CN104951163A - 透明导电膜与包含其的电容式触摸屏 - Google Patents

Abstract

本发明提供了一种透明导电膜与包含其的电容式触摸屏。该透明导电膜包括：第一硬化层、透明基材层、第二硬化层与非结晶ITO层。其中，透明基材层设置在第一硬化层的表面上；第二硬化层设置在透明基材层的远离第一硬化层的表面上，且第一硬化层的厚度比第二硬化层的厚度大0.5～3μm；非结晶性ITO层设置在第二硬化层的远离透明基材层的表面上。该透明导电膜具有低立体纹，低阻抗、耐高温、耐划伤、低成本与制作工艺简单等特点。

Description

透明导电膜与包含其的电容式触摸屏

技术领域

本发明涉及触摸屏领域，具体而言，涉及一种透明导电膜与包含其的电容式触摸屏。

背景技术

现有的电容式触摸屏用透明导电膜在蚀刻及热处理之后，会出现立体纹，无法满足部分高端客户的需求

立体纹产生原因主要是因为：(1)ITO层(氧化铟锡层)的蚀刻部分与非蚀刻部分产生了光学特性差别(包括可视光范围内的透过和反射特性，简称为色差)，从而产生立体纹路；(2)在后期的热处理工艺中，因各层的热收缩率的不同会出现涂层间应力不匹配现象，这是因为ITO层和透明基材层及硬化层之间的组成差异比较大，相互之间存在的应力较大，尤其是ITO层由加热前的非结晶态变为加热后的结晶态，会导致ITO层与透明基材层及硬化层之间的应力增大，进而造成蚀刻部分和透明基材层及硬化层之间的应力与非蚀刻部分与有机层之间的应力差别会进一步增大，从而导致立体纹的加重。

现有专利及文献主要使用热收缩率较小的硬化层与透明基材层形成透明导电膜，进一步作为电容式触摸屏的制作材料，但是，在ITO层蚀刻后，透明导电膜仍然会产生立体纹，使得电容式触摸屏不足以满足客户的需求。

同时，现有技术中电容式触摸屏的透明导电膜的加工工艺比较复杂，需覆耐高温保护膜来保护硬化层，如果耐高温保护膜的品质不过关，例如存在橘皮、凹凸点、TD压痕、脏污、气泡、划伤、热收缩率及低分子析出等缺陷，以上缺陷的任何一种或多种均会导致硬化膜报废、降低产品良率、增加成本；即使耐高温保护膜质量合格，其本身既增加了成本又复杂了加工程序。

因此，亟需一种低立体纹、耐高温、耐划，且同时成本较低的透明导电膜与电容式触摸屏。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种透明导电膜与包含其的电容式触摸屏，以解决现有技术中透明导电膜与电容式触摸屏中立体纹较严重的问题。

为了实现上述目的，根据本发明的一个方面，提供了一种透明导电，该透明导电膜包括：第一硬化层、透明基材层、第二硬化层与非结晶ITO层。其中，透明基材层设置在第一硬化层的表面上；第二硬化层设置在透明基材层的远离第一硬化层的表面上，且第一硬化层的厚度比第二硬化层的厚度大0.5～3μm；非结晶性ITO层设置在第二硬化层的远离透明基材层的表面上。

进一步地，上述非结晶性ITO层中Sn的重量含量为7％～30％，优选为8％～20％，更优选为15％。

进一步地，上述非结晶性ITO层的厚度在10～100nm之间，优选在15～40nm之间。

进一步地，上述第二硬化层的折射率在1.59～1.80之间。

进一步地，上述第二硬化层的铅笔硬度在3B～4H之间，优选在B～3H之间。

进一步地，上述第二硬化层的厚度在0.3～10μm之间，优选在0.5～3.0μm之间。

进一步地，上述第一硬化层的铅笔硬度在3B～4H之间，优选在B～3H之间。

进一步地，上述透明基材层的全光透过率大于85％，优选上述透明基材层的厚度在10～500μm之间，进一步优选在20～200μm之间。

进一步地，上述透明基材层的机械运行方向的收缩率大于0小于等于0.5％，垂直于上述机械运行方向的收缩率大于0小于等于0.1％。

根据本发明的另一方面，提供了一种电容式触摸屏，包含透明导电膜，该透明导电膜为上述的透明导电膜。

应用本发明的技术方案，透明导电膜通过采用非结晶ITO层代替现有技术中的结晶ITO层，在后期的热处理过程后，非结晶ITO层不会由非结晶态变为结晶态，而是保持非结晶态，使得非结晶ITO层的收缩率保持不变，进而使得蚀刻及加热前后各层之间的应力差异大大减小，缓解了透明导电薄膜的立体纹严重的问题，得到低立体纹的电容式触摸屏用透明导电薄膜；并且，非结晶ITO层的阻抗较低，使其满足现有技术中触摸屏设备大型化的需求，扩展了其在大型化触控产品市场中的应用，另外，上述的透明导电膜的第一硬化层的厚度比第二硬化层的厚度大0.5～3μm，可以起到高温保护膜的耐高温、耐划伤等作用；同时，在镀膜与刻蚀过程中不用涂覆高温保护膜即可满足各项要求，简化了工艺过程，降低了生产成本，可满足广大客户的需求。

附图说明

构成本申请的一部分的说明书附图用来提供对本发明的进一步理解，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：

图1示出了根据本发明的本申请一种典型实施方式提供的透明导电膜。

具体实施方式

需要说明的是，在不冲突的情况下，本申请中的实施例及实施例中的特征可以相互组合。下面将参考附图并结合实施例来详细说明本发明。

本申请的一种典型的实施方式提供了一种透明导电膜，如图1所示，该透明导电膜包括：第一硬化层10、透明基材层30、第二硬化层50与非结晶ITO层70。其中，透明基材层30设置在第一硬化层10的表面上；第二硬化层50设置在透明基材层30的远离第一硬化层10的表面上，且第一硬化层10的厚度比第二硬化层50的厚度大0.5～3μm；非结晶性ITO层70设置在第二硬化层50的远离透明基材层30的表面上。

结晶ITO是指在热处理过程中会由非结晶态变为结晶态的一种ITO；本发明的非结晶ITO是指在热处理过程后不会由非结晶态变为结晶态的一种ITO。

上述的透明导电膜通过采用非结晶ITO层70代替现有技术中的结晶ITO层，在后期的热处理过程后，非结晶ITO层70不会由非结晶态变为结晶态，而是保持非结晶态，使得非结晶ITO层70的收缩率保持不变，进而使得蚀刻及加热前后各层之间的应力差异大大减小，缓解了透明导电薄膜的立体纹严重的问题，得到低立体纹的电容式触摸屏用透明导电薄膜；并且，非结晶ITO层70的阻抗较低，使其满足现有技术中触摸屏设备大型化的需求，扩展了其在大型化触控产品市场中的应用，另外，上述的透明导电膜的第一硬化层10的厚度比第二硬化层50的厚度大0.5～3μm，可以起到高温保护膜的耐高温、耐划伤等作用；同时，其作用代替了高温保护膜的作用，使得在镀膜与刻蚀过程中不用涂覆高温保护膜即可满足各项要求，简化了工艺过程，降低了生产成本，可满足广大客户的需求。

为了使透明导电膜具有更低的立体纹，本申请优选上述非结晶ITO层70中Sn的重量含量为7％～30％。当非结晶ITO层70中的Sn的重量含量大于7％时，进一步保证了ITO不会结晶，从而使透明导电膜达到更好的低立体纹效果；当非结晶ITO层70中的Sn的重量含量低于30％时，非结晶ITO层70的阻抗较小，同时，其透光度较高，进一步提高了透明导电膜的光学特性。为了进一步保证透明导电薄膜的低立体纹效果与光学特性，本申请进一步优选非结晶ITO层70中Sn的重量含量为8％～20％，更优选非结晶ITO层70中Sn的重量含量为15％。

本申请的另一种优选的实施例中，上述非结晶ITO层70的厚度在10～100nm之间，当非结晶ITO层70的厚度大于10nm时，非结晶ITO层70的阻抗较小，可以满足透明导电膜对阻抗的要求；当非结晶ITO层70的厚度小于100nm时，同样会使透明导电膜的阻抗较小，并且透明导电膜的外观较好。为了进一步获得阻抗较低且外观较好透明导电膜，本申请进一步优选上述非结晶ITO层70的厚度在15～40nm之间。

为了减小刻蚀后刻蚀部分与非刻蚀部分之间产生的光学特性差别(包括可视光范围内的透过和反射特性的差别)，进一步改善透明导电膜的立体纹现象，进而得到更低立体纹的透明导电膜，本申请优选上述第二硬化层50的折射率在1.59～1.80之间。第二硬化层50的折射率在此范围内，能够进一步减少色差；并且折射率在此范围内的材料很容易获取，进一步优选上述第二硬化层50的折射率在1.59～1.75之间。

本申请的又一种优选的实施例中，上述第二硬化层50的铅笔硬度在3B～4H之间，当第二硬化层50的硬度大于3B时，硬度较高，能够起到更好的保护作用；当其硬度小于4H时，其自身收卷更容易、制作成本更低。为了进一步保证第二硬化层50的保护性能与降低生产成本，进一步优选第二硬化层50的铅笔硬度在在B～3H之间。

为了进一步保证第二硬化层50的对透明导电膜的保护性能，同时考虑到生产成本，优选第二硬化层50的厚度在在0.3～10μm之间，当该层的厚度大于0.3μm时，其能够更好的起到保护透明导电膜其它层的作用；而当其厚度小于10μm时，其生产成本较低。为了进一步保证第二硬化层50能起到良好的保护作用，同时，进一步保证其生产成本较低，本申请优选第二硬化层50的厚度在0.5～3.0μm之间。

同样，为了进一步保证第一硬化层10能够对透明导电膜中其它层起到保护作用，同时保证其生产成本较低，本申请优选上述第一硬化层10的铅笔硬度在3B～4H之间，优选在B～3H之间。

本申请的又一种优选的实施例中，上述透明基材层30的全光透过率大于85％，透过率大于85％，能够进一步满足客户的要求。本申请中的透明基材层30是指各生产厂家所生产的透明塑料薄层，一般为包括PET层，TAC层，PC层，PE层或PP层，但不仅仅只局限于这些透明基材层30。

为了进一步确保透明基材层30的工艺可实现性，同时考虑到透明基材层30的收卷性能，本申请优选上述透明基材层30的厚度在10～500μm之间，透明基材层30的厚度控制在此范围内，进一步保证了制备工艺的难度较低，成本较低，并且透明基材层30的收卷较容易。在进一步考虑了现有生产状况和生产成本后，进一步优选上述透明基材层30的厚度在20～200μm之间。

本申请的另一种优选的实施例中，上述透明基材层30的机械运行方向(Machine Direction，MD，也称机械拉伸方向)的收缩率大于0小于等于0.5％，垂直于机械运行方向(TransverseDirection，TD，也称垂直于机械拉伸方向)的收缩率大于0小于等于0.1％。当透明基材层30的收缩率与垂直于机械运行方向的收缩率控制在上述范围内，其热收缩率较低，可以进一步改善透明导电膜的立体纹。为了使透明导电膜的低立体纹效果更好，还可以对透明基材层30的与第一硬化层10作耐热处理。

本申请的又一种优选的实施例中，提供了一种电容式触摸屏，该电容式触摸屏包含透明导电膜，该透明导电膜为上述的透明导电膜。

该电容式触摸屏中的透明导电膜具有低立体纹，能够满足客户的要求，同时由于该电容式触摸屏中的透明导电膜的阻抗较低，使得电容式触摸屏可以实现大尺寸化，进而满足现有技术中触摸屏设备大型化的需求；另外，该电容式触摸屏的制作过程中无需涂覆高温保护膜即可满足各项工艺的要求，简化了制作工艺，降低了生产成本，可满足广大客户的需求。

为了让本领域技术人员更加清楚了解本申请的技术方案，以下将结合实施例与对比例进行说明。

实施例1

在透明基材层30的表面上涂布选自日本荒川化学公司的型号为CH202的硬化液，经干燥，固化制成第一硬化层10。然后利用同样的方式，在透明基材层30的远离上述第一硬化层10的表面涂布选自日本DIC公司的型号为PC13-1082的硬化液，制成第二硬化层50。

利用磁控溅射工艺，在第二硬化层50的远离上述透明基材层30的表面上镀膜，得到非结晶性ITO层。形成图1所示的透明导电膜。

采用油墨网印蚀刻法对透明导电膜的非结晶ITO层70进行刻蚀，然后，对其进行烘烤，烘烤温度为150℃，时间为60min。透明导电膜的具体结构参数见表1。

实施例2

采用与实施例1相同的方法制备透明导电膜，制备得到的透明导电膜的结构参数见表1，其中，涂布第一硬化层10的硬化液为日本DIC公司的型号为FZ001的硬化液，涂布第二硬化层50的硬化液为日本JSR公司的型号为KZ6661的硬化液。透明导电膜的具体结构参数见表1。

实施例3

采用与实施例1相同的方法制备透明导电膜，制备得到的透明导电膜的结构参数见表1，其中，涂布第一硬化层10的硬化液为日本荒川化学公司的型号为CH202的硬化液，涂布第二硬化层50的硬化液为日本JSR公司的型号为KZ6661的硬化液，形成图1所示的透明导电膜。透明导电膜的具体结构参数见表1。

实施例4

采用与实施例1相同的方法制备透明导电膜，制备得到的透明导电膜的结构参数见表1，其中，涂布第一硬化层10的硬化液为日本中塗化工公司的型号为FZ001的硬化液，涂布第二硬化层50的硬化液为日本JSR公司的型号为KZ6661的硬化液，形成图1所示的透明导电膜。透明导电膜的具体结构参数见表1。

实施例5

采用与实施例1相同的方法制备透明导电膜，制备得到的透明导电膜的结构参数见表1，其中，涂布第一硬化层10的硬化液为台湾立大公司型号为OA001的硬化液，涂布第二硬化层50的硬化液为日本JSR公司的型号为KZ6661的硬化液，形成图1所示的透明导电膜。透明导电膜的具体结构参数见表1。

实施例6

采用与实施例1相同的方法制备透明导电膜，制备得到的透明导电膜的结构参数见表1，其中，涂布第一硬化层10的硬化液为日本荒川化学公司的型号为CH202的硬化液，涂布第二硬化层50的硬化液为日本JSR公司的型号为KZ6661的硬化液，形成图1所示的透明导电膜。透明导电膜的具体结构参数见表1。

实施例7

采用与实施例1相同的方法制备透明导电膜，制备得到的透明导电膜的结构参数见表1，其中，涂布第一硬化层10的硬化液为日本荒川化学公司的型号为CH202的硬化液，涂布第二硬化层50的硬化液为日本JSR公司的型号为KZ6661的硬化液，形成图1所示的透明导电膜。透明导电膜的具体结构参数见表1。

实施例8

采用与实施例1相同的方法制备透明导电膜，制备得到的透明导电膜的结构参数见表1，其中，透明基材层30为帝人杜邦公司型号为KFL10D的PET层；涂布第一硬化层10的硬化液为日本Natoco公司的型号，AFHC-100-50的抗油污耐划伤硬化液；涂布第二硬化层50的硬化液为日本JSR公司的型号为KZ6661的硬化液，形成图1所示的透明导电膜。透明导电膜的具体结构参数见表1。

实施例9

采用与实施例1相同的方法制备透明导电膜，制备得到的透明导电膜的结构参数见表1，其中，透明基材层30为日本东丽公司型号为UH13的PET层；涂布第一硬化层10的硬化液为日本DIC公司的型号为FZ001的硬化液，涂布第二硬化层50的硬化液为日本JSR公司的型号为KZ6661的硬化液，形成图1所示的透明导电膜。透明导电膜的具体结构参数见表1。

实施例10

采用与实施例1相同的方法制备透明导电膜，制备得到的透明导电膜的结构参数见表1，其中，透明基材层30为日本三菱公司的型号为O901E PET层；涂布第一硬化层10的硬化液为日本荒川化学公司的型号为CH202的硬化液，涂布第二硬化层50的硬化液为日本JSR公司的型号为KZ6661的硬化液，形成图1所示的透明导电膜。透明导电膜的具体结构参数见表1。

实施例11

采用与实施例1相同的方法制备透明导电膜，制备得到的透明导电膜的结构参数见表1，其中，涂布第一硬化层10的硬化液为日本荒川化学公司的型号为CH202的硬化液，涂布第二硬化层50的硬化液为日本JSR公司的型号为KZ6661的硬化液，形成图1所示的透明导电膜。透明导电膜的具体结构参数见表1。

实施例12

采用与实施例1相同的方法制备透明导电膜，制备得到的透明导电膜的结构参数见表1，其中，涂布第一硬化层10的硬化液为日本荒川化学公司的型号为CH202的硬化液，涂布第二硬化层50的硬化液为日本JSR公司的型号为KZ6661的硬化液，形成图1所示的透明导电膜。透明导电膜的具体结构参数见表1。

实施例13

采用与实施例1相同的方法制备透明导电膜，制备得到的透明导电膜的结构参数见表1，其中，涂布第一硬化层10的硬化液为日本荒川化学公司的型号为CH202的硬化液，涂布第二硬化层50的硬化液为日本DIC公司的型号为PC13-1082的硬化液，形成图1所示的透明导电膜。透明导电膜的具体结构参数见表1。

实施例14

采用与实施例1相同的方法制备透明导电膜，制备得到的透明导电膜的结构参数见表1，其中，涂布第一硬化层10的硬化液为日本荒川化学公司的型号为CH202的硬化液，涂布第二硬化层50的硬化液为日本JSR公司的型号为KZ6661的硬化液，形成图1所示的透明导电膜。透明导电膜的具体结构参数见表1。

实施例15

采用与实施例1相同的方法制备透明导电膜，制备得到的透明导电膜的结构参数见表1，其中，涂布第一硬化层10的硬化液为日本荒川化学公司的型号为CH202的硬化液，涂布第二硬化层50的硬化液为日本JSR公司的型号为KZ6661的硬化液，形成图1所示的透明导电膜。透明导电膜的具体结构参数见表1。

实施例16

采用与实施例1相同的方法制备透明导电膜，制备得到的透明导电膜的结构参数见表1，其中，涂布第一硬化层10的硬化液为日本DIC公司的型号为FZ001的硬化液，涂布第二硬化层50的硬化液为日本JSR公司的型号为KZ6661的硬化液，形成图1所示的透明导电膜。透明导电膜的具体结构参数见表1。

对比例1

在日本东丽公司型号为U483的PET层的表面上，涂布日本DIC公司的型号为PC13-1082的硬化液，经干燥固化，制成第一硬化层。然后，利用同样的方式，在此基材的远离上述第一硬化层的表面上涂布制成第二硬化层。

利用磁控溅射工艺，在第二硬化层的远离透明基材层的表面上镀膜，依次形成膜高折射率层、低折射率层与结晶ITO层。

采用油墨网印蚀刻法对上述的透明导电膜的结晶ITO层进行刻蚀，然后进行烘烤，烘烤温度为150℃，时间为60min。制备得到的透明导电膜的结构参数见表。

对比例2

在帝人杜邦公司的型号为KEL86W的PET透明基材层的表面上，涂布日本荒川化学公司的型号为FZ001的硬化液，经干燥固化后，制成第一硬化层。然后，利用同样的方式，在透明基材层的远离第一硬化层的表面上涂布硬化液，形成第二硬化层。

利用磁控溅射工艺，在第二硬化层的远离透明基材层的表面上镀膜，依次形成膜高折射率层、低折射率层与结晶ITO层。

采用油墨网印蚀刻法对上述的透明导电膜的结晶ITO层进行刻蚀，然后进行烘烤，烘烤温度为150℃，时间为60min。制备得到的透明导电膜的结构参数见表1。

表1

将所有实施例与对比例的透明导电膜用LG化学公司的50μm的OCA胶层与大猩猩强化玻璃贴合在一起，非结晶ITO层与大猩猩强化玻璃接触，目视进行透明导电膜立体纹的判断，采用四探针法对其阻抗进行测试；采用油性笔擦拭法测试各例的表征第一硬化层的抗油性好坏的水接触角；采用钢丝绒测试第一硬化层的耐磨性；采用铅笔硬度测试其耐划伤性。具体测试结果见表2，其中，立体纹的效果按照A、B、C的顺序逐渐变好。

表2

根据表2可知：当非结晶ITO层中Sn的重量含量为7％～30％，优选在8％～20％之间，更优选为15％，其厚度在10～100nm之间；第二硬化层的折射率在1.59～1.80之间，其铅笔硬度在3B～4H之间，其厚度在0.3～10μm之间；第一硬化层的厚度比第二硬化层的厚度大0.5～3μm，第一硬化层的铅笔硬度在3B～4H之间，透明基材层的全光透过率大于85％，其厚度在10～500μm之间，其机械运行方向的收缩率大于0小于等于0.5％，垂直于机械运行方向的收缩率大于0小于等于0.1％时，透明导电膜的阻抗较小，其低立体纹效果也较好，抗油性较好、耐磨性较好和耐划伤性也较好，并且其制作过程仅需要3道工艺，工艺简单，生产成本较低。

从以上的描述中，可以看出，本发明上述的实施例实现了如下技术效果：

上述的透明导电膜通过采用非结晶ITO层代替现有技术中的结晶ITO层，在后期的热处理过程后，非结晶ITO层不会由非结晶态变为结晶态，而是保持非结晶态，使得非结晶ITO层的收缩率保持不变，进而使得蚀刻及加热前后各层之间的应力差异大大减小，缓解了透明导电薄膜的立体纹严重的问题，得到低立体纹的电容式触摸屏用透明导电薄膜；并且，非结晶ITO层的阻抗较低，使其满足现有技术中触摸屏设备大型化的需求，扩展了其在大型化触控产品市场中的应用，另外，上述的透明导电膜的第一硬化层的厚度比第二硬化层的厚度大0.5～3μm，可以起到高温保护膜的耐高温、耐划伤等作用；同时，在镀膜与刻蚀过程中不用涂覆高温保护膜即可满足各项要求，简化了工艺过程，降低了生产成本，可满足广大客户的需求。

本申请中的电容式触摸屏中的透明导电膜具有低立体纹，能够满足客户的要求，同时由于该电容式触摸屏中的透明导电膜的阻抗较低，使得电容式触摸屏可以实现大尺寸化，进而满足现有技术中触摸屏设备大型化的需求；另外，该电容式触摸屏的制作过程中无需涂覆高温保护膜即可满足各项工艺的要求，简化了制作工艺，降低了生产成本，可满足广大客户的需求。

以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (10)

1.一种透明导电膜，其特征在于，所述透明导电膜包括：

第一硬化层(10)；

透明基材层(30)，设置在所述第一硬化层(10)的表面上；

第二硬化层(50)，设置在所述透明基材层(30)的远离所述第一硬化层(10)的表面上，所述第一硬化层(10)的厚度比所述第二硬化层(50)的厚度大0.5～3μm；以及

非结晶ITO层(70)，设置在所述第二硬化层(50)的远离所述透明基材层(30)的表面上。

2.根据权利要求1所述的透明导电膜，其特征在于，所述非结晶ITO层(70)中Sn的重量含量为7％～30％，优选为8％～20％，更优选为15％。

3.根据权利要求1或2所述的透明导电膜，其特征在于，所述非结晶ITO层(70)的厚度在10～100nm之间，优选在15～40nm之间。

4.根据权利要求3所述的透明导电膜，其特征在于，所述第二硬化层(50)的折射率在1.59～1.80之间。

5.根据权利要求1或4所述的透明导电膜，其特征在于，所述第二硬化层(50)的铅笔硬度在3B～4H之间，优选在B～3H之间。

6.根据权利要求5所述的透明导电膜，其特征在于，所述第二硬化层(50)的厚度在0.3～10μm之间，优选在0.5～3.0μm之间。

7.根据权利要求1或6所述的透明导电膜，其特征在于，所述第一硬化层(10)的铅笔硬度在3B～4H之间，优选在B～3H之间。

8.根据权利要求7所述的透明导电膜，其特征在于，所述透明基材层(30)的全光透过率大于85％，优选所述透明基材层(30)的厚度在10～500μm之间，进一步优选在20～200μm之间。

9.根据权利要求1或8所述的透明导电膜，其特征在于，所述透明基材层(30)的机械运行方向的收缩率大于0小于等于0.5％，垂直于所述机械运行方向的收缩率大于0小于等于0.1％。

10.一种电容式触摸屏，包括透明导电膜，其特征在于，所述透明导电膜为权利1至9中任一项所述的透明导电膜。