CN104966730A - 肖特基势垒高电流密度igbt器件 - Google Patents
肖特基势垒高电流密度igbt器件 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104966730A CN104966730A CN201510245854.0A CN201510245854A CN104966730A CN 104966730 A CN104966730 A CN 104966730A CN 201510245854 A CN201510245854 A CN 201510245854A CN 104966730 A CN104966730 A CN 104966730A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- region
- type
- schottky barrier
- igbt device
- district
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 title claims abstract description 43
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 claims abstract description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 30
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 30
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 13
- 230000005684 electric field Effects 0.000 claims description 10
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 6
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 6
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 3
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical group [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 10
- 230000008901 benefit Effects 0.000 abstract description 7
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 230000001413 cellular effect Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 3
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 description 2
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000004134 energy conservation Methods 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000005272 metallurgy Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 230000004044 response Effects 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/70—Bipolar devices
- H01L29/72—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals
- H01L29/739—Transistor-type devices, i.e. able to continuously respond to applied control signals controlled by field-effect, e.g. bipolar static induction transistors [BSIT]
- H01L29/7393—Insulated gate bipolar mode transistors, i.e. IGBT; IGT; COMFET
- H01L29/7395—Vertical transistors, e.g. vertical IGBT
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/08—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions with semiconductor regions connected to an electrode carrying current to be rectified, amplified or switched and such electrode being part of a semiconductor device which comprises three or more electrodes
- H01L29/0804—Emitter regions of bipolar transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66234—Bipolar junction transistors [BJT]
- H01L29/66325—Bipolar junction transistors [BJT] controlled by field-effect, e.g. insulated gate bipolar transistors [IGBT]
- H01L29/66333—Vertical insulated gate bipolar transistors
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Bipolar Transistors (AREA)
Abstract
本发明公开了一种肖特基势垒高电流密度IGBT器件，包括：P型基区、多晶硅栅极区、与P型基区下表面接触的N-型掺杂漂移区及与N-型掺杂漂移区下表面接触的第一器件，还包括：与P型基区上表面接触的肖特基势垒区和N+型掺杂源区；与肖特基势垒区和N+型掺杂源区上表面均接触的发射极金属区；多晶硅栅极区与N-型掺杂漂移区、P型基区、N+型掺杂源区和发射极金属区之间具有栅极氧化层。该器件能够在保持IGBT高工作电压，简单门极电压控制，良好的开关可控性和安全工作区以及简单的短路保护措施等方面优点的基础上大幅度提高IGBT的电流密度，增强IGBT电导调制效应，提高电流导通能力，降低导通损耗。
Description
技术领域
本发明涉及大功率电力半导体器件技术领域，特别涉及一种肖特基势垒高电流密度绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate BipolarTransistor，简称IGBT)器件。
背景技术
大功率电力半导体开关器件在工业电机节能、新能源发电、输变电、电能质量，轨道交通、冶金、化工、新能源汽车及国防等战略性产业领域正面临着前所未有的机遇和挑战，是建设资源节约型和环境友好型社会不可缺少的关键技术。对晶闸管和绝缘栅双极型晶体管IGBT等大功率电力半导体开关器件的性能要求一般包括：高电压(1200至10000伏特)，大电流(150至5000安培)，低导通及开关功耗，良好的开关可控性，较大的安全工作区，良好的扛冲击能力和长期可靠性。而现有的大功率电力半导体开关器件存在以下不足：
1、大功率晶闸管，包括门极关断晶闸管(Gate-Turn-OffThyristor，简称GTO)一般能够提供高电压，大电流，低导通功耗，良好的导热性能及耐热冲击能力。但是晶闸管的缺点在于有限的开关可控性和安全工作区，较大的开关功耗，以及复杂的短路保护电路要求，其换流技术普遍存在开关频率低、谐波高、体积大、动态响应差、容易产生换相失误等缺点。晶闸管的这些缺点限制了大容量电力电子换流器设计的效率，工作频率，体积及成本。
2、集成门极换流晶闸管(Integrated Gate Commutated Thyristors，简称IGCT)在GTO的基础上增加了集成门极换流电路，在保持晶闸管的高电压，大电流，低导通功耗，良好的导热性能及耐热冲击能力的同时，改善了器件的安全工作区，提高了系统的工作频率。但是IGCT仍存在着晶闸管有限的开关可控性、开关频率低和复杂的短路保护电路等弱点，另外IGCT集成门极换流电路增加了制造成本。
3、绝缘栅双极型晶体管IGBT是国际上公认的电力电子技术第三次革命的最具代表性的产品，是目前电力电子技术领域中最具有优势的功率器件之一。IGBT能够提供高工作电压，低开关功耗，简单的门极电压控制，良好的开关可控性和安全工作区以及简单的短路保护措施等优点，因而广泛的应用于高频中小容量的电力电子系统。典型的IGBT集成了双极性晶体管(Bipolar Junction Transistor，简称BJT)和金属氧化物半导体场效应管(Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect Transistor，简称MOSFET)的电导调制效应和场控开关的优势，但是其中的BJT组成部分的分流作用引起IGBT的电导调制效应大为减弱，从而导致其电流密度和饱和压降仍然远逊于晶闸管和IGCT。
近年来，包括碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)和人造金刚石在内的宽禁带电力半导体器件成为国内外研究的热点，由于受材料缺陷和工艺的限制可控宽禁带半导体器件的研究目前仍处于小电流密度概念性器件的试验阶段。因此，充分发挥新型结构器件在硅和碳化硅等大容量电力电子应用领域的潜力仍是一个具有重要意义的课题。
鉴于此，如何在保持IGBT高工作电压，简单门极电压控制，良好的开关可控性和安全工作区以及简单的短路保护措施等方面优点的基础上提高IGBT的电流密度，增强IGBT电导调制效应，提高电流导通能力成为目前需要解决的技术问题。
发明内容
