CN104934295A - 一种晶圆正面的保护方法 - Google Patents

一种晶圆正面的保护方法 Download PDF

Info

Publication number
CN104934295A
CN104934295A CN201410101121.5A CN201410101121A CN104934295A CN 104934295 A CN104934295 A CN 104934295A CN 201410101121 A CN201410101121 A CN 201410101121A CN 104934295 A CN104934295 A CN 104934295A
Authority
CN
China
Prior art keywords
wafer
present
ester carbonate
front surface
film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201410101121.5A
Other languages
English (en)
Inventor
戚德奎
李新
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp
Original Assignee
Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp filed Critical Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp
Priority to CN201410101121.5A priority Critical patent/CN104934295A/zh
Publication of CN104934295A publication Critical patent/CN104934295A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Weting (AREA)

Abstract

本发明提出了一种晶圆正面的保护方法，包括下列步骤：提供晶圆；在所述晶圆正面形成脂肪族聚碳酸酯薄膜；图案化所述晶圆背面；热分解去除所述脂肪族聚碳酸酯薄膜。根据本发明的制造工艺在晶圆正面覆盖脂肪族聚碳酸酯薄膜，可有效避免晶圆背部制程时对晶圆正面造成损伤的产生，同时对整个器件不会造成任何影响，进而提高了器件的良率。

Description

一种晶圆正面的保护方法
技术领域
本发明涉及半导体制造工艺，尤其涉及一种晶圆正面的保护方法。
背景技术
微机电系统（Micro-Electro-Mechanical Systems，MEMS）压力传感器需要在正面工艺完成后再进行晶圆背部的制程。而在进行背面制程时，晶圆正面不可避免的要和设备直接接触。为防止此接触导致晶圆正面受损，必须采取措施对晶圆正面进行保护。
目前通常使用的保护方法有两种：
一、正面制程完成后在晶圆正面增加一层氧化层，在背面制程完成后,再通过HF祛除正面的保护氧化层。如图1A所示，在晶圆100表面形成一层氧化物层101。
二、正面制程完成后在晶圆正面增加一层光阻（PR）来保护器件。
但是，对于正面已经打开了铝引线孔的制程，若使用氧化层保护的方式，后期需要使用HF祛除保护氧化层，这样会导致金属接触点被HF侵蚀从而影响器件的可靠性。如图1B所示为被HF侵蚀后金属表面形貌图。若使用PR作为保护层，则会产生颗粒问题，污染晶圆和机台。
因此，急需一种新的保护方法，以克服现有技术中的不足。
发明内容
在发明内容部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本发明的发明内容部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。
为了解决现有技术中存在的问题，本发明提出了一种晶圆正面的保护方法，包括下列步骤：提供晶圆；在所述晶圆正面形成脂肪族聚碳酸酯薄膜；图案化所述晶圆背面；热分解去除所述脂肪族聚碳酸酯薄膜。
可选地，所述脂肪族聚碳酸酯薄膜材料为聚碳酸亚丙酯。
可选地，将所述脂肪族聚碳酸酯原料溶解于苯甲醚中，通过旋涂的方式均匀覆盖所述晶圆表面。
可选地，进行所述旋涂后还包括烘干的步骤。
可选地，所述烘干的温度为100～120℃。
可选地，所述热分解温度为240～260℃。
可选地，所述晶圆的正面形成有焊盘。
可选地，所述晶圆的正面形成有微机电系统压力传感器元件。
综上所示，根据本发明的制造工艺在晶圆正面覆盖脂肪族聚碳酸酯薄膜，可有效避免晶圆背部制程时对晶圆正面造成损伤的产生，同时对整个器件不会造成任何影响，进而提高了器件的良率。
附图说明
本发明的下列附图在此作为本发明的一部分用于理解本发明。附图中示出了本发明的实施例及其描述，用来解释本发明的原理。
图1A为现有技术晶圆正面形成氧化物保护层的剖面示意图；
图1B为被HF侵蚀后金属表面形貌图；
图2A-2C为根据本发明示例性实施例的方法依次实施步骤的剖面示意图；
图3为根据本发明示例性实施例的方法依次实施步骤的流程图。
具体实施方式
在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本发明更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本发明可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中，为了避免与本发明发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述。
为了彻底理解本发明，将在下列的描述中提出详细的步骤，以便阐释本发明提出的制造工艺。显然，本发明的施行并不限定于半导体领域的技术人员所熟习的特殊细节。本发明的较佳实施例详细描述如下，然而除了这些详细描述外，本发明还可以具有其他实施方式。
应当理解的是，当在本说明书中使用术语“包含”和/或“包括”时，其指明存在所述特征、整体、步骤、操作、元件和/或组件，但不排除存在或附加一个或多个其他特征、整体、步骤、操作、元件、组件和/或它们的组合。
[示例性实施例]
下面将结合剖面示意图对本发明进行更详细的描述，其中标示了本发明的优选实施例，应该理解本领域技术人员可以进行修改在此描述的本发明，而仍然实现本发明的有利效果。
首先，如图2A所示，提供晶圆200，所述晶圆的正面形成有焊盘（未示出），在所述晶圆正面形成脂肪族聚碳酸酯薄膜204。
所述晶圆200正面已经完成焊盘的工艺流程。所述晶圆200包含硅底基层201、半导体衬底202和器件，所述硅底基层201为单晶硅或者硅玻璃等。所述半导体衬底202的材料是单晶硅，也可以是绝缘体上的硅或者应力硅等其他衬底。本实施例中，通过热键合（fusion bonding）的方式，通过氧化硅材料的氧化层203将硅底基层201和半导体衬底202接合到一起。所述器件是由若干个金属-氧化物-半导体场效应晶体管（MOSFETs）以及电容、电阻等其他器件通过合金互联形成的集成电路，也可以是其他集成电路领域内常见的半导体器件，例如双极器件或者功率器件等。作为一个实例，所述晶圆的正面形成有微机电系统压力传感器元件。
在晶圆正面形成脂肪族聚碳酸酯薄膜204，所述脂肪族聚碳酸酯薄膜材料优选为聚碳酸亚丙酯。所述聚碳酸亚丙酯（C4H6O3,Polypropylenecarbonate，简称PPC），是一种新型合成材料，其合成原料主要为二氧化碳，以二氧化碳为单体原料在催化剂作用下，生成的脂肪族聚碳酸酯。PPC在常温下为固态，在本实施例中，将固态的PPC溶解在苯甲醚中，接着，通过旋涂（spin-coating）的方式将溶解液均匀覆盖在晶圆表面上，之后在一定温度下烘干蒸发苯甲醚，得到均匀覆盖在晶圆表面上的PPC薄膜。烘干温度在此不作具体限制，只要能保证将苯甲醚蒸发、使PPC薄膜固化且对器件无不良影响即可。本实施例，优选烘干温度为100～120℃。
接着，如图2B所示，图案化所述晶圆背面。
将晶圆200进行第一次翻面，使得晶圆背面朝上，在翻面后硅底基层201的表面形成光刻胶，以所述光刻胶为掩膜，采用深反应离子刻蚀工艺图形化硅底基层201。由于硅底基层201的厚度较大，采用深反应离子蚀刻工艺可以较为快速地实现图形化，但是本发明对硅底基层201的图形化工艺不作限制。此处，采用深反应离子蚀刻工艺刻蚀所述硅底基层201和氧化层203，以形成开口205。在此步骤实施过程中，由于PPC薄膜覆盖整个晶圆正面对器件进行保护，并且，使得各半导体机台以常规的方式拿/取晶圆，因此对器件不会造成损伤。
接着，如图2C所示，热分解去除所述脂肪族聚碳酸酯薄膜204。
对晶圆进行第二次翻面，使晶圆包含PPC薄膜的表面朝上，热分解去除所述脂肪族聚碳酸酯薄膜，由于PPC是一种全降解材料，其在250℃温度处理下，可以完全分解为二氧化碳和水，故采用加热分解的方法即可去除所述PPC薄膜，且对整个器件不会造成任何影响。本实施例，热分解温度优选为240～260℃，但其并不仅限于此温度，所述热分解的温度一般在保证晶圆器件性能不受影响的前提下，可适当提高。
参照图3，其中示出了根据本发明示例性实施例的方法依次实施的步骤的流程图，用于简要示出整个制造工艺的流程。
在步骤301中，提供晶圆，在晶圆正面形成脂肪族聚碳酸酯薄膜。
在步骤302中，图案化晶圆背面。
在步骤303中，热分解去除脂肪族聚碳酸酯薄膜。
本发明已经通过上述实施例进行了说明，但应当理解的是，上述实施例只是用于举例和说明的目的，而非意在将本发明限制于所描述的实施例范围内。此外本领域技术人员可以理解的是，本发明并不局限于上述实施例，根据本发明的教导还可以做出更多种的变型和修改，这些变型和修改均落在本发明所要求保护的范围以内。本发明的保护范围由附属的权利要求书及其等效范围所界定。

Claims (8)

1.一种晶圆正面的保护方法，包括：
提供晶圆；
在所述晶圆正面形成脂肪族聚碳酸酯薄膜；
图案化所述晶圆背面；
热分解去除所述脂肪族聚碳酸酯薄膜。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述脂肪族聚碳酸酯薄膜材料为聚碳酸亚丙酯。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，将所述脂肪族聚碳酸酯原料溶解于苯甲醚中，通过旋涂的方式均匀覆盖所述晶圆表面。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，进行所述旋涂后还包括烘干的步骤。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于，所述烘干的温度为100～120℃。
6.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述热分解温度为240～260℃。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述晶圆的正面形成有焊盘。
8.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述晶圆的正面形成有微机电系统压力传感器元件。
CN201410101121.5A 2014-03-18 2014-03-18 一种晶圆正面的保护方法 Pending CN104934295A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410101121.5A CN104934295A (zh) 2014-03-18 2014-03-18 一种晶圆正面的保护方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410101121.5A CN104934295A (zh) 2014-03-18 2014-03-18 一种晶圆正面的保护方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN104934295A true CN104934295A (zh) 2015-09-23

Family

ID=54121412

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410101121.5A Pending CN104934295A (zh) 2014-03-18 2014-03-18 一种晶圆正面的保护方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN104934295A (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107107259A (zh) * 2014-12-26 2017-08-29 国立大学法人群马大学 金属构件的接合方法
CN110690121A (zh) * 2019-10-11 2020-01-14 武汉新芯集成电路制造有限公司 焊盘的保护方法及半导体器件的制造方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1911780A (zh) * 2005-08-09 2007-02-14 探微科技股份有限公司 保护晶片正面图案的方法与进行双面工艺的方法
US20100307786A1 (en) * 2004-03-15 2010-12-09 Georgia Tech Research Corporation Packaging For Micro Electro-Mechanical Systems And Methods Of Fabricating Thereof
US20120267729A1 (en) * 2011-04-22 2012-10-25 International Business Machines Corporation Self-sealed fluidic channels for nanopore array
CN103050480A (zh) * 2012-08-14 2013-04-17 上海华虹Nec电子有限公司 硅片的背面图形化的工艺方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20100307786A1 (en) * 2004-03-15 2010-12-09 Georgia Tech Research Corporation Packaging For Micro Electro-Mechanical Systems And Methods Of Fabricating Thereof
CN1911780A (zh) * 2005-08-09 2007-02-14 探微科技股份有限公司 保护晶片正面图案的方法与进行双面工艺的方法
US20120267729A1 (en) * 2011-04-22 2012-10-25 International Business Machines Corporation Self-sealed fluidic channels for nanopore array
CN103050480A (zh) * 2012-08-14 2013-04-17 上海华虹Nec电子有限公司 硅片的背面图形化的工艺方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107107259A (zh) * 2014-12-26 2017-08-29 国立大学法人群马大学 金属构件的接合方法
CN107107259B (zh) * 2014-12-26 2022-04-01 国立大学法人群马大学 金属构件的接合方法
CN110690121A (zh) * 2019-10-11 2020-01-14 武汉新芯集成电路制造有限公司 焊盘的保护方法及半导体器件的制造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN103531442B (zh) 柔性基板制备方法
KR101362025B1 (ko) 고온에서 가요성 반도체 장치를 제공하는 방법 및 그 가요성 반도체 장치
CN103617944B (zh) 基于光刻胶的临时键合及去键合的方法
KR920001625A (ko) 표면적이 극대화된 실리콘층 및 그 제조방법
CN103682176A (zh) 刚性衬底基板及柔性显示器件的制作方法、刚性衬底基板
CN102576680A (zh) 用于在背侧处理时保护前侧电路的耐划涂层
CN105097431A (zh) 一种晶圆正面的保护方法
US11328972B2 (en) Temporary bonding scheme
WO2005013323A2 (en) Methods and apparatus for fabricating solar cells
CN105374862B (zh) 一种半导体器件及其制作方法和电子装置
CN104934295A (zh) 一种晶圆正面的保护方法
JP2010140987A (ja) 半導体装置の製造方法
CN103117287B (zh) 非制冷薄膜型红外焦平面阵列探测器结构及其制备方法
CN104916596A (zh) 功率半导体器件、用于处理其的方法以及功率电子模块
CN103303858B (zh) 采用koh溶液的硅基mems器件湿法释放方法
CN102903628A (zh) 一种半导体器件的制作方法
CN102173377B (zh) 半导体器件及其制造方法
CN104934331A (zh) 一种保护晶圆接合焊盘的方法
CN106829853B (zh) 深硅刻蚀方法及硅基mems运动传感器的制造方法
CN105762019A (zh) 一种lcp基材的rf mems开关制备方法
CN103107067B (zh) 一种半导体双层保护层的制作工艺方法
CN109727857A (zh) 干法刻蚀方法
WO2002023612A3 (en) Process for removing an oxide during the fabrication of a resistor
CN108615669A (zh) 半导体结构及其形成方法
US8765527B1 (en) Semiconductor device with redistributed contacts

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20150923