CN104870984A - 用于混合模式的晶片检验的方法及系统 - Google Patents

用于混合模式的晶片检验的方法及系统 Download PDF

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CN104870984A CN201380067473.7A CN201380067473A CN104870984A CN 104870984 A CN104870984 A CN 104870984A CN 201380067473 A CN201380067473 A CN 201380067473A CN 104870984 A CN104870984 A CN 104870984A
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E·张
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Abstract

混合模式包含接收检验结果，所述检验结果包含晶片的选定区域的一或多个图像，所述一或多个图像包含一或多个晶片裸片，所述一或多个晶片裸片包含一组重复块，所述组重复块包含一组重复单元。另外，混合模式检验包含调整所述一或多个图像的像素大小，以将每一单元、块及裸片映射到整数数目个像素。此外，混合模式检验包含：比较第一晶片裸片与第二晶片裸片，以识别所述第一晶片裸片或所述第二晶片裸片中的一或多个缺陷的发生；比较第一块与第二块，以识别所述第一块或所述第二块中的一或多个缺陷的发生；及比较第一单元与第二单元，以识别所述第一单元或所述第二单元中的一或多个缺陷的发生。

Description

用于混合模式的晶片检验的方法及系统
相关申请案的交叉参考
本申请案涉及下文所列的申请案(“相关申请案”)且主张其最早可用有效申请日期的权益(例如，对于相关申请案的任何及所有母案、前母案、前前母案等申请案，主张除了临时专利申请案之外的申请案的最早可用优先日期或主张临时专利申请案的根据35USC§119(e)规定的权益)。
相关申请案：
出于USPTO额外法定要求的目的，本申请案构成在2012年11月12日申请的以杰森·林(Jason Lin)、阿伦·帕克(Allen Park)、埃利斯·昌(Ellis Chang)、迪克·瓦林福德(DickWallingford)、宋濂·荣(Songnian Rong)及凯坦·巴哈卡(Chetan Bhaska)为发明人的标题为“用于晶片检验的与单元间及裸片间比较混合的感知块间比较(AWARE BLOCK-BLOCKCOMPARISON MIXED WITH CELL-TO-CELL AND DIE-TO-DIE COMPARISONS FORWAFER INSPECTION)”的申请案号为61/725,265的美国临时专利申请案的正规(非临时)专利申请案。
技术领域
本发明大体上涉及用于半导体晶片检验的方法及系统。
背景技术
制造半导体装置(例如，逻辑及存储器装置)通常包含使用大量半导体制造工艺处理衬底(例如，半导体晶片)以形成半导体装置的各种特征及多个层级。例如，光刻为涉及将图案从光罩转印到布置于半导体晶片上的抗蚀剂的半导体制造工艺。半导体制造工艺的额外实例包含(但不限于)化学机械抛光(CMP)、蚀刻、沉积及离子植入。多个半导体装置可在单个半导体晶片上的布置中制造且接着被分成个别半导体装置。
如贯穿本发明所使用，术语“晶片”一般是指由半导体材料或非半导体材料形成的衬底。例如，半导体材料或非半导体材料可包含(但不限于)单晶硅、砷化镓及磷化铟。晶片可包含一或多个层。例如，此类层可包含(但不限于)抗蚀剂、电介质材料、导电材料及半导体材料。许多不同类型的此类层在此技术领域中是已知的，且如本文所使用的术语“晶片”希望包含其上可形成各种类型的此类层的晶片。形成于晶片上的一或多个层可经图案化或未经图案化。例如，晶片可包含多个裸片，每一裸片具有可重复的经图案化特征。此类材料层的形成及处理最终可导致完成的装置。许多不同类型的装置可形成于晶片上，及如本文所使用的术语“晶片”希望包含于其上制造此技术领域中已知的任何类型的装置的晶片。
在半导体制造工艺期间的各种步骤处使用检验过程以检测样本(例如光罩及晶片)上的缺陷。检验过程始终为制造半导体装置(例如集成电路)的重要部分。然而，随着半导体装置的尺寸的减小，检验过程对成功制造可接受的半导体装置变得更为重要。例如，随着半导体装置的尺寸的减小，检测大小减小的缺陷已变成必要，这是因为即使相对较小的缺陷也可在半导体装置中引起非所要像差。因而，提供具有改善的晶片检验能力的系统及方法是有利的。
发明内容
本发明揭示一种用于提供混合模式晶片检验的方法。在一个方面中，所述方法可包含(但不限于)：接收晶片的一或多个检验结果，其中所述一或多个检验结果包含所述晶片的选定区域的一或多个图像，所述一或多个图像包含一或多个晶片裸片，所述一或多个晶片裸片包含一组重复块，所述组重复块中的一或多者，其中每一块的单元为非周期性或不可分辨的；调整所述一或多个图像的像素大小以将每一块映射到整数数目个像素；调整所述一或多个图像的像素大小以将每一裸片映射到整数数目个像素；比较第一晶片裸片与至少第二晶片裸片，以识别所述第一晶片裸片及所述至少第二晶片裸片中的至少一者中的一或多个缺陷的发生；及比较第一块与至少第二块，以识别所述第一块及所述至少第二块中的至少一者中的一或多个缺陷的发生。
在另一方面中，所述方法可包含(但不限于)：接收晶片的一或多个检验结果，其中所述一或多个检验结果包含所述晶片的选定区域的一或多个图像，所述一或多个图像包含一或多个晶片裸片，所述一或多个晶片裸片包含一组重复块，所述组重复块中的一或多者包含一组重复单元；调整所述一或多个图像的像素大小以将每一单元映射到实质上整数数目个像素；调整所述一或多个图像的像素大小以将每一块映射到实质上整数数目个像素；调整所述一或多个图像的像素大小以将每一裸片映射到整数数目个像素；比较第一晶片裸片与至少第二晶片裸片，以识别所述第一晶片裸片及所述至少第二晶片裸片中的至少一者中的一或多个缺陷的发生；比较第一块与至少第二块，以识别所述第一块及所述至少第二块中的至少一者中的一或多个缺陷的发生；及比较第一单元与至少第二单元，以识别所述第一单元及所述至少第二单元中的至少一者中的一或多个缺陷的发生。
在另一方面中，所述方法可包含(但不限于)：接收晶片的一或多个检验结果，其中所述一或多个检验结果包含所述晶片的选定区域的一或多个图像，所述一或多个图像包含一或多个晶片裸片，所述一或多个晶片裸片包含一组块，其中所述块中的至少一些是不规则的，所述组块中的一或多者包含一组重复单元；调整所述一或多个图像的像素大小以将每一单元映射到实质上整数数目个像素；调整所述一或多个图像的像素大小以将每一裸片映射到整数数目个像素；对准第一块与至少第二块；比较第一晶片裸片与至少第二晶片裸片，以识别所述第一晶片裸片及所述至少第二晶片裸片中的至少一者中的一或多个缺陷的发生；比较第一块与至少第二块，以识别所述第一块及所述至少第二块中的至少一者中的一或多个缺陷的发生；及比较第一单元与至少第二单元，以识别所述第一单元及所述至少第二单元中的至少一者中的一或多个缺陷的发生。
在另一方面中，所述方法可包含(但不限于)：接收晶片的一或多个检验结果，其中所述一或多个检验结果包含所述晶片的选定区域的一或多个图像，所述一或多个图像包含一或多个晶片裸片，所述一或多个晶片裸片包含一组块，所述组块中的一或多者包含一组重复单元；调整所述一或多个图像的像素大小以将每一单元映射到实质上整数数目个像素；调整所述一或多个图像的像素大小以将每一块映射到实质上整数数目个像素；比较第一块与至少第二块，以识别所述第一块及所述至少第二块中的至少一者中的一或多个缺陷的发生；及比较第一单元与至少第二单元，以识别所述第一单元及所述至少第二单元中的至少一者中的一或多个缺陷的发生。
揭示一种用于提供基于图场间(field-to-field)的晶片检验的方法。在一方面中，所述方法可包含(但不限于)：接收晶片的一或多个检验结果，其中所述一或多个检验结果包含所述晶片的选定区域的一或多个图像，所述一或多个图像包含三个或三个以上图场，所述三个或三个以上图场中的每一者包含于共用裸片中；通过组合所述检验结果的所述三个或三个以上图场而产生参考图场图像；及比较一或多个图场与所述所产生的参考图场图像，以识别所述一或多个图场中的一或多个缺陷的发生。
揭示一种用于提供基于图场间的晶片检验的方法。在一个方面中，所述方法可包含(但不限于)：接收至少与晶片的所关注区域相关联的一或多组设计数据；识别所述所接收的设计数据中的一或多个重复块；基于所述一或多个重复块的一或多个选定属性而选择所述经识别的一或多个重复块的一部分供检验；及用检验工具对所述经识别的一或多个重复块的选定部分执行一或多个检验过程。
揭示一种用于重复图案结构的图场的晶片检验的方法。在一个方面中，所述方法可包含(但不限于)：接收包含晶片的裸片的一部分的一或多个图像的晶片的一或多个检验结果；在显示器上呈现所述所接收的检验结果的一或多个部分；接收指示用户对所述所接收的检验结果的所述所呈现的一或多个部分的所述裸片内的第一图场的重复图案结构的识别的第一信号；接收指示用户对所述所接收的检验结果的所述所呈现的一或多个部分的所述裸片内的第二图场的重复图案结构的识别的至少第二信号，所述至少第二图场的重复图案结构与所述第一图场的重复图案结构相差一或多个对称操作；及比较所述第一重复图案结构与所述至少第二重复图案结构的对应部分，以识别所述第一图场的重复图案结构及所述至少第二重复图案结构中的至少一者中的一或多个缺陷的发生。
应理解，前述一般描述及下列详细描述两者仅为示范性及解释性而非对所主张的本发明有限制性。并入本说明书且构成本说明书的一部分的附图说明本发明的实施例，且与一般描述一起用来解释本发明的原理。
附图说明
所属领域的技术人员可参考附图而更好地了解本发明的许多优点，其中：
图1A为根据本发明的一个实施例的用于晶片检验的系统的框图。
图1B为根据本发明的一个实施例的包含多个晶片裸片的晶片的俯视图。
图1C为根据本发明的一个实施例的包含一组重复块(每一块包含一组重复单元)的晶片的裸片的俯视图。
图2为说明在根据本发明的一个实施例的用于混合模式晶片检验的方法中执行的步骤的流程图。
图3为说明在根据本发明的一个实施例的用于混合模式晶片检验的方法中执行的步骤的流程图。
图4A为说明在根据本发明的替代实施例的用于混合模式晶片检验的方法中执行的步骤的流程图。
图4B为根据本发明的一个实施例的包含一组不规则块(每一块包含一组重复单元)的晶片的裸片的俯视图。
图5为说明在根据本发明的替代实施例的用于混合模式晶片检验的方法中执行的步骤的流程图。
图6A为说明在根据本发明的一个实施例的用于晶片的基于图场间检验的方法中执行的步骤的流程图。
图6B为说明在根据本发明的一个实施例的用于晶片检验的方法中执行的步骤的流程图。
图7A为说明在根据本发明的一个实施例的用于重复块的基于设计数据的检验的方法中执行的步骤的流程图。
图7B到7C为根据本发明的一个实施例的包含未对准于水平轴的重复单元的经检验晶片区域的俯视图。
图7D说明根据本发明的一个实施例的具有经识别的不理会区域(DCA)的多个经检验晶片区域的一系列俯视图。
图7E及7F说明根据本发明的一个实施例的包含相同较低层级单元的一对父代单元。
具体实施方式
现将详细参考所揭示的标的物，其说明于附图中。
一般参考图1A到7F，描述根据本发明的用于晶片检验的方法及系统。
本发明大体上涉及块间或图场间比较，以识别经检验晶片中的缺陷的存在。本发明进一步关于允许同时基于比较的检验单元、块及裸片的混合模式晶片检验。另外，本发明进一步关于基于参考的图场间检验。此外，本发明关于对具有重复单元结构的块或图场的以设计数据为导向的晶片检验。
在存储器晶片的情况中，单元间比较可用于检验存储器单元区域。应进一步注意，分页处或其它外围区域可能需要裸片间比较来检验缺陷。因而，已采用包含同时单元间比较(在存储器单元区域中)及裸片间比较(在分页处及其它外围区域中)的混合模式检验协议以改善存储器晶片检验的总处理能力。由于裸片间工艺变动及其它系统相关噪声，通过裸片间比较所检验的区域的灵敏度与单元区域相比通常是不充分的。
当越来越多的DRAM或SRAM存储器及高级电路模块被集成到晶片上的裸片中时，每一裸片或光罩通常包含许多重复块。因而，块间比较可允许减少工艺变动噪扰且增加缺陷检验灵敏度。类似地，在存储器晶片中，存储器页、块及/或区段形成重复块。此外，也可经由块间比较检验分页处及其它外围区域，从而引起较高灵敏度。
图1A说明适于执行本文进一步描述的各种过程的用于晶片检验的系统100。在一个方面中，系统100可包含检验工具102，其经配置以检测安置于样品台110上的半导体晶片108上的缺陷。检验工具102可包含此技术领域中已知的任何适当检验工具或系统，例如(但不限于)光学检验工具或电子束检验工具。例如，在光学检验的情况中，检验工具102可包含(但不限于)明场检验工具或暗场检验工具。在进一步方面中，尽管未展示，然而检验工具100可包含照明源、检测器及用于执行检验的各种光学组件(例如，透镜、分束器及类似物)。
所述照明源可包含此技术领域中已知的任何照明源。例如，所述照明源可包含窄带光源(例如激光源)。在进一步实施例中，所述照明源可经配置以将光(经由各种光学组件)引导到安置于样品台110上的晶片108的表面。此外，检验工具102的各种光学组件经配置以将从晶片108的检验区域的表面反射及/或散射的光引导到所述检验工具102的检测器。
所述检测器可包含此技术领域中已知的任何适当检测器。在一个实施例中，所述检测器可包含电荷耦合装置(CCD)相机。所述检测器可用于检测晶片108上的实际缺陷(例如缺陷)。在进一步实施例中，所述检测器的输出可通信耦合到控制器101。就此来说，控制器101可经配置以使用由所述检测器收集及传输的检测数据而检测晶片108上的实际缺陷。控制器108可利用此技术领域中已知的任何方法及/或算法以检测晶片上的缺陷。所属领域的技术人员应认识到，检验工具102可用于检测横跨半导体晶片而分布的缺陷。
此外，控制器101可以任何合适方式(例如，通过由图1A中所展示的虚线所指示的一或多个传输媒体)耦合到检测器，使得控制器101可接收由所述检测器产生的输出。此外，如果检验工具102包含一个以上检测器(未展示)，那么控制器101可耦合到如上文所描述的每一检测器。在进一步实施例中，晶片108可安置于样品台110上。样品台110可包含此技术领域中已知的任何适当机械及/或机器人总成。当前可用的晶片检验工具的实例详细描述于第7,092,082号美国专利、第6,702,302号美国专利、第6,621,570号美国专利及第5,805,278号美国专利中，所述专利的全文各自以引用方式并入本文中。
在进一步实施例中，检验工具102可经配置以接受来自系统100的另一子系统的指令。例如，检验工具102可接受来自系统100的控制器101(或分析器)的指令。在接收来自控制器101的指令之后，检验工具102可在在所述所提供的指令(即，检验方案)中识别的半导体晶片108的位置处执行检验过程。控制器101可经进一步配置以执行本文所描述的方法实施例的任何者的任何其它步骤。
在另一实施例中，系统100的控制器101可经配置以通过可包含有线及/或无线部分的传输媒体从其它系统接收及/或获取数据或信息(例如，来自检验系统的检验结果或来自度量衡系统的度量衡结果)。以此方式，所述传输媒体可充当系统100的一或多个控制器101及其它子系统之间的数据链路。此外，所述一或多个控制器101可经由传输媒体(例如网络连接)将数据发送到外部系统。
一或多个控制器101可包含(但不限于)一或多个处理器104。在另一实施例中，系统100的控制器101可包含与一或多个处理器104通信的非暂时性媒体106(即，存储器媒体)。在另一实施例中，存储器媒体106包含用于致使一或多个处理器104实施通过本发明所描述的各种步骤的程序指令。
控制器101的一或多个处理器104可包含此技术领域中已知的任一或多个处理元件。在此意义上，一或多个处理器104可包含经配置以执行软件算法及/或指令的任何微处理器型装置。在一个实施例中，一或多个处理器102可由桌面计算机、大型计算机系统、工作站、图像计算机、并行处理器或经配置以执行经配置以操作系统100的程序的其它计算机系统(例如联网计算机)，如贯穿本发明所描述。应认识到，可通过单个计算机系统或(替代地)多个计算机系统而实施贯穿本发明所描述的步骤。一般来说，术语“处理器”可经广义定义以涵盖具有一或多个处理元件的任何装置，其执行来自非暂时性存储器媒体106的程序指令。此外，系统100的不同子系统(例如，显示器105或用户接口107)可包含适于执行贯穿本发明所描述的步骤的至少一部分的处理器或逻辑元件。因此，上述描述不应被解释为对本发明有限制性，但仅具说明性。
存储器媒体106可包含此技术领域中已知的适于存储可由相关联的一或多个处理器104执行的程序指令的任何存储媒体。例如，存储器媒体106可包含(但不限于)只读存储器、随机存取存储器、磁性或光学存储器装置(例如磁盘)、磁带、固态驱动器及类似物。在另一实施例中，在本文中应注意，存储器106经配置以存储来自检验工具102的一或多个结果及/或本文所描述的各种步骤的输出。应进一步注意，存储器106可连同一或多个处理器104容纳于共用控制器外壳中。在替代实施例中，可相对于处理器及控制器101的物理位置而远程定位存储器106。例如，控制器101的一或多个处理器101可存取可通过网络(例如，因特网及内联网及类似者)存取的远程存储器(例如服务器)。
在另一实施例中，晶片检验系统100可包含显示器105。在另一实施例中，显示器105通信耦合到控制器101。例如，显示器105可通信耦合到控制器101的一或多个处理器104。就此来说，一或多个处理器104可在显示器105上显示本发明的各种结果中的一或多者。
显示装置105可包含此技术领域中已知的任何显示装置。在一个实施例中，显示装置105可包含(但不限于)液晶显示器(LCD)。在另一实施例中，显示装置105可包含(但不限于)基于有机发光二极管(OLED)的显示器。在另一实施例中，显示装置105可包含(但不限于)CRT显示器。所属领域的技术人员应认识到，多种显示装置可适于实施于本发明中，且显示装置的特定选择可取决于多种因素，其包含(但不限于)外观尺寸、成本等等。在一般意义上，能与用户接口装置(例如，触摸屏、通过边框安装的接口、键盘、鼠标、轨迹垫等等)集成的任何显示装置都适于实施于本发明中。
在另一实施例中，晶片检验系统100可包含用户接口装置107。在一个实施例中，用户接口装置107通信耦合到控制器101的一或多个处理器104。在另一实施例中，控制器101可利用用户接口装置107以接受来自用户的选择及/或指令。在一些实施例中，如本文所进一步描述，显示器105可用于显示数据给用户(未展示)。又，用户可响应于经由显示装置105显示给用户的检验数据而输入选择及/或指令(例如，用户对检验区域的选择)。
用户接口装置107可包含此技术领域中已知的任何用户接口。例如，用户接口107可包含(但不限于)键盘、小键盘、触摸屏、杠杆、旋钮、滚轮、轨迹球、开关、拨盘、滑动杆、滚动杆、滑件、把手、触摸垫、踏板、方向盘、操纵杆、边框输入装置或类似者。在触摸屏接口装置的情况中，所属领域的技术人员应认识到，大量触摸屏接口装置可适于实施于本发明中。例如，显示装置可与触摸屏接口(例如(但不限于)电容性触摸屏、电阻性触摸屏、基于表面声波的触摸屏、基于红外线的触摸屏或类似者)集成。在一般意义上，能与显示装置105的显示部分集成的任何触摸屏接口均适于实施于本发明中。在另一实施例中，用户接口107可包含(但不限于)通过边框安装的接口。
图1中所说明的系统100的实施例可如本文所描述而进一步配置。另外，系统100可经配置以执行本文所描述的方法实施例的任何者的任何其它步骤。
图1B及1C说明根据本发明的一个实施例的晶片108、形成于晶片108上的裸片114、每一裸片内的单元块116，及每一块内的单元118之间的关系。应注意，图1B描绘给定裸片包含一组各具有重复单元的重复块的情形。相比之下，图4B(本文中进一步更详细讨论)描绘给定裸片包含一组不规则块的情形，所述组不规则块可包含(尤其)不规则定位的块，其将在本文中进一步详细描述。
在一些实施例中，在包含同时单元间及裸片间比较的混合模式检验中，基于单元及裸片大小而调整用于获取晶片图像的像素大小，以最小化单元间对准及裸片间对准两者的对准误差。就此来说，首先选择及调整像素大小以形成检验单元，检验单元可由对应于整数数目个像素的一或多个物理单元组成。此配置提供改善的单元间比较。此外，所述像素大小接着可经进一步调整(例如，稍微调整)，使得所述裸片大小也对应于整数数目个像素。
像素大小的进一步调整对单元间比较造成的干扰很小，这是因为由于进一步调整量通常较小，故单元大小仅从整数数目个像素稍稍偏离。例如，在一个非限制性情况中，任何非整数裸片大小D可能需要被调整最多±0.5个像素，以使非整数裸片大小D具有整数数目个像素。在此情况中，用于使裸片具有整数数目个像素的像素大小的所需最大变化率仅为0.5/D。例如，典型裸片大小为约5mm，对应于各自低于0.1μm的50,000个像素。因而，与单元大小的偏差率仅为0.001％。因此，如果对于具有C个像素的单元大小，单元中的像素总数目的变动小于0.01个像素，那么对单元间比较的灵敏度的影响一般应可忽略。
下列方法实施例关于涉及用于各种单元、块及裸片设定的单元间比较、块间比较及裸片间比较的混合模式比较检验。普遍认识到，系统100适于实施下列实施例的检验层级及数据处理层级步骤。然而，应注意，下文所描述的方法不限于100的架构。
图2为说明根据本发明的一个实施例在用于混合模式晶片检验的计算机实施方法200中执行的步骤的流程图。在本文中应注意，包含裸片间及块间比较技术的混合模式检验过程可通过以每一块116及每一裸片都对应于整数数目个像素的方式调整系统100的检验像素而实现。在本文中应注意，过程200一般适用于每一检验块116的单元未经图案化的设定中。在此意义上，经检验块116的单元可为不可分辨及/或非周期性的。
在本文中应注意，关于贯穿本发明所描述的过程300、400、500、600、610及700的各种架构及方法所描述的实施例及实例应被解释成扩展到过程200，除非另外说明。
在第一步骤202中，接收晶片的检验结果。例如，可通过控制器101从检验工具102接收检验图像数据。借助另一实例，检验图像数据可存储于存储器108中。就此来说，系统100可存储及接着稍后存取一或多组检验图像数据以用于分析。由控制器101接收的检验结果可包含此技术领域中已知的任何类型的检验数据。例如，检验数据可包含(但不限于)明场(BF)检验数据或暗场(DF)检验数据。
在一个实施例中，一或多个检验结果包含晶片108的选定区域的一或多个图像。在另一实施例中，由控制器101接收的一或多个图像包含一或多个晶片裸片(例如，裸片114)。在进一步实施例中，所述所接收的图像数据的每一晶片裸片包含一组重复块(例如，块116)。在另一实施例中，与所述组块的每一块相关联的图像数据是非图案化的(例如，单元是非周期性及/或不可分辨的)。
在第二步骤204中，所述一或多个图像的像素大小经调整(或经建立及维持)以将每一块映射到整数数目个像素。在第三步骤206中，所述一或多个图像的像素大小经调整(或经建立及维持)以将每一裸片映射到整数数目个像素。在一个实施例中，可选择像素大小。接着，在选择像素大小之后，所述像素的大小可经调整使得每一块116包含(或对应于)整数数目个像素。继而，所述像素的大小可经进一步调整使得每一裸片114包含(或对应于)整数数目个像素。在本文中应注意，在一些情况中，像素大小的调整可能为不必要的。例如，基于试误法及对于晶片图案的经验，在至少一些情况下，实施者(或控制器101)可选择使给定特征(例如，裸片、块或单元)与整数数目个像素匹配的初始像素大小。
在第四步骤208中，比较第一晶片裸片与至少第二晶片裸片，以识别所述第一晶片裸片及所述至少第二晶片裸片中的至少一者中的一或多个缺陷的发生。在第五步骤210中，比较第一块与至少第二块，以识别所述第一块及至少第二块中的至少一者中的一或多个缺陷的发生。例如，在步骤204的像素大小调整之后，可比较块116的任何者的经像素调整图像数据与其它块的任何者的经像素调整图像数据。类似地，在步骤206的像素大小调整之后，可比较任何晶片裸片114的经像素调整图像数据与其它晶片裸片的任何者的经像素调整图像数据。
在本文中应注意，可利用此技术领域中已知的任何图像数据比较技术而实施步骤208及/或210的比较。在一个实施例中，比较步骤208可包含(但不限于)计算与第一晶片裸片相关联的图像的像素值和与至少第二晶片裸片相关联的图像数据的像素值之间的差异。例如，与第一晶片裸片相关联的图像的像素值可被从与至少第二晶片裸片相关联的图像数据的像素值逐像素减去(或反之亦然)。就此来说，所述减法过程可用以移除或至少有助于消除两组图像数据中所存在的周期性结构。在另一实施例中，比较步骤208可包含(但不限于)应用统计聚集(statistical aggregation)过程。例如，在计算第一晶片裸片的图像数据与至少第二晶片裸片的图像数据之间的差异之前，可实施像素平均过程，借此在差异计算之前计算晶片裸片图像数据的相邻像素值的平均值。在本文中应注意，此技术领域中已知的任何差异比较过程可用于比较步骤208中。
在一个实施例中，在比较步骤208之前，两个或两个以上裸片114可相对于彼此对准。就此来说，在执行比较步骤208之前，第一裸片114的第一图案特征可与至少一个第二裸片114的第二图案对准。类似地，在另一实施例中，在比较步骤210之前，两个或两个以上块116可相对于彼此对准。就此来说，在执行比较步骤210之前，第一块116的第一图案特征可与至少一个第二裸片116的第二图案对准。在此实施例中，例如，可通过在运行时间期间执行裸片间对准及块间对准两者而实施用于同时裸片间及块间比较的混合模式检验。裸片间对准可包含类似于本文先前所描述的用于提供偏移到用于执行数字内插的缺陷检测算法的对准的裸片间对准。缺陷检测算法还可使用块间，以在块间比较之前数字对准所述块。由于所述两个对准本质上彼此独立，所以在能够应用缺陷检测算法之前需要单独进行裸片间对准及块间对准。
然而，应注意，在一或多个裸片114含有足够大数目个块116的情况中，裸片间对准可为必要的。此外，由于在过程200中分析的块116的单元不包含阵列图案及/或不可分辨，所以过程200中无需单元间比较检查。然而，应注意，可应用各种非图案检验算法，以改善对含有不可分辨阵列图案的块114的灵敏度。
然而，如果块大小与裸片大小之间的比率变得更大(这是因为块通常远大于单元)，那么在像素调整之后的块大小的偏差可能变得过大。如上文所讨论，相对于裸片大小的±0.5个像素的调整将引起每裸片大小(D)0.5像素变化或0.5/D。此外，块大小B将以0.5B/D成比例改变。为确保此变化小于0.01个像素以进行适当的块间比较，比率B/D必须小于0.02。借助实例，在5mm裸片的情况中，块大小不能大于0.1mm或1000个像素(或低于0.1μn像素大小)。假设位置准确度并非为一个因子，如果裸片中存在至少50个块(即，D/B≥1/0.02＝50个块)，如果裸片大小大于较大块大小可被接受。
应进一步注意，由置物台振动、空气摆动或其它未知随机噪声引起的不准确性可促成块大小中的额外偏差。可进一步限制针对块间比较(在未进行对准及/或插值的情况下)的可接受的实际块大小。如上文所指出，可需要实际置物台准确性测量以量化可接受用于不具有运行时间块间对准的操作的块大小。对于较大块大小，必须执行块间对准以确保块间比较中的适当子像素对准变为不可避免的。
图3为说明在根据本发明的替代实施例的用于混合模式晶片检验的计算机实施方法300中执行的步骤的流程图。在本文中应注意，混合模式检验及分析过程300包含裸片间、块间及单元间比较技术。这可通过按每一块116、每一裸片114及每一单元118由整数数目个像素组成的方式调整系统100的检验像素而完成。在本文中应注意，过程300一般适用于每一受检验块116的单元可分辨且包含重复图案的设定中。
在本文中应注意，关于贯穿本发明所描述的过程200、400、500、600、610及700的各种架构及方法所描述的实施例及实例应解释为扩展到过程300，除非另外说明。
在第一步骤302中，接收晶片的检验结果。例如，如本文先前所描述，可通过控制器101从检验工具102接收检验图像数据或从存储器108检索检验图像数据。再次，由控制器101接收的检验结果可包含此技术领域中已知的任何类型的检验数据(例如(但不限于)BF检验数据或DF检验数据)。
在一个实施例中，在方法步骤302中接收的一或多个检验结果包含晶片108的选定区域的一或多个图像。在另一实施例中，由控制器101接收的一或多个图像包含一或多个晶片裸片(例如，裸片114)。在进一步实施例中，所接收的图像数据的每一晶片裸片包含一组重复块(例如，块116)。在另一实施例中，与所述组块的每一块相关联的图像数据包含一或多个可分辨单元图案(例如，可分辨阵列区域)。
在第二步骤304中，调整一或多个图像的像素大小以将每一单元映射到实质上整数数目个像素。在第三步骤306中，调整一或多个图像的像素大小以将每一块映射到实质上整数数目个像素。在第四步骤308中，调整一或多个图像的像素大小以将每一裸片映射到整数数目个像素。在本文中应注意，关于过程200所描述的像素选择及调整过程(或建立及维持)应被解释为可扩展到过程300的像素选择及调整过程。
在第五步骤310中，比较第一晶片裸片与至少第二晶片裸片，以识别所述第一晶片裸片及所述至少第二晶片裸片中的至少一者中的一或多个缺陷的发生。在第六步骤312中，第一块与至少第二块，以识别所述第一块及所述至少第二块中的至少一者中的一或多个缺陷的发生。在第七步骤312中，第一单元与至少第二单元，以识别所述第一单元及所述至少第二单元中的至少一者中的一或多个缺陷的发生。在本文中应注意，关于过程200所描述的过程200的比较步骤应被解释为可扩展到过程300的比较步骤。应进一步注意，可以类似于本文先前所描述的裸片及块比较步骤的方式而实施步骤312的单元间比较。进一步认识到，可同时执行比较步骤310到314。
在一个实施例中，如先前所描述，在比较步骤310之前，两个或两个以上裸片114可相对于彼此对准。类似地，在另一实施例中，在比较步骤312之前，两个或两个以上块116可相对于彼此对准。
在另一实施例中，在比较步骤314之前，两个或两个以上单元118可相对于彼此对准。在本文中应注意，在每一裸片含有足够大数目个块的设定中，在实施过程300的三层级混合模式比较之前，仅裸片间对准可为必要的。
如本文先前所提及，在一些实施例中，混合模式检验过程可能需要在裸片中存在约50个或更多个块，以在不使用运行时间块对准的情况下有效地实施混合模式块间比较及裸片间比较。类似地，在每一块具有多于50个单元的设定中，在一些实施例中，像素大小调整可对单元间比较过程(例如，步骤312)的敏感度具有微小或可忽略影响。在一个实施例中，为实现单元间比较过程，可首先设定用于实现单元中的整数数目个像素的检验像素大小。接着，可调节所述像素大小使得给定块包含整数数目个像素。最后，所述经调整的像素大小经进一步调节使得给定裸片包含整数数目个像素。通过适当调整像素大小，混合仅具有裸片间对准的单元间比较、块间比较及裸片间比较的三模式检验变成可能。
例如，在裸片大小为50,000个像素及块大小为1000个像素的情况中，可能执行仅具有裸片间对准的单元间、块间及裸片间混合模式检验过程，前提是单元大小小于20个像素。在这些约束下，可在光学上缩放检验像素大小，以使单元、块及裸片各自对应于整数数目个像素。
图4A为说明在根据本发明的替代实施例的用于混合模式晶片检验的计算机实施方法400中执行的步骤的流程图。在本文中应注意，混合模式检验及分析过程400包含裸片间、块间及单元间比较技术。此可再次通过以每一块116、每一裸片114及每一单元118由整数数目个像素组成的方式调整系统100的检验像素而完成。在本文中应注意，过程400一般适用于裸片的块是不规则的(例如，不规则定位、不同类型、不同大小等等)的设定。在本文中应进一步注意，关于贯穿本发明所描述的过程200、300、500、600、610及700的各种架构及方法所描述的实施例及实例应解释为扩展到过程400，除非另外说明。
在本文中应注意，在更复杂电路布局中，一或多个裸片114的块116可不规则定位于一或多个裸片114内的任何处，如图4B中所说明，其中块116的边缘未垂直或水平对准。应进一步注意，可使用过程400分析的块的不规则性可导致任何数目个因子。例如，所述块可为不同大小或不同类型。此外，在所有块的边缘无法沿至少一个轴对准的情况下，所述块可经随机定位。在本文中应注意，在经随机定位的块的情况中，经由可调整像素技术的块间比较优化是困难的。
应进一步注意，在块沿共用垂直位置对准的情况中，如图4B中所展示，所述块可沿水平轴不规则定位。在此实例中，在未首先对准所述块的情况中，将难以执行块间比较以实现检验经不规则定位的块的目的。因而，可实施运行时间块对准，以执行块间比较。
在步骤402中，接收晶片的检验结果。例如，如本文先前所描述，可通过控制器101从检验工具102接收检验图像数据或从存储器108检索检验图像数据。再次，由控制器101接收的检验结果可包含此技术领域中已知的任何类型的检验数据，例如(但不限于)BF检验数据或DF检验数据。
在一个实施例中，方法步骤402中所接收的一或多个检验结果包含晶片108的选定区域的一或多个图像。在另一实施例中，由控制器101接收的一或多个图像包含一或多个晶片裸片(例如裸片114)。在进一步实施例中，所述所接收的图像数据的每一晶片裸片包含一组不规则块(例如，不同大小块、随机定位块、不同类型的块等等)。
在第二步骤404中，调整一或多个图像的像素大小以将每一单元映射到实质上整数数目个像素。在第三步骤406中，调整一或多个图像的像素大小以将每一裸片映射到整数数目个像素。在本文中应注意，关于过程200及300所描述的像素选择及调整过程(或建立及维持)应被解释为可扩展到过程400的像素选择及调整过程。
在第四步骤408中，第一块与至少第二块对准。在一个实施例中，在比较之前，两个或两个以上块116(例如，图4B的不规则块)可相对于彼此对准。就此来说，在执行比较步骤之前，第一块的第一图案特征可与至少第二块116的第二图案对准。在一个实施例中，两个或两个以上块116的对准过程包含运行时间对准过程。在本文中应注意，用于裸片间运行时间对准的过程可扩展到块间对准的情况。就此来说，块116可被视为小裸片，其中执行运行时间对准以对准所述块。进一步认识到，可在软件中或经由专用硬件实施块间对准。
在另一实施例中，如先前所描述，在过程400的比较步骤之前，两个或两个以上裸片114可相对于彼此对准(例如运行时间对准)。在另一实施例中，在比较步骤314之前，两个或两个以上单元118可相对于彼此对准(例如运行时间对准)。
在第五步骤410中，比较第一晶片裸片与至少第二晶片裸片，以识别所述第一晶片裸片及所述至少第二晶片裸片中的至少一者中的一或多个缺陷的发生。在第六步骤412中，继对准后，比较第一块与至少第二块，以识别所述第一块及所述至少第二块中的至少一者中的一或多个缺陷的发生。在第七步骤414中，比较第一单元与至少第二单元，以识别所述第一单元及所述至少第二单元中的至少一者中的一或多个缺陷的发生。在本文中应注意，关于过程200及300所描述的过程200及300的比较步骤应被解释为可扩展到过程400的比较步骤。进一步认识到，可同时执行比较步骤408到412。
图5为说明在根据本发明的替代实施例的用于混合模式晶片检验的计算机实施方法500中执行的步骤的流程图。在本文中应注意，混合模式检验及分析过程500包含块间及单元间比较技术。
在一些实施例中，可使用单元间比较而检验存储器晶片，其中忽略分页处及其它外围区域。在此实施例中，可添加块间比较以检验晶片(例如存储器晶片)而不牺牲分页处及其它外围区域。本实施例可在具有或不具有块间运行时间对准的情况下实施，如本文先前所描述。在本文中应注意，方法500一般不需要裸片间比较。就此来说，所述方法500以类似于本文先前所描述的单元间及裸片间比较的方式提供单元间及块间比较，其中方法500的块间比较类似于先前所描述的裸片间比较。
方法500可通过以每一块116及每一单元118由整数数目个像素组成的方式调整系统100的检验像素而完成。在本文中应注意，过程500一般适用于单元(例如存储器单元)在晶片上形成单元的重复块的设定。在本文中应进一步注意，关于贯穿本发明所描述的过程200、300、400、600、610及700的各种架构及方法所描述的实施例及实例应解释为扩展到过程500，除非另外说明。
在第一步骤502中，接收晶片的检验结果。例如，如本文先前所描述，可通过控制器101从检验工具102接收检验图像数据或从存储器108检索检验图像数据。再次，由控制器101接收的检验结果可包含此技术领域中已知的任何类型的检验数据，例如(但不限于)光学检验数据(例如，BF检验数据或DF检验数据)或电子束检验数据。
在一个实施例中，在方法步骤502中所接收的一或多个检验结果包含晶片108的选定区域的一或多个图像。在另一实施例中，由控制器101接收的一或多个图像包含重复单元的一或多个块(例如存储器块)。在一个实施例中，所述块可包含重复块，例如本文先前所描述及图1C中所描绘的块。在另一实施例中，所述块可包含非重复或不规则块，例如本文先前所描述及图4B中所描绘的块。
在第二步骤504中，调整一或多个图像的像素大小以将每一单元118映射到实质上整数数目个像素。在第三步骤506中，调整一或多个图像的像素大小以将每一块116映射到实质上整数数目个像素。在本文中应注意，关于过程200到400所描述的像素选择及调整过程(或建立及维持)应被解释为可扩展到过程500的像素选择及调整过程。
在第四步骤508中，比较第一晶片块与至少第二晶片块，以识别所述第一块及所述至少第二块中的至少一者中的一或多个缺陷的发生。在第五步骤510中，比较给定块的第一单元与所述给定块的至少第二单元，以识别所述第一单元及所述至少第二单元中的至少一者中的一或多个缺陷的发生。在本文中应注意，本文先前所描述的过程200到400的比较步骤应被解释为可扩展到过程500的比较步骤。进一步认识到，可同时执行比较步骤508及508。
在另一实施例中，在块类型为非重复(例如不同大小的块)的设定中，在比较步骤508之前，每一块类型可能需要经受对准(例如运行时间对准)，如本文先前所描述。在另一实施例中，在块类型为重复块的设定中，在比较之前，所述块可无需对准过程。例如，在在晶片上产生的存储器单元在所述晶片上形成规则重复块的设定中，可无需对准过程。
图6A为说明在根据本发明的一个实施例的用于晶片的基于图场间检验的计算机实施方法600中执行的步骤的流程图。在本文中应进一步注意，关于贯穿本发明所描述的过程200到500、610及700的各种架构及方法所描述的实施例及实例应解释为扩展到过程600，除非另外说明。
出于本发明的目的，术语“图场”被解释为包含裸片内的可彼此对准且接着彼此比较以进行缺陷检测的任何重复图案结构。在本文中应注意，给定裸片的图场无需在x方向或y方向上等距间隔。
在本文中应注意，方法600及相关联的系统一般涉及检验三个或三个以上重复图场的设定。在横跨三个或三个以上裸片的裸片间检验中，裸片的多个图像一般不组合以形成单个参考图像。这是因为裸片的图像一般以大距离间隔，以至于任何组合裸片图像都将在多个裸片距离上经受失真及晶片级工艺变动(不具有进一步补救措施，例如本文先前所描述)。因而，一般在复合参考裸片图像中不能实现与个别构成图像的噪声水平相比更低的噪声。因而，复合裸片图像的噪声下限(noise floor)通常等于或劣于个别邻近参考裸片图像。
相比之下，在图场间检验中，多个图场图像可经组合以形成单个参考图像。单个复合参考图像一般将拥有于复合裸片图像中可实现的较低噪声下限，这是因为所述图场图像彼此更紧密接近。因而，图场图像不会经受像裸片间图像一样严重的失真及工艺变动差异。一般来说，方法600提供(i)比任何个别图场图像更低的噪声下限；及(ii)稳健消除由分量个别参考图场引起的“单个参考图场”中的任何缺陷。
在第一步骤602中，接收晶片的一或多个检验结果。例如，如本文先前所描述，可通过控制器101从检验工具102接收检验图像数据或从存储器108检索检验图像数据。再次，由控制器101接收的检验结果可包含此技术领域中已知的任何类型的检验数据，例如(但不限于)光学检验数据(例如，BF检验数据或DF检验数据)或电子束检验数据。在一个实施例中，方法步骤602中所接收的一或多个检验结果包含晶片108的选定区域的一或多个图像。在另一实施例中，所述一或多个图像包含三个或三个以上图场，其中所述三个或三个以上图场中的每一者包含于共用裸片中。
在第二步骤604中，通过组合检验结果的三个或三个以上图场而产生参考图场图像。例如，所述检验结果的一个、两个或三个图场可组合成单个参考图场图像。一般来说，所述参考图场图像可由共用裸片的三个到N个图场图像的组合形成。
在第三步骤606中，比较一或多个图场与所述所产生的参考图场，以识别所述一或多个图场中的一或多个缺陷的发生。在一个实施例中，可比较所述所产生的参考图场图像与在与用于产生参考图场图像的采集相同的检验数据采集中所获取的一或多个图场图像。在另一实施例中，可比较所述所产生的参考图场图像与在不同于用于产生参考图场图像的采集的检验数据采集中所获取的一或多个图场图像。
在一个实施例中，比较步骤606可包含(但不限于)计算与参考图场图像相关联的图像数据的像素值和与一或多个其它图场图像相关联的图像数据的像素值之间的差异。例如，与参考图场图像相关联的图像的像素值可被从与另一(经比较)图场图像相关联的图像数据的像素值逐像素减去。就此来说，所述减法过程可用于移除或至少有助于消除存在于两组图像数据中的周期性结构。应注意，贯穿本发明所描述的图像处理技术的任何者适用于方法600。应进一步注意，方法600的比较技术中的任何者可扩展到本发明的全部各种方法。
应注意，此技术领域中已知的任何比较技术适于本发明中的实施方案。例如，可利用任何基于系综的像素处理过程来组合给定裸片的三个或三个以上图场。例如，基于系综的像素处理过程可包含(但不限于)以下：(i)中值处理；(ii)算术平均化；(iii)几何平均化；(iv)加权平均化；(v)最佳线性无偏估计；及(vi)用于确定最佳值的任何其它统计估计技术(给定N次测量)。
一般来说，本发明的比较技术可包含(但不限于)图像减法过程。例如，本文先前所描述的逐像素差异计算过程可用于计算参考图场图像与一或多个图场图像之间的差异，以识别一或多个缺陷。在进一步实施例中，在图像减法过程之后，可应用取阈值算法(thresholding algorithm)。例如，图像比较技术一般描述于在2004年11月3日申请的林(Lin)的第7,440,607号专利中，所述案的全文以引用方式并入本文中。
在另一实施例中，在运行图场间检验过程之前，定义检验的几何参数及检验参数。在一个实施例中，将由系统100定义的几何参数可包含(但不限于)图场数目、每一图场的高度及宽度、每一图场的位置(例如，x-y位置)及图场内待从检验排除的任何区域。在另一实施例中，可如下指定所述几何参数。在一个实施例中，所述几何参数的一或多者可通过用户输入(未展示)手动并入到检验方案中。就此来说，用户可基于图场间设计布局的现有知识(例如，试误法)将一或多个几何参数键入到系统100中。在另一实施例中，可通过到设计层的接口(例如(但不限于)GDS2CA)将一或多个几何参数并入到检验方案中。在另一实施例中，可通过对全裸片宏观视图的探索将一或多个几何参数并入到检验方案中。应进一步注意，可通过此技术领域中已知的任何检验参数确定技术确定一或多个检验参数。就此来说，在裸片间数据的背景中用于确定最佳模式及检测阈值的技术可扩展到本发明的图场间数据的背景。例如，光学器件模式选择一般可扩展到图场间数据的背景，且大体描述于在2005年5月10日申请的王(Wang)的第7,570,797号美国专利中，所述专利的全文以引用方式并入本文中。借助另一实例，单步调节一般可扩展到图场间数据的背景，且大体描述于在2008年5月29日申请的陈(Chen)的第8,000,922号美国专利中，所述专利的全文以引用方式并入本文中。借助进一步实例，灵敏度调节器一般可扩展到图场间数据的背景，且描述于在2003年8月20日申请的陈(Chen)的第6,985,220号美国专利中，所述专利的全文以引用方式并入本文中。
在另一实施例中，可在运行检验扫描之前自动验证这些参数，以避免或至少减少可由错误参数引起的误差及假缺陷。
在一个实施例中，图场间几何参数的验证可通过对所定义的图场运行样品检验、接着进行误差检查技术而作为设定的部分实现。在另一实施例中，几何参数可为不同于设定裸片的经验证裸片(例如边缘裸片)。
在本文中应注意，期望提供低于对应裸片间差异图像的噪声下限的图场间差异图像中的噪声下限。通过比较图场间差异图像及裸片间差异图像，有可能：(i)验证图场几何形状是正确的；及(ii)评估图场间检验的有利程度。应进一步注意，所述有利程度可表示为数字分数以确定是否应启用图场间检验。
可通过此技术领域中已知的任何技术而完成图场图案及几何形状验证及误差检查。在一些实施例中，可利用下列技术中的至少一者而实施图场图案及几何形状验证及误差检查：(i)检测不同差异计算中差异图像中的相同位置处的放大(blowup)；(ii)图场间差异图像与裸片间差异图像相比的方差的总降级；(iii)在一起对准图场图像时的低交叉相关计分；及(iv)检查镜像图场(其接着通过将数据镜射到图场间算法中而受到检验)。
在本文中应进一步注意，本文所描述的用于图场间检验的方法及系统的实施例可扩展到本发明中所描述的所有方法及系统。例如，在本文预期图场间检验的原理可应用于本文先前所描述的混合模式检验(例如，方法200到500)的背景中。
图6B为说明在根据本发明的一个实施例的用于晶片检验的计算机实施方法610中执行的步骤的流程图。
在第一步骤612中，接收包含晶片的裸片的一部分的一或多个图像的晶片的一或多个检验结果。例如，可通过控制器101的一或多个处理器104从检验工具102(例如，光学检验工具或电子束检验工具)接收晶片108的一或多个检验结果。例如，所述检验结果可包含与晶片108的一或多个裸片或晶片108的单个裸片的一或多个部分相关联的图像数据。此外，所述检验结果可包含图像数据，其包含重复结构的一或多个图场(例如，重复单元或多边形的图场)。在一个实施例中，检验图像的图场可包含规则重复图场(即，具有相同大小及形状的规则间隔图场)。在另一实施例中，检验图像内的图场可包含不规则图场。例如，所述图场可不规则间隔(即，沿第一及/或第二方向(x或y方向)不均匀间隔)。在另一情况下，所述图场无需对准共用轴(例如，x或y方向)。
在第二步骤614中，在显示器上呈现所接收的检验结果的一或多个部分。例如，在步骤612的接收检验结果之后，可在显示器105上向用户(未展示)数字显示所述检验结果(或所述检验结果的一部分)。就此来说，控制器101可显示包含一或多个图场(例如，规则间隔图场或不规则间隔图场)的晶片108的裸片的区域。
在第三步骤616中，接收指示用户对所接收的检验结果的所呈现的一或多个部分的裸片内的第一图场的重复图案结构的识别的第一信号。就此来说，用户控制器101经配置以从用户接口107接收关于用户已识别为图场图案(即，含有一组重复单元或其它结构)的所显示检验结果的区域的指令或指示。例如，用户可利用用户接口装置(例如，鼠标、轨迹球、键盘、数字笔或集成式触摸屏)选择所显示图像数据的区域。
在第四步骤618中，接收指示用户对所接收的检验结果的所呈现的一或多个部分的裸片内的第二图场的重复图案结构的识别的第二信号。就此来说，所述第二图场的重复图案结构可与所述第一图场的重复图案结构相差一或多个对称操作。例如，所述对称操作可包含翻转操作及/或旋转操作。例如，控制器101可经配置以从用户接口107接收关于用户已识别为仅与第一图场的重复图案结构相差对称操作的所显示检验结果的区域的指令或指示。例如，用户可(使用用户接口107)标记或识别据认为仅与第一图场的重复结构相差对称操作的所显示检验结果的区域。例如，用户可(使用用户接口107)标记或识别据认为仅与第一图场的重复结构相差翻转操作的所显示检验结果的区域。在另一情况下，用户可(使用用户接口107)标记或识别据认为仅与第一图场的重复结构相差旋转操作的所显示检验结果的区域。
在第五步骤620中，比较第一重复图案结构与至少第二重复图案结构的对应部分，以识别第一图场的重复图案结构及至少第二重复图案结构中的至少一者中的一或多个缺陷的发生。例如，控制器101可比较所述第一图场的重复结构的部分与经翻转/旋转的第二图场的重复结构的匹配部分。就此来说，在实施两个图场之间的逐像素比较之前，控制器101可实际上使所述第一图场的重复结构与所述第二图场的重复结构在空间上匹配。应进一步注意，本发明中所描述的任何图像比较技术可用于实施所述比较。
应注意，本文更详细地进一步描述的图7C描绘相差翻转操作的图场的实例。例如，图像部分714描绘第一图场图像，而图像部分716描绘部分714的翻转版本，如显现于所获取的检验数据中。图像718描绘图场图像716的经翻转调整的视图，其中图像716经垂直翻转以实现图场图像714的实质复制品。继翻转调整后，控制器101可接着实施第一图场与经翻转调整的图场之间的图场间比较。进一步认识到，此过程可轻易扩展到旋转或此技术领域中已知的任何其它对称操作的情况。
在本文中应注意，关于贯穿本发明所描述的过程200、300、400、500、610及700的各种架构及方法所描述的实施例及实例应解释为扩展到过程610，除非另外说明。
图7A为说明在根据本发明的一个实施例的用于重复块的基于设计数据的检验的计算机实施方法700中执行的步骤的流程图。
在本文中应注意，半导体芯片设计数据可包含称为“平面布置图”的数据，其含有称为单元的重复结构的放置信息。在本文中应进一步注意，可从通常以GDSII或OASIS文件格式存储的芯片的物理设计提取此信息。结构行为或过程设计交互可依据单元的背景(环境)而变化。通过使用所述平面布置图，所提议的分析可识别结构的重复块(例如，单元、多边形等等)。此外，所提议的方法可提供这些重复块的坐标信息以及所述重复块的背景(相邻结构是什么)。
如本发明中所使用的术语“设计数据”一般是指集成电路的物理设计及通过复杂模拟或简单几何及布尔(Boolean)运算从所述物理设计导出的数据。另外，由光罩检验系统获取的光罩的图像及/或其衍生物可用作所述设计数据的代理。此光罩图像或其衍生物可充当本文所描述的任何实施例中的设计布局的使用设计数据替代。设计数据及设计数据代理描述于2010年3月9日颁布的库尔卡尼(Kulkarni)的第7,676,007号美国专利；2011年5月25日申请的库尔卡尼(Kulkarni)的第13/115,957号美国专利申请案；2011年10月18日颁布的库尔卡尼(Kulkarni)的第8,041,103号美国专利；及2009年8月4日颁布的扎法尔(Zafar)等人的第7,570,796号美国专利中，所述专利全部以引用方式并入本文中。此外，引导检验过程的设计数据的使用一般描述于2012年2月17日申请的帕克(Park)的第13/339,805号美国专利申请案中，所述案的全文以引用方式并入本文中。
在第一步骤702中，接收与晶片的所关注区域相关联的一或多组设计数据。例如，控制器101的一或多个处理器104可从数据源(例如，存储器108或远程源)接收设计布局文件。在一个实施例中，所关注区域可包含(但不限于)晶片的一或多个裸片。在另一实施例中，所关注检验区域可包含(但不限于)晶片的裸片的一或多个块(例如，裸片114的块116)或图场。在本文中应注意，方法700的下列描述将着重于检验重复结构的块的情况，然而，应认识到，方法700适用于裸片内的重复结构的图场(如本文先前所定义)的情况。
在第二步骤704中，识别所接收的设计数据中的一或多个重复块。在第三步骤706中，基于一或多个重复块的一或多个选定属性选择经识别的一或多个重复块的一部分供检验。在第四步骤708中，对经识别的一或多个重复块的选定部分执行一或多个检验过程。
在一个实施例中，可使用设计布局文件(例如OASIS或GDS)中所含有的设计数据识别重复块(例如，重复组的多边形或单元)。在另一实施例中，将每一设计布局提供到控制器101(或“分析器”)且基于单元阶层加以分析，以识别重复单元或多边形组。在本文中应注意，重复块的大小可不同且可定位在单元阶层的各种层级处。就此来说，控制器101可用已知或所观察的设计单元阶层识别所接收的设计数据中的一或多个重复块(例如，单元或多边形)。例如，设计单元阶层可经分析，以识别给定组的检验数据内的重复群组。所述经识别的重复单元可接着经受检验。在另一实施例中，控制器101可通过设计数据的各种阶层层级来确定或构造用于利用重复块的辨识的检验的设计阶层。
在另一实施例中，可利用设计规则检查(DRC)过程、光学规则检查(ORC)或故障分析(FA)过程而识别重复块结构，以识别对装置性能至关重要的图案。在另一实施例中，可利用工艺窗限定方法(PWQ)而识别重复块。可如库尔卡尼(Kulkarni)等人及扎法尔(Zafar)等人的上文所描述的参考案中所描述执行搜索设计数据以找到一或多个重复块，所述案在上文以引用方式并入。
在一些实施例中，可利用来自电子设计自动化(EDA)工具的数据及其它知识来识别半导体晶片上的重复块(或图场)。由EDA工具产生的关于设计的任何此信息可用于识别重复块。另外，可以任何合适方式搜索设计数据以找到一或多个重复块。例如，可如库尔卡尼(Kulkarni)等人及扎法尔(Zafar)等人的上文引用的专利申请案中所描述执行搜索设计数据以找到一或多个重复块，所述案在上文以引用方式并入。另外，可使用此专利申请案中所描述的任何其它方法或系统选择或识别所述重复块。
此外，可基于所给定的检验技术(例如，光学检验、电子束检验等等)分析每一设计以识别用于检验的适当块。
认识到，重复单元(或多边形)可遍及晶片的裸片而重复，形成重复块(或图场)。另外，单元有时遍及给定裸片以不同名称重复，或可以一个名称在多个位置处重复。在一些实施例中，重复单元对准于相同水平及/或垂直轴上。在其它实施例中，重复单元未对准于相同水平及/或垂直轴。图7B描绘未沿水平轴对准的重复单元的实例，如图像710及712中所展示。在一些实施例中，重复单元沿一或多个轴周期性间隔。在其它实施例中，重复单元未沿一或多个轴周期性间隔。
图7C说明根据本发明的一个实施例的显示第二组单元相对于第一组单元的翻转的一系列块714到718。在一个实施例中，利用所接收的设计数据，控制器101可识别第一重复块(例如，参见块716)。接着，基于所接收的设计数据，控制器101可利用所述所接收的设计数据识别相对于第一重复块翻转的至少第二重复块(例如，参见块714)。就此来说，控制器101可比较第一重复块结构与相对于所述第一重复块结构翻转的第二重复块的对应部分，以识别所述第一块或所述第二块的一或多个缺陷。在此意义中，控制器101可实际上将用以关于一个轴“翻转”图像的变换应用到第二块的图像，使得第二块的图像实质上与第一重复块的图案匹配。例如，块718表示框714的翻转版本。接着，经翻转的块可用于检验目的。
类似地，控制器101可利用所接收的设计数据而识别第一重复块及接着识别相对于所述第一重复旋转的至少第二重复块。继而，控制器101可应用用以“旋转”图像的变换，以用于与用于检验的其它重复块相比较的目的。应进一步认识到，翻转及旋转的概念可彼此结合使用以在比较之前翻转且旋转给定图像。
在另一实施例中，可通过控制器101经由图像处理而识别一或多个重复块。例如，控制器101可将一图像处理算法应用到一所接收的设计布局文件，以识别所述设计布局文件的设计数据内的一或多个重复块。此类经识别的重复块可接着被控制器101使用以引导所述重复块的检验。
在另一实施例中，可处理及存储所关注区域的一或多个非空间重复及非对准部分的一或多个图像。接着，可比较这些区域与其它所关注区域，以识别用于检验的一或多个重复块。这些经识别的重复块可接着被控制器101使用以引导所述重复块的检验。
在另一实施例中，用于选择经识别的一或多个重复块的一部分供检验的一或多个选定属性可包含(但不限于)单元或多边形的经分析的重复块的图案密度或单元的经分析的重复块的区域的关键性。
在本文应认识到，此技术领域中已知的用于分析给定区域的图案密度或关键性的任何方法应被解释为适用于本发明。
在一个实施例中，控制器101可产生基于设计的分类(DBC)数据库。所述数据库可包含与单元(或多边形)的每一重复块相关联的关键性因子或“权数”。在一些实施例中，与重复块或所述块的组件(例如，单元或多边形)中的每一者相关联的关键性的权数是利用测试数据(例如(但不限于)与晶片的逻辑/存储器部分相关联的数据)、功能测试、故障分析(FA)等等而确定。在本文中应注意，与图案相关联的关键性因子连同图案在给定装置中的发生频率可用于确定给定裸片或整个装置发生故障的相对风险水平。
例如，测量关键性以及使用“关键性因子”及DBC数据库以分析给定检验区域的重要性描述于在2012年2月17日申请的帕克(Park)的第13/339,805号美国专利申请案中，所述案的全文并入上文中。
在另一实施例中，可基于选定可行性度量评估每一单元的可检验性。例如，所述可行性度量可由指示一或多个单元的检验可行性的优值组成。例如，所述可行性度量可依据许多物理参数而变，例如(但不限于)一或多个单元的定向、一或多个单元的大小及/或一或多个单元的组件。
在另一实施例中，在识别一或多个重复块(上文所描述)之前，使用所接收的设计数据产生至少一个“不理会区域”(DCA)。例如，所述所接收的设计数据可含有允许控制器101识别对处理及/或装置用途并非关键的区域的信息。例如，可通过控制器101分析设计数据，以识别一或多个局域化元件变动，从而得到适于指定为DCA的区域，如由图7D中的虚线框所展示。就此来说，所产生的DCA可应用到选定区域且对于分析用途被实际上忽略。在本文中应注意，此方法有助于比较不一致(non-conforming)重复块。就此来说，可忽略与三个不同的不一致重复块相关联的DCA区域720、722及724，借此允许比较这些块的剩余部分以进行缺陷检测。一或多个DCA的使用描述于在2007年11月14日申请的马蕾拉(Marella)的第11/939,983号美国专利申请案中，所述案的全文以引用方式并入本文中。
在本文中应进一步注意，方法700可利用较低层级单元与其父代单元之间的相互影响以识别重复块。就此来说，控制器101可分析父代单元及较低层级组成单元，以识别单元的重复块。例如，如图7E及7F中所展示，较低层级单元可在第一父代726中表示五次，而在第二父代728中表示十次。
在一个实施例中，在方法700(或本发明中所揭示的任何方法)中使用的检验工具可包含此技术领域中已知的任何检验工具。例如，检验工具可包含(但不限于)光学检验工具(例如，BF检验工具或DF检验工具)。借助另一实例，检验工具可包含(但不限于)电子束检验工具。
在本文中应进一步注意，本文先前所描述的混合模式检验及图场间检验的描述的各种实施例及实例应解释为应用到方法700。例如，混合模式检验过程(例如，方法200、300、400及500)可用于检验如方法700中所识别的重复块(或图场)的区域。借助另一实例，可结合方法700的基于设计数据的分析而使用图场间分析的参考图场产生过程(例如，方法600及610)，以检验重复块的一或多个区域。
尽管本文关于晶片描述实施例，然而应了解，所述实施例还可用于对光罩(在本文也称为掩模或光掩模)的改良型缺陷检测。许多不同类型的光罩在此技术领域中是已知的，及如本文所使用的术语“光罩”、“掩模”、“光掩模”希望包含此技术领域中已知的所有类型的光罩。
本文所描述的所有方法可包含将方法实施例的一或多个步骤的结果存储于存储媒体中。所述结果可包含本文所描述的结果的任何者，且可以此技术领域中已知的任何方式存储。所述存储媒体可包含本文所描述的任何存储媒体或此技术领域中已知的任何其它合适存储媒体。在所述结果已被存储之后，可在所述存储媒体中存取所述结果且由本文所描述的任何方法或系统实施例使用所述结果，将结果格式化以对用户显示，由另一软件模块、方法或系统使用所述结果，等等。此外，所述结果可被“永久”存储、“半永久”存储、暂时存储或存储一段时间。例如，所述存储媒体可为随机存取存储器(RAM)，及所述结果未必无限期地存在于所述存储媒体中。
进一步预期，上文所描述的方法实施例中的每一者可包含本文所描述的任何其它方法的任何其它步骤。此外，可通过本文所描述的系统的任何者执行上文所描述的方法的实施例中的每一者。
所属技术领域的技术人员将认识到，技术发展水平已发展到在系统的方面的硬件及软件实施方案之间区别甚微的地步；对硬件或软件的使用一般是(但并非总是，这是由于在某些背景中，在硬件与软件之间的选择可变得重要)一种代表成本对效率折衷的设计选择。所属技术领域的技术人员将了解，存在可借以实现本文所描述的过程及/或系统及/或其它技术的各种媒介(例如，硬件、软件及/或固件)，且优选媒介将随所述过程及/或系统及/或其它技术所用于的情境而改变。例如，如果实施者确定速度及精确性是非常重要的，那么实施者可选择主要硬件及/或固件媒介；替代地，如果灵活性是非常重要，那么实施者可选择主要软件实施方案；或再次替代性地，实施者可选择硬件、软件及/或固件的一些组合。因此，存在可借以实现本文所描述的过程及/或装置及/或其它技术的若干可能媒介，其优越性本质上彼此等同，这是因为所利用的任何媒介只是取决于所述媒介用于的情境及实施者的特定考虑(例如，速度、灵活性或可预测性)(其中任一者皆可改变)的选择而已。所属技术领域的技术人员将认识到，实施方案的光学方面通常将使用面向光学的硬件、软件及或固件。
所属技术领域的技术人员将认识到，以本文所阐释的方式描述装置及/或过程，及随后使用工程实践以将此类所描述的装置及/或过程集成到数据处理系统中在技术领域中是常见的。即，可经由合理数量的实验将本文所描述的装置及/或过程的至少一部分集成到数据处理系统中。所属技术领域的技术人员将认识到，典型数据处理系统一般包含系统单元外壳、视频显示装置、存储器(例如，易失性及非易失性存储器)、处理器(例如，微处理器及数字信号处理器)、运算实体(例如，操作系统、驱动程序、图形用户接口及应用程序)、一或多个交互装置(例如，触摸垫或触摸屏)及/或包含反馈回路及控制马达(例如，用于感测位置及/或速度的反馈；用于移动及/或调整组件及/或数量的控制马达)的控制系统中的一或多者。可利用任何合适市售组件(例如，常见于数据运算/通信及/或网络运算及/或通信系统中的组件)而实施典型数据处理系统。
本文所描述的标的物有时说明不同其它组件内所含的或与不同其它组件连接的不同组件。应理解，此类所描绘的架构仅为示范性，及事实上，可实施实现相同功能性的许多其它架构。就概念意义来说，实现相同功能性的组件的任何布置实际上“相关联”，以使得实现所要功能性。因此，在本文经组合以实现特定功能性的任何两个组件可被视为彼此“相关联”以使得实现所要功能性，而与架构或中间组件无关。类似地，如此相关联的任何两个组件也可视为彼此“可操作连接”或“可操作耦合”以实现所要功能性，及能如此相关联的任何两个组件也可被视为彼此“可操作耦合”以实现所要功能性。能够可操作耦合的特定实例包含(但不限于)可物理匹配及/或物理交互组件及/或可无线交互及/或无线交互组件及/或逻辑交互及/或可逻辑交互组件。
尽管已展示及描述本文所描述的本发明标的物的特定方面，然而所属技术领域的技术人员将了解，基于本文的教示，可在不脱离本文所描述的标的物及其更广泛方面的情况下作改变及修改，及因此，所附权利要求书应在其范围内包含在本文所描述的标的物的真实精神及范围内的所有此类改变及修改。
此外，应理解，本发明通过所附权利要求书而界定。所属技术领域的技术人员将了解，一般来说，本文所使用的术语及尤其在所附权利要求书中(例如，所附权利要求书的主体)一般希望为“开放”术语(例如，术语“包含”应解释为“包含但不限于”，术语“具有”应解释为“至少具有”，术语“包含”应解释为“包含但不限于”等等)。所属技术领域的技术人员将进一步了解，如果需要特定数目个所引入的权利要求叙述，那么此意图将明确叙述于权利要求中，且在不存在此叙述的情况下，不存在此意图。例如，为帮助理解，所附权利要求书可使用引导性短语“至少一者”及“一或多者”以引入权利要求叙述。然而，此类短语的使用不应视为暗示通过不定冠词“一(a/an)”引入权利要求叙述会将含有此所引入权利要求叙述的任何特定权利要求限于仅含有一个此叙述的发明，即使相同权利要求包含引导性短语“一或多者”或“至少一者”及不定冠词(例如“一(a/an)”)(例如，“一(a/an)”通常应解释成表示“至少一者”或“一或多者”)；此同样适用于用于引入权利要求叙述的定冠词的使用。另外，即使明确叙述了特定数目个所引入权利要求叙述，但所属技术领域的技术人员将认识到，此叙述通常应解释成至少意谓所叙述的数目(例如，仅仅叙述“两个叙述”而无其它修饰词通常表示至少两个叙述或两种或两种以上叙述)。此外，在使用类似于“A、B及C等的至少一者”的约定的情况下，一般来说希望此构造具有所属技术领域的技术人员将了解所述约定具有的意义(例如，“具有A、B及C的至少一者的系统”将包含(但不限于)单独具有A、单独具有B、单独具有C、具有A及B一起、具有A及C一起、具有B及C一起，及/或具有A、B及C一起，等等的系统)。在使用类似于“A、B或C等的至少一者”的约定的那些情况下，一般来说希望此构造具有所属技术领域的技术人员将了解所述约定具有的意义(例如，“具有A、B或C的至少一者的系统”将包含(但不限于)单独具有A、单独具有B、单独具有C、具有A及B一起、具有A及C一起、具有B及C一起，及/或具有A、B及C一起，等等的系统)。所属技术领域的技术人员将进一步了解，实质上任何呈现两个或两个以上替代项的转折词及/或短语(无论在描述、权利要求书或图式中)应理解为预期包含所述项中的一者、所述项的任一者或两个项的可能性。例如，短语“A或B”将被理解为包含“A”或“B”或“A及B”的可能性。
尽管已说明本发明的特定实施例，然而应理解，在不脱离前述揭示内容的范围及精神的情况下，所属技术领域的技术人员可作出本发明的各种修改及实施例。因此，本发明的范围应仅受所附权利要求书的限制。
据信，本发明及其许多随附优点将通过前述描述而理解，及将明白，可在不脱离所揭示的标的物或不牺牲其所有材料优点的情况下，对组件的形式、构造及布置作出各种改变。所描述的形式仅为解释性，及所附权利要求书希望覆盖及包含此类改变。

Claims (61)

1.一种用于提供混合模式晶片检验的方法，其包括：
接收晶片的一或多个检验结果，其中所述一或多个检验结果包含所述晶片的选定区域的一或多个图像，所述一或多个图像包含一或多个晶片裸片，所述一或多个晶片裸片包含一组重复块，所述组重复块的一或多者，其中每一块的单元为非周期性或不可分辨的；
调整所述一或多个图像的像素大小以将每一块映射到整数数目个像素；
调整所述一或多个图像的像素大小以将每一裸片映射到整数数目个像素；
比较第一晶片裸片与至少第二晶片裸片，以识别所述第一晶片裸片及所述至少第二晶片裸片中的至少一者中的一或多个缺陷的发生；以及
比较第一块与至少第二块，以识别所述第一块及所述至少第二块中的至少一者中的一或多个缺陷的发生。
2.根据权利要求1所述的方法，其中所述接收一或多个检验结果包括：
从检验系统接收一或多个检验结果。
3.根据权利要求2所述的方法，其中所述检验系统包括：
光学检验系统及电子束检验系统中的至少一者。
4.根据权利要求1所述的方法，其中所述比较第一晶片裸片与至少第二晶片裸片，以识别所述第一晶片裸片及所述至少第二晶片裸片中的至少一者中的一或多个缺陷的发生包括：
计算所述第一晶片裸片的一组像素值与所述至少第二晶片裸片的一对应组的像素值之间的差异，以识别所述第一晶片裸片及所述至少第二晶片裸片中的至少一者中的一或多个缺陷的发生。
5.根据权利要求1所述的方法，其中所述比较第一块与至少第二块以识别所述第一块及所述至少第二块中的至少一者中的一或多个缺陷的发生包括：
计算所述第一块的一组像素值与所述至少第二块的一对应组的像素值之间的差异，以识别所述第一块及所述至少第二块中的至少一者中的一或多个缺陷的发生。
6.根据权利要求1所述的方法，进一步包括：
在比较所述第一晶片裸片与所述至少第二晶片裸片之前，相对于所述至少第二晶片裸片，对准所述第一晶片裸片的一或多个重复图案。
7.根据权利要求1所述的方法，其中所述相对于所述至少第二晶片裸片对准所述第一晶片裸片的一或多个重复图案包括：
相对于所述至少第二晶片裸片，对所述第一晶片裸片的所述一或多个重复图案执行运行时间对准过程。
8.根据权利要求1所述的方法，其中所述比较第一晶片裸片与至少第二晶片裸片以识别所述第一晶片裸片及所述至少第二晶片裸片中的至少一者中的一或多个缺陷的发生包括：
通过组合所述检验结果的三个或三个以上裸片图像来产生一参考裸片图像；以及
计算所述所产生的参考裸片图像的一组像素值与所述第一裸片及所述至少第二裸片中的至少一者的一对应组的像素值之间的差异，以识别所述第一晶片裸片及所述至少第二晶片裸片中的至少一者中的一或多个缺陷的发生。
9.根据权利要求1所述的方法，其中所述比较第一块与至少第二块以识别所述第一块及所述至少第二块中的至少一者中的一或多个缺陷的发生包括：
通过组合所述检验结果的三个或三个以上块图像来产生参考块图像；以及
计算所述所产生的参考块图像的一组像素值与所述第一块及所述至少第二块的一对应组的像素值之间的差异，以识别所述第一晶片块及所述至少第二晶片块中的至少一者中的一或多个缺陷的发生。
10.一种用于提供混合模式晶片检验的方法，其包括：
接收晶片的一或多个检验结果，其中所述一或多个检验结果包含所述晶片的选定区域的一或多个图像，所述一或多个图像包含一或多个晶片裸片，所述一或多个晶片裸片包含一组重复块，所述组重复块中的一或多者包含一组重复单元；
调整所述一或多个图像的像素大小以将每一单元映射到实质上整数数目个像素；
调整所述一或多个图像的像素大小以将每一块映射到实质上整数数目个像素；
调整所述一或多个图像的一像素大小以将每一裸片映射到整数数目个像素；
比较第一晶片裸片与至少第二晶片裸片，以识别所述第一晶片裸片及所述至少第二晶片裸片中的至少一者中的一或多个缺陷的发生；
比较第一块与至少第二块，以识别所述第一块及所述至少第二块中的至少一者中的一或多个缺陷的发生；以及
比较第一单元与至少第二单元，以识别所述第一单元及所述至少第二单元中的至少一者中的一或多个缺陷的发生。
11.根据权利要求10所述的方法，其中所述接收一或多个检验结果包括：
从检验系统接收一或多个检验结果。
12.根据权利要求10所述的方法，其中所述检验系统包括：
光学检验系统及电子束检验系统中的至少一者。
13.根据权利要求10所述的方法，其中所述比较第一晶片裸片与至少第二晶片裸片以识别所述第一晶片裸片及所述至少第二晶片裸片中的至少一者中的一或多个缺陷的发生包括：
计算所述第一晶片裸片的一组像素值与所述至少第二晶片裸片的一对应组的像素值之间的差异，以识别所述第一晶片裸片及所述至少第二晶片裸片中的至少一者中的一或多个缺陷的发生。
14.根据权利要求10所述的方法，其中所述比较第一块与至少第二块以识别所述第一块及所述至少第二块中的至少一者中的一或多个缺陷的发生包括：
计算所述第一块的一组像素值与所述至少第二块的一对应组的像素值之间的差异，以识别所述第一块及所述至少第二块中的至少一者中的一或多个缺陷的发生。
15.根据权利要求10所述的方法，其中所述比较第一单元与至少第二单元以识别所述第一单元及所述至少第二单元中的至少一者中的一或多个缺陷的发生包括：
计算所述第一单元的一组像素值与所述至少第二单元的一对应组的像素值之间的差异，以识别所述第一块及所述至少第二块中的至少一者中的一或多个缺陷的发生。
16.根据权利要求10所述的方法，进一步包括：
在所述比较所述第一晶片裸片与所述至少第二晶片裸片之前，相对于所述至少第二晶片裸片，对准所述第一晶片裸片的一或多个重复图案。
17.根据权利要求16所述的方法，其中所述相对于所述至少第二晶片裸片对准所述第一晶片裸片的一或多个重复图案包括：
相对于所述至少第二晶片裸片，对所述第一晶片裸片的所述一或多个重复图案执行运行时间对准过程。
18.根据权利要求10所述的方法，其中所述比较第一晶片裸片与至少第二晶片裸片以识别所述第一晶片裸片及所述至少第二晶片裸片中的至少一者中的一或多个缺陷的发生包括：
通过组合所述检验结果的三个或三个以上裸片图像来产生参考裸片图像；以及
计算所述所产生的参考裸片图像的一组像素值与所述第一裸片及所述至少第二裸片中的至少一者的一对应组的像素值之间的差异，以识别所述第一晶片裸片及所述至少第二晶片裸片中的至少一者中的一或多个缺陷的发生。
19.根据权利要求10所述的方法，其中所述比较第一块与至少第二块以识别所述第一块及所述至少第二块中的至少一者中的一或多个缺陷的发生包括：
通过组合所述检验结果的三个或三个以上块图像来产生参考块图像；
计算所述所产生的参考块图像的一组像素值与所述第一块及所述至少第二块的一对应组的像素值之间的差异，以识别所述第一块及所述至少第二块中的至少一者中的一或多个缺陷的发生。
20.根据权利要求10所述的方法，其中所述比较第一单元与至少第二单元以识别所述第一单元及所述至少第二单元中的至少一者中的一或多个缺陷的发生包括：
通过组合所述检验结果的三个或三个以上单元图像来产生参考单元图像；
计算所述所产生的参考单元图像的一组像素值与所述第一单元及所述至少第二单元的一对应组的像素值之间的差异，以识别所述第一单元及所述至少第二单元中的至少一者中的一或多个缺陷的发生。
21.一种用于混合模式检验的方法，其包括：
接收晶片的一或多个检验结果，其中所述一或多个检验结果包含所述晶片的选定区域的一或多个图像，所述一或多个图像包含一或多个晶片裸片，所述一或多个晶片裸片包含一组块，其中所述块中的至少一些是不规则的，所述组所述块的一或多者包含一组重复单元；
调整所述一或多个图像的像素大小以将每一单元映射到实质上整数数目个像素；
调整所述一或多个图像的像素大小以将每一裸片映射到整数数目个像素；
对准第一块与至少第二块；
比较第一晶片裸片与至少第二晶片裸片，以识别所述第一晶片裸片及所述至少第二晶片裸片中的至少一者中的一或多个缺陷的发生；
比较第一块与至少第二块，以识别所述第一块及所述至少第二块中的至少一者中的一或多个缺陷的发生；以及
比较第一单元与至少第二单元，以识别所述第一单元及所述至少第二单元中的至少一者中的一或多个缺陷的发生。
22.根据权利要求21所述的方法，其中所述不规则块包括：
经不规则定位的块、为具有不规则大小的块的块及具有不规则类型的块中的至少一者。
23.根据权利要求21所述的方法，其中所述接收一或多个检验结果包括：
从检验系统接收一或多个检验结果。
24.根据权利要求21所述的方法，其中所述检验系统包括：
光学检验系统及电子束检验系统中的至少一者。
25.根据权利要求21所述的方法，其中所述对准第一块与至少第二块包括：
相对于所述至少第二块，对所述第一块的所述一或多个重复图案执行运行时间对准过程。
26.根据权利要求21所述的方法，进一步包括：
在所述比较所述第一晶片裸片与所述至少第二晶片裸片之前，相对于所述至少第二晶片裸片，对准所述第一晶片裸片的一或多个重复图案。
27.一种用于提供混合模式晶片检验的方法，其包括：
接收晶片的一或多个检验结果，其中所述一或多个检验结果包含所述晶片的选定区域的一或多个图像，所述一或多个图像包含一或多个晶片裸片，所述一或多个晶片裸片包含一组块，所述组块的一或多者包含一组重复单元；
调整所述一或多个图像的像素大小以将每一单元映射到实质上整数数目个像素；
调整所述一或多个图像的像素大小以将每一块映射到实质上整数数目个像素；
比较第一块与至少第二块，以识别所述第一块及所述至少第二块的至少一者中的一或多个缺陷的发生；以及
比较第一单元与至少第二单元，以识别所述第一单元及所述至少第二单元中的至少一者中的一或多个缺陷的发生。
28.根据权利要求27所述的方法，其中所述组块包括：
一组重复块。
29.根据权利要求27所述的方法，其中所述组块包括：
一组非重复块。
30.一种用于提供基于图场对图场的晶片检验的方法，其包括：
接收晶片的一或多个检验结果，其中所述一或多个检验结果包含所述晶片的选定区域的一或多个图像，所述一或多个图像包含三个或三个以上图场，所述三个或三个以上图场中的每一者包含于共用裸片中；
通过组合所述检验结果的所述三个或三个以上图场来产生参考图场图像；以及
比较一或多个图场与所述所产生的参考图场图像，以识别所述一或多个图场中的一或多个缺陷的发生。
31.根据权利要求30所述的方法，其中所述组合所述检验结果的所述三个或三个以上图场包括：
组合所述检验结果的所述三个或三个以上图场与一或多个基于系综的像素处理程序。
32.根据权利要求31所述的方法，其中所述基于系综的像素处理程序包括：
中值处理、算术平均、几何平均、加权平均及无偏最佳线性估计中的至少一者。
33.根据权利要求30所述的方法，其中所述经比较的一或多个图场是从所述经接收的一或多个检验结果获取。
34.根据权利要求30所述的方法，其中所述经比较的一或多个图场是从额外一或多个检验结果获取。
35.根据权利要求30所述的方法，其中所述比较一或多个图场与所述所产生的参考图场以识别所述一或多个图场中的一或多个缺陷的发生包括：
计算所述一或多个图场的一组像素值与所述所产生的参考图场图像的一对应组的像素值之间的差异。
36.根据权利要求30所述的方法，其中所述所产生的参考图场图像的所述三个或三个以上图场及与所述所产生的参考图场图像相比较的所述一或多个图场中的至少一者包含一重复组单元。
37.根据权利要求30所述的方法，其中所述所产生的参考图场图像的所述三个或三个以上图场及与所述所产生的参考图场图像相比较的所述一或多个图场中的至少一者包括：
沿第一方向及垂直于所述第一方向的第二方向中的至少一者具有规则间距的两个或两个以上图场。
38.根据权利要求30所述的方法，其中所述所产生的参考图场图像的所述三个或三个以上图场及与所述所产生的参考图场图像相比较的所述一或多个图场中的至少一者包括：
沿第一方向及垂直于所述第一方向的第二方向中的至少一者具有不规则间距的两个或两个以上图场。
39.一种用于重复块的以设计为导向的晶片检验的方法，其包括：
接收至少与晶片的所关注区域相关联的一或多组设计数据；
识别所述所接收的设计数据中的一或多个重复块；
基于所述一或多个重复块的一或多个选定属性而选择所述经识别的一或多个重复块的一部分供检验；以及
用检验工具对所述经识别的一或多个重复块的所述选定部分执行一或多个检验过程。
40.根据权利要求39所述的方法，其中所述检验工具包括：
光学检验工具及电子束检验工具中的至少一者。
41.根据权利要求39所述的方法，其中所述所关注区域包括：
晶片的裸片的至少一部分。
42.根据权利要求39所述的方法，其中所述一或多组设计数据是在设计布局文件中接收。
43.根据权利要求39所述的方法，其中所述一或多个重复块包括：
一或多组重复单元。
44.根据权利要求39所述的方法，其中所述一或多个重复块包括：
一或多组重复多边形。
45.根据权利要求39所述的方法，进一步包括：
在识别所述一或多个重复块之前，通过分析所述所关注区域内的一或多个局域化元件变动来产生至少一个DCA。
46.根据权利要求39所述的方法，其中所述识别所述所接收的设计数据中的一或多个重复块包括：
通过设计单元阶层识别所述所接收的设计数据中的一或多个重复块。
47.根据权利要求39所述的方法，其中所述识别所述所接收的设计数据中的一或多个重复块包括：
处理所述所关注区域的一或多个非空间重复及非对准部分；以及
存储所述所关注区域的一或多个非空间重复及非对准部分。
48.根据权利要求39所述的方法，其中所述识别所述所接收的设计数据中的一或多个重复块包括：
识别第一重复块；以及
利用所述所接收的设计数据来识别相对于所述第一重复块翻转的至少第二重复块。
49.根据权利要求39所述的方法，其中所述识别所述所接收的设计数据中的一或多个重复块包括：
识别第一重复块；以及
利用所述所接收的设计数据来识别相对于所述第一重复旋转的至少第二重复块。
50.根据权利要求39所述的方法，其中所述识别所述所接收的设计数据中的一或多个重复块包括：
基于所接收的设计数据的图像处理而识别一或多个重复块。
51.根据权利要求39所述的方法，进一步包括：
基于设计数据来确定用于检验重复块的单元层级阶层。
52.根据权利要求39所述的方法，其中所述一或多个选定属性包括：
所述一或多个重复块的图案密度。
53.根据权利要求39所述的方法，其中所述一或多个选定属性包括：
所述一或多个重复块的关键性因子。
54.根据权利要求39所述的方法，进一步包括：
在基于一或多个选定属性而选择所述经识别的一或多个重复块的一部分供检验之前，分析所述一或多个重复块的检验可行性度量。
55.根据权利要求39所述的方法，其中所述对所述经识别的一或多个重复块的所述选定部分执行一或多个检验过程包括：
对所述经识别的一或多个重复块的所述选定部分执行一或多个混合模式检验过程。
56.根据权利要求39所述的方法，其中所述对所述经识别的一或多个重复块的所述选定部分执行一或多个检验过程包括：
对所述经识别的一或多个重复块的所述选定部分执行一或多个图场对图场检验过程。
57.一种用于重复图案结构的图场的晶片检验的方法，其包括：
接收晶片的一或多个检验结果，其包含晶片的裸片的一部分的一或多个图像；
在显示器上呈现所述所接收的检验结果的一或多个部分；
接收指示用户对所述所接收的检验结果的所述所呈现的一或多个部分的所述裸片内的第一图场的重复图案结构的识别的第一信号；
接收指示用户对所述所接收的检验结果的所述所呈现的一或多个部分的所述裸片内的第二图场的重复图案结构的识别的至少第二信号，所述至少第二图场的重复图案结构与所述第一图场的重复图案结构相差一或多个对称操作；以及
比较所述第一重复图案结构与所述至少第二重复图案结构的对应部分，以识别所述第一图场的重复图案结构及所述至少第二重复图案结构中的至少一者中的一或多个缺陷的发生。
58.根据权利要求57所述的方法，其中所述第一图场的重复图案结构及所述至少第二图场的重复图案结构中的至少一者包括：
重复单元的图场。
59.根据权利要求57所述的方法，其中所述第一图场的重复图案结构及所述至少第二图场的重复图案结构中的至少一者包括：
重复多边形的图场。
60.根据权利要求57所述的方法，其中所述第一图场的重复图案结构及所述至少第二图场的重复图案结构中的至少一者沿至少第一方向及垂直于所述第一方向的第二方向规则地间隔。
61.根据权利要求57所述的方法，其中所述第一图场的重复图案结构及所述至少第二图场的重复图案结构中的至少一者沿至少第一方向及垂直于所述第一方向的第二方向不规则地间隔。
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