CN104932737B - 导电性膜和触控面板传感器 - Google Patents

导电性膜和触控面板传感器 Download PDF

Info

Publication number
CN104932737B
CN104932737B CN201510106522.4A CN201510106522A CN104932737B CN 104932737 B CN104932737 B CN 104932737B CN 201510106522 A CN201510106522 A CN 201510106522A CN 104932737 B CN104932737 B CN 104932737B
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
mentioned
refractive index
base material
index layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201510106522.4A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104932737A (zh
Inventor
大川晃次郎
黑田刚志
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dai Nippon Printing Co Ltd
Original Assignee
Dai Nippon Printing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dai Nippon Printing Co Ltd filed Critical Dai Nippon Printing Co Ltd
Publication of CN104932737A publication Critical patent/CN104932737A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104932737B publication Critical patent/CN104932737B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/044Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/044Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
    • G06F3/0446Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means using a grid-like structure of electrodes in at least two directions, e.g. using row and column electrodes
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B7/00Layered products characterised by the relation between layers; Layered products characterised by the relative orientation of features between layers, or by the relative values of a measurable parameter between layers, i.e. products comprising layers having different physical, chemical or physicochemical properties; Layered products characterised by the interconnection of layers
    • B32B7/02Physical, chemical or physicochemical properties
    • B32B7/025Electric or magnetic properties
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B7/00Layered products characterised by the relation between layers; Layered products characterised by the relative orientation of features between layers, or by the relative values of a measurable parameter between layers, i.e. products comprising layers having different physical, chemical or physicochemical properties; Layered products characterised by the interconnection of layers
    • B32B7/02Physical, chemical or physicochemical properties
    • B32B7/023Optical properties
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B9/00Layered products comprising a layer of a particular substance not covered by groups B32B11/00 - B32B29/00
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B1/00Optical elements characterised by the material of which they are made; Optical coatings for optical elements
    • G02B1/10Optical coatings produced by application to, or surface treatment of, optical elements
    • G02B1/11Anti-reflection coatings
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G5/00Control arrangements or circuits for visual indicators common to cathode-ray tube indicators and other visual indicators
    • G09G5/003Details of a display terminal, the details relating to the control arrangement of the display terminal and to the interfaces thereto
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/0274Optical details, e.g. printed circuits comprising integral optical means
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/03Use of materials for the substrate
    • H05K1/0313Organic insulating material
    • H05K1/032Organic insulating material consisting of one material
    • H05K1/0326Organic insulating material consisting of one material containing O
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32LAYERED PRODUCTS
    • B32BLAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2457/00Electrical equipment
    • B32B2457/20Displays, e.g. liquid crystal displays, plasma displays
    • B32B2457/208Touch screens
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2203/00Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
    • G06F2203/041Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
    • G06F2203/04103Manufacturing, i.e. details related to manufacturing processes specially suited for touch sensitive devices
    • GPHYSICS
    • G06COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06FELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F3/00Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
    • G06F3/01Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
    • G06F3/03Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
    • G06F3/041Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
    • G06F3/0412Digitisers structurally integrated in a display
    • GPHYSICS
    • G09EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09GARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/04Structural and physical details of display devices
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/01Dielectrics
    • H05K2201/0104Properties and characteristics in general
    • H05K2201/0108Transparent
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/03Conductive materials
    • H05K2201/032Materials
    • H05K2201/0326Inorganic, non-metallic conductor, e.g. indium-tin oxide [ITO]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Human Computer Interaction (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Non-Insulated Conductors (AREA)

Abstract

本发明涉及导电性膜和触控面板传感器,其目的在于提供能够抑制从各种角度观看时的色调的偏差的导电性膜。根据本发明的一个方式,提供导电性膜(10),其具备:基材膜(11),该基材膜(11)具备透光性基材(20)和层积在透光性基材(20)的单面或两面的1层以上的功能层(21、22);设置在功能层(21)上且被图案化的透明导电层(12);以及与透明导电层(12)电连接的取出电极(13),基材膜(11)中,设基材膜(11)的表面的法线方向为0°,在5°以上75°以下的范围内每隔5度地改变入射角度的同时由功能层(21)的表面侧向基材膜(11)照射光,由各自的朝向正反射方向的反射光求出基材膜(11)中的L*a*b*色度系统的a*值和b*值时,基材膜(11)的a*值的偏差为1.0以内、且b*值的偏差为3.0以内。

Description

导电性膜和触控面板传感器
【技术领域】
本发明涉及导电性膜和触控面板传感器。
【背景技术】
如今,作为输入手段广泛使用触控面板装置。触控面板装置具备触控面板传感器、对在触控面板传感器上的接触位置进行检测的控制电路、配线和FPC(柔性印刷基材)。多数情况下,触控面板装置作为针对装入有液晶显示屏、等离子体显示屏等显示装置的各种装置等(例如售票机、ATM装置、移动电话、游戏机)的输入手段与显示装置一同使用。在这样的装置中,触控面板传感器配置于显示装置的显示面上,由此能够针对显示装置进行极为直接的输入。
触控面板装置基于对触控面板传感器上的接触位置(靠近位置)进行检测的原理而分为各种形式。迄今,出于光学上明亮、具有美观性、结构容易、功能优异等理由,静电容量方式的触控面板装置受到关注。静电容量方式有表面型和投影型,投影型由于适于应对多触点识别(多点识别)而备受关注。
作为用于投影型静电容量方式的触控面板的导电性膜,有具备基材膜和形成于基材膜上的透明导电层的导电性膜(例如,参照日本特开2011-98563号公报)。透明导电层被图案化,作为触控面板的传感器电极发挥功能。
【发明内容】
【发明所要解决的课题】
现在,正在推进触控面板装置的大面积化,伴随着触控面板装置的大面积化,画面尺寸变大,因而存在根据观看触控面板装置的位置不同观看角度大不相同的倾向。触控面板装置中使用的触控面板传感器的基材膜是以从正面观看为前提而设计的,在这样的以从正面观看为前提的设计思想下,根据观看角度的不同,色调会出现偏差,因此有可能无法应对触控面板装置的大面积化。
本发明是为了解决上述课题而进行的。即,本发明的目的在于提供从各种角度观看的情况下能够抑制色调的偏差的导电性膜和触控面板传感器。
【解决课题的手段】
本发明的一个方式提供一种导电性膜,其具备:基材膜,该基材膜具备透光性基材以及层积在上述透光性基材的单面或两面的1层以上的功能层;设置在上述功能层上且被图案化的透明导电层;以及与上述透明导电层电连接的取出电极;在上述基材膜中,设上述基材膜的表面的法线方向为0°,在5°以上75°以下的范围内每隔5度地改变入射角度的同时由上述功能层的表面侧向上述基材膜照射光,由各自的朝向正反射方向的反射光求出上述基材膜中的L*a*b*色度系统的a*值和b*值时,上述基材膜的a*值的偏差(ばらつき)为1.0以内,且b*值的偏差为3.0以内。
【发明的效果】
根据本发明的一个方式的导电性膜和其它方式的触控面板传感器,能够抑制在以各种角度观看时的色调的偏差。
【附图说明】
图1为第1实施方式的导电性膜的俯视图。
图2为沿着图1的I-I线的截面图。
图3为图2的局部放大图。
图4为示出使用分光光度计对基材膜的a*和b*进行测定的状况的示意图。
图5为示意性示出导电性膜的制造工序的图。
图6为示意性示出导电性膜的制造工序的图。
图7为示意性示出导电性膜的制造工序的图。
图8为示意性示出导电性膜的制造工序的图。
图9为示意性示出导电性膜的制造工序的图。
图10为示意性示出导电性膜的制造工序的图。
图11为第1实施方式的触控面板传感器的俯视图。
图12为沿着图11的II-II线的截面图。
图13为第2实施方式的导电性膜的俯视图。
图14为沿着图13的III-III线的截面图。
图15为图14的局部放大图。
图16为示意性示出导电性膜的制造工序的图。
图17为示意性示出导电性膜的制造工序的图。
图18为示意性示出导电性膜的制造工序的图。
图19为示意性示出导电性膜的制造工序的图。
图20为示意性示出导电性膜的制造工序的图。
图21为示意性示出导电性膜的制造工序的图。
图22为第2实施方式的触控面板传感器的截面图。
图23为第3实施方式的导电性膜的示意性构成图。
图24为第3实施方式的其它导电性膜的示意性构成图。
【符号的说明】
10、50、100、110…导电性膜
11、51、101、111…基材膜
12、41…透明导电层
13、42、54、55…取出电极
20、59…透光性基材
21、22、60、61、102、112、113…功能层
23、27、62、66…易粘接层
24、28、63、67…硬涂层
25、64、68、103、114、115…高折射率层
26、65、69…低折射率层
30、90…触控面板
【具体实施方式】
[第1实施方式]
以下参照附图对本发明的实施方式的导电性膜和触控面板传感器进行说明。图1为本实施方式的导电性膜的俯视图,图2为沿着图1的I-I线的截面图,图3为图2的局部放大图。图4为示出使用分光反射率测定器对基材膜的分光反射率进行测定的状况的示意图,图5~图10为示出本实施方式的导电性膜的制造工序的示意图。图11为本实施方式的触控面板传感器的俯视图,图12为沿着图11的II-II线的截面图。需要说明的是,在本说明书中,“膜”、“片”、“板”等术语仅基于称呼的差异,而并非相互有区别。因此,例如,“膜”的概念中也包括可被称为片或板的部件。作为一个具体例,“导电性膜”也包括被称为“导电性片”等的部件,“基材膜”也包括被称为“基材片”等的部件。
<<<导电性膜>>>
图1和图2所示的导电性膜10具备基材膜11、设置在基材膜11的单面且被图案化的透明导电层12、以及与透明导电层12电连接的取出电极13。
<<基材膜>>
图2中所示的基材膜11具备透光性基材20以及层积在透光性基材20的两面上的1层以上的功能层21、22。功能层21、22可以分别为1层,但优选分别为2层以上层积而成。本实施方式中,在透光性基材20的两面上层积了功能层21、22,但功能层在透光性基材的单面层积1层以上即可,也可以不在透光性基材的两面层积。
在基材膜11中,设基材膜11的表面的法线方向为0°,在5°以上75°以下的范围内每隔5度地改变入射角度的同时由功能层21侧(低折射率层26侧)向基材膜11照射可见光,由各自的朝向正反射方向的反射光求出L*a*b*色度系统的a*值和b*值时,a*值的偏差为1.0以内、且b*值的偏差为3.0以内。“L*a*b*色度系统”、“a*”和“b*”依据JIS Z8729。
a*值和b*值是依据JIS Z8722测定的,具体地说,例如可使用公知的分光光度计来求出。图4所示的分光光度计200具备:光源201和检测器202,光源201可在5°以上75°以下的范围内移动,检测器202随着光源的移动同步移动,以使其能够接受正反射方向的反射光。关于光源201的移动角度,将基材膜11的法线方向N设为0°。由光源201向基材膜11照射光,利用检测器202接受正反射方向的反射光,能够由利用该检测器202接受的反射光求出a*值和b*值。作为分光光度计,可以举出日本分光株式会社制造的绝对反射率测定装置VAR-7010、紫外可见近红外分光光度计V-7100等。作为光源,可以举出单独的钨卤素(WI)灯、或重氢(D2)灯与钨卤素(WI)灯的合用。此外,在该测定中,由于随着入射角增大,s偏振光与p偏振光的反射率差会变大,因而为了进行精确的测定,优选使用透过轴倾斜45°的偏振元件。
在图4中是在未形成透明导电层12的状态下求得基材膜11的a*值和b*值;在基材膜11上形成有透明导电层12的情况下,可以通过对不存在透明导电层12、基材膜11露出的区域照射光,与上述同样地求出a*值和b*值。
关于a*值和b*值的偏差,可利用上述分光光度计求出各入射角度下的a*值和b*值,计算出其最大值与最小值的差的绝对值,由此来求出a*值和b*值的偏差。a*值的偏差优选为0.4以内,并且b*值的偏差优选为1.6以内,更优选为1.55以内。
关于求出上述a*值和b*值的某一角度的反射光与求出上述a*值和b*值的其它角度的反射光的色差ΔE*ab,优选其为5以下。“ΔE*ab”依据JIS Z8730。
<透光性基材>
作为透光性基材20没有特别限定,只要具有透光性即可,例如可以举出聚烯烃基材、聚碳酸酯基材、聚丙烯酸酯基材、聚酯基材、芳香族聚醚酮基材、聚醚砜基材或聚酰胺基材。
作为聚烯烃基材,例如可以举出以聚乙烯、聚丙烯、环状聚烯烃基材等的至少一种作为构成成分的基材。作为环状聚烯烃基材,例如可以举出具有降冰片烯骨架的物质。
作为聚碳酸酯基材,例如可以举出以双酚类(双酚A等)为基础的芳香族聚碳酸酯基材、二甘醇双烯丙基碳酸酯等脂肪族聚碳酸酯基材等。
作为聚丙烯酸酯基材,例如可以举出聚(甲基)丙烯酸甲酯基材、聚(甲基)丙烯酸乙酯基材、(甲基)丙烯酸甲酯-(甲基)丙烯酸丁酯共聚物基材等。
作为聚酯基材,例如可以举出以聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚对苯二甲酸丙二醇酯、聚对苯二甲酸丁二醇酯、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)的至少一种作为构成成分的基材。
作为芳香族聚醚酮基材,例如可以举出聚醚醚酮(PEEK)基材等。
透光性基材20的厚度没有特别限定,可以为5μm以上300μm以下;从处理性等方面出发,透光性基材20的厚度的下限优选为25μm以上、更优选为50μm以上。从薄膜化的方面出发,透光性基材20的厚度的上限优选为250m以下。
为了提高粘接性,在透光性基材20的表面可以实施电晕放电处理、氧化处理等物理性处理。
<功能层>
功能层21、22为在基材膜11中意图发挥出某些功能的层,具体地说,例如可以举出易粘接层、硬涂层、高折射率层、低折射率层等。
功能层为2层以上的情况下,例如可以自透光性基材侧起依叙述顺序层积易粘接层、硬涂层、高折射率层和低折射率层,也可以自透光性基材侧依叙述顺序层积硬涂层、高折射率层和低折射率层,此外还可自透光性基材侧起依叙述顺序层积高折射率层和低折射率层。功能层为1层的情况下,例如功能层可以为高折射率层或低折射率层。
功能层在两面形成的情况下,层积在透光性基材的一面与另一面的功能层的种类或层数可以相同、也可以不同。例如,可以在透光性基材的一面上依叙述顺序层积易粘接层、硬涂层、高折射率层和低折射率层,且在透光性基材的另一面上依叙述顺序层积易粘接层、硬涂层和高折射率层;也可以在透光性基材的一面上依叙述顺序层积硬涂层、高折射率层和低折射率层,且在透光性基材的另一面上依叙述顺序层积硬涂层、高折射率层和低折射率层。在本实施方式中,在透光性基材20的一面上,作为功能层21,依叙述顺序层积易粘接层23、硬涂层24、高折射率层25、低折射率层26;在透光性基材20的另一面上依叙述顺序层积易粘接层27、硬涂层28。
(易粘接层)
易粘接层23、27为用于改善透光性基材20与其它功能层(硬涂层)的密合性的层。易粘接层23、27可以由被称为锚定剂、预涂剂(プライマー)的涂料构成。作为锚定剂、预涂剂(プライマー剤),例如可以使用聚氨酯树脂、聚酯树脂、聚氯乙烯系树脂、聚乙酸乙烯酯系树脂、氯化乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、丙烯酸类树脂、聚乙烯醇系树脂、聚乙烯醇缩醛树脂、乙烯与乙酸乙烯酯或丙烯酸等的共聚物、乙烯与苯乙烯和/或丁二烯等的共聚物、烯烃树脂等热塑性树脂和/或其改性树脂、光聚合性化合物的聚合物和环氧树脂等热固性树脂等中的至少任一种。
易粘接层23、27的折射率优选为1.40以上1.70以下。易粘接层23、27的折射率的下限优选为1.50以上,易粘接层23、27的折射率的上限优选为1.60以下。易粘接层23和易粘接层27的折射率优选分别为上述范围内,但不一定要一致。
易粘接层23、27的折射率可以在形成单独的层后利用Abbe折射率计(Atago社制造NAR-4T)或椭圆计进行测定。并且,作为形成基材膜11后进行折射率测定的方法,可以分别利用切割器等削取易粘接层23、27,制作粉末状态的样品,利用基于JISK7142(2008)B法(粉体或粒状的透明材料用)的贝克法(其为下述方法:使用折射率已知的Cargille试剂,将上述粉末状态的样品置于载玻片等上,在该样品上滴加试剂,用试剂浸渍样品。通过显微镜观察对其状态进行观察,通过目视对由于样品与试剂的折射率不同而在样品轮廓出现的明线(贝克线)进行观察,将无法观察到该明线(贝克线)的试剂的折射率作为样品的折射率)。
易粘接层23、27的膜厚优选为50nm以上150nm以下。易粘接层23、27的厚度为50nm以上时,能够利用易粘接层23、27得到透光性基材20与其它功能层的密合性。易粘接层23、27的膜厚可通过断面显微镜观察来测定。易粘接层23、27的厚度的下限更优选为100nm以上、上限更优选为130nm以下。易粘接层23和易粘接层27的膜厚优选分别为上述范围内,但不一定要一致。
(硬涂层)
硬涂层24、28为在JIS K5600-5-4(1999)规定的铅笔硬度试验(4.9N负荷)中具有“H”以上的硬度的层。通过使铅笔硬度为“H”以上,能够使硬涂层24的硬度充分地反映至低折射率层26的表面,能够提高耐久性。需要说明的是,从与在硬涂层24上形成的高折射率层25的密合性、韧性和防止翘曲的方面出发,硬涂层24的表面的铅笔硬度的上限优选为4H的程度。触控面板传感器会受到反复挤压,要求具有高度的密合性和韧性,因而,通过将硬涂层24、28的铅笔硬度的上限设为4H,能够在将基材膜11装入触控面板传感器10进行使用时发挥出显著的效果。并且,在基材膜上形成导电层后,为了使透明导电层结晶化,在形成了透明导电层的状态下对基材膜进行加热。由于该加热,低聚物从透光性基材析出,可能会使基材膜的雾度上升;但由于硬涂层可作为抑制低聚物析出的层发挥出功能,因而通过设置硬涂层24、28,能够抑制基材膜的雾度的上升。
硬涂层24、28的折射率优选为1.45以上1.60以下。硬涂层24、28的折射率的下限优选为1.48以上,硬涂层24、28的折射率的上限优选为1.57以下。此外,在如本实施方式这样在透光性基材20的两面上形成硬涂层24、28的情况下,各硬涂层24、28的折射率优选为上述范围内,但不一定要一致。硬涂层24、28的折射率可以利用与上述易粘接层23、27的折射率相同的方法进行测定。
硬涂层24、28的膜厚优选为0.5μm以上。硬涂层24、28的厚度为0.5μm以上时,能够得到所期望的硬度。硬涂层24、28的膜厚可通过断面显微镜观察进行测定。硬涂层24、28的厚度的下限更优选为1.0μm以上,上限更优选为7.0μm以下;硬涂层24、28的厚度更优选为1.5μm以上5.0μm以下。在像本实施方式这样在透光性基材20的两面上形成硬涂层24、28的情况下,各硬涂层24、28的膜厚处于上述范围内,但不一定要一致。
硬涂层24、28例如由树脂构成。树脂包括光聚合性化合物的聚合物(交联物)。树脂中,除了光聚合性化合物的聚合物(交联物)以外,还包括溶剂干燥型树脂、热固性树脂。光聚合性化合物具有至少一个光聚合性官能团。本说明书中的“光聚合性官能团”是指可通过光照射发生聚合反应的官能团。作为光聚合性官能团,例如可以举出(甲基)丙烯酰基、乙烯基、烯丙基等烯键式双键。需要说明的是,“(甲基)丙烯酰基”的含义中包括“丙烯酰基”和“甲基丙烯酰基”这两者。此外,作为将光聚合性化合物聚合时所照射的光,可以举出可见光线以及紫外线、X射线、电子射线、α射线、β射线和γ射线之类的电离射线。
作为光聚合性化合物,可以举出光聚合性单体、光聚合性低聚物或光聚合性预聚物,可以对这些进行适宜调整来进行使用。作为光聚合性化合物,优选光聚合性单体与光聚合性低聚物或光聚合性预聚物的组合。
光聚合性单体
光聚合性单体的重均分子量小于1000。作为光聚合性单体,优选具有2个(即2官能)以上的光聚合性官能团的多官能单体。本说明书中,“重均分子量”是溶解于四氢呋喃(THF)等溶剂中,利用现有公知的凝胶渗透色谱法(GPC)法通过聚苯乙烯换算得到的值。
作为2官能以上的单体,例如可以举出三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、三丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、二甘醇二(甲基)丙烯酸酯、一缩二丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、双三羟甲基丙烷四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯、三季戊四醇八(甲基)丙烯酸酯、四季戊四醇十(甲基)丙烯酸酯、异氰脲酸三(甲基)丙烯酸酯、异氰脲酸二(甲基)丙烯酸酯、聚酯三(甲基)丙烯酸酯、聚酯二(甲基)丙烯酸酯、双酚二(甲基)丙烯酸酯、双甘油四(甲基)丙烯酸酯、金刚烷基二(甲基)丙烯酸酯、异冰片基二(甲基)丙烯酸酯、二环戊烷二(甲基)丙烯酸酯、三环癸烷二(甲基)丙烯酸酯、双三羟甲基丙烷四(甲基)丙烯酸酯或它们经PO、EO等改性得到的物质。
这些物质中,从获得硬度高的硬涂层的方面考虑,优选季戊四醇三丙烯酸酯(PETA)、二季戊四醇六丙烯酸酯(DPHA)、季戊四醇四丙烯酸酯(PETTA)、二季戊四醇五丙烯酸酯(DPPA)等。
光聚合性低聚物
光聚合性低聚物的重均分子量为1000以上且小于10000。作为光聚合性低聚物,优选2官能以上的多官能低聚物。作为多官能低聚物,可以举出聚酯(甲基)丙烯酸酯、氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、聚酯-氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、聚醚(甲基)丙烯酸酯、多元醇(甲基)丙烯酸酯、三聚氰胺(甲基)丙烯酸酯、异氰脲酸酯(甲基)丙烯酸酯、环氧(甲基)丙烯酸酯等。
光聚合性预聚物
光聚合性预聚物的重均分子量为10000以上,作为重均分子量,优选为10000以上80000以下、更优选为10000以上40000以下。重均分子量超过80000的情况下,由于粘度高,涂布适性降低,所得到的光学膜的外观可能会恶化。作为上述多官能聚合物,可以举出氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、异氰脲酸酯(甲基)丙烯酸酯、聚酯-氨基甲酸酯(甲基)丙烯酸酯、环氧(甲基)丙烯酸酯等。
在使光聚合性化合物聚合(交联)时可以使用聚合引发剂等。聚合引发剂是受到光照射而分解,产生自由基,从而引发光聚合性化合物的聚合(交联)或使光聚合性化合物进行聚合(交联)的成分。
聚合引发剂没有特别限定,只要经光照射可释放出引发自由基聚合的物质即可。作为聚合引发剂没有特别限定,可以使用公知的物质,具体例例如可以举出苯乙酮类、二苯甲酮类、米氏苯甲酰苯甲酸酯(ミヒラーベンゾイルベンゾエート)、α-戊肟酯(α-amyloximester)、噻吨酮类、苯丙酮类、苯偶酰类、苯偶姻类、酰基氧化膦类。并且优选混合光敏剂进行使用,作为其具体例,例如可以举出正丁胺、三乙胺、聚正丁基膦等。
作为上述聚合引发剂,在上述粘合剂用树脂为具有自由基聚合性不饱和基团的树脂系的情况下,优选将苯乙酮类、二苯甲酮类、噻吨酮类、苯偶姻、苯偶姻甲醚等单独或混合使用。
溶剂干燥型树脂为热塑性树脂等仅通过对为了调整涂布时的固体成分而添加的溶剂进行干燥即可形成覆膜的树脂。添加溶剂干燥型树脂的情况下,在形成防眩层12时,能够有效地防止涂液的涂布面的覆膜缺陷。作为溶剂干燥型树脂没有特别限定,通常可以使用热塑性树脂。
作为热塑性树脂,例如可以举出苯乙烯系树脂、(甲基)丙烯酸系树脂、乙酸乙烯酯系树脂、乙烯基醚系树脂、含卤素的树脂、脂环式烯烃系树脂、聚碳酸酯系树脂、聚酯系树脂、聚酰胺系树脂、纤维素衍生物、硅酮系树脂和橡胶或弹性体等。
热塑性树脂优选为非晶性且可溶于有机溶剂(特别是能够溶解2种以上的聚合物或固化性化合物的通用溶剂)。特别是从透明性、耐候性的方面考虑,优选苯乙烯系树脂、(甲基)丙烯酸系树脂、脂环式烯烃系树脂、聚酯系树脂、纤维素衍生物(纤维素酯类等)等。
作为热固性树脂没有特别限定,例如可以举出酚树脂、脲树脂、邻苯二甲酸二烯丙酯树脂、三聚氰胺树脂、胍胺树脂、不饱和聚酯树脂、聚氨酯树脂、环氧树脂、氨基醇酸树脂、三聚氰胺-脲醛共缩合树脂、硅树脂、聚硅氧烷树脂等。
硬涂层24、28可如下形成:将含有上述光聚合性化合物的硬涂层用组合物涂布至透光性基材20的表面,干燥后,对涂膜状的硬涂层用组合物照射紫外线等光,使光聚合性化合物聚合(交联),从而可形成该硬涂层。
在硬涂层用组合物中,除了上述光聚合性化合物以外,还可以根据需要添加溶剂、聚合引发剂。进而,在硬涂层用组合物中,根据提高第1硬涂层的硬度、抑制固化收缩、控制折射率等目的,可以添加现有公知的分散剂、表面活性剂、抗静电剂、硅烷偶联剂、增稠剂、防着色剂、着色剂(颜料、染料)、消泡剂、流平剂、阻燃剂、紫外线吸收剂、粘接赋予剂、阻聚剂、抗氧化剂、表面改性剂、易滑剂等。
作为涂布硬涂层用组合物的方法,可以举出旋涂、浸渍法、喷雾法、滑动涂布法、棒涂法、辊涂法、凹板印刷法、模涂法等公知的涂布方法。
作为使硬涂层用组合物固化时的光,在使用紫外线的情况下,可以利用超高压汞灯、高压汞灯、低压汞灯、碳弧、氙弧、金属卤化物灯等所发出的紫外线等。此外,作为紫外线的波长,可以使用190~380nm的波段。作为电子射线源的具体例,可以举出考克罗夫特-瓦尔顿(Cockcroft-Walton)型、范德格拉夫型、共振变压器型、绝缘芯变压器型、或者直线型、地那米(Dynamitron)型、高频型等各种电子射线加速器。
(高折射率层)
高折射率层25优选具有1.55以上1.75以下的折射率。高折射率层25的折射率的下限优选为1.58以上,高折射率层25的折射率的上限优选为1.70以下。此外,在透光性基材的两面上形成有高折射率层的情况下,优选各高折射率层的折射率处于上述范围内,但不一定要一致。高折射率层25的折射率可通过与易粘接层23、27的折射率相同的方法进行测定。从进一步抑制色调的偏差(ばらつき)的方面考虑,硬涂层24与高折射率层25的折射率差优选为0.05以上0.20以下。
高折射率层25的膜厚优选为20nm以上100nm以下。高折射率层25的膜厚可通过断面显微镜观察进行测定。高折射率层25的膜厚的下限更优选为30nm以上,高折射率层25的折射率的上限更优选为70nm以下。在透光性基材的两面上形成高折射率层的情况下,各高折射率层的膜厚处于上述范围内,但不一定要一致。
高折射率层25和低折射率层26可以作为用于使设有透明导电层的区域与未设有透明导电层的区域之间的光透过率和反射率之差减小的指标匹配性层(インデックスマッチング層)发挥功能。
作为高折射率层25没有特别限定,只要具有上述折射率和上述膜厚即可,高折射率层25例如可由高折射率颗粒与粘合剂用树脂构成。
作为上述高折射率颗粒,可以举出金属氧化物微粒。作为金属氧化物微粒,具体地说,例如可以举出二氧化钛(TiO2、折射率:2.3~2.7)、氧化铌(Nb2O5、折射率:2.33)、氧化锆(ZrO2、折射率:2.10)、氧化锑(Sb2O5、折射率:2.04)、氧化锡(SnO2、折射率:2.00)、锡掺杂氧化铟(ITO、折射率:1.95~2.00)、氧化铈(CeO2、折射率:1.95)、铝掺杂氧化锌(AZO、折射率:1.90~2.00)、镓掺杂氧化锌(GZO、折射率:1.90~2.00)、锑酸锌(ZnSb2O6、折射率:1.90~2.00)、氧化锌(ZnO、折射率:1.90)、氧化钇(Y2O3、折射率:1.87)、锑掺杂氧化锡(ATO、折射率:1.75~1.85)、磷掺杂氧化锡(PTO、折射率:1.75~1.85)等。它们之中,从高折射率化和成本的方面出发,优选氧化锆。
高折射率层25所含有的粘合剂用树脂没有特别限制,可以使用热塑性树脂,从提高表面硬度的方面考虑,优选热固性树脂或光聚合性化合物等的聚合物(交联物),其中更优选光聚合性化合物的聚合物。
作为热固性树脂,可以举出丙烯酸类树脂、氨基甲酸酯树脂、酚树脂、脲三聚氰胺树脂、环氧树脂、不饱和聚酯树脂、有机硅树脂等树脂等。在使热固性树脂固化时,可以使用固化剂。
作为光聚合性化合物没有特别限定,可以使用光聚合性单体、低聚物、聚合物。作为1官能的光聚合性单体,可以举出(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸乙基己酯、苯乙烯、甲基苯乙烯、N-乙烯基吡咯烷酮等。此外,作为2官能以上的光聚合性单体,例如可以举出多羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、己二醇(甲基)丙烯酸酯、三丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、二甘醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、这些化合物经环氧乙烷、聚环氧乙烷等改性得到的化合物等。
并且,这些化合物也可以是通过导入芳香环、氟以外的卤原子、硫、氮、磷原子等而将折射率调高的化合物。此外,除了上述化合物以外,还可以使用具有不饱和双键的较低分子量的聚酯树脂、聚醚树脂、丙烯酸类树脂、环氧树脂、氨基甲酸酯树脂、醇酸树脂、螺缩醛树脂、聚丁二烯树脂、多硫醇-多烯树脂等。在进行光聚合性化合物的聚合(交联)时,可以使用在硬涂层项中所说明的聚合引发剂。
高折射率层25例如可以通过与硬涂层24的形成方法相同的方法来形成。具体地说,首先在硬涂层24的表面涂布至少含有高折射率微粒与光聚合性化合物的高折射率层用组合物。接下来,使涂膜状的高折射率层用组合物干燥。其后,对涂膜状的高折射率层用组合物照射紫外线等光,使光聚合性化合物发生聚合(交联),从而可形成高折射率层25。
(低折射率层)
低折射率层26是具有比高折射率层25低的折射率的层。低折射率层26优选具有1.35以上1.55以下的折射率。低折射率层26的折射率的下限更优选为1.40以上,低折射率层26的折射率的上限更优选为1.51以下。低折射率层26的折射率可以通过与易粘接层23的折射率相同的方法来测定。从进一步抑制色调的偏差的方面考虑,高折射率层25与低折射率层26的折射率差优选为0.10以上0.30以下。
低折射率层26的膜厚优选为3nm以上100nm以下。低折射率层26的膜厚的下限更优选为5nm以上、进一步优选为10nm以上。低折射率层26的膜厚的上限更优选为80nm以下、进一步优选为60nm以下、最优选为45nm以下。低折射率层的膜厚可通过断面显微镜观察进行测定。在透光性基材的两面上形成低折射率层的情况下,各低折射率层26的膜厚处于上述范围内,但不一定要一致。
作为低折射率层26没有特别限定,只要具有上述折射率和上述膜厚即可,低折射率层14例如可由低折射率颗粒与粘合剂用树脂、或由低折射率树脂构成。
作为低折射率颗粒,例如可以举出由二氧化硅或氟化镁形成的实心或中空颗粒等。它们之中,优选中空二氧化硅颗粒,这样的中空二氧化硅颗粒例如可通过日本特开2005-099778号公报的实施例中记载的制造方法来制作。
作为低折射率微粒,优选使用在二氧化硅表面具有反应性官能团的反应性二氧化硅微粒。作为反应性官能团,优选光聚合性官能团。这样的反应性二氧化硅微粒可通过利用硅烷偶联剂等对二氧化硅微粒进行表面处理来制作。作为利用硅烷偶联剂对二氧化硅微粒的表面进行处理的方法,可以举出向二氧化硅微粒喷雾硅烷偶联剂的干式法;将二氧化硅微粒分散在溶剂中,之后加入硅烷偶联剂进行反应的湿式法等。
作为构成低折射率层26的粘合剂用树脂,可以举出与构成高折射率层25的粘合剂用树脂同样的粘合剂用树脂。其中,可以在粘合剂用树脂中混合导入有氟原子的树脂、有机聚硅氧烷等折射率低的材料。
作为低折射率树脂,可以举出导入有氟原子的树脂、有机聚硅氧烷等折射率低的树脂。
低折射率层26例如可通过与硬涂层24的形成方法相同的方法来形成。具体地说,首先,在高折射率层25的表面涂布至少含有低折射率微粒与光聚合性化合物的低折射率层用组合物。接下来,使涂膜状的低折射率层用组合物干燥。其后,对涂膜状的低折射率层用组合物照射紫外线等光,使光聚合性化合物发生聚合(交联),从而能够形成低折射率层26。
以往,对于基材膜的低折射率层等的折射率和膜厚,主要从减小基材膜的反射率与在基材膜上层积的透明导电层的反射率之差(反射率差)的方面考虑来确定,而关于从各种角度观看基材膜时的色调的偏差却并无任何关注。另一方面,人眼比上述反射率差更容易感知到色调的变化,并且在为了减小基材膜与透明导电层的反射率差而增大高折射率层与低折射率层的折射率差时,色调的偏差有变大的倾向。本发明人反复进行了深入研究,结果发现,若对基材膜的a*值和b*值进行调整,则可抑制色调的偏差。具体地说,通过实验发现了,在设基材膜的表面的法线方向为0°,在5°以上75°以下的范围内每隔5度地改变入射角度的同时由功能层的表面侧向基材膜照射光,由各自的朝向正反射方向的反射光求出L*a*b*色度系统的a*值和b*值时,若a*值的偏差为1.0以内、且b*值的偏差为3.0以内,则观察者从任何方向对基材膜进行观看的情况下均不会识别到色调的偏差。根据本实施方式,在设基材膜11的表面的法线方向为0°,在5°以上75°以下的范围内每隔5度地改变入射角度的同时由功能层21的表面侧向基材膜11照射光,由各自的朝向正反射方向的反射光求出L*a*b*色度系统的a*值和b*值时,由于a*值的偏差为1.0以内、且b*值的偏差为3.0以内,因而在从各种角度观看基材膜11的情况下均能够抑制色调的偏差。
此外,本发明人反复进行了深入研究,结果发现,在透光性基材上依叙述顺序层积折射率为1.55以上1.75以下并且膜厚为20nm以上100nm以下的高折射率层、以及折射率为1.35以上且小于1.55并且膜厚为3nm以上100nm以下的低折射率层的情况下,能够使上述基材膜中的a*值的偏差为1.0以内、且使b*值的偏差为3.0以内。在含有具有上述折射率和膜厚的高折射率层25以及具有上述折射率和膜厚的低折射率层26的基材膜11中,尽管与透明导电层的反射率差处于容许范围内,但由于与透明导电层的反射率差大于现有的基材膜,因而像现有技术那样从减小基材膜与透明导电层的反射率差的方面考虑,是绝对不能采用的。因而可以说,通过使高折射率层25和低折射率层26的折射率和膜厚处于上述范围内、使a*值和b*值处于上述范围内而发挥出的上述效果为显著的效果,该效果超出了依照现有基材膜的技术水平所能予测出的范围。
<<透明导电层>>
透明导电层设于基材膜上且被图案化。在本实施方式中,透明导电层12优选在基材膜11的一个面上形成。如图1所示,透明导电层12具备传感器部12A与端子部12B,传感器部12A设于矩形的有效显示区域(アクティブエリア)A1内,该有效显示区域A1是能够检测接触位置的区域;端子部12B设于非有效显示区域A2内,该非有效显示区域(非アクティブエリア)A2与有效显示区域A1相邻,从四方以周状包围有效显示区域A1。
传感器部12A以预定的图案配置在基材膜11的表面上。具体地说,传感器部12A构成为沿着基材膜11的膜面按一个方向并列排列的线状导电层的形式。
形成传感器部12A的各个线状导电层在与其排列方向(上述一个方向)交叉的方向上以线状延伸。图1中,传感器部12A沿着与其排列方向(上述一个方向)正交的方向(上述另一方向)以直线状延伸。
传感器部12A具有以直线状延伸的直线部12C、以及由直线部12C膨出的膨出部12D。图1中,直线部12C沿着与传感器部12A的排列方向交叉的方向以直线状延伸。膨出部12D是沿着基材膜11的膜面由直线部14A膨出的部分。从而,各传感器部12A的宽度在设有膨出部12D的部分会变大。在本实施方式中,膨出部12D具有俯视图呈大致正方形状的外轮廓。
