒10为同心圆。
优选的：所述进气盒10上设置有至少两组出气管11，且每组出气管11构成半径不同的圆形，且每组出气管11都与进气盒10为同心圆。
优选的：所述进气管92与进气盒10上最靠近进气盒10外壁的一组出气管11连通。
优选的：所述反应室1底部内壁固定连接有吸气盒12，所述吸气盒12与抽气通道4连通，所述吸气盒12下端均匀的开设有吸气孔13。
优选的：所述吸气孔13内壁与吸气头14外壁固定连接并连通，所述吸气头14上均匀的开设有吸气口15。
优选的：所述吸气头14有两个连通的圆柱形盒组成。
本发明是这样实施的：
根据【图1】、【图2】、【图3】、【图4】，反应气体从气源室3通过送气管道2进入进气盒10，由于分气盒9上端固定连接有与分气盒9连通的一组进气管92，进气盒10上固定连接有与进气盒10连通的若干组出气管11，进气管92与一组出气管11连通，因此进入进气盒10的气体会分成两部分，一部分气体直接由出气管11送入反应室1，另一部分气体通过进气管11进入分气盒9，再由分气盒9上均匀设置的出气孔91送入反应室1的各个位置，使得片架6处的反应气体均匀，使得刻蚀反应更加充分。
本发明的有益效果：
通过将送气管道2内的反应气体送入进气盒10，再通过进气盒10上的出气管11有效的将反应气体送入反应室1，然后再通过出气管11和进气管92将部分反应气体送入分气盒9，再由分气盒9上的出气孔92将部分反应气体均匀的送入反应室1内片架6的各个位置，使得片架6处的反应气体分布更加均匀，有效的提高了反应的效果；通过吸气盒12上的吸气孔13和吸气头14上吸气头，使得气体被均匀的吸出反应室1，避免了吸气不均匀的问题。
实施例二
作为进一步改进：一组所述进气管92构成一个圆形，且进气管92构成的圆形与进气盒10为同心圆。本实施例改进的优点：使得气体均匀的进入分气盒9内。
本实施例其余特征和优点与实施例一相同。
实施例三
作为进一步改进：所述进气盒10上设置有至少两组出气管11，且每组出气管11构成半径不同的圆形，且每组出气管11都与进气盒10为同心圆。本实施例改进的优点：使得进气盒10内的气体通过出气管11均匀的进入反应室1。
本实施例其余特征和优点与实施例二相同。
实施例四
作为进一步改进：所述进气管92与进气盒10上最靠近进气盒10外壁的一组出气管11连通。本实施例改进的优点：有利于反应气体快速进入分气盒9。
本实施例其余特征和优点与实施例三相同。
实施例五
作为进一步改进：所述反应室1底部内壁固定连接有吸气盒12，所述吸气盒12与抽气通道4连通，所述吸气盒12下端均匀的开设有吸气孔13。本实施例改进的优点：有利于气体均匀的被吸出反应室，防止气体吸收不均匀造成刻蚀效果变差。
本实施例其余特征和优点与实施例四相同。
实施例六
作为进一步改进：所述吸气孔13内壁与吸气头14外壁固定连接并连通，所述吸气头14上均匀的开设有吸气口15；所述吸气头14有两个连通的圆柱形盒组成。本实施例改进的优点：有利于气体均匀的被吸出反应室，防止气体吸收不均匀造成刻蚀效果变差。
本实施例其余特征和优点与实施例五相同。
最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本发明而并非限制本发明所描述的技术方案；因此，尽管本说明书参照上述的各个实施例对本发明已进行了详细的说明，但是，本领域的普通技术人员应当理解，仍然可以对本发明进行修改或等同替换；而一切不脱离本发明的精神和范围的技术方案及其改进，其均应涵盖在本发明的权利要求范围中。

Claims (7)

1.一种反应均匀的传感器单晶硅刻蚀装置，包括有反应室，反应室的上端部设置有送气管道，其连接至设置在反应室外部的气源室，反应室的下端部设置有抽气管道，其连接至设置在反应室外部的真空泵；所述反应室的轴线位置设置有片架，其连接至设置在反应室外部的伺服电机的输出轴；所述反应室外侧设置有电磁线圈；其特征在于：所述反应室内壁固定连接有分气盒，所述分气盒上端固定连接有与分气盒连通的一组进气管，所述分气盒内壁均匀的开设有出汽孔；所述分气盒内壁上端固定连接有进气盒，所述进气盒与送气管道连通，所述进气盒上固定连接有与进气盒连通的若干组出气管，所述进气管与一组出气管连通。
2.根据权利要求1所述的一种反应均匀的传感器单晶硅刻蚀装置，其特征在于：一组所述进气管构成一个圆形，且进气管构成的圆形与进气盒为同心圆。
3.根据权利要求2所述的一种反应均匀的传感器单晶硅刻蚀装置，其特征在于：所述进气盒上设置有至少两组出气管，且每组出气管构成半径不同的圆形，且每组出气管都与进气盒为同心圆。
4.根据权利要求3所述的一种反应均匀的传感器单晶硅刻蚀装置，其特征在于：所述进气管与进气盒上最靠近进气盒外壁的一组出气管连通。
5.根据权利要求4所述的一种反应均匀的传感器单晶硅刻蚀装置，其特征在于：所述反应室底部内壁固定连接有吸气盒，所述吸气盒与抽气通道连通，所述吸气盒下端均匀的开设有吸气孔。
6.根据权利要求5所述的一种反应均匀的传感器单晶硅刻蚀装置，其特征在于：所述吸气孔内壁与吸气头外壁固定连接并连通，所述吸气头上均匀的开设有吸气口。
7.根据权利要求6所述的一种反应均匀的传感器单晶硅刻蚀装置，其特征在于：所述吸气头有两个连通的圆柱形盒组成。
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