CN104810259A

CN104810259A - 晶圆及其处理方法和半导体结构的形成方法

Info

Publication number: CN104810259A
Application number: CN201410042095.3A
Authority: CN
Inventors: 骆凯玲; 丁敬秀; 郭亮良; 张先明
Original assignee: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp; Semiconductor Manufacturing International Beijing Corp
Current assignee: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp; Semiconductor Manufacturing International Beijing Corp
Priority date: 2014-01-28
Filing date: 2014-01-28
Publication date: 2015-07-29
Anticipated expiration: 2034-01-28
Also published as: CN104810259B

Abstract

一种晶圆及其处理方法和半导体结构的形成方法。其中，所述晶圆的处理方法包括：提供晶圆，所述晶圆具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，所述晶圆还具有边缘，所述边缘包括上斜截面、侧面和下斜截面，所述边缘呈梯形，所述侧面构成梯形的上底，所述上斜截面和下斜截面分别构成梯形的两腰；在所述第一表面和所述第二表面上形成掩膜层，所述掩膜层暴露所述边缘；以所述掩膜层为掩模，对所述上斜截面、侧面和下斜截面进行离子掺杂；去除所述掩膜层。所述晶圆的处理方法中，在离子掺杂后，晶圆的边缘中，上斜截面、侧面和下斜截面都被钝化，从而防止因晶圆的边缘被破坏而导致后续处理加工过程中出现异常。

Description

晶圆及其处理方法和半导体结构的形成方法

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其是涉及一种晶圆及其处理方法和半导体结构的形成方法。

背景技术

随着半导体制造技术的飞速发展，半导体结构朝向更高的元件密度和更大的集成度方向发展。其中微电子机械系统（Micro Electro Mechanical System，MEMS）器件在工业控制领域的应用越来越广泛。为了制造诸如MEMS器件等半导体结构，通常需要采用各向异性湿法刻蚀工艺刻蚀晶圆，例如在晶圆中刻蚀出沟槽以放置反光元件。

请参考图1，现有半导体结构的形成过程通过包括以下步骤：提供晶圆100，晶圆100具有边缘（edge）101（图1中用虚线框包围的区域表示边缘101），边缘101包括上斜截面101A、侧面101B和下斜截面101C；在晶圆100第一表面（未标注）和第二表面（未标注）分别沉积第一硬掩膜层110和第二硬掩膜层120；以第一硬掩膜层110和第二硬掩膜层120为掩模，通过各向异性湿法刻蚀工艺对晶圆100进行刻蚀。然而，在对晶圆100进行湿法刻蚀工艺时，通常会对晶圆100的边缘101造成破坏，进而导致晶圆100在后续处理加工过程中出现异常。

为防止上述情况的发生，业界通常采用的方法是在晶圆边缘制作保护层进行保护。

请参考图2，示出了现有晶圆边缘的保护结构。晶圆200具有边缘201（图2中用虚线框包围的区域表示边缘201），边缘201包括上斜截面201A、侧面201B和下斜截面201C，边缘201被保护层210所包覆，保护层210作为保护结构保护边缘201在后续半导体结构形成过程中不受破坏。

保护层210需要一直保留到半导体结构形成之后才可以去除，以防止半导体结构形成过程中采取的各种（刻蚀工艺）工艺对边缘201造成破坏。因此，保护层210通常不可以是光刻胶材料，因为光刻胶材料会在半导体结构形成过程中产生污染物（contamination），对半导体结构造成污染。

形成保护层210的过程可以为：在晶圆200的表面（包括第一表面和第二表面，未标注）和边缘201形成氧化物层（未示出）；然后对氧化物层进行图案化直至形成保护层210。

在图案化上述氧化物层的过程中，通常需要使用光刻胶（未示出）。但是，业界共知的，光刻胶在晶圆200的边缘201处通常涂布不均匀，不能得到很好的图形，而且容易发生脱落和剥离（Peeling）而影响其它部分的图形，所以，必须去除边缘201处的光刻胶。因此，如果采用正性光刻胶用于制作保护层210，由于涂布在边缘201处的光刻胶涂布不均匀，容易脱落和剥离，故通常无法得到所需的保护层210。因此，通常只能使用负性光刻胶来形成保护层210。可见，整个保护层210的制作过程工艺复杂，并且成本高昂。

为此，需要一种新的晶圆及其处理方法和半导体结构的形成方法，以防止在半导体结构的形成过程中，在对晶圆进行刻蚀工艺时，对晶圆的边缘造成破坏，从而防止晶圆边缘影响半导体结构的形成，并简化工艺步骤，降低工艺成本。

发明内容

本发明解决的问题是提供一种晶圆及其处理方法和半导体结构的形成方法，以防止在半导体结构形成过程中晶圆的边缘受到破坏。

为解决上述问题，本发明提供一种晶圆的处理方法，包括：

提供晶圆，所述晶圆具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，所述晶圆还具有边缘，所述边缘包括上斜截面、侧面和下斜截面，所述边缘呈梯形，所述侧面构成梯形的上底，所述上斜截面和下斜截面分别构成梯形的两腰，所述上斜截面连接所述侧面和所述第一表面，所述下斜截面连接所述侧面和所述第二表面；

在所述第一表面和所述第二表面上形成掩膜层，所述掩膜层暴露所述边缘；

以所述掩膜层为掩模，对所述上斜截面、侧面和下斜截面进行离子掺杂；

去除所述掩膜层。

可选的，所述离子掺杂采用的离子包括硼离子。

可选的，所述硼离子的掺杂浓度大于或者等于1E20/cm²，掺杂的厚度大于或者等于10μm。

可选的，所述掩膜层的材料为光刻胶，形成所述掩膜层的过程包括：

在所述第一表面和所述第二表面旋涂光刻胶；

进行边缘光刻胶去除直至暴露所述边缘。

可选的，所述光刻胶为正性光刻胶。

为解决上述问题，本发明还提供了一种半导体结构的形成方法，所述形成方法采用如上所述的晶圆的处理方法，并且，所述形成方法还包括：在去除所述掩膜层之后，采用四甲基氢氧化铵溶液对所述晶圆进行各向异性湿法刻蚀。

可选的，在去除所述掩膜层之后，且在采用四甲基氢氧化铵溶液对所述晶圆进行各向异性湿法刻蚀之前，所述形成方法还包括：

在所述第一表面形成第一硬掩膜层，在所述第二表面形成第二硬掩膜层；

在采用四甲基氢氧化铵溶液对所述晶圆进行各向异性湿法刻蚀时，以所述第一硬掩膜层和所述第二硬掩膜层为掩模。

可选的，在形成所述掩膜层之前，所述形成方法还包括：

为解决上述问题，本发明还提供了一种晶圆，所述晶圆具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，所述晶圆还具有边缘，所述边缘包括上斜截面、侧面和下斜截面，所述边缘呈梯形，所述侧面构成梯形的上底，所述上斜截面和下斜截面构成梯形的腰，所述上斜截面连接所述侧面和所述第一表面，所述下斜截面连接所述侧面和所述第二表面，所述上斜截面、侧面和下斜截面掺杂有离子。

可选的，所述离子包括硼离子，所述离子在所述上斜截面、侧面和下斜截面中的掺杂厚度大于或者等于10μm，所述离子的掺杂浓度大于或者等于1E20/cm²。

与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点：

本发明的技术方案首先提供晶圆，所述晶圆具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，所述晶圆还具有边缘，所述边缘包括上斜截面、侧面和下斜截面，所述边缘呈梯形，所述侧面构成梯形的上底，所述上斜截面和下斜截面分别构成梯形的两腰，所述上斜截面连接所述侧面和所述第一表面，所述下斜截面连接所述侧面和所述第二表面；在所述第一表面和所述第二表面上形成掩膜层，所述掩膜层暴露所述边缘；以所述掩膜层为掩模，对所述上斜截面、侧面和下斜截面进行离子掺杂；去除所述掩膜层。在离子掺杂后，晶圆的边缘中，上斜截面、侧面和下斜截面都被钝化，后续的刻蚀工艺对晶圆边缘的上斜截面、侧面和下斜截面的蚀刻速率均较小，因此后续的刻蚀工艺不会对上斜截面、侧面和下斜截面造成破坏，从而防止因晶圆的边缘被破坏而导致后续处理加工过程中出现异常。

进一步，掩膜层的材料选择为正性光刻胶。现有方法中，为了形成保护晶圆边缘的保护层，只能采用负性光刻胶。而本发明中，掩膜层只需形成在晶圆的边缘以外的区域，其作用是作为离子掺杂时的掩模，因此，可用正性光刻胶直接在晶圆表面上旋转涂胶形成掩膜层，从而节省工艺步骤和成本。

附图说明

图1是现有半导体结构的形成过程对应的剖面结构示意图；

图2是现有晶圆边缘的保护结构剖面示意图；

图3至图5是本发明实施例晶圆的处理方法各步骤对应的剖面结构示意图；

图6是本发明实施例半导体结构的形成方法对应的剖面结构示意图。

具体实施方式

正如背景技术所述，现有晶圆的处理方法中，需要先形成氧化物层，再利用负性光刻胶对氧化物层进行图案化，从而形成覆盖晶圆边缘的保护层，并且保护层需要一直保留到相应的半导体结构制作完成后，之后需要特定的工艺去除此保护层，因此整个过程工艺步骤复杂，工艺成本高。

为此，本发明提供一种晶圆的处理方法，所述形成方法首先提供晶圆，所述晶圆的边缘具有上斜截面、侧面和下斜截面，然后在所述晶圆表面形成掩膜层，所述掩膜层暴露所述上斜截面、侧面和下斜截面，之后以所述掩膜层为掩模，对所述上斜截面、侧面和下斜截面进行离子掺杂，最后去除所述掩膜层。在离子掺杂后，晶圆的边缘中，上斜截面、侧面和下斜截面都被钝化，形成离子掺杂区，离子掺杂区位于晶圆边缘的上斜截面、侧面和下斜截面内，离子掺杂区的存在可以防止后续各向异性湿法刻蚀破坏晶圆边缘，从而防止因晶圆的边缘被破坏而导致后续处理加工过程中出现异常，并且简化工艺，降低工艺成本。

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施例做详细的说明。

本发明一实施例提供一种晶圆的处理方法，以下结合图3至图5对本实施例所提供的晶圆的处理方法加以说明。

请参考图3，所述晶圆的处理方法首先提供晶圆300。图3为晶圆300的部分剖面示意图，可沿晶圆300表面（可以为第一表面或第二表面）任意一条直径，垂直此表面剖开晶圆300，得到图3所示剖面示意图。

从图3中的剖面图可以看到，晶圆300具有第一表面（未标注）和与所述第一表面相对的第二表面（未标注），晶圆300还具有边缘301，边缘301具有上斜截面301A、侧面301B和下斜截面301C，所述边缘301在图3所示的剖面中呈梯形，侧面301B在图3所示的剖面中构成梯形的上底，上斜截面301A和下斜截面301C在图3所示的剖面中分别构成梯形的两腰，梯形的下底为垂直第一表面和第二表面的连线（未示出）。上斜截面301A连接侧面301B和所述第一表面，下斜截面301C连接侧面301B和所述第二表面。

需要说明的是，图3中仅示出了晶圆300的一部分结构的截面示意图，因此图3中的右侧以曲线隔开，表示晶圆300其它部分未示出，本说明书其它各图作了相同处理，后续不再赘述。

本实施例中，晶圆300可以为半导体集成电路制作所用的硅（单）晶片。在一个具体的例子中，上斜截面301A和下斜截面301C相互对称，它们的宽度w均为约329μm，它们的高度h均为约135.6μm，它们都围绕晶圆300（通常为圆形）一周，并且它们与侧面的夹角相等，均为钝角。而侧面301B的高度H为约453.8μm。将晶圆300的边缘301制作成具有上斜截面301A和下斜截面301C其中一个目的是方便后继晶圆300放入晶舟（cassette）中，并且也方便机械手等夹持。

需要说明的是，晶圆300的边缘301各表面的尺寸也可以根据实际情况调整。

请继续参考图3，在晶圆300的所述第一表面和第二表面形成掩膜层310，掩膜层310暴露晶圆300的边缘301，即掩膜层310暴露上斜截面301A、侧面301B和下斜截面301C。

本实施例中，掩膜层310的材料可以为光刻胶，形成掩膜层310的过程包括：在晶圆300的正面和背面旋涂光刻胶，软烘之后，进行边缘光刻胶去除（Edge Bead Removal，EBR）直至暴露上斜截面301A、侧面301B和下斜截面301C。

进行EBR的原因如前所述：通常在旋涂光刻胶后，在晶圆300的边缘301的正反两面都会有光刻胶的堆积，位于边缘301的光刻胶一般涂布不均匀，不能得到很好的图形，而且容易发生剥离（Peeling）而影响其它部分的图形，所以需要去除边缘301的光刻胶。

具体的，可以采用化学方法进行边缘光刻胶去除（Chemical EBR）。即在软烘后，用电子级丙二醇甲醚醋酸酯（PGMEA）或乙二醇乙醚乙酸酯（EGMEA）去边溶剂，喷出少量在正反面边缘301出，并小心控制不要到达光刻胶有效区域。也可以采用光学方法（Optical EBR），即硅片边缘301曝光（Wafer Edge Exposure，WEE）。在完成图形的曝光后，用激光曝光晶圆300的边缘301，然后在显影或特殊溶剂中溶解。

本实施例中，形成掩膜层310的光刻胶进一步可以为正性光刻胶。由背景技术中的描述可知，现有方法中为形成保护层，通常只能使用负性光刻胶。但是，本实施例中，掩膜层310可以直接采用正性光刻胶，因为掩膜层310只需形成在晶圆300的边缘301以外的区域，因此，可用正性光刻胶直接在晶圆300表面上旋转涂胶，然后进行软烘，从而节省工艺步骤和成本。

需要说明的是，虽然本实施例采用正性光刻胶，简化了掩膜层310的制作工艺，降低了工艺成本，但是在本发明的其它实施例中，掩膜层310仍然可以采用负性光刻胶材料。

请参考图4，以掩膜层310为掩模，对上斜截面301A、侧面301B和下斜截面301C进行离子掺杂。

本实施例中，离子掺杂所采用的离子包括硼离子（B³⁺）。并且，其中一种具体的离子掺杂过程可以包括两个阶段：即氧化硼层形成阶段和硼离子扩散阶段。

氧化硼层形成阶段即在上斜截面301A、侧面301B和下斜截面301C上覆盖形成氧化硼层。在氧化硼层形成阶段，可将晶圆300置于加热炉中，在加热炉中引入三氯化硼、氮气、氢气和氧气，可一次使得多个晶圆300呈连续放置，并且多个晶圆300在相对气流方向的行列正交排列，各晶圆300表面相互平行，从而保证有足够的气流在每个晶圆300上。然后将温度提高到800℃～1000℃的范围内。在此温度下，硼固体的溶解度和扩散度是相对较低的，因此氧化硼层形成率较高，并且可以通入水蒸汽，在氢气和氧气同时与水蒸气一同存在的情况下，氧化硼层的形成率更高，水蒸汽的作用是加快氧化硼层的形成，从而在一个相对较短的时间内使大量富含硼的氧化硼层沉积到硅晶圆300表面。最终形成的氧化硼层中，硼的浓度远大于为达到掺杂晶圆300所需的浓度。但在这个阶段，只有很小一部分的硼离子扩散进入硅晶圆300的边缘301中。

硼离子扩散阶段则是使氧化硼层中的硼离子扩散到上斜截面301A、侧面301B和下斜截面301C上内。当有充足的氧化硼层沉积到硅晶圆300表面后，进行硼离子扩散阶段。将温度经过约十几分钟的时间慢慢提升至1025℃左右，在此温度保持25分钟。氧化硼中的硼离子将溢出氧化硼层并扩散进入晶圆300的边缘301各表面（即上斜截面301A、侧面301B和下斜截面301C）内。硼离子以间隙式扩散和替位式扩散并存的扩散形式进入晶圆300的边缘301的各表面。只要在晶圆300表面有充足量的氧化硼层，掺杂率就只取决于温度，而与氧化硼的量无关。在经过上述的一个周期后，晶圆300被移出，剩余的氧化硼层将在体积比为10:1（稀释）的HF溶液中被腐蚀掉。

在采用上述方法对上斜截面301A、侧面301B和下斜截面301C进行离子掺杂之后，晶圆300的边缘301中，形成了离子掺杂区3011，离子掺杂区3011位于上斜截面301A、侧面301B和下斜截面301C内，离子掺杂区3011的厚度范围可以大于或者等于10μm，离子掺杂区3011内硼离子的掺杂浓度范围可以大于或者等于1E20/cm²。如果离子掺杂区3011内硼离子的浓度太低，不利于保护晶圆300的边缘301。

事实上，后续的各向异性湿法刻蚀对晶圆300表面（除边缘301外的表面）的蚀刻速率与对离子掺杂区3011的蚀刻速率之比达到100:1以上，因此，即使后续各向异性湿法刻蚀工艺蚀刻去除掉晶圆300表面100μm深度的硅，此时各向异性湿法刻蚀工艺对离子掺杂区3011的蚀刻深度也仅为约1μm（此时仍有较厚的离子掺杂区3011保护边缘301），因此，边缘301基本不受各向异性湿法刻蚀的影响。

需要说明的是，在本发明的其它实施例中，也可以采用其它方法对上斜截面301A、侧面301B和下斜截面301C进行离子掺杂。

本实施例中，边缘301的上斜截面301A、侧面301B和下斜截面301C在经过高浓度的硼离子掺杂之后被钝化，因此后续采用的蚀刻工艺对边缘301的蚀刻速率非常低，可以防止在边缘301后续蚀刻过程中受到破坏，从而保证后续晶圆300的减薄和封装等工艺步骤正常进行。

请参考图5，去除图4所示掩膜层310。

本实施例中，掩膜层310为正性光刻胶，因此，可以采用湿法化学清洗去除掩膜层310。现有方法形成的保护层（请参考图2）必须保留到半导体结构的相应刻蚀工艺全部完成之后再去除。而本实施例中，晶圆300的边缘301在离子掺杂后，边缘301表面无须再形成保护层，边缘301本身就具有抗蚀刻的能力（刻蚀工艺对其的蚀刻速率较低），因此，可以直接去除掩膜层310，从而杜绝掩膜层310对后续工艺造成不利影响。

本实施例提供的晶圆的处理方法中，首先提供晶圆300，然后在晶圆300表面形成掩膜层310，掩膜层310暴露上斜截面301A、侧面301B和下斜截面301C，之后以掩膜层310为掩模，对上斜截面301A、侧面301B和下斜截面301C进行离子掺杂，最后去除掩膜层310。在离子掺杂后，晶圆300的边缘310中，上斜截面301A、侧面301B和下斜截面301C都被钝化，因此，后续的刻蚀工艺不会对上斜截面301A、侧面301B和下斜截面301C造成破坏，从而防止因晶圆的边缘被破坏而导致后续处理加工过程中出现异常，并且简化了工艺步骤，降低工艺成本。

请参考图6，本发明实施例还提供一种半导体结构的形成方法，所述半导体结构的形成方法采用本发明上述实施例处理过的晶圆，因此可参考图3至图5相关内容。并且，本实施例所提供的半导体结构的形成方法中，在经过上述实施例去除掩膜层310之后，继续在晶圆300的第一表面形成第一硬掩膜层320，在晶圆300的第二表面形成第二硬掩膜层330。

本实施例中，第一硬掩膜层320和第二硬掩膜层330为形成具体半导体结构的掩模，它们通常具有一定的图案，本实施例进一步的，所述半导体结构可以为MEMS器件。

请继续参考图6，在形成第一硬掩膜层320和第二硬掩膜层330之后，以第一硬掩膜层320和第二硬掩膜层330为掩模，采用四甲基氢氧化铵（TMAH）溶液对晶圆300进行各向异性湿法刻蚀，以为MEMS器件的形成提供空间。

本实施例选用四甲基氢氧化铵溶液对硼离子掺杂区3011的蚀刻，因为，四甲基氢氧化铵溶液对晶圆300的蚀刻速率较大，而对（浓）硼掺杂的硅的蚀刻速率非常小，因此，其基本不会对晶圆300的边缘301造成任何破坏，从而能够使边缘301保持完好，为半导体结构的形成提供前提保证。

需要说明的是，在本发明的其它实施例中，也可以在形成掩膜层310之前，在晶圆300的正面形成第一硬掩膜层320，在晶圆300的背面形成第二硬掩膜层330。然后在采用四甲基氢氧化铵溶液对晶圆300进行蚀刻时，以第一硬掩膜层320和第二硬掩膜层330为掩模。

本实施例提供的半导体结构的形成方法中，首先提供晶圆300，然后在晶圆300表面形成掩膜层310，掩膜层310暴露上斜截面301A、侧面301B和下斜截面301C，之后以掩膜层310为掩模，对上斜截面301A、侧面301B和下斜截面301C进行离子掺杂，最后去除掩膜层310。在离子掺杂后，晶圆300的边缘310中，上斜截面301A、侧面301B和下斜截面301C都被钝化，因此，后续采用四甲基氢氧化铵溶液对晶圆300进行各向异性湿法刻蚀以形成MEMS等半导体结构时，不会对上斜截面301A、侧面301B和下斜截面301C造成破坏，从而防止因晶圆的边缘被破坏而导致后续处理加工过程中出现异常，同时简化了工艺步骤，降低了工艺成本。

本发明实施例还提供一种晶圆，所述晶圆可参考图5所示。

从图5中的剖面图可以看到，晶圆300具有第一表面（未标注）和与所述第一表面相对的第二表面（未标注），晶圆300还具有边缘301，边缘301具有上斜截面301A、侧面301B和下斜截面301C，所述边缘301在图5所示的剖面中呈梯形，侧面301B在图5所示的剖面中构成梯形的上底，上斜截面301A和下斜截面301C在图5所示的剖面中分别构成梯形的两腰，梯形的下底为垂直第一表面和第二表面的连线（未示出）。上斜截面301A连接侧面301B和所述第一表面，下斜截面301C连接侧面301B和所述第二表面。并且，上斜截面301A、侧面301B和下斜截面301C掺杂有离子，形成离子掺杂区3011，离子掺杂区3011位于上斜截面301A、侧面301B和下斜截面301C内。

本实施例中，离子掺杂区3011中掺杂的离子可以包括硼离子，硼离子在上斜截面301A、侧面301B和下斜截面301C中的掺杂厚度可以大于或者等于10μm（即离子掺杂区3011的厚度大于或者等于10μm），离子掺杂区3011中硼离子的掺杂浓度可以大于或者等于1E20/cm²。由于晶圆300的边缘310中，具有离子掺杂区3011，因此上斜截面301A、侧面301B和下斜截面301C都被钝化，因此，后续的刻蚀工艺不会对上斜截面301A、侧面301B和下斜截面301C造成破坏，从而防止因晶圆的边缘被破坏而导致后续处理加工过程中出现异常。

虽然本发明披露如上，但本发明并非限定于此。任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，均可作各种更动与修改，因此本发明的保护范围应当以权利要求所限定的范围为准。

Claims

1.一种晶圆的处理方法，其特征在于，包括：

去除所述掩膜层。

2.如权利要求1所述的处理方法，其特征在于，所述离子掺杂采用的离子包括硼离子。

3.如权利要求2所述的处理方法，其特征在于，所述硼离子的掺杂浓度大于或者等于1E20/cm²，掺杂的厚度大于或者等于10μm。

4.如权利要求1所述的处理方法，其特征在于，所述掩膜层的材料为光刻胶，形成所述掩膜层的过程包括：

在所述第一表面和所述第二表面旋涂光刻胶；

进行边缘光刻胶去除直至暴露所述边缘。

5.如权利要求4所述的处理方法，其特征在于，所述光刻胶为正性光刻胶。

6.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，所述形成方法采用如权利要求1至5任意一项所述的晶圆的处理方法，并且，所述形成方法还包括：在去除所述掩膜层之后，采用四甲基氢氧化铵溶液对所述晶圆进行各向异性湿法刻蚀。

7.如权利要求6所述的形成方法，其特征在于，在去除所述掩膜层之后，且在采用四甲基氢氧化铵溶液对所述晶圆进行各向异性湿法刻蚀之前，所述形成方法还包括：

8.如权利要求6所述的形成方法，其特征在于，在形成所述掩膜层之前，所述形成方法还包括：

9.一种晶圆，所述晶圆具有第一表面和与所述第一表面相对的第二表面，所述晶圆还具有边缘，所述边缘包括上斜截面、侧面和下斜截面，所述边缘呈梯形，所述侧面构成梯形的上底，所述上斜截面和下斜截面构成梯形的腰，所述上斜截面连接所述侧面和所述第一表面，所述下斜截面连接所述侧面和所述第二表面，其特征在于，所述上斜截面、侧面和下斜截面掺杂有离子。

10.如权利要求9所述的晶圆，其特征在于，所述离子包括硼离子，所述离子在所述上斜截面、侧面和下斜截面中的掺杂厚度大于或者等于10μm，所述离子的掺杂浓度大于或者等于1E20/cm²。