CN104795481A - 发光二极管及其制作方法 - Google Patents

发光二极管及其制作方法 Download PDF

Info

Publication number
CN104795481A
CN104795481A CN201510188028.7A CN201510188028A CN104795481A CN 104795481 A CN104795481 A CN 104795481A CN 201510188028 A CN201510188028 A CN 201510188028A CN 104795481 A CN104795481 A CN 104795481A
Authority
CN
China
Prior art keywords
metal electrode
wafer
cutting road
layer
evaporation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CN201510188028.7A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104795481B (zh
Inventor
艾国齐
汪延明
苗振林
徐平
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Xiangneng Hualei Optoelectrical Co Ltd
Original Assignee
Xiangneng Hualei Optoelectrical Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Xiangneng Hualei Optoelectrical Co Ltd filed Critical Xiangneng Hualei Optoelectrical Co Ltd
Priority to CN201510188028.7A priority Critical patent/CN104795481B/zh
Publication of CN104795481A publication Critical patent/CN104795481A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104795481B publication Critical patent/CN104795481B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/005—Processes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H01L33/385—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape the electrode extending at least partially onto a side surface of the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0008—Processes
    • H01L2933/0016—Processes relating to electrodes

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

本申请公开了一种发光二极管及其制作方法。本申请的发光二极管制作方法包括：在衬底材料上制作外延片；在所述外延片上刻蚀晶圆图形，露出台阶并形成切割道；在刻蚀后的晶圆的正面沉积保护层；沿所述切割道对沉积所述保护层后的所述晶圆进行切割；清洗所述切割道的侧壁；制作电流阻挡层；制作电流扩展导电层；在所述电流扩展导电层中进行开孔，对所述开孔和所述切割道侧壁进行蒸镀，用以制作金属电极；以及制作钝化层。本申请的发光二极管及其制作方法对于小尺寸芯片，可以解决尺寸过小导致的P、N金属电极距离过近无法焊线的问题，提升芯片品质；对于大功率芯片，可以减少电极过多导致的挡光现象，提升芯片出光效率，增加亮度。

Description

发光二极管及其制作方法
技术领域
本申请涉及发光二极管及其制作方法，更具体地，涉及一种发光二极管的金属电极的制作方法。
背景技术
发光二极管(Light-Emitting Diode，简称LED)是一种将电能转化为光能的半导体电子器件。当电流流过时，电子与空穴在其内复合而发出单色光。LED作为一种高效、环保、绿色新型固态照明光源，具有低电压、低功耗、体积小、重量轻、寿命长、高可靠性等优点，正在被迅速广泛地得到应用。如交通信号灯、汽车内外灯、城市景观照明、手机背光源、户外全彩显示屏等。尤其是在照明领域，大功率芯片是未来LED发展的趋势。
图1是为LED芯片的结构示意图。如图1所示，LED芯片具有蓝宝石衬底101，外延层102位于蓝宝石衬底101之上，电流扩展层103位于外延层102之上。外延层102包括缓冲层、N型GaN层、多量子阱以及P型GaN层。电流扩展层103包括电流阻挡层(Current Blocking Layer，简称CBL)、电流扩展导电(例如氧化铟锡(Indium Tin Oxides，简称ITO)；又例如氧化锌(Zinc oxide，简称ZnO))层、金属电极以及钝化层(例如，氧化硅保护层)。
由于磊晶和LED芯片制作技术的不断进步，LED芯片的亮度随之不断提升，因此在一些对亮度要求不高的应用领域，我们可以将芯片的尺寸做小，例如5*5mil2的单颗管芯。如果采用传统的金属电极结构(即具有两个金属焊盘的正装结构)来制作小尺寸芯片，P型电极的金属焊盘和N型电极的金属焊盘的间距会变得太小，从而导致在封装焊线过程中无法完成焊线操作。
此外，对于大功率LED芯片而言，造成GaN基LED外量子效率和光提取效率(光提取效率和外量子效率在本质上是一致的)较低的原因主要包括晶格缺陷对光的吸收、衬底对光的吸收以及光在出射过程中的全反射、材料层中的波导效应等。例如，大部分光子在半导体与外部界面上由于全反射而回到半导体内部，全反射光被活性层自身、基板、电极等吸收而无法出射，因此，一般LED芯片的外部取光效率比内量子效率低很多。又例如金属电极层能吸收约30％的出射光线从而影响光子逸出。又例如N、P型金属电极上键合焊点和引线对出射光线的遮挡也可影响光子逸出。
因此，本发明提供一种新的发光二极管及其制作方法以解决上述问题。
发明内容
有鉴于此，本申请提供一种发光二极管及其制作方法以解决上述问题。
本申请的发光二极管制作方法包括：在衬底材料上制作外延片；在所述外延片上刻蚀晶圆图形，露出台阶并形成切割道；在刻蚀后的晶圆的正面沉积保护层；沿所述切割道对沉积所述保护层后的所述晶圆进行切割；清洗所述切割道的侧壁；制作电流阻挡层；制作电流扩展导电层；在所述电流扩展导电层中进行开孔，对所述开孔和所述切割道侧壁进行蒸镀，用以制作金属电极；以及制作钝化层。
优选地，在所述外延片上刻蚀晶圆图形的刻蚀深度为1～2μm。
优选地，所述切割道的宽度为10～30μm。
优选地，在沿所述切割道对沉积所述保护层后的所述晶圆进行正面切割的步骤中，切割宽度为10～20μm，切割深度为10～30μm。
优选地，使用混合比例为2:1～5:1的硫酸与磷酸的混合液清洗所述切割道的侧壁，其中所述混合液的温度为100～200℃，清洗时间为10～60分钟。
优选地，在所述电流扩展导电层中进行开孔露出所述外延片的P型GaN层。
优选地，蒸镀后的所述开孔作为P型金属电极，蒸镀后的所述切割道侧壁作为N型金属电极。
优选地，蒸镀后的所述切割道侧壁的金属厚度为1～3μm。
本申请的发光二极管，包括衬底、外延片、保护层、电流阻挡层、电流扩展导电层、金属电极以及钝化层，其特征在于，所述金属电极包括：P型金属电极；以及N型金属电极；其中，在所述电流扩展导电层中进行开孔，蒸镀后的所述开孔为所述P型金属电极，沿着所述外延片上经过刻蚀所形成的切割道对沉积所述保护层后的晶圆进行切割，蒸镀后的所述切割道的侧壁为所述N型金属电极。
优选地，蒸镀后的所述切割道侧壁的金属厚度为1～3μm。
本发明提出的发光二极管及其制作方法与现有的发光二极管及其制作方法相比，具有以下优点：
1)对于小尺寸芯片，可以解决尺寸过小导致的P、N金属电极距离过近无法焊线的问题，提升芯片品质；
2)对于大功率芯片，可以减少电极过多导致的挡光现象，提升芯片出光效率，增加亮度。
当然，实施本申请的任一产品必不一定需要同时达到以上所述的所有技术效果。
附图说明
此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解，构成本申请的一部分，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。在附图中：
图1为LED芯片的结构示意图；
图2为现有的LED芯片制作方法的流程示意图；
图3为利用图2的LED芯片制作方法的制作出的传统正装结构小尺寸LED芯片的俯视示意图；
图4为利用图2的LED芯片制作方法的制作出的另一传统正装结构小尺寸LED芯片的俯视示意图；
图5为利用图2的LED芯片制作方法的制作出的传统正装结构小尺寸LED芯片的剖面示意图；
图6为利用图2的LED芯片制作方法的制作出的传统正装结构大尺寸LED芯片的俯视示意图；
图7为依据本发明一实施例的LED芯片制作方法的流程示意图；
图8为利用图7的LED芯片制作方法制作出的新型正装结构小尺寸LED芯片的俯视示意图；
图9为利用图7的LED芯片制作方法制作出的新型正装结构小尺寸LED芯片的剖面示意图；
图10为利用图7的LED芯片制作方法制作出的新型正装结构大尺寸LED芯片的俯视示意图。
具体实施方式
如在说明书及权利要求当中使用了某些词汇来指称特定组件。本领域技术人员应可理解，硬件制造商可能会用不同名词来称呼同一个组件。本说明书及权利要求并不以名称的差异来作为区分组件的方式，而是以组件在功能上的差异来作为区分的准则。如在通篇说明书及权利要求当中所提及的“包含”为一开放式用语，故应解释成“包含但不限定于”。“大致”是指在可接收的误差范围内，本领域技术人员能够在一定误差范围内解决所述技术问题，基本达到所述技术效果。说明书后续描述为实施本申请的较佳实施方式，然所述描述乃以说明本申请的一般原则为目的，并非用以限定本申请的范围。本申请的保护范围当视所附权利要求所界定者为准。
图2为现有的LED芯片制作方法的流程示意图。
步骤201、在衬底材料上制作外延层。
在衬底上生长一层GaN外延层。GaN外延层的制作具体包括以下步骤：将衬底表面清洁后先沉积缓冲层，然后在缓冲层上生长n型GaN层，接着在n型GaN层上生长多量子阱层，然后在多量子阱层上外延生长P型GaN层。
步骤202、对外延层进行刻蚀，露出台阶。
用ICP等离子刻蚀机刻蚀外延片露出台阶。刻蚀深度可为1～2μm。
步骤203、沉积电流阻挡层。
在步骤202产生的晶圆正面沉积电流阻挡层，电流阻挡层的材料可例如为二氧化硅(SIO2)，又可例如为SiNx。
步骤204、制作电流扩展导电层。
可采用电子束蒸发法蒸镀氧化铟锡(ITO)或氧化锌(ZnO)。
步骤205、制作金属电极。
可在电流扩展导电层中进行开孔，露出P型GaN层，用干法刻蚀出N型GaN。并采用E-Gun蒸镀电极，经过剥离技术(lift off)、去胶清洗等步骤制作P型和N型金属电极。
步骤206、制作钝化层。
对步骤205处理后的晶片进行清洗后采用PECVD方法沉积钝化层。可通过黄光光刻、湿法蚀刻等步骤制作钝化层图案，覆盖除P型电极和N型电极的其他部分，仅露出P、N型电极。
图3为利用图2的LED芯片制作方法的制作出的传统正装结构小尺寸LED芯片的俯视示意图。
如图3所示，该芯片结构具有两个金属电极，其中301为P型金属电极，通电时为正极，302为N型金属电极，通电时为负极。在LED芯片封装的过程中需要对P型金属电极和N型金属电极分别焊线才能导通。图3所示芯片尺寸为6*6mil2，P型金属电极和N型金属电极之间的距离小于30μm，在封装焊线的过程中无法对P型金属电极和N型金属电极进行焊线操作。
图4为利用图2的LED芯片制作方法的制作出的另一传统正装结构小尺寸LED芯片的俯视示意图。
如图4所示，该芯片结构具有两个金属电极，其中401为P型金属电极，通电时为正极，402为N型金属电极，通电时为负极。图4所示芯片尺寸为5*5mil2，电极直径为60μm，两个电极已经重叠在一起而直接导通，如此图4所示的芯片直接失效。
图5为利用图2的LED芯片制作方法的制作出的传统正装结构小尺寸LED芯片的剖面示意图。
如图5所示，该芯片结构具有两个金属电极，其中501为P型金属电极，通电时为正极，502为N型金属电极，通电时为负极。
图6为利用图2的LED芯片制作方法的制作出的传统正装结构大尺寸LED芯片的俯视示意图。
如图6所示，该芯片结构具有四个金属电极，其中601为P型金属电极，通电时为正极，602为N型金属电极，通电时为负极。在LED芯片封装的过程中需要对P型金属电极和N型金属电极这四个电极分别焊线才能导通。
由上述可知，利用现有的LED芯片制作方法制作小尺寸LED芯片时，P型金属电极和N型金属电极之间的距离过小，容易出现电极无法焊接甚至芯片直接损坏的问题。而利用现有的LED芯片制作方法制作大尺寸LED芯片时，由于需要对多个电极分别焊线，会增加芯片正面的焊线数量，过多的焊线会占用LED芯片的发光面积，从而影响芯片的发光亮度。
图7为依据本发明一实施例的LED芯片制作方法的流程示意图。
步骤701，在衬底材料上制作外延片。
在衬底上生长一层GaN外延片。GaN外延片的制作包括以下步骤：将衬底表面清洁后先沉积缓冲层，然后在缓冲层上生长n型GaN层，接着在n型GaN层上生长多量子阱层，然后在多量子阱层上外延生长P型GaN层。在本发明的一实施例中，衬底为蓝宝石衬底，外延片的厚度为6～8μm。在本发明的一实施例中，衬底为碳化硅衬底、硅衬底等。
步骤702，在外延片上刻蚀晶圆图形，露出台阶并形成切割道。
在外延片上制作晶圆图形。在本发明的一实施例中，通过涂覆光刻胶、曝光、显影、烘烤固化、干法刻蚀等步骤制作出晶圆图形。然后用ICP等离子刻蚀机刻蚀外延片露出台阶。在本发明的一实施例中，刻蚀深度可为1～2μm，优选的可为1.2～1.5μm。通过刻蚀外延片形成切割道。在本发明的一实施例中，切割道的宽度可为10～30μm。
步骤703，沉积保护层。
在步骤702产生的晶圆正面沉积保护层，例如二氧化硅(SIO2)层。在本发明的一实施例中，保护层厚度可为3～5μm。
步骤704，沿切割道做切割。
沿着步骤702中形成的切割道对步骤703处理后的晶圆进行正面切割。在本发明的一实施例中，可使用德隆正切机台进行正面切割，其中切割宽度为10～20μm，切割深度为10～30μm。
步骤705，清洗切割道侧壁。
在本发明的一实施例中，将混合比例为2:1～5:1(例如3:1)的硫酸与磷酸的混合液加热到100～200℃之间，例如160℃，把正面切割过的晶圆放到加热后的混合液中清洗10～60分钟。
步骤706，制作电流阻挡层。
在本发明的一实施例中，可采用等离子体增强化学气相沉积方法(PECVD)沉积电流阻挡层。其中，电流阻挡层的作用是阻挡电流扩展，其材料必须是绝缘材料，通常使用SIO2或其他绝缘材料(例如SiNx)。
步骤707，制作电流扩展导电层。
电流扩展导电层的材料对芯片电性起到关键作用，其必须满足两个条件：一是在可见光范围必须具有良好的透光性能；二是必须具有良好的导电性能。因此在本发明的一实施例中，可采用电子束蒸发法蒸镀氧化铟锡(ITO)或氧化锌(ZnO)。在本发明的一实施例中，镀膜速率为厚度为在本发明的另一实施例中，也可蒸镀其他具有良好透光性和导电性的材料来制作电流扩展导电层。
步骤708、制作金属电极。
在本发明的一实施例中，在电流扩展导电层中进行开孔露出P型GaN层，利用蒸镀技术对开孔和切割道侧壁进行蒸镀，其中蒸镀后的开孔作为P型金属电极，而蒸镀后的切割道侧壁作为N型金属电极。在本发明的一实施例中，蒸镀后的切割道侧壁的金属厚度为1～3μm，并且侧壁金属均匀连续。
步骤709，制作钝化层。
对步骤708处理后的晶片进行清洗后采用PECVD方法沉积钝化层。在本发明的一实施例中，可通过黄光光刻、湿法蚀刻等步骤制作钝化层图案，覆盖除P型金属电极和N型金属电极的其他部分。
在本发明的一实施例中，可进一步接着步骤709完成后续芯片制作工序，例如晶圆减薄、背镀、切割裂片、晶粒分选等。
图8为利用图7的LED芯片制作方法制作出的新型正装结构小尺寸LED芯片的俯视示意图。
如图8所示，801为P型金属电极，通电时为正极，而该芯片的蒸镀后的切割道侧壁(图未示)为N型金属电极，通电时为负极。在芯片封装的过程中只需要对P型金属电极进行焊线。与图3和图4所示的芯片相比较，图8的LED芯片电极结构能够很好的解决由于尺寸偏小带来的无法焊线的困扰。
图9为利用图7的LED芯片制作方法制作出的新型正装结构小尺寸LED芯片的剖面示意图。
如图9所示，该芯片结构的901为P型金属电极，通电时为正极。该芯片结构的金属侧壁为N型金属电极，通电时为负极。
图10为利用图7的LED芯片制作方法制作出的新型正装结构大尺寸LED芯片的俯视示意图。
如图10所示，该芯片结构的1001为P型金属电极，通电时为正极，而该芯片的蒸镀后的切割道侧壁(图未示)为N型金属电极为通电时为负极。在芯片封装的过程中只需要对P型金属电极进行焊线。与图6所示的芯片相比较，图10的LED芯片电极结构可以减少金属焊线，提高产品的可靠性，同时可以减少金属焊线以及金属电极占用发光面积，从而提升芯片出光，增加芯片亮度。
实验比较
实验一
利用图2现有的LED芯片制作方法制作芯片。以单颗芯片尺寸5*5mil2，P、N金属电极直径60μm为例，从图4中可以看出，两个电极已经重叠在一起而直接导通，如此制作出的芯片直接失效。
实验二
利用图7本发明的LED芯片制作方法制作芯片。以单颗芯片尺寸5*5mil2，P、N金属电极直径60μm为例，从图8中可以看出，本发明提出的新型设计方法制作出的每颗芯片只呈现一个金属电极，在芯片封装时只需对P型金属电极进行焊线操作，不存在两个金属电极距离太近而无法焊线或者直接导通的情况，从而可以大大提高小尺寸芯片的可靠性，同时为制作更小尺寸的芯片提供了便利。
实验三
利用图2现有的LED芯片制作方法制作芯片。以单颗芯片尺寸25*25mil2，P、N金属电极直径80μm为例，从图6中可以看出，每颗芯片具有四个金属电极时，对芯片正面出光有较大的影响，降低了芯片的亮度。取两份相同亮度的外延片进行芯片制作，其中一份样品按照图6方案制作，测试芯片亮度为220mw。
实验四
利用图7本发明的LED芯片制作方法制作芯片。以单颗芯片尺寸25*25mil2，P、N金属电极直径80μm为例，从图10中可以看出，本发明提出的新型设计方法制作出的每颗芯片只呈现一个金属电极，减少电极过多挡光的影响，提升芯片的亮度。取两份相同亮度的外延片进行芯片制作，另外一份样品按照图10方案制作，测试芯片亮度值为230～240mw，相对依照图6方案制作的样品，亮度提升4％～7％。
从以上四个实验可以看出，与传统LED芯片及其制作方法相比，本发明的LED芯片及其制作方法具有以下优点：
1)对于小尺寸芯片，可以解决尺寸过小导致的P、N金属电极距离过近无法焊线的问题，提升芯片品质；
2)对于大功率芯片，可以减少电极过多导致的挡光现象，提升芯片出光效率，增加亮度。
需要说明的是，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的过程、方法、商品或者系统不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种过程、方法、商品或者系统所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的过程、方法、商品或者系统中还存在另外的相同要素。
以上所述仅为本申请的实施例而已，并不用于限制本申请。对于本领域技术人员来说，本申请可以有各种更改和变化。凡在本申请的精神和原理之内所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本申请的权利要求范围之内。

Claims (10)

1.一种发光二极管制作方法，其特征在于，包括：
在衬底材料上制作外延片；
在所述外延片上刻蚀晶圆图形，露出台阶并形成切割道；
在刻蚀后的晶圆的正面沉积保护层；
沿所述切割道对沉积所述保护层后的所述晶圆进行切割；
清洗所述切割道的侧壁；
制作电流阻挡层；
制作电流扩展导电层；
在所述电流扩展导电层中进行开孔，对所述开孔和所述切割道侧壁进行蒸镀，用以制作金属电极；以及
制作钝化层。
2.如权利要求1所述的发光二极管制作方法，其特征在于，在所述外延片上刻蚀晶圆图形的刻蚀深度为1～2μm。
3.如权利要求1所述的发光二极管制作方法，其特征在于，所述切割道的宽度为10～30μm。
4.如权利要求1所述的发光二极管制作方法，其特征在于，在沿所述切割道对沉积所述保护层后的所述晶圆进行正面切割的步骤中，切割宽度为10～20μm，切割深度为10～30μm。
5.如权利要求1所述的发光二极管制作方法，其特征在于，使用混合比例为2:1～5:1的硫酸与磷酸的混合液清洗所述切割道的侧壁，其中所述混合液的温度为100～200℃，清洗时间为10～60分钟。
6.如权利要求1所述的发光二极管制作方法，其特征在于，在所述电流扩展导电层中进行开孔露出所述外延片的P型GaN层。
7.如权利要求6所述的发光二极管制作方法，其特征在于，蒸镀后的所述开孔作为P型金属电极，蒸镀后的所述切割道侧壁作为N型金属电极。
8.如权利要求7所述的发光二极管制作方法，其特征在于，蒸镀后的所述切割道侧壁的金属厚度为1～3μm。
9.一种发光二极管，包括衬底、外延片、保护层、电流阻挡层、电流扩展导电层、金属电极以及钝化层，其特征在于，所述金属电极包括：
P型金属电极；以及
N型金属电极；
其中，在所述电流扩展导电层中进行开孔，蒸镀后的所述开孔为所述P型金属电极，沿着所述外延片上经过刻蚀所形成的切割道对沉积所述保护层后的晶圆进行切割，蒸镀后的所述切割道的侧壁为所述N型金属电极。
10.如权利要求9所述的发光二极管，其特征在于，蒸镀后的所述切割道侧壁的金属厚度为1～3μm。
CN201510188028.7A 2015-04-20 2015-04-20 发光二极管及其制作方法 Active CN104795481B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510188028.7A CN104795481B (zh) 2015-04-20 2015-04-20 发光二极管及其制作方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201510188028.7A CN104795481B (zh) 2015-04-20 2015-04-20 发光二极管及其制作方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104795481A true CN104795481A (zh) 2015-07-22
CN104795481B CN104795481B (zh) 2017-10-17

Family

ID=53560154

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201510188028.7A Active CN104795481B (zh) 2015-04-20 2015-04-20 发光二极管及其制作方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN104795481B (zh)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105355747A (zh) * 2015-10-28 2016-02-24 江苏新广联半导体有限公司 蓝宝石衬底单电极led芯片结构及其制备方法
CN106784198A (zh) * 2017-01-26 2017-05-31 湘能华磊光电股份有限公司 一种半导体芯片的制作方法
CN110970535A (zh) * 2019-11-07 2020-04-07 河源市众拓光电科技有限公司 一种圆形垂直结构led芯片及其制备方法
CN113921670A (zh) * 2021-09-26 2022-01-11 天津三安光电有限公司 发光元件及其制备方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102751406A (zh) * 2011-04-20 2012-10-24 亚威朗集团有限公司 具有低正向电压的发光器件及其制造方法
CN102916091A (zh) * 2011-08-03 2013-02-06 隆达电子股份有限公司 发光二极管的制造方法
CN103236474A (zh) * 2013-04-09 2013-08-07 中国科学院半导体研究所 任意切割式高压led器件的制作方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102751406A (zh) * 2011-04-20 2012-10-24 亚威朗集团有限公司 具有低正向电压的发光器件及其制造方法
CN102916091A (zh) * 2011-08-03 2013-02-06 隆达电子股份有限公司 发光二极管的制造方法
CN103236474A (zh) * 2013-04-09 2013-08-07 中国科学院半导体研究所 任意切割式高压led器件的制作方法

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105355747A (zh) * 2015-10-28 2016-02-24 江苏新广联半导体有限公司 蓝宝石衬底单电极led芯片结构及其制备方法
CN106784198A (zh) * 2017-01-26 2017-05-31 湘能华磊光电股份有限公司 一种半导体芯片的制作方法
CN110970535A (zh) * 2019-11-07 2020-04-07 河源市众拓光电科技有限公司 一种圆形垂直结构led芯片及其制备方法
CN113921670A (zh) * 2021-09-26 2022-01-11 天津三安光电有限公司 发光元件及其制备方法
CN113921670B (zh) * 2021-09-26 2024-04-12 天津三安光电有限公司 发光元件及其制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN104795481B (zh) 2017-10-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US9219194B2 (en) Flip-chip light emitting diode and fabrication method
JP5479384B2 (ja) 発光素子、発光素子パッケージ及び照明システム
JP2014112713A (ja) 発光素子及びその製造方法
US20100314657A1 (en) Optoelectronic device
CN102222744A (zh) 发光器件及其制造方法、发光器件封装以及照明系统
JP2008218878A (ja) ＧａＮ系ＬＥＤ素子および発光装置
WO2015184774A1 (zh) 一种倒装发光二极管结构及其制作方法
CN102163665B (zh) 发光器件和制造发光器件的方法
CN102237453B (zh) 发光器件及其制造方法、发光器件封装以及照明系统
CN102709422A (zh) 半导体发光器件及其制备方法
CN104795481A (zh) 发光二极管及其制作方法
CN108231966A (zh) 一种具有反射镜的led芯片及其制作方法
KR100691497B1 (ko) 발광 소자 및 이의 제조 방법
CN102263173A (zh) 发光二极管及其制造方法
TW201442277A (zh) 半導體發光組件及其製造方法
KR20080064746A (ko) 발광 다이오드 장치 제조 방법
CN109087981B (zh) 一种防漏电led芯片及其制作方法
TWI466327B (zh) 晶圓級發光二極體結構之製造方法
CN102856460B (zh) 发光二极管元件、其制作方法以及发光装置
CN203607447U (zh) Led芯片
TW201340388A (zh) 發光二極體晶粒及其製造方法
CN203746848U (zh) 一种n电极延伸线点状分布的正装led芯片
CN104795480A (zh) 一种n电极延伸线点状分布的正装led芯片及其制备方法
CN210805813U (zh) 一种高可靠度的led芯片
US20120196391A1 (en) Method for fabricating semiconductor lighting chip

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
EXSB Decision made by sipo to initiate substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant