CN104882486B - 高迁移率、高稳定性金属氧化物薄膜晶体管及其制备工艺 - Google Patents
高迁移率、高稳定性金属氧化物薄膜晶体管及其制备工艺 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104882486B CN104882486B CN201510207632.XA CN201510207632A CN104882486B CN 104882486 B CN104882486 B CN 104882486B CN 201510207632 A CN201510207632 A CN 201510207632A CN 104882486 B CN104882486 B CN 104882486B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- carrier
- metal oxide
- blocking layers
- separator
- film transistor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 97
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 title claims abstract description 97
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 65
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 32
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 title claims description 18
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims abstract description 90
- 239000002800 charge carrier Substances 0.000 claims abstract description 89
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 50
- 239000005300 metallic glass Substances 0.000 claims abstract description 30
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims abstract description 29
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 238
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 60
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims description 24
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims description 20
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 claims description 19
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 239000011135 tin Substances 0.000 claims description 19
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 19
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 claims description 18
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 claims description 18
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims description 18
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 claims description 18
- FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N lanthanum atom Chemical compound [La] FZLIPJUXYLNCLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N praseodymium atom Chemical compound [Pr] PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N samarium atom Chemical compound [Sm] KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 18
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 17
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 17
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 12
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 11
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 11
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 11
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 9
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 8
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 7
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 4
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 4
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 3
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 239000002893 slag Substances 0.000 description 3
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical group O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 2
- 238000005477 sputtering target Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- VAJVDSVGBWFCLW-UHFFFAOYSA-N 3-Phenyl-1-propanol Chemical compound OCCCC1=CC=CC=C1 VAJVDSVGBWFCLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- PMPVIKIVABFJJI-UHFFFAOYSA-N Cyclobutane Chemical compound C1CCC1 PMPVIKIVABFJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DYUQAZSOFZSPHD-UHFFFAOYSA-N Phenylpropyl alcohol Natural products CCC(O)C1=CC=CC=C1 DYUQAZSOFZSPHD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 1
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 229910052747 lanthanoid Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002602 lanthanoids Chemical class 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);tantalum(5+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Ta+5].[Ta+5] BPUBBGLMJRNUCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UZLYXNNZYFBAQO-UHFFFAOYSA-N oxygen(2-);ytterbium(3+) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Yb+3].[Yb+3] UZLYXNNZYFBAQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N tantalum pentoxide Inorganic materials O=[Ta](=O)O[Ta](=O)=O PBCFLUZVCVVTBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 229910003454 ytterbium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940075624 ytterbium oxide Drugs 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
- H01L29/7869—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate
- H01L29/78693—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film having a semiconductor body comprising an oxide semiconductor material, e.g. zinc oxide, copper aluminium oxide, cadmium stannate the semiconducting oxide being amorphous
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/02—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/06—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions
- H01L29/0684—Semiconductor bodies ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape; characterised by the shapes, relative sizes, or dispositions of the semiconductor regions ; characterised by the concentration or distribution of impurities within semiconductor regions characterised by the shape, relative sizes or dispositions of the semiconductor regions or junctions between the regions
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66969—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies not comprising group 14 or group 13/15 materials
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
Abstract
一种高迁移率、高稳定性金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法。有源层由一个或多个子有源层叠置而成，每个子有源层由载流子隔离层和载流子传输层构成；最底层的载流子隔离层与栅极绝缘层接触，最底层的载流子隔离层之上为最底层的载流子传输层，上一层的载流子隔离层、载流子传输层依次叠设于下一层的载流子传输层；载流子隔离层和载流子传输层均为非晶金属氧化物薄膜；载流子隔离层的载流子迁移率为a，载流子传输层的载流子迁移率为b，b>a；每一个子有源层中，|Ea1|>|Ea2|。本发明的金属氧化物薄膜晶体管同时具有高迁移率和高稳定性。
Description
技术领域
本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种高迁移率、高稳定性金属氧化物薄膜晶体管及其制备工艺。
背景技术
新型平板显示（FPD）产业的核心技术是薄膜晶体管（TFT）背板技术。金属氧化物TFT（MOTFT）不仅具有较高的迁移率（在5~50左右），而且制作工艺简单，制造成本较低，还具有优异的大面积均匀性。因此MOTFT技术自诞生以来便备受业界瞩目。
虽然金属氧化物薄膜晶体管相对于别的材料的薄膜晶体管具有较高的迁移率，但是随着新型平板显示的不断发展，金属氧化物薄膜晶体管的迁移率已经无法满足需要，此外还需要金属氧化物薄膜晶体管不仅具有较高的迁移率而且需要具有良好的稳定性。
作为本领域常识，如果薄膜晶体管具有较高的迁移率，则稳定性会降低，不能同时具备高迁移率和高稳定性特性。
中国专利CN200980125524.0公开了一种使用多有源沟道层的薄膜晶体管，以实现高迁移率，但是该技术不可避免地会导致稳定性降低的缺陷，无法同时实现高迁移率和高稳定性。
中国专利申请号201310751059.X、名称为薄膜晶体管、阵列基板及显示装置公开了一种薄膜晶体管，该技术一定程度上可以提高迁移率，但是依然无法克服同时存在的稳定性降低的缺陷，无法同时兼顾高迁移率和高稳定性。
因此,针对现有技术不足,提供一种高迁移率、高稳定性金属氧化物薄膜晶体管及其制备工艺以克服现有技术不足甚为必要。
发明内容
本发明的目的在于避免现有技术的不足之处而提供高迁移率、高稳定性金属氧化物薄膜晶体管及其制备工艺，所制备的金属氧化物薄膜晶体管具有高迁移率、高稳定性的特点。
本发明的目的通过以下技术措施实现。
一种高迁移率、高稳定性金属氧化物薄膜晶体管，有源层由一个或多个子有源层叠置而成，每个子有源层由载流子隔离层和载流子传输层构成；
最底层的载流子隔离层与栅极绝缘层接触，最底层的载流子隔离层之上为最底层的载流子传输层，上一层的载流子隔离层、载流子传输层依次叠设于下一层的载流子传输层；
所述载流子隔离层和载流子传输层均为非晶金属氧化物薄膜；
所述载流子隔离层的载流子迁移率为a，载流子传输层的载流子迁移率为b，其满足：b>a；
所述每一个子有源层中，载流子隔离层的价带顶能级Ev1与其费米能级Ef1的能级差为Ea1，载流子传输层的价带顶能级Ev2与其费米能级Ef2的能级差为Ea2，且满足|Ea1|>|Ea2|。
上述的高迁移率、高稳定性金属氧化物薄膜晶体管，还设置有一个半导体保护层，所述半导体保护层叠设于最顶层的载流子传输层，所述半导体保护层为非晶金属氧化物薄膜，所述半导体保护层的载流子迁移率为c，其满足：b>c。
上述载流子隔离层的载流子浓度是1013~1018cm-3，厚度为2nm~10nm；所述载流子传输层的载流子浓度是1018~1021cm-3，厚度为5~30nm；半导体保护层的载流子浓度是1013~1018cm-3，厚度为不大于20nm。
上述载流子隔离层由含有铟、镓、铝、锌、锡、硅、镧、镨、钕、钐、铕、铪中的一种或多种元素的氧化物制备而成的非晶金属氧化物薄膜。
上述载流子传输层是由以铟或者锡元素中的至少一种元素的氧化物为主成分，掺杂镓、锌、铝、硅、镧、镨、钕、钐、铕、铪中的一种或多种元素的氧化物构成的非晶金属氧化物薄膜；其中主成分原子在构成载流子传输层的金属氧化物薄膜的所有金属原子中的比例不低于60%。
上述半导体保护层由含有铟、镓、铝、锌、锡、硅、镧、镨、钕、钐、铕、铪中的一种或多种元素的氧化物构成的非晶金属氧化物薄膜。
本发明的另一目的是提供上述高迁移率、高稳定性金属氧化物薄膜晶体管的制备工艺，包含如下工序：
所述有源层的制备工序为依次沉积包含载流子隔离层和载流子传输层的一个或多个子有源层，并对所沉积的子有源层进行刻蚀。
优选的，上述有源层的制备还包括在最顶层的子有源层上沉积半导体保护层，并对所沉积的半导体保护层进行刻蚀。
上述载流子隔离层由含有铟、镓、铝、锌、锡、硅、镧、镨、钕、钐、铕、铪中的一种或多种元素的氧化物构成的非晶金属氧化物薄膜，所述载流子隔离层的载流子浓度是1013~1018cm-3、厚度为2nm~10nm；
所述载流子传输层是由以铟或者锡元素中的至少一种元素的氧化物为主成分，掺杂镓、锌、铝、硅、镧、镨、钕、钐、铕、铪中的一种或多种元素构成的非晶金属氧化物薄膜，其中主成分原子在构成载流子传输层的金属氧化物薄膜的所有金属原子中的比例不低于60%；所述载流子传输层的载流子浓度是1018~1021cm-3，厚度为5~30nm；
所述半导体保护层由含有铟、镓、铝、锌、锡、硅、镧、镨、钕、钐、铕、铪中的一种或多种元素的氧化物构成的非晶金属氧化物薄膜，所述半导体保护层的载流子浓度是1013~1018cm-3，厚度为不大于20nm。
本发明提供的高迁移率、高稳定性金属氧化物薄膜晶体管，有源层由一个或多个子有源层叠置而成，每个子有源层由载流子隔离层和载流子传输层构成；最底层的载流子隔离层与栅极绝缘层接触，最底层的载流子隔离层之上为最底层的载流子传输层，上一层的载流子隔离层、载流子传输层依次叠设于下一层的载流子传输层；所述载流子隔离层和载流子传输层均为非晶金属氧化物薄膜；所述载流子隔离层的载流子迁移率为a，载流子传输层的载流子迁移率为b，其满足：b>a；所述每一个子有源层中，载流子隔离层的价带顶能级Ev1与其费米能级Ef1的能级差为Ea1，载流子传输层的价带顶能级Ev2与其费米能级Ef2的能级差为Ea2，且满足|Ea1|>|Ea2|。
本发明通过载流子隔离层、载流子传输层和半导体保护层的载流子浓度控制及缺陷态的修饰，减少各个界面中的缺陷态数量，同时结合能带结构的调制机制，获得既具有高迁移率又具有高稳定性的金属氧化物薄膜晶体管。
附图说明
利用附图对本发明作进一步的说明，但附图中的内容不构成对本发明的任何限制。
图1是本发明一种高迁移率、高稳定性金属氧化物薄膜晶体管基于背沟道刻蚀的结构示意图。
图2是本发明一种高迁移率、高稳定性金属氧化物薄膜晶体管基于刻蚀阻挡型的结构示意图。
图3是本发明实施例5的靶材示意图。
图4是本发明实施例6的腔室、靶材示意图。
图5是本发明实施例6器件的能级结构。
图6是本发明实施例6器件的性能示意图。
图7是本发明实施例6器件的性能参数表。
在图1中，包括：
衬底01、栅极02、栅极绝缘层03、载流子隔离层041、载流子传输层042、半导体保护层043、源漏电极05、钝化层06。
在图2中，包括：
衬底01、栅极02、栅极绝缘层03、载流子隔离层041、载流子传输层042、半导体保护层043、刻蚀阻挡层05、源漏电极06、钝化层07。
具体实施方式
结合以下实施例对本发明作进一步说明。
实施例1
以背沟道刻蚀型金属氧化物薄膜晶体管为例进行说明，一种高迁移率、高稳定性金属氧化物薄膜晶体管，如图1所示，在衬底01上依次设置有栅极02、栅极绝缘层03、有源层、源漏电极05和钝化层06。
其中，有源层由一个子有源层和半导体保护层构成，该子有源层由载流子隔离层041、载流子传输层042和半导体保护层043构成，载流子隔离层041、载流子传输层042和半导体保护层043均为非晶金属氧化物薄膜，载流子隔离层041沉积于栅极绝缘层03之上，载流子传输层042沉积于载流子隔离层041之上，半导体保护层043沉积于载流子传输层042之上。
通过在垂直于导电沟道平面的方向上，对金属氧化物薄膜内部的载流子浓度分布以及缺陷态的分布控制，进而获得高性能的金属氧化物薄膜晶体管。具体的，载流子隔离层041具有相对较低的载流子浓度和较少的缺陷态，其载流子迁移率为a；载流子传输层042具有相对较高的载流子浓度，其载流子迁移率为b；半导体保护层043的载流子迁移率为c，其满足关系：b>a且b>c。载流子隔离层的价带能级（Ev）与费米能级（Ef）的能级差为Ea，载流子传输层价带能级（Ev）与费米能级（Ef）的能级差为Eb；载流子隔离层的能级差与载流子传输层的能级差满足|Ea|>|Eb|。
本发明将非晶金属氧化物半导体有源层内部分为三个不同功能的区域，载流子隔离层可由有效地避免具有高载流子浓度和高载流子迁移率的载流子传输层和栅极绝缘层接触而形成的界面态，从而降低界面态对载流子传输层的影响；同时，通过引入半导体保护层，其不仅能避免后续的制备工艺对载流子传输层的影响，而且，借助能带结构的调制作用，能有效地抑制光生载流子对器件造成的影响，提高器件的稳定性，进而获得高性能的金属氧化薄膜晶体管。
在非晶金属氧化物半导体有源层中，载流子隔离层041直接与栅极绝缘层03接触。由于载流子隔离层041中各元素原子的结合相对稳定，其深能级缺陷较少，因此可以大大降低栅极绝缘层03与有源层之间的界面态对器件性能的影响；同时，由于载流子传输层042具有较高的载流子浓度和较高的载流子迁移率，在栅极02的电场作用下，所产生的载流子快速注入并填充载流子隔离层041中的缺陷态，使器件表现出较低的亚阈值摆幅。另外，由于载流子隔离层和载流子传输层之间载流子浓度存在一定的梯度，也即二者的费米能级存在一定的差，当二者接触后在其界面处形成一定的能级差；由栅极电场的作用而产生的载流子被主要限制在载流子传输层中。因此，薄膜晶体管表现为较低的亚阈值摆幅和较高的迁移率。在稳定性方面，同时由于载流子隔离层与载流子传输层中价带与费米能级之间的能级差满足|Ea|>|Eb|的关系，这使得光生空穴无法向栅极绝缘层漂移，因此可以获得更优的光照稳定性。
具体的，载流子隔离层041由含有铟、镓、铝、锌、锡、硅、镧、镨、钕、钐、铕、铪中的一种或多种元素的氧化物制备而成的非晶金属氧化物薄膜。载流子隔离层041的载流子浓度是1013~1018cm-3、厚度为2nm~10nm。
载流子传输层042是由以铟或者锡元素中的至少一种元素的氧化物为主成分，掺杂镓、锌、铝、硅、镧、镨、钕、钐、铕、铪中的一种或多种元素的氧化物构成的非晶金属氧化物薄膜，其中主成分原子在构成载流子传输层042的金属氧化物薄膜的所有金属原子中的比例不低于60%。载流子传输层042的载流子浓度是1018~1021cm-3，厚度为5~30nm。
半导体保护层043由含有铟、镓、铝、锌、锡、硅、镧、镨、钕、钐、铕、铪中的一种或多种元素的氧化物构成的非晶金属氧化物薄膜。载流子隔离层043的载流子浓度是1013~1018cm-3，厚度为0nm~20nm。
综上所述，本发明的高迁移率、高稳定性金属氧化物薄膜晶体管，既可获得较高的迁移率，又具有较好的稳定性。
需要说明的是，本实施例的高迁移率、高稳定性金属氧化物薄膜晶体管只是本发明技术方案的一种结构，本发明的高迁移率、高稳定性金属氧化物薄膜晶体管还可以设置为有多个子有源层叠置依次叠层设置且于最顶层上方设置一层半导体保护层构成有源层，每个子有源层由载流子隔离层和载流子传输层构成。在每个子有源层内，载流子传输层沉积于载流子隔离层之上；最底层的载流子隔离层沉积于栅极绝缘层，最顶层为半导体保护层，形成多层叠置的有源层结构。子有源层的层数个根据实际情况灵活选择，通常以1-5层较佳。当子有源层为多层时，也可以不用设置顶层的半导体层。
需要说明的是，本实施例是以背沟道刻蚀型金属氧化物薄膜晶体管为例进行说明需要说明的，但是金属氧化物薄膜晶体管的结构有多种，不局限于本实施例的类型，本发明同时也适用于其它类型的结构，如刻蚀阻挡层结构和顶栅结构。图2为基于刻蚀阻挡型的高迁移率、高稳定性金属氧化物薄膜晶体管结构示意图，其由衬底01、栅极02、栅极绝缘层03、载流子隔离层041、载流子传输层042、半导体保护层043、刻蚀阻挡层05、源漏电极06和钝化层07构成。
实施例2
一种高迁移率、高稳定性金属氧化物薄膜晶体管，其它结构与实施例1相同，不同之处在于：构成载流子隔离层041、载流子传输层042和半导体保护层043的材料的元素相同。需要说明的是，本实施例中所指的载流子隔离层041、载流子传输层042和半导体保护层043的材料的元素相同，但是每种元素的含量不同。本领域人员可以根据载流子浓度要求设置符合要求的制备条件（如：溅射气氛、溅射功率和溅射时间等），在此不再赘述。
实施例3
如实施例1的高迁移率、高稳定性金属氧化物薄膜晶体管的制备工艺，包含如下工序：
有源层的制备工序为在栅极绝缘层03上依次沉积各个子层的载流子隔离层041、载流子传输层042，并对所沉积的子有源层进行刻蚀。
优选，有源层的制备还包括在最顶层的子有源层上沉积半导体保护层043，并对所沉积的半导体保护层进行刻蚀。
其中，载流子隔离层041、载流子传输层042和半导体保护层043分别为含有镧系或者IVB族元素中的至少一种元素掺杂的非晶金属氧化物薄膜。
具体的，载流子隔离层041由含有铟、镓、铝、锌、锡、硅、镧、镨、钕、钐、铕、铪中的一种或多种元素的氧化物构成的非晶金属氧化物薄膜。载流子隔离层041的载流子浓度是1013~1018cm-3、厚度为2nm~10nm。
载流子传输层042是由以铟或者锡元素中的至少一种元素的氧化物为主成分，掺杂镓、锌、铝、硅、镧、镨、钕、钐、铕、铪中的一种或多种元素构成的非晶金属氧化物薄膜，其中主成分原子在构成载流子传输层042的金属氧化物薄膜的所有金属原子中的比例不低于60%。载流子传输层042的载流子浓度是1018~1021cm-3，厚度为5~30nm。
半导体保护层043由含有铟、镓、铝、锌、锡、硅、镧、镨、钕、钐、铕、铪中的一种或多种元素的氧化物构成的非晶金属氧化物薄膜。载流子隔离层043的载流子浓度是1013~1018cm-3，厚度为0nm~20nm。
本发明将非晶金属氧化物半导体有源层内部分为三个不同功能的区域，载流子隔离层可由有效地避免具有高载流子浓度和高载流子迁移率的载流子传输层和栅极绝缘层接触而形成的界面态，从而降低界面态对载流子传输层的影响；同时，通过引入半导体保护层，其不仅能避免后续的制备工艺对载流子传输层的影响，而且，借助能带结构的调制作用，能有效地抑制光生载流子对器件造成的影响，提高器件的稳定性，进而获得高性能的金属氧化薄膜晶体管。
在非晶金属氧化物半导体有源层中，载流子隔离层041直接与栅极绝缘层03接触。由于载流子隔离层041中各元素原子的结合相对稳定，其深能级缺陷较少，因此可以大大降低栅极绝缘层03与有源层之间的界面态对器件性能的影响；同时，由于载流子传输层042具有较高的载流子浓度和较高的载流子迁移率，在栅极02的电场作用下，所产生的载流子快速注入并填充载流子隔离层041中的缺陷态，使器件表现出较低的亚阈值摆幅。另外，由于载流子隔离层和载流子传输层之间载流子浓度存在一定的梯度，也即二者的费米能级存在一定的差，当二者接触后在其界面处形成一定的能级差；由栅极电场的作用而产生的载流子被主要限制在载流子传输层中。因此，薄膜晶体管表现为较低的亚阈值摆幅和较高的迁移率。在稳定性方面，同时由于载流子隔离层与载流子传输层中价带与费米能级之间的能级差满足|Ea|>|Eb|的关系，这使得光生空穴无法向栅极绝缘层漂移，因此可以获得更优的光照稳定性。
因此，本发明所制备的高迁移率、高稳定性金属氧化物薄膜晶体管，既可获得较高的迁移率，又具有较高的稳定性。
当高迁移率、高稳定性金属氧化物薄膜晶体管设置有多个子有源层时，相应的制备方法是先制备第一层子有源层，然后再在第一层子有源层上依次沉积第二层子有源层，……，依次制备其它子有源层和半导体保护层然后进行刻蚀获得整体结构的有源层。
实施例4
一种高迁移率、高稳定性金属氧化物薄膜晶体管，如图2所示，通过如下工艺制备：
1）在衬底01上制备并图形化金属导电层作为栅极02；
2）在所述金属导电层上沉积绝缘薄膜作为栅极绝缘层03；
3）在所述栅极绝缘层03上，使用In2O3和ZnO两个独立靶材，采用共溅射的方法沉积金属氧化物半导体薄膜。在溅射过程中通过逐渐调整两个靶材所用的溅射功率，实现调整金属氧化物薄膜中的In、Zn比例。
具体的，设置In2O3靶材溅射功率100W，ZnO靶材溅射功率50W，设置溅射时间为15min，获得10nm厚、In:Zn比为1：2的IZO共溅射薄膜，作为载流子隔离层041。
然后将In2O3靶材溅射功率提高到300W，ZnO靶材溅射功率50W，溅射10min，获得10nm厚、In:Zn比为5：1的高迁移率IZO薄膜，作为载流子传输层042。
最后，将In2O3靶材溅射功率调整为100W，ZnO靶材溅射功率提高到300W，溅射10分钟，获得厚度为10nm、In：Zn比为1：5的IZO共溅射薄膜作为半导体保护层043。
再图形化所述金属氧化物半导体薄膜，作为整体有源层；
4）利用等离子增强化学气相沉积(PECVD)设备，以SiH4、O2、N2作为反应气体，在200W、100Pa的条件下沉积200nm厚的SiO2薄膜作为背沟道刻蚀阻挡层05。
5）在所述背沟道刻蚀阻挡层上沉积导电薄膜层，然后图形化成为源、漏电极06图形。
6）在所述源、漏电极06上沉积绝缘薄膜作为钝化层07。
至此，高迁移率、高稳定性金属氧化物薄膜晶体管就制备完毕。
优选的，所述制备并图形化金属导电层之前，还可包括：在透明衬底01上沉积二氧化硅（SiO2）或氮化硅（Si3N4）作为缓冲层。对应的，制备并图形化金属导电层，包括：在所述缓冲层上沉积并图形化金属导电层。
具体的，制备所述金属导电层所使用的金属包括：铝（Al），铜（Cu），钼（Mo），钛（Ti），银（Ag），金（Au），钽（Ta），钨（W），铬（Cr）单质或铝合金。金属导电层为单层金属薄膜，或由单层Al，Cu，Mo，Ti，Ag，Au，Ta，Cr或铝合金中任意两层以上组成的多层薄膜，金属导电层的厚度为100nm至2000nm。
栅极绝缘层03为基于SiO2，Si3N4，Al2O3，五氧化二钽（Ta2O5）或氧化镱（Y2O3）绝缘薄膜的单层薄膜，或是以上绝缘材料组成的多层薄膜，厚度为50nm~500nm。
沉积所述导电薄膜层所使用的材料包括：Al，Cu，Mo，Ti，Ag，Au，Ta，W，Cr金属单质或其合金，以及氧化铟锡透明导电薄膜ITO；导电薄膜层也可采用上述两种或以上材料的叠层结构，导电薄膜层的厚度为100nm~2000nm。
钝化层07的材料为SiO2，Si3N4，Al2O3，Y2O3，聚酰亚胺，光刻胶，苯丙环丁烯或聚甲基丙烯酸甲酯，或是以上绝缘材料组成的多层薄膜，厚度为50nm~2000nm。
本实施例采用相同的靶材、在同一腔室内通过不同的功率设定和溅射时间调整分别溅射制备出载流子隔离层041、载流子传输层042和半导体保护层043，制备方式简单。由于载流子隔离层041中各元素原子的结合相对稳定，其深能级缺陷较少，因此可以大大降低栅极绝缘层03与有源层之间的界面态对器件性能的影响；同时，由于载流子传输层042具有较高的载流子浓度和较高的载流子迁移率，在栅极02的电场作用下，所产生的载流子快速注入并填充载流子隔离层041中的缺陷态，使器件表现出较低的亚阈值摆幅。另外，由于载流子隔离层和载流子传输层之间载流子浓度存在一定的梯度，也即二者的费米能级存在一定的差，当二者接触后在其界面处形成一定的能级差；由栅极电场的作用而产生的载流子被主要限制在载流子传输层中。因此，薄膜晶体管表现为较低的亚阈值摆幅和较高的迁移率。在稳定性方面，同时由于载流子隔离层与载流子传输层中价带与费米能级之间的能级差满足|Ea|>|Eb|的关系，这使得光生空穴无法向栅极绝缘层漂移，因此可以获得更优的光照稳定性。另外，本实施例中半导体保护层的价带顶能级和其费米能级的差Ec满足|Eb|>|Ec|的关系，因而光生载流子可以被迅速“湮灭”，也即大大提高了器件的光稳定性。再者，半导体保护层可以对载流子传输区起到钝化和保护的作用，减少后续成膜工艺对传输区所造成的影响，进一步保证了器件的稳定性。故，本发明的金属氧化物薄膜晶体管既具有高的迁移率，又具有高的稳定性。
实施例5
一种高迁移率、高稳定性金属氧化物薄膜晶体管，如图2所示，通过如下工艺制备：
1）在衬底01上制备并图形化金属导电层作为栅极02。
2）在所述金属导电层上沉积绝缘薄膜作为栅极绝缘层03。
3）在所述栅极绝缘层03上，使用in-line式多靶材溅射设备制备沉积金属氧化物半导体薄膜。
具体的，在in-line式多靶材溅射设备中，按需求排布不同成分的溅射靶材，如图3所示。比如在10位置放置IGZO靶材（In:Ga:Zn=1:1:2），11位置放置ITO靶材（In:Sn=5:1）。当玻璃衬底01上以0.5m/min的速度水平运动时，先沉积5nm的IGZO，然后沉积10nm的ITO，最后再沉积10nm的IGZO一次形成复合金属氧化物半导体有缘层。可以通过控制衬底01移动速度，以及靶材所占的面积比例，实现控制载流子隔离层041、载流子传输层042以及半导体保护层043的厚度及具体组成，获得具有不同成分的薄膜。
再图形化所述金属氧化物半导体薄膜，作为有源层；
4）利用等离子增强化学气相沉积(PECVD)设备，以SiH4、O2、N2作为反应气体，在200W、100Pa的条件下沉积100nm厚的SiO2薄膜作为背沟道刻蚀阻挡层05。
5）在所述背沟道刻蚀阻挡层上沉积金属层，然后图形化成为源、漏电极06图形。
6）在所述源、漏电极06上沉积绝缘薄膜作为钝化层07。
至此，高迁移率、高稳定性金属氧化物薄膜晶体管就制备完毕。
本实施例采用两种不同的靶材，在同一腔室内通过调整制备条件，以连续沉积方式分别溅射制备出载流子隔离层041、载流子传输层042和半导体保护层043，制备方式简单。所制备的金属氧化物薄膜晶体管既具有高的迁移率，又具有高的稳定性。
实施例6
一种高迁移率、高稳定性金属氧化物薄膜晶体管，如图2所示，通过如下工艺制备：
1）在衬底01上制备并图形化金属导电层作为栅极02。
2）在所述金属导电层上沉积绝缘薄膜作为栅极绝缘层03。
3）在所述栅极绝缘层03上，使用in-line式多靶材溅射设备制备沉积金属氧化物半导体薄膜。
具体的，在in-line式多腔室溅射设备中，按需求排布不同成分的溅射靶材，如图4所示。比如在a1腔室内的10靶位放置INO靶材（In:Nd=1:0.1），在a2腔室内的11位置放置IZO靶材（In:Zn=5:1），在a3腔室内的12位置放置ISO靶材（In:Si=1:0.05）。当玻璃衬底01在a1腔室中，先沉积7nm的INO，然后在a2腔室沉积10nm的IZO，最后在a3腔室沉积10nm的ISO形成复合金属氧化物半导体有缘层。再图形化所述金属氧化物半导体薄膜，作为有源层。
4）利用等离子增强化学气相沉积(PECVD)设备，以SiH4、O2、N2作为反应气体，在200W、100Pa的条件下沉积300nm厚的SiO2薄膜作为背沟道刻蚀阻挡层05。
5）在所述背沟道刻蚀保护层上沉积金属层，然后图形化成为源、漏电极06图形。
6）在所述源、漏电极06上沉积绝缘薄膜作为钝化层07。
至此，高迁移率、高稳定性金属氧化物薄膜晶体管就制备完毕。
本实施例采用三种不同的靶材、在不同腔室内分别溅射制备出载流子隔离层041、载流子传输层042和半导体保护层043。所得器件能级结构如图5所示，由于载流子隔离层041与载流子传输层042价带之间存在能级差，阻止了光生空穴向栅极绝缘层03漂移；另外，本实施例中半导体保护层的价带顶能级和其费米能级的差Ec满足|Eb|>|Ec|的关系，因而光生载流子可以被迅速“湮灭”，也即大大提高了器件的光稳定性。因此可以在保持高迁移率的同时，获得优异的稳定性。所制备的器件性能如图6和表1所示。
最后应当说明的是，以上实施例仅用以说明本发明的技术方案而非对本发明保护范围的限制，尽管参照较佳实施例对本发明作了详细说明，本领域的普通技术人员应当理解，可以对本发明的技术方案进行修改或者等同替换，而不脱离本发明技术方案的实质和范围。
Claims (9)
1.一种高迁移率、高稳定性金属氧化物薄膜晶体管，其特征在于：
有源层由一个或多个子有源层叠置而成，每个子有源层由载流子隔离层和载流子传输层构成；
最底层的载流子隔离层与栅极绝缘层接触，最底层的载流子隔离层之上为最底层的载流子传输层，上一层的载流子隔离层、载流子传输层依次叠设于下一层的载流子传输层；
所述载流子隔离层和载流子传输层均为非晶金属氧化物薄膜；
所述载流子隔离层的载流子迁移率为a，载流子传输层的载流子迁移率为b，其满足：b>a；
所述每一个子有源层中，载流子隔离层的价带顶能级Ev1与其费米能级Ef1的能级差为Ea1，载流子传输层的价带顶能级Ev2与其费米能级Ef2的能级差为Ea2，且满足|Ea1|>|Ea2|。
2.根据权利要求1所述的高迁移率、高稳定性金属氧化物薄膜晶体管，其特征在于：还设置有一个半导体保护层，所述半导体保护层叠设于最顶层的载流子传输层，所述半导体保护层为非晶金属氧化物薄膜，所述半导体保护层的载流子迁移率为c，其满足：b>c。
3.根据权利要求2所述的高迁移率、高稳定性金属氧化物薄膜晶体管，其特征在于：
所述载流子隔离层的载流子浓度是1013~1018cm-3，厚度为2nm~10nm；所述载流子传输层的载流子浓度是1018~1021cm-3，厚度为5~30nm；半导体保护层的载流子浓度是1013~1018cm-3，厚度为不大于20nm。
4.根据权利要求3所述的高迁移率、高稳定性金属氧化物薄膜晶体管，其特征在于：
所述载流子隔离层由含有铟、镓、铝、锌、锡、硅、镧、镨、钕、钐、铕、铪中的一种或多种元素的氧化物制备而成的非晶金属氧化物薄膜。
5.根据权利要求3所述的高迁移率、高稳定性金属氧化物薄膜晶体管，其特征在于：
所述载流子传输层是由以铟或者锡元素中的至少一种元素的氧化物为主成分，掺杂镓、锌、铝、硅、镧、镨、钕、钐、铕、铪中的一种或多种元素的氧化物构成的非晶金属氧化物薄膜；其中主成分原子在构成载流子传输层的金属氧化物薄膜的所有金属原子中的比例不低于60%。
6.根据权利要求3所述的高迁移率、高稳定性金属氧化物薄膜晶体管，其特征在于：
所述半导体保护层由含有铟、镓、铝、锌、锡、硅、镧、镨、钕、钐、铕、铪中的一种或多种元素的氧化物构成的非晶金属氧化物薄膜。
7.一种制备如权利要求1所述的高迁移率、高稳定性金属氧化物薄膜晶体管的制备工艺，其特征在于：
所述有源层的制备工序为依次沉积包含载流子隔离层和载流子传输层的一个或多个子有源层，并对所沉积的子有源层进行刻蚀。
8.如权利要求7所述的制备高迁移率、高稳定性金属氧化物薄膜晶体管的制备工艺，其特征在于：所述有源层的制备还包括在最顶层的子有源层上沉积半导体保护层，并对所沉积的半导体保护层进行刻蚀。
9.如权利要求8所述的制备高迁移率、高稳定性金属氧化物薄膜晶体管的制备工艺，其特征在于：
所述载流子隔离层由含有铟、镓、铝、锌、锡、硅、镧、镨、钕、钐、铕、铪中的一种或多种元素的氧化物构成的非晶金属氧化物薄膜，所述载流子隔离层的载流子浓度是1013~1018cm-3、厚度为2nm~10nm；
所述载流子传输层是由以铟或者锡元素中的至少一种元素的氧化物为主成分，掺杂镓、锌、铝、硅、镧、镨、钕、钐、铕、铪中的一种或多种元素构成的非晶金属氧化物薄膜，其中主成分原子在构成载流子传输层的金属氧化物薄膜的所有金属原子中的比例不低于60%；所述载流子传输层的载流子浓度是1018~1021cm-3，厚度为5~30nm；
所述半导体保护层由含有铟、镓、铝、锌、锡、硅、镧、镨、钕、钐、铕、铪中的一种或多种元素的氧化物构成的非晶金属氧化物薄膜，所述半导体保护层的载流子浓度是1013~1018cm-3，厚度为不大于20nm。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510207632.XA CN104882486B (zh) | 2015-04-29 | 2015-04-29 | 高迁移率、高稳定性金属氧化物薄膜晶体管及其制备工艺 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201510207632.XA CN104882486B (zh) | 2015-04-29 | 2015-04-29 | 高迁移率、高稳定性金属氧化物薄膜晶体管及其制备工艺 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN104882486A CN104882486A (zh) | 2015-09-02 |
| CN104882486B true CN104882486B (zh) | 2016-03-09 |
Family
ID=53949900
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201510207632.XA Active CN104882486B (zh) | 2015-04-29 | 2015-04-29 | 高迁移率、高稳定性金属氧化物薄膜晶体管及其制备工艺 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN104882486B (zh) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105304723A (zh) * | 2015-09-30 | 2016-02-03 | 京东方科技集团股份有限公司 | 薄膜晶体管、阵列基板、制造方法和显示装置 |
| CN107293511B (zh) * | 2017-07-05 | 2019-11-12 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种膜层退火设备及退火方法 |
| CN108346702A (zh) * | 2017-09-30 | 2018-07-31 | 广东聚华印刷显示技术有限公司 | 薄膜晶体管及其有源层和应用 |
| CN110034178B (zh) * | 2019-04-19 | 2022-12-06 | 京东方科技集团股份有限公司 | 薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板和显示装置 |
| CN113809182B (zh) * | 2020-06-16 | 2023-09-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板 |
| CN113838938A (zh) * | 2020-06-24 | 2021-12-24 | 京东方科技集团股份有限公司 | 薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板以及电子装置 |
| CN115548127A (zh) * | 2022-09-30 | 2022-12-30 | 惠科股份有限公司 | 晶体管、阵列基板以及显示面板 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1472778A (zh) * | 2002-07-19 | 2004-02-04 | Necһ��������ʽ���� | 制造薄膜晶体管的方法 |
| US8530246B2 (en) * | 2008-05-12 | 2013-09-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for controlling threshold voltage of semiconductor element |
| CN103872139A (zh) * | 2014-02-24 | 2014-06-18 | 北京京东方光电科技有限公司 | 薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置 |
-
2015
- 2015-04-29 CN CN201510207632.XA patent/CN104882486B/zh active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1472778A (zh) * | 2002-07-19 | 2004-02-04 | Necһ��������ʽ���� | 制造薄膜晶体管的方法 |
| US8530246B2 (en) * | 2008-05-12 | 2013-09-10 | Canon Kabushiki Kaisha | Method for controlling threshold voltage of semiconductor element |
| CN103872139A (zh) * | 2014-02-24 | 2014-06-18 | 北京京东方光电科技有限公司 | 薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN104882486A (zh) | 2015-09-02 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN104882486B (zh) | 高迁移率、高稳定性金属氧化物薄膜晶体管及其制备工艺 | |
| TWI422034B (zh) | 包含絕緣層之氧化物半導體裝置及使用氧化物半導體裝置之顯示設備 | |
| TWI514588B (zh) | Thin film transistor | |
| JP6338361B2 (ja) | 半導体物質とそれを含む薄膜トランジスタ及び該薄膜トランジスタを含む電子素子 | |
| KR102518392B1 (ko) | 박막트랜지스터 어레이 기판 | |
| KR20220057511A (ko) | 이차원 반도체를 포함하는 박막 트랜지스터 및 이를 포함하는 표시장치 | |
| US9806097B2 (en) | Metal oxide semiconductor thin film, thin film transistor, and their fabricating methods, and display apparatus | |
| CN102522429A (zh) | 一种基于金属氧化物的薄膜晶体管及其制备方法和应用 | |
| CN105633170A (zh) | 金属氧化物薄膜晶体管及其制备方法以及阵列基板和显示装置 | |
| CN103715264A (zh) | 氧化物薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板及显示装置 | |
| CN102683423A (zh) | 一种顶栅结构金属氧化物薄膜晶体管及其制作方法 | |
| CN103972110A (zh) | 薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板、显示装置 | |
| CN112289863A (zh) | 一种金属氧化物半导体及薄膜晶体管与应用 | |
| US8361897B2 (en) | Method for depositing a thin film electrode and thin film stack | |
| KR101942980B1 (ko) | 반도체 디바이스 및 그 형성 방법 | |
| CN103545377B (zh) | 一种氧化物薄膜晶体管及其制造方法 | |
| KR20160109647A (ko) | 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조방법 | |
| JP6550514B2 (ja) | ディスプレイ用酸化物半導体薄膜、ディスプレイ用薄膜トランジスタ及びディスプレイ用スパッタリングターゲット | |
| WO2020228180A1 (zh) | 阵列基板和阵列基板的制备方法 | |
| KR101231724B1 (ko) | 박막 트랜지스터 및 그의 제조 방법 | |
| JP2015144176A (ja) | 薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタの製造方法および半導体装置 | |
| CN106783979A (zh) | 基于Ga2O3材料的帽层复合双栅PMOSFET及其制备方法 | |
| CN203134811U (zh) | 薄膜晶体管、阵列基板和显示装置 | |
| CN103199114A (zh) | 薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置 | |
| CN110660865A (zh) | 一种可靠的双极性SnO薄膜晶体管及其制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| EXSB | Decision made by sipo to initiate substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant |