CN104951168A

CN104951168A - 透明导电膜与包含其的电容式触摸屏

Info

Publication number: CN104951168A
Application number: CN201510404734.0A
Authority: CN
Inventors: 徐金龙; 张国臻
Original assignee: Zhangjiagang Kangdexin Optronics Material Co Ltd
Current assignee: Zhangjiagang Kangdexin Optronics Material Co Ltd
Priority date: 2015-07-10
Filing date: 2015-07-10
Publication date: 2015-09-30
Anticipated expiration: 2035-07-10
Also published as: CN104951168B

Abstract

本发明提供了一种透明导电膜与包含其的电容式触摸屏。该透明导电膜包括：指纹亲和层、透明基材层、光学调整层与非结晶ITO层，其中，透明基材层设置在指纹亲和层的表面上；光学调整层设置在透明基材层的远离指纹亲和层的表面上；非结晶ITO层设置在光学调整层的远离透明基材层的表面上。该透明导电膜的立体纹不明显，抗污耐滑性较好，阻抗较低，成本较低，制备工艺较简单。

Description

透明导电膜与包含其的电容式触摸屏

技术领域

本发明涉及触摸屏领域，具体而言，涉及一种透明导电膜与包含其的电容式触摸屏。

背景技术

现有的电容式触摸屏用透明导电膜在蚀刻及热处理之后，会出现立体纹，无法满足部分高端客户的需求。

立体纹产生原因主要是因为：(1)ITO层(氧化铟锡层)的蚀刻部分与非蚀刻部分产生了光学特性差别(包括可视光范围内的透过和反射特性，简称为色差)，从而产生立体纹路；(2)在后期的热处理工艺中，因各层的热收缩率的不同会出现涂层间应力不匹配现象，这是因为ITO层和透明基材层及硬化层之间的组成差异比较大，相互之间存在的应力较大，尤其是ITO层由加热前的非结晶态变为加热后的结晶态，会导致ITO层与透明基材层及硬化层之间的应力增大，进而造成蚀刻部分和透明基材层及硬化层之间的应力与非蚀刻部分与有机层之间的应力差别会进一步增大，从而导致立体纹的加重。

现有专利及文献主要使用热收缩率较小的硬化层与透明基材层形成透明导电膜，进一步作为电容式触摸屏的制作材料，但是，在ITO层蚀刻后，透明导电膜仍然会产生立体纹，使得电容式触摸屏不足以满足客户的需求。

另外，在制作透明导电膜时，硬化层很容易被污染或划伤，为了解决此问题，现有技术中在制作透明导电膜时，经常会贴覆耐保护膜来保护硬化层，这样增加了制作透明导电膜的成本，并且复杂了工艺程序，降低了透明导电膜的生产效率。

因此，亟需一种低立体纹并且无需贴覆保护膜就可以使硬化层抗污耐划的透明导电膜与电容式触摸屏。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种透明导电膜与包含其的电容式触摸屏，以解决现有技术中透明导电膜的抗污耐滑性差、立体纹较明显的问题。

为了实现上述目的，根据本发明的一个方面，提供了一种透明导电膜，该透明导电膜包括：指纹亲和层、透明基材层、光学调整层与非结晶ITO层，其中，透明基材层设置在指纹亲和层的表面上；光学调整层设置在透明基材层的远离指纹亲和层的表面上；非结晶ITO设置在光学调整层的远离透明基材层的表面上。

进一步地，上述非结晶ITO层(70)中Sn的重量含量为7％～30％，优选为8％～20％，更优选为15％。

进一步地，上述非结晶ITO层的厚度在10～100nm之间，优选在15～40nm之间。

进一步地，上述指纹亲和层为丙烯酸树脂层；上述指纹亲和层的铅笔硬度在3B～4H之间，优选在B～3H之间。

进一步地，上述透明导电膜还包括硬化层，上述硬化层设置在上述透明基材层与上述光学调整层之间，上述硬化层的铅笔硬度在3B～4H之间，优选在B～3H之间，进一步优选上述硬化层的厚度在0.3～10μm之间，更进一步优选在0.5～3.0μm之间。

进一步地，上述指纹亲和层的厚度比上述硬化层的厚度大0.1～5μm，优选大0.3～1.5μm。

进一步地，上述光学调整层还包括：第一光学调整层与第二光学调整层，第一光学调整层设置在上述透明基材层与上述非结晶ITO层之间，第二光学调整层设置在上述第一光学调整层与上述非结晶ITO层之间。

进一步地，上述第一光学调整层的折光度1.55～3.00之间，优选在1.60～2.80之间；上述第一光学调整层的厚度在5nm～10μm之间，优选在10nm～5μm之间。

进一步地，上述第二光学调整层的折光度在1.10～1.55之间，优选在1.20～1.50之间；上述第二光学调整层的厚度在5～500nm之间，优选在10～300nm之间。

进一步地，上述第一光学调整层选自二氧化钛层、氧化锆层与五氧化二铌层中的一种，优选上述第二光学调整层选自氟化镁层，氟化钙层，冰晶石层，有机氟化物层与二氧化硅层中的一种。

进一步地，上述透明基材层的全光透过率大于85％，优选上述透明基材层的厚度在10～500μm之间，进一步优选在20～200μm之间。

进一步地，上述透明基材层的厚度在10～500μm之间，优选在20～200μm之间；上述透明基材层的机械运行方向的收缩率大于0小于等于0.5，垂直于机械运行方向的收缩率大于0小于等于0.1。

根据本发明的另一方面，提供了一种电容式触摸屏，该电容式触摸屏包括上述的透明导电膜。

应用本发明的技术方案，上述的透明导电膜通过采用非结晶ITO层代替现有技术中的结晶ITO层，在后期的热处理过程后，非结晶ITO层不会由非结晶态变为结晶态，而是保持非结晶态，进而使得非结晶ITO层的收缩率保持不变，进而使得蚀刻及加热前后各层之间的应力差异大大减小，缓解了透明导电薄膜的立体纹严重的问题，得到低立体纹的电容式触摸屏用透明导电薄膜；并且，非结晶ITO层的阻抗较低，使其满足现有技术中触摸屏设备大型化的需求，扩展了其在大型化触控产品市场中的应用；另外，该透明导电膜中的指纹亲和层能够抗污染，避免生产过程中各项工艺对其的污染，进而不需要后续再贴覆耐保护膜来保护指纹亲和层，进一步简化了透明导电膜的制备工艺，进一步降低了生产成本。

附图说明

构成本申请的一部分的说明书附图用来提供对本发明的进一步理解，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：

图1示出了根据本发明的本申请一种典型实施方式提供透明导电膜的剖面结构示意图；

图2示出了本申请一种优选实施例提供的透明导电膜的剖面结构示意图；以及

图3示出了本申请另一种优选实施例提供的透明导电膜的剖面结构示意图。

具体实施方式

需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本发明。

本申请提供了一种透明导电膜，如图1所示，该透明导电膜包括：指纹亲和层10、透明基材层30、光学调整层50与非结晶ITO层70，其中，透明基材层30设置在上述指纹亲和层10的表面上；光学调整层50设置在上述透明基材层30的远离上述指纹亲和层10的表面上；非结晶ITO层70设置在上述光学调整层50的远离上述透明基材层30的表面上。

结晶ITO是指在热处理过程中会由非结晶态变为结晶态的一种ITO；本发明的非结晶ITO是指在热处理过程后不会由非结晶态变为结晶态的一种ITO。指纹亲和层10是指不被指纹沾污的结构层。

上述的透明导电膜通过采用非结晶ITO层70代替现有技术中的结晶ITO层，在后期的热处理过程后，非结晶ITO层70不会由非结晶态变为结晶态，而是保持非结晶态，进而使得非结晶ITO层70的收缩率保持不变，进而使得蚀刻及加热前后各层之间的应力差异大大减小，缓解了透明导电薄膜的立体纹严重的问题，同时，光学调整层50通过调整其自身的折射率与厚度，缩小非结晶ITO层70中的刻蚀部分与非刻蚀部分之间的光学特性(透过及反射)差异，进一步缓解了透明导电薄膜的立体纹严重的问题，得到低立体纹的电容式触摸屏用透明导电薄膜；并且，非结晶ITO层70的阻抗较低，使其满足现有技术中触摸屏设备大型化的需求，扩展了其在大型化触控产品市场中的应用；另外，该透明导电膜的制作工艺较简单，降低了透明导电膜的生产成品。

上述透明导电膜中的指纹亲和层10能够抗污染，避免生产过程中各项工艺对其的污染，进而不需要后续再贴覆耐保护膜来保护指纹亲和层10，简化了透明导电膜的制备工艺，进一步降低了生产成本。

为了使透明导电膜具有更低的立体纹，本申请优选上述非结晶ITO层70中Sn的重量含量为7％～30％。当非结晶ITO层70中的Sn的重量含量大于7％时，能够进一步保证ITO不会结晶，从而使透明导电膜达到更好的低立体纹效果；当非结晶ITO层70中的Sn的重量含量小于30％时，非结晶ITO层70的阻抗较小，同时，其透光度较高，提高了透明导电膜的光学特性。为了进一步保证透明导电薄膜的低立体纹效果与光学特性，本申请优选上述非结晶ITO层70中Sn的重量含量为8％～20％，更优选为15％。

本申请的另一种优选实施例中，上述非结晶ITO层70的厚度在10～100nm之间，优选在15～40nm之间。当非结晶ITO层70的厚度大于10nm时，非结晶ITO层70的阻抗较小，能够进一步满足透明导电膜对阻抗的要求；当非结晶ITO层70的厚度小于100nm时，同样会使透明导电膜的阻抗较小，并且能够进一步保证透明导电膜具有较好的外观。

本申请的一种优选实施例中，上述指纹亲和层10为丙烯酸树脂层，并且为了进一步保证指纹亲和层10的保护性能与维持较低的生产成本，本申请优选上述指纹亲和层10的铅笔硬度在3B～4H之间，当指纹亲和层10的硬度大于3B时，其硬度较大，能够起到较好的保护的作用；当其硬度小于4H时，其自身收卷较容易、并且降低了透明导电膜的制作成本。进一步优选指纹亲和层10的铅笔硬度在B～3H之间。

本申请的一种优选的实施例中，如图3所示，上述透明导电膜还包括硬化层40，上述硬化层40设置在上述透明基材层30与上述光学调整层50之间，上述硬化层40的铅笔硬度在3B～4H之间，优选在B～3H之间，这样可以进一步保证硬化层40能够对透明导电膜中其它层起到保护作用，同时保证其生产成本较低。

为了进一步保证硬化层40的对透明导电膜的保护性能，同时考虑到生产成本，优选硬化层40的厚度在在0.3～10μm之间，当该层的厚度大于0.3μm时，能够进一步保证其对透明导电膜其它层的保护作用；而当其厚度小于10μm时，能够进一步降低其生产成本。为了进一步保证硬化层40能起到良好的保护作用，同时，进一步保证其生产成本较低，本申请优选硬化层40的厚度在0.5～3.0μm之间。

本申请的又一种优选的实施例中，上述指纹亲和层10的厚度比上述硬化层40的厚度大0.1～5μm，优选在0.3～1.5μm之间，为了缓解硬化层40，非结晶ITO层70形成及后续加热工艺处理时带来的应力变化，利用指纹亲和层10比硬化层40的厚度大出来的部分可以平衡透明基材层30的上下两面的应力，能够防止透明导电膜翘曲，改善立体纹的效果。

为了更好地减小刻蚀后刻蚀部分与非刻蚀部分之间产生的光学特性差别(即色差)，进而得到更低立体纹的透明导电膜，进一步改善透明导电膜的立体纹现象，如图2与图3所示，本申请优选上述光学调整层50包括第一光学调整层51与，上述第一光学调整层51设置在上述透明基材层30与上述非结晶ITO层70之间，上述第二光学调整层52设置在上述第一光学调整层51与上述非结晶ITO层70之间。当透明基材层30的折射率大于1.55时，可以不设置第二光学调整层52。

本申请的另一种优选的实施例中，上述第一光学调整层51的折射率在1.55～3之间，通过将第一光学调整层51的折射率控制在1.55～3内，可以进一步缩小非结晶ITO层70中的刻蚀部分与非刻蚀部分之间的光学特性(透过及反射)差别。为了进一步降低透明导电膜中的立体纹，进一步优选第一光学调整层51的折射率在1.60～2.80之间，更优选在1.76～2.80之间。

本申请的又一种优选的实施例中，上述第二光学调整层52的折射率在1.10～1.55之间，这样第二光学调整层52的低折射率与第一光学调整层51的高折射率相互配合，使得非结晶ITO层70中的刻蚀部分与非刻蚀部分之间的色差大大减小。为了得到低立体纹效果更好的透明导电膜，本申请进一步优选第二光学调整层52的折射率在1.20～1.50之间，更优选为1.34～1.45之间。

为了进一步减小色差，本申请优选上述第一光学调整层51的厚度在5nm～10μm之间，优选在10nm～5μm之间；上述第二光学调整层52的厚度在5～500nm之间，优选上述第二光学调整层52的厚度在10～300nm之间。

本申请的又一种有选的实施例中，上述第一光学调整层51选自二氧化钛层、氧化锆层与五氧化二铌层中的一种，这样的第一光学调整层51能够更好地调整透明导电膜的不同结构层之间的色差，进而获得低立体纹效果更好的透明导电膜。为了更好地调整不同结构层之间的色差，进一步优选上述第二光学调整层52选自氟化镁层，氟化钙层，冰晶石层，有机氟化物层(如日本DIC公司OP-4002，OP-4003，OP-4004；大金工业UV1000，UV1100，UV2100；关东化学公司KD4000等)与二氧化硅层中的一种。

本申请的又一种优选的实施例中，上述透明基材层30的全光透过率大于85％，透过率大于85％，能够更好地满足客户的要求。本申请中的透明基材层30是指各生产厂家所生产的透明塑料薄层，一般为包括PET层，TAC层，PC层，PE层或PP层，但不仅仅只局限于这些透明基材层30。

为了进一步确保透明基材层30的工艺可实现性，同时考虑到层透明基材层30的收卷性能，本申请优选上述透明基材层30的厚度在10～500μm之间，透明基材层30的厚度控制在此范围内，进一步降低了制备工艺的难度，降低了生产成本，并且透明基材层30的收卷较容易。在进一步考虑了现有生产状况和生产成本后，进一步优选上述透明基材层30的厚度在20～200μm之间。

本申请的另一种优选的实施例中，上述透明基材层30的机械拉伸方向(Machine Direction，MD，也称机械拉伸方向)的收缩率大于0小于等于0.5；垂直于机械拉伸方向(TransverseDirection，TD，也称垂直于机械拉伸方向)的收缩率大于0小于等于0.1。当透明基材层30的机械拉伸方向的收缩率与垂直于机械拉伸方向的收缩率控制在上述范围内，其热收缩率较低，可以进一步改善透明导电膜的立体纹。为了使透明导电膜的低立体纹效果更好，还可以对透明基材层30作耐热处理。

本申请的另一种优选的实施例中，提供了一种电容式触摸屏，包括透明导电膜，该透明导电膜为上述的透明导电膜。

该电容式触摸屏中的透明导电膜具有低立体纹，能够满足客户的要求，同时由于该电容式触摸屏中的透明导电膜的阻抗较低，使得电容式触摸屏可以实现大尺寸化，进而满足现有技术中触摸屏设备大型化的需求；另外，该电容式触摸屏的透明导电膜的生产工艺较简单，使得电容式触摸屏的生产成本也较低。

为了使得本领域技术人员能够更加清楚地了解本申请的技术方案，以下将结合实施例与附图进行详细地说明。

实施例1

在透明基材层30的表面上涂布丙烯酸树脂层，经干燥，固化制成指纹亲和层10。

采用溅射法，在透明基材层30的远离上述指纹亲和层10的表面上设置第一光学调整层51、第二光学调整层52与非结晶ITO层70，形成图2所示的透明导电膜。

采用油墨网印蚀刻法对透明导电膜的非结晶ITO层70进行刻蚀，然后，对其进行烘烤，烘烤温度为150℃，时间为60min。透明导电膜的具体结构参数见表1。

实施例2

在透明基材层30的表面上涂布选自日本荒川化学公司的型号为FZ001的硬化液，经干燥，固化制成膜厚为5.0μm的指纹亲和层10。然后利用同样的方式，在透明基材层30的远离上述指纹亲和层10的表面涂布选自日本DIC公司的型号为PC13-1082的硬化液，制成膜厚为0.3μm的硬化层40。

利用磁控溅射工艺，在硬化层40的远离上述透明基材层30的表面上镀膜，依次得到第一光学调整层51、第二光学调整层52与非结晶ITO层70，形成图3所示的透明导电膜。

采用油墨网印蚀刻法对透明导电膜的ITO层进行刻蚀，然后，对其进行烘烤，烘烤温度为150℃，时间为60min。透明导电膜的具体结构参数见表1。

实施例3

采用与实施例1相同的方法制备图3所示的透明导电膜，制备得到的透明导电膜的结构参数见表1，其中，涂布指纹亲和层10的硬化液为日本荒川化学公司的型号为FZ001的硬化液，涂布硬化层40的硬化液为日本DIC公司的型号为PC13-1082的硬化液，透明导电膜的具体结构参数见表1。

实施例4

实施例5

实施例6

采用与实施例1相同的方法制备图3所示的透明导电膜，制备得到的透明导电膜的结构参数见表1，其中，涂布指纹亲和层10的硬化液为日本荒川化学公司的型号为FZ001的硬化液，涂布硬化层40的硬化液为日本DIC公司的型号为PC13-1082的，透明导电膜的具体结构参数见表1。

实施例7

实施例8

采用与实施例1相同的方法制备图3所示的透明导电膜，制备得到的透明导电膜的结构参数见表1，其中，透明基材层30为日本东丽公司型号为U483的PET层，涂布指纹亲和层10的硬化液为日本荒川化学公司的型号为FZ001的硬化液；涂布硬化层40的硬化液为日本DIC公司的型号为PC13-1082的硬化液，透明导电膜的具体结构参数见表1。

实施例9

采用与实施例1相同的方法制备图3所示的透明导电膜，制备得到的透明导电膜的结构参数见表1，其中，透明基材层30为日本东丽公司型号为U483PET层；涂布指纹亲和层10的硬化液为日本荒川化学公司的型号为FZ001的硬化液，涂布硬化层40的硬化液为日本DIC公司的型号为PC13-1082的硬化液，透明导电膜的具体结构参数见表1。

实施例10

采用与实施例1相同的方法制备图3所示的透明导电膜，制备得到的透明导电膜的结构参数见表1，其中，透明基材层30为帝人杜邦公司型号为KEL86W的PET层；涂布指纹亲和层10的硬化液为日本荒川化学公司的型号为FZ001的硬化液，涂布硬化层40的硬化液为日本DIC公司的型号为PC13-1082的硬化液，透明导电膜的具体结构参数见表1。

实施例11

实施例12

实施例13

实施例14

实施例15

实施例16

采用与实施例1相同的方法制备图3所示的透明导电膜，制备得到的透明导电膜的结构参数见表1，其中，涂布指纹亲和层10的硬化液为日本D荒川化学公司的型号为FZ001的硬化液，涂布硬化层40的硬化液为日本DIC公司的型号为PC13-1082的硬化液，透明导电膜的具体结构参数见表1。

实施例17

对比例1

在日本东丽公司型号为U483的PET层的表面上，涂布日本DIC公司的型号为PC13-1082的硬化液，经干燥固化，制成指纹亲和层。然后，利用同样的方式，在此PET基材层的远离上述指纹亲和层的表面上涂布日本DIC公司的型号为PC13-1082的硬化液，制成的硬化层。

利用磁控溅射工艺，在硬化层的远离透明基材层的表面上镀膜，依次形成第一光学调整层、第二光学调整层与ITO层。

采用油墨网印蚀刻法对上述的透明导电膜的结晶ITO层进行刻蚀，然后进行烘烤，烘烤温度为150℃，时间为60min。制备得到的透明导电膜的结构参数见表1。

对比例2

在日本东丽公司型号为U483的PET层的表面上，涂布日本DIC公司的型号为PC13-1082的硬化液，经干燥固化，制成厚度指纹亲和层。然后，利用同样的方式，在此PET基材层的远离上述指纹亲和层的表面上涂布日本DIC公司的型号为PC13-1082的硬化液，制成硬化层。

利用磁控溅射工艺，在硬化层的远离透明基材层的表面上镀膜，依次形成膜第一光学调整层、第二光学调整层结晶ITO层。

对比例3

在帝人杜邦公司型号为LEL86W的PET层的表面上，涂布日本荒川化学公司型号为FZ001的硬化液，经干燥固化，制成指纹亲和层。然后，利用同样的方式，在此PET基材层的远离上述指纹亲和层的表面上涂布日本DIC公司的型号为PC13-1082的硬化液，制成硬化层。

利用磁控溅射工艺，在硬化层的远离透明基材层的表面上镀膜，依次形成膜第一光学调整层、第二光学调整层与ITO层。

对比例4

在透明基材层的表面上涂布选自日本荒川化学公司的型号为FZ001的硬化液，经干燥，固化制成硬化层。

利用磁控溅射工艺，在硬化层的远离上述透明基材层的表面上镀膜，依次得到第一光学调整层、第二光学调整层、非结晶ITO层。

采用油墨网印蚀刻法对透明导电膜的非结晶ITO层进行刻蚀，然后，对其进行烘烤，烘烤温度为150℃，时间为60min。

表1

首先，将所有实施例与对比例的透明导电膜用LG化学公司的50μm的OCA胶层与大猩猩强化玻璃贴合在一起，第二非结晶ITO层与大猩猩强化玻璃接触，目视进行透明导电膜立体纹的判断，立体纹的效果按照A、B、C、D、E的顺序逐渐变好；其次，采用四探针法对其阻抗进行测试，；最后，采用接触实验(即人去接触透明导电膜的指纹亲和层，通过显微镜或肉眼观察指纹亲和层表面有无被污染)的方法测试指纹亲和层的抗污性能，抗污性能按照A、B、C的顺序逐渐变差，具体测试结果见表2。

表2

根据表2可知：当非结晶ITO层中Sn的重量含量为7％～30％，优选在8％～20％之间，更优选为15％，其厚度在10～100nm之间；第一光学调整层的折射率在1.55～3.00之间，厚度在5nm～10μm之间；第二光学调整层的折射率在1.10～1.55之间，厚度在5～500nm之间；硬化层的厚度在0.3～50μm之间；指纹亲和层的厚度比硬化层的厚度大0.1～5μm，指纹亲和层的铅笔硬度在3B～4H之间；透明基材层的全光透过率大于85％，其厚度在10～500μm之间，其机械拉伸方向的收缩率在大于0小于等于0.5％，垂直于机械拉伸方向的收缩率大于0小于等于0.1％时，透明导电膜的阻抗较小；其低立体纹效果也较好，并且其制作过程仅需要3道工艺，工艺简单，生产成本较低。

从以上的描述中，可以看出，本发明上述的实施例实现了如下技术效果：

上述的透明导电膜通过采用非结晶ITO层代替现有技术中的结晶ITO层，在后期的热处理过程后，非结晶ITO层不会由非结晶态变为结晶态，而是保持非结晶态，进而使得非结晶ITO层的收缩率保持不变，进而使得蚀刻及加热前后各层之间的应力差异大大减小，缓解了透明导电薄膜的立体纹严重的问题，得到低立体纹的电容式触摸屏用透明导电薄膜；并且，非结晶ITO层的阻抗较低，使其满足现有技术中触摸屏设备大型化的需求，扩展了其在大型化触控产品市场中的应用；另外，该透明导电膜中的指纹亲和层能够抗污染，避免生产过程中各项工艺对其的污染，进而不需要后续再贴覆耐保护膜来保护指纹亲和层，进一步简化了透明导电膜的制备工艺，进一步降低了生产成本。

以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims

1.一种透明导电膜，其特征在于，所述透明导电膜包括：

指纹亲和层(10)；

透明基材层(30)，设置在所述指纹亲和层(10)的表面上；

光学调整层(50)，设置在所述透明基材层(30)的远离所述指纹亲和层(10)的表面上；以及

非结晶ITO层(70)，设置在所述光学调整层(50)的远离所述透明基材层(30)的表面上。

2.根据权利要求1所述的透明导电膜，其特征在于，所述非结晶ITO层(70)中Sn的重量含量为7％～30％，优选为8％～20％，更优选为15％。

3.根据权利要求1或2所述的透明导电膜，其特征在于，所述非结晶ITO层(70)的厚度在10～100nm之间，优选在15～40nm之间。

4.根据权利要求1所述的透明导电膜，其特征在于，所述指纹亲和层(10)为丙烯酸树脂层；所述指纹亲和层(10)的铅笔硬度在3B～4H之间，优选在B～3H之间。

5.根据权利要求1所述的透明导电膜，其特征在于，所述透明导电膜还包括硬化层(40)，所述硬化层(40)设置在所述透明基材层(30)与所述光学调整层(50)之间，所述硬化层(40)的铅笔硬度在3B～4H之间，优选在B～3H之间，进一步优选所述硬化层(40)的厚度在0.3～10μm之间，更进一步优选在0.5～3.0μm之间。

6.根据权利要求5所述的透明导电膜，其特征在于，所述指纹亲和层(10)的厚度比所述硬化层(40)的厚度大0.1～5μm，优选大0.3～1.5μm。

7.根据权利要求1或5所述的透明导电膜，其特征在于，所述光学调整层(50)还包括：

第一光学调整层(51)，设置在所述透明基材层(30)与所述非结晶ITO层(70)之间；以及

第二光学调整层(52)，设置在所述第一光学调整层(51)与所述非结晶ITO层(70)之间。

8.根据权利要求7所述的透明导电膜，其特征在于，所述第一光学调整层(51)的折光度1.55～3.00之间，优选在1.60～2.80之间；所述第一光学调整层(51)的厚度在5nm～10μm之间，优选在10nm～5μm之间。

9.根据权利要求7所述的透明导电膜，其特征在于，所述第二光学调整层(52)的折光度在1.10～1.55之间，优选在1.20～1.50之间；所述第二光学调整层(52)的厚度在5～500nm之间，优选在10～300nm之间。

10.根据权利要求7所述的透明导电膜，其特征在于，所述第一光学调整层(51)选自二氧化钛层、氧化锆层与五氧化二铌层中的一种，优选所述第二光学调整层(52)选自氟化镁层、氟化钙层，冰晶石层，有机氟化物层与二氧化硅层中的一种。

11.根据权利要求1所述的透明导电膜，其特征在于，所述透明基材层(30)的全光透过率大于85％，优选所述透明基材层(30)的厚度在10～500μm之间，进一步优选在20～200μm之间。

12.根据权利要求1所述的透明导电膜，其特征在于，所述透明基材层(30)的机械拉伸方向的收缩率大于0小于等于0.5％，垂直于所述机械拉伸方向的收缩率大于0小于等于0.1％。

13.一种电容式触摸屏，包括透明导电膜，其特征在于，所述透明导电膜为权利1至12中任一项所述的透明导电膜。