CN104923214B - 一种钨酸铋光催化薄膜及其制备方法 - Google Patents
一种钨酸铋光催化薄膜及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104923214B CN104923214B CN201510241945.7A CN201510241945A CN104923214B CN 104923214 B CN104923214 B CN 104923214B CN 201510241945 A CN201510241945 A CN 201510241945A CN 104923214 B CN104923214 B CN 104923214B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- solution
- bismuth tungstate
- bismuth
- tungstate
- sputtering
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 70
- PBYZMCDFOULPGH-UHFFFAOYSA-N tungstate Chemical compound [O-][W]([O-])(=O)=O PBYZMCDFOULPGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 70
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 68
- 230000001699 photocatalysis Effects 0.000 title claims abstract description 60
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 25
- 238000007146 photocatalysis Methods 0.000 title description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 30
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 28
- 238000001027 hydrothermal synthesis Methods 0.000 claims abstract description 23
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 21
- 239000011734 sodium Substances 0.000 claims abstract description 15
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims abstract description 14
- RXPAJWPEYBDXOG-UHFFFAOYSA-N hydron;methyl 4-methoxypyridine-2-carboxylate;chloride Chemical compound Cl.COC(=O)C1=CC(OC)=CC=N1 RXPAJWPEYBDXOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- XMVONEAAOPAGAO-UHFFFAOYSA-N sodium tungstate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][W]([O-])(=O)=O XMVONEAAOPAGAO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 8
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims abstract description 8
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims abstract description 7
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 5
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 34
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 27
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 claims description 14
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 239000013077 target material Substances 0.000 claims description 10
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 9
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims description 8
- 238000003756 stirring Methods 0.000 claims description 8
- 238000000465 moulding Methods 0.000 claims description 3
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 5
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 abstract description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 abstract description 3
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 abstract 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 abstract 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 16
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 6
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 4
- PYWVYCXTNDRMGF-UHFFFAOYSA-N rhodamine B Chemical compound [Cl-].C=12C=CC(=[N+](CC)CC)C=C2OC2=CC(N(CC)CC)=CC=C2C=1C1=CC=CC=C1C(O)=O PYWVYCXTNDRMGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229940043267 rhodamine b Drugs 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 description 3
- IKHGUXGNUITLKF-UHFFFAOYSA-N Acetaldehyde Chemical compound CC=O IKHGUXGNUITLKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003197 catalytic effect Effects 0.000 description 2
- 238000005119 centrifugation Methods 0.000 description 2
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 2
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 238000003912 environmental pollution Methods 0.000 description 2
- 239000011941 photocatalyst Substances 0.000 description 2
- 238000004064 recycling Methods 0.000 description 2
- 239000006228 supernatant Substances 0.000 description 2
- 239000011043 treated quartz Substances 0.000 description 2
- 229910052724 xenon Inorganic materials 0.000 description 2
- FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N xenon atom Chemical compound [Xe] FHNFHKCVQCLJFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 241000894006 Bacteria Species 0.000 description 1
- 102000004190 Enzymes Human genes 0.000 description 1
- 108090000790 Enzymes Proteins 0.000 description 1
- 238000005054 agglomeration Methods 0.000 description 1
- 230000002776 aggregation Effects 0.000 description 1
- 230000000844 anti-bacterial effect Effects 0.000 description 1
- 230000002155 anti-virotic effect Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 description 1
- 238000006555 catalytic reaction Methods 0.000 description 1
- 239000012141 concentrate Substances 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000003344 environmental pollutant Substances 0.000 description 1
- 230000004298 light response Effects 0.000 description 1
- 239000000696 magnetic material Substances 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 231100000572 poisoning Toxicity 0.000 description 1
- 230000000607 poisoning effect Effects 0.000 description 1
- 231100000719 pollutant Toxicity 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 230000001954 sterilising effect Effects 0.000 description 1
- 238000004659 sterilization and disinfection Methods 0.000 description 1
- 239000004408 titanium dioxide Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Catalysts (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
本发明涉及一种钨酸铋光催化薄膜及其制备方法,它由以下方法制备得到:1)制备钨酸铋粉末:将钨酸钠溶液缓慢滴加到硝酸铋溶液中,再滴加氢氧化钠溶液调节溶液的pH值至5~7,得到前驱体溶液,将所述前驱体溶液置于水热反应釜中进行水热反应,水热反应结束后对反应液进行离心分离出固体组分,对固体组分真空干燥得到钨酸铋粉末;2)制备钨酸铋光催化薄膜:将钨酸铋粉末采用干压法压制成型得到坯块,将所述坯块高温烧结制得溅射所需靶材,将靶材放入磁控溅射室,以石英玻璃片为衬底,经磁控溅射镀膜制得钨酸铋光催化薄膜。该制备方法工艺简单,重复性强,成本低廉,制备出的钨酸铋薄膜纯度高,均匀性好,光催化性能优异,用途广泛。
Description
技术领域
本发明属于光催化技术领域,具体涉及一种钨酸铋光催化薄膜及其制备方法。
背景技术
随着环境污染和能源危机的日益严重,光催化技术因其在环境净化与新型能源材料领域的潜在应用,以及在治理环境污染方面具有高效、经济、环保等优点而备受国内外科学界关注。在光催化材料领域,TiO2纳米材料因其光催化性能优异、化学性能稳定、抗腐蚀性好等优点而被广泛关注与研究,然而,因TiO2材料只能吸收波长λ<380nm的紫外光,而无法利用占太阳光大部分能量的可见光波段(400-750nm)的能量,从而使得二氧化钛实用化研究进程长期未有较大的突破。
近年来,一些具有光催化性能的新型钨酸盐材料陆续被发现,钨酸盐材料属于半导体材料,因其特有的结构和物理化学性质,使其在磁性材料、闪烁材料、催化剂等方面有着光明的应用前景,其中钨酸铋(Bi2WO6)材料是一种具有可见光响应且可见光催化活性较好的窄带隙光催化材料,其禁带宽度仅为2.7eV左右,在可见光条件下可将氯仿、乙醛等有害物质矿化,将其分解为无害的CO2气体。钨酸铋光催化材料同时具备紫外光和可见光响应优异,光催化性能稳定,热稳定性良好等优点,且成本相对较低、环境友好,是理想的光催化材料。利用水热法合成的钨酸铋纳米材料拥有着特殊的层状结构,比表面积更大,与其他光催化剂相比,其在表面催化上的应用具有更加明显的优势。
光催化纳米材料在环境保护中的应用极其广泛,可使许多难处理的污染物完全分解,利用载体的吸附性能使低浓度的有害物质得以浓缩降解,同时,光化学氧化作用可降低细菌中生物酶的活性,杀菌效果突出。但纳米级光催化材料在环境应用中存在易团聚、难以回收、容易中毒等缺点,因此采取一定的手段固定钨酸铋光催化剂,减少流失,提高其回收和重复使用性能非常有必要。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是针对现有技术中存在的上述不足,提供一种钨酸铋光催化薄膜及其制备方法。
为解决上述技术问题,本发明提供的技术方案是:
提供一种钨酸铋光催化薄膜,它由以下方法制备得到:
1)制备钨酸铋粉末:将Na2WO4·2H2O溶于蒸馏水中得到钨酸钠溶液,将Bi(NO3)3·5H2O溶于稀硝酸中得到硝酸铋溶液,将所述钨酸钠溶液缓慢滴加到硝酸铋溶液中,其中Na2WO4·2H2O与Bi(NO3)3·5H2O摩尔比为1:2,充分搅拌至溶液混合均匀,再滴加氢氧化钠溶液调节溶液的pH值至5~7,得到前驱体溶液,将所述前驱体溶液置于水热反应釜中进行水热反应,水热反应结束后对反应液进行离心分离出固体组分,对固体组分真空干燥得到钨酸铋粉末;
2)制备钨酸铋光催化薄膜:将步骤1)所得钨酸铋粉末采用干压法压制成型得到坯块,将所述坯块高温烧结制得溅射所需靶材,将靶材放入磁控溅射室,将石英玻璃片依次用蒸馏水,丙酮,乙醇进行超声清洗后放入磁控溅射室,控制磁控溅射室的真空度≤2.0×10- 3Pa,工作气体为氩气,调节溅射气压、溅射功率和溅射时间,制得钨酸铋光催化薄膜。
按上述方案,步骤1)所述稀硝酸浓度为1mol/L;所述氢氧化钠溶液浓度为2mol/L。
按上述方案,步骤1)所述水热反应温度为160℃,反应时间为12~24h。
按上述方案,步骤2)所述压制成型的压力为20MPa;所述高温烧结温度为800℃,烧结时间为2h。
优选的是,步骤2)所述坯块为直径50~60mm、厚度5mm的圆片状坯块。
按上述方案,步骤2)所述磁控溅射为射频溅射。
按上述方案,步骤2)所述溅射气压为0.8~1.2Pa,溅射功率为150~200W,溅射时间为5~20min;所得钨酸铋光催化薄膜厚度为70~130nm。
本发明还提供上述钨酸铋光催化薄膜的制备方法,其步骤如下:
1)制备钨酸铋粉末:将Na2WO4·2H2O溶于蒸馏水中得到钨酸钠溶液,将Bi(NO3)3·5H2O溶于稀硝酸中得到硝酸铋溶液,将所述钨酸钠溶液缓慢滴加到硝酸铋溶液中,其中Na2WO4·2H2O与Bi(NO3)3·5H2O摩尔比为1:2,充分搅拌至溶液混合均匀,再滴加氢氧化钠溶液调节溶液的pH值至5~7,得到前驱体溶液,将所述前驱体溶液置于水热反应釜中进行水热反应,水热反应结束后对反应液进行离心分离出固体组分,对固体组分真空干燥得到钨酸铋粉末;
2)制备钨酸铋光催化薄膜:将步骤1)所得钨酸铋粉末采用干压法压制成型得到坯块,将所述坯块高温烧结制得溅射所需靶材,将靶材放入磁控溅射室,将石英玻璃片依次用蒸馏水,丙酮,乙醇进行超声清洗后放入磁控溅射室,控制磁控溅射室的真空度≤2.0×10- 3Pa,工作气体为氩气,调节溅射气压、溅射功率和溅射时间,制得钨酸铋光催化薄膜。
按上述方案,步骤1)所述稀硝酸浓度为1mol/L;所述氢氧化钠溶液浓度为2mol/L。
按上述方案,步骤1)所述水热反应温度为160℃,反应时间为12~24h。
按上述方案,步骤2)所述压制成型的压力为20MPa;所述高温烧结温度为800℃,烧结时间为2h。
按上述方案,步骤2)所述溅射气压为0.8~1.2Pa,溅射功率为150~200W,溅射时间为5~20min;所得钨酸铋光催化薄膜厚度为70~130nm。
本发明的有益效果在于:1、本发明制备方法简单,采用磁控溅射技术制备钨酸铋光催化薄膜材料,工艺简便易行、重复性强、效率高、成本低廉;2、本方面采用磁控溅射制备光催化薄膜,将制得的钨酸铋光催化材料制成靶材后,采用磁控溅射工艺制膜,所制备的薄膜纯度高,厚度均匀,致密性好,且可见光催化性能优异,用途广泛,在污染治理、射线处理、消菌杀毒等方面具有很强的实用价值和应用前景。
附图说明
图1为本发明实施例1、2所制备的光催化薄膜的XRD图谱;
图2为实施例1所制备的钨酸铋光催化薄膜的紫外-可见光光催化活性图谱;
图3为实施例2所制备的钨酸铋光催化薄膜的紫外-可见光光催化活性图谱。
具体实施方式
为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案,下面结合附图对本发明作进一步详细描述。
实施例1
本实施例钨酸铋光催化薄膜的制备方法如下:
1、制备钨酸铋粉末:
(1)按摩尔比Na2WO4·2H2O:Bi(NO3)3·5H2O=1:2的比例,称取Na2WO4·2H2O0.66g,Bi(NO3)3·5H2O 1.94g,将Na2WO4·2H2O溶解在40mL的蒸馏水中得到钨酸钠溶液,将Bi(NO3)3·5H2O溶解在20mL 1mol/L的稀硝酸中得到硝酸铋溶液,在室温下搅拌使其完全溶解;
(2)将钨酸钠溶液缓慢滴加到硝酸铋溶液中,搅拌至溶液充分混合,缓慢滴加2mol/L的氢氧化钠溶液调节溶液的pH值至7,制得水热反应所需的前驱体溶液;
(3)将制备好的前驱体溶液置于水热反应釜中,在160℃的条件下反应12h,对反应后的溶液分别用蒸馏水、乙醇以6500r/min的速率进行离心处理,将得到的固体组分在60℃的条件下真空干燥10h,制得钨酸铋粉末。
2、制备钨酸铋光催化薄膜:
(1)磁控溅射靶材的制备:将上述制得的钨酸铋粉末采用干压法在20MPa的压力下压制成型得到坯块(直径约为56mm,厚度为5mm),将压制好的坯块置于氩气保护的气氛炉中,在800℃的条件下烧结2h,制得磁控溅射所需的圆片状靶材;
(2)磁控溅射镀膜:将石英玻璃片依次用蒸馏水,丙酮,乙醇进行超声清洗30min后将处理好的石英玻璃片放入磁控溅射室,通过磁控溅射方法在石英玻璃衬底上溅射钨酸铋薄膜,其中,靶材和衬底间的距离为9.5cm,衬底温度为常温,磁控溅射室的真空度≤2.0×10-3Pa,工作气体是氩气,溅射气压为1.0Pa,采用射频溅射方式,溅射功率为180W,经过10min的溅射,制得钨酸铋光催化薄膜,薄膜厚度为110nm。
图1为本实施例所制备的光催化薄膜的XRD图谱,从图中可以看出,所制得的光催化薄膜为钨酸铋晶体材料。图2为本实施例所制备的钨酸铋光催化薄膜的光催化图谱,将50mg钨酸铋薄膜置于100mL浓度为10mg/L的罗丹明B溶液中,在黑暗条件下吸附1h,用350w氙灯(插入420nm滤波片)照射1h,离心后取适量上清液进行测试,由图中可以看出,罗丹明B的分解率为95%,说明所得样品的光催化性能优异。
实施例2
本实施例钨酸铋光催化薄膜的制备方法如下:
1、制备钨酸铋粉末:
(1)按摩尔比Na2WO4·2H2O:Bi(NO3)3·5H2O=1:2的比例,称取Na2WO4·2H2O0.66g,Bi(NO3)3·5H2O 1.94g,将Na2WO4·2H2O溶解在40mL的蒸馏水中得到钨酸钠溶液,将Bi(NO3)3·5H2O溶解在20mL 1mol/L的稀硝酸中得到硝酸铋溶液,在室温下搅拌使其完全溶解;
(2)将钨酸钠溶液缓慢滴加到硝酸铋溶液中,搅拌至溶液充分混合,缓慢滴加2mol/L的氢氧化钠溶液调节溶液的pH值至5,制得水热反应所需的前驱体溶液;
(3)将制备好的前驱体溶液置于水热反应釜中,在160℃的条件下反应24h,对反应后的溶液分别用蒸馏水、乙醇以6500r/min的速率进行离心处理,将得到的固体组分在60℃的条件下真空干燥10h,制得钨酸铋粉末。
2、制备钨酸铋光催化薄膜:
(1)磁控溅射靶材的制备:将上述制得的钨酸铋粉末采用干压法在20MPa的压力下压制成型得到坯块(直径约为56mm,厚度为5mm),将压制好的坯块置于氩气保护的气氛炉中,在800℃的条件下烧结2h,制得磁控溅射所需的圆片状靶材;
(2)磁控溅射镀膜:将石英玻璃片依次用蒸馏水,丙酮,乙醇进行超声清洗30min后将处理好的石英玻璃片放入磁控溅射室,通过磁控溅射方法在石英玻璃衬底上溅射钨酸铋薄膜,其中,靶材和衬底间的距离为9.5cm,衬底温度为常温,磁控溅射室的真空度≤2.0×10-3Pa,工作气体是氩气,采用射频溅射方式,溅射气压为1.2Pa,溅射功率为200W,经过5min的溅射,制得钨酸铋光催化薄膜,薄膜厚度为90nm。
图1为本实施例所制备的光催化薄膜的XRD图谱,从图中可以看出,所制得的光催化薄膜为钨酸铋晶体材料。图3为本实施例所制备的钨酸铋光催化薄膜的光催化图谱,将50mg钨酸铋薄膜置于100mL浓度为10mg/L的罗丹明B溶液中,在黑暗条件下吸附1h,用350w氙灯(插入420nm滤波片)照射1h,离心后取适量上清液进行测试,由图中可以看出,罗丹明B分解率91%,说明所得样品的光催化性能优异。
Claims (5)
1.一种钨酸铋光催化薄膜,其特征在于,它由以下方法制备得到:
1)制备钨酸铋粉末:将Na2WO4·2H2O溶于蒸馏水中得到钨酸钠溶液,将Bi(NO3)3·5H2O溶于稀硝酸中得到硝酸铋溶液,将所述钨酸钠溶液缓慢滴加到硝酸铋溶液中,其中Na2WO4·2H2O与Bi(NO3)3·5H2O摩尔比为1:2,充分搅拌至溶液混合均匀,再滴加氢氧化钠溶液调节溶液的pH值至5~7,得到前驱体溶液,将所述前驱体溶液置于水热反应釜中进行水热反应,水热反应结束后对反应液进行离心分离出固体组分,对固体组分真空干燥得到钨酸铋粉末;
2)制备钨酸铋光催化薄膜:将步骤1)所得钨酸铋粉末采用干压法压制成型得到坯块,将压制好的坯块置于氩气保护的气氛炉中高温烧结制得溅射所需靶材,将靶材放入磁控溅射室,将石英玻璃片依次用蒸馏水,丙酮,乙醇进行超声清洗后放入磁控溅射室,控制磁控溅射室的真空度≤2.0×10-3Pa,工作气体为氩气,调节溅射气压、溅射功率和溅射时间,制得钨酸铋光催化薄膜;
步骤2)所述高温烧结温度为800℃,烧结时间为2h;
步骤2)所述溅射气压为0.8~1.2Pa,溅射功率为150~200W,溅射时间为5~20min;所得钨酸铋光催化薄膜厚度为70~130nm。
2.根据权利要求1所述的钨酸铋光催化薄膜,其特征在于:步骤1)所述稀硝酸浓度为1mol/L;所述氢氧化钠溶液浓度为2mol/L。
3.根据权利要求1所述的钨酸铋光催化薄膜,其特征在于:步骤1)所述水热反应温度为160℃,反应时间为12~24h。
4.根据权利要求1所述的钨酸铋光催化薄膜,其特征在于:步骤2)所述压制成型的压力为20MPa。
5.一种权利要求1-4任一所述的钨酸铋光催化薄膜的制备方法,其特征在于步骤如下:
1)制备钨酸铋粉末:将Na2WO4·2H2O溶于蒸馏水中得到钨酸钠溶液,将Bi(NO3)3·5H2O溶于稀硝酸中得到硝酸铋溶液,将所述钨酸钠溶液缓慢滴加到硝酸铋溶液中,其中Na2WO4·2H2O与Bi(NO3)3·5H2O摩尔比为1:2,充分搅拌至溶液混合均匀,再滴加氢氧化钠溶液调节溶液的pH值至5~7,得到前驱体溶液,将所述前驱体溶液置于水热反应釜中进行水热反应,水热反应结束后对反应液进行离心分离出固体组分,对固体组分真空干燥得到钨酸铋粉末;
2)制备钨酸铋光催化薄膜:将步骤1)所得钨酸铋粉末采用干压法压制成型得到坯块,将压制好的坯块置于氩气保护的气氛炉中高温烧结制得溅射所需靶材,将靶材放入磁控溅射室,将石英玻璃片依次用蒸馏水,丙酮,乙醇进行超声清洗后放入磁控溅射室,控制磁控溅射室的真空度≤2.0×10-3Pa,工作气体为氩气,调节溅射气压、溅射功率和溅射时间,制得钨酸铋光催化薄膜。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201510241945.7A CN104923214B (zh) | 2015-05-13 | 2015-05-13 | 一种钨酸铋光催化薄膜及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201510241945.7A CN104923214B (zh) | 2015-05-13 | 2015-05-13 | 一种钨酸铋光催化薄膜及其制备方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN104923214A CN104923214A (zh) | 2015-09-23 |
CN104923214B true CN104923214B (zh) | 2018-04-27 |
Family
ID=54110830
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201510241945.7A Expired - Fee Related CN104923214B (zh) | 2015-05-13 | 2015-05-13 | 一种钨酸铋光催化薄膜及其制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN104923214B (zh) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106480708A (zh) * | 2016-10-08 | 2017-03-08 | 四川大学 | 一种Bi2WO6涂覆纺织面料及其制备方法 |
CN107803198B (zh) * | 2017-10-26 | 2021-03-30 | 太原理工大学 | 一种钨酸铋光催化薄膜的电化学制备方法及其应用 |
CN111804295A (zh) * | 2019-04-12 | 2020-10-23 | 中国科学技术大学 | 制备含氧空位钨酸铋超薄片的方法,含氧空位钨酸铋超薄片及其用途 |
CN111715212A (zh) * | 2020-07-28 | 2020-09-29 | 盐城工学院 | 一种钨酸铋光催化剂的制备方法 |
CN114075074B (zh) * | 2020-08-17 | 2023-03-14 | 厦门稀土材料研究所 | 一种稀土掺杂钨酸基高熵陶瓷及其制备方法 |
CN114408974B (zh) * | 2021-12-15 | 2023-08-25 | 深圳大学 | 一种钨酸铋γ射线屏蔽材料及其制备方法 |
CN114807882B (zh) * | 2022-05-06 | 2023-07-14 | 广东省科学院半导体研究所 | 一种磁控溅射靶材、其制备方法及应用 |
CN116574295B (zh) * | 2023-04-26 | 2025-01-28 | 济南大学 | 柔性聚酰亚胺薄膜基钨酸铋-碘硫化铋复合材料的制备方法 |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2947816B1 (fr) * | 2009-07-09 | 2011-07-22 | Saint Gobain | Procede de depot par pulverisation cathodique, produit obtenu et cible de pulverisation |
CN103599771A (zh) * | 2013-11-12 | 2014-02-26 | 福州大学 | 一种Bi2WO6光催化剂及其制备方法和应用 |
-
2015
- 2015-05-13 CN CN201510241945.7A patent/CN104923214B/zh not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN104923214A (zh) | 2015-09-23 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN104923214B (zh) | 一种钨酸铋光催化薄膜及其制备方法 | |
CN102580742B (zh) | 一种活性炭负载氧化亚铜光催化剂及其制备方法 | |
CN104383902B (zh) | 一种钛酸盐纳米片光催化膜材料及其制备方法和应用 | |
CN103191725B (zh) | BiVO4/Bi2WO6复合半导体材料及其水热制备方法和其应用 | |
CN104646003B (zh) | Nd3-xCoxNbO7-硅锌分子筛复合多孔纳米催化材料的制备及应用 | |
CN105728010A (zh) | 一种抗菌钼酸银石墨相氮化碳复合可见光催化剂的制备方法 | |
CN107020142A (zh) | 泡沫镍负载碳氮/还原石墨烯光催化剂的制备方法 | |
CN103071455A (zh) | 一种复合吸附净化剂的制备方法 | |
CN101745402A (zh) | 高比表面基底负载Bi2WO6光催化膜、方法及应用 | |
CN107321376A (zh) | 三元共聚氮化碳光催化材料及其制备方法和应用 | |
CN102794186B (zh) | 卤氧化物光催化材料及其制备方法 | |
CN103191707A (zh) | 双温区还原法制备黑色二氧化钛的方法 | |
CN104148099B (zh) | 一种MoS2-BiPO4复合光催化剂的制备方法 | |
CN104043471A (zh) | 一种石墨烯/Ta3N5复合光催化剂的制备方法 | |
CN116603527A (zh) | 一种生物炭负载钴铁层状双金属氧化物催化剂的制备及其在高级氧化中的应用 | |
Gao et al. | Engineered inverse opal structured semiconductors for solar light-driven environmental catalysis | |
CN107051570A (zh) | 一种制备大面积超薄g‑C3N4光催化材料制备的方法 | |
Kang et al. | Harmonious K–I–O co-modification of gC 3 N 4 for improved charge separation and photocatalysis | |
CN104874401B (zh) | Nd3-xCoxTaO7-沸石复合多孔纳米催化材料的制备及应用 | |
CN106140241A (zh) | 氧离子表面调控的纳米g‑C3N4有机光催化剂及其制备方法和应用 | |
CN108786872A (zh) | 一种花状WS2/Bi2O2CO3异质结光催化材料的合成方法及其应用 | |
CN103785425B (zh) | 一种花状Bi2O(OH)2SO4光催化剂的制备方法及应用 | |
Wen et al. | Preparation of oxygen-doping nongraphitic carbon nitride via efficiency exfoliation for the application of photocatalytic degradation | |
CN101250273B (zh) | 纳米ZnO/聚醋酸乙烯酯复合薄膜的制备方法 | |
CN102266764A (zh) | 一种膨胀石墨/氧化锌复合光催化剂及其制备方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant | ||
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20180427 Termination date: 20190513 |
|
CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |