CN104966667A - Iii-v族化合物半导体器件及其欧姆接触电阻改善方法 - Google Patents
Iii-v族化合物半导体器件及其欧姆接触电阻改善方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104966667A CN104966667A CN201510390605.0A CN201510390605A CN104966667A CN 104966667 A CN104966667 A CN 104966667A CN 201510390605 A CN201510390605 A CN 201510390605A CN 104966667 A CN104966667 A CN 104966667A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- ohmic contact
- epitaxial loayer
- layer
- semiconductor device
- compound semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 46
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 title claims abstract description 37
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 69
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 69
- 229910001449 indium ion Inorganic materials 0.000 claims abstract description 30
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 19
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 claims abstract description 6
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims description 11
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims description 11
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 11
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims description 10
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 9
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 5
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 abstract description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 84
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 5
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 4
- 238000002513 implantation Methods 0.000 description 4
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 238000005036 potential barrier Methods 0.000 description 3
- 238000005389 semiconductor device fabrication Methods 0.000 description 3
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 239000007943 implant Substances 0.000 description 2
- 239000013528 metallic particle Substances 0.000 description 2
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 2
- 229910000967 As alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 238000004220 aggregation Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000011010 flushing procedure Methods 0.000 description 1
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 230000014759 maintenance of location Effects 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N nitrogen Substances N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000005728 strengthening Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
- H01L21/285—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation
- H01L21/28506—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers
- H01L21/28575—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a gas or vapour, e.g. condensation of conductive layers on semiconductor bodies comprising AIIIBV compounds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
- H01L29/45—Ohmic electrodes
- H01L29/452—Ohmic electrodes on AIII-BV compounds
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Abstract
本发明提供了一种III-V族化合物半导体器件及其欧姆接触电阻改善方法。该方法包括：在外延层上形成掩膜层，并采用光刻工艺在掩膜层上形成欧姆接触区域和非欧姆接触区域；对露出在欧姆接触区域内的外延层进行铟离子注入；在欧姆接触区域和非欧姆接触区域上沉积与外延层采用的半导体材料的功函数对应的欧姆接触金属层；采用湿法工艺剥离非欧姆接触区域上的掩膜层以及欧姆接触金属层；加热晶圆，使欧姆接触区域内的外延层、至少部分铟离子以及欧姆接触金属层形成合金化合物，进而实现欧姆接触。通过上述方式，本发明能够降低III-V族化合物半导体器件的欧姆接触电阻。
Description
技术领域
本发明涉及半导体工艺技术领域，特别是涉及一种III-V族化合物半导体器件及其欧姆接触电阻改善方法。
背景技术
化合物半导体由两种及以上元素组成，不同的组合方式可以产生不同类型的化合物半导体材料，同时借助超晶格、组分变化等手段，可以得到无穷多种类的化合物半导体材料，从而实现多功能和多特性的半导体器件。以GaAs、GaN为代表的III-V族化合物半导体因其优越的高频、高速、大功率、耐高温、防辐射以及光电特性等特性，广泛应用于无线通信、光通信、激光器、电力电子以及军事电子领域。
III-V族化合物半导体器件制造工艺中关键技术之一是欧姆接触，即源、漏区域内的金属与半导体之间的接触，要求接触电极与有源层(器件内的电流层，属于外延层)之间具有较小的电阻，因为电阻增大会直接对器件的跨导、噪声、饱和电流以及可靠性产生负面的影响。而降低III-V族化合物半导体器件的欧姆接触电阻存在以下几个方面的困难：(1)半导体材料本身具有较大的禁带宽度，导致金属与半导体之间具有较高的势垒；(2)半导体材料化学性质稳定，与接触电极难以形成合金化合物；(3)半导体器件通常采用较复杂的外延结构，然而，一些位于接触电极与有源层之间的外延结构会阻碍欧姆接触，主要是外延层之间的界面存在势垒阻挡载流子的运动，特别是一些功能层，如腐蚀截止层，不仅导电性能差，而且阻碍接触电极与有源层之间的元素扩散。
发明内容
本发明主要解决的技术问题是提供一种III-V族化合物半导体器件及其欧姆接触电阻改善方法，能够降低III-V族化合物半导体器件的欧姆接触电阻。
为解决上述技术问题，本发明采用的一个技术方案是：提供一种III-V族化合物半导体器件的欧姆接触电阻改善方法，所述III-V族化合物半导体器件包括晶圆，所述晶圆包括由下至上的衬底和外延层，所述欧姆接触电阻改善方法包括：在外延层上形成掩膜层，并采用光刻工艺在所述掩膜层上形成欧姆接触区域和非欧姆接触区域；对露出在所述欧姆接触区域内的外延层进行铟离子注入；在所述欧姆接触区域和所述非欧姆接触区域上沉积与所述外延层采用的半导体材料的功函数对应的欧姆接触金属层；采用湿法工艺剥离所述非欧姆接触区域上的掩膜层以及欧姆接触金属层；加热所述晶圆，使所述欧姆接触区域内的外延层、至少部分铟离子以及所述欧姆接触金属层形成合金化合物，进而实现欧姆接触。
优选地，所述外延层的结构由下至上依次为AlGaAs势垒层、第一AlAs腐蚀截止层、GaAsN-层、第二AlAs腐蚀截止层、GaAsN+层。
优选地，所述欧姆接触金属层至少为一层。
优选地，所述欧姆接触金属层包括由下至上的Au+金属层、Ge金属层、Ni金属层和Au-金属层。
优选地，所述对露出在所述欧姆接触区域内的外延层进行铟离子注入的步骤具体为：对露出在欧姆接触区域内的AlGaAs势垒层、第一AlAs腐蚀截止层以及GaAsN-层进行铟离子注入。
优选地，所述掩膜层的材料为光刻胶。
为解决上述技术问题，本发明采用的另一个技术方案是：提供一种III-V族化合物半导体器件，包括晶圆，所述晶圆包括衬底、外延层和合金化合物，所述外延层和所述合金化合物均形成在所述衬底上，其中，所述合金化合物由所述外延层、外延层中注入的铟离子以及在外延层上沉积的欧姆接触金属层形成，用以实现欧姆接触。
优选地，所述外延层的结构由下至上依次为AlGaAs势垒层、第一AlAs腐蚀截止层、GaAsN-层、第二AlAs腐蚀截止层、GaAsN+层。
优选地，所述欧姆接触金属层至少为一层。
优选地，所述欧姆接触金属层包括由下至上的Au+金属层、Ge金属层、Ni金属层和Au-金属层。
区别于现有技术的情况，本发明的有益效果是：通过在外延层中注入铟离子，并使外延层、至少部分铟离子以及欧姆接触金属层形成合金化合物来实现欧姆接触，从而能够降低III-V族化合物半导体器件的欧姆接触电阻，可以与传统的III-V族化合物半导体器件制造工艺兼容。
附图说明
图1是本发明实施例III-V族化合物半导体器件的欧姆接触电阻改善方法的流程示意图。
图2是本发明实施例III-V族化合物半导体器件的晶圆结构示意图。
图3～图6是本发明实施例III-V族化合物半导体器件的制备过程示意图。
图7是本发明实施例的III-V族化合物半导体器件中外延层的部分铟离子分布示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
请参见图1，是本发明实施例III-V族化合物半导体器件的欧姆接触电阻改善方法的流程示意图。本实施例的III-V族化合物半导体器件包括晶圆，晶圆包括由下至上的衬底1和外延层3，外延层3包含有源层2，有源层2是外延层3的某一层，有源层2可以在外延层3的底部或者夹在外延层3的中间，晶圆的结构如图2所示。下面结合图3～图6说明本实施例的欧姆接触电阻改善方法，该欧姆接触电阻改善方法包括以下步骤：
S1：在外延层3上形成掩膜层4，并采用光刻工艺在掩膜层4上形成欧姆接触区域31和非欧姆接触区域32。
其中，掩膜层4的材料通常采用光刻胶。如图1所示，光刻胶经过光刻工艺刻蚀掉特定部分，被刻蚀的部分即为欧姆接触区域31，没有被刻蚀的部分即为非欧姆接触区域32，欧姆接触区域31露出外延层3，其目的是将铟离子注入的范围限制在欧姆接触区域31内，保护其他区域不受铟离子注入的影响，有利于后续剥离光刻胶。
S2：对露出在欧姆接触区域31内的外延层3进行铟离子注入。
其中，如图2所示，铟离子注入只影响欧姆接触区域31内的外延层3。在本实施例中，铟离子注入的过程包括一次或多次不同能量和浓度的注入过程，以实现在纵向结构上特定深度的注入。注入的能量依据所需到达外延层3的深度确定，深度越大，需要能量越高，一般注入能量范围为5～500keV、注入剂量范围为1015～1017cm-2、注入角度范围为0°～10°。
S3：在欧姆接触区域31和非欧姆接触区域32上沉积与外延层3采用的半导体材料的功函数对应的欧姆接触金属层5。
其中，如图5所示，欧姆接触金属层5的厚度与半导体材料的功函数相对应。在本实施例中，欧姆接触金属层5至少为一层。欧姆接触金属层5除了可以实现欧姆接触的功能外，还可以实现增强附着力、改善表面润湿性、对外延层3掺杂、与外延层3形成合金等功能。
S4：采用湿法工艺剥离非欧姆接触区域32上的掩膜层4以及欧姆接触金属层5。
其中，该步骤仅仅剥离非欧姆接触区域32上掩膜层4以及掩膜层4上的欧姆接触金属层5后，而欧姆接触区域31内的外延层3上的欧姆接触金属层5被保留。
S5：加热晶圆，使欧姆接触区域31内的外延层3、至少部分铟离子以及欧姆接触金属层5形成合金化合物6，进而实现欧姆接触。
其中，如图6所示，经过加热后，所注入的铟离子与外延层3的半导体材料合金化，并且与欧姆接触金属层5形成合金化合物6，以实现欧姆接触。在本实施例中，通过降低合金化的温度可以减少欧姆接触层(即合金化合物6)表面和边缘粗糙度以利可靠性和后续工艺。
在本实施例中，步骤S2对外延层3，特别针对半导体材料较为稳定的外延层，产生大量的损伤，所以在外延层3中形成了元素扩散通道61，元素扩散通道61可以增强外延层3与欧姆接触金属层5之间的合金化。而经过步骤S5后，未合金化的铟离子部分聚集，形成金属颗粒62，从而提高了外延层3的电子浓度，增强了外延层3的导电性。元素扩散通道61和金属颗粒62在外延层3中的结构如图7所示。
本发明实施例的欧姆接触电阻改善方法由于采用了铟离子注入的方式，可以增加外延层3中铟组分的含量，降低外延层3的禁带宽度以及表面或界面的势垒，提高外延层3的电子浓度，增强外延层3与欧姆接触金属层5之间的合金化，增强外延层3的导电性。
下面将通过一具体应用实例对本发明实施例的欧姆接触电阻改善方法的工艺流程进行说明。在该具体应用实例中，外延层3的结构由下至上依次为AlGaAs势垒层、第一AlAs腐蚀截止层、GaAsN-层、第二AlAs腐蚀截止层、GaAsN+层，AlGaAs势垒层的厚度为23nm，第一AlAs腐蚀截止层和第二AlAs腐蚀截止层的厚度为5nm，GaAsN-层和GaAsN+层的厚度为50nm。欧姆接触金属层5包括由下至上的Au+金属层、Ge金属层、Ni金属层和Au-金属层，Au+金属层和Ge金属层的厚度为50nm，Ni金属层的厚度为30nm，Au-金属层的厚度为200nm。欧姆接触电阻改善方法的工艺流程包括：
步骤一：在外延层上旋涂光刻胶后，烘烤光刻胶形成掩膜层，并采用光刻工艺在掩膜层上形成欧姆接触区域和非欧姆接触区域，其中，光刻胶的型号为AZ P4210，旋涂厚度为5um，烘烤温度为120°。
步骤二：对露出在欧姆接触区域内的AlGaAs势垒层、第一AlAs腐蚀截止层以及GaAsN-层进行铟离子注入，其中，铟离子的注入剂量为2×1016cm-2，注入角度为7°，注入能量为200kev。
步骤三：采用电子束蒸发在欧姆接触区域和非欧姆接触区域的表面蒸镀欧姆接触金属层，其中，真空腔本底真空≤2X10-6Pa，蒸发速率<1nm/sec。
步骤四：将晶圆在NMP(N-甲基吡咯烷酮)溶剂中浸泡5分钟，温度80℃，然后采用NMP冲洗液进行压力冲洗，以剥离非欧姆接触区域上的掩膜层以及欧姆接触金属层。
步骤五：加热所述晶圆，并进行快速退火，使欧姆接触区域内的外延层、至少部分铟离子以及欧姆接触金属层形成合金化合物，进而实现欧姆接触，其中，加热温度≤380℃，升温时间为20s，保温时间为30s，降温时间为100s，保护气氛为氮气。
本发明实施例还提供一种III-V族化合物半导体器件，III-V族化合物半导体器件包括晶圆，该晶圆即为前述实施例中欧姆接触电阻改善方法的步骤S5所得产物，如图6所示。其中，晶圆包括衬底1、外延层3和合金化合物6，外延层3和合金化合物6均形成在衬底1上。外延层3包含有源层2，有源层2是外延层3的某一层，有源层2可以在外延层3的底部或者夹在外延层3的中间。其中，合金化合物6由外延层3、外延层3中注入的铟离子以及在外延层3上沉积的欧姆接触金属层形成，用以实现欧姆接触。
在本实施例中，外延层3的结构由下至上依次为AlGaAs势垒层、第一AlAs腐蚀截止层、GaAsN-层、第二AlAs腐蚀截止层、GaAsN+层。欧姆接触金属层至少为一层，具体而言，欧姆接触金属层包括由下至上的Au+金属层、Ge金属层、Ni金属层和Au-金属层。
通过上述方式，本发明实施例的III-V族化合物半导体器件及其欧姆接触电阻改善方法通过在外延层中注入铟离子，并使外延层、至少部分铟离子以及欧姆接触金属层形成合金化合物来实现欧姆接触，从而能够降低III-V族化合物半导体器件的欧姆接触电阻，可以与传统的III-V族化合物半导体器件制造工艺兼容。
以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。
Claims (10)
1.一种III-V族化合物半导体器件的欧姆接触电阻改善方法，其特征在于，所述III-V族化合物半导体器件包括晶圆，所述晶圆包括由下至上的衬底和外延层，所述欧姆接触电阻改善方法包括：
在外延层上形成掩膜层，并采用光刻工艺在所述掩膜层上形成欧姆接触区域和非欧姆接触区域；
对露出在所述欧姆接触区域内的外延层进行铟离子注入；
在所述欧姆接触区域和所述非欧姆接触区域上沉积与所述外延层采用的半导体材料的功函数对应的欧姆接触金属层；
采用湿法工艺剥离所述非欧姆接触区域上的掩膜层以及欧姆接触金属层；
加热所述晶圆，使所述欧姆接触区域内的外延层、至少部分铟离子以及所述欧姆接触金属层形成合金化合物，进而实现欧姆接触。
2.根据权利要求1所述的欧姆接触电阻改善方法，其特征在于，所述外延层的结构由下至上依次为AlGaAs势垒层、第一AlAs腐蚀截止层、GaAsN-层、第二AlAs腐蚀截止层、GaAsN+层。
3.根据权利要求2所述的欧姆接触电阻改善方法，其特征在于，所述欧姆接触金属层至少为一层。
4.根据权利要求3所述的欧姆接触电阻改善方法，其特征在于，所述欧姆接触金属层包括由下至上的Au+金属层、Ge金属层、Ni金属层和Au-金属层。
5.根据权利要求2至4任一项所述的欧姆接触电阻改善方法，其特征在于，所述对露出在所述欧姆接触区域内的外延层进行铟离子注入的步骤具体为：对露出在欧姆接触区域内的AlGaAs势垒层、第一AlAs腐蚀截止层以及GaAsN-层进行铟离子注入。
6.根据权利要求1所述的欧姆接触电阻改善方法，其特征在于，所述掩膜层的材料为光刻胶。
7.一种III-V族化合物半导体器件，其特征在于，包括晶圆，所述晶圆包括衬底、外延层和合金化合物，所述外延层和所述合金化合物均形成在所述衬底上，其中，所述合金化合物由所述外延层、外延层中注入的铟离子以及在外延层上沉积的欧姆接触金属层形成，用以实现欧姆接触。
8.根据权利要求7所述的III-V族化合物半导体器件，其特征在于，所述外延层的结构由下至上依次为AlGaAs势垒层、第一AlAs腐蚀截止层、GaAsN-层、第二AlAs腐蚀截止层、GaAsN+层。
9.根据权利要求8所述的III-V族化合物半导体器件，其特征在于，所述欧姆接触金属层至少为一层。
10.根据权利要求9所述的III-V族化合物半导体器件，其特征在于，所述欧姆接触金属层包括由下至上的Au+金属层、Ge金属层、Ni金属层和Au-金属层。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510390605.0A CN104966667B (zh) | 2015-07-02 | 2015-07-02 | Iii‑v族化合物半导体器件及其欧姆接触电阻改善方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510390605.0A CN104966667B (zh) | 2015-07-02 | 2015-07-02 | Iii‑v族化合物半导体器件及其欧姆接触电阻改善方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN104966667A true CN104966667A (zh) | 2015-10-07 |
| CN104966667B CN104966667B (zh) | 2017-10-13 |
Family
ID=54220690
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201510390605.0A Active CN104966667B (zh) | 2015-07-02 | 2015-07-02 | Iii‑v族化合物半导体器件及其欧姆接触电阻改善方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN104966667B (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109216442A (zh) * | 2018-09-11 | 2019-01-15 | 苏州汉骅半导体有限公司 | 半导体结构制造方法 |
| WO2019165975A1 (zh) * | 2018-02-28 | 2019-09-06 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | GaN基器件欧姆接触电极的制备方法 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6376368B1 (en) * | 1999-08-05 | 2002-04-23 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of forming contact structure in a semiconductor device |
| CN101707215A (zh) * | 2009-11-18 | 2010-05-12 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 一种在氮化铝晶体上的欧姆接触电极结构及制备方法 |
| CN104112658A (zh) * | 2014-07-24 | 2014-10-22 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | 铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管的欧姆接触制作方法 |
| CN104269469A (zh) * | 2014-09-19 | 2015-01-07 | 西安电子科技大学 | 一种降低宽禁带半导体器件欧姆接触电阻的方法 |
-
2015
- 2015-07-02 CN CN201510390605.0A patent/CN104966667B/zh active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6376368B1 (en) * | 1999-08-05 | 2002-04-23 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Method of forming contact structure in a semiconductor device |
| CN101707215A (zh) * | 2009-11-18 | 2010-05-12 | 中国科学院上海技术物理研究所 | 一种在氮化铝晶体上的欧姆接触电极结构及制备方法 |
| CN104112658A (zh) * | 2014-07-24 | 2014-10-22 | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 | 铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管的欧姆接触制作方法 |
| CN104269469A (zh) * | 2014-09-19 | 2015-01-07 | 西安电子科技大学 | 一种降低宽禁带半导体器件欧姆接触电阻的方法 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2019165975A1 (zh) * | 2018-02-28 | 2019-09-06 | 中国电子科技集团公司第十三研究所 | GaN基器件欧姆接触电极的制备方法 |
| US11239081B2 (en) | 2018-02-28 | 2022-02-01 | The 13Th Research Institute Of China Electronics | Method for preparing ohmic contact electrode of gallium nitride-based device |
| CN109216442A (zh) * | 2018-09-11 | 2019-01-15 | 苏州汉骅半导体有限公司 | 半导体结构制造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN104966667B (zh) | 2017-10-13 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN100557815C (zh) | InA1N/GaN异质结增强型高电子迁移率晶体管结构及制作方法 | |
| CN102938413B (zh) | AlGaN/GaN异质结增强型器件及其制作方法 | |
| CN106876483B (zh) | 高击穿电压肖特基二极管及制作方法 | |
| CN102945860B (zh) | 原位SiN帽层AlGaN/GaN异质结增强型器件及其制作方法 | |
| CN105679838A (zh) | 基于AlGaN/GaN异质结多沟道结构的太赫兹肖特基二极管及制作方法 | |
| CN108110054A (zh) | 一种GaN基HEMT器件及其制备方法 | |
| CN106601826B (zh) | 一种快恢复二极管及其制作方法 | |
| CN107221565A (zh) | 基于离子注入氟实现高增益氮化镓肖特基二极管的制备方法 | |
| CN110299407A (zh) | 功率器件及其制备方法 | |
| CN109950323B (zh) | 极化超结的ⅲ族氮化物二极管器件及其制作方法 | |
| CN104966667A (zh) | Iii-v族化合物半导体器件及其欧姆接触电阻改善方法 | |
| CN110797399A (zh) | 一种低比接触电阻率的p-GaN欧姆接触电极及其制备方法和应用 | |
| CN106611797A (zh) | 一种具有局域金属寿命控制的功率器件及其制作方法 | |
| CN111180335A (zh) | 一种GaN基垂直二极管及其制备方法 | |
| US9236433B2 (en) | Semiconductor devices in SiC using vias through N-type substrate for backside contact to P-type layer | |
| CN205177857U (zh) | 一种快恢复二极管 | |
| CN108597997B (zh) | GaN基器件欧姆接触电极的制备方法 | |
| CN113964197A (zh) | 一种低泄漏电流的igbt器件及其制备方法 | |
| CN112086353A (zh) | 肖特基二极管制备方法及肖特基二极管 | |
| CN103681831A (zh) | 高电子迁移率晶体管及其制造方法 | |
| CN113659013A (zh) | p型氧化物介质复合混合阳极的肖特基二极管及制作方法 | |
| CN105576119A (zh) | 一种高灵敏度霍尔元件及其制备方法 | |
| CN104392923A (zh) | 异质结双极型晶体管的制作方法 | |
| CN105161417B (zh) | 肖特基二极管工艺方法 | |
| CN103066120B (zh) | 绝缘栅型双极晶体管的集电极背面结构 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| CB02 | Change of applicant information |
Address after: 610000 Sichuan, Shuangliu County, Southwest Airport Economic Development Zone, the Internet of things industry park Applicant after: CHENGDU HIWAFER TECHNOLOGY CO., LTD. Address before: 610000 Sichuan, Shuangliu County, Southwest Airport Economic Development Zone, the Internet of things industry park Applicant before: CHENGDU GASTONE TECHNOLOGY CO., LTD. |
|
| COR | Change of bibliographic data | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |