CN101931255A - 充电管理电路 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种充电管理电路，其包括切换控制单元和恒流充电电路，所述切换控制单元根据输入信号控制两个开关的闭合和断开来控制恒流充电电路的输入电压或者控制充电电路的晶体管的宽长比来调整恒流充电电路的充电电流。本发明可以根据需要调整充电电流的大小，而且可以兼容各种控制芯片。

Description

充电管理电路

【技术领域】

本发明涉及电子电路领域，特别是关于一种带电流调节功能的充电管理电路。

【背景技术】

充电管理芯片通常被用于延长锂电池使用寿命和提高锂电池的安全性。一般线性锂电池充电管理芯片存在三种工作模式：预充电，恒流充电，恒压充电。脉冲式充电管理芯片存在三种工作模式：预充电，恒流充电，脉冲充电。但在有些系统中需要在恒流充电过程中，动态改变恒流充电电流值。例如系统中微处理机控制单元当检测到系统耗电太大时，为了优先满足系统供电需要，一般通过减小恒流充电电流来实现。原因是通常来自于外部适配器的最大输出电流是恒定的，即系统供电电流和恒流充电电流之和是恒定的，所以减小充电电流可以增加为系统供电的电流。现有技术中一般通过图1的方式实现。电阻R1、R2和晶体管MN4为芯片外印刷电路板(PCB板)上的外围器件。

来自微处理机控制单元的输入信号ADJ为高电平时，晶体管MN4导通，节点PROG到地的电阻为R2//R1，运算放大器CA会调整使得节点PROG的电压等于一参考电压VR，则流出节点PROG的电流为

$I1=\frac{\mathrm{VR}}{R2}+\frac{\mathrm{VR}}{R1}$

而流出节点PROG的电流等于晶体管MP1的电流，所以晶体管MP1的电流也等于

$I_{\mathrm{MP}1}=\frac{\mathrm{VR}}{R2}+\frac{\mathrm{VR}}{R1}$

如果设计晶体管MP2和晶体管MP1的宽长比之比为K，而运算放大器MA会调整使得晶体管MP1和晶体管MP2的漏极电流相等，则晶体管MP2和晶体管MP1的电流之比为K，所以对电池的充电电流为：

$I_{\mathrm{CH}1}=K.(\frac{\mathrm{VR}}{R2}+\frac{\mathrm{VR}}{R1})$

当输入信号ADJ为低电平时，晶体管MN4断开，节点PROG到地的电阻为R2，运算放大器CA会调整使得节点PROG的电压等于一参考电压VR，则流出节点PROG的电流为

$I_1=\frac{\mathrm{VR}}{R2}$

而流出节点PROG的电流等于晶体管MP1的电流，所以晶体管MP1的电流也等于

$I_{\mathrm{MP}1}=\frac{\mathrm{VR}}{R2}$

如果设计晶体管MP2和晶体管MP1的宽长比之比为K，而运算放大器MA会调整使得晶体管MP1和晶体管MP2的漏极电流相等，则晶体管MP2和晶体管MP1的电流之比为K，所以对电池的充电电流为：

$I_{\mathrm{CH}2}=K.\frac{\mathrm{VR}}{R2}$

对比充电电流ICH1和充电电流ICH2可见，通过数字信号ADJ可以对充电电流进行改变。

但现有额外采用电阻R1和晶体管MN4，增加了系统成本，另外电阻R1和晶体管MN4也占有额外的PCB板面积，对小型化应用不利。

【发明内容】

本发明的目的在于提供一种可调节恒流充电电流的充电管理电路。

为达成前述目的，本发明一种充电管理电路，其包括：

切换控制单元，其包括第一开关和第二开关，其根据输入信号选择第一开关和第二开关中的一个闭合、另一个断开；

恒流充电电路，其包括第一输入端、第二输入端及输出端，第一输入端通过第一开关与第一参考电压连接、通过第二开关与第二参考电压连接，第二输入端与电流反馈电压相连，

所述恒流充电电路调整第二输入端的电压基本等于第一输入端的电压以使得所述输出端向电池提供恒定的充电电流。

进一步地，所述第一参考电压大于第二参考电压。

进一步地，前述切换控制单元的输入信号为外接的中央处理单元MCU的输出信号。

进一步地，前述切换控制单元，其进一步包括信号检测电路，信号检测电路接收前述输入信号输出控制信号控制前述切换开关的开关；其中所述信号检测电路包括第一NMOS晶体管，第二NMOS晶体管、第三NMOS晶体管、第一电流源以及第二电流源，其中第一电流源的一端连接检测电路电源，另一端连接于检测输入节点；第二NMOS晶体管的漏极连接于前述检测输入节点，第二NMOS晶体管的栅极连接于前述检测输入节点，其中检测输入节点作为整个信号检测电路的输入端，第二NMOS晶体管的源极连接于第一NMOS晶体管的栅极和漏极，第一NMOS晶体管的源极接地；第二电流源的一端连接于检测电路电源，另一端连接于第三NMOS晶体管的漏极；第三NMOS晶体管的栅极连接于前述检测输入节点，第三NMOS晶体管的源极接地；其中第二电流源与第三NMOS晶体管的漏极的连接点作为信号检测电路的检测输出节点。

进一步地，所述恒流充电电路，其包括第一运算放大器，第一PMOS晶体管、以及第二PMOS晶体管；其中第一运算放大器包括两个输入端，第一输入端经过前述第一切换开关与第一参考电压连接，同时第一输入端经过前述第二切换开关与第二参考电压连接，第一运算放大器的第二输入端连接于电流反馈节点，第一运算放大器的输出端连接于第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管的栅极；第一PMOS晶体管的源极连接于充电电路电源，第一PMOS晶体管的漏极连接于前述电流反馈节点；第二PMOS晶体管的源极连接于充电电路电源；在反馈节点与地之间连接有一个电阻；其中第二PMOS晶体管的漏极作为充电电路的输出端用于给充电电池充电。

进一步地，所述恒流充电电路还包括一个第二运算放大器以及一个第三PMOS晶体管，其中第三PMOS晶体管的源极连接于第一PMOS晶体管的漏极，第三PMOS晶体管的栅极连接于第二运算放大器的输出端，第三PMOS晶体管的漏极连接于前述电流反馈节点；所述第二运算放大器的第一输入端连接于第一PMOS晶体管的漏极，第二运算放大器的第二输入端连接于第二PMOS晶体管的漏极。

为达成前述目的，本发明一种充电管理电路，其包括：

切换控制单元，其包括第一开关和第二开关，其根据输入信号选择第一开关和第二开关中的一个闭合、另一个断开；

恒流充电电路，其包括第一运算放大器、第一晶体管和第二晶体管，第一运算放大器调整第一晶体管支路的电压等于参考电压，使第一晶体管的电流保持恒定；第二晶体管与第一晶体管构成电流镜，镜像第一晶体管的电流，第二晶体管的输出端向电池提供恒定的充电电流；

所述第一开关闭合控制第一晶体管或第二晶体管的宽长比使第二晶体管电流镜像第一晶体管的电流的倍率为第一倍率，所述第二开关闭合控制第一晶体管或第二晶体管的宽长比使第二晶体管电流镜像第一晶体管的电流的倍率为第二倍率。

进一步地，所述第一倍率大于所述第二倍率。

进一步地，前述切换控制单元的输入信号为外接的中央处理单元MCU的输出信号。

进一步地，前述切换控制单元，其进一步包括信号检测电路，信号检测电路接收前述输入信号输出控制信号控制前述切换开关的开关；其中所述信号检测电路包括第一NMOS晶体管，第二NMOS晶体管、第三NMOS晶体管、第一电流源以及第二电流源，其中第一电流源的一端连接检测电路电源，另一端连接于检测输入节点；第二NMOS晶体管的漏极连接于前述检测输入节点，第二NMOS晶体管的栅极连接于前述检测输入节点，其中检测输入节点作为整个信号检测电路的输入端ADJ，第二NMOS晶体管的源极连接于第一NMOS晶体管的栅极和漏极，第一NMOS晶体管的源极接地；第二电流源的一端连接于检测电路电源，另一端连接于第三NMOS晶体管的漏极；第三NMOS晶体管的栅极连接于前述检测输入节点，第三NMOS晶体管的源极接地；其中第二电流源与第三NMOS晶体管的漏极的连接点作为信号检测电路的检测输出节点。

进一步地，所述恒流充电电路，其包括第一运算放大器，第一PMOS晶体管、以及第二PMOS晶体管；其中第一运算放大器包括两个输入端，第一输入端经过前述第一切换开关与第一参考电压连接，同时第一输入端经过前述第二切换开关与第二参考电压连接，第一运算放大器的第二输入端连接于电流反馈节点，第一运算放大器的输出端连接于第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管的栅极；第一PMOS晶体管的源极连接于充电电路电源，第一PMOS晶体管的漏极连接于前述电流反馈节点；第二PMOS晶体管的源极连接于充电电路电源；在反馈节点与地之间连接有一个电阻；其中第二PMOS晶体管的漏极作为充电电路的输出端用于给充电电池充电。

进一步地，所述恒流充电电路还包括一个第二运算放大器以及一个第三PMOS晶体管，其中第三PMOS晶体管的源极连接于第一PMOS晶体管的漏极，第三PMOS晶体管的栅极连接于第二运算放大器的输出端，第三PMOS晶体管的漏极连接于前述电流反馈节点；所述第二运算放大器的第一输入端连接于第一PMOS晶体管的漏极，第二运算放大器的第二输入端连接于第二PMOS晶体管的漏极。

本发明的充电电路在系统需要减小充电电流时，通过控制芯片的输出信号，将充电电路的输入端的其中一个输入电压切换为另一电压，或者控制充电电路的两个晶体管的宽长比来控制充电电路的输出，从而调整充电电流，本发明可以根据需要调整充电电流的大小，而且本发明的结构可以集成在一块芯片中，能够减小结构所占的PCB板的面积，节省系统成本。

【附图说明】

图1是现有的实现电流调节的电路结构图。

图2是本发明一个实施例的充电电路的结构图。

图3是本发明一个实施例的充电电路标注之后的结构图。

图4为本发明一个实施例的充电电路中信号检测电路的结构示意图。

【具体实施方式】

此处所称的“一个实施例”或“实施例”是指可包含于本发明至少一个实现方式中的特定特征、结构或特性。在本说明书中不同地方出现的“在一个实施例中”并非均指同一个实施例，也不是单独的或选择性的与其他实施例互相排斥的实施例。此外，表示一个或多个实施例的方法、流程图或功能框图中的单元顺序并非固定的指代任何特定顺序，也不构成对本发明的限制。

本发明是关于一种充电电路，其可以用于手机、移动便携设备中，对这些设备的电池进行充电。下面将以一个手机中的充电电路为例进行示例性说明。

请参阅图2及图3所示，其显示本发明的一个实施例的充电电路的详细电路的结构示意图。如图所示，本发明的一个实施例的充电电路，其包括切换控制电路1和恒流充电电路2。切换控制电路1接收输入信号，输出控制信号控制恒流充电电路2的其中一个输入端的输入信号，恒流充电电路2的输出用于给充电电池充电。本发明的一个实施例的充电电路的切换控制电路1包括信号检测电路11、非门电路IVN1以及两个切换开关K1、K2。在实际应用中，信号检测电路的输入端ADJ与手机的中央处理单元(MCU)的一个输出端连接，信号检测电路根据中央处理单元的输出端的输出信号输出切换控制信号。信号检测电路输出的切换控制信号通过一条支路直接用于控制第二切换开关K2，信号检测电路输出的切换控制信号还经过一个非门电路IVN1请标号，或者用数字标号)用于控制第一切换开关K1。

请参阅图4所示，其显示本发明一个实施例的信号检测电路的结构示意图。如图所示，本发明的一个实施例中的信号检测电路包括第一NMOS晶体管MN1，第二NMOS晶体管MN2、第三晶体管MN3、第一电流源I1以及第二电流源I2。其中第一电流源的一端连接检测电路电源VDD，另一端连接于检测输入节点A。第二NMOS晶体管MN2的漏极连接于前述检测输入节点A，第二NMOS晶体管MN2的栅极连接于前述检测输入节点A。其中检测输入节点A作为整个信号检测电路的输入端ADJ。第二NMOS晶体管MN2的源极连接于第一NMOS晶体管MN1的栅极和漏极，第一NMOS晶体管MN1的源极接地。第二电流源I2的一端连接于检测电路电源VDD，另一端连接于第三NMOS晶体管MN3的漏极。第三NMOS晶体管MN3的栅极连接于前述检测输入节点A，第三NMOS晶体管MN3的源极接地。其中第二电流源I2与第三NMOS晶体管MN3的连接点作为信号检测电路的检测输出节点B。

在本发明的一个实施例中，所述充电电路的输入端ADJ(也是检测电路的输入端ADJ)是与外接的中央处理单元(MCU)的输出连接。当信号检测电路检测到输入端ADJ的信号为高电平时，此时第一NMOS晶体管MN1和第二NMOS晶体管MN2导通，使得检测输入节点A的电压箝位于一固定电压。同时第三NMOS晶体管MN3导通，则检测输出节点B的电压变成低电平，即当信号检测电路检测到输入信号为高电平时输出信号为低电平。当信号检测电路检测到输入端ADJ的信号为低电平时，则第三NMOS晶体管MN3截止，则检测输出节点B被第二电流源I2拉高为高电平，即信号检测电路的输出为高电平，即当信号检测电路检测到输入信号为低电平时输出信号为高电平。虽然此时第一电流源I1也会试图将检测输入节点A的电压拉高，但由于其电流较小，无法与信号检测电路检测到输入端ADJ的低电平信号抗衡，因此检测输入节点A的电位保持低电平。

在本发明的其他实施例中，MCU如果为GPIO类型的开漏(open-drain)，MCU不输出时，为开路状态，信号检测电路的输入端ADJ会被第一电流源I1自动拉高，则第三NMOS晶体管MN3导通，信号检测电路输出低电平。有些充电应用中不使用MCU控制电路，信号检测电路的输入端ADJ可悬空，电流源I1电流会将将输入端ADJ连接的节点电压拉为高电平，则第三NMOS晶体管MN3导通，将信号检测电路的输出置为低电平。这样可以避免输入端ADJ悬空时恒流充电电流状态不确定的问题。

因此本发明的信号检测电路可兼容各种低电压控制芯片，即便MCU输出处于开路状态时，输入端ADJ的信号也会被内部电流I1拉高，此时与MCU输出端连接的输入端ADJ的电位会被第一NMOS晶体管MN1和第二NMOS晶体管MN2构成的箝位电路进行箝位，其电压不会太高，从而可保护低压控制器不被损坏。

请继续参阅图2所示，本发明充电电路的恒流充电电路包括第一运算放大器CA，第二运算放大器MA，第一PMOS晶体管MP1、第二PMOS晶体管MP2以及第三PMOS晶体管MP3。其中第一运算放大器包括两个输入端，其中第一运算放大器的第一输入端经过前述第一切换开关K1与第一参考电压源VR连接，同时第一输入端经过前述第二切换开关K2与第二参考电压源V2连接，第一运算放大器CA的第二输入端连接于反馈节点C。第一运算放大器CA的输出端连接于第一PMOS晶体管MP1和第二PMOS晶体管MP2的栅极。第一PMOS晶体管MP1的源极连接于充电电路电源VCHG，第一PMOS晶体管MP1的漏极连接于第三PMOS晶体管MP3的源极以及第二运算放大器MA的第一输入端。第二PMOS晶体管MP2的源极连接于充电电路电源VCHG，第二PMOS晶体管MP2的漏极连接于第二运算放大器MA的第二输入端。第二运算放大器MA的输出端连接于第三PMOS晶体管MP3的栅极。第三PMOS晶体管的漏极连接于前述反馈节点C，在反馈节点C与接地点之间连接有一个电阻R2。其中第二PMOS晶体管MP2的漏极作为充电电路的输出端用于给充电电池充电。

在正常充电模式下，MCU的输出为高电平，信号检测电路的输出为低电平，此时第一切换开关K1闭合，第二切换开关K2断开，第一运算放大器CA的第一输入端为第一参考电压VR。第一运算放大器CA的第二输入端连接于反馈节点C，根据运算放大器的原理，其最终会使反馈节点C的电压与第一运算放大器CA的第一输入端的第一参考电压VR相同，因此第一PMOS晶体管MP1与第三PMOS晶体管MP3所在支路的电流即为VR/R2。由于第一PMOS晶体管MP1与第二PMOS晶体管的源极连接在一起(共同连接于充电电路电源VCHG)，而第一PMOS晶体管MP1与第二PMOS晶体管的漏极分别连接于第二运算放大器MA的两个输入端，根据运算放大器的原理，第二运算放大器MA最终会调整第一PMOS晶体管MP1的漏极和第二PMOS晶体管MP2的漏极电压相等，因此第一PMOS晶体管MP1和第二PMOS晶体管MP2形成电流镜的关系，如果第二PMOS晶体管MP2的宽长比与第一PMOS晶体管MP1的宽长比之比为K倍，则第二PMOS晶体管MP2的电流为第一PMOS晶体管MP1电流的K倍。信号检测电路的输出CL为低电平时，第二PMOS晶体管MP2输出的充电电流为K*VR/R2。

如果出现需要调整充电电流的情况，此时MCU的输出端变为低电平，信号检测电路检测到输入端ADJ的输入信号变为低电平，则信号检测电路的输出端输出高电平，此时第一切换开关K1断开，而第二切换开关K2闭合，则第一运算放大器CA的第一输入端的电压就由第一参考电压VR切换为第二参考电压V2，根据前述说明，此时反馈节点C的电压将调整为第二参考电压V2，而第一PMOS晶体管MP1的电流将变为V2/R2，相应的如果第二PMOS晶体管MP2的宽长比与第一PMOS晶体管MP1的宽长比之比为K倍，则第二PMOS晶体管MP2的电流为第一PMOS晶体管MP1电流的K倍，第二PMOS晶体管MP2输出的充电电流为K*V2/R2。即充电电流由K*VR/R2调整为K*V2/R2，第二参考电压V2和第一参考电压VR的比值可根据实际需要减小充电电流的倍数而定。

在前述实施例中，前述第一开关K1和第二开关K2是用于控制第一运算放大器的输入电压，在调整充电电流的过程中，第一PMOS晶体管MP1和第二PMOS晶体管MP2在调整前后的宽长比是保持不变的，即第二PMOS晶体管MP2镜像第一晶体管的电流的倍率K值是保持不变的，充电电流由K*VR/R2调整为K*V2/R2时只需控制第一参考电压VR和第二参考电压V2的大小即可。在其他实施例中也可以保持VR不变，而在需要调整充电电流大小时，前述信号检测电路的输出控制的第一切换开关和第二切换开关可用于控制第一PMOS晶体管MP1或第二PMOS晶体管MP2的宽长比，来调整第二PMOS晶体管MP2镜像第一PMOS晶体管MP1的电流的倍率K值。例如在正常充电时第一开关闭合，控制第一PMOS晶体管MP1或第二PMOS晶体管MP2的宽长比为第一宽长比，则第二PMOS晶体管MP2镜像第一PMOS晶体管MP1的电流的倍率K为第一倍率K1，则充电电路的充电电流为K1*VR/R2，而需要调整充电电流时，通过信号检测电路控制第一开关断开，第二开关闭合，将MP1或MP2的宽长比调整为第二宽长比，则第二PMOS晶体管MP2镜像第一PMOS晶体管MP1的电流的倍率K为第二倍率K2，则充电电流为K2*VR/R2，则同样可以实现降低充电电流的调节。

本发明的充电电路可以根据需要根据中央处理单元的输出信号，通过控制切换单元的输出控制切换开关将充电电路的其中一个输入端的输入电压切换成不同的电压，或者通过切换开关将充电电路的两个晶体管MP1和MP2的宽长比切换成不同比例，从而可以自动调整恒流充电电流的大小，而且可兼容各种低电压各种的控制芯片。

上述说明已经充分揭露了本发明的具体实施方式。需要指出的是，熟悉该领域的技术人员对本发明的具体实施方式所做的任何改动均不脱离本发明的权利要求书的范围。相应地，本发明的权利要求的范围也并不仅仅局限于前述具体实施方式。

Claims (12)

1.一种充电管理电路，其包括：

切换控制单元，其包括第一开关和第二开关，其根据输入信号选择第一开关和第二开关中的一个闭合、另一个断开；

恒流充电电路，其包括第一输入端、第二输入端及输出端，第一输入端通过第一开关与第一参考电压连接、通过第二开关与第二参考电压连接，第二输入端与电流反馈电压相连，

所述恒流充电电路调整第二输入端的电压基本等于第一输入端的电压以使得所述输出端向电池提供恒定的充电电流。

2.如权利要求1所述的充电管理电路，其特征在于：所述第一参考电压大于第二参考电压。

3.如权利要求1所述的充电管理电路，其特征在于：前述切换控制单元的输入信号为外接的中央处理单元MCU的输出信号。

4.如权利要求1所述的充电管理电路，其特征在于：前述切换控制单元，其进一步包括信号检测电路，信号检测电路接收前述输入信号输出控制信号控制前述切换开关的开关；其中所述信号检测电路包括第一NMOS晶体管，第二NMOS晶体管、第三NMOS晶体管、第一电流源以及第二电流源，其中第一电流源的一端连接检测电路电源，另一端连接于检测输入节点；第二NMOS晶体管的漏极连接于前述检测输入节点，第二NMOS晶体管的栅极连接于前述检测输入节点，其中检测输入节点作为整个信号检测电路的输入端ADJ，第二NMOS晶体管的源极连接于第一NMOS晶体管的栅极和漏极，第一NMOS晶体管的源极接地；第二电流源的一端连接于检测电路电源，另一端连接于第三NMOS晶体管的漏极；第三NMOS晶体管的栅极连接于前述检测输入节点，第三NMOS晶体管的源极接地；其中第二电流源与第三NMOS晶体管的漏极的连接点作为信号检测电路的检测输出节点。

5.如权利要求1所述的充电管理电路，其特征在于：所述恒流充电电路，其包括第一运算放大器，第一PMOS晶体管、以及第二PMOS晶体管；其中第一运算放大器包括两个输入端，第一输入端经过前述第一切换开关与第一参考电压连接，同时第一输入端经过前述第二切换开关与第二参考电压连接，第一运算放大器的第二输入端连接于电流反馈节点，第一运算放大器的输出端连接于第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管的栅极；第一PMOS晶体管的源极连接于充电电路电源，第一PMOS晶体管的漏极连接于前述电流反馈节点；第二PMOS晶体管的源极连接于充电电路电源；在反馈节点与地之间连接有一个电阻；其中第二PMOS晶体管的漏极作为充电电路的输出端用于给充电电池充电。

6.如权利要求5所述的充电管理电路，其特征在于：所述恒流充电电路还包括一个第二运算放大器以及一个第三PMOS晶体管，其中第三PMOS晶体管的源极连接于第一PMOS晶体管的漏极，第三PMOS晶体管的栅极连接于第二运算放大器的输出端，第三PMOS晶体管的漏极连接于前述电流反馈节点；所述第二运算放大器的第一输入端连接于第一PMOS晶体管的漏极，第二运算放大器的第二输入端连接于第二PMOS晶体管的漏极。

7.一种充电管理电路，其包括：

切换控制单元，其包括第一开关和第二开关，其根据输入信号选择第一开关和第二开关中的一个闭合、另一个断开；

恒流充电电路，其包括第一运算放大器、第一晶体管和第二晶体管，第一运算放大器调整第一晶体管支路的电压等于参考电压，使第一晶体管的电流保持恒定；第二晶体管与第一晶体管构成电流镜，镜像第一晶体管的电流，第二晶体管的输出端向电池提供恒定的充电电流；

所述第一开关闭合控制第一晶体管或第二晶体管的宽长比使第二晶体管电流镜像第一晶体管的电流的倍率为第一倍率，所述第二开关闭合控制第一晶体管或第二晶体管的宽长比使第二晶体管电流镜像第一晶体管的电流的倍率为第二倍率。

8.如权利要求7所述的充电管理电路，其特征在于：所述第一倍率大于所述第二倍率。

9.如权利要求7所述的充电管理电路，其特征在于：前述切换控制单元的输入信号为外接的中央处理单元MCU的输出信号。

10.如权利要求7所述的充电管理电路，其特征在于：前述切换控制单元，其进一步包括信号检测电路，信号检测电路接收前述输入信号输出控制信号控制前述切换开关的开关；其中所述信号检测电路包括第一NMOS晶体管，第二NMOS晶体管、第三晶体管、第一电流源以及第二电流源，其中第一电流源的一端连接检测电路电源，另一端连接于检测输入节点；第二NMOS晶体管的漏极连接于前述检测输入节点，第二NMOS晶体管的栅极连接于前述检测输入节点，其中检测输入节点作为整个信号检测电路的输入端ADJ，第二NMOS晶体管的源极连接于第一NMOS晶体管的栅极和漏极，第一NMOS晶体管的源极接地；第二电流源的一端连接于检测电路电源，另一端连接于第三NMOS晶体管的漏极；第三NMOS晶体管的栅极连接于前述检测输入节点，第三NMOS晶体管的源极接地；其中第二电流源与第三NMOS晶体管的漏极的连接点作为信号检测电路的检测输出节点。

11.如权利要求7所述的充电管理电路，其特征在于：所述第一运算放大器包括两个输入端，第一输入端与第一参考电压连接，第一运算放大器的第二输入端连接于电流反馈节点，第一运算放大器的输出端连接于第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管的栅极；第一PMOS晶体管的源极连接于充电电路电源，第一PMOS晶体管的漏极连接于前述电流反馈节点；第二PMOS晶体管的源极连接于充电电路电源；在反馈节点与地之间连接有一个电阻；其中第二PMOS晶体管的漏极作为充电电路的输出端用于给充电电池充电。

12.如权利要求11所述的充电管理电路，其特征在于：所述恒流充电电路还包括一个第二运算放大器以及一个第三PMOS晶体管，其中第三PMOS晶体管的源极连接于第一PMOS晶体管的漏极，第三PMOS晶体管的栅极连接于第二运算放大器的输出端，第三PMOS晶体管的漏极连接于前述电流反馈节点；所述第二运算放大器的第一输入端连接于第一PMOS晶体管的漏极，第二运算放大器的第二输入端连接于第二PMOS晶体管的漏极。

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