CN104823106A - 用于硬掩膜组合物的单体、含有所述单体的硬掩膜组合物及使用所述硬掩膜组合物的图案形成方法 - Google Patents

用于硬掩膜组合物的单体、含有所述单体的硬掩膜组合物及使用所述硬掩膜组合物的图案形成方法 Download PDF

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Abstract

本发明是关于一种由化学式1表示的用于硬掩膜组合物的单体、一种含有单体的硬掩膜组合物、以及一种使用硬掩膜组合物的图案形成方法。在上述的化学式1中，A、A′、L、L′、X以及n与说明书中所定义的相同。

Description

用于硬掩膜组合物的单体、含有所述单体的硬掩膜组合物及使用所述硬掩膜组合物的图案形成方法
技术领域
揭示一种用于硬掩膜组合物的单体、一种含有所述单体的硬掩膜组合物及一种使用所述硬掩膜组合物的图案形成方法。
背景技术
近来，半导体工业发展了图案尺寸在数奈米至数十奈米的超微细技术。此种超微细技术极需有效的微影技术。
典型的微影技术包括于半导体基底上提供材料层，在其上涂布光阻层，对光阻层进行曝光与显影以提供光阻图案，并利用所述光阻图案做为掩膜蚀刻材料层。
如今，当欲形成小尺寸图案时，仅依靠上述的典型的微影技术难以提供具有优良轮廓的微细图案。因此，可于材料层与光阻层的间形成被称为硬掩膜层(hardmask layer)的一层以提供微细图案。
硬掩膜层在选择性蚀刻工艺中扮演将光阻的微细图案转印至材料层的中间层角色。因此，硬掩膜层在多重蚀刻工艺中必须具有诸如耐热性以及抗蚀刻性等特性。
另一方面，近来在形成硬掩膜层时，更建议使用旋转涂布法(spin-on coating)而非化学气相沉积法。旋转涂布法需要对溶剂具有溶解度的硬掩膜组合物。
溶解度与硬掩膜组合物填入图案间隙(gap)的填沟(gap fill)特性以及平坦化特性相关。当硬掩膜组合物单体的分子量愈低，填沟特性愈佳。
然而，当硬掩膜组合物的分子量较低，在高温工艺时可能产生逸出气体(out gasing)。
发明的详细描述
发明内容
一实施例提供一种用于硬掩膜组合物的单体，其不会产生逸出气体，并具有优良的抗化学性以及抗蚀刻性。
另一实施例提供一种含有所述单体的硬掩膜组合物。
再一实施例提供一种使用硬掩膜组合物的图案形成方法。
[技术方案]
根据一实施例，提供一种用于硬掩膜组合物的单体，以下列化学式1表示。
[化学式1]
在上述的化学式1中，
A及A′各自独立地表示经取代或未经取代的C5至C60的芳香族环基、经取代或未经取代的C5至C60的脂肪族环基、经取代或未经取代的C2至C60的芳香族杂环基、经取代或未经取代的C2至C60的脂肪族杂环基或其组合，
X为氢原子、氧原子、卤素原子、羟基、亚硫酰基、硫醇基、氰基、经取代或未经取代的氨基、经取代或未经取代的C1至C30的烷基、经取代或未经取代的C1至C20的烷胺基，或经取代或未经取代的C1至C30的烷氧基，
L为单键或双键，
L′为单键，或经取代或未经取代的C1到C6的亚烷基，并且
n为1至3的整数。
当X为氧原子时，L为双键。当X为氢、卤素原子、羟基、亚硫酰基、硫醇基、氰基、经取代或未经取代的氨基、经取代或未经取代的C1到C30的烷基、经取代或未经取代的C1至C20的烷胺基，或经取代或未经取代的C1到C30的烷氧基时，L为单键。
A可衍生自由下列组群1中选出的酸酐化合物。
[组群1]
在上述的化学式1中，A及A’各自独立地为经取代或未经取代的苯基、经取代或未经取代的萘基、经取代或未经取代的联苯基、经取代或未经取代的芘基、经取代或未经取代的苝基、经取代或未经取代的苯并苝基、经取代或未经取代的蔻基或其组合。
在上述的化学式1中，A′的至少一个氢可被羟基取代。
在上述的化学式1中，所述单体可以下列的化学式1-1、1-2或1-3表示。
[化学式1-1]
[化学式1-2]
[化学式1-3]
在上述的化学式1-1、1-2以及1-3中，
L′a、L′b、L′c、L′d、L′e以及L′f各自独立地为单键或经取代或未经取代的C1至C6的亚烷基，
ma、mb、me、以及mf各自独立地表示为0至9的整数，以及
mc以及md各自独立地表示为0至11的整数。
ma、mb、mc、md、me以及mf表示取代的羟基数目。
用于硬掩膜组合物的单体可以下列化学式1-1a、1-1b、1-2a、1-2b或1-3a表示。
[化学式1-1a]
[化学式1-1b]
[化学式1-2a]
[化学式1-2b]
[化学式1-3a]
用于硬掩膜组合物的单体的分子量可为300至3000。
根据另一实施例，提供含有上述单体以及溶剂的硬掩膜组合物。
基于硬掩膜组合物的总量，可包含1重量％至30重量％的量的单体。
根据另一实施例，图案形成方法包括在基底上提供材料层，将硬掩膜组合物涂布于材料层上，热处理硬掩膜组合物以形成硬掩膜层，在硬掩膜层上形成含硅薄膜，在含硅薄膜上形成光阻层，对光阻层进行曝光与显影以形成光阻图案，利用光阻图案选择性地移除含硅薄膜以及硬掩膜层以暴露出部分的材料层，并对材料层裸露出的部分进行蚀刻。
可利用旋转涂布法进行硬掩膜组合物的涂布。
形成硬掩膜层的工艺可包括在约100℃至500℃进行热处理。
[有益效果]
根据一实施例，可确保优良的光学性质，同时获得良好的溶剂溶解度、填沟特性以及平坦化特性。
具体实施方式
以下将详细描述本发明的示范性实施例，且具有相关领域通常知识者可轻易实施。然而，此揭示可以多种不同形式实施，并不解释为限于此处所阐述的示范性实施例。
在本说明书中，当无另外提供定义时，“经取代”指具有至少一个选自卤素原子(F、Cl、Br或I)、羟基、烷氧基、硝基、氰基、氨基、迭氮基、甲脒基、肼基、亚肼基、羰基、氨甲酰基、硫醇基、酯基、羧基或其盐类、磺酸基或其盐类、磷酸或其盐类、C1至C20的烷基、C2到C20的烯基、C2至C20的炔基、C6至C30的芳香基、C7至C30的芳烷基、C1至C4的烷氧基、C1至C20的杂烷基、C3至C20的杂芳烷基、C3至C30的环烷基、C3至C15的环烯基、C6至C15的环炔基、C2至C30的杂环烷基，及其组合的取代基取代化合物的氢原子。
在本说明书中，当无另外提供定义时，“杂”指包括1至3个选自N、O、S或P的杂原子。
以下根据一实施例描述用于硬掩膜组合物的单体。
一种硬掩膜组合物，可以下列化学式1表示。
[化学式1]
在上述的化学式1中，A、A′、L、L′、X以及n的定义如下。
A及A’各自独立地为经取代或未经取代的C5至C60的芳香族环基；经取代或未经取代的C5至C60的脂肪族环基；经取代或未经取代的C2至C60的芳香族杂环基；经取代或未经取代的C2至C60的脂肪族杂环基或其组合，
X为氢原子、氧原子、卤素原子、羟基、亚硫酰基、硫醇基、氰基、经取代或未经取代的氨基、经取代或未经取代的C1至C30的烷基、经取代或未经取代的C1至C20的烷胺基，或经取代或未经取代的C1至C30的烷氧基，
L为单键或双键，
L′为单键，或经取代或未经取代的C1至C6的亚烷基，及