针对现有技术中的缺陷，本发明提供了一种肖特基势垒高电流密度IGBT器件，能够在保持IGBT高工作电压，简单门极电压控制，良好的开关可控性和安全工作区以及简单的短路保护措施等方面优点的基础上提高IGBT的电流密度，增强IGBT电导调制效应，提高电流导通能力。
第一方面，本发明提供一种肖特基势垒高电流密度IGBT器件，包括：P型基区、多晶硅栅极区、与所述P型基区的下表面接触的N-型掺杂漂移区及与所述N-型掺杂漂移区的下表面接触的第一器件，其特征在于，还包括：
与所述P型基区的上表面接触的肖特基势垒区和N+型掺杂源区；
与所述肖特基势垒区和N+型掺杂源区的上表面均接触的发射极金属区；
所述多晶硅栅极区与所述N-型掺杂漂移区、所述P型基区、所述N+型掺杂源区和所述发射极金属区之间具有栅极氧化层。
可选的，所述第一器件包括：
与所述N-型掺杂漂移区的下表面接触的N型掺杂电场截止区；
与所述N型掺杂电场截止区的下表面接触的P+型集电区；
与所述P+型集电区的下表面接触的集电极金属区。
可选的，所述发射极金属区和所述集电极金属区的材料为铝、或者铜。
可选的，所述发射极金属区和所述集电极金属区的材料为合金。
可选的，所述栅极氧化层为氧化硅层
可选的，所述肖特基势垒区为轻掺杂N型区。
可选的，所述肖特基势垒高电流密度IGBT器件的半导体材料为硅、或者碳化硅。
可选的，所述肖特基势垒高电流密度IGBT器件的半导体材料为砷化镓或者氮化镓。
本发明提供的肖特基势垒高电流密度IGBT器件，利用肖特基势垒具有阻挡空穴载流子流向发射极金属的原理增大IGBT器件电导调制区的载流子浓度，从而增强电导调制效应和降低饱和压降，因此这种器件能够在保持IGBT高工作电压，简单门极电压控制，良好的开关可控性和安全工作区以及简单的短路保护措施等方面优点的基础上大幅度提高IGBT的电流密度，增强IGBT电导调制效应，提高电流导通能力，降低导通损耗。
附图说明
图1为现有技术中的典型IGBT器件的二位剖面元胞结构示意图；
图2为本发明一实施例提供的肖特基势垒高电流密度IGBT器件的二位剖面元胞结构示意图；
图3为本发明一实施例提供的肖特基势垒高电流密度IGBT器件的立体元胞结构示意图；
附图标记：
1、发射极金属区；2、肖特基势垒区；2’、P+型区；3、N+型掺杂源区；4、多晶硅栅极区；5、P型基区；6、栅极氧化层；7、N-型掺杂漂移区；8、N型掺杂电场截止区；9、P+型集电区；10、集电极金属区。
具体实施方式
下面结合附图和实施例，对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。
公知的IGBT器件通常由成千上万个IGBT单元并联而成，其中每个元胞的发射极，门极和集电极都通过金属或多晶硅膜分别连接在一起。每个IGBT器件沿其四周边缘的芯片面积被用做边缘电场中止区，以保证器件的击穿电压。
图1示出了现有技术中的典型IGBT器件的二位剖面元胞结构示意图，如图1所示，所述典型IGBT器件，包括：发射极金属区1，P+型区2’，N+型掺杂源区3，多晶硅栅极区4，P型基区5，栅极氧化层6，N-型掺杂漂移区7，N型掺杂电场截止区8，P+型集电区9，集电极金属区10；
P+型区2’和N+型掺杂源区3与P型基区5的上表面接触，发射极金属区1与P+型区2’和N+型掺杂源区3的上表面均接触，N-型掺杂漂移区7与P型基区5的下表面接触，N型掺杂电场截止区8与N-型掺杂漂移区7的下表面接触，P+型集电区9与N型掺杂电场截止区8的下表面接触，集电极金属区10与P+型集电区9的下表面接触，栅极氧化层6位于多晶硅栅极区4与N-型掺杂漂移区7、P型基区5、N+型掺杂源区3和发射极金属区1之间。
图2示出了本发明一实施例提供的肖特基势垒高电流密度IGBT器件的二位剖面元胞结构示意图，图3示出了本发明一实施例提供的肖特基势垒高电流密度IGBT器件的立体元胞结构示意图，如图2及图3所示，本发明实施例提供的肖特基势垒高电流密度IGBT器件，包括：P型基区5、多晶硅栅极区4、与所述P型基区5的下表面接触的N-型掺杂漂移区7以及与所述N-型掺杂漂移区7的下表面接触的第一器件，其特征在于，还包括：
与所述P型基区5的上表面接触的肖特基势垒区2和N+型掺杂源区3；
与所述肖特基势垒区2和N+型掺杂源区3的上表面均接触的发射极金属区1；
所述多晶硅栅极区4与所述N-型掺杂漂移区7、所述P型基区5、所述N+型掺杂源区3和所述发射极金属区1之间具有栅极氧化层6。
在具体应用中，本实施例所述第一器件包括：
与所述N-型掺杂漂移区7的下表面接触的N型掺杂电场截止(Field Stop，简称FS)区8；
与所述N型掺杂电场截止FS区8的下表面接触的P+型集电区9；
与所述P+型集电区9的下表面接触的集电极金属区10。
在具体应用中，举例来说，本实施例所述发射极金属区1和所述集电极金属区10的材料可以为铝、铜、或者其他合金等。
在具体应用中，举例来说，本实施例所述所述栅极氧化层可以优选为氧化硅层。
在具体应用中，本实施例所述肖特基势垒高电流密度IGBT器件的半导体材料可以为硅、碳化硅、砷化镓或者氮化镓等。
本发明实施例与典型IGBT器件的不同之处在于，本实施例所述肖特基势垒高电流密度IGBT器件元胞结构包括肖特基势垒区2，在具体应用中，所述肖特基势垒区2为轻掺杂N型区，而如图1所示的典型IGBT器件元胞结构在该处是P+型区2’，其它完全相同，但其导电机制有本质的区别，本发明实施例的肖特基势垒区2的作用为：提高势垒区的电势阻止空穴电流传导；而图1所示的典型IGBT器件的P+型区2’的作用为：降低该基区的电势以加快空穴电流传导。
应说明的是，本发明实施例的二维或三维的肖特基势垒高电流密度IGBT器件肖特基势垒IGBT器件，在二维元胞结构上，其有源区由发射极金属区，肖特基势垒区，N+型掺杂源区，多晶硅栅极，P型基区和栅极氧化层组成。在三维元胞结构上，其元胞结构有源区可与二维相同，也可为降低IGBT器件电流密度而采用肖特基区与典型IGBT器件P+短路区重复相间的元胞结构。
本发明实施例的肖特基势垒高电流密度IGBT器件，利用肖特基势垒具有阻挡空穴载流子流向发射极金属的原理增大IGBT器件电导调制区的载流子浓度，从而增强电导调制效应和降低饱和压降，因此这种器件能大幅度提高电流密度和降低导通损耗。此设计通过PN结内建电势穿通轻掺杂半导体将P基区与发射极短路以避免P基区悬浮。
本发明实施例的肖特基势垒高电流密度IGBT器件，能够在保持IGBT高工作电压，简单门极电压控制，良好的开关可控性和安全工作区以及简单的短路保护措施等方面优点的基础上，结合晶闸管高电压，大电流，低导通功耗和耐冲击能力，提高IGBT器件的长期可靠性，实现经济和效果上的最优，提高IGBT的电流密度，增强IGBT电导调制效应，提高电流导通能力，为大容量电力电子换流系统的改善与革新提供了可能性。
最后应说明的是：以上各实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述各实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分或者全部技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明的权利要求保护的范围。
Claims (8)
1.一种肖特基势垒高电流密度IGBT器件，包括：P型基区、多晶硅栅极区、与所述P型基区的下表面接触的N-型掺杂漂移区及与所述N-型掺杂漂移区的下表面接触的第一器件，其特征在于，还包括：
与所述P型基区的上表面接触的肖特基势垒区和N+型掺杂源区；
与所述肖特基势垒区和N+型掺杂源区的上表面均接触的发射极金属区；
所述多晶硅栅极区与所述N-型掺杂漂移区、所述P型基区、所述N+型掺杂源区和所述发射极金属区之间具有栅极氧化层。
2.根据权利要求1所述的IGBT器件，其特征在于，所述第一器件包括：
与所述N-型掺杂漂移区的下表面接触的N型掺杂电场截止区；
与所述N型掺杂电场截止区的下表面接触的P+型集电区；
与所述P+型集电区的下表面接触的集电极金属区。
3.根据权利要求2所述的IGBT器件，其特征在于，所述发射极金属区和所述集电极金属区的材料为铝、或者铜。
4.根据权利要求2所述的IGBT器件，其特征在于，所述发射极金属区和所述集电极金属区的材料为合金。
5.根据权利要求2所述的IGBT器件，其特征在于，所述栅极氧化层为氧化硅层。
6.根据权利要求1所述的IGBT器件，其特征在于，所述肖特基势垒区为轻掺杂N型区。
7.根据权利要求1所述的IGBT器件，其特征在于，所述肖特基势垒高电流密度IGBT器件的半导体材料为硅、或者碳化硅。
8.根据权利要求1所述的IGBT器件，其特征在于，所述肖特 基势垒高电流密度IGBT器件的半导体材料为砷化镓或者氮化镓。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510245854.0A CN104966730B (zh) | 2015-05-14 | 2015-05-14 | 肖特基势垒高电流密度igbt器件 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510245854.0A CN104966730B (zh) | 2015-05-14 | 2015-05-14 | 肖特基势垒高电流密度igbt器件 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN104966730A true CN104966730A (zh) | 2015-10-07 |
| CN104966730B CN104966730B (zh) | 2018-01-12 |
Family
ID=54220745
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201510245854.0A Active CN104966730B (zh) | 2015-05-14 | 2015-05-14 | 肖特基势垒高电流密度igbt器件 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN104966730B (zh) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20070170549A1 (en) * | 2006-01-10 | 2007-07-26 | Denso Corporation | Semiconductor device having IGBT and diode |
| CN102544100A (zh) * | 2010-12-14 | 2012-07-04 | 万国半导体股份有限公司 | 带有集成二极管的自对准沟槽mosfet |
| US20150014743A1 (en) * | 2013-07-15 | 2015-01-15 | Infineon Technoloiges Ag | IGBT with Emitter Electrode Electrically Connected with an Impurity Zone |
| WO2015029116A1 (ja) * | 2013-08-26 | 2015-03-05 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置 |
-
2015
- 2015-05-14 CN CN201510245854.0A patent/CN104966730B/zh active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20070170549A1 (en) * | 2006-01-10 | 2007-07-26 | Denso Corporation | Semiconductor device having IGBT and diode |
| CN102544100A (zh) * | 2010-12-14 | 2012-07-04 | 万国半导体股份有限公司 | 带有集成二极管的自对准沟槽mosfet |
| US20150014743A1 (en) * | 2013-07-15 | 2015-01-15 | Infineon Technoloiges Ag | IGBT with Emitter Electrode Electrically Connected with an Impurity Zone |
| WO2015029116A1 (ja) * | 2013-08-26 | 2015-03-05 | トヨタ自動車株式会社 | 半導体装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN104966730B (zh) | 2018-01-12 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN102779840B (zh) | 一种具有终端深能级杂质层的igbt | |
| JP7379327B2 (ja) | 半導体デバイス | |
| JP5171776B2 (ja) | 半導体装置、及びそれを用いた電力変換装置 | |
| JP5875680B2 (ja) | 絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ | |
| JP2012142537A (ja) | 絶縁ゲート型バイポーラトランジスタとその製造方法 | |
| CN102201439A (zh) | 一种体内电导调制增强的沟槽型绝缘栅双极型晶体管 | |
| CN102779842A (zh) | 一种变形槽栅介质的cstbt器件 | |
| CN112687744B (zh) | 平面型碳化硅逆阻mosfet器件及其制备方法 | |
| CN109148572A (zh) | 一种反向阻断型fs-gbt | |
| CN108565284A (zh) | 一种沟槽栅场截止逆导型igbt | |
| CN109256427A (zh) | 一种集成肖特基二极管的SiC MOSFET器件 | |
| CN114937689B (zh) | 一种平面型SiC IGBT及其制作方法 | |
| CN102709317B (zh) | 一种低开启电压二极管 | |
| CN102779839A (zh) | 一种具有深能级杂质注入的绝缘栅双极性晶体管 | |
| CN102544084B (zh) | 一种双阳极短接的igbt器件 | |
| CN108091682B (zh) | 一种高可靠性肖特基接触超级势垒整流器 | |
| CN203179900U (zh) | 一种快恢复二极管frd芯片 | |
| CN103022114B (zh) | 一种基于截止环的高压大功率igbt芯片及其设计方法 | |
| CN104966730A (zh) | 肖特基势垒高电流密度igbt器件 | |
| CN109244138A (zh) | 具有良好第三象限性能的SiC MOSFET器件 | |
| Liang et al. | Investigation on 4H-SiC gate turn-off thyristor with direct carrier extraction access to drift region for power conversion applications | |
| CN114300536A (zh) | 一种栅控快速离化晶体管及其对称结构 | |
| CN207938615U (zh) | 沟槽栅场截止逆导型igbt | |
| Long et al. | The next generation 1200V Trench Clustered IGBT technology with improved trade-off relationship | |
| CN110504259A (zh) | 一种具有过流保护能力的横向igbt |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |