CN104966792B - 一种复合薄膜及制备方法、有机发光二极管及封装方法 - Google Patents

一种复合薄膜及制备方法、有机发光二极管及封装方法 Download PDF

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Abstract

本发明公开了一种复合薄膜及其制备方法,有机发光二极管及其封装方法。该复合薄膜包括:基底膜;PDDA层,PDDA层沉积在基底膜第一面;氧化石墨烯层,氧化石墨烯层沉积在PDDA层上;单分子层,单分子层自组装在氧化石墨烯层表面,单分子层由式I所示化合物组成。复合薄膜的制备方法包括自组装步骤:将沉积有氧化石墨烯层的基底膜置于式I所示化合物的溶液中浸泡,使式I所示化合物自组装在氧化石墨烯层上。根据本发明的有机发光二极管采用根据本发明的复合薄膜进行封装。根据本发明的有机发光二极管的封装方法包括沉积聚合物步骤和封装步骤。

Description

一种复合薄膜及制备方法、有机发光二极管及封装方法
技术领域
本发明涉及有机发光二极管封装领域,尤其涉及一种复合薄膜及其制备方法,以及有机发光二极管及其封装方法。
背景技术
水和氧是有机发光二极管的天敌,它们不仅可以打开聚合物的不饱和键使其中的有机材料加速老化,也会对有机发光二极管中的电极造成伤害。因此,对有机发光二极管的封装水平决定了其寿命和对环境的信赖性。
紫外封装是实验室比较常见的封装方法,成本低、操作简单,但紫外胶在固化时会接触到有机发光二极管,对其造成不良影响,不能用于实际产业中。
玻璃(Frit)封装法是一种通过玻璃粉固化将封装玻璃和基底连接的封装方法。但在该方法的玻璃粉固化的过程中会出现龟裂,空气会从裂缝中进入有机发光二极管从而影响其寿命。
传统薄膜封装法相对以上方法,可以应用于实际产业中,且不会有空气进入有机发光二极管中。但传统薄膜封装法必须先制备有机发光二极管,然后在有机发光二极管上沉积薄膜进行封装,不能将有机发光二极管和薄膜分开制备再将两者封装,制备工艺复杂且生产成本高。
因此希望提供一种能单独制备的用于封装有机发光二极管的复合薄膜及封装方法。
发明内容
本发明提供了一种薄膜及其制备方法、有机发光二极管及其制备方法,解决了现有技术中不能将有机发光二极管和薄膜分开制备的问题。
本发明提供了一种复合薄膜,该复合薄膜包括:
基底膜;
PDDA层,所述PDDA层沉积在所述基底膜第一面;
氧化石墨烯层,所述氧化石墨烯层沉积在所述PDDA层上;
单分子层,所述单分子层自组装在所述氧化石墨烯层表面,所述单分子层由式I所示化合物组成
可选地,根据本发明的复合薄膜,所述单分子层与所述氧化石墨烯层通过氢键连接。
可选地,根据本发明的复合薄膜,所述氢键通过式I所示化合物中的-NH2与氧化石墨烯层表面的-COOH和/或-OH产生。
可选地,根据本发明的复合薄膜,所述基底膜为PET膜。
可选地,根据本发明的复合薄膜,
包括至少三层所述PDDA层和至少三层所述氧化石墨烯层;
所述PDDA层和所述氧化石墨烯层交替沉积,且最后沉积层为氧化石墨烯层。
可选地,根据本发明的复合薄膜,所述基底膜第二面设置有用于触摸屏的发射电极和接收电极。
根据本发明的另一方面,提供了一种复合薄膜的制备方法,该制备方法包括自组装步骤:将沉积有氧化石墨烯层的基底膜置于式I所示化合物的溶液中浸泡,使式I所示化合物自组装在所述氧化石墨烯层上
可选地,根据本发明的制备方法,式I所示化合物的甲醇溶液浓度为3~5mg/ml。
可选地,根据本发明的制备方法,浸泡时间为90~150min。
可选地,根据本发明的制备方法,所述沉积有氧化石墨烯层的基底膜通过基底膜的预处理步骤和静电沉积步骤制成。
可选地,根据本发明的制备方法,所述基底膜的预处理步骤为将基底膜第一面进行氧等离子体照射,在所述基底膜的第一面产生负氧离子。
可选地,根据本发明的制备方法,所述静电沉积步骤为:
将预处理的基底膜置于PDDA电解质溶液进行沉积,然后置于氧化石墨烯的分散液中进行沉积;
循环进行上述沉积操作至在基底膜上至少沉积有三层PDDA层和三层氧化石墨烯层,且最后沉积层为氧化石墨烯层。
可选地,根据本发明的制备方法,在进行所述基底膜预处理步骤之前包括制备电极步骤:在所述基底膜的第二面制备用于触摸屏的发射电极和接收电极。
根据本发明的另一方面,提供了一种有机发光二极管,该有机发光二极管采用根据本发明的复合薄膜进行封装。
可选地,根据本发明的有机发光二极管,封装前在有机发光二极管表面沉积了一层聚合物。
可选地,根据本发明的有机发光二极管,所述聚合物含有活性H原子,所述活性H原子与根据本发明的复合薄膜式I所示化合物的-N3形成共价键。
根据本发明的另一方面,提供了一种有机发光二极管的封装方法,包括:
沉积聚合物步骤:在有机发光二极管表面沉积一层含有活性H原子的聚合物;
封装步骤:将根据本发明的复合薄膜与有机发光二极管贴合,通过一定方式激活式I所示化合物中的-N3基团,使-N3基团与所述活性H原子形成共价键,实现封装。
可选地,根据本发明的封装方法,所述一定方式包括压印、加热和紫外照射。
本发明的有益效果如下:
根据本发明制备方法得到的复合薄膜,可以与含有活性氢原子的聚合物层形成共价键进行化学连接使封装更加牢固,利用本发明的复合薄膜和本发明方法可以将薄膜的制备和发光二极管的制备分开进行,简化生产工艺。且封装后阻水阻氧效果良好,薄膜的透过率也能高达到90%以上。
附图说明
图1为氧化石墨烯分子结构图;
图2为根据本发明一种实施方式的PET膜前处理步骤示意图;
图3为根据本发明一种实施方式的静电沉积步骤示意图;
图4为根据本发明一种实施方式的自组装步骤示意图;
图5为根据本发明一种实施方式的封装后的有机发光二极管示意图;
图6为根据本发明一种实施方式的封装后的有机发光二极管示意图;
图7为根据本发明封装方法的封装原理示意图;
图8为用实施例1制备得到的复合薄膜封装后的发光二极管的透过率曲线;
图9为用实施例1制备得到的复合薄膜封装后的发光二极管与用PET膜封装后的发光二极管的水氧透过率曲线;
图10为用实施例1制备得到的复合薄膜封装后的发光二极管与用玻璃盖片封装的有机发光二极管的亮度衰减曲线。
具体实施方式
具体的实施方式仅为对本发明的说明,而不构成对本发明内容的限制,下面将结合附图和具体的实施方式对本发明进行进一步说明和描述。
根据本发明复合薄膜,该复合薄膜包括:基底膜;PDDA层,PDDA层沉积在基底膜第一面;氧化石墨烯层,氧化石墨烯层沉积在PDDA层上;单分子层,单分子层自组装在氧化石墨烯层表面,单分子层由式I所示化合物组成
根据本发明复合薄膜的单分子层式I所示化合物上的-N3基团可以与聚合物中的活性H原子形成共价键,因此其可以与含有活性氢原子的聚合物发生化学连接。因此,本发明的复合薄膜可以用于封装沉积含有活性氢原子的聚合物的有机发光二极管。其中PDDA层为邻苯二甲酸二乙二醇二丙烯酸酯。
根据本发明的一种实施方式,单分子层与氧化石墨烯层通过氢键连接。
根据本发明复合薄膜的实施方式,通过氢键使单分子层和氧化石墨烯层结合更加牢固。
根据本发明复合薄膜的一种实施方式,氢键通过式I所示化合物中的-NH2与氧化石墨烯层表面的-COOH和/或-OH产生。
根据本发明的实施方式,-NH2与氧化石墨烯层表面的-COOH和/或-OH连接产生的氢键结合力更加牢固。
根据本发明的复合薄膜的一种实施方式,基底膜为PET膜。
根据本发明的复合薄膜,优选PET(聚对苯二甲酸乙二醇酯)膜,也可以选用PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯)膜和PI(聚酰亚胺膜),可在选用的基底膜上沉积PDDA和氧化石墨烯。
根据本发明的复合薄膜的一种实施方式,
包括至少三层PDDA层和至少三层氧化石墨烯层;
PDDA层和氧化石墨烯层交替沉积,且最后沉积层为氧化石墨烯层。
由于石墨烯具有很好的阻水和阻氧性能,因此传统方法采用石墨烯作为封装材料,但是石墨烯的制备、加工、转移工艺复杂,不适合大量使用,更不适合工业化生产。在本申请中采用了氧化石墨烯作封装材料,氧化石墨烯层易于制备加工、适合工业化生产,但根据图1示出的氧化石墨烯的微碎片结构示意图可以看出,氧化石墨烯的主体虽依然保持着石墨烯的圆环结构,但由于其支链和侧链以及表面的基团存在可以渗透水分子和氧分子,造成氧化石墨烯阻水和阻氧性降低。在本申请中通过沉积多层氧化石墨烯,可以使氧化石墨烯层叠以弥合石墨烯支链和侧链形成的孔隙,提高薄膜阻水阻氧性能。根据本发明的实施方式,复合薄膜采用静电沉积的方式至少沉积三层以上的氧化石墨烯层以增强阻水和阻氧性能。
根据本发明的复合薄膜的一种实施方式,基底膜第二面设置有用于触摸屏的发射电极和接收电极。
根据本发明的复合薄膜,在基底膜第二面基底膜第二面设置有用于触摸屏的发射电极和接收电极,可以使该复合薄膜第一面用于封装发光二极管,第二面用于制备触摸屏。
根据本发明的另一方面,提供了一种复合薄膜的制备方法,该制备方法包括自组装步骤:将沉积有氧化石墨烯层的基底膜置于式I所示化合物的溶液中浸泡,使式I所示化合物自组装在氧化石墨烯层上。
根据图4示出的本发明复合薄膜的自组装步骤,将沉积有氧化石墨烯层的基底膜置于式I所示化合物的溶液中浸泡,使式I所示化合物自组装在氧化石墨烯层上,其中,式I所示的化合物与氧化石墨烯之间形成氢键,通过氢键使两者进行化学连接,并在单分子层的表面上布满了叠氮基团,可以与活性氢原子形成共价键。将自组装完成后的复合薄膜从溶液中取出放到甲醇中浸泡10分钟,用于溶解复合薄膜上过量的单分子层,然后将复合薄膜用氮气吹干,避光保存。
根据本发明的制备方法的一种实施方式,式I所示化合物的甲醇溶液浓度为3~5mg/ml。
根据本发明的制备方法,式I所示化合物的溶液浓度高于5mg/ml容易制备出多分子层;浓度低于3mg/ml不容易组装上式I所示化合物。
根据本发明制备方法的一种实施方式,浸泡时间为90~150min。
根据本发明的制备方法,浸泡时间低于90min不易组装上式I所示的化合物;浸泡时间高于150min,式I所示化合物和氧化石墨烯之间会变为物理连接而不是化学连接。
根据本发明的制备方法的一种实施方式,沉积有氧化石墨烯层的基底膜通过基底膜的预处理步骤和静电沉积步骤制成。
根据本发明的制备方法的一种实施方式,基底膜的预处理步骤为将基底膜第一面进行氧等离子体照射。
如图2所示,在基底膜的预处理步骤中,基底膜进行氧等离子体照射,形成负氧离子。在预处理步骤中,PET膜经传统基片清洗方法(用丙酮、甲醇和去离子水清洗)清洗后,用氧等离子体对PET膜的表面照射1min,使PET膜表面产生负氧离子,因此在静电沉积步骤可以沉积带有正电荷的化合物。
根据本发明制备方法的一种实施方式,静电沉积步骤为:
将预处理的基底膜置于PDDA电解质溶液进行沉积,然后置于氧化石墨烯的分散液中进行沉积;
循环进行上述沉积操作至在基底膜上至少沉积有三层PDDA层和三层氧化石墨烯层,且最后沉积层为氧化石墨烯层。
根据本发明的制备方法,在基底膜上依次循环沉积PDDA和氧化石墨烯,沉积多层氧化石墨烯可以增强氧化石墨烯的阻水、阻氧性能。根据图3示出的静电沉积步骤示意图,首先将经氧等离子体照射的PET膜浸泡在PDDA的电解质溶液中进行静电吸引,PDDA的电解质溶液的浓度优选5mg/mL,PDDA在水中电离后显正电性,经氧等离子体处理的PET膜表面具有负氧离子,因此可以在PET膜表面沉积一层很薄PDDA;将制作好PDDA层的PET膜从PDDA电解质溶液中取出,用氮气吹干后放入氧化石墨烯分散液中,氧化石墨烯分散液的溶剂为水和甲醇的混合溶剂,氧化石墨烯分散液的浓度为0.2mg/mL。分散后的氧化石墨烯中的羧基电离呈负电性,而PDDA薄膜呈正电性,因此,可以在PDDA层表面通过静电吸引制作一层氧化石墨烯层。且由于PDDA电解质溶液和石墨烯分散液的带电性质,可以进行多次沉积,以提高氧化石墨烯的阻水阻氧性能,但是为了在其上沉积单分子层,最后一层需要沉积上氧化石墨烯层。
根据本发明制备方法的一种实施方式,在进行基底膜预处理步骤之前包括制备电极步骤:在基底膜的第二面制备用于触摸屏的发射电极和接收电极。
根据本发明的制备方法,第二面可以用于触摸显示屏;因此可以集成触摸显示屏和封装于一体。
根据本发明的另一方面,提供了一种有机发光二极管,该有机发光二极管采用根据本发明的复合薄膜进行封装。
根据本发明的有机发光二极管,该发光二极管器件,用本发明的复合薄膜封装,没有采用无机材料,透过率在90%以上。复合薄膜和有机发光二极管可以分开制备,工艺简单。
根据本发明的有机发光二极管,封装前在有机发光二极管表面沉积了一层聚合物。
根据本发明的有机发光二极管,沉积了一层聚合物用于与复合薄膜的单分子层形成共价键进行化学连接。
根据本发明的有机发光二极管,聚合物含有活性H原子,活性H原子与本发明复合薄膜式I所示化合物的-N3形成共价键。
根据图5示出的有机发光二极管,可以看出,采用了本发明一种实施方式的复合薄膜对有机发光二级管进行了封装。根据图6示出的根据本发明的有机发光二级管,在采用根据本发明的薄膜进行封装后还可以在其上设置触摸显示屏。根据图7示出的本发明的有机发光二极管的封装原理可以看出,单分子层式I所示化合物与氧化石墨烯通过氢键进行连接,单分子层式I所示化合物与含有活性氢原子的聚合物通过共价键进行连接,从而实现封装,且封装后的阻水阻氧性能得到极大的提高,封装后的透过率也达到了90%以上。其中,在采用低温等离子增强化学气相沉积法(PECVD)沉积含有活性氢原子的聚合物时,聚合物选用含硅的聚合物;在采用喷墨打印法(IJP)沉积含有活性氢原子的聚合物时,选用亚克力类聚合物;沉积的聚合物层为1~5um,优选3um。
根据本发明的另一方面,有机发光二极管的封装方法,包括:
沉积聚合物步骤:在发光二极管表面沉积一层含有活性H原子的聚合物;
封装步骤:将本发明的复合薄膜与有机发光二极管贴合,通过一定方式激活式I所示化合物中的-N3基团,使-N3基团与活性H原子形成共价键,实现封装。
根据本发明的封装方法,聚合物和复合薄膜,通过-N3激活后和活性氢生成共价键结合。薄膜和有机发光二极管的制备是分离的,减少了蒸镀次数,只需在有机发光二极管制备完成后,在外表面制作一层聚合物材料即可(也可以先制备一层氮化硅层再制备一层聚合物材料),生产工艺简单,节约时间和成本。然后将复合薄膜与上述制作了聚合物材料的有机发光二极管相互贴合,最好使用纳米压印机进行贴合,压力优选500psi、温度优选80℃(不能大于有机发光二极管中的任何材料的玻璃化温度Tg)、压印优选30分钟,激活式I所示化合物中的叠氮基团,使其与有机发光二极管表面聚合物上的活性氢原子反应形成共价键。
根据本发明的封装方法的一种实施方式,一定方式包括压印、加热和紫外照射。
根据器件结构选用不同的方式,可以选择压印、加热的方式,也可以选择紫外光激活叠氮的方式。当有机发光二极管为底发射结构时,可选择压印或加热的方式激活叠氮基团,也可以选择紫外光照射法;但当有机发光二极管为顶发射结构时,只能选择压印或加热的方式。
综上,根据本发明的复合薄膜及其制备方法,有机发光二极管及其制备方法可选因素较多,根据权利要求可以组合出不同的实施例,因此,实施例仅作为对本发明的说明而不是对本发明的限制。下面将结合实施例对本发明进行进一步地说明,实施例1~6为关于复合薄膜制备方法的实施例。
实施例1
根据本发明复合薄膜的制备方法,选用PET膜为基底膜,首先进行基底膜预处理步骤:将基底膜第一面进行氧等离子体照射,使基底膜第一面产生负氧离子;然后进行静电沉积步骤:将预处理后的PET膜置于PDDA电解质溶液进行沉积,将沉积了PDDA层的PET膜置于氧化石墨烯的分散液中进行沉积,循环进行上述沉积操作至在基底膜上沉积有三层PDDA层和三层氧化石墨烯层,且最后沉积层为氧化石墨烯层;最后进行自组装步骤:将沉积有氧化石墨烯层的PET膜置于式I所示化合物的溶液中浸泡,使式I所示化合物自组装在氧化石墨烯层上,式I所示化合物的甲醇溶液浓度为3mg/ml,浸泡时间为90min,至此自组装步骤结束,复合薄膜的制备完成。
实施例2
根据本发明复合薄膜的制备方法,基底膜为PET膜,首先进行基底膜预处理步骤:将PET膜第一面进行氧等离子体照射,使基底膜第一面产生负氧离子;然后进行静电沉积步骤:将预处理后的的PET膜置于PDDA电解质溶液进行沉积,将沉积了PDDA层的PET膜置于氧化石墨烯的分散液中进行沉积,循环进行上述沉积操作至在基底膜上沉积有四层PDDA层和四层氧化石墨烯层,且最后沉积层为氧化石墨烯层;最后进行自组装步骤:将沉积有氧化石墨烯层的PET膜置于式I所示化合物的溶液中浸泡,使式I所示化合物自组装在氧化石墨烯层上,式I所示化合物的甲醇溶液浓度为5mg/ml,浸泡时间为150min,至此自组装步骤结束,复合薄膜的制备完成。
实施例3
根据本发明复合薄膜的制备方法,基底膜为PET膜,首先进行基底膜预处理步骤:将PET膜第一面进行氧等离子体照射,使基底膜第一面产生负氧离子;然后进行静电沉积步骤:将预处理后的PET膜置于PDDA电解质溶液进行沉积,将沉积了PDDA层的PET膜置于氧化石墨烯的分散液中进行沉积,循环进行上述沉积操作至在基底膜上沉积有五层PDDA层和五层氧化石墨烯层,且最后沉积层为氧化石墨烯层;最后进行自组装步骤:将沉积有氧化石墨烯层的PET膜置于式I所示化合物的溶液中浸泡,使式I所示化合物自组装在氧化石墨烯层上,式I所示化合物的甲醇溶液浓度为4mg/ml,浸泡时间为100min,至此自组装步骤结束,复合薄膜的制备完成。
实施例4
根据本发明复合薄膜的制备方法,基底膜为PET膜,首先进行基底膜预处理步骤:将PET膜第一面进行氧等离子体照射,使基底膜第一面产生负氧离子;然后进行静电沉积步骤:将预处理后的的PET膜置于PDDA电解质溶液进行沉积,将沉积了PDDA层的PET膜置于氧化石墨烯的分散液中进行沉积,循环进行上述沉积操作至在基底膜上沉积有六层PDDA层和六层氧化石墨烯层,且最后沉积层为氧化石墨烯层;最后进行自组装步骤:将沉积有氧化石墨烯层的PET膜置于式I所示化合物的溶液中浸泡,使式I所示化合物自组装在氧化石墨烯层上,式I所示化合物的甲醇溶液浓度为4mg/ml,浸泡时间为120min,至此自组装步骤结束,复合薄膜的制备完成。
实施例5
根据本发明复合薄膜的制备方法,首先进行制备电极步骤:在基底膜的第二面制备用于触摸屏的发射电极和接收电极;然后进行基底膜预处理步骤:将基底膜第一面进行氧等离子体照射,使基底膜第一面产生负氧离子;之后进行静电沉积步骤:将预处理后的的PET膜置于PDDA电解质溶液进行沉积,将沉积了PDDA层的PET膜置于氧化石墨烯的分散液中进行沉积,循环进行上述沉积操作至在基底膜上沉积有四层PDDA层和四层氧化石墨烯层,且最后沉积层为氧化石墨烯层;最后进行自组装步骤:将沉积有氧化石墨烯层的PET膜置于式I所示化合物的溶液中浸泡,使式I所示化合物自组装在氧化石墨烯层上,式I所示化合物的甲醇溶液浓度为4mg/ml,浸泡时间为100min,至此自组装步骤结束,复合薄膜的制备完成。
实施例6
根据本发明复合薄膜的制备方法,首先进行制备电极步骤:在基底膜的第二面制备用于触摸屏的发射电极和接收电极;然后进行基底膜预处理步骤:将基底膜第一面进行氧等离子体照射,使基底膜第一面产生负氧离子;之后进行静电沉积步骤:将预处理后的的PET膜置于PDDA电解质溶液进行沉积,将沉积了PDDA层的PET膜置于氧化石墨烯的分散液中进行沉积,循环进行上述沉积操作至在基底膜上沉积有六层PDDA层和六层氧化石墨烯层,且最后沉积层为氧化石墨烯层;最后进行自组装步骤:将沉积有氧化石墨烯层的PET膜置于式I所示化合物的溶液中浸泡,使式I所示化合物自组装在氧化石墨烯层上,式I所示化合物的甲醇溶液浓度为3mg/ml,浸泡时间为130min,至此自组装步骤结束,复合薄膜的制备完成。
实施例1-4均制备出了用于封装沉积了含有活性氢原子聚合物的有机发光二极管的复合薄膜;实施例5~6制备出了可以用于封装沉积了含有活性氢原子聚合物的有机发光二极管的薄膜,且封装后的另一面还可以集成触摸显示屏。
根据本发明有机发光二极管的封装方法,将实施例1~4制备得到的复合薄膜用于发光二极管的封装。该封装方法包括:沉积聚合物步骤:在有机发光二极管表面沉积一层含有活性H原子的聚合物;封装步骤:将实施例1~6制备得到的复合薄膜与有机发光二极管贴合,通过压印、加热和紫外照射激活式I所示化合物中的-N3基团,使-N3基团与活性H原子形成共价键,实现封装。
利用根据本发明的制备方法制备得到的复合薄膜进行有机发光二极管的封装。可以实现有机发光二极管和复合薄膜的分别制备,减少生产步骤,降低生产成本,易于实现工业化,克服了传统方法中在封装二极管时为了沉积薄膜而将有机发光二极管置于溶液中,损害有机发光二极管的性能;用本发明的复合薄膜进行封装,透过率可以达到90%以上;且利用本发明的复合薄膜封装后由于单分子层对氧化石墨烯和聚合物层进行化学连接,结合牢固,同时提高了阻水和阻氧性能。
申请人用分光光度计对用实施例1制备得到的复合薄膜(薄膜厚度约250um)的透过率进行了测试,测试结果如图8所示,通过图8可以看出,该薄膜在不同波长下测试得到的透过率均在90%以上。
申请人将实施例1制备得到的复合薄膜(薄膜厚度约250um)和PET膜采用钙镜法进行了水氧透过率检测,即将薄膜用环氧树脂胶固定在钙镜测试设备上,在水汽和氧气的环境中测试钙电阻的变化,电阻变化越快,则说明钙被腐蚀的越快,封装效果越差。测试结果如图9所示,其中R表示发光二极管的初始电阻,R’为透过水氧后的发光二极管的电阻,R/R’为电阻变化率,曲线a为PET膜的水氧透过率曲线,曲线b为实施例1制备得到的复合薄膜的水氧透过率曲线,根据图9可以看出,曲线a在20小时内,R’急剧增大,线b在90个小时内电阻变化不大,因此可以看出实施例1制备得到的复合薄膜的阻水阻氧性能良好,封装效果好。
申请人对用实施例1制备得到的复合薄膜(薄膜厚度约250um)封装的发光二极管和用玻璃盖片封装的发光二极管,进行了亮度衰减测试,测试结果如图10所示,其中,曲线c为用玻璃盖片封装的发光二极管的亮度衰减曲线,曲线d为用实施例1制备得到的复合薄膜封装的发光二极管的亮度衰减曲线,由图10可以看出,用实施例1制备得到的复合薄膜封装的发光二极管的亮度衰减速度略慢于用玻璃盖片封装的发光二极管的亮度衰减。
显然,本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样,倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内,则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (16)

1.一种复合薄膜,其特征在于,该复合薄膜包括:
基底膜;
PDDA层,所述PDDA层沉积在所述基底膜第一面;
氧化石墨烯层,所述氧化石墨烯层沉积在所述PDDA层上;
单分子层,所述单分子层自组装在所述氧化石墨烯层表面,所述单分子层由式I所示化合物组成
2.如权利要求1所述的复合薄膜,其特征在于,所述单分子层与所述氧化石墨烯层通过氢键连接。
3.如权利要求2所述的复合薄膜,其特征在于,所述氢键通过式I所示化合物中的-NH2与氧化石墨烯层表面的-COOH和/或-OH产生。
4.如权利要求1所述的复合薄膜,其特征在于,所述基底膜为PET膜。
5.如权利要求4所述的复合薄膜,其特征在于,
包括至少三层所述PDDA层和至少三层所述氧化石墨烯层;
所述PDDA层和所述氧化石墨烯层交替沉积,且最后沉积层为氧化石墨烯层。
6.如权利要求5所述的复合薄膜,其特征在于,所述基底膜第二面设置有用于触摸屏的发射电极和接收电极。
7.一种复合薄膜的制备方法,其特征在于,该制备方法包括自组装步骤:
将沉积有氧化石墨烯层的基底膜置于式I所示化合物的溶液中浸泡,使式I所示化合物自组装在所述氧化石墨烯层上
8.如权利要求7所述的制备方法,其特征在于,式I所示化合物的甲醇溶液浓度为3~5mg/ml。
9.如权利要求7所述的制备方法,其特征在于,浸泡时间为90~150min。
10.如权利要求7~9任一所述的制备方法,其特征在于,所述沉积有氧化石墨烯层的基底膜通过基底膜预处理步骤和静电沉积步骤制成。
11.如权利要求10所述的制备方法,其特征在于,所述基底膜的预处理步骤为将基底膜第一面进行氧等离子体照射,在所述基底膜的第一面产生负氧离子。
12.如权利要求11所述的制备方法,其特征在于,所述静电沉积步骤为:
将预处理的基底膜置于PDDA电解质溶液进行沉积,然后置于氧化石墨烯的分散液中进行沉积;
循环进行上述沉积操作至在基底膜上至少沉积有三层PDDA层和三层氧化石墨烯层,且最后沉积层为氧化石墨烯层。
13.如权利要求10所述制备方法,其特征在于,在进行所述基底膜预处理步骤之前包括制备电极步骤:在所述基底膜的第二面制备用于触摸屏的发射电极和接收电极。
14.一种有机发光二极管,其特征在于,该有机发光二极管采用权利要求1~6任一所述复合薄膜进行封装,其中,封装前在有机发光二极管表面沉积了一层聚合物,所述聚合物含有活性H原子,所述活性H原子与权利要求1~6任一所述复合薄膜中式I所示化合物的-N3形成共价键。
15.一种有机发光二极管的封装方法,其特征在于,包括:
沉积聚合物步骤:在有机发光二极管表面沉积一层含有活性H原子的聚合物;
封装步骤:将权利要求1~6任一所述复合薄膜与有机发光二极管贴合,通过一定方式激活式I所示化合物中的-N3基团,使-N3基团与所述活性H原子形成共价键,实现封装。
16.如权利要求15所述的封装方法,其特征在于,所述一定方式包括压印、加热和紫外照射。
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CN106816512B (zh) * 2017-03-03 2019-06-21 京东方科技集团股份有限公司 一种发光二极管显示基板及其制作方法、显示器
CN109920934B (zh) * 2019-03-11 2021-08-06 江苏斯迪克新材料科技股份有限公司 柔性oled显示用高阻隔高导热封装结构及其制备方法
CN114850010B (zh) * 2022-05-17 2023-08-04 伊诺福科光学技术有限公司 石墨烯超材料三维保形涂层的制备方法及三维保形涂层

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7166327B2 (en) * 2003-03-21 2007-01-23 International Business Machines Corporation Method of preparing a conjugated molecular assembly
US20100173134A1 (en) * 2008-06-26 2010-07-08 Carben Semicon Limited Film and Device Using Layer Based on Ribtan Material
KR101218651B1 (ko) * 2011-12-30 2013-01-21 한국과학기술원 유기 전계 발광 소자 및 그 제조 방법
CN102627003A (zh) * 2012-02-13 2012-08-08 京东方科技集团股份有限公司 一种静电保护膜、显示装置和静电保护膜的制备方法
KR20140106844A (ko) * 2013-02-27 2014-09-04 노재상 산화 그래핀 또는 환원된 산화 그래핀으로 이루어진 박편층을 포함하는 봉지막 및 그의 형성 방법
CN103682054B (zh) * 2013-12-23 2016-05-04 福州大学 一种基于石墨烯的柔性光电器件封装方法

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