CN104914911A - 电压调节器及受电装置 - Google Patents

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相泽裕俊
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Abstract

一种电压调节器，具备电阻电路，该电阻电路根据比较结果信号，切换将第1控制晶体管的另一端与固定电位之间的电阻值设定为第1电阻值并将第2控制晶体管的另一端与固定电位之间切断的第1状态、和将第1控制晶体管的另一端与固定电位之间切断并将第2控制晶体管的另一端与固定电位之间的电阻值设定为第2电阻值的第2状态。

Description

电压调节器及受电装置
本申请基于2014年3月12日申请的日本专利申请第2014－049210号主张优先权，这里通过引用将其全部内容包含于此。
技术领域
本发明涉及电压调节器及受电装置。
背景技术
在以往的LDO型电压调节器中，为了检测输出电流而与输出晶体管独立地具备电流检测用晶体管，进行电流检测。在LDO型电压调节器的动作时，检测用晶体管和传感用晶体管完全开启，作为开关发挥功能。
通常，在流过大电流的LDO型电压调节器中，在使输出晶体管和检测用晶体管兼用的情况下，必须使电阻比完全匹配而取得成对性。但是，由于输出晶体管较大，所以不能取得成对性，实现困难。
此外，根据输出晶体管的尺寸，还有可能根据电流而电流密度变化、设备的电阻值变得不一样。
因而，在输入电压变动而输出晶体管的漏极－源极电压较大地变化的情况下，不能进行正确的电流检测。
发明内容
本发明提供一种即使输入电压变动、也能够更正确地进行电流检测的LDO型的电压调节器及受电装置。
技术方案提供一种电压调节器，其特征在于，具备：输出晶体管，电流路径的一端与输出第1电压的电源端子连接，上述电流路径的另一端与输出输出电压的输出端子连接；第1检测晶体管，电流路径的一端与上述电源端子连接，栅极与上述输出晶体管的栅极连接；第1控制晶体管，电流路径的一端与上述第1检测晶体管的上述电流路径的另一端连接；第1放大电路，控制上述第1控制晶体管的栅极电压，以使上述输出晶体管的另一端的电压与上述第1检测晶体管的上述电流路径的另一端的电压相等；第2检测晶体管，电流路径的一端与上述电源端子连接，栅极与上述输出晶体管的栅极连接；第2控制晶体管，电流路径的一端与上述第2检测晶体管的上述电流路径的另一端连接；第2放大电路，控制上述第2控制晶体管的栅极电压，以使上述输出晶体管的另一端的电压与上述第2检测晶体管的上述电流路径的另一端的电压相等；第3放大电路，控制上述输出晶体管的栅极电压，以使第1基准电压与上述输出电压相等；比较器，将上述第1电压与上述输出电压比较，输出基于其比较结果的比较结果信号；以及电阻电路，在上述第1控制晶体管的另一端与固定电位之间具备具有第1电阻值的第1电阻，在上述第2控制晶体管的另一端与上述固定电位之间具备具有第2电阻值的第2电阻，在上述第1电压与上述输出电压的电位差是基准值以上的情况下，将基于上述第1控制晶体管的另一端的电压的检测电压从输出节点输出，另一方面，在上述电位差比上述基准值小的情况下，将基于上述第2控制晶体管的另一端的电压的检测电压从上述输出节点输出。
此外，技术方案提供一种电压调节器，其特征在于，具备：输出晶体管，电流路径的一端与输出第1电压的电源端子连接，上述电流路径的另一端与输出输出电压的输出端子连接；第1检测晶体管，电流路径的一端与上述电源端子连接，栅极与上述输出晶体管的栅极连接；第1控制晶体管，电流路径的一端与上述第1检测晶体管的上述电流路径的另一端连接；第1放大电路，控制上述第1控制晶体管的栅极电压，以使上述输出晶体管的另一端的电压与上述第1检测晶体管的上述电流路径的另一端的电压相等；第3放大电路，控制上述输出晶体管的栅极电压，以使第1基准电压与上述输出电压相等；比较器，将上述第1电压与上述输出电压比较，输出基于其比较结果的比较结果信号；可变电阻，配置在上述第1控制晶体管的另一端与固定电位之间；以及控制电路，根据上述比较结果信号，在上述第1电压与上述输出电压的电位差为上述基准值以上的情况下，使上述可变电阻的电阻值为第1电阻值，在上述电位差比上述基准值小的情况下，将上述可变电阻的电阻值设定为与上述第1电阻值不同的第2电阻值。
此外，技术方案提供一种受电装置，对从送电装置通过无线供电送电的电力进行受电，将得到的电流整流并输出，其特征在于，具备：受电线圈，连接在第1受电端子与第2受电端子之间，与上述送电装置的送电线圈电磁耦合；受电电容器，在上述第1受电端子与上述第2受电端子之间，与上述受电线圈串联地连接；整流装置，将第1受电端子与第2受电端子之间的电压整流，对电源端子供给第1电压；电压调节器，将从上述第1电压生成的输出电压从输出端子输出；负载电路，被供给上述输出电压；上述电压调节器具备：输出晶体管，电流路径的一端与上述电源端子连接，上述电流路径的另一端与上述输出端子连接；第1检测晶体管，电流路径的一端与上述电源端子连接，栅极与上述输出晶体管的栅极连接；第1控制晶体管，电流路径的一端与上述第1检测晶体管的上述电流路径的另一端连接；第1放大电路，控制上述第1控制晶体管的栅极电压，以使上述输出晶体管的另一端的电压与上述第1检测晶体管的另一端的电压相等；第2检测晶体管，电流路径的一端与上述电源端子连接，栅极与上述输出晶体管的栅极连接；第2控制晶体管，电流路径的一端与上述第2检测晶体管的上述电流路径的另一端连接；第2放大电路，控制上述第2控制晶体管的栅极电压，以使上述输出晶体管的另一端的电压与上述第2检测晶体管的另一端的电压相等；第3放大电路，控制上述输出晶体管的栅极电压，以使第1基准电压与上述输出电压相等；比较器，将上述第1电压与上述输出电压的电位差与基准值进行比较，输出基于其比较结果的比较结果信号；以及电阻电路，在上述第1控制晶体管的另一端与固定电位之间具备具有第1电阻值的第1电阻，在上述第2控制晶体管的另一端与上述固定电位之间具备具有第2电阻值的第2电阻，在上述第1电压与上述输出电压的电位差是基准值以上的情况下，将基于上述第1控制晶体管的另一端的电压的检测电压从输出节点输出，另一方面，在上述电位差比上述基准值小的情况下，将基于上述第2控制晶体管的另一端的电压的检测电压从上述输出节点输出。
根据这些技术方案，能够提供一种即使输入电压变动，也能够更正确地进行电流检测的LDO型的电压调节器及受电装置。
附图说明
图1是表示有关第1实施方式的受电装置1000的结构的一例的电路图。
图2是表示比较例的LDO型电压调节器的输出电流与检测电压的关系的一例的图。
图3是表示有关第1实施方式的LDO型电压调节器的输出电流与检测电压的关系的一例的图。
图4是表示有关第2实施方式的LDO型电压调节器200的结构的一例的电路图。
具体实施方式
以下，基于附图对实施方式进行说明。
[第1实施方式]
图1是表示有关第1实施方式的受电装置1000的结构的一例的电路图。
如图1所示，受电装置1000受电从送电装置(未图示)输出的电力。
该受电装置1000例如是内置电池的智能电话、平板PC等的便携设备或与这些设备连接的电池充电用的设备。除此以外，只要是受电从对应的送电装置输出的电力的设备，则作为受电装置1000，也可以是充电式的电动汽车、家电制品、面向水中应用的制品等。
这里，从送电装置向受电装置1000的电力传送，通过使设在送电装置中的送电线圈(一次线圈)与设在受电装置1000中的受电线圈(二次线圈)Ls电磁耦合而形成电力传送变压器(transformer)来实现。由此，能够非接触地进行电力传送。
这样，受电装置1000从送电装置受电通过无线供电而送电的电力，将得到的电流整流并输出。
该受电装置1000例如如图1所示，具备受电部101、LDO型电压调节器100和负载部102。
受电部101具备受电线圈Ls、受电电容器Cs和整流装置101a。
受电线圈Ls连接在第1受电端子AC1与第2受电端子AC2之间，与送电装置的送电线圈电磁耦合。
受电电容器Cs在第1受电端子AC1与第2受电端子AC2之间，与受电线圈Ls串联地连接。
整流装置101a将第1受电端子AC1与第2受电端子AC2之间的电压整流，向电源端子TVDD供给。
LDO型电压调节器100将从电源端子TVDD的电压生成的输出电压VOUT从输出端子TOUT输出。
负载电路LO被供给输出电压VOUT。该负载电路LO例如是将电池充电的充电电路或系统IC等。
这里，LDO型电压调节器100例如如图1所示，具备电源端子TVDD、输出端子TOUT、输出晶体管Ma、第1检测晶体管M1、第1控制晶体管T1、第1放大电路AMP1、第2检测晶体管M2、第2控制晶体管T2、第2放大电路AMP2、比较器COMP1、第3放大电路AMP3、电阻电路RC和模拟/数字变换电路10。
电源端子TVDD被从受电部101供给电源电压PVDD。在电源端子TVDD与固定电位(这里是接地)之间配置有用来使电源电压PVDD平滑化的电容器C。
输出端子TOUT将输出电压VOUT输出。
输出晶体管Ma一端(源极)连接在电源端子TVDD上，另一端(漏极)连接在输出端子TOUT上。
第1检测晶体管M1一端(源极)连接在电源端子TVDD上，栅极连接在输出晶体管Ma的栅极上。该第1检测晶体管M1流过将在输出晶体管Ma中流过的输出电流IOUT进行了电流镜的电流I1。
另外，该第1检测晶体管M1的尺寸设定得比输出晶体管Ma的尺寸小。
第1控制晶体管T1一端(源极)连接在第1检测晶体管M1的另一端(漏极)上。
第1放大电路AMP1控制第1控制晶体管T1的栅极电压，以使输出晶体管Ma的另一端(漏极)的电压与第1检测晶体管M1的另一端(漏极)的电压相等。
第2检测晶体管M2一端(源极)连接在电源端子TVDD上，栅极连接在输出晶体管Ma的栅极上。该第2检测晶体管M2流过将在输出晶体管Ma中流过的输出电流IOUT进行了电流镜的电流I2。
另外，该第2检测晶体管M2的尺寸设定得比输出晶体管Ma的尺寸小。
第2控制晶体管T2一端(源极)连接在第2检测晶体管M2的另一端(漏极)上。
第2放大电路AMP2控制第2控制晶体管T2的栅极电压，以使输出晶体管Ma的另一端(漏极)的电压与第2检测晶体管M2的另一端(漏极)的电压相等。
第3放大电路AMP3控制输出晶体管Ma的栅极电压，以使第1基准电压VR1与输出电压VOUT相等。
比较器COMP1的非反转输入端子被输入电源电压PVDD，反转输入端子被输入对输出电压VOUT加上第2基准电压(基准值)VR2后的电压。并且，比较器COMP1根据这些输入，输出比较结果信号Sc。
即，比较器COMP1将电源电压PVDD和输出电压VOUT的电位差与基准值比较，输出基于其比较结果的比较结果信号Sc。
电阻电路RC根据比较结果信号Sc，例如成为将第1控制晶体管T1的另一端(漏极)与固定电位之间的电阻值设定为第1电阻值的第1状态(1)。
并且，电阻电路RC在上述第1状态(1)下，将基于第1控制晶体管T1的另一端(漏极)的电压的检测电压Sd从输出节点N输出。
另外，电阻电路RC在比较结果信号Sc规定了该电位差是基准值以上的情况下，被切换为已述的第1状态(1)。
此外，电阻电路RC根据比较结果信号Sc，成为将第2控制晶体管T2的另一端(漏极)与固定电位之间的电阻值设定为第2电阻值的第2状态(2)。
并且，电阻电路RC在上述第2状态(2)下，将基于第2控制晶体管T2的另一端(漏极)的电压的检测电压Sd从输出节点N输出。
另外，电阻电路RC在比较结果信号Sc规定了该电位差小于该基准值的情况下，被切换为已述的第2状态(2)。
这样，电阻电路RC根据比较结果信号Sc而切换上述第1状态(1)和第2状态(2)。
另外，已述的固定电位例如是接地电位。
另外，已述的第1电阻值例如设定为，在已述的第1状态(1)下，第1控制晶体管T1的另一端(漏极)的电压成为预先设定的目标值。
此外，已述的第2电阻值例如设定为，在已述的第2状态(2)下，第2控制晶体管T2的另一端(漏极)的电压成为上述目标值。
这里，电阻电路RC例如如图1所示，具备第1可变电阻R1、第2可变电阻R2和开关电路SW。
第1可变电阻R1一端连接在第1控制晶体管T1的另一端(漏极)上，另一端连接在该固定电位上。该第1可变电阻R1的电阻值被设定为已述的第1电阻值。
第2可变电阻R2一端连接在第2控制晶体管T2的另一端(漏极)上，另一端连接在该固定电位上。该第2可变电阻R2的电阻值被设定为已述的第2电阻值。
此外，开关电路SW在已述的第1状态(1)中，基于比较结果信号Sc，成为将第1控制晶体管T1的另一端(漏极)与输出节点N连接、并将第2控制晶体管T2的另一端(漏极)与输出节点N之间切断的状态。
另一方面，开关电路SW在已述的第2状态(2)中，基于比较结果信号Sc，成为将第1控制晶体管T1的另一端(漏极)与输出节点N切断、并将第2控制晶体管T2的另一端(漏极)与输出节点N之间连接的状态。
这样，开关电路SW基于比较结果信号Sc，切换将第1控制晶体管T1的另一端(漏极)与输出节点N连接并将第2控制晶体管T2的另一端(漏极)与输出节点N之间切断的第1状态(1)、和将第1控制晶体管T1的另一端(漏极)与输出节点N切断并将第2控制晶体管T2的另一端(漏极)与输出节点N之间连接的第2状态(2)。
即，电阻电路RC基于比较结果信号Sc来切换开关电路SW，从而将已述的第1状态(1)和第2状态(2)切换。
由此，如后述那样，根据电源电压PVDD与输出电压VOUT的电位差，切换使用的第1、第2检测晶体管M1、M2，调整第1、第2控制晶体管T1、T2及电阻电路RC。结果，即使电源电压PVDD与输出电压VOUT之间的电压差变化，也能够使检测精度提高。即，在根据电流值而使电源电压PVDD的电压值变更的无线供电的情况下，能够在较大的电流值的范围使检测精度提高。
此外，模拟/数字变换电路10将检测电压Sd进行模拟/数字变换，将输出信号SOUT输出。
该输出信号SOUT包含输出电流IOUT的信息，用于计算受电装置1000的受电电力。
接着，对具有以上那样的结构的LDO型电压调节器100的动作特性的一例进行说明。
这里，图2是表示比较例的LDO型电压调节器的输出电流与检测电压的关系的一例的图。此外，图3是表示有关第1实施方式的LDO型电压调节器的输出电流与检测电压的关系的一例的图。另外，在图2、图3中，所谓LDO状态，是输出晶体管的源极－漏极间电压较大的状态，所谓SW状态，是输出晶体管的源极－漏极间电压较小的状态，是开关动作的状态。
如图2所示，在比较例中，由于没有第1、第2控制晶体管的调整，所以电源电压PVDD与输出电压VOUT的电压差较小的SW状态的检测电压接近于理想值，但该电压差较大的LDO状态的检测电压变大。即，通过电源电压PVDD与输出电压VOUT的电压差，电流检测精度变化。
另一方面，如图3所示，在本实施方式中可知，通过与状态匹配地调整第1、第2控制晶体管T1、T2及电阻电路RC，在各状态下电流检测特性被改善。即，因电源电压PVDD与输出电压VOUT的电压差带来的对电流检测精度的影响被减轻。
如以上那样，根据有关本第1实施方式的LDO型电压调节器，即使输入电压变动，也能够更正确地进行电流检测。
[第2实施方式]
图4是表示有关第2实施方式的LDO型电压调节器200的结构的一例的电路图。另外，在该图4中，与图1相同的标号表示与第1实施方式同样的结构，省略说明。该图4所示的LDO型电压调节器200与图1所示的LDO型电压调节器100同样，被应用到受电装置1000中。
如图4所示，LDO型电压调节器200与第1实施方式同样，具备电源端子TVDD、输出端子TOUT、输出晶体管Ma、第1检测晶体管M1、第1控制晶体管T1、第1放大电路AMP1、第2检测晶体管M2、第2控制晶体管T2、第2放大电路AMP2、比较器COMP1、第3放大电路AMP3、电阻电路RC和模拟/数字变换电路10。
这里，电阻电路RC与第1实施方式同样，根据比较结果信号Sc，切换已述的第1状态(1)和已述的第2状态(2)。
该电阻电路RC例如如图4所示，具备可变电阻Rx、开关电路SWa和控制电路CON。
可变电阻Rx一端连接在输出节点N上，另一端连接在固定电位(如已述那样，例如是接地电位)上。
开关电路SWa基于比较结果信号Sc，切换将第1控制晶体管T1的另一端(漏极)与输出节点N连接并将第2控制晶体管T2的另一端(漏极)与输出节点N之间切断的第1状态(1)、和将第1控制晶体管T1的另一端(漏极)与输出节点N切断并将第2控制晶体管T2的另一端(漏极)与输出节点N之间连接的第2状态(2)。
控制电路CON基于比较结果信号Sc(比较结果信号Sc规定了该电位差是基准值以上的情况下)，在第1状态(1)下，将可变电阻Rx的电阻值设定为已述的第1电阻值。
另一方面，控制电路CON基于比较结果信号Sc(比较结果信号Sc规定了该电位差小于该基准值的情况下)，在第2状态(2)下，将可变电阻Rx的电阻值设定为已述的第2电阻值。
这样，LDO型电压调节器200中，电阻电路RC的具体的电路结构与第1实施方式的LDO型电压调节器100不同。
另外，LDO型电压调节器200的其他结构与第1实施方式的LDO型电压调节器100是同样的。
这里，具有以上那样的结构的LDO型电压调节器200的动作特性与第1实施方式的LDO型电压调节器100是同样的。
即，根据有关本第2实施方式的LDO型电压调节器，即使输入电压变动，也能够更正确地进行电流检测。
另外，本第2实施方式的LDO型电压调节器仅通过简单地切换可变电阻Rx，就能够得到本实施方式的效果。即，即使没有第2检测晶体管M2、第2控制晶体管T1、第2放大器AMP2及开关电路SWa，也能够根据比较结果信号Sc调整可变电阻Rx，所以能够使SW状态及LDO状态的电流检测精度提高。
说明了本发明的一些实施方式，但这些实施方式是作为例子提示的，并不是要限定发明的范围。这些新的实施方式能够以其他各种各样的形态实施，在不脱离发明的主旨的范围内能够进行各种省略、替换、变更。这些实施方式及其变形包含在发明的范围或主旨中，并且包含在权利要求书所记载的发明和其等价的范围中。

Claims (16)

1.一种电压调节器，其特征在于，
具备：
输出晶体管，电流路径的一端与输出第1电压的电源端子连接，上述电流路径的另一端与输出输出电压的输出端子连接；
第1检测晶体管，电流路径的一端与上述电源端子连接，栅极与上述输出晶体管的栅极连接；
第1控制晶体管，电流路径的一端与上述第1检测晶体管的上述电流路径的另一端连接；
第1放大电路，控制上述第1控制晶体管的栅极电压，以使上述输出晶体管的另一端的电压与上述第1检测晶体管的上述电流路径的另一端的电压相等；
第2检测晶体管，电流路径的一端与上述电源端子连接，栅极与上述输出晶体管的栅极连接；
第2控制晶体管，电流路径的一端与上述第2检测晶体管的上述电流路径的另一端连接；
第2放大电路，控制上述第2控制晶体管的栅极电压，以使上述输出晶体管的另一端的电压与上述第2检测晶体管的上述电流路径的另一端的电压相等；
第3放大电路，控制上述输出晶体管的栅极电压，以使第1基准电压与上述输出电压相等；
比较器，将上述第1电压与上述输出电压比较，输出基于其比较结果的比较结果信号；以及
电阻电路，在上述第1控制晶体管的另一端与固定电位之间具备具有第1电阻值的第1电阻，在上述第2控制晶体管的另一端与上述固定电位之间具备具有第2电阻值的第2电阻，
在上述第1电压与上述输出电压的电位差是基准值以上的情况下，将基于上述第1控制晶体管的另一端的电压的检测电压从输出节点输出，
另一方面，在上述电位差比上述基准值小的情况下，将基于上述第2控制晶体管的另一端的电压的检测电压从上述输出节点输出。
2.如权利要求1所述的电压调节器，其特征在于，
上述第1电阻值和上述第2电阻值是不同的值。
3.如权利要求1所述的电压调节器，其特征在于，
上述第1电阻值设定为，使得在上述电位差是上述基准值以上的情况下，上述第1控制晶体管的另一端的电压为预先设定的目标值；
上述第2电阻值设定为，使得在上述电位差比上述基准值小的情况下，上述第2控制晶体管的另一端的电压为上述目标值。
4.如权利要求1所述的电压调节器，其特征在于，
上述第1检测晶体管及上述第2检测晶体管的尺寸比上述输出晶体管的尺寸小。
5.如权利要求1所述的电压调节器，其特征在于，
上述电阻电路中，
上述第1电阻是第1可变电阻；
上述第2电阻是第2可变电阻；
上述电阻电路具备开关电路，该开关电路根据上述比较结果信号，切换将上述第1控制晶体管的另一端与上述输出节点连接并将上述第2控制晶体管的另一端与上述输出节点之间切断的第1状态、和将上述第1控制晶体管的另一端与上述输出节点切断并将上述第2控制晶体管的另一端与上述输出节点之间连接的第2状态。
6.如权利要求1所述的电压调节器，其特征在于，
上述电阻电路具备：
可变电阻，使上述第1电阻及上述第2电阻共通化而成，上述可变电阻配置在上述输出节点与上述固定电位之间；
开关电路，配置在上述输出节点与上述第1控制晶体管的另一端及上述第2控制晶体管的另一端之间；以及
控制电路，根据上述比较结果信号，在上述电位差为上述基准值以上的情况下，使上述可变电阻的电阻值为上述第1电阻值，在上述电位差比上述基准值小的情况下，将上述可变电阻的电阻值设定为上述第2电阻值，
上述开关电路，
在上述电位差为上述基准值以上的情况下，将上述输出节点与上述第1控制晶体管的另一端连接并将上述输出节点与上述第2控制晶体管的另一端切断；
在上述电位差比上述基准值小的情况下，将上述输出节点与上述第1控制晶体管的另一端切断并将上述第2控制晶体管的另一端连接。
7.如权利要求1所述的电压调节器，其特征在于，
还具备将上述检测电压进行模拟/数字变换的模拟/数字变换电路。
8.一种电压调节器，其特征在于，
具备：
输出晶体管，电流路径的一端与输出第1电压的电源端子连接，上述电流路径的另一端与输出输出电压的输出端子连接；
第1检测晶体管，电流路径的一端与上述电源端子连接，栅极与上述输出晶体管的栅极连接；
第1控制晶体管，电流路径的一端与上述第1检测晶体管的上述电流路径的另一端连接；
第1放大电路，控制上述第1控制晶体管的栅极电压，以使上述输出晶体管的另一端的电压与上述第1检测晶体管的上述电流路径的另一端的电压相等；
第3放大电路，控制上述输出晶体管的栅极电压，以使第1基准电压与上述输出电压相等；
比较器，将上述第1电压与上述输出电压比较，输出基于其比较结果的比较结果信号；
可变电阻，配置在上述第1控制晶体管的另一端与固定电位之间；以及
控制电路，根据上述比较结果信号，在上述第1电压与上述输出电压的电位差为上述基准值以上的情况下，使上述可变电阻的电阻值为第1电阻值，在上述电位差比上述基准值小的情况下，将上述可变电阻的电阻值设定为与上述第1电阻值不同的第2电阻值。
9.如权利要求8所述的电压调节器，其特征在于，
还具备将从上述第1控制晶体管的另一端输出的检测电压进行模拟/数字变换的模拟/数字变换电路。
10.一种受电装置，对从送电装置通过无线供电送电的电力进行受电，将得到的电流整流并输出，其特征在于，
具备：
受电线圈，连接在第1受电端子与第2受电端子之间，与上述送电装置的送电线圈电磁耦合；
受电电容器，在上述第1受电端子与上述第2受电端子之间，与上述受电线圈串联地连接；
整流装置，将第1受电端子与第2受电端子之间的电压整流，对电源端子供给第1电压；
电压调节器，将从上述第1电压生成的输出电压从输出端子输出；
负载电路，被供给上述输出电压；
上述电压调节器具备：
输出晶体管，电流路径的一端与上述电源端子连接，上述电流路径的另一端与上述输出端子连接；
第1检测晶体管，电流路径的一端与上述电源端子连接，栅极与上述输出晶体管的栅极连接；
第1控制晶体管，电流路径的一端与上述第1检测晶体管的上述电流路径的另一端连接；
第1放大电路，控制上述第1控制晶体管的栅极电压，以使上述输出晶体管的另一端的电压与上述第1检测晶体管的另一端的电压相等；
第2检测晶体管，电流路径的一端与上述电源端子连接，栅极与上述输出晶体管的栅极连接；
第2控制晶体管，电流路径的一端与上述第2检测晶体管的上述电流路径的另一端连接；
第2放大电路，控制上述第2控制晶体管的栅极电压，以使上述输出晶体管的另一端的电压与上述第2检测晶体管的另一端的电压相等；
第3放大电路，控制上述输出晶体管的栅极电压，以使第1基准电压与上述输出电压相等；
比较器，将上述第1电压与上述输出电压的电位差与基准值进行比较，输出基于其比较结果的比较结果信号；以及
电阻电路，在上述第1控制晶体管的另一端与固定电位之间具备具有第1电阻值的第1电阻，在上述第2控制晶体管的另一端与上述固定电位之间具备具有第2电阻值的第2电阻，
在上述第1电压与上述输出电压的电位差是基准值以上的情况下，将基于上述第1控制晶体管的另一端的电压的检测电压从输出节点输出，
另一方面，在上述电位差比上述基准值小的情况下，将基于上述第2控制晶体管的另一端的电压的检测电压从上述输出节点输出。
11.如权利要求10所述的受电装置，其特征在于，
上述第1电阻值和上述第2电阻值是不同的值。
12.如权利要求10所述的受电装置，其特征在于，
上述第1电阻值设定为，使得在上述电位差是上述基准值以上的情况下，上述第1控制晶体管的另一端的电压为预先设定的目标值，
上述第2电阻值设定为，使得在上述电位差比上述基准值小的情况下，上述第2控制晶体管的另一端的电压为上述目标值。
13.如权利要求10所述的受电装置，其特征在于，
上述第1检测晶体管及上述第2检测晶体管的尺寸比上述输出晶体管的尺寸小。
14.如权利要求10所述的受电装置，其特征在于，
上述电阻电路中，
上述第1电阻是第1可变电阻；
上述第2电阻是第2可变电阻；
上述电阻电路具备开关电路，该开关电路根据上述比较结果信号，切换将上述第1控制晶体管的另一端与上述输出节点连接并将上述第2控制晶体管的另一端与上述输出节点之间切断的第1状态、和将上述第1控制晶体管的另一端与上述输出节点切断并将上述第2控制晶体管的另一端与上述输出节点之间连接的第2状态。
15.如权利要求10所述的受电装置，其特征在于，
上述电阻电路具备：
可变电阻，使上述第1电阻及上述第2电阻共通化而成，上述可变电阻配置在上述输出节点与上述固定电位之间；
开关电路，配置在上述输出节点与上述第1控制晶体管的另一端及上述第2控制晶体管的另一端之间；以及
控制电路，根据上述比较结果信号，在上述电位差为上述基准值以上的情况下，使上述可变电阻的电阻值为上述第1电阻值，在上述电位差比上述基准值小的情况下，将上述可变电阻的电阻值设定为上述第2电阻值，
上述开关电路，
在上述电位差为上述基准值以上的情况下，将上述输出节点与上述第1控制晶体管的另一端连接并将上述输出节点与上述第2控制晶体管的另一端切断；
在上述电位差比上述基准值小的情况下，将上述输出节点与上述第1控制晶体管的另一端切断并将上述第2控制晶体管的另一端连接。
16.如权利要求10所述的受电装置，其特征在于，
还具备将上述检测电压进行模拟/数字变换的模拟/数字变换电路。
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