CN104754875A - 铜@银金属导电膜的制备方法及其在印制电路板上的应用 - Google Patents

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Abstract

铜银金属导电膜的制备方法及其在印制电路板上的应用属于材料技术领域。本发明步骤：在避光条件下，将铜盐和光引发剂加入溶剂中溶解，所得均相溶液放入反应容器中；将透明基材放于反应容器上，使透明基材与均相溶液接触；用与光引发剂吸收波长匹配的光源照射反应体系，发生光还原反应，被还原的铜粒子附着在透明基材表面；对附有铜的基材进行银盐溶液浸渍处理，最终在透明基材上得到铜银金属导电膜。当使用掩膜时，可以得到图案化的铜银金属导电膜。本发明无需高温退火等复杂后处理，就可达到优良的导电性能，可广泛应用于各种透明基材，尤其是对于难以承受热处理的热敏感基材更具优势，简化了电路板的制作过程，降低了成本及环境污染，有望取代传统的印制电子线路板及柔性电路板的制备技术。

Description

铜银金属导电膜的制备方法及其在印制电路板上的应用
技术领域
本发明属于材料技术领域，具体涉及一种在透明基材表面上制备铜银金属导电膜的方法，尤其涉及一种透明基材上图案化铜银金属导电膜的制备方法及其在印制电路板上的应用。
背景技术
随着电子产业的发展，制备导电图层特别是柔性基材上的导电图层越来越重要。目前印制电路板主要采用减成法工艺来制作，即在覆铜箔层压板表面上，有选择性地刻蚀部分铜箔来获得导电图层。我们知道，传统的印刷电路板(PCB)制造工艺需要经过20多道制作工序，产生大量的有机溶剂和废水废液，耗用高额能量，成为能耗大户。国家已经充分意识到PCB行业的高污染和排放问题，国家环保局已于2008年11月21日发布了行业标准——《清洁生产标准印制电路板制造业》(HJ450-2008)，并于2009年2月1日开始实施。政府已明确提出并要坚决落实不能以牺牲环境的代价来促进我国经济发展。显而易见，我国PCB工业的发展必将受到环境保护方面的政策限制。因此，PCB工业如果想要获得可持续发展，必须先要跨过环境保护的新门槛，否则无法生存。
近年来，贵金属导电油墨打印在电子产业上得到了广泛的应用，但贵金属导电油墨仍存在很多无法避免的缺点，诸如：贵金属纳米粒子在油墨中的分散问题、氧化问题、油墨长时间储存问题以及喷头堵塞问题等。并且喷墨打印制备导电图层对设备、油墨要求较高，设备价格昂贵、维护成本高。更重要的是，在喷墨打印制备导电图层的过程中，为了保证贵金属油墨的稳定性，贵金属导电油墨普遍采用非极性溶剂以及有机稳定剂。有机稳定剂在油墨成型后会残留在金属粒子表面，严重影响了材料的导电性。传统方法通常采用高温退火的处理方法，不仅增加了制备成本及流程，更会破坏热敏感柔性基材，因此大大限制了其在柔性电路板中的应用。且导电油墨打印后的非极性溶剂挥发，产生大量挥发性有机化合物(VOC)排放不符合环保及绿色化学的要求，并且在日趋严格的环境保护政策要求下，将严重限制金属导电油墨打印技术的应用。
基于上述原因，近年来出现了一种低成本、操作简单、环境友好的导电图层制备方法，即光化学还原法。它是建立在光化学基础上的一种新型环保的制备方法，此方法可以在基材表面上得到图案化的铜膜。
中国专利CN201210041508.7《基材表面的铜膜、其制备方法及应用》，公开了一种基材表面金属铜膜的制备方法，可以使非导体基材表面铜金属化，并且通过选择性曝光使铜膜图案化，省略了传统PCB制造中的曝光、显影、刻蚀等步骤。但是此方法需要在无氧条件下进行热压处理，无氧条件和热压处理使得制备条件相对苛刻，增加了制备工艺的复杂性。此外，热压过程需要100～300℃的高温，以及1-10MPa的压力，难以应用在热塑性的柔性基材以及玻璃等脆性基材上。
发明内容
针对现有图案化导电膜的制备流程中的过程繁琐、性能差、成本高与不环保等问题，优化光化学法制备导电金属膜的制备条件，本发明旨在提供一种在透明基材表面上制备可图案化铜银金属导电膜的方法，及其在制备电路板中的应用。基于“光化学还原与化学氧化还原联动法制备铜银金属导电膜”的概念，该方法先通过光化学还原法在透明基材表面制备铜膜，经过银盐溶液浸渍后处理，原位得到铜银金属导电膜。并且可以通过选择性曝光，得到图案化的铜银金属导电膜。由于铜单质与银离子溶液发生置换反应时，铜与银盐的化学计量比为1:2，即1个铜原子原位还原银盐后可以产生两个银原子，且银原子半径比铜原子半径大，因此，当浸渍处理后，产生的金属银因为其成倍的数量增加和更大的体积可以充满金属膜上铜粒子之间的空隙，得到连续的导电结构。
利用该方法制备的图案化铜银金属导电膜性能优异，具有导电率高、化学稳定性优良等优点；制备工艺简单，条件温和，反应过程容易控制，可以通过控制辐照量、光还原体系组成及浓度，以及浸渍条件等变量，实现即开即停，调控铜银金属导电膜的厚度与性能。此方法制备的图案化铜银金属导电膜无需高温退火等复杂后处理，就可达到优良的导电性能，可以广泛应用于各种透明基材，尤其是对于难以承受热处理的热敏感基材具有更大的优势。此方法大大简化了电路板的制作过程，降低了电路板制作成本及环境污染，本方法有望取代传统的印制电子线路板及柔性电路板的制备技术。
为实现上述目的，本发明采用如下技术方案。
一种在透明基材表面制备铜银金属导电膜的方法，其特征在于包括如下步骤：
(1)在避光条件下，将铜盐和光引发剂加入溶剂中溶解，所得均相溶液放入反应容器中；
(2)将透明基材放于反应容器上，使透明基材与所得均相溶液接触；
(3)用与光引发剂吸收波长相适应的光源照射透明基材，在透光处发生光还原反应，被还原的金属铜粒子附着在透明基材表面；
(4)对步骤(3)中得到的附有铜的基材进行银盐溶液浸渍处理，金属铜与银盐原位发生氧化还原反应，最终在透明基材上得到铜银金属导电膜。
进一步，所述铜盐为无机盐、有机盐和络合盐中的一种或多种的组合。
进一步，所述铜盐为氯化铜、硫酸铜、硝酸铜、溴化铜、高氯酸铜、乙酸铜、甲酸铜、硬脂酸铜或亚油酸铜；铜的络合盐通式为Cu(R)n 2+，其中R为含氮化合物、羰基化合物、磺酸基化合物或柠檬酸化合物，n＝1-3。
进一步，步骤(1)当铜盐不是络合盐时还加入助剂，助剂与铜离子的摩尔比为1-6；助剂的化学通式为：其中R1为烷基，n为1-3；或者助剂的化学通式为：或其中R2,R3和R4为烷基、烷氧基或羟基。
进一步，所述光引发剂是自由基裂解型光引发剂、夺氢型光引发剂、阳离子型光引发剂或其他光致自由基物质，光引发剂与铜离子的摩尔比为1-3。
进一步，光引发剂为苯偶姻及其衍生物、苯偶酰衍生物、二烷基氧基苯乙酮、α-羟烷基苯酮、α-胺烷基苯酮、二苯甲酮/叔胺、蒽醌/叔胺、硫杂蒽酮/叔胺、樟脑醌/叔胺、二苯甲酮/环缩醛、硫杂蒽酮/环缩醛、芳基重氮盐、二芳基碘鎓盐、三芳基硫鎓盐、芳茂铁盐、二氧化钛、氮化石墨烯中的一种或多种。进一步，步骤(3)中，所述光源波长范围为200-900nm，光照时间从1秒钟到1小时，反应温度为10-40℃。
进一步，需要得到图案化的导电图层，则将带有图案的掩膜置于透明基材与光源之间。
进一步，银盐为无机盐、有机盐和络合盐中的一种或几种的组合。包括：硝酸银、氟化银、硫酸银、雷酸银、高氯酸银、乙酸银、甲酸银、硬脂酸银、亚油酸银、和络合盐[Ag(R5)n]+(如：Ag(NH3)2OH等)，n＝1-5，其中R5为含氮化合物、羰基化合物、磺酸基化合物和柠檬酸化合物。
进一步，银盐溶液浓度为0.001-10mol/L，浸渍处理的时间为1秒到60分钟。
本发明的上述方法中，优选步骤(3)和(4)在惰性气体条件下进行，无氧的环境更有利于光化学还原的进行与置换反应的发生，制得的铜银膜具有更好的导电性。
上述制备方法中，所述铜盐为无机盐、有机盐和络合盐中的一种或多种的组合，优选氯化铜、硫酸铜、硝酸铜、溴化铜、高氯酸铜、乙酸铜、甲酸铜、硬脂酸铜或亚油酸铜；铜的络合盐通式为Cu(R)n 2+，其中R为含氮化合物、羰基化合物、磺酸基化合物或柠檬酸化合物，n＝1-3。
所述助剂是可以和铜盐形成络合物的化合物，其作用主要在于促进铜盐的溶解。优选地，助剂的化学通式为：N(R1)n，其中R1为烷基，n为1-3；或R4-SO3H，
R2,R3和R4为烷基、烷氧基或羟基。助剂与铜离子的摩尔比为1-6，该比值范围内助剂用量的增加可导致光照下反应速度相应提高。如果摩尔比超出6，将会造成助剂过量；若比值小于1，则反应难以顺利进行。另外，如果使用的铜盐本身就是铜的络合盐且能够完全溶于有机溶剂中，则不需要加入助剂，此时反应仍会进行。
所述光引发剂可以是自由基裂解型光引发剂、夺氢型光引发剂、阳离子型光引发剂或其他光致自由基物质，优选苯偶姻及其衍生物、苯偶酰衍生物、二烷基氧基苯乙酮、α-羟烷基苯酮、α-胺烷基苯酮、二苯甲酮/叔胺、蒽醌/叔胺、硫杂蒽酮/叔胺或樟脑醌/叔胺、芳基重氮盐、二芳基碘鎓盐、三芳基硫鎓盐、芳茂铁盐中的一种或多种。光引发剂与铜离子的摩尔比为1-3，在该比值范围内光引发剂用量的增加可以加快反应速度，但如果比值大于3则会造成光引发剂过量，而若比值小于1则会影响反应顺利进行。
所述溶剂作为反应体系的载体，只要能够有效溶解反应原料即可，本发明的制备方法中溶剂优选水、醇类溶剂、酮类溶剂、N,N-二甲基甲酰胺、二甲基亚砜中的一种或几种。其中醇类溶剂为甲醇、乙醇、乙二醇、丙醇、丙二醇、丙三醇、1，2-丙二醇、丁醇、丁二醇中的一种或几种。
本发明的制备方法中，所述透明基材包括塑料、玻璃、或其他透光材料，其适用种类对本领域技术人员而言是容易想到的。
步骤(3)中，所述光源波长范围为200-900nm，包括可见光源(氙灯、钨灯等)、紫外光源(汞灯、LED灯等)；光照时间不超过1小时，反应温度为10-40℃。
步骤(4)中，银盐为无机盐、有机盐和络合盐中的一种或几种的组合。包括：硝酸银、氟化银、硫酸银、雷酸银、高氯酸银、乙酸银、甲酸银、硬脂酸银、亚油酸银、和络合盐[Ag(R5)n]+(如：Ag(NH3)2OH等)，n＝1-5，其中R5为含氮化合物、羰基化合物、磺酸基化合物和柠檬酸化合物。
为获得铜银金属导电膜，浸润过程所需的银盐溶液为均相液体，浓度可为0.001-1mol/L。基于银盐溶液的不同浓度，可灵活调整浸渍处理的时间。一般来说，根据不同的浸渍浓度，浸渍处理的时间可以是5秒到60分钟不等。光化学还原得到的铜膜厚度，银盐浓度与浸渍时间将共同决定铜银金属导电膜的性能。若铜膜过薄、银盐浓度过小或处理时间短，则不能完全形成银网状导电结构；而银盐浓度过大或处理时间长则会形成单纯银膜，增加成本。
银盐溶液在反应结束后，通过添加溶质可以重复再利用，实现节约成本，降低污染的绿色化学。
在上述制备方法的基础上，本发明还涉及由该制备方法制备而成的透明基材表面上的图案化金属铜银金属导电膜，以及该制备方法在制备复合导电材料或电路板中的应用。
本发明的工艺原理是：光引发剂在光的照射下裂解产生自由基(或达到激发态)，铜离子夺取自由基(或吸收激发态引发剂的能量)被还原成铜纳米粒子。此反应以光照作为反应开关，体系受光照部分的铜离子发生光还原反应，因此掩膜透光处的基材表面首先反应生成铜纳米粒子。由于铜纳米粒子具有很高的表面能，其吸附性很强，因而纳米粒子形成后吸附到基材表面，最终在表面形成图案化铜膜。单质铜与银离子可以在室温下快速发生氧化还原反应，且由于透明基材表面的铜膜是图案化的，所以经过银盐溶液浸渍处理后，透明基材表面形成的铜银金属导电膜也拥有与掩膜透光处一样的图案。
利用该技术可以在透明基材表面形成完整的铜银金属导电膜，同时由于该反应受光照条件的限制，因此配合图案掩膜的使用，通过选择性曝光，可制备出具有设定图案的铜银金属导电膜(如导线，光刻电路板等)。此外，由于该反应通过化学氧化还原实现铜银金属导电膜表面结构连续化，避免了高温退火等处理过程，因此可以将此技术推广至更多的热敏感柔性基材。
此方法可在常温常压下直接制备出图案化的铜银金属导电膜，无需任何退火等后处理过程，可以广泛应用于各种透明基材上；所制备的铜银金属导电膜性能良好、化学稳定性高；可以通过控制辐照、光还原体系，及浸渍条件等变量，实现即开即停，调控铜银金属导电膜的厚度与性能。本制备方法省略了曝光、显影、刻蚀、清洗等步骤，工艺简单、可操作性强、加工成本低、且环境友好。本方法可以在透明基材表面制备图案化铜银金属导电图层，特别是可以应用在热敏感柔性基材表面，有望替代传统的电路板印制技术。
附图说明
图1为实施例2玻璃基材上制备的铜银金属导电膜的X射线衍射图谱。
图2为实施例3玻璃基材上制备的铜膜(a),以及铜银金属导电膜(b)的扫描电子显微镜图，×5K。
图3为实施例7PET基材上制备的铜银金属导电膜，光照与浸渍处理后的X射线衍射图谱；其中，(a)为步骤(4)中PET基材上得到的铜银金属导电膜；(b)为步骤(3)在PET基材上得到的铜膜；(c)为PET基材。
图4为实例9PET基材上制备的铜银金属导电膜，光照与浸渍处理后的电子能谱；其中，上图为步骤(3)中PET基材上铜膜；下图为步骤(4)中PET基材上的铜银金属导电膜。
具体实施方式
下面通过具体实施例对本发明的技术方案做进一步说明，但不应将其理解为对本发明保护范围的限制。
实施例1
(1)将0.190克硝酸铜和助剂0.41克二乙醇胺溶解于10mL乙醇中，铜离子与胺类助剂的摩尔比为1:4，混合均匀后，避光条件下加入光引发剂1173(2-羟基-2-甲基-1-苯基-1-丙酮)0.32克，铜离子与光引发剂的摩尔比为1:2，混合均匀后将反应溶液注入圆形聚四氟乙烯制的凹槽中，充满整个凹槽；
(2)紧贴溶液覆上透光玻璃；
(3)在室温下用365nm波长的LED点光源照射10min，光照强度为10mW/cm2，紧贴液面侧的玻璃上附上了一层金属铜膜；
(4)将附着有铜膜的玻璃基材在0.1mol/L的硝酸银溶液中浸渍处理10s最终在玻璃上制备了铜银金属导电膜。
玻璃基材上铜银金属导电膜的电阻为2.32×10-8Ω·m，台阶仪测得膜厚为1.8μm。
实施例2
(1)将0.16克硫酸铜和助剂0.53克二乙醇胺溶解于10mL乙醇中，铜离子与胺类助剂的摩尔比为1:5。混合均匀后，避光条件下加入光引发剂1173(2-羟基-2-甲基-1-苯基-1-丙酮)0.32克，铜离子与光引发剂的摩尔比为1:2，混合均匀。将反应溶液注入聚四氟乙烯制的凹槽中，并充满整个凹槽；
(2)紧贴溶液覆上透光玻璃；
(3)在室温下用365nm波长的LED面光源照射10min，光照强度为50mW/cm2，紧贴液面侧的玻璃上附上了一层金属铜膜；
(4)将附着有铜膜的玻璃基材在0.1mol/L的硝酸银溶液中浸渍处理20s，最终在玻璃上制备了铜银金属导电膜。
图1为玻璃基材上的铜银金属导电膜的X射线衍射谱图。参照XRD卡片PDF 01-087-0717，2θ＝38.1°为银的(111)晶面，2θ＝44.09°为银的(200)晶面，2θ＝64.36°为银的(220)晶面，2θ＝77.45°为银的(311)晶面说明经过步骤(4)银盐溶液浸渍处理后，在玻璃基材表面存在一层单质银。
玻璃基材上铜银金属导电膜的电阻为2.15×10-8Ω·m，台阶仪测得膜厚为2.1μm。
实施例3
(1)将0.179克硝酸铜和助剂0.41克二乙醇胺溶解于10mL乙醇中，铜离子与胺类助剂的摩尔比为1:4。混合均匀后，避光条件下加入光引发剂1173(2-羟基-2-甲基-1-苯基-1-丙酮)0.24克，铜离子与光引发剂的摩尔比为1:1.5，混合均匀。将反应溶液注入聚四氟乙烯制的凹槽中，并充满整个凹槽；
(2)紧贴溶液覆上透光玻璃，并在玻璃与光源之间放置一片拥有图案的掩膜；
(3)在室温下用365nm波长的LED点光源照射10min，光照强度为10mW/cm2，紧贴液面侧的玻璃上附上了一层图案化的金属铜膜；
(4)将附着有图案化铜膜的基材在0.1mol/L的硝酸银溶液中浸渍处理100s最终在玻璃上制备了具有相同图案的铜银金属导电膜。
图2(a)为玻璃基材表面经过过程(3)处理后，铜膜的扫描电子显微镜图；图2(b)为玻璃基材表面经过过程(4)处理后，铜银金属导电膜的扫描电子显微镜图。可以看出，经过过程(4)处理后，银在表面形成了一种微米级网状导电结构。
图案化的铜银金属导电膜的电阻为1.73×10-8Ω·m，台阶仪测得膜厚为3.0μm。
实施例4
(1)将0.140克氯化铜和助剂0.41克二乙醇胺溶解于10mL乙醇中，铜离子与胺类助剂的摩尔比为1:4。混合均匀后，避光条件下加入光引发剂1173(2-羟基-2-甲基-1-苯基-1-丙酮)0.32克，铜离子与光引发剂的摩尔比为1:2，混合均匀。将反应溶液注入聚四氟乙烯制的凹槽中，并充满整个凹槽；
(2)随后紧贴溶液覆上一层聚丙烯(PP)膜；
(3)在室温下用365nm波长的LED面光源照射10min，光照强度为50mW/cm2，紧贴液面侧的PP形成了一层金属铜膜；
(4)将附着有铜膜的PP基材在0.1mol/L的硝酸银溶液中浸渍处理60s最终在PP上制备了铜银金属导电膜。
PP基材上的铜银金属导电膜的电阻为1.75×10-8Ω·m，台阶仪测得膜厚为2.4μm。
实施例5
(1)将0.179克硝酸铜和助剂0.41克二乙醇胺溶解于10mL甲醇中，铜离子与胺类助剂的摩尔比为1:4。混合均匀后，避光条件下加入光引发剂2959(2-羟基-4'-(2-羟乙氧基)-2-甲基苯丙酮)0.44克，铜离子与光引发剂的摩尔比为1:2，混合均匀。将反应溶液注入聚四氟乙烯制的凹槽中，并充满整个凹槽；
(2)随后紧贴溶液覆上一层聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜，并在PET与光源之间放置一片拥有图案的掩膜；
(3)在室温下用365nm波长的LED面光源照射5min，光照强度为50mW/cm2，紧贴液面侧的PET上附上了一层图案化的金属铜膜；
(4)将附着有图案化铜膜的PET基材在0.1mol/L的硝酸银溶液浸渍处理30s后。最终在PET表面上制备了一层图案化的铜银金属导电膜。
PET基材上图案化的铜银金属导电膜的电阻为2.23×10-8Ω·m，台阶仪测得膜厚为2.1μm。
实施例6
(1)将0.188克硝酸铜和助剂0.41克二乙醇胺溶解于10mL乙醇中，铜离子与胺类助剂的摩尔比为1:4。混合均匀后，避光条件下加入光引发剂2959(2-羟基-4'-(2-羟乙氧基)-2-甲基苯丙酮)0.44克，铜离子与光引发剂的摩尔比为1:2，混合均匀。将反应溶液注入聚四氟乙烯制的凹槽中，并充满整个凹槽；
(2)随后紧贴溶液覆上一层聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜，并在PET上方放置一片拥有图案的掩膜；
(3)在室温下用365nm波长的LED面光源照射5min，光照强度为50mW/cm2，紧贴液面侧的PET上附上了一层图案化的金属铜膜；
(4)将附着有图案化铜膜的PET基材在0.1mol/L的硝酸银溶液浸渍处理20s后。最终在PET表面上制备了一层图案化的铜银金属导电膜。
PET基材上图案化的铜银金属导电膜的电阻为2.34×10-8Ω·m，台阶仪测得膜厚为2.0μm。
实施例7
(1)将0.130克氯化铜和助剂0.40克二乙醇胺溶解于10mL乙醇中，铜离子与胺类助剂的摩尔比为1:4。混合均匀后，避光条件下加入光引发剂1173(2-羟基-2-甲基-1-苯基-1-丙酮)0.32克，铜离子与光引发剂的摩尔比为1:2，混合均匀。将反应溶液注入聚四氟乙烯制的凹槽中，并充满整个凹槽；
(2)随后紧贴溶液覆上聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜；
(3)在室温下用高压汞灯光源照射15min，光照强度为40mW/cm2，紧贴液面侧的PET膜上附上了一层金属铜膜；
(4)将附着有铜膜的PET基材在0.1mol/L的硝酸银溶液浸渍处理50s后，最终在PET表面形成一层铜银金属导电膜。
图3为PET基材上制备的铜银膜中，不同反应阶段的X射线衍射图谱。(c)为PET基材XRD谱图。(b)为经过过程(3)处理后PET基材上铜膜的XRD谱图，参照XRD卡片PDF 00-001-1242，2θ＝43.36°为铜的(111)晶面，2θ＝50.48°为铜的(200)晶面。(a)为经过过程(4)处理后PET基材上铜银金属导电膜的XRD谱图，参照XRD卡片PDF 01-087-0717，2θ＝38.1°为银的(111)晶面，2θ＝44.3°为银的(200)晶面，2θ＝64.4°为银的(220)晶面，2θ＝77.4°为银的(311)晶面。
结果说明，经过过程(3)的光化学还原反应，可以在PET基材表面形成一层铜膜；经过过程(4)的银盐浸渍处理，可以在PET基材上形成一层铜银金属导电膜。
PET基材上图案化的铜银金属导电膜的电阻为1.95×10-8Ω·m，台阶仪测得膜厚为2.2μm。
实施例8
(1)将0.129克氯化铜和助剂0.24克乙醇胺溶解于20mL乙醇中，铜离子与胺类助剂的摩尔比为1:4。混合均匀后，避光条件下加入光引发剂1173(2-羟基-2-甲基-1-苯基-1-丙酮)0.32克，铜离子与光引发剂的摩尔比为1:2，混合均匀。将反应溶液注入聚四氟乙烯制的凹槽中，并充满整个凹槽；
(2)随后紧贴溶液覆上聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)；
(3)在室温下用365nm波长的LED面光源照射5min，光照强度为50mW/cm2，紧贴液面侧的PET膜上附上了一层金属铜膜；
(4)将附着有铜膜的PET基材在0.1mol/L的硝酸银溶液浸渍处理20s后，在PET基材上得到了一层铜银金属导电膜
PET基材上的铜银金属导电膜的电阻为2.56×10-8Ω·m，台阶仪测得膜厚为1.6μm。
实施例9
(1)将0.185克硝酸铜和助剂0.24克乙醇胺溶解于10mL乙醇中，铜离子与胺类助剂的摩尔比为1:4。混合均匀后，避光条件下加入光引发剂1173(2-羟基-2-甲基-1-苯基-1-丙酮)0.32克，铜离子与光引发剂的摩尔比为1:2，混合均匀。将反应溶液注入聚四氟乙烯制的凹槽中，并充满整个凹槽；
(2)随后紧贴溶液覆上聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)；
(3)在室温下用365nm波长的LED面光源照射5min，光照强度为50mW/cm2，紧贴液面侧的PET膜上附上了一层金属铜膜；
(4)将附着有铜膜的PET基材在0.01mol/L的硝酸银溶液浸渍处理后200s后，在PET基材上得到了一层铜银金属导电膜。
图4为PET基材上制备的铜银金属导电膜，光照及浸渍处理后的电子能谱。结果说明，经过过程(3)的反应，可以在基材表面形成一层铜；经过过程(4)的浸渍处理，可以在基材表面形成一层铜银金属导电膜，且在反应后仍有金属铜剩余(5.32％)。
PET基材上的铜银金属导电膜的电阻为1.77×10-8Ω·m，台阶仪测得膜厚为2.3μm。
实施例10
(1)将0.180克硝酸铜和助剂0.41克二乙醇胺溶解于10mL甲醇中，铜离子与胺类助剂的摩尔比为1:4。混合均匀后，避光条件下加入光引发剂1173(2-羟基-2-甲基-1-苯基-1-丙酮)0.32克，铜离子与光引发剂的摩尔比为1:2，混合均匀。将反应溶液注入聚四氟乙烯制的凹槽中，并充满整个凹槽；
(2)随后紧贴溶液覆上聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)膜；
(3)在室温下用365nm波长的LED面光源照射15min，光照强度为50mW/cm2，紧贴液面侧的PET上形成了一层金属铜膜；
(4)将附着有铜膜的PET基材在0.1mol/L的硝酸银溶液中浸渍处理40s。最终在PET上制备了铜银金属导电膜。
PET基材上铜银金属导电膜的电阻为1.77×10-8Ω·m，台阶仪测得膜厚为2.3μm。
将PET基材上的柔性铜银金属导电膜应用于电路中(4.5V直流电源，小灯泡，电线)，电路形成通路，小灯泡亮起。
实施例11
(1)将0.195克硝酸铜和助剂0.32克二乙醇胺溶解于10mL乙醇中，铜离子与胺类助剂的摩尔比为1:3。混合均匀后，避光条件下加入光引发剂1173(2-羟基-2-甲基-1-苯基-1-丙酮)0.32克，铜离子与光引发剂的摩尔比为1:2，混合均匀。将反应溶液注入聚四氟乙烯制的凹槽中，并充满整个凹槽；
(2)随后紧贴溶液覆上玻璃，在玻璃与光源之间放置拥有两个透光矩形的掩膜；
(3)在室温下用365nm波长的LED面光源照射15min，光照强度为50mW/cm2，紧贴液面侧的玻璃上形成了两个矩形的金属铜膜；
(4)将附着有铜膜的玻璃在0.1mol/L的硝酸银溶液中浸渍处理10s。最终在玻璃上制备了两个矩形的铜银金属导电膜。
玻璃基材上图案化的铜银金属导电膜的电阻为1.70×10-8Ω·m，台阶仪测得膜厚为2.8μm。
将玻璃基材上图案化的铜银金属导电膜应用于电路中(一个3V直流电源，两个并联LED灯，电线若干)，电路形成通路，因为玻璃基材上的铜银金属导电膜拥有两条线路，所以在4.5V电压下两个不同颜色的LED小灯泡亮起。
实施例12
(1)将0.130克氯化铜和助剂0.42克二乙醇胺溶解于10mL乙醇中，铜离子与胺类助剂的摩尔比为1:4。混合均匀后，避光条件下加入光引发剂1173(2-羟基-2-甲基-1-苯基-1-丙酮)0.24克，铜离子与光引发剂的摩尔比为1:1.5，混合均匀。将反应溶液注入聚四氟乙烯制的凹槽中，并充满整个凹槽；
(2)随后紧贴溶液覆上聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)；
(3)在室温下用氙灯照射10min，光照强度为20mW/cm2，紧贴液面侧的PET膜上附上了一层金属铜膜；
(4)将附着有铜膜的PET基材在0.1mol/L的硝酸银溶液中浸渍处理10s，最终在PET上制备了铜银金属导电膜。
PET基材上的铜银金属导电膜的电阻为2.21×10-8Ω·m，台阶仪测得膜厚为2.1μm。
实施例13
(1)将0.150克氯化铜和助剂0.42克二乙醇胺溶解于10mL乙醇中，铜离子与胺类助剂的摩尔比为1:4。混合均匀后，避光条件下加入光引发剂1173(2-羟基-2-甲基-1-苯基-1-丙酮)0.24克，铜离子与光引发剂的摩尔比为1:2，混合均匀。将反应溶液注入聚四氟乙烯制的凹槽中，并充满整个凹槽；
(2)随后紧贴溶液覆上聚碳酸酯(PC)膜；
(3)在室温下用氙灯照射10min，光照强度为20mW/cm2，紧贴液面侧的PC膜上附上了一层金属铜膜；
(4)将附着有铜膜的PC基材在0.1mol/L的硝酸银溶液中浸渍处理10s最终在PC上制备了铜银金属导电膜。
PC基材上的铜银金属导电膜的电阻为2.23×10-8Ω·m，台阶仪测得膜厚为2.1μm。
实施例14
(1)将0.129克氯化铜和助剂0.42克二乙醇胺溶解于10mL丙醇中，铜离子与胺类助剂的摩尔比为1:4。混合均匀后，避光条件下加入光引发剂1173(2-羟基-2-甲基-1-苯基-1-丙酮)0.32克，铜离子与光引发剂的摩尔比为1:2，混合均匀。将反应溶液注入聚四氟乙烯制的凹槽中，并充满整个凹槽；
(2)随后紧贴溶液覆上聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)；
(3)在室温下用365nm波长的LED面光源照射15min，光照强度为50mW/cm2，紧贴液面侧的PET膜上附上了一层金属铜膜；
(4)将附着有铜膜的PET在0.1mol/L的硝酸银溶液中浸渍处理10s最终在PET上制备了铜银金属导电膜。
PET基材上的铜银金属导电膜的电阻为2.05×10-8Ω·m，台阶仪测得膜厚为2.3μm。
实施例15
(1)将0.149克氯化铜和助剂0.42克二乙醇胺溶解于10mL乙醇中，铜离子与胺类助剂的摩尔比为1:4。混合均匀后，避光条件下加入光引发剂651(苯偶酰双甲醚)0.38克，铜离子与光引发剂的摩尔比为1:1.5，混合均匀。将反应溶液注入聚四氟乙烯制的凹槽中，并充满整个凹槽；
(2)随后紧贴溶液覆上聚丙烯(PP)膜，并在PP与光源之间放置一片拥有图案的掩膜；
(3)在室温下用365nm波长的LED点光源照射10min，光照强度为10mW/cm2，紧贴液面侧的PP上附上了一层图案化的金属铜膜；
(4)将附着有图案化铜膜的PP在0.1mol/L的硝酸银溶液中浸渍处理20s最终在PP上制备了具有相同图案的铜银金属导电膜。
PP基材上图案化的铜银金属导电膜的电阻为2.35×10-8Ω·m，台阶仪测得膜厚为1.9μm。
实施例16
(1)将0.262克高氯酸铜和助剂0.12克乙醇胺溶解于10mL乙醇中，铜离子与胺类助剂的摩尔比为2。混合均匀后，避光条件下加入光引发剂1173(2-羟基-2-甲基-1-苯基-1-丙酮)0.16克，铜离子与光引发剂的摩尔比为1:1，混合均匀。将反应溶液注入聚四氟乙烯制的凹槽中，并充满整个凹槽；
(2)紧贴溶液覆上透光玻璃；
(3)在室温下用365nm波长的LED面光源照射10min，光照强度为50mW/cm2，紧贴液面侧的玻璃上附上了一层金属铜膜；
(4)将附着有铜膜的玻璃基材在0.1mol/L的硝酸银溶液中浸渍处理10s最终在玻璃上制备了铜银金属导电膜。
玻璃基材上的铜银金属导电膜的电阻为1.97×10-8Ω·m，台阶仪测得膜厚为2.05μm。
实施例17
(1)将0.262克高氯酸铜和助剂0.41克二乙醇胺溶解于10mL乙醇中，铜离子与胺类助剂的摩尔比为1:4。混合均匀后，避光条件下加入光引发剂硫杂蒽酮(0.212克)/N,N-二甲基甲酰胺(0.073克)，铜离子与光引发剂的摩尔比为1:1，混合均匀。将反应溶液注入聚四氟乙烯制的凹槽中，并充满整个凹槽；
(2)紧贴溶液覆上透光玻璃；
(3)在室温下用高压汞灯照射15min，光照强度为40mW/cm2，紧贴液面侧的玻璃上附上了一层金属铜膜；
(4)将附着有铜膜的玻璃基材在0.1mol/L的硝酸银溶液中浸渍处理10s最终在玻璃上制备了铜银金属导电膜。
玻璃基材上的铜银金属导电膜的电阻为2.05×10-8Ω·m，台阶仪测得膜厚为2.3μm。
实施例18
(1)将0.129克氯化铜和助剂0.42克二乙醇胺溶解于10mL乙醇中，铜离子与胺类助剂的摩尔比为1:4。混合均匀后，避光条件下加入光引发剂二苯甲酮0.36克/N,N-二甲基甲酰胺(0.146克)，铜离子与光引发剂的摩尔比为1:2，混合均匀。将反应溶液注入聚四氟乙烯制的凹槽中，并充满整个凹槽；
(2)随后紧贴溶液覆上聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)；
(3)在室温下用365nm波长的LED点光源照射10min，光照强度为10mW/cm2，紧贴液面侧的PET上附上了一层金属铜膜；
(4)将附着有铜膜的PET基材在0.1mol/L的硝酸银溶液中浸渍处理300s最终在PET上制备了铜银金属导电膜。
PET基材上的铜银金属导电膜的电阻为1.87×10-8Ω·m，台阶仪测得膜厚为2.9μm。
实施例19
(1)将0.129克氯化铜和助剂0.42克二乙醇胺溶解于10mL乙醇中，铜离子与胺类助剂的摩尔比为1:4。混合均匀后，避光条件下加入光引发剂1173(2-羟基-2-甲基-1-苯基-1-丙酮)0.32克，铜离子与光引发剂的摩尔比为1:2，混合均匀，对溶液进行充氮处理20min。将反应溶液在氮气环境下注入聚四氟乙烯制的凹槽中，并充满整个凹槽；
(2)随后紧贴溶液覆上聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)；
(3)在室温下用365nm波长的LED面光源照射20min，光照强度为50mW/cm2，紧贴液面侧的PET上附上了一层金属铜膜；
(4)将附着有铜膜的PET基材在0.1mol/L的硝酸银溶液中氮气氛围下浸渍处理300s最终在PET上制备了铜银金属导电膜。
PET基材上的铜银金属导电膜的电阻为1.81×10-8Ω·m，台阶仪测得膜厚为3.8μm。

Claims (10)

1.铜银金属导电膜的制备方法，其特征在于包括如下步骤：
(1)在避光条件下，将铜盐和光引发剂加入溶剂中溶解，所得均相溶液放入反应容器中；
(2)将透明基材放于反应容器上，使透明基材与所得均相溶液接触；
(3)用与光引发剂吸收波长相适应的光源照射透明基材，在透光处发生光还原反应，被还原的金属铜粒子附着在透明基材表面；
(4)对步骤(3)中得到的附有铜的基材进行银盐溶液浸渍处理，金属铜与银盐原位发生氧化还原反应，最终在透明基材上得到铜银金属导电膜。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：
所述铜盐为无机盐、有机盐和络合盐中的一种或多种的组合；具体铜盐为氯化铜、硫酸铜、硝酸铜、溴化铜、高氯酸铜、乙酸铜、甲酸铜、硬脂酸铜或亚油酸铜；铜的络合盐通式为Cu(R)n 2+，其中R为含氮化合物、羰基化合物、磺酸基化合物或柠檬酸化合物，n＝1-3。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于：步骤(1)铜盐不是络合盐时还加入助剂，助剂与铜离子的摩尔比为1-6；助剂的化学通式为：N(R1)n，其中R1为烷基，n为1-3；或者助剂的化学通式为：或R4-SO3H，其中R2,R3和R4为烷基、烷氧基或羟基。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述光引发剂是自由基裂解型光引发剂、夺氢型光引发剂或阳离子型光引发剂，光引发剂与铜离子的摩尔比为1-3。光引发剂为苯偶姻及其衍生物、苯偶酰衍生物、二烷基氧基苯乙酮、α-羟烷基苯酮、α-胺烷基苯酮、二苯甲酮/叔胺、蒽醌/叔胺、硫杂蒽酮/叔胺、樟脑醌/叔胺、二苯甲酮/环缩醛、硫杂蒽酮/环缩醛、芳基重氮盐、二芳基碘鎓盐、三芳基硫鎓盐、芳茂铁盐、二氧化钛、氮化石墨烯中的一种或多种。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤(3)中，所述光源波长范围为200-900nm，光照时间从1秒钟到1小时，反应温度为10-40℃。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：需要得到图案化的导电图层，则将带有图案的掩膜置于透明基材与光源之间。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：步骤(4)中，银盐为无机盐、有机盐和络合盐中的一种或几种的组合；具体包括：硝酸银、氟化银、硫酸银、雷酸银、高氯酸银、乙酸银、甲酸银、硬脂酸银、亚油酸银、或络合盐[Ag(R5)n]+，n＝1-5，其中R5为含氮化合物、羰基化合物、磺酸基化合物和柠檬酸化合物。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：银盐溶液浓度为0.001-10mol/L，浸渍处理的时间为1秒到1小时。
9.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述溶剂是水、醇类溶剂、酮类溶剂、N,N-二甲基甲酰胺、二甲基亚砜中的一种或几种。
10.应用权利要求1所述的制备方法所制备的材料在制备导电复合材料、导电油墨或性线路板印制中的应用。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111117367A (zh) * 2018-10-30 2020-05-08 中国科学院化学研究所 一种光敏性银基导电油墨、由其制备银导电结构的方法和柔性导电材料

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1582093A (zh) * 2003-08-12 2005-02-16 精工爱普生株式会社 图形形成方法及布线图形形成方法，电光学装置及电子设备
CN101007344A (zh) * 2007-02-01 2007-08-01 北京化工大学 一种制备纳米铜银双金属复合粉的方法
CN101300375A (zh) * 2005-11-08 2008-11-05 富士胶片株式会社 金属膜形成方法和金属图案形成方法
CN102605355A (zh) * 2012-02-21 2012-07-25 北京化工大学 基材表面的铜膜、其制备方法及应用
CN103464779A (zh) * 2013-09-05 2013-12-25 天津理工大学 一种采用银包覆纳米铜复合粒子制备导电油墨的方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1582093A (zh) * 2003-08-12 2005-02-16 精工爱普生株式会社 图形形成方法及布线图形形成方法，电光学装置及电子设备
CN101300375A (zh) * 2005-11-08 2008-11-05 富士胶片株式会社 金属膜形成方法和金属图案形成方法
CN101007344A (zh) * 2007-02-01 2007-08-01 北京化工大学 一种制备纳米铜银双金属复合粉的方法
CN102605355A (zh) * 2012-02-21 2012-07-25 北京化工大学 基材表面的铜膜、其制备方法及应用
CN103464779A (zh) * 2013-09-05 2013-12-25 天津理工大学 一种采用银包覆纳米铜复合粒子制备导电油墨的方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111117367A (zh) * 2018-10-30 2020-05-08 中国科学院化学研究所 一种光敏性银基导电油墨、由其制备银导电结构的方法和柔性导电材料

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