如上所述,透明导电层12具有与这样的传感器部12A联结的端子部12B。端子部12B相对于各个传感器部12A根据接触位置的检测方法设置一个或二个。端子部12B从相应的传感器部12A的端部分别以线状延伸。在本实施方式中,端子部12B利用与传感器部12A相同的材料一体形成。
透明导电层12(传感器部12A和端子部12B)的折射率优选为1.85以上2.30以下。透明导电层12的折射率的下限优选为1.90以上、透明导电层12的折射率的上限优选为2.20以下。透明导电层12的折射率可利用与上述易粘接层23的折射率相同的方法来测定。
透明导电层12的膜厚优选为15nm以上50nm以下。透明导电层12的膜厚的下限更优选为20nm以上,透明导电层12的膜厚的上限更优选为45nm以下。
透明导电层12例如为含有无机系透明导电层用材料、有机系透明导电层用材料、或无机系透明导电层用材料与有机系透明导电层用材料的混合材料的层。作为无机系透明导电层用材料,可以举出锡掺杂氧化铟(ITO)、锑掺杂氧化锡(ATO)、氧化锌、氧化铟(In2O3)、铝掺杂氧化锌(AZO)、镓掺杂氧化锌(GZO)、氧化锡、氧化锌-氧化锡系、氧化铟-氧化锡系、氧化锌-氧化铟-氧化镁系等金属氧化物或碳纳米管等。它们之中,从透明导电层中的透明性与低电阻的方面出发,作为无机系透明导电层用材料,优选锡掺杂氧化铟(ITO)。作为有机系透明导电层用材料,可以举出导电性聚合物等。
<<取出电极>>
取出电极为用于将来自传感器部的电气信号有效地传导至检测控制部(未图示)的部件,如上所述,取出电极13与透明导电层12电连接。取出电极13优选仅在透明导电层12的一部分上配置。本实施方式中,取出电极13在透明导电层12的端子部12B的一部分上配置。即,取出电极13配置于非有效显示区域A2。
图1中,端子部12B形成为线状。并且,取出电极13在形成为线状的端子部12B中的与传感器部12A的连接处附近的部分以外的部分上沿着端子部12B的图案以线状延伸。
图3所示的取出电极13仅在端子部12B上形成,与基材膜11不接触。取出电极13的宽度与端子部12B的宽度相同或稍窄。
取出电极13与端子部12B一起构成用于将传感器部12A与检测控制部(未图示)电连接的取出配线29。由于取出配线29不仅包含电导率低的透明导电层12的端子部12B、还包含电导率高的取出电极13,因而可以使取出配线29的配线宽度变窄,可以减小取出配线29的配置空间、即减小非有效显示区域A2的面积。
由于取出电极配置在非有效显示区域A2,因而取出电极不必由具有透光性的材料构成,也可以由具有遮光性和导电性的材料构成。取出电极优选由具有比透明导电层的构成材料更高的电导率(电气传导率)的材料(例如具有显著高于ITO等透明导电层的电导率的例如铝、铬、铜、钼、银等金属材料)构成。取出电极13由具有遮光性和导电性的材料构成。
目前,出于提高美观性的目的和扩大触控面板装置的显示装置的目的,希望使包围显示区域的周围的被称为框部区域的区域呈小面积化。与之相伴,迫切希望使触控面板传感器的非有效显示区域呈小面积化。此处,在图谋触控面板装置的大面积化时,配线数会增加,因而为了使非有效显示区域小面积化,需要使配线间隔进一步变窄。但是,在通过丝网印刷法形成取出电极的情况下,取出电极不仅位于透明导电层上,而且还延伸扩展至透明导电层的侧方,因而从确保绝缘性的方面出发,难以谋求配线的窄间隔化。在本实施方式中,如图3所示,取出电极13仅配置在透明导电层12的端子部12B上,而未延伸至端子部12B的侧方。从而,与取出电极延伸至端子部的侧方的情况相比,能够大幅降低电子迁移的可能性。由此,能够使作为由取出电极13和端子部12B形成的取出配线29整体的配线宽度变窄。其结果,能够以更窄的间隔配置取出配线29,能够减小取出配线29的配置空间、即减小非有效显示区域A2的面积。
取出电极13不与仅呈低密合力的基材膜11接触,而仅与能够呈高密合力的透明导电层12接合。因此,即使导电性膜10在使用中发生变形,也不易形成取出电极13由导电性膜10剥离的起点。并且,由于透明导电层12的端子部12B未被取出电极13覆盖至侧方,因而取出电极13对端子部12B的拘束弱,使得在导电性膜变形时端子部12B会追从于基材膜11的变形而发生变形。由此,取出电极13能够与透明导电层12一起有效地抑制端子部12B从基材膜11剥离。作为结果,能够大幅提高触控面板的检测功能的可靠性。
<<<导电性膜的制造方法>>>
以下详细说明导电性膜10的制造方法。首先准备基材膜11(图5(A))。准备基材膜11后,在基材膜11的单面通过溅射法等形成透明导电层31(图5(B))。作为用于形成透明导电层的材料,可以举出与透明导电层的构成材料同样的材料。
在基材膜11的单面形成透明导电层31后,在透明导电层31上通过溅射法等形成具有遮光性和导电性的遮光导电层32(图5(C))。作为用于形成遮光导电层32的材料,可以举出与取出电极13的构成材料同样的材料。
在透明导电层31上形成遮光导电层32后,在遮光导电层32上形成感光层33(图6(A))。感光层33对特定波段的光、例如对紫外线具有感光性。感光层33可通过使用涂布机在遮光导电层32上涂布感光性材料来形成。
接下来,在感光层33上配置掩模34(图6(B))。掩模34具有与要形成的透明导电层12的图案相对应的图案。
在感光层33上配置掩模34后,在该状态下,隔着掩模34对感光层33照射与感光层33的感光特性相应的光(例如紫外线),将感光层33曝光(图6(C))。图6(C)所示的感光层33为正型感光层。因此,对于感光层33中为了形成透明导电层12而进行蚀刻去除的部分照射光。需要说明的是,由于在感光层33之下存在遮光导电层32,因而透过了感光层33的来自曝光光源的光不会透过遮光导电层32、不会到达透明导电层31。其结果,在该曝光工序中,能够将感光层33按照所期望的图案精度良好地进行曝光。
将感光层33曝光后,对感光层33进行显影(图7(A))。具体地说,准备与感光层33相应的显影液,使用该显影液,对感光层33进行显影。由此,除去感光层33中的未被掩模34遮光而照射了来自曝光光源的光的部分,将感光层33图案化成预定的图案。
其后,将图案化后的感光层33作为掩模34,对遮光导电层32进行蚀刻(图7(B))。利用该蚀刻,遮光导电层32被图案化成与感光层33的图案大致相同的图案。例如,在遮光导电层32含有铝或钼的情况下,可以使用磷酸、硝酸、乙酸、水以5:5:5:1的比例混配而成的蚀刻液。在遮光导电层32含有铬的情况下,可以使用硝酸铈铵、高氯酸、水以17:4:70的比例混配而成的蚀刻液。此外,在遮光导电层含有银的情况下,可以使用磷酸、硝酸、乙酸、水以4:1:4:4的比例混配而成的蚀刻液。
在对遮光导电层32进行蚀刻后,将图案化后的感光层33和遮光导电层32作为掩模,对透明导电层31进行蚀刻(图7(C))。利用该蚀刻,透明导电层31被图案化成与感光层33和遮光导电层32的图案大致相同的图案。透明导电层31含有ITO的情况下,作为蚀刻液可以使用氯化铁(III)。
在蚀刻透明导电层31后,除去遮光导电层32上残留的感光层33(图8(A))。通过该感光层33的除去,图案化后的遮光导电层露出。感光层33的除去例如可使用2%氢氧化钾等碱液来进行。
接下来,按照覆盖遮光导电层32的方式在遮光导电层32上形成感光层35(图8(B))。感光层35与感光层33同样地对于特定波段的光、例如对于紫外线具有感光性。此外,感光层35与感光层33同样地可通过使用涂布机涂布感光性材料来形成。
接下来,在感光层35上配置掩模36(图8(C))。掩模36具有与为了形成取出电极13所要除去的部分相对应的图案。掩模36具有与有效显示区域A1相对应地形成的图案,更详细地说,具有比有效显示区域A1稍大地形成的透光区域。
在感光层35上配置掩模36后,在该状态下,隔着掩模36对感光层35照射与感光层35的感光特性相对应的光(例如紫外线),将感光层35曝光(图9(A))。图9(A)所示的感光层35为正型感光层。掩模36具有包含有效显示区域A1的透光区域。从而,对有效显示区域A1及其周围照射光。
将感光层36曝光后,对感光层35进行显影(图9(B))。具体地说,准备与感光层35相对应的显影液,使用该显影液,对感光层35进行显影。由此除去感光层35中的有效显示区域A1及其周围的区域,仅在非有效显示区域A2残留感光层35。
其后,将图案化后的感光层35作为掩模,对遮光导电层32进行蚀刻(图9(C))。为了使该蚀刻无损于通过除去遮光导电层32而露出的透明导电层32的图案,使用对遮光导电层32不具有侵蚀性、或对透明导电层31的侵蚀性弱的蚀刻液来进行该蚀刻。即,对该工序中使用的蚀刻液进行选择,使其能够选择性地蚀刻遮光导电层32。作为具体例,将磷酸、硝酸、乙酸和水混配而成的蚀刻液、或硝酸铈系的蚀刻液由于对遮光导电层32具有蚀刻性但对含有ITO等的透明导电层31不具有蚀刻性,因而可适当地用于该工序中。
利用该蚀刻,将图案化后的遮光导电层32中的至少位于有效显示区域A1的部分除去。由此使得仅基材膜11和透明导电层12残留在有效显示区域A1,使得有效显示区域A1在其整个区域具有透光性。
由此,通过将遮光导电层32中的未覆盖感光层35的部分除去,使得透明导电层31露出。露出的透明导电层31位于有效显示区域A1及其周围。位于有效显示区域A1的透明导电层31形成具有预定图案的传感器部12A,并且位于非有效显示区域A2的透明导电层31形成具有预定图案的端子部12B。
在对遮光导电层32进行蚀刻后,除去残留在遮光导电层32上的感光层35(图10)。通过该感光层35的除去,图案化后的遮光导电层32露出。
露出的遮光导电层32形成取出电极13。并且,在所形成的取出电极13与基材膜11之间形成由透明导电层31构成的端子部12B。由此可得到导电性膜10。
利用上述制造方法,可通过光刻技术来形成取出电极13和透明导电层12的端子部12B,因而,与基于丝网印刷法的现有方法相比,能够以极为良好的精度在所期望的位置按所期望的形状来形成上述部件。因此,能够仅在透明导电层12的端子部12B的一部分上形成取出电极13。
<<<触控面板传感器>>>
导电性膜10例如可装入触控面板传感器中进行使用。图11和图12所示的触控面板传感器30具有2片导电性膜10、40层积而成的结构。如图12所示,导电性膜10按照与导电性膜40相比位于观察者侧的方式层积在导电性膜40上。
导电性膜40与导电性膜10同样地具备基材膜11、设置在基材膜11的单面且被图案化的透明导电层41、以及仅在透明导电层41的一部分上设置且具有遮光性和导电性的取出电极42。需要说明的是,导电性膜10中的基材膜11与导电性膜40中的基材膜11是相同的,因而使用相同符号。导电性膜10中的基材膜11与导电性膜40中的基材膜11也可以不同。
导电性膜10与导电性膜40隔着透明粘着层31进行了层积。此外,在导电性膜10上设有用于贴附盖板玻璃等保护罩的透明粘着层32。作为透明粘着层31、32,可以举出公知的压敏粘接层或粘着片。
在本实施方式中,导电性膜10、40这两者使用了a*值的偏差为1.0以内、且b*值的偏差为1.6以内的基材膜11,但导电性膜10、40的任一者使用基材膜11即可,也可以不必导电性膜10、40这两者使用基材膜11。其中,由于导电性膜10与导电性膜40相比位于观察者侧,因而导电性膜10的色调偏差比导电性膜40更容易被观察者所识别。因此,从抑制观察者识别出色调偏差的方面考虑,优选导电性膜10使用a*值的偏差为1.0以内、且b*值的偏差为3.0以内的基材膜11。
<<透明导电层>>
透明导电层41在基材膜11的另一面上形成。如图11所示,透明导电层41具备传感器部41A与端子部41B,传感器部41A设于矩形有效显示区域A1内,该矩形有效显示区域A1是能够检测接触位置的区域;端子部41B设于非有效显示区域A2内,该非有效显示区域A2与有效显示区域A1相邻,从四方以周状包围有效显示区域A1。
传感器部41A以与传感器部12A不同的预定图案进行配置。具体地说,传感器部41A构成为与传感器部12A的排列方向交叉、且沿着基材膜11的膜面按另一方向并排排列的线状导电层的形式。在本实施方式中,在从上方俯视触控面板传感器30时,作为传感器部12A的排列方向的一个方向与作为传感器部41A的排列方向的另一方向正交。
形成传感器部41A的各个线状导电层在与其排列方向(上述另一方向)交叉的方向上以线状延伸。图11中,传感器部41A沿着与其排列方向(上述另一方向)正交的方向(上述一个方向)以直线状延伸。
传感器部41A也具有与传感器部12A同样的结构。即,传感器部41A具有以直线状延伸的直线部41C、以及由直线部41C膨出的膨出部41D。图11中,直线部41C沿着与传感器部41A的排列方向交叉的方向以直线状延伸。膨出部41D是沿着基材膜11的膜面由直线部41C膨出的部分。从而,各传感器部41A的宽度在设有膨出部41D的部分会变大。在本实施方式中,膨出部41D具有俯视图呈大致正方形状的外轮廓。
需要说明的是,如图11所示,在从触控面板传感器30的法线方向进行观察的情况下(即,在俯视图中),传感器部12A与多数的传感器部41A交叉。并且,如图11所示,传感器部12A的膨出部12D被配置在传感器部12A上的与相邻的二个传感器部41A的交叉点之间。同样地,在从触控面板传感器30的法线方向进行观察的情况下,传感器部41A与多数的传感器部12A交叉。并且,传感器部41A的膨出部41D也被配置在与相邻的二个传感器部12A的交叉点之间。进而,在本实施方式中,传感器部12A的膨出部12D与传感器部41A的膨出部41D按照从触控面板传感器30的法线方向观察时不会重合的方式进行配置。即,在从触控面板传感器30的法线方向进行观察的情况下,传感器部12A与传感器部41A仅在直线部12C、41C处相交。
如上所述,透明导电层41与透明导电层12同样地具有与传感器部41A联结的端子部41B。端子部41B相对于各个传感器部41A根据接触位置的检测方法设置一个或二个。端子部41B从相应的传感器部41A的端部分别以线状延伸。在本实施方式中,端子部12B利用与传感器部12A相同的材料一体形成,端子部41B利用与传感器部41A相同的材料一体形成。透明导电层41由与透明导电层12同样的材料构成。
<<取出电极>>
取出电极42与透明导电层41电连接。在本实施方式中,取出电极42在透明导电层41的端子部41B的一部分上配置。即,取出电极42配置于非有效显示区域A2。
图11中,端子部41B形成为线状。并且,与取出电极13同样地,取出电极42在形成为线状的端子部41B中的与传感器部41A的连接处附近的部分以外的部分上沿着端子部41B的图案以线状延伸。
取出电极42与取出电极13同样地仅在端子部41B上形成,与基材膜11不接触。取出电极42的宽度与端子部41B的宽度相同或稍窄。
取出电极42与端子部41B一起构成用于将传感器部41A与检测控制部电连接的取出配线43。由于取出配线43不仅包含电导率低的透明导电层41的端子部41B、还包含电导率高的取出电极42,因而可以使取出配线43的配线宽度变窄,可以减小取出配线43的配置空间、即减小非有效显示区域A2的面积。
取出电极42优选利用与取出电极13同样的材料构成。与取出电极13同样地,取出电极42仅配置在透明导电层41的端子部41B上,而未延伸至端子部41B的侧方。从而,与取出电极延伸至端子部的侧方的情况相比,能够大幅降低电子迁移的可能性。由此,能够使作为由取出电极42和端子部41B形成的取出配线43整体的配线宽度变窄。其结果,能够以更窄的间隔配置取出配线43,能够减小取出配线43的配置空间、即减小非有效显示区域A2的面积。
取出电极42不与仅呈低密合力的基材膜11接触,而仅与能够呈高密合力的透明导电层41接合。因此,即使触控面板传感器30在使用中发生变形,也不易形成取出电极42由触控面板传感器30剥离的起点。并且,由于透明导电层41的端子部41B未被取出电极42覆盖至侧方,因而取出电极42对端子部41B的拘束弱,使得在触控面板传感器30变形时端子部41B会追从于基材膜11的变形而发生变形。由此,取出电极42能够与透明导电层41一起有效地抑制端子部41B从基材膜11发生剥离。作为结果,能够大幅提高触控面板传感器30的检测功能的可靠性。
[第2实施方式]
下面参照附图对本发明第2实施方式的导电性膜和触控面板传感器进行说明。图13为本实施方式的导电性膜的俯视图,图14为沿着图1的III-III线的截面图,图15为图14的局部放大图。图16~图21为示意性示出本实施方式的导电性膜的制造工序的图,图22为本实施方式的触控面板传感器的示意性构成图。需要说明的是,在本实施方式中,赋予了与第1实施方式中说明的部件相同符号的部件意味着与第1实施方式中说明的部件相同的部件,并且,针对与第1实施方式重复的内容,只要未作特殊记载,则省略其说明。
<<<导电性膜>>>
图13和图14所示的导电性膜50具备:基材膜51;设置在基材膜51的一个面上且被图案化的透明导电层52;设置在基材膜51的另一面上且被图案化的透明导电层53;与透明导电层52电连接的取出电极54;以及与透明导电层53电连接的取出电极55。
<<基材膜>>
图14所示的基材膜51具备透光性基材59以及层积在透光性基材59的两面上的1层以上的功能层60、61。
在基材膜51中,设基材膜51的表面的法线方向为0°,在5°以上75°以下的范围内每隔5度地改变入射角度的同时由功能层60的表面侧向基材膜51照射可见光,由各自的朝向正反射方向的反射光求出L*a*b*色度系统的a*值和b*值时,a*值的偏差为1.0以内、且b*值的偏差为3.0以内。a*值的偏差优选为0.4以内,并且b*值的偏差优选为1.6以内、更优选为1.55以内。
a*值和b*值的测定方法和它们的偏差的计算方法与第1实施方式中说明的基材膜11的a*值和b*值的测定方法和它们的偏差的计算方法是相同的。
求出上述a*值和b*值的某一角度的反射光与求出上述a*值和b*值的其它角度的反射光的色差ΔE*ab优选为5以下。
根据本实施方式,设基材膜51的表面的法线方向为0°,在5°以上75°以下的范围内每隔5度地改变入射角度的同时由功能层60的表面侧向基材膜51照射光,由各自的朝向正反射方向的反射光求出L*a*b*色度系统的a*值和b*值时,a*值的偏差为1.0以内、且b*值的偏差为3.0以内,因而能够抑制从各种角度观看基材膜51时的色调的偏差。
<透光性基材>
透光性基材59与透光性基材20相同,因而省略说明。
<功能层>
功能层60、61也与功能层21、22相同,但在本实施方式中,在透光性基材59的一个面上依叙述顺序层积易粘接层62、硬涂层63、高折射率层64、低折射率层65,在透光性基材59的另一面上依叙述顺序层积易粘接层66、硬涂层67、高折射率层68、低折射率层69。易粘接层62、66、硬涂层63、67、高折射率层64、68和低折射率层65、69与易粘接层23、硬涂层24、高折射率层25和低折射率层26相同,因而省略说明。
<<透明导电层>>
透明导电层52设于功能层60上且被图案化,透明导电层53设于功能层61上且被图案化。图14中,透明导电层52设于低折射率层65上,透明导电层53设于低折射率层69上。透明导电层52具备设于有效显示区域A1内的传感器部53A及设于非有效显示区域A2内的端子部53B,透明导电层53具备设于有效显示区域A1内的传感器部54A及设于非有效显示区域A2内的端子部54B。
传感器部52A具有直线部52C和膨出部52D,传感器部53A具有直线部53C和膨出部53D。传感器部52A、直线部52C和膨出部52D与传感器部12A、直线部12C和膨出部12D相同,传感器部54A、直线部54C和膨出部54D与传感器部41A、直线部41C和膨出部41D相同,因而省略说明。此外,端子部52B与端子部12B相同,端子部53B与端子部41B相同,因而省略说明。
<<取出电极>>
取出电极54与透明导电层52电连接,取出电极55与透明导电层53电连接。在本实施方式中,取出电极54仅在透明导电层52的端子部52B的一部分上配置,取出电极55仅在透明导电层53的端子部53B的一部分上配置。即,取出电极54、55配置在非有效显示区域A2。
取出电极54与取出电极13相同,取出电极55与取出电极42相同,因而省略说明。
如图15所示,取出电极54仅配置在透明导电层52的端子部52B上,而未延伸至端子部53B的侧方。同样地,取出电极55仅配置在透明导电层53的端子部53B上,而未延伸至端子部53B的侧方。因而,与取出电极延伸至端子部的侧方的情况相比,能够大幅降低电子迁移的可能性。由此,能够使作为由取出电极54和端子部52B形成的取出配线70整体的配线宽度变窄、同时能够使作为由取出电极55和端子部53B形成的取出配线71整体的配线宽度变窄。其结果,能够以更窄的间隔配置取出配线70、71,能够减小取出配线70、71的配置空间、即减小非有效显示区域A2的面积。
取出电极54、55未与仅呈低密合力的基材膜51接触,而仅与能够呈高密合力的透明导电层52、53接合。因此,即使触控面板传感器在使用中发生变形,也不易形成取出电极54、55由触控面板传感器剥离的起点。并且,由于透明导电层52、53的端子部52B、53B未被取出电极54、55覆盖至侧方,因而取出电极54、55对端子部52B、53B的拘束弱,使得在触控面板传感器变形时端子部52B、53B会追从于基材膜51的变形而发生变形。由此,取出电极54、55能够与透明导电层52、53一起有效地抑制端子部52B、53B从基材膜51发生剥离。作为结果,能够大幅提高触控面板传感器的检测功能的可靠性。
<<<导电性膜的制造方法>>>
以下详细说明本实施方式的导电性膜的制造方法。首先准备基材膜51,该基材膜51具备透光性基材59、以及层积在透光性基材59的两面的2层以上的功能层60、61(图16(A))。在本实施方式中,在透光性基材59的一个面上依叙述顺序作为功能层形成易粘接层62、硬涂层63、高折射率层64和低折射率层65,在透光性基材59的另一面上依叙述顺序作为功能层形成易粘接层66、硬涂层67、高折射率层68和低折射率层69。
接下来,通过溅射法等在基材膜51的一个面(低折射率层65的表面)上形成透明导电层72,同时在基材膜51的另一面(低折射率层69的表面)上形成透明导电层73(图16(B))。作为用于形成透明导电层72、73的材料,可以举出与透明导电层52、54的构成材料相同的材料。
在基材膜51的两面形成透明导电层72、73后,通过溅射法等在透明导电层72上形成具有遮光性和导电性的遮光导电层74,同时在透明导电层73上形成具有遮光性和导电性的遮光导电层75(图16(C))。作为用于形成遮光导电层74、75的材料,可以举出与取出电极54、56的构成材料相同的材料。
在透明导电层72、73上形成遮光导电层74、75后,在遮光导电层74上形成感光层76,同时在遮光导电层75上形成感光层77(图17(A))。感光层76、77对于特定波段的光、例如对于紫外线具有感光性。感光层76、77可通过使用涂布机在遮光导电层74、75上涂布感光性材料来形成。
接下来,在感光层76上配置掩模78,同时在感光层77上配置掩模79(图17(B))。掩模78具有与要形成的透明导电层52的图案相对应的图案,掩模79具有与要形成的透明导电层53的图案相对应的图案。并且,掩模78的图案与掩模79的图案为相互不同的图案。
需要说明的是,掩模78和掩模79的位置确定例如可以以分别设于掩模78、79的对准标记(未图示)为基准来进行。利用这样的方法,能够将掩模78、79彼此相对例如以微米单位数量级、精度极好且极容易地(因而在短时间内)确定位置。
在感光层76、77上配置掩模78、79后,在该状态下,隔着掩模78对感光层76照射与感光层76的感光特性相应的光(例如紫外线),将感光层76曝光。并且,隔着掩模79对感光层77照射与感光层77的感光特性相应的光(例如紫外线),将感光层77曝光(图17(C))。图17(C)所示的感光层76、77为正型感光层。因此,对于感光层76、77中为了形成透明导电层52、54而进行蚀刻去除的部分照射光。需要说明的是,由于在感光层76、77之下存在遮光导电层74、75,因而透过了感光层76、77的来自曝光光源的光不会透过遮光导电层74、75、不会到达透明导电层72、73。其结果,在该曝光工序中,能够将感光层按照所期望的图案精度良好地进行曝光。
将感光层76、77曝光后,将感光层76、77显影(图18(A))。具体地说,准备与感光层76、77相应的显影液,使用该显影液,将感光层76、77显影。由此,除去感光层76、77中的未被掩模78、79遮光而照射了来自曝光光源的光的部分,将感光层76、77图案化成预定的图案。
其后,将图案化后的感光层76作为掩模,对遮光导电层74进行蚀刻,同时将图案化后的感光层77作为掩模,对遮光导电层75进行蚀刻(图18(B))。利用该蚀刻,遮光导电层74被图案化成与感光层76的图案大致相同的图案,并且遮光导电层75被图案化成与感光层77的图案大致相同的图案。作为蚀刻液,可以使用与蚀刻遮光导电层32时的蚀刻液相同的蚀刻液。
在对遮光导电层74、75进行蚀刻后,将图案化后的感光层76和遮光导电层74作为掩模,对透明导电层72进行蚀刻,同时将图案化后的感光层77和遮光导电层75作为掩模,对透明导电层73进行蚀刻(图18(C))。利用该蚀刻,透明导电层72被图案化成与感光层76和遮光导电层74的图案大致相同的图案,并且透明导电层73被图案化成与感光层77和遮光导电层75的图案大致相同的图案。在透明导电层72、73含有ITO的情况下,作为蚀刻液可以使用氯化铁(III)。
在蚀刻透明导电层72、73后,除去遮光导电层74、75上残留的感光层76、77(图19(A))。通过该感光层76、77的除去,图案化后的遮光导电层74、75露出。感光层76、77的除去例如可使用2%氢氧化钾等碱液来进行。
接下来,按照覆盖遮光导电层74的方式在遮光导电层74上形成感光层80,同时按照覆盖遮光导电层75的方式在遮光导电层75上形成感光层81(图19(B))。感光层80、81与感光层76、77同样地对特定波段的光、例如对紫外线具有感光性。并且,感光层80、81与感光层76、77同样地可通过使用涂布机涂布感光性材料来形成。
接下来,在感光层80上配置掩模82、同时在感光层81上配置掩模83(图19(C))。掩模82具有与为了形成取出电极54所要除去的部分相对应的图案,掩模83具有与为了形成取出电极55所要除去的部分相对应的图案。掩模82、83具有与有效显示区域A1相对应地形成的图案,更详细地说,具有比有效显示区域A1稍大地形成的透光区域。
在感光层80、81上配置掩模82、83后,在该状态下,隔着掩模82对感光层80照射与感光层80的感光特性相对应的光(例如紫外线),将感光层80曝光,同时隔着掩模83对感光层81照射与感光层81的感光特性相对应的光(例如紫外线),将感光层81曝光(图20(A))。图20A所示的感光层80、81为正型感光层。掩模82、83具有包含有效显示区域A1的透光区域。从而,对感光层80、81的有效显示区域A1及其周围照射光。
在将感光层80、81曝光后,对感光层80、81进行显影(图20(B))。具体地说,准备与感光层80、81相对应的显影液,使用该显影液,对感光层80、81进行显影。由此除去感光层80中的有效显示区域A1及其周围的区域,仅在非有效显示区域A2残留感光层80,并且除去感光层81中的有效显示区域A1及其周围的区域,仅在非有效显示区域A2残留感光层81。
其后,将图案化后的感光层80作为掩模,对遮光导电层74进行蚀刻,同时将图案化后的感光层81作为掩模,对遮光导电层75进行蚀刻(图20(C))。在该蚀刻中,使用与将感光层35作为掩模对遮光导电层32进行蚀刻时所用的蚀刻液同样的蚀刻液。
利用该蚀刻,将图案化后的遮光导电层74、75中的至少位于有效显示区域A1的部分除去。由此使得仅基材膜51和透明导电层72残留在有效显示区域A1,使得仅基材膜51和透明导电层73残留在有效显示区域A1,因此使得有效显示区域A1在其整个区域具有透光性。
由此,通过将遮光导电层74中的未覆盖感光层80的部分除去,使得透明导电层72露出,并且通过将遮光导电层75中的未覆盖感光层81的部分除去,使得透明导电层73露出。露出的透明导电层72、73位于有效显示区域A1及其周围。位于有效显示区域A1的透明导电层72形成传感器部53A,并且位于非有效显示区域A2的透明导电层72形成端子部53B。此外,位于有效显示区域A1的透明导电层73形成传感器部54A,并且位于非有效显示区域A2的透明导电层73形成端子部54B。
在对遮光导电层74、75进行蚀刻后,除去残留在遮光导电层74上的感光层80,同时除去残留在遮光导电层75上的感光层81(图21)。通过该感光层80、81的除去,图案化后的遮光导电层74、75露出。需要说明的是,在图21中,并未显出遮光导电层75,但其仅在该截面中未显现出,而在其它截面中显现出遮光导电层75。
露出的遮光导电层74形成取出电极54,露出的遮光导电层75形成取出电极55。并且,在所形成的取出电极54与基材膜51之间形成由透明导电层72构成的端子部52B,在所形成的取出电极55与基材膜51之间形成由透明导电层73构成的端子部53B。由此可得到导电性膜50。
利用上述制造方法,可通过光刻(フォトリソグラフィー)技术来形成取出电极54、55和透明导电层52、53的端子部52B、53B,因而,与基于丝网印刷法的现有方法相比,能够以极为良好的精度在所期望的位置按所期望的形状来形成上述部件。因此,能够仅在透明导电层52的端子部52B的一部分上形成取出电极54,并且能够仅在透明导电层53的端子部53B的一部分上形成取出电极55。
<<<触控面板传感器>>>
导电性膜50例如可安装于触控面板传感器中进行使用。图22中所示的触控面板传感器90为使用了1片导电性膜50的结构。
在导电性膜50的两面层积有透明粘着层91、92,透明粘着层91、92用于贴附于盖板玻璃等保护罩或其它部件。作为透明粘着层91、92,可以举出公知的压敏粘接层或粘着片。
[第3实施方式]
下面参照附图对本发明第3实施方式的导电性膜和触控面板传感器进行说明。图23为本实施方式的导电性膜的示意性构成图,图24为本实施方式的其它导电性膜的示意性构成图。
<<<导电性膜>>>
图23所示的导电性膜100具备:基材膜101;设置在基材膜101的一个面上且被图案化的透明导电层12;以及仅设置在透明导电层12的一部分上且具有遮光性和导电性的取出电极13。
图24所示的导电性膜110具备:基材膜111;设置在基材膜111的一个面上且被图案化的透明导电层52;设置在基材膜111的另一面上且被图案化的透明导电层53;仅设置在透明导电层52的一部分上且具有遮光性和导电性的取出电极54;以及仅设置在透明导电层53的一部分上且具有遮光性和导电性的取出电极。
<<基材膜>>
图23所示的基材膜101具备透光性基材20以及层积在透光性基材20的两面上的1层以上的功能层102、22。图24所示的基材膜111具备透光性基材59以及层积在透光性基材59的两面上的1层以上的功能层112、113。
在基材膜101中,设基材膜101的表面的法线方向为0°,在5°以上75°以下的范围内每隔5度地改变入射角度的同时由功能层102的表面侧向基材膜101照射可见光,由各自的朝向正反射方向的反射光求出L*a*b*色度系统的a*值和b*值时,a*值的偏差为1.0以内、且b*值的偏差为3.0以内。a*值的偏差优选为0.4以内,并且b*值的偏差优选为1.6以内、更优选为1.55以内。
在基材膜111中,设基材膜111的表面的法线方向为0°,在5°以上75°以下的范围内每隔5度地改变入射角度的同时由功能层112的表面侧向基材膜111照射可见光,由各自的朝向正反射方向的反射光求出L*a*b*色度系统的a*值和b*值时,a*值的偏差为1.0以内、且b*值的偏差为3.0以内。a*值的偏差优选为0.4以内,并且b*值的偏差优选为1.6以内、更优选为1.55以内。
a*值和b*值的测定方法和它们的偏差的计算方法与第1实施方式中说明的基材膜11的a*值和b*值的测定方法和它们的偏差的计算方法是相同的。
求出上述a*值和b*值的某一角度的反射光与求出上述a*值和b*值的其它角度的反射光的色差ΔE*ab优选为5以下。
根据本实施方式,设基材膜101的表面的法线方向为0°,在5°以上75°以下的范围内每隔5度地改变入射角度的同时由功能层102的表面侧向基材膜101照射光,由各自的朝向正反射方向的反射光求出L*a*b*色度系统的a*值和b*值时,a*值的偏差为1.0以内、且b*值的偏差为3.0以内,因而能够抑制从各种角度观看基材膜101时的色调的偏差。
根据本实施方式,设基材膜111的表面的法线方向为0°,在5°以上75°以下的范围内每隔5度地改变入射角度的同时由功能层112的表面侧向基材膜111照射光,由各自的朝向正反射方向的反射光求出L*a*b*色度系统的a*值和b*值时,a*值的偏差为1.0以内、且b*值的偏差为3.0以内,因而能够抑制从各种角度观看基材膜111时的色调的偏差。
<功能层>
图23所示的功能层102与功能层21的结构不同。具体地说,在图23所示的基材膜101中,在透光性基材20的一个面上依叙述顺序层积易粘接层23、高折射率层103、低折射率层26,在透光性基材20的另一面上依叙述顺序层积易粘接层27、硬涂层28。即,功能层102不具备硬涂层。
图24所示的功能层112、113与功能层60、61的结构不同。具体地说,图24所示的基材膜111中,在透光性基材59的一个面上依叙述顺序层积易粘接层62、高折射率层114、低折射率层65,在透光性基材59的另一面上依叙述顺序层积易粘接层66、高折射率层115、低折射率层69。即,功能层112、113不具备硬涂层。
(高折射率层)
关于高折射率层103、114、115,除了膜厚以外,与上述第1实施方式中说明的高折射率层25均是相同的。高折射率层103、114、115的膜厚为0.5μm以上10μm以下。通过使高折射率层103、114、115的膜厚为0.5μm以上,即使在透光性基材20与高折射率层103之间、透光性基材59与高折射率层114、115之间不设置硬涂层,也能够得到与基材膜101、111同样的硬度。此外,通过使高折射率层103、114、115的膜厚为10μm以下,能够抑制在以辊对辊方式生产基材膜时所产生的高折射率层的破裂。
高折射率层103、114、115的膜厚的下限更优选为1.0μm以上,高折射率层103、114、115的膜厚的上限更优选为5.0μm以下。
<<<触控面板传感器>>>
导电性膜100、110可安装于与图12和图22所示的触控面板传感器同样结构的触控面板传感器中。
【实施例】
为了详细地说明本发明,下面举出实施例进行说明,但本发明并不限于这些记载。
<硬涂层用组合物的制备>
首先,按如下所示的组成混配各成分,得到硬涂层用组合物。
(硬涂层用组合物1)
·季戊四醇三丙烯酸酯(PETA):30质量份
·聚合引发剂(产品名“Irgacure 184”、BASF Japan社制造):1.5质量份
·硅酮系流平剂(产品名“SEIKA-BEAM 10-28”、大日精化工业社制造,固体成分10%):0.05质量份
·甲基异丁基酮:70质量份
(硬涂层用组合物2)
·季戊四醇三丙烯酸酯(PETA):18质量份
·丙二醇单甲基醚乙酸酯(PGMEA):12质量份
·聚合引发剂(产品名“Irgacure 184”、BASF Japan社制造):1.5质量份
·甲基异丁基酮:70质量份
<高折射率层用组合物的制备>
按如下所示组成混配各成分,得到高折射率层用组合物。
(高折射率层用组合物1)
·高折射率微粒分散液(ZrO2微粒的甲基乙基酮分散液(固体成分:32.5质量%)、产品名“MZ-230X”、住友大阪水泥社制造):58.8质量份
·季戊四醇三丙烯酸酯(产品名“KAYARAD PET-30”、日本化药社制造):11.8质量份
·聚合引发剂(产品名“Irgacure 184”、BASF Japan社制造):0.6质量份
·硅酮系流平剂(产品名“SEIKA-BEAM 10-28”、大日精化工业社制造,固体成分10%):0.03质量份
·甲基异丁基酮(MIBK):28.8质量份
(高折射率层用组合物2)
·高折射率微粒分散液(ZrO2微粒的甲基乙基酮分散液(固体成分:32.5质量%)、产品名“MZ-230X”、住友大阪水泥社制造):59.5质量份
·季戊四醇三丙烯酸酯(产品名“KAYARAD PET-30”、日本化药社制造):11.1质量份
·聚合引发剂(产品名“Irgacure 184”、BASF Japan社制造):0.6质量份
·硅酮系流平剂(产品名“SEIKA-BEAM 10-28”、大日精化工业社制造,固体成分10%):0.03质量份
·甲基异丁基酮(MIBK):28.8质量份
(高折射率层用组合物3)
·高折射率微粒分散液(ZrO2微粒的甲基乙基酮分散液(固体成分:32.5质量%)、产品名“MZ-230X”、住友大阪水泥社制造):59.9质量份
·季戊四醇三丙烯酸酯(产品名“KAYARAD PET-30”、日本化药社制造):10.7质量份
·聚合引发剂(产品名“Irgacure 184”、BASF Japan社制造):0.6质量份
·硅酮系流平剂(产品名“SEIKA-BEAM 10-28”、大日精化工业社制造,固体成分10%):0.03质量份
·甲基异丁基酮(MIBK):28.8质量份
(高折射率层用组合物4)
·高折射率微粒分散液(ZrO2微粒的甲基乙基酮分散液(固体成分:32.5质量%)、产品名“MZ-230X”、住友大阪水泥社制造):62.0质量份
·季戊四醇三丙烯酸酯(产品名“KAYARAD PET-30”、日本化药社制造):8.6质量份
·聚合引发剂(产品名“Irgacure 184”、BASF Japan社制造):0.6质量份
·硅酮系流平剂(产品名“SEIKA-BEAM 10-28”、大日精化工业社制造,固体成分10%):0.03质量份
·甲基异丁基酮(MIBK):28.8质量份
(高折射率层用组合物5)
·高折射率微粒分散液(ZrO2微粒的甲基乙基酮分散液(固体成分:32.5质量%)、产品名“MZ-230X”、住友大阪水泥社制造):15.8质量份
·季戊四醇三丙烯酸酯(产品名“KAYARAD PET-30”、日本化药社制造):62.0质量份
·聚合引发剂(产品名“Irgacure 184”、BASF Japan社制造):0.6质量份
·硅酮系流平剂(产品名“SEIKA-BEAM 10-28”、大日精化工业社制造,固体成分10%):0.03质量份
·甲基异丁基酮(MIBK):200质量份
<低折射率层用组合物的制备>
按如下所示组成混配各成分,得到低折射率层用组合物。
(低折射率层用组合物1)
·中空二氧化硅微粒(中空二氧化硅微粒的甲基异丁基酮分散液(固体成分:20质量%)):40质量份
·季戊四醇三丙烯酸酯(PETA)(产品名“PETIA”、Daicel SciTech社制造):10质量份
·聚合引发剂(产品名“Irgacure 127”、BASF Japan社制造):0.35质量份
·改性硅油(产品名“X22164E”、信越化学工业社制造):0.5质量份
·甲基异丁基酮(MIBK):320质量份
·丙二醇单甲基醚乙酸酯(PGMEA):161质量份
(低折射率层用组合物2)
·中空二氧化硅微粒(中空二氧化硅微粒的甲基异丁基酮分散液(固体成分:20质量%)):40.5质量份
·季戊四醇三丙烯酸酯(PETA)(产品名“PETIA”、Daicel SciTech社制造):9.5质量份
·聚合引发剂(产品名“Irgacure 127”、BASF Japan社制造):0.35质量份
·改性硅油(产品名“X22164E”、信越化学工业社制造):0.5质量份
·甲基异丁基酮(MIBK):320质量份
·丙二醇单甲基醚乙酸酯(PGMEA):161质量份
(低折射率层用组合物3)
·中空二氧化硅微粒(中空二氧化硅微粒的甲基异丁基酮分散液(固体成分:20质量%)):41质量份
·季戊四醇三丙烯酸酯(PETA)(产品名“PETIA”、Daicel SciTech社制造):9质量份
·聚合引发剂(产品名“Irgacure 127”、BASF Japan社制造):0.35质量份
·改性硅油(产品名“X22164E”、信越化学工业社制造):0.5质量份
·甲基异丁基酮(MIBK):320质量份
·丙二醇单甲基醚乙酸酯(PGMEA):161质量份
(低折射率层用组合物4)
·中空二氧化硅微粒(中空二氧化硅微粒的甲基异丁基酮分散液(固体成分:20质量%)):38.4质量份
·季戊四醇三丙烯酸酯(PETA)(产品名“PETIA”、Daicel SciTech社制造):8.4质量份
·聚合引发剂(产品名“Irgacure 127”、BASF Japan社制造):0.35质量份
·改性硅油(产品名“X22164E”、信越化学工业社制造):0.5质量份
·甲基异丁基酮(MIBK):320质量份
·丙二醇单甲基醚乙酸酯(PGMEA):161质量份
(低折射率层用组合物5)
·中空二氧化硅微粒(中空二氧化硅微粒的甲基异丁基酮分散液(固体成分:20质量%)):35.7质量份
·季戊四醇三丙烯酸酯(PETA)(产品名“PETIA”、Daicel SciTech社制造):5.7质量份
·聚合引发剂(产品名“Irgacure 127”、BASF Japan社制造):0.35质量份
·改性硅油(产品名“X22164E”、信越化学工业社制造):0.5质量份
·甲基异丁基酮(MIBK):320质量份
·丙二醇单甲基醚乙酸酯(PGMEA):161质量份
<实施例1>
准备厚度为125μm的带有易粘接层的聚对苯二甲酸乙二醇酯基材(产品名“Cosmoshine”、东洋纺纱社制造)作为透光性基材,在聚对苯二甲酸乙二醇酯基材的两面涂布硬涂层用组合物1,形成涂膜。接下来,对于所形成的涂膜,以0.2m/s的流速在50℃的干燥空气中流通15秒,之后进一步以10m/s的流速在70℃的干燥空气中流通30秒来进行干燥,由此使涂膜中的溶剂蒸发,在氮气气氛(氧浓度200ppm以下)下以累积光量为100mJ/cm2的方式照射紫外线,使涂膜固化,由此形成折射率为1.52和膜厚为4.5μm的硬涂层。接下来,在各硬涂层上涂布高折射率层用组合物1,形成涂膜。并且,使所形成的涂膜在40℃下干燥1分钟后,在氮气气氛(氧浓度200ppm以下)下以累积光量100mJ/cm2进行紫外线照射使其固化,形成折射率为1.67和膜厚为50nm的高折射率层。接下来,在各高折射率层上涂布低折射率层用组合物1,形成涂膜。并且,使所形成的涂膜在40℃下干燥1分钟后,在氮气气氛(氧浓度200ppm以下)下以累积光量100mJ/cm2进行紫外线照射使其固化,形成折射率为1.49和膜厚为20nm的低折射率层,制作实施例1的基材膜。
<实施例2>
在实施例2中,不使用高折射率层用组合物1、低折射率层用组合物1而使用高折射率层用组合物2、低折射率层用组合物2,除此以外,与实施例1同样地制作基材膜。实施例2的基材膜的高折射率层的折射率为1.69、低折射率层的折射率为1.51。
<实施例3>
在实施例3中,不使用硬涂层用组合物1、高折射率层用组合物1、低折射率层用组合物1而使用硬涂层用组合物2、高折射率层用组合物3、低折射率层用组合物3,并且使高折射率层的膜厚为60nm,除此以外,与实施例1同样地制作基材膜。实施例3的基材膜的硬涂层的折射率为1.53、高折射率层的折射率为1.70、低折射率层的折射率为1.53。
<实施例4>
在实施例4中,在硬涂层与低折射率层之间不形成高折射率层,除此以外,与实施例1同样地制作基材膜。即,实施例4的基材膜由聚对苯二甲酸乙二醇酯基材、硬涂层和低折射率层构成。
<实施例5>
在实施例5中,在高折射率层上不形成低折射率层,除此以外,与实施例1同样地制作基材膜。即,实施例5的基材膜由聚对苯二甲酸乙二醇酯基材、硬涂层和高折射率层构成。
<实施例6>
在实施例6中,不形成硬涂层和高折射率层,除此以外,与实施例1同样地制作基材膜。即,实施例6的基材膜由聚对苯二甲酸乙二醇酯基材和低折射率层构成。
<实施例7>
在实施例7中,不形成硬涂层和低折射率层,并且使用高折射率层用组合物5来代替高折射率层用组合物1,且使高折射率层的膜厚为1200nm;除此以外,与实施例1同样地制作基材膜。即,实施例7的基材膜由聚对苯二甲酸乙二醇酯基材和高折射率层构成。实施例7的基材膜的高折射率层的折射率为1.63。
<比较例1>
在比较例1中,不使用硬涂层用组合物1、高折射率层用组合物1、低折射率层用组合物1而使用硬涂层用组合物2、高折射率层用组合物4、低折射率层用组合物3,并且使高折射率层的膜厚为60nm,除此以外,与实施例1同样地制作基材膜。比较例1的基材膜的硬涂层的折射率为1.53、高折射率层的折射率为1.76、低折射率层的折射率为1.53。
<比较例2>
在比较例2中,不使用硬涂层用组合物1、高折射率层用组合物1、低折射率层用组合物1而使用硬涂层用组合物2、高折射率层用组合物4、低折射率层用组合物4,使高折射率层的膜厚为65nm、且使低折射率层的膜厚为30nm,除此以外,与实施例1同样地制作基材膜。比较例2的基材膜的硬涂层的折射率为1.53、高折射率层的折射率为1.76、低折射率层的折射率为1.43。
<比较例3>
在比较例3中,不使用高折射率层用组合物1、低折射率层用组合物1而使用高折射率层用组合物2、低折射率层用组合物5,使高折射率层的膜厚为65nm、且使低折射率层的膜厚为30nm,除此以外,与实施例1同样地制作基材膜。比较例3的基材膜的高折射率层的折射率为1.76、低折射率层的折射率为1.33。
实施例1~5和比较例1~3的导电性膜的硬涂层等的折射率和膜厚列于表1。
【表1】
<a*和b*的偏差>
在实施例以及比较例中得到的各基材膜中,如下求出a*和b*的偏差。具体地说,使用日本分光株式会社制造的VAR-7010,在5°~65°的范围内每隔5°地变换入射角度由低折射率层侧向各基材膜照射光,由各自的朝向正反射方向的反射光得到a*值和b*值。测定条件如下。作为光源使用重氢(D2)灯和钨卤素(WI)灯,并且使用透过轴倾斜45°的偏振元件,将测定范围设为380nm~780nm,将数据读取间隔设为1nm,在进行测定时使入射角度与检测器的位置同步来读取正反射光。并且由所得到的各入射角度中的a*值和b*值计算出其最大值与最小值的差的绝对值,求出a*值的偏差和b*值的偏差。
<色调的偏差>
对于从各种方向观看实施例以及比较例中得到的各基材膜时各基材膜的色调是否偏差来进行评价。评价基准如下。
○:确认不到色调的偏差。
×:确认到色调的偏差。
下面将结果列于表2~表4。
【表4】
如表4所示,比较例1~3的基材膜不满足a*值的偏差为1.0以内、且b*值的偏差为3.0以内这一要件,因而未能抑制色调的偏差。
与此相对,实施例1~7的基材膜满足a*值的偏差为1.0以内、且b*值的偏差为3.0以内这一要件,因而能够抑制色调的变化。

Claims (12)

1.一种导电性膜,其具备:
基材膜,该基材膜具备透光性基材以及1层以上的功能层,该1层以上的功能层被层积在上述透光性基材的单面或两面;
设置在上述功能层上且被图案化的透明导电层;以及
与上述透明导电层电连接的取出电极;
该导电性膜满足以下(1)至(6)中的任意一点:
(1)上述功能层具备具有1.45以上1.60以下的折射率的硬涂层、具有1.55以上1.75以下的折射率的高折射率层和具有1.35以上且小于1.55的折射率的低折射率层,上述硬涂层、上述高折射率层和上述低折射率层自上述透光性基材侧起以上述硬涂层、上述高折射率层和上述低折射率层的顺序被层积;
(2)上述功能层具备具有1.45以上1.60以下的折射率的硬涂层和具有1.35以上且小于1.55的折射率的低折射率层,但是不具备具有1.55以上1.75以下的折射率的高折射率层,上述硬涂层和上述低折射率层自上述透光性基材侧起以上述硬涂层和上述低折射率层的顺序被层积;
(3)上述功能层具备具有1.45以上1.60以下的折射率的硬涂层和具有1.55以上1.75以下的折射率的高折射率层,但是不具备具有1.35以上且小于1.55的折射率的低折射率层,上述硬涂层和上述高折射率层自上述透光性基材侧起以上述硬涂层和上述高折射率层的顺序被层积;
(4)上述功能层具备具有1.55以上1.75以下的折射率的高折射率层和具有1.35以上且小于1.55的折射率的低折射率层,但是不具备具有1.45以上1.60以下的折射率的硬涂层,上述高折射率层和上述低折射率层自上述透光性基材侧起以上述高折射率层和上述低折射率层的顺序被层积;
(5)上述功能层具备具有1.35以上且小于1.55的折射率的低折射率层,但是不具备具有1.45以上1.60以下的折射率的硬涂层和具有1.55以上1.75以下的折射率的高折射率层;
(6)上述功能层具备具有1.55以上1.75以下的折射率的高折射率层,但是不具备具有1.45以上1.60以下的折射率的硬涂层和具有1.35以上且小于1.55的折射率的低折射率层,
在上述基材膜中,设上述基材膜的表面的法线方向为0°,在5°以上75°以下的范围内每隔5度地改变入射角度的同时由上述功能层的表面侧向上述基材膜照射光,由各自的朝向正反射方向的反射光求出上述基材膜中的L*a*b*色度系统的a*值和b*值时,上述基材膜的a*值的偏差为1.0以内,且b*值的偏差为3.0以内。
2.如权利要求1所述的导电性膜,其中,上述(1)、(3)、(4)和(6)中,上述高折射率层具有20nm以上100nm以下的膜厚。
3.如权利要求1所述的导电性膜,其中,上述(1)、(2)、(4)和(5)中,上述低折射率层具有3nm以上100nm以下的膜厚。
4.如权利要求1所述的导电性膜,其中,上述(1)和(4)中,上述高折射率层与上述低折射率层的折射率差为0.10以上0.30以下。
5.如权利要求1所述的导电性膜,其中,上述(1)、(2)和(3)中,上述硬涂层具有0.5μm以上的膜厚。
6.如权利要求1所述的导电性膜,其中,上述(1)和(3)中,上述硬涂层与上述高折射率层的折射率差为0.05以上0.20以下。
7.如权利要求1所述的导电性膜,其中,上述功能层进一步具备易粘接层,该易粘接层具有1.40以上1.70以下的折射率和50nm以上150nm以下的膜厚,
上述(1)、(2)和(3)中,上述易粘接层设于上述透光性基材与上述硬涂层之间,
上述(4)和(6)中,上述易粘接层设于上述透光性基材与上述高折射率层之间,
上述(5)中,上述易粘接层设于上述透光性基材与上述低折射率层之间。
8.如权利要求1所述的导电性膜,其中,上述(1)、(3)、(4)和(6)中,上述高折射率层具有0.5μm以上10μm以下的膜厚。
9.如权利要求1所述的导电性膜,其中,上述取出电极仅被设置在上述透明导电层的一部分上。
10.如权利要求1所述的导电性膜,其中,上述透明导电层为锡掺杂氧化铟。
11.如权利要求1所述的导电性膜,其中,上述透光性基材为聚酯基材。
12.一种触控面板传感器,其具备权利要求1所述的上述导电性膜。
CN201510106522.4A 2014-03-18 2015-03-11 导电性膜和触控面板传感器 Active CN104932737B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014-055401 2014-03-18
JP2014055401A JP5549966B1 (ja) 2014-03-18 2014-03-18 導電性フィルム、およびタッチパネルセンサ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104932737A CN104932737A (zh) 2015-09-23
CN104932737B true CN104932737B (zh) 2018-03-30

Family

ID=51416767

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510106522.4A Active CN104932737B (zh) 2014-03-18 2015-03-11 导电性膜和触控面板传感器

Country Status (4)

Country Link
US (1) US9652100B2 (zh)
JP (1) JP5549966B1 (zh)
KR (1) KR101657538B1 (zh)
CN (1) CN104932737B (zh)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5907218B2 (ja) * 2014-08-19 2016-04-26 大日本印刷株式会社 中間基材フィルム、導電性フィルムおよびタッチパネルセンサ
JP2016099730A (ja) * 2014-11-19 2016-05-30 株式会社ダイセル 透明積層フィルム及びタッチパネルディスプレイ
US10962703B1 (en) * 2017-10-12 2021-03-30 Facebook Technologies, Llc Nanoparticle dispersion for increasing optical index of refraction
JP2019117294A (ja) * 2017-12-27 2019-07-18 シャープ株式会社 表示装置
KR102134793B1 (ko) * 2018-06-29 2020-07-16 주식회사 에프이엠 플렉시블 oled 터치구동용 투명전극 필름, 이의 제조방법 및 이를 이용한 터치패널
CN115605789A (zh) * 2020-03-31 2023-01-13 大日本印刷株式会社(Jp) 光学用的塑料膜、以及使用了该塑料膜的光学层积体、偏振片和图像显示装置
KR102668772B1 (ko) * 2020-10-21 2024-05-24 다이니폰 인사츠 가부시키가이샤 광학 필름, 편광판, 화상 표시 장치 및 광학 필름의 선정 방법
CN113381200B (zh) * 2021-05-13 2022-07-15 宁波大学 一种宽入射角度的电磁吸收结构

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101800241A (zh) * 2009-02-03 2010-08-11 富士胶片株式会社 有机电致发光显示装置
CN103119542A (zh) * 2010-09-29 2013-05-22 大日本印刷株式会社 触摸面板传感器膜及其制造方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4572507B2 (ja) * 2002-05-23 2010-11-04 日油株式会社 透明導電材料およびタッチパネル
WO2005021259A1 (ja) * 2003-08-28 2005-03-10 Dai Nippon Printing Co., Ltd. 反射防止積層体
JP5064649B2 (ja) 2003-08-28 2012-10-31 大日本印刷株式会社 反射防止積層体
US8603611B2 (en) * 2005-05-26 2013-12-10 Gunze Limited Transparent planar body and transparent touch switch
JP5463680B2 (ja) * 2009-02-06 2014-04-09 凸版印刷株式会社 透明導電性フィルム
JP5408075B2 (ja) 2009-10-06 2014-02-05 日油株式会社 透明導電性フィルム
CN102725719B (zh) * 2010-01-28 2016-01-06 富士胶片株式会社 导电片、导电片的使用方法及触控面板
JP5803062B2 (ja) * 2010-07-12 2015-11-04 Tdk株式会社 透明導電体及びこれを用いたタッチパネル
JP5739742B2 (ja) * 2010-11-04 2015-06-24 日東電工株式会社 透明導電性フィルムおよびタッチパネル
JP5663381B2 (ja) * 2011-04-13 2015-02-04 富士フイルム株式会社 透明導電シート、透明導電シートを用いた静電容量方式のタッチパネル
EP2844039A4 (en) * 2012-04-23 2016-07-06 Konica Minolta Inc TRANSPARENT ELECTRODE, ELECTRONIC DEVICE AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENE ELEMENT
WO2013183487A1 (ja) * 2012-06-06 2013-12-12 東レ株式会社 積層体、導電性積層体およびタッチパネル、ならびに、塗料組成物および当該塗料組成物を用いる積層体の製造方法
WO2014038466A1 (ja) * 2012-09-06 2014-03-13 コニカミノルタ株式会社 タッチパネル付き表示装置
CN110361895A (zh) * 2013-05-16 2019-10-22 日本瑞翁株式会社 带静电容量式触摸面板的显示装置
JP5447728B1 (ja) * 2013-10-28 2014-03-19 大日本印刷株式会社 中間基材フィルム、およびタッチパネルセンサ

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101800241A (zh) * 2009-02-03 2010-08-11 富士胶片株式会社 有机电致发光显示装置
CN103119542A (zh) * 2010-09-29 2013-05-22 大日本印刷株式会社 触摸面板传感器膜及其制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2015179317A (ja) 2015-10-08
US20150268771A1 (en) 2015-09-24
JP5549966B1 (ja) 2014-07-16
KR20150108757A (ko) 2015-09-30
US9652100B2 (en) 2017-05-16
KR101657538B1 (ko) 2016-09-20
CN104932737A (zh) 2015-09-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104932737B (zh) 导电性膜和触控面板传感器
KR102057065B1 (ko) 편광층 및 터치 센서 일체형 광학 적층체 및 이를 포함하는 화상 표시 장치
CN104571689B (zh) 中间基材膜和触控面板传感器
CN105934735B (zh) 双面透明导电性膜及其卷绕体、以及触控面板
CN107000398B (zh) 透明导电性膜层叠体及使用其得到的触控面板、以及透明导电性膜的制造方法
CN104290407B (zh) 双面透明导电性膜及触控面板
JP2015075886A (ja) 積層体、およびタッチパネルセンサ
CN104656974B (zh) 导电性膜、硬涂膜和触控面板传感器
JP5549967B1 (ja) 導電性フィルム、およびタッチパネルセンサ
JP6365942B2 (ja) タッチパネル付き表示装置
JP5494884B1 (ja) 中間基材フィルム、およびタッチパネルセンサ
JP5839305B1 (ja) 中間基材フィルム、導電性フィルムおよびタッチパネルセンサ
JP2015179489A (ja) 導電性フィルム、およびタッチパネルセンサ
JP5933137B1 (ja) 透明導電膜積層用フィルムおよび透明導電性フィルム
JP2015036866A (ja) タッチパネル用中間基材フィルム、タッチパネル用積層フィルム、およびタッチパネルセンサ
KR20190139193A (ko) 편광층 및 터치 센서 일체형 광학 적층체 및 이를 포함하는 화상 표시 장치

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant