CN104851827B - 一种半导体硅片清洗釜 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种半导体硅片清洗釜,包括釜体及与釜体密封连接釜盖,还包括插入釜体内部的清洗管,清洗管外端设有截止阀,在截止阀与釜体之间的清洗管上连接超生波发生器,在釜体壁上均布硅片吸盘连通孔,在釜体的外壁设有与硅片吸盘连通孔连通的负压连接通道,在釜体的内壁设有与硅片吸盘连通孔连通的硅片吸盘,硅片吸盘包括一端与硅片吸盘连通孔连通的连接管,连接管的另一端连接均布吸附微孔的吸附板,还包括受阀门控制的釜体排气口。本发明具有操作简单、清洗效果好、清洗效率高等特点。
Description
技术领域
本发明涉及一种半导体硅片清洗釜。
背景技术
目前所使用的半导体硅片清洗装置清洗过程中需要使用大量纯水,并添加有机溶剂,会造成环境污染、人身危害和水资源浪费等严重问题。
中国实用新型专利(公开号:CN2489887Y)公开了一种连续式超声波清洗机,其存在清洗盲区,不能有效清洗微孔和狭缝,并且使用清洗剂还会对环境造成污染;中国发明专利(公开号:CN101740342A)公开了一种绿色二氧化碳超临界流体半导体清洗设备,主要是对半导体硅片清洗,但并未增加旋转、振荡等辅助清洗手段,最终实际清洗效果不理想;中国发明专利(公开号:CN1990126A)公开了一种超临界二氧化碳清洗系统与方法,主要对晶圆或元件清洗,而结构复杂,操作繁琐,不宜于工业生产推广;中国实用新型专利(公开号:CN201720215U)公开了一种盲孔内螺纹无屑清洗装置,只是单一使用超声波清洗。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种半导体硅片清洗釜,它具有操作简单、清洗效果好、清洗效率高等特点。
为解决上述技术问题,本发明所采取的技术方案是:
一种半导体硅片清洗釜,包括釜体及与釜体密封连接釜盖,还包括插入釜体内部的清洗管,清洗管外端设有截止阀,在截止阀与釜体之间的清洗管上连接超声波发生器,在釜体壁上均布硅片吸盘连通孔,在釜体的外壁设有与硅片吸盘连通孔连通的负压连接通道,在釜体的内壁设有与硅片吸盘连通孔连通的硅片吸盘,硅片吸盘包括一端与硅片吸盘连通孔连通的连接管,连接管的另一端连接均布吸附微孔的吸附板,还包括受阀门控制的釜体排气口。
本发明进一步改进在于:
釜体内壁为竖立的圆筒形;釜盖为圆形,位于釜体的正上方;清洗管由釜盖的中心竖向插入釜体内部,釜体排气口位于釜盖上。
釜体设有旋转结构:在釜体的外周设有与其同轴心的筒形外壳,筒形外壳的上端与釜体上部密封旋转连接,负压连接通道由釜体与外壳之间的环形间隙形成,在外壳的底部设有与负压连接通道连通的吸气孔,外壳的底部中心设有电机,电机的转轴竖直向上通过外壳底部与釜体底部中心固定。
清洗管位于釜体内部部分的外壁设有多个喷嘴。
在截止阀与釜体之间的清洗管上连接两个超声波发生器。
采用上述技术方案所产生的有益效果在于:
本发明中在釜体壁上均布硅片吸盘连通孔,在釜体的外壁设有与硅片吸盘连通孔连通的负压连接通道,在釜体的内壁设有与硅片吸盘连通孔连通的硅片吸盘,硅片吸盘包括一端与硅片吸盘连通孔连通的连接管,连接管的另一端连接均布吸附微孔的吸附板,根据半导体硅片只需对一面清洁度有严格要求的特点,通过负压方式使硅片吸盘固定半导体硅片,使需要清洁的一面暴露在釜体内清洗,改变了现有硅片装夹方式,提高了生产效率,改善清洗效果。(现有的清洗釜设计较为简单、抽象,对硅片的装夹方式一般是通过夹持元件来夹住硅片进行清洗,这种机械夹紧,效率低下,操作繁琐,且被夹持位置死区处往往残留颗粒)。包括釜体及与釜体密封连接釜盖,还包括插入釜体内部的清洗管,清洗管外端设有截止阀,在截止阀与釜体之间的清洗管上连接超声波发生器,使釜体内形成密闭空间,以便于清洗管注入超临界二氧化碳,超临界二氧化碳的微气泡能在超声波的作用下保持振动,对半导体硅片进行清洗,清洗效果好;还包括受阀门控制的釜体排气口,通过快速泄压,使含有污物的超临界二氧化碳直接通过釜体排气口快速排出,将杂质混合液快速带走,避免重新沉积到半导体硅片表面并产生空化作用,利于杂质脱落,达到对半导体硅片较好的清洗效果。釜体设有旋转结构,在电机的带动下使釜体旋转,加强清洗效果。本发明具有操作简单、清洗效果好、清洗效率高等特点。
附图说明
图1是本发明的结构示意图;
图2是图1中硅片吸盘的结构示意图。
在附图中:1、釜体;2、釜盖;3、清洗管;4、超声波发生器;5、硅片吸盘连通孔;6、硅片吸盘;7、釜体排气口;8、外壳;9、负压连接通道;10、吸气孔;11、电机;12、转轴;13、喷嘴;14、半导体硅片。
具体实施方式
下面将结合附图和具体实施例对本发明进行进一步详细说明。
由图1-2所示的实施例可知,本实施例包括釜体1及与釜体1密封连接釜盖2,还包括插入釜体1内部的清洗管3,清洗管3外端设有截止阀,在截止阀与釜体1之间的清洗管3上连接超声波发生器4,在釜体1壁上均布硅片吸盘连通孔5,在釜体1的外壁设有与硅片吸盘连通孔连通的负压连接通道9,在釜体1的内壁设有与硅片吸盘连通孔5连通的硅片吸盘6,硅片吸盘6包括一端与硅片吸盘连通孔5连通的连接管6-1,连接管6-1的另一端连接均布吸附微孔6-2的吸附板6-3,还包括受阀门控制的釜体排气口7。
釜体1内壁为竖立的圆筒形;釜盖2为圆形,位于釜体1的正上方;清洗管3由釜盖2的中心竖向插入釜体1内部,釜体排气口7位于釜盖2上。
釜体1设有旋转结构:在釜体1的外周设有与其同轴心的筒形外壳8,筒形外壳8的上端与釜体1上部密封旋转连接,负压连接通道9由釜体1与外壳8之间的环形间隙形成,在外壳8的底部设有与负压连接通道9连通的吸气孔10,外壳8的底部中心设有电机11,电机11的转轴12竖直向上通过外壳8底部与釜体1底部中心固定。
清洗管3位于釜体1内部部分的外壁设有多个喷嘴13。
在截止阀与釜体1之间的清洗管3上连接两个超声波发生器4。
使用方法及工作原理
使用时将吸气孔10与负压设备连接,硅片吸盘内部形成负压,将待清洗的半导体硅片在负压的作用下吸附到硅片吸盘6上,将清洗管3通过外端的截止阀与超临界二氧化碳连通;关闭釜盖2,关闭釜体排气口7上的阀门,使釜体1内腔形成密闭空间;启动超声波发生器4,使超临界二氧化碳通过清洗管3注入釜体1内腔,超临界二氧化碳的微气泡能在超声波的作用下保持振动,对半导体硅片14进行清洗;,启动电机11,釜体1开始旋转,以便对半导体硅片14清洗全面彻底,清洗一段时间后,关闭清洗管3端部的截止阀,打开釜体排气口7上的阀门,快速泄压,使含有污物的超临界二氧化碳直接通过釜体排气口7快速排出,将杂质混合液快速带走,避免重新沉积到半导体硅片表面并产生空化作用,利于杂质脱落,达到对半导体硅片较好的清洗效果。
Claims (5)
1.一种半导体硅片清洗釜,其特征在于:包括釜体(1)及与釜体(1)密封连接釜盖(2),还包括插入釜体(1)内部的清洗管(3),所述清洗管(3)外端设有截止阀,在所述截止阀与所述釜体(1)之间的清洗管(3)上连接超声波发生器(4),在所述釜体(1)壁上均布硅片吸盘连通孔(5),在所述釜体(1)的外壁设有与硅片吸盘连通孔连通的负压连接通道(9),在所述釜体(1)的内壁设有与所述硅片吸盘连通孔(5)连通的硅片吸盘(6),所述硅片吸盘(6)包括一端与硅片吸盘连通孔(5)连通的连接管(6-1),所述连接管(6-1)的另一端连接均布吸附微孔(6-2)的吸附板(6-3),在所述釜体顶部设置受阀门控制的排气口。
2.根据权利要求1所述的一种半导体硅片清洗釜,其特征在于:所述釜体(1)内壁为竖立的圆筒形;所述釜盖(2)为圆形,位于釜体(1)的正上方;所述清洗管(3)由所述釜盖(2)的中心竖向插入釜体(1)内部,所述釜体排气口(7)位于釜盖(2)上。
3.根据权利要求1或2所述的一种半导体硅片清洗釜,其特征在于:所述釜体(1)设有旋转结构:在所述釜体(1)的外周设有与其同轴心的筒形外壳(8),所述筒形外壳(8)的上端与釜体(1)上部密封旋转连接,所述负压连接通道(9)由釜体(1)与外壳(8)之间的环形间隙形成,在所述外壳(8)的底部设有与负压连接通道(9)连通的吸气孔(10),所述外壳(8)的底部中心设有电机(11),所述电机(11)的转轴(12)竖直向上通过外壳(8)底部与釜体(1)底部中心固定。
4.根据权利要求3所述的一种半导体硅片清洗釜,其特征在于:所述清洗管(3)位于釜体(1)内部部分的外壁设有多个喷嘴(13)。
5.根据权利要求4所述的一种半导体硅片清洗釜,其特征在于:在所述截止阀与所述釜体(1)之间的清洗管(3)上连接两个超声波发生器(4)。
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