CN104769425B

CN104769425B - 串联四极型质量分析装置

Info

Publication number: CN104769425B
Application number: CN201280076988.9A
Authority: CN
Inventors: 藤田慎二郎
Original assignee: Shimadzu Corp
Current assignee: Shimadzu Corp
Priority date: 2012-11-13
Filing date: 2012-11-13
Publication date: 2017-08-25
Anticipated expiration: 2032-11-13
Also published as: US9384953B2; JPWO2014076766A1; JP5892258B2; US20150262799A1; WO2014076766A1; CN104769425A; EP2921852A1; EP2921852B1; EP2921852A4

Abstract

本发明提供一种串联四极型质量分析装置，在被内置于控制部（30）的测定条件存储部（31）储存着CID气体条件表（31a），该CID气体条件表（31a）表示在前段四极质量过滤器（3）中质量扫描的扫描速度和CID气体供给压的关系。如果扫描速度大，则在碰撞池（4）内的由与CID气体冲撞引起的离子的速度降低的影响相对地变大。因此，为了在质谱图上的峰的波形形状的溃散小且尽量使离子强度变高，根据每个扫描速度预先调查适合的CID气体供给压并存储于CID气体条件表（31a）。在目标试料的测定时，前体离子扫描测定模式等被指定后，基于CID气体条件表（31a），求出与此时的扫描速度对应的CID气体供给压并控制CID气体供给部（8）。由此，不受扫描速度限制，而能够获得峰的分离能力高且灵敏度良好的质谱图。

Description

串联四极型质量分析装置

技术领域

本发明涉及一种通过碰撞诱导解离(CID＝Collision-Induced Dissociation)等将具有特定的质荷比m/z的离子解离，对由此生成的产物离子(碎片离子)进行质量分析的串联四极型质量分析装置。

背景技术

为了进行分子量大的物质的鉴别和/或其结构的分析，作为质量分析的1个方法，众所周知MS/MS分析(也称为串联分析)方法。构造比较简单且廉价的串联四极型质量分析装置(也称为三重四极型质量分析装置)为，被广泛应用的可进行MS/MS分析的质量分析装置之一。

如专利文献1公开的那样，串联四极型质量分析装置普遍的，隔着使离子解离的碰撞池(Collision cell)，其前后分别具有四极质量过滤器(Quadrupole mass filter)，在前段四极质量过滤器，从源自目标化合物的各种离子中选择前体离子，在后段四极质量过滤器，按照质荷比分离产物离子。碰撞池为密封性比较高的箱状构造体，在其内部导入有氩气或氮气等CID气体。通过前段四极质量过滤器选择的前体离子具有适当的碰撞能量，并被导入碰撞池内，在碰撞池内与CID气体冲撞，产生碰撞诱导解离而生成产物离子。

在碰撞池中的离子的解离效率依存于离子所具有的碰撞能量的大小和/或碰撞池中的CID气压等。因此，通过了后段四极质量过滤器的产物离子的检测灵敏度也依存于碰撞能量的大小和/或CID气压。

串联四极型质量分析装置为了以高精度进行已知化合物的定量，通常实施在前段以及后段四极质量过滤器的双方分别通过的离子的质荷比为固定的多反应监测(MRM＝Multiple Reaction Monitoring)模式的测定。因此，在以往的串联四极型质量分析装置，为了在MRM测定模式下获得尽可能高的检测灵敏度，碰撞池内的CID气压被设定为预先由制造商一方调整了的值(通常是数mTorr程度)。

普遍的，碰撞池内的CID气压越高，离子与CID气体接触的机会增多，所以离子的解离效率变高，但由于与该气体的冲撞，离子(前体离子、产物离子均都)的动能衰减，离子的飞行速度整体下降，同时速度的幅度扩大。在MRM测定模式的情况下，在一定程度的时间内持续实施具有相同质荷比的离子的解离，以及具有相同质荷比的产物离子的选择和检测，因此上述的在碰撞池的离子的飞行速度下降或者速度幅度扩大的影响比较小。

但是，在前段四极质量过滤器中，在进行在规定质荷比范围内进行扫描的前体离子扫描测定模式和/或中性丢失扫描测定模式等的时候，碰撞池内的离子的飞行速度下降以及速度幅度扩大这可能会产生问题。即，如果在前段四极质量过滤器中以高速进行质量扫描，则在从具有一定质荷比M的前体离子生成的产物离子到达检测器之前，容易发生该产物离子被从具有质荷比M+ΔM的前体离子生成的产物离子追上的现象。这意味着在质谱图(MS/MS谱图)上，某离子峰(Ion peak)和与其相接近的其他离子峰的分离变差。此外，由于产物离子的飞行速度的幅度扩大，峰顶(Peak top)的强度下降也变得显著。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：国际公开2009/095958号单行本

发明内容

本发明是为了解决上述问题而完成的，其目的在于提供一种串联四极型质量分析装置，该串联四极型质量分析装置在前段四极质量过滤器中，特别是在进行高速的质量扫描的情况下，也能够防止在获得的质谱图上作为目标的离子峰的形状的溃散，能够以高分离能力以及高灵敏度进行测定。

为了解决上述课题而完成的本发明提供一种串联四极型质量分析装置，其包括：前段四极质量过滤器，其在各种离子中选择具有特定质荷比的离子作为前体离子；碰撞池，其通过使所述前体离子与规定气体冲撞，使该离子解离；后段四极质量过滤器，其在通过该解离产生的各种产物离子中选择具有特定的质荷比的离子；检测部，其检测该被选择的产物离子，所述串联四极型质量分析装置包括：

a)气体供给部，其向所述碰撞池内提供所述规定气体；

b)设定信息存储部，其用于对应在所述前段四极质量过滤器进行质量扫描的测定模式下的质量扫描的扫描速度，来存储碰撞池内的规定气体的气压信息或者用以供给该规定气体的控制信息；

c)分析控制部，其至少在实行在所述前段四极质量过滤器进行质量扫描的测定模式时，基于存储于所述设定信息存储部的信息，以碰撞池内的规定气体的气压变为与实行的质量扫描的扫描速度对应的状态的方式控制所述气体供给部。

此处，所谓在所述前段四极质量过滤器进行质量扫描的测定模式是指，前体离子扫描测定模式、中性丢失扫描测定模式、以及在后段四极质量过滤器不实施根据质荷比的离子选择而只在前段四极质量过滤器进行质量扫描的、与通常的扫描测定模式相同的测定模式。

在本发明涉及的串联四极型质量分析装置中，例如，装置制造商对所述前段四极质量过滤器的质量扫描的多个阶段(最小2个阶段)的每个扫描速度，实验性地调查在质谱图上峰被充分分离且检测强度成为最大时的气压，并基于此作成对应扫描速度的信息并储存于设定信息存储部。如果购买该装置的用户指示实行在所述前段四极质量过滤器进行质量扫描的测定模式，则分析控制部将与作为此时的分析条件之一的扫描速度对应的信息从设定信息存储部读取，并基于该信息控制由气体供给部的规定气体的供给流量和/或供给压。由此，碰撞池内的规定气体的气压对应于被实行的质量扫描的扫描速度，而被设定为能够达到充分高的峰分离特性以及检测灵敏度。

此外，在与“在前段四极质量过滤器进行质量扫描的测定模式”不同的测定模式，也就是说，在产物离子扫描测定模式、MRM测定模式、以及在前段四极质量过滤器不实施根据质荷比的离子选择，而只在后段四极质量过滤器进行质量扫描的，与通常的扫描测定模式相同的测定模式下，由于可以视为在前段四极质量过滤器进行最低速的质量扫描，所以可以进行使用了在存储于设定信息存储部的信息中与最低扫描速度对应的信息的控制。

如上所述存储于设定信息存储部的信息可以由装置制造商预先决定，但是优选地，在用户侧，比如作为自动装置调整的一环，可以根据对标准试料的实测结果对于每个扫描速度设定最优的值。

因此本发明涉及的串联四极型质量分析装置，还包括设定信息自动制作部结构，其在所述前段四极质量过滤器进行质量扫描的测定模式下，以在该质量扫描的扫描速度以多个阶段变化的各阶段来使碰撞池内的规定气体的气压以多个阶段变化的方式控制所述气体供给部，同时反复实行对规定试料的测定，基于在根据这些测定获得的质谱图上作为目标的峰的形状以及该峰的强度，对每个质量扫描的扫描速度求出合适的气压，并将该气压的信息或者用以供给规定气体的控制信息储存于所述设定信息存储部。

在该结构中，设定信息自动制作部可以通过判断在质谱图上源自包含于规定试料的已知化合物的峰的形状和该峰的强度，来决定最优的气压。其中，峰的形状为能充分分离目标峰和接近的峰的峰形状即可。

作为本发明涉及的串联四极型质量分析装置的具体的一实施方式，所述设定信息自动制作部可以构成为：将作为目标的峰的半值宽为0.7u以下且峰的强度变为最大的气压判断为合适的气压。

此外，在包含于规定试料的既知的化合物中存在只由稳定同位素组成的化合物和包含稳定同位素以外的同位素元素的化合物的情况下，在质谱图上，接近源自只由稳定同位素组成的化合物的峰，而例如在大致只远离1u的位置出现源自包含稳定同位素以外的同位素元素的化合物的峰。所以，作为本发明涉及的串联四极型质量分析装置的另一实施方式，所述设定信息自动制作部可以构成为：将能够在源自作为目标的化合物的峰中使只由稳定同位素元素组成的化合物的峰与包含非稳定同位素元素的化合物的、且峰的强度变为最大的气压判断为合适的气压。

根据本发明涉及的串联四极型质量分析装置，即使是在前段四极质量过滤器中进行高速的质量扫描的情况下，也能够减轻在质谱图上的峰的波形形状的溃散，能够确保与接近的峰的分离性并能够实现较高的质量分解能力。与此同时，能够减轻想要观测的离子峰的的强度下降，能够以高灵敏度检测出目标离子。

附图说明

图1是根据本发明的第1实施例的串联四极型质量分析装置的主要部分的概略结构图。

图2是根据本发明的第2实施例的串联四极型质量分析装置的主要部分的概略结构图。

图3是表示高扫描速度(2500u/s)的前体离子扫描测定模式下的质谱图的实测例的图。

图4是表示高扫描速度(2500u/s)的前体离子扫描测定模式下的CID气体供给压与离子强度的关系的实测例的图。

图5是表示低扫描速度(100u/s)的前体离子扫描测定模式下的质谱图的实测例的图。

图6是表示低扫描速度(100u/s)的前体离子扫描测定模式下的CID气体供给压与离子强度的关系的实测例的图。

附图标记说明

1 腔室

2 离子源

3 前段四极质量过滤器

4 碰撞池

5 离子向导

6 后段四极质量过滤器

7 检测器

8 CID气体供给部

11 Q1电源部

12 q2电源部

13 Q3电源部

14 流路切换阀

15 调整用试料供给部

20 数据处理部

30 控制部

31 测定条件存储部

31a CID气体条件表

32 CID气体条件自动调整部

40 输入部

41 显示部

具体实施方式

以下，对于本发明涉及的串联四极型质量分析装置的一实施例，参照附图进行说明。

图1是第1实施例的串联四极型质量分析装置的主要部分的概略结构图。

本实施例的串联四极型质量分析装置在由未图示的真空泵真空排气了的腔室1的内部配置有：离子源2，其将试料中的化合物离子化；前段四极质量过滤器(习惯用Q1标记)3，其将具有特定的质荷比的离子作为前体离子而选择性地使该前体离子通过；碰撞池4，在其内部将前体离子解离而生成各种产物离子；后段四极质量过滤器(习惯用Q3标记)6，其使产物离子中具有特定的质荷比的离子选择性地通过；检测器7，其检测通过了后段四极质量过滤器6的离子。在碰撞池4的内部配置有聚集且输送离子的离子向导(习惯用q2标记)5。另外，从包含例如气体储气瓶、调压器或者流量调整器等的CID气体供给部8连续地或者间歇地向碰撞池4的内部供给氩气等CID气体，由此，碰撞池4内的气压被维持在比位于腔室1内且碰撞池4的外部的区域的气压足够高的气压。

从Q1电源部11向前段四极质量过滤器3施加合成了直流电压U1和高频电压V1·cosωt的电压±(U1+V1·cosωt)，或者施加在该合成电压上进一步加上了规定的直流偏置电压Vbias1的电压±(U1+V1·cosωt)+Vbias1。从q2电源部12向离子向导5只施加高频电压±V2·cosωt，或者施加在该高频电压上加上了规定的直流偏置电压Vbias2的电压±V2·cosωt+Vbias2。从Q3电源部13向后段四极质量过滤器6施加合成了直流电压U3和高频电压V3·cosωt的电压±(U3+V3·cosωt)，或者施加在该合成电压上进一步加上了规定的直流偏置电压Vbias3的电压±(U3+V3·cosωt)+Vbias3。这些电源部11、12、13在控制部30的控制下工作。

检测器7按照射入的离子的数量输出检测信号，该检测信号在模拟/数字转换器(ADC)9被转换为数字数据并输入到数据处理部20。数据处理部20基于收集的数据，作成例如质谱图(Mass spectrum)、总离子色谱图(Total ion chromatogram)以及质量色谱图(Mass chromatogram)等。控制电源部11、12、13和/或CID气体供给部8等的控制部30内置有测定条件存储部31。另外，用于供用户输入测定条件等的输入部40以及用于供用户确认测定条件或测定结果等的显示部41作为用户界面连接于控制部30。

并且，数据处理部20和/或控制部30中的至少一部分，能够通过把个人电脑作为硬件资源，并执行在该电脑预先安装的专用的控制、处理软件来实现其功能。

在本实施例的串联四极型质量分析装置中，在测定条件存储部31预先储存有在实行测定上必要的各种测定条件参数。该存储部31虚拟地包含：由用户可以改写的临时存储区域，以及不能由用户改写而是只可以由制造商(或者担当装置的修理等的服务担当业务者等)写入或者改写的固定存储区域。一般在质量分析装置具备被称作自动调谐(Autotuning)等的测定条件的自动最优化功能，用户方利用这样的功能得到的参数或者操作者手动设定或变更的参数被储存在临时存储区域。另一方面，通过装置制造商自身的实测等求出的参数被储存在固定存储区域。

例如，虽然在图1中省略了记载，但在包含电子倍增管等的检测器7施加有用于设定增益的电压，但是这样的电压的默认值储存在固定存储区域，在不进行测定条件自动最优化调整的状态下该默认值被用于测定。如果进行测定条件自动最优化调整，则在此时的装置状态下算出提供离子强度变为最优的检测器增益的电压值，该电压值被储存在临时存储区域。然后，在以后的测定中，代替默认值，而可以利用储存在临时存储区域的电压值参数。

在本实施例的串联四极型质量分析装置中，在测定条件存储部31的固定存储区域储存着表示前段四极质量过滤器3的质量扫描的扫描速度与CID气体供给压之间的关系的CID气体条件表31a。如在图1所示的例子中，扫描速度被区分为H、L的2个阶段，能够对各区分分别设定CID气体供给压P1、P2。

参照图3～图6的实测例说明前段四极质量过滤器3的质量扫描的扫描速度和CID气体供给压之间的关系。图3是表示在高扫描速度(2500u/s)的前体离子扫描测定模式下的质谱图的实测例的图，图4是表示在相同高扫描速度的前体离子扫描测定模式下的CID气体供给压与离子强度之间的关系的实测例的图，图5是表示在低扫描速度(100u/s)的前体离子扫描测定模式下的质谱图的实测例的图，图6是表示在相同低扫描速度的前体离子扫描测定模式下的CID气体供给压与离子强度之间的关系的实测例的图。这些是对于包含已知化合物的标准试料的测试结果。

在前体离子扫描测定模式进行2500u/s的高速质量扫描的情况下，如图3所示，伴随着将CID气体供给压提高，源自目标化合物的峰(Peak)的形状逐渐溃散(崩溃)，在290[kPa]以上，难以识别主峰(源自只由稳定同位素元素构成的化合物的峰)和比其质荷比大的同位素峰(源自包含稳定同位素以外元素的化合物的峰)。如果是230[kPa]以下，则能够识别主峰和同位素峰，此时的分解能力(半值全宽：FWHM＝Full Width at Half Maximum)为0.7u左右。

此外，如图4所示，在将CID气体供给压提高时，源自目标化合物的峰的强度明显下降，但在CID气体供给压是190[kPa]等过低时强度也下降。可以认为其原因是：由CID气体与前体离子的冲撞机会的减少引起的CID效率的下降。在该例中，CID气体供给压是230[kPa]时，峰强度成为最大。

因此，根据此实施例，在扫描速度为2500u/s的前体离子扫描测定模式下，可以选定230[kPa]作为峰的形状良好且峰的强度为最大的CID气体供给压。此时，峰的形状良好的判断基准为，例如可以是峰的FWHM为0.7u以下，或者主峰和与其最近的同位素峰能够分离(换言之，能够识别)等。

另一方面，在前体离子扫描测定模式下进行100u/s的低速质量扫描的情况下，如图5所示，即使将CID气体供给压提高，源自目标化合物的峰的形状也不会发生显著地溃散，在设定的CID气体供给压范围内，主峰与同位素峰均都被分离。此外，如图6所示，CID气体供给压下降时，源自目标化合物的峰的强度明显下降，CID气体供给压为290[kPa]时峰的强度成为最大。

因此，根据此实施例，在扫描速度为100u/s的前体离子扫描测定模式下，CID气体供给压几乎不会对峰的形状带来实质性的影响，可以只着眼于峰的强度，来选定赋予最大峰强度的CID气体供给压290[kPa]。

上述实施例为在前体离子扫描测定模式下的结果，但是因为由CID气体供给压的不同带来的结果不受后段四极质量过滤器6的驱动状态的影响，因此前体离子扫描测定模式以外，即使是在中性丢失扫描测定模式和/或在后段四极质量过滤器6不进行离子的选择(即，实质上只是通过后段四极质量过滤器6)的测定模式下，其结果也是一样的。

在将上述实测例的结果应用于图1所示的本实施例的串联四极型质量分析装置的情况下，将以下扫描速度和与此对应的CID气体供给压作为控制CID气体供给压的信息储存于CID气体条件表31a，即：对应于扫描速度H：2500u/s，CID气体供给压P1：230[kPa]；对应于扫描速度L：100u/s，CID气体供给压P2：290[kPa]。当然，这些数值不过是一例。

对于通过上述的在CID气体条件表31a储存了信息的本实施例的串联四极型质量分析装置对任意试料实行测定时的工作进行说明。

操作者在测定前从输入部40输入想要实行的测定模式和/或实行该测定模式所需要的测定条件。现在，此处假定操作者指定前体离子扫描测定模式，作为1个测定条件将扫描速度设定为1000u/s。此外，扫描速度除直接设定其值以外，有时也可以基于例如规定时间(例如1秒)内实施质量扫描的次数、从某质量扫描结束到下一质量扫描开始为止的间隔、质荷比范围等其他的测定条件，通过计算算出。

如果指定前体离子扫描测定模式等在前段四极质量过滤器3进行质量扫描的测定模式，控制部30就会读取储存于测定条件存储部31的CID气体条件表31a上的信息，算出与该时间点设定的扫描速度对应的合适的CID气体供给压。具体地，例如读取与上述的2个阶段的扫描速度H、L对应的CID气体供给压P1、P2，通过对这2点进行线性插值，求出扫描速度与CID气体供给压的关系式。然后，基于此关系式算出与设定的扫描速度：1000u/s对应的CID气体供给压。在上述数值例中，由于扫描速度H：2500u/s对应CID气体供给压P1：230[kPa]，扫描速度L：100u/s对应CID气体供给压P2：290[kPa]，因此可以求出与扫描速度：1000u/s对应的CID气体供给压约为267[kPa]。

此外，与扫描速度对应的CID气体供给压可以不依赖于通过上述的线性插值等求出的关系式，而可以例如只对扫描速度选定规定的阈值，并以扫描速度比该阈值大的情况和阈值以下的情况来切换CID气体供给压。即，也可以将扫描速度区分为彼此不同的多个范围，对其每个区分规定合适(适当)的CID气体供给压。此处重要的是，最终能够根据前段四极质量过滤器3的质量扫描的扫描速度以多个阶段切换CID气体供给压。

如前所述，如果求出了与此时的扫描速度对应的合适的CID气体供给压，则控制部30以变为该供给压的方式控制CID气体供给部8的同时，以分别在前段四极质量过滤器3、离子向导5、后段四极质量过滤器6施加规定电压的方式控制各电源部11、12、13。由此，对试料实行前体离子扫描测定。即，在离子源2中试料中的化合物被离子化，生成的各种离子被导入前段四极质量过滤器3。通过从Q1电源部11向前段四极质量过滤器3施加的电压被扫描，在前段四极质量过滤器3中反复进行规定的质荷比范围的质量扫描，质荷比被扫描了的前体离子被导入到碰撞池4。

在碰撞池4，前体离子由于与CID气体冲撞而解离，由此生成的产物离子被导入到后段四极质量过滤器6。从Q3电源部13向后段四极质量过滤器6施加的电压被固定为规定值，不受前体离子的质荷比的限制，具有一定质荷比的产物离子在后段四极质量过滤器6被选择然后到达检测器7。数据处理部20基于经由ADC9获得的数据，制作与前体离子的质量扫描对应的质谱图(MS/MS谱图)。在上述前体离子扫描测定时，由于碰撞池4内的CID气体的气压被设定为对应扫描速度的基本合适的值，因此不受前段四极质量过滤器3的质量扫描的扫描速度的限制，在数据处理部20，能够制作出峰的波形形状良好且其强度也足够高的质谱图。

在指定了前体离子扫描测定模式以外的，中性丢失扫描测定模式和/或在前段四极质量过滤器3进行质量扫描、且不在后段四极质量过滤器6对在碰撞池4内由CID生成的各种产物离子进行选择而检测的测定模式的情况下也同样，控制部30基于储存于CID气体条件表31a的信息，规定与扫描速度对应的CID气体供给压。由此，在这些测试模式下也不受扫描速度的限制，而能够制作出峰的波形形状良好且其强度足够高的质谱图。

另一方面，在指定了在前段四极质量过滤器3不进行质量扫描的测定模式，例如，产物离子扫描测定模式、MRM测定模式等的情况下，由于在前段四极质量过滤器3进行质量扫描的扫描速度可以认为极端缓慢，所以在控制部30可以选择储存于例如CID气体条件表31a的信息中与最低的扫描速度对应的CID气体供给压，控制CID气体供给部8。由此，即使在产物离子扫描测定模式、MRM测定模式等情况下，也能够制作出峰的波形形状良好且其强度足够高的质谱图。

以下，参考图2，对本发明的第2实施例的串联四极型质量分析装置进行说明。图2是第2实施例的串联四极型质量分析装置的主要部分的概略结构图，对与图1所示的第1实施例的装置相同的结构要素标记了相同附图标记。

在第1实施例的串联四极型质量分析装置中，表示扫描速度与CID气体供给压关系的信息被预先写入于CID气体条件表31a中，并利用该信息控制供给至碰撞池4的CID气体的供给压。与此相对，第2实施例的串联四极型质量分析装置具备：CID气体条件自动调整部32，其承担用于在用户侧自动算出扫描速度与CID气体供给压之间的关系的控制及数据处理；以及，流路切换阀14和调整用试料供给部15，其用于代替目标试料而将调整用的标准试料导入离子源2。通常，调整用的标准试料是高纯度地包含质荷比为已知的规定的化合物的试料。

即，如果操作者在输入部40指示实行自动参数调整，则CID气体条件自动调整部32将流路切换阀14切换至调整用试料供给部15侧，并将调整用的标准试料导入离子源2。此外，CID气体条件自动调整部32，以将CID气体供给压依次切换为预先决定的多个数值的方式控制CID气体供给部8，然后以对每个不同的CID气体供给压，以不同的扫描速度分别至少实行一次对源自包含于标准试料的化合物的离子的质荷比附近的规定质荷比的前体离子扫描测定的方式控制各电源部11、12、13。CID气体供给压例如可以像图4、图6所示那样以190、210、230、260、290、350[kPa]的6个阶段切换。此外，扫描速度可以以100u/s和2500u/s的2个阶段切换。当然，如果时间允许也可以更细密地切换条件。

如果实施上述那样的对标准试料的测定，则在数据处理部20，对多个阶段的每个CID气体供给压，制作如图3，图5所示那样的，能够观测到源自规定的化合物的离子峰的质谱图。CID气体条件自动调整部32检测出在这样的质谱图上出现的峰，并基于该峰的的波形形状以及峰的强度，对每个扫描速度决定最优的CID气体供给压。作为此时的判断基准，如上所述，可以选择：峰形状是峰的FWHM为0.7以下、或者能够分离主峰和与其最近的同位素峰的形状，且赋予最大峰强度的CID气体供给压。这样，如果对每个扫描速度决定了最优的CID气体供给压，则CID气体条件自动调整部32将该信息写入到CID气体条件表31a。

如上述所那样作成CID气体条件表31a之后的，在试料测定时的CID气体供给压的控制与第1实施例相同。

此外，与作成上述的CID气体条件表31a相关的分析和/或数据处理能够与例如决定向各部施加的电压参数等的最优值的自动调谐同时进行。

在第2实施例的串联四极型质量分析装置中作成的CID气体条件表31a反映最近的装置的使用环境和/或状态等。因此，该第2实施例的装置与第1实施例的装置相比，能够更良好地实施测定，也就是说，可以实施能够实现如下状态的测定的可能性高，所述状态是质谱图上的峰形状更好且峰强度也高的状态。

由于上述实施例均都是本发明的一例，所以显而易见的是，即使在本发明的要旨的范围内进行适当的变形、追加、修正，也包含于本申请的保护范围内。

例如在上述实施例中，在CID气体条件表31a储存了扫描速度和CID气体供给压之间的关系，但是也可以储存扫描速度和与碰撞池4内的CID气体供给压相关的其他信息(例如CID气体供给流量、CID气压自身等)之间的关系。另外，理所当然地，扫描速度与CID气体供给压等的关系也可以不以表格形式，而以计算式等其他形式存储。

Claims

1.一种串联四极型质量分析装置，其特征在于，包括：前段四极质量过滤器，其在各种离子中选择具有特定质荷比的离子作为前体离子；碰撞池，其通过使所述前体离子与规定气体冲撞，使该离子解离；后段四极质量过滤器，其在通过该解离产生的各种产物离子中选择具有特定的质荷比的离子；检测部，其检测该被选择的产物离子，所述串联四极型质量分析装置还包括：

a)气体供给部，其向所述碰撞池内提供所述规定气体；

c)分析控制部，其至少在实行在所述前段四极质量过滤器进行质量扫描的测定模式时，基于存储于所述设定信息存储部的信息，以碰撞池内的规定气体的气压变为与实行的质量扫描的扫描速度对应的状态的方式控制所述气体供给部；

所述串联四极型质量分析装置具备：CID气体条件自动调整部，基于该峰的波形形状以及峰的强度，对每个扫描速度决定最优的CID气体供给压；

在所述前段四极质量过滤器进行质量扫描的测定模式是指，前体离子扫描测定模式、中性丢失扫描测定模式、以及在后段四极质量过滤器不实施根据质荷比的离子选择而只在前段四极质量过滤器进行质量扫描的测定模式。

2.根据权利要求1所述的串联四极型质量分析装置，其特征在于：还包括设定信息自动制作部，其在所述前段四极质量过滤器进行质量扫描的测定模式下，以在该质量扫描的扫描速度以多个阶段变化的各阶段来使碰撞池内的规定气体的气压以多个阶段变化的方式控制所述气体供给部，同时反复实行对规定试料的测定，基于在根据这些测定获得的质谱图上作为目标的峰的形状以及该峰的强度，对每个质量扫描的扫描速度求出合适的气压，并将该气压的信息或者用以供给规定气体的控制信息储存于所述设定信息存储部。

3.根据权利要求2所述的串联四极型质量分析装置，其特征在于：所述设定信息自动制作部将作为目标的峰的半值宽为0.7u以下且峰的强度变为最大的气压判断为合适的气压。

4.根据权利要求2所述的串联四极型质量分析装置，其特征在于：所述设定信息自动制作部将能够在源自作为目标的化合物的峰中使只由稳定同位素元素组成的峰与包含非稳定同位素元素的峰相分离的、且峰的强度变为最大的气压判断为合适的气压。