n为1至3的整数。
当X为氧原子时，L为双键。当X为氢、卤素原子、羟基、亚硫酰基、硫醇基、氰基、经取代或未经取代的氨基、经取代或未经取代的C1至C30的烷基、经取代或未经取代的C1至C20的烷胺基，或经取代或未经取代的C1至C30的烷氧基时，L为单键。
在上述的化学式1中，链接于A与A′的取代基不取代A与A′特定的环，但可取代A与A′所有环上的氢。
单体的核心部分包括芳香族环基或脂肪族环基，单体的取代基部分包括至少一个芳香族环基或脂肪族环基，故可具有刚性(rigid)。
单体在结构上具有羧基取代基。羧基释放出酸并促进交联反应，因此可在短时间内增强单体的交联，并达成良好的交联特性。
因此，尽管在相对低温进行热处理，单体在短时间内交联为聚合物，并且能达成硬掩膜层所需的良好机械特性、耐热性、抗化学腐蚀性以及抗蚀刻性。
特别的是，单体分子量相对低，但上述结构可达成良好的交联特性，故不会产生逸出气体。
核心部分可衍生自由下列组群1中选择的酸酐化合物。
[组群1]
核心部分可为经取代或未经取代的苯基、经取代或未经取代的萘基、经取代或未经取代的联苯基、经取代或未经取代的芘基、经取代或未经取代的苝基、经取代或未经取代的苯并苝基、经取代或未经取代的蔻基或其组合。
取代基部分可包括经取代或未经取代的苯基、经取代或未经取代的萘基、经取代或未经取代的联苯基、经取代或未经取代的芘基、经取代或未经取代的苝基、经取代或未经取代的苯并苝基、经取代或未经取代的蔻基或其组合。
另外，位于单体的取代基部分的芳香族环基或脂肪族环基可包括至少一个羟基。因此，单体对溶剂的溶解度亦高，并具有良好的交联特性，且因此可制备为溶液，因此溶液可被旋转涂布。
另外，当单体在旋转涂布于具有预先定义图案的较低层上时，单体填入图案间隙时亦具有良好的沟填以及平坦化特性。
单体的X为氢原子、氧原子、卤素原子、羟基、亚硫酰基、硫醇基、氰基、经取代或未经取代的氨基、经取代或未经取代的C1至C30的烷基、经取代或未经取代的C1至C20的烷胺基，或经取代或未经取代的C1至C30的烷氧基。
当X为氧原子时，L为双键。当X为氢、卤素原子、羟基、亚硫酰基、硫醇基、氰基、经取代或未经取代的氨基、经取代或未经取代的C1至C30的烷基、经取代或未经取代的C1至C20的烷胺基，或经取代或未经取代的C1至C30的烷氧基时，L为单键。
单体可以是例如由下列的化学式1-1、1-2或1-3表示。
[化学式1-1]
[化学式1-2]
[化学式1-3]
在上述的化学式1-1、1-2以及1-3中，
L′a、L′b、L′c、L′d、L′e以及L′f各自独立地表示单键或经取代或未经取代的C1至C6的亚烷基，
ma、mb、me、以及mf各自独立地为0至9的整数，以及
mc以及md各自独立地为0至11的整数。
特别是，ma、mb、mc、md、me以及mf表示取代的羟基数目。
用于硬掩膜组合物的单体可以下列的化学式1-1a、1-1b、1-2a、1-2b或1-3a表示。
[化学式1-1a]
[化学式1-1b]
[化学式1-2a]
[化学式1-2b]
[化学式1-3a]
用于硬掩膜组合物的单体的分子量可为300至3000。当单体的分子量在上述范围内，会增强碳含量高的单体对溶剂的溶解度，并且透过旋转涂布可得到较好的薄层。
以下根据一实施例描述硬掩膜组合物。
根据一实施例，硬掩膜组合物包括单体以及溶剂。
单体与前述相同，并且可单独使用一种单体或可混合两种或多于两种单体。
溶剂可为任何对单体有充份溶解度或分散性的溶剂，并且可为例如是选择自于以下所列的至少一种溶剂：丙二醇、丙二醇二乙酸酯、甲氧基丙二醇、二乙二醇、二乙二醇丁醚、三(乙二醇)单甲醚、丙二醇单甲醚、丙二醇单甲醚醋酸酯、环己酮、乳酸乙酯、γ-丁内酯、甲基吡咯烷酮、乙酰丙酮或3-乙氧基丙酸乙酯。
单体的含量可为基于硬掩膜组合物总量的大约1重量％至30重量％。当含有的单体在上述范围内，可得到所需的涂布薄膜厚度。
硬掩膜组合物更可以包括界面活性剂。
界面活性剂可以包括，例如，烷基苯磺酸盐、烷基吡啶盐、聚乙二醇或季铵盐，但不限于此。
基于100重量份的硬掩膜组合物，界面活性剂的含量可为大约0.001重量份至3重量份。在上述范围内，可不改变硬掩膜组成的光学性质而确保溶解度。
以下，描述使用硬掩膜组合物的图案形成方法。
根据一实施例，图案形成方法包括在基底上提供材料层，将含有单体以及溶剂的硬掩膜组合物涂布于材料层上，对硬掩膜组合物进行热处理以形成硬掩膜层，在硬掩膜层上形成含硅薄膜，在含硅薄膜上形成光阻层，对光阻层进行曝光与显影以形成光阻图案，利用光阻图案选择性移除含硅薄膜以及硬掩膜层以裸露出部分材料层，并对材料层裸露出的部分进行蚀刻。
基底可为，例如，硅晶圆、玻璃基板或高分子基板。
材料层是最终会被图案化的材料，举例来说，金属层例如是铝层以及铜层、半导体层例如是硅层、或绝缘层例如是氧化硅层以及氮化硅层。材料层可由例如化学气相沉积法形成。
硬掩膜组合物可以溶液的形式藉由旋转涂布(spin-on coating)来涂覆。此处，硬掩膜组合物的厚度并无特别限定，但可以是，例如大约100埃至大约50,000埃。
可以对硬掩膜组合物进行热处理，例如在100℃至500℃进行大约10秒至10分钟的热处理。在热处理时，单体可产生自交联及/或相互交联反应。
硬掩膜上可更进一步形成辅助层。此处，辅助层可为含硅薄膜，其可由例如氮化硅或氧化硅构成。
含硅薄膜的辅助层上可更进一步形成底部抗反射层(bottom anti-reflective coating，BARC)。
光阻层的曝光可用例如ArF、KrF或EUV进行。曝光后，可进行大约100℃至500℃的热处理。
材料层裸露出的部分的蚀刻工艺可透过利用蚀刻气体的干式蚀刻进行，蚀刻气体可以为例如CHF3、CF4、Cl2、BCl3或其混合气体。
被蚀刻的材料层可以形成多个图案，且所述多个图案可为金属图案、半导体图案、隔离图案等，例如半导体积体电路元件的多种图案。
发明模式
以下，以实施例为参考更详细地说明本揭示。然而这些实施例为例示性的，且本揭示不限于此。
单体的合成
合成例1
第一步：偶联反应(夫里德耳-夸夫特酰化，Friedel-Craft Acylation)
将4.7克焦蜜石酸二酐(pyromellitic dianhydride)、10.0克1-甲氧芘以及287克1，2-二氯乙烷置于烧瓶中搅拌。将17.22克氯化铝缓慢加入溶液中，加热混合物并在60℃搅拌12小时。当反应完全，将反应物逐滴加入甲醇中，过滤其中生成的沉淀并干燥。
第二步：去甲基反应(Demethylation)
将于第一步中得到的化合物10.00克、14.82克1-十二硫醇、4.93克氢氧化钾以及69.43克N，N-二甲基甲酰胺置于烧瓶中并在110℃搅拌8小时。将反应物冷却，并以5％盐酸中和至pH值约6-7，将其中生成的沉淀过滤并干燥，得到以下列化学式1-1a表示的单体。
[化学式1-1a]
合成例2
偶联反应(Friedel-Craft Acylation)
将5.4克焦蜜石酸二酐、10.0克芘以及316.8克1，2-二氯乙烷置于烧瓶并搅拌。将19.8克氯化铝缓慢加入溶液中，加热混合物并在60℃搅拌12小时。当反应完全，将由甲醇逐滴加入反应物中得到的沉淀过滤并干燥，得到以下列化学式1-1b表示的单体。
[化学式1-1b]
合成例3
第一步：偶联反应(Friedel-Craft Acylation)
将3.3克焦蜜石酸二酐、10.0克1-甲氧蔻以及228.8克1，2-二氯乙烷置于烧瓶中并搅拌。将12.1克氯化铝缓慢加入溶液中，加热混合物并在60℃搅拌12小时。当反应完全，将反应物逐滴加入甲醇中，过滤其中生成的沉淀并干燥。
第二步：去甲基反应(Demethylation)
将于第一步中得到的化合物7.0克、8.1克1-十二硫醇、2.7克氢氧化钾以及41.4克N，N-二甲基甲酰胺置于烧瓶中并在110℃搅拌8小时。将反应物冷却，并以5％盐酸中和至pH值约6-7，将其中生成的沉淀过滤并干燥，得到以下列化学式1-2a表示的单体。
[化学式1-2a]
合成例4
偶联反应(Friedel-Craft Acylation)
将5.45克焦蜜石酸二酐、15.0克蔻以及364.0克1，2-二氯乙烷置于烧瓶并搅拌。将20.0克氯化铝缓慢加入溶液中，加热混合物并在60℃搅拌12小时。当反应完全，将反应物逐滴加入甲醇中，过滤其中生成的沉淀并干燥，得到以下列化学式1-2b表示的单体。
[化学式1-2b]
合成例5
第一步：偶联反应(Friedel-Craft Acylation)
将12.67克苝四羧酸二酐、15.0克1-甲氧芘以及481.7克1，2-二氯乙烷置于烧瓶中并搅拌。将25.85克氯化铝缓慢加入溶液中，加热混合物并在60℃搅拌12小时。当反应完全，将反应物逐滴加入甲醇中，过滤其中生成的沉淀并干燥。
第二步：去甲基反应(Demethylation)
将于第一步中得到的化合物15.00克、17.3克1-十二硫醇、5.8克氢氧化钾以及88.75克N，N-二甲基甲酰胺置于烧瓶中并在110℃搅拌8小时。将反应物冷却，并以5％盐酸中和至pH值约6-7，将其中生成的沉淀过滤并干燥，得到以下列化学式1-3a表示的单体。
[化学式1-3a]
比较合成例1
偶联反应(Friedel-Craft Acylation)
将50.0克蔻、46.8克苯甲酰氯以及330克1，2-二氯乙烷置于烧瓶。将44.4克氯化铝于室温缓慢加入溶液中，加热混合物至60℃并搅拌8小时。当反应完全，将由甲醇逐滴加入溶液中得到的沉淀过滤并干燥，得到以下列化学式2表示的单体。
[化学式2]
比较合成例2
将8.75克α，α′-二氯对二甲苯、26.66克氯化铝以及200克γ-丁内酯置于烧瓶中。将35.03克4，4′-(9-亚芴基)二苯酚溶解于200克γ-丁内酯所制备的溶液缓慢加入上述溶液中，并将混合物在120℃搅拌12小时。聚合反应后，以水移除其中的酸之后，浓缩反应物。其后，以甲基戊基酮与甲醇稀释聚合产物，加入甲基戊基酮/甲醇为4/1(重量比)的溶液将稀释后溶液的浓度调整至15wt％。将溶液装于分液漏斗，加入正庚烷以移除低分子量的单体，得到以下列化学式3表示的聚合物。包含芳香环的化合物的重均分子量为2,590，多分散性(polydispersity)为1.69。
[化学式3]
硬掩膜组合物的制备
实施例1至实施例5
将根据合成例1至合成例5的单体分别溶解于丙二醇单甲醚醋酸酯(PGMEA)与环己酮(cyclohexanone)(7∶3(v/v))的混合溶剂中，接着过滤，制备硬掩膜组合物。
比较例1及2
将根据比较合成例1的单体以及根据比较合成例2的聚合物分别溶解于丙二醇单甲醚醋酸酯(PGMEA)与环己酮(cyclohexanone)(7∶3(v/v))的混合溶剂中接着过滤，制备硬掩膜组合物。
评估1：耐热性评估
将10.0重量％的根据实施例1至实施例5的硬掩膜组合物以及根据比较例1的硬掩膜组合物旋转涂布于硅晶圆上。将膜于加热板上以240℃烘烤1分钟，量测其厚度，接着将膜于400℃烘烤2分钟，再次量测其厚度。根据膜在两个温度下的两个厚度，用下列计算式1计算减损率以将硬掩膜膜的相对耐热性数字化。
[计算式1]
(于240℃烘烤后的薄膜厚度-于400℃烘烤后的薄膜厚度)/于240℃烘烤后的薄膜厚度x 100(％)
结果示于下表1。
[表1]
请参照表1，将依据实施例1至实施例5的硬掩膜组合物与依据比较例1的硬掩膜组合物所形成的硬掩膜层的厚度减损率进行比较。实施例1至实施例5的硬掩膜组合物的耐热性较比较例1的硬掩膜组合物高。
评估2：抗化学腐蚀性评估
将10.0重量％的根据实施例1至实施例5的硬掩膜组合物以及根据比较例1的硬掩膜组合物皆旋转涂布于硅晶圆上。将膜于加热板上以240℃烘烤1分钟，接着于20℃冷却1分钟。其后，将一半的晶圆浸于有机溶剂混合溶液的溶解溶液1分钟并干燥，接着分别测量浸于溶液以及未浸于溶液部分的厚度。依据下列计算式2，计算薄膜在有机溶剂中的溶解率，以将薄膜的抗化学腐蚀性特性数字化。
[计算式2]
(于240℃烘烤后的薄膜厚度-于240℃烘烤后的浸于有机溶剂混合溶液的薄膜厚度)/于240℃烘烤后的薄膜厚度x 100(％)
结果示于下表2。
[表2]
请参照表2，相较于根据比较例1的硬掩膜组合物形成的硬掩膜层，根据实施例1至实施例5的硬掩膜组合物形成的硬掩膜层浸于有机溶剂混合溶液后展示较小薄膜溶解率。因此，相较于比较例1的硬掩膜组合物，实施例1至实施例5的硬掩膜组合物具有良好的抗化学腐蚀性。
评估3：抗蚀刻性评估
将13.0重量％的根据实施例1至实施例5以及比较例2的硬掩膜组合物皆旋转涂布于硅晶圆上，于加热板上以400℃烘烤2分钟，并量测其厚度。以N2/O2混合气体对薄膜分别进行干式蚀刻60秒，并量测其厚度。接着根据蚀刻前与蚀刻后的膜厚度以及蚀刻时间，用下列计算式3计算块材蚀刻速率(bulk etch reate，BER)，以将薄膜的抗蚀刻特性数字化。
[计算式3]
(初始薄膜厚度-蚀刻后薄膜厚度)/蚀刻时间(埃/秒)
结果示于下表3。
[表3]
请参照表3，相较于根据比较例2的硬掩膜组合物形成的硬掩膜层，根据实施例1至实施例5的硬掩膜组合物形成的硬掩膜层的蚀刻速率较低。因此，相较于比较例2的硬掩膜组合物，实施例1至实施例5的硬掩膜组合物具有较高的薄膜抗蚀刻性。
评估4：逸出气体评估
将根据实施例1至实施例5的硬掩膜组合物与比较例1的硬掩膜组合物皆旋转涂布约800埃的厚度于硅晶圆上，接着在180℃预先烘烤60秒，继之，以石英晶体微天平QCM(Quartz Crystal Microbalance)测量在400℃烘烤120秒期间产生的逸出气体。
逸出气体评估的结果示于下表4。
[表4]
请参照表4，根据实施例1至实施例5的硬掩膜组合物在高温(400℃)烘烤期间无逸出气体产生，故在高温下能被稳定处理。反之，比较例1的硬掩膜组合物产生相对较多的逸出气体，因此可能较不适于高温工艺。
虽然本发明已以实施例揭示如上，然而应该理解到，其并非用以限定本发明于已揭示的实施例，反而，是意图为包含所附权利要求中的各种更动与等价排列。

Claims (12)

1.一种用于硬掩膜组合物的单体，以下列化学式1表示：
[化学式1]
其中，在上述化学式1中，
A及A’各自独立地表示经取代或未经取代的C5至C60的芳香族环基、经取代或未经取代的C5至C60的脂肪族环基、经取代或未经取代的C2至C60的芳香族杂环基、经取代或未经取代的C2至C60的脂肪族杂环基或其组合，
X为氢原子、氧原子、卤素原子、羟基、亚硫酰基、硫醇基、氰基、经取代或未经取代的氨基、经取代或未经取代的C1至C30的烷基、经取代或未经取代的C1至C20的烷胺基，或经取代或未经取代的C1至C30的烷氧基，
L为单键或双键，
L′为单键，或经取代或未经取代的C1至C6的亚烷基，以及
n为1至3的整数。
若当所述X为氧原子时，所述L为双键，若当所述X为氢原子、卤素原子、羟基、亚硫酰基、硫醇基、氰基、经取代或未经取代的氨基、经取代或未经取代的C1至C30的烷基、经取代或未经取代的C1至C20的烷胺基，或经取代或未经取代的C1至C30的烷氧基时，L为单键。
2.根据权利要求1所述的用于硬掩膜组合物的单体，其中A为衍生自由下列组群1中选出的酸酐化合物：
[组群1]
3.根据权利要求1所述的用于硬掩膜组合物的单体，其中A及A’各自独立地表示经取代或未经取代的苯基、经取代或未经取代的萘基、经取代或未经取代的联苯基、经取代或未经取代的芘基、经取代或未经取代的苝基、经取代或未经取代的苯并苝基、经取代或未经取代的蔻基或其组合。
4.根据权利要求1所述的用于硬掩膜组合物的单体，其中A′的至少一个氢被羟基取代。
5.根据权利要求1所述的用于硬掩膜组合物的单体，其中所述单体是以下列化学式1-1、1-2或1-3表示：
[化学式1-1]
[化学式1-2]
[化学式1-3]
其中，在上述化学式1-1、1-2以及1-3中，
L′a、L′b、L′c、L′d、L′e以及L′f各自独立地为单键或经取代或未经取代的C1至C6的亚烷基，
ma、mb、me以及mf各自独立地为0至9的整数，
mc以及md各自独立地为0至11的整数，
(而ma、mb、mc、md、me以及mf表示取代的羟基数目。)
6.根据权利要求5所述的用于硬掩膜组合物的单体，其中所述单体是以下列化学式1-1a、1-1b、1-2a、1-2b或1-3a表示：
[化学式1-1a]
[化学式1-1b]
[化学式1-2a]
[化学式1-2b]
[化学式1-3a]
7.根据权利要求1所述的用于硬掩膜组合物的单体，其中所述单体的分子量为300至3000。
8.一种硬掩膜组合物，包括：
根据权利要求1至7中的任一项所述的单体；以及
溶剂。
9.根据权利要求8所述的硬掩膜组合物，其中基于硬掩膜组合物的总量，所述单体的含量为1重量％至30重量％。
10.一种图案形成方法，包括：
在基底上提供材料层；
将根据权利要求8所述的硬掩膜组合物涂布于所述材料层上；
热处理所述硬掩膜组合物以形成硬掩膜层；
于所述硬掩膜层上形成含硅薄膜；
于所述含硅薄膜上形成光阻层；
对所述光阻层进行曝光与显影以形成光阻图案；
利用所述光阻图案选择性移除所述含硅薄膜以及所述硬掩膜层，以裸露出部分所述材料层；以及
对所述材料层裸露出的部分进行蚀刻。
11.根据权利要求10所述的图案形成方法，其中使用旋转涂布法来涂布所述硬掩膜组合物。
12.根据权利要求10所述的图案形成方法，其中形成硬掩膜层的工艺包括在100℃至500℃进行热处理。
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