CN104752598A - 发光装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种生产性与散热性的平衡良好的发光装置。发光装置(100)构成为，在半导体发光元件(1)的设置有p侧电极(15)及n侧电极(13)的一方的面侧层叠了支撑体(3)，在另一方的面侧层叠了荧光体层(2)。支撑体(3)具备：树脂层(31)；在与树脂层(31)的半导体发光元件(1)相接的面的相反侧的面露出的p侧外部连接用电极(34p)及n侧外部连接用电极(34n)；和设置在树脂层(31)内、且分别电连接p侧电极(15)与p侧外部连接用电极(34p)之间以及n侧电极(13)与n侧外部连接用电极(34n)之间的内部布线。内部布线分别串联连接了金属线(32p)及金属镀层(33p)、金属线(32n)及金属镀层(33n)。

Description

发光装置
技术领域
本发明涉及具备半导体发光元件和具有内部布线的树脂层的发光装置。
背景技术
使用了发光二极管等半导体发光元件(发光元件)的发光装置容易实现小型化，且可获得高的发光效率，因此被广泛使用。
使用了发光元件的发光装置大体上可分为以下两种：在发光元件设置片电极(pad electrode)的面是与安装基板相反的一侧的面的面朝上(face-up)型；和在与安装基板对置的面、即发光元件的下表面安装电极的面朝下(face-down)型。
在面朝上型中，在引线等上配备(mount)发光元件，通过接合线(bonding wire)等连接发光元件与引线之间。因此，需要安装到安装基板后从与该基板的表面垂直的一方俯视时，使接合线的一部分位于比发光元件更靠外侧，小型化的程度有界限。
另一方面，在面朝下型(大多取倒装型的形态)中，对于设置于发光元件的表面的片电极和设置在安装基板上的布线而言，能够通过从与安装基板的表面垂直的一方俯视时位于发光元件内侧的凸块或金属柱子等连接手段来进行电连接。
由此，能够将发光元件的尺寸(尤其是从与安装基板垂直的方向俯视时的尺寸)小型化至接近发光元件的芯片的水平。
并且，最近为了推进更加的小型化、为了进一步提高发光效率，使用了去除蓝宝石等生长基板(透光性基板)来使厚度更薄的面朝下型发光装置。
生长基板是为了在其上使构成发光元件的n型半导体层及p型半导体层生长而使用的基板，具有通过支撑厚度较薄且强度较低的发光元件来提高发光装置的强度的效果。
因此，在形成发光元件之后去除了生长基板的发光装置或使生长基板的厚度变薄的发光装置中，例如，如专利文献1所示那样，为了支撑发光元件而在电极侧(与安装基板对置的一侧)设置树脂层，并且穿过该树脂层来形成金属柱子，由此通过该金属柱子电连接发光元件的电极和设置于安装基板的布线(布线层)。
并且，由于具有包括该金属柱子的树脂层，因此发光装置能够确保足够的强度。
另一方面，虽然不是发光元件，但是如专利文献2或专利文献3那样，公开了通过金属线连接安装基板的布线和为了与外部进行连接而在树脂的表面设置的端子的方法。
【专利文献1】JP特开2010-141176号公报
【专利文献2】JP特开平5-299530号公报
【专利文献3】JP特开2008-251794号公报
在此，为了使发光装置具有足够的强度，树脂层需要具有例如数十μm等级以上或1mm以上这样的足够的厚度。因此，金属柱子也需要具有数十μm等级以上或1mm以上这样的厚度。
另一方面，专利文献1记载的金属柱子通常是通过电解电镀法形成的，因此想要形成这种厚度的金属柱子(金属膜)，需要花费很长的时间，因此存在量产性(生产性)低的问题。
另外，若在厚膜上形成镀层，则由于与树脂层之间的应力、内部应力，镀层容易产生弯曲，其结果，有可能镀层会从发光元件剥离或者无法将发光装置制作成稳定的形状。
因此，考虑了适用专利文献2或专利文献3公开的方法代替金属柱子而适用金属线的方法。若树脂层是所述范围的厚度，则只要改变所使用的金属线的长度，就能够在几乎不改变生产性的情况下形成内部布线。
另一方面，公知发光元件的发热量多，随着温度上升，发光输出会降低。因此，需要迅速将发光元件产生的热散去，从而使得温度不会过度上升。在此，若作为支撑体的树脂层的厚度变厚，则金属线也会变长。但是，一般，金属线与通过电解电镀法形成的金属柱子相比更细，因此若长度变长，则金属线的热阻变大，将金属线作为导热路径的散热性降低。其结果，若发光元件的温度过度上升，则发光装置的发光输出会降低。
发明内容
为了解决上述的课题，本发明的一方式的发光装置具备：半导体发光元件，具有层叠p型半导体层及n型半导体层而构成的半导体层叠体，在所述半导体层叠体的设置有所述p型半导体层的一侧、或者设置有所述n型半导体层的一侧中的任一方的面侧，具有与所述p型半导体层电连接的p侧电极和与所述n型半导体层电连接的n侧电极；树脂层；设置在所述半导体层叠体的所述一方的面侧；p侧外部连接用电极，被设置成在所述树脂层的表面露出；n侧外部连接用电极，被设置成在所述树脂层的表面露出；p侧内部布线，设置在所述树脂层内，且电连接所述p侧电极与所述p侧外部连接用电极之间；和n侧内部布线，设置在所述树脂层内，且电连接所述n侧电极与所述n侧外部连接用电极之间，所述p侧内部布线及n侧内部布线分别包括金属镀层和金属线，或分别包括金属镀层和金属线凸块。
(发明效果)
根据本发明的发光装置，在支撑体的内部布线中，通过组合金属镀层和金属线、或金属镀层和金属线凸块，从而抑制金属镀层的变形、制造所需的时间的增加，同时能够抑制金属线或金属线凸块的热阻的上升。
附图说明
图1A是示意性表示本发明的第1实施方式的发光装置的构成的立体图。
图1B是示意性表示本发明的第1实施方式的发光装置的构成的俯视图。
图1C是图1B的A-A线的示意剖视图。
图1D是图1B的B-B线的示意剖视图。
图2A是示意性表示本发明的第1实施方式的发光元件的构成的一例的俯视图。
图2B是图2A的A-A线的剖视图。
图3A是示意性表示本发明的第1实施方式的发光元件的构成的另一例的俯视图。
图3B是图3A的A-A线的剖视图。
图4A是图3A的B-B线的剖视图。
图4B是图3A的C-C线的剖视图。
图5是表示本发明的第1实施方式的发光装置的制造方法的流程的流程图。
图6A～图6D分别是示意性表示本发明的第1实施方式的发光装置的制造工序的一部分的剖视图。
图7A～图7D分别是示意性表示本发明的第1实施方式的发光装置的制造工序的一部分的剖视图。
图8A～图8D分别是示意性表示本发明的第1实施方式的发光装置的制造工序的一部分的剖视图。
图9A、图9B分别是示意性表示本发明的第1实施方式的发光装置的制造工序的一部分的剖视图。
图10A、图10B分别是示意性表示本发明的第2实施方式及第3实施方式的发光装置的构成的剖视图。
图11是表示本发明的第2实施方式的发光装置的制造方法的流程的流程图。
图12是表示本发明的第3实施方式的发光装置的制造方法的流程的流程图。
图13A是示意性表示本发明中形成凸块层叠体的情况的剖视图。
图13B是示意性表示接合金属线的情况的剖视图。
图14A是示意性表示本发明的第4实施方式的发光装置的构成的俯视图。
图14B是图14A的A-A线的剖视图。
图15A是图14A的B-B线的剖视图。
图15B是图14A的C-C线的剖视图。
图16是表示本发明的第4实施方式的发光装置的制造方法的流程的流程图。
图17A是示意性表示在本发明的第4实施方式的发光装置的制造工序中形成了半导体发光元件的情况的俯视图。
图17B是示意性表示在本发明的第4实施方式的发光装置的制造工序中形成了第1树脂层的情况的俯视图。
图18A是示意性表示在本发明的第4实施方式的发光装置的制造工序中形成了横布线层的情况的俯视图。
图18B是示意性表示在本发明的第4实施方式的发光装置的制造工序中形成了第2树脂层的情况的俯视图。
图19是示意性表示在本发明的第4实施方式的发光装置的制造工序中形成了第3树脂层的情况的俯视图。
具体实施方式
以下，说明本发明的发光装置及其制造方法的实施方式。
另外，在以下的说明中所参照的附图示意性表示了本发明，有时会夸张地表示各部件的刻度、间隔、位置关系等，或者有时省略部件的部分图示。此外，在俯视图及剖视图中，有时各部件的刻度或间隔会不一致。此外，在以下的说明中，原则上同一名称及同一符号表示同一性质或相同性质的部件，适当省略详细的说明。
此外，在本发明的各实施方式的发光装置中，“上”、“下”、“左”及“右”等根据状况来进行替换。在本说明书中，“上”、“下”等在为了进行说明而参照的附图中表示构成要素间的相对位置，只要没有特别限定，并不意图表示绝对的位置。
<第1实施方式>
[发光装置的构成]
首先，参照图1A至图1D，说明本发明的第1实施方式的发光装置的构成。
如图1A至图1D所示，第1实施方式的发光装置100包括：具有去除了生长基板的LED(发光二极管)结构的半导体发光元件1(以下，适当称为“发光元件”)；在发光元件1的一方的面侧设置的支撑体3；和在发光元件1的另一方的面侧设置的荧光体层(波长变换层)2。在发光元件1的一方的面侧，设置有n侧电极13和p侧电极15，经由设置在支撑体3内的作为内部布线的金属线32n、32p及金属镀层33n、33p，分别与n侧外部连接用电极34n及p侧外部连接用电极34p电连接。此外，以晶片状态制作之后进行分割来制造发光装置100，将在后面详述该情况。
此外，本实施方式的发光装置100通过荧光体层2，将发光元件1发出的光的一部分或者全部变换成不同波长的光，输出波长变换后的光、或、波长变换后的光和发光元件1发出的光。例如，发光元件1发出蓝色光，荧光体层2吸收蓝色光的一部分之后波长变换成黄色光，将发光装置100作为输出混合了蓝色光和黄色光的白色光的白色光源。
另外，在本实施方式及后述的其他实施方式中，发光装置100具备荧光体层2，但是荧光体层2并不是必须的，也可以不设置荧光体层2。
另外，在本说明书中，如在各附图中适当地赋予坐标轴那样，为了便于说明，将设置有发光元件1的n侧电极13及p侧电极15的面的法线方向设为“+Z轴方向”，将从+Z轴方向观察-Z轴方向的情况称为俯视。此外，将俯视时具有长方形形状的发光元件1的长边方向设为X轴方向，将短边方向设为Y轴方向。
此外，示出了剖视图的附图都表示基于与XY平面垂直的面(与XZ平面或YZ平面平行的面)的剖面。
接着，依次详细说明发光装置100各部分的构成。
发光元件1具有俯视时大致为长方形板状的形状，是在一方的面侧具备n侧电极13及p侧电极15的面朝下型LED芯片。
(发光元件的例)
在此，参照图2A、图2B，详细说明发光元件1的一例。
图2A、图2B所示的发光元件1具备层叠了n型半导体层12n和p型半导体层12p的半导体层叠体12。通过使电流流过n侧电极13及p侧电极15之间，从而半导体层叠体12发光，优选半导体层叠体12在n型半导体层12n与p型半导体层12p之间具备发光层12a。
此外，在半导体层叠体12的设置了p型半导体层12p的一侧、或者设置了n型半导体层12n的一侧中的任一方的面侧，设置与p型半导体层12p电连接的p侧电极15和与n型半导体层12n电连接的n侧电极13。在图2A、图2B所示的例子中，在半导体层叠体12的设置了p型半导体层12p的一侧的面侧(在图2B中是上表面侧)，设置有p侧电极15和n侧电极13。
在半导体层叠体12中形成有p型半导体层12p及发光层12a部分不存在的区域、即从p型半导体层12p的表面下沉的区域(将该区域称为“高低差部分12b”)。高低差部分12b的底面是n型半导体层12n的露出面，在高低差部分12b中形成有n侧电极13。此外，在p型半导体层12p的上表面的大致整个面上设置整面电极14。整面电极14由具有良好的反射性的反射电极14a和覆盖反射电极14a的上表面及侧面的整体的盖电极14b构成。此外，在盖电极14b的上表面的一部分形成有p侧电极15。
此外，去除作为发光元件1的片电极的n侧电极13及p侧电极15的表面，半导体层叠体12及整面电极14的表面被具有绝缘性的保护层16覆盖。
半导体层叠体12可以使用如GaN、GaAs、AlGaN、InGaN、AlInGaP、GaP、SiC、ZnO那样适合于半导体发光元件的材料。在本实施方式中，发光元件1发出的光的一部分被荧光体层2变换成不同波长的光，因此适宜使用发出发光波长短的蓝色、紫色的半导体层叠体12。
n型半导体层12n、发光层12a及p型半导体层12p优选使用InXAlYGa1-X-YN(0≤X，0≤Y，X+Y＜1)等GaN系化合物半导体。此外，这些半导体层可以分别是单层结构，也可以是组成和膜厚等不同的层的层叠结构、超晶格结构等。特别是，优选发光层12a是层叠了产生量子效果的薄膜的单一量子阱或多重量子阱结构。
在作为半导体层叠体12而使用GaN系化合物半导体的情况下，例如，能够通过MOCVD(金属有机物气相生长法)、HVPE法(高压纸电泳气相生长法)、MBE法(分子束外延生长法)等公知的技术，在适合晶体生长的生长基板11(参照图6A)上形成半导体层。此外，并不特别限定半导体层的膜厚，可以适用各种膜厚。
此外，作为用于使半导体层叠体12外延生长的生长基板，例如在使用GaN(氮化镓)等氮化物半导体形成半导体层叠体12的情况下，可列举将C面、R面、A面中的任一个作为主面的蓝宝石或尖晶石(MgAl2O4)这样的绝缘性基板、或碳化硅(SiC)、ZnS、ZnO、Si、GaAs、钻石及与氮化物半导体晶格结合的铌酸锂、镓酸钕等氧化物基板。
另外，在本实施方式中，在发光装置100的制造过程中，从半导体层叠体12剥离生长基板后去除，因此完成后的发光装置100中的发光元件1不具备生长基板。
此外，优选去除了生长基板的半导体层叠体12的下表面、即n型半导体层12n的下表面通过粗面化而具有凹凸形状12c。通过设置凹凸形状12c，能够提高该面的光获取效率。这种凹凸形状12c通过对n型半导体层12n的下表面进行湿蚀刻来形成。
整面电极14具有作为电流扩散层及反射层的功能，层叠反射电极14a和盖电极14b而构成。
反射电极14a被设置成覆盖p型半导体层12p的上表面的大致整个面。此外，为了覆盖反射电极14a的上表面及侧面的全部，设置有盖电极14b。反射电极14a是将经由盖电极14b及设置于盖电极14b的上表面的一部分的p侧电极15供给的电流均匀地扩散至p型半导体层12p的整个面的导体层。此外，反射电极14a具有良好的反射形，还具有作为将发光元件1发出的光朝向光获取面的方向反射的反射膜的功能。在此，具有反射性是指，可良好地反射发光元件1发出的波长的光。另外，优选反射电极14a相对于被荧光体层2变换后的波长的光也具有良好的反射性。
反射电极14a可使用具有良好的导电性和反射性的金属材料。特别是，作为在可见光区域具有良好的反射性的金属材料，可优选使用Ag、Al或以这些金属作为主成分的合金。此外，反射电极14a可以以单层或层叠的方式利用这些金属材料。
此外，盖电极14b是用于防止构成反射电极14a的金属材料的迁移(migration)的屏蔽层。尤其是，在作为反射电极14a而使用了容易迁移的Ag时，优选设置盖电极14b。
作为盖电极14b，可以使用具有良好的导电性和屏蔽性的金属材料，例如可以使用Al、Ti、W、Au等。此外，盖电极14b可以以单层或层叠的方式利用这些金属材料。
n侧电极13设置在n型半导体层12n露出的半导体层叠体12的高低差部分12b的底面。此外，p侧电极15设置在盖电极14b的上表面的一部分。n侧电极13与n型半导体层12n电连接，p侧电极15经由盖电极14b及反射电极14a而与p型半导体层12p电连接，都是用于向发光元件1供给来自外部的电流的片电极。与n侧电极13及p侧电极15分别连接支撑体3(参照图1A～图1D)的内部布线、即金属线32n及金属线32p等。
此外，在图2所示的例子中，p侧电极15层叠本来的片电极、即片电极层15a及冲击吸收层15b而构成。冲击吸收层15b并不是必须的构成，其缓和对金属线32p进行引线接合时的冲击，用于降低对半导体层叠体12的破坏。在图2所示的例子中，如p侧电极15那样，作为引线接合而进行球状接合(ball bonding)时，由于施加到接合部的冲击比较大，因此优选设置冲击吸收层15b。
对于n侧电极13也与p侧电极15同样地，可以设置冲击吸收层。此外，也可以不设置p侧电极15，而是将整面电极14的一部分作为片电极，将金属线32p直接连接到整面电极14。
作为n侧电极13及片电极层15a，可以使用金属材料，例如优选使用Ag、Al、Ni、Rh、Au、Cu、Ti、Pt、Pd、Mo、Cr、W等单体金属或以这些金属为主成分的合金等。另外，在使用合金的情况下，例如如AlSiCu合金那样，作为组成元素也可以含有非金属元素。此外，n侧电极13及片电极15a可以以单层或层叠的方式利用这些金属材料。
此外，冲击吸收层15b是例如吸收引线接合时的冲击的层，可以使用与片电极15a相同的材料，但优选使用与连接到上表面的金属线32p之间的接合性良好的材料。冲击吸收层15b为了吸收冲击，优选形成3μm以上且50μm以下的厚度，更优选形成20μm以上且30μm以下的厚度。例如，在金属线32p为Cu的情况下，冲击吸收层15b也优选使用Cu。
保护层16具有绝缘性，是除了与n侧电极13及p侧电极15的外部的连接部之外覆盖发光元件1的上表面及侧面的全部的膜层。保护层16起到发光元件1的保护膜及带电防止膜的作用。
此外，当在设置于半导体层叠体12的侧面部的保护层16的外侧设有反射层时，优选保护层16相对于发光元件1发出的波长的光具有良好的透光性。另外，优选保护层16相对于荧光体层2变换波长后的波长的光也具有良好的透光性。
作为保护层16，可以使用金属氧化物或金属氮化物，例如优选使用从由Si、Ti、Zr、Nb、Ta、Al构成的群之中选出的至少一种氧化物或氮化物。
此外，作为保护层16，也可以利用折射率不同的两种以上的透光性电介质来进行层叠，构成DBR(Distributed Bragg Reflector)膜。通过DBR膜，反射从发光元件1的上表面及侧面漏出的光来使其返回发光元件1内，由此能够提高来自作为发光元件1的光获取面的下表面的光获取效率。作为DBR膜，例如可列举交替地层叠了SiO2和Nb2O5的多层膜，设为至少3对以上、优选是7对以上的多层膜，从而能够得到良好的反射率。
(发光元件的其他例)
接着，参照图3及图4来详细说明发光元件的其他例。
另外，对与图2所示的例相同或对应的结构赋予相同的符号，适当省略说明。
图3及图4所示的其他例的发光元件1A中，作为p侧的片电极的p侧电极15形成于整面电极14的上表面的一部分，并且，作为n侧的片电极的n侧电极13被设置成除了设有p侧电极15的区域及其附近之外横跨半导体层叠体12的上表面及侧面的大致全部，且经由绝缘性的保护层16而延伸。由此，通过将n侧电极13或p侧电极15设置在发光元件1A的上表面及侧面的广范围内，从而向后述的支撑体3的树脂层31有效地传递热，由此能够提高散热性。
另外，在图3及图4所示的例子中，将n侧电极13设置成了在半导体层叠体12的上表面及侧面的广范围内延伸，但是也可以在广范围内设置p侧电极15。此外，也可以在广范围内相辅地设置n侧电极13及p侧电极15，例如，在图3A中，也可以在发光元件1A的左半部分的广范围的区域内设置p侧电极15，在右半部分的广范围的区域内设置n侧电极13。
此外，也可以将n侧电极13和/或p侧电极15设置成延伸至未设置反射电极14a的半导体层叠体12的侧面，起到反射膜的作用。由此，使从半导体层叠体12的侧面射出的光反射至半导体层叠体12内，能够提高来自作为发光元件1A的光获取面的下表面的光获取效率。
另外，在使n侧电极13和/或p侧电极15起到反射膜的作用的情况下，优选在这些电极的至少下层侧(保护层16侧)使用具有良好的反射性的材料。作为相对于可见光具有良好的反射性的材料，例如可以列举Ag、Al或以这些金属为主成分的合金。
在发光元件1A中，在半导体层叠体12的外周部的整个外周设置有n型半导体层12n露出的高低差部分12b。此外，在半导体层叠体12的p型半导体层12p的上表面的大致整个面上设有层叠了反射电极14a及盖电极14b的整面电极14。此外，除了半导体层叠体12的下表面的全部、高低差部分12b的底面的一部分、和整面电极14的上表面的一部分之外，半导体层叠体12及整面电极14的表面被绝缘性的保护层16覆盖着。此外，发光元件1A与发光元件1相同，在n型半导体层12n的下表面的整个面形成有凹凸形状12c。
此外，在高低差部分12b的底面，如图3B、图4所示，保护层16具有开口部。即，该开口部是n型半导体层12n未被保护层16覆盖的区域，成为了n型半导体层12n与n侧电极13的接合部13a。在本例中，如图3A所示，横跨半导体层叠体12的外周部的整个外周，设置有接合部13a。由此，通过横跨广范围设置接合部13a，从而由于能够向n型半导体层12n均匀地扩散经由n侧电极13供给的电流，因此能够提高发光效率。
另外，高低差部分12b也可以不设置在半导体层叠体12的外缘部的整个外周，而是设置的外缘部的一部分。通过减少设置高低差部分12b的区域，具有p型半导体层12p及发光层12a的区域变宽，能够增加发光量。此外，也可以将高低差部分12b代替成外缘部而设置在俯视时的半导体层叠体12的内侧，或者将高低差部分12b以及外缘部设置在俯视时的半导体层叠体12的内侧。另外，通过将高低差部分12b不是偏向半导体层叠体12的一部分设置，而是断断续续地设置在广范围内，从而不会多余地增加高低差部分12b的区域，如上述那样，能够向n型半导体层均匀地扩散电流。例如，并不是如图3及图4所示的例子那样横跨半导体层叠体12的外缘部的整个外周而连续地设置高低差部分12b，而是可以横跨整个外周断断续续地设置高低差部分12b。
此外，在本实施方式的发光装置100(参照图1A至图1D)中，说明了为了方便而将发光元件用作发光元件1的情况，但是可以使用图2所示的发光元件1或图3及图4示出的发光元件1A中的任一个。在后述的其他实施方式中也是同样，可以使用发光元件1或发光元件1A中的任一个。
参照图1A至图1D，说明发光装置100构成。
荧光体层(波长变换层)2吸收发光元件1发出的光的一部分或全部，变换成与发光元件1发出的光的波长不同的波长的光。荧光体层2可形成为作为波长变换材料而含有荧光体粒子的树脂层。此外，如图1C所示，荧光体层2设置在设有凹凸形状12c(参照图2B)的作为发光元件1的光获取面的n型半导体层12n的下表面侧。
荧光体层2的膜厚可根据荧光体的含有量、发光元件1发出的光与波长变换后的光混色后的期望的色调等来决定，例如，可设为1～500μm，优选为5～200μm，更优选为10～100μm，。
此外，荧光体层2中的荧光体的含有量优选以每单位体积的质量调整成0.1～50mg/cm3。通过将荧光体的含有量设为这样的范围，从而能够充分地进行颜色变换。
作为树脂材料，优选使用相对于发光元件1发出的光及荧光体层2所含有的荧光体进行波长变换后的光具有良好的透光性的材料。
作为这种树脂材料，例如优选使用硅酮树脂、改性硅酮树脂、环氧树脂、改性环氧树脂、尿素树脂、酚醛树脂、丙烯酸酯树脂、聚氨酯树脂、氟树脂、或至少含有一种以上这些树脂的树脂、或混合树脂等。
此外，作为荧光体(波长变换材料)，只要是被发光元件1发出的波长的光激励并发出与该激励光不同的波长的荧光的荧光物质即可，并没有特别限定，优选使用粒状的荧光体。由于粒状的荧光体具有光散射性及光反射性，因此除了波长变换作用外还起到光散射部件的作用，能够获得光的扩散效果。优选在作为树脂层的荧光体层2中以大致均匀的比例混合荧光体。此外，在荧光体层2中，可以使两种以上荧光体同样地混合存在，也可以将荧光体分布成多层结构。
作为荧光体，可以使用在该领域中公知的材料。例如，可以列举以Ce(铈)作为活性剂的YAG(钇-铝-石榴石)系荧光体、以Ce作为活性剂的LAG(镥-铝-石榴石)系荧光体、以Eu(铕)和/或Cr(铬)作为活性剂的含氮铝硅酸钙(CaO-Al2O3-SiO2)系荧光体、以Eu作为活性剂的硅酸盐((Sr，Ba)2SiO4)系荧光体、β硅铝氧氮聚合材料(sialon)荧光体、KSF(K2SiF6：Mn)系荧光体等。此外，也可以使用量子点荧光体。
此外，为了向荧光体层2赋予光扩散性，也可以添加透光性的无机化合物粒子，例如Si、Al、Zn、Ca、Mg、Y等稀土类或者Zr、Ti等元素的氧化物、碳酸盐、硫酸盐或氮化物、或者膨润土(bentonite)、钛酸钾等复合盐等无机填料。这种无机填料的平均粒径可设为与上述的荧光体的平均粒径的范围相同程度的范围。
荧光体层2可通过以下方式形成：调整在溶剂中含有上述的树脂、荧光体粒子、其他无机填料粒子的浆(slurry)，利用喷雾法、分配法、浇灌法等涂敷法，在半导体层叠体12的下表面涂敷调整后的浆，然后使其固化。
此外，也可以另行制作含有荧光体粒子的树脂板，在半导体层叠体12的下表面粘接该树脂板来形成荧光体层2。
另外，在发光装置100中，也可以不设置荧光体层2，而是将半导体层叠体12的下表面用作光获取面来直接输出发光元件1发出的光。此外，也可以代替荧光体层2，设置不含荧光体的透光性的树脂层，也可以设置含有光扩散性的填料的光扩散性树脂层。
支撑体3是俯视时内包发光元件1的外形的长方体形状，被设置成与设有发光元件1的n侧电极13及p侧电极15的面侧相接合，机械地保持去除了生长基板的发光元件1。此外，支撑体3在俯视时其外形与荧光体层2的外形形状大致相同。
支撑体3具备用于安装安装基板的外部连接用电极(n侧外部连接用电极34n及p侧外部连接用电极34p)、和用于将n侧电极13及p侧电极15分别电连接到各自对应的外部连接电极的内部布线(金属线32n、32p及金属镀层33n、33p)。
树脂层31是作为发光元件1的增强部件的母体。此外，如图1C及1D所示，树脂层31与支撑体3的外形形状大致相同，俯视时，内包发光元件1的外形形状，并且外形形状大致与荧光体层2大致相同。此外，树脂层31是封装发光元件1的上表面及侧面的封装树脂层。因此，发光元件1通过树脂层31和设置于下表面侧的作为树脂层的荧光体层2封装了所有面。
如图1C及1D所示，树脂层31层叠第1树脂层(线埋设层)311和第2树脂层(镀层埋设层)312而构成，第1树脂层311埋设有在厚度方向(Z轴方向)上贯通的金属线32n、32p，第2树脂层312埋设有在厚度方向上贯通的金属镀层33n、33p。此外，第1树脂层311和第2树脂层312被良好地紧密连接而形成一体化的树脂层31。
用作第1树脂层311和第2树脂层312的树脂材料可以使用不同的材料，但是为了获得良好的紧贴性，优选使用相同的树脂材料来形成第1树脂层311和第2树脂层312。作为第1树脂层311和第2树脂层312的树脂材料，可以使用与用在上述荧光体层2中的树脂材料相同的树脂材料。此外，在通过压缩成型而形成第1树脂层311和第2树脂层312的情况下，作为原料，例如优选使用作为粉状环氧系树脂的EMC(环氧模塑化合物)或作为粉状硅酮系树脂的SMC(硅酮模塑化合物)等。
此外，第1树脂层311和第2树脂层312也可以为了提高导热性而含有导热部件。通过提高第1树脂层311和第2树脂层312的导热率，从而能够迅速向外部传导发光元件1产生的热来进行散热。
作为导热部件，例如可以使用粒状的炭黑或AlN(氮化铝)等。另外，在导热部件为具有导电性的材料的情况下，以第1树脂层311和第2树脂层312不具有导电性的范围的粒子密度含有导热部件。
此外，作为第1树脂层311和第2树脂层312的，也可以使用在透光性的树脂材料中含有光反射性填料的白色树脂。至少在与发光元件1的上表面接合的第1树脂层311中使用白色树脂，使第1树脂层311起到光反射膜的作用，从而能够使从发光元件1的上表面及侧面侧漏出的光返回发光元件1内，因此能够提高来自作为发光元件1的光获取面的下表面侧的光获取效率。此外，在第1树脂层311具有作为光反射膜的功能的情况下，也可以使用ITO(铟锡氧化物)或IZO(铟锌氧化物)等透光性导电材料来形成发光元件1的整面电极14。
对于树脂层31的厚度而言，可确定下限，以便作为剥离了生长基板的发光元件1的增强部件而具有足够的强度，可以考虑由金属线32n、32p以及金属镀层33n、33p构成的内部布线的热阻、和金属镀层33n、33p的生产性，确定上限。
例如，在发光元件1俯视时的外形为1000μm×500μm左右的情况下，能够将树脂层31的厚度设为50μm程度以上。此外，考虑由金属线32n、32p以及金属镀层33n、33p构成的内部布线的热阻，将树脂层31的厚度优选设置为1000μm程度以下，更优选设置为250μm程度以下。
在第1树脂层311内贯通厚度方向来设置金属线32n，该金属线32n是电连接n侧电极13和金属镀层33n之间的内部布线。此外，在第2树脂层312内贯通厚度方向来设置金属镀层33n，该金属镀层33n是电连接金属线32n和n侧外部连接用电极34n之间的内部布线。即，发光元件1的n侧电极13通过串联连接金属线32n及金属镀层33n的内部布线，与n侧外部连接用电极34n连接。
同样地，在第1树脂层311内贯通厚度方向来设置金属线32p，该金属线32p是电连接p侧电极15和金属镀层33p之间的内部布线。此外，在第2树脂层312内贯通厚度方向来设置金属镀层33p，该金属镀层33p是电连接金属线32p和p侧外部连接用电极34p之间的内部布线。即，发光元件1的p侧电极15通过串联连接金属线32p及金属镀层33p的内部布线，与p侧外部连接用电极34p连接。
作为金属线32n、32p，优选使用具有良好的导电性及导热性的材料，例如优选使用Au、Cu、Al、Ag或以这些金属为主成分的合金等。此外，也可对金属线的表面实施涂层工序。此外，为了有效地传导发光元件1产生的热，优选将线径设为20μm程度以上，更优选设为30μm程度以上，越粗越好。
另外，只要是能够在发光元件1的n侧电极13及p侧电极15中进行布线的尺寸即可，并不特别限定线径的上限，但是优选设置成在进行引线接合时不会因引线接合器施加于半导体层叠体12的冲击而在半导体层叠体12中产生破坏的程度，例如优选设置为3mm程度以下，更优选设置为1mm程度以下。
此外，为了以低价利用更粗的线，优选使用由Cu、Al或以它们为主成分的合金构成的线。
此外，线的形状并没有特别限定，除了具有圆形截面形状的线以外，还可以使用具有椭圆形、长方形等截面形状的带状线。
此外，金属线32n、32p的布线路径并没有特别限定，优选设置成在第1树脂层311的厚度方向上以最短路径或接近该最短路径的路径进行贯通。此外，可以考虑金属线32n、32p的热阻和发光元件1的发热量来确定金属线32n、32p的长度和直径，以使发光元件1的温度不会上升过多。
此外，如本实施方式，若作为内部布线的第1层而使用金属线32n、32p，则能够自由地设定布线路径，因此无论在哪里配置发光元件1的n侧电极13和p侧电极15，都能够容易连接n侧电极13和p侧电极15。
此外，由于作为第2层的金属镀层33n、33p与半导体层叠体12之间的距离变大，因此能够减少金属镀层33n、33p对半导体层叠体12的内部应力的影响。因此，能够降低在半导体层叠体12中引起裂缝等损伤的风险。
另外，如图1C所示，本实施方式中的金属线32p其线的端面通过球状接合而被连接到将吸收引线接合时的冲击的冲击吸收层15b作为上层来设置的p侧电极15。因此，在与p侧电极15的接合部、即金属线32p的前端形成有凸块32a。此外，金属线32n其线端部的侧面通过楔形接合(wedge bonding)与n侧电极13连接。即，金属线32n在一端具有楔形状的前端部，通过该楔形状的前端部与n侧电极13连接。另外，图1C所示的例子表示了线连接方法的一例，但是并不限于此。例如，无论是在哪一个电极中，都可以通过球状接合来进行连接，也可以通过楔形接合来进行连接。另外，也可以通过在金属线32p的一端形成的楔形状前端部而与p侧电极15连接。尤其是，通过使用楔形接合来进行连接，能够弯曲地配置金属线32，因此能够增加在树脂层31的内部所占的金属的体积。因此，能够更有效地传导发光元件1产生的热。
优选通过电解电镀来形成金属镀层33n、33p，且优选使用具有良好的导电性及导热性的金属材料。作为这种金属材料，可以列举Cu、Au、Ni、Pd。另外，在这些材料之中，优选使用廉价且具有比较高的导电性及导热性的Cu。
将金属镀层33n、33p设置成相隔2个金属镀层33n、33p彼此不会短路的程度，且设置在俯视时第2树脂层312的尽可能宽的范围内，以便具有特别是比金属线32n、32p更良好的导热性。此外，在本例中，作为内部布线的金属镀层33n、33p俯视时的形状是具有大致四角路径的柱状形状，但是并不限于此，也可以是圆柱、多角柱、圆台、截锥体等形状。
对于金属镀层33n、33p而言，可通过一次电解电镀形成的膜厚在例如为Cu时是50～150μm程度。此外，若电镀膜的膜厚变厚，则由于与树脂层之间的应力、内部应力，容易在电镀膜中产生弯曲。因此，金属镀层33n、33p的膜厚优选可通过数次电解电镀形成的膜厚，更优选可通过一次电解电镀形成的膜厚。因此，金属镀层33n、33p的膜厚优选是50～200μm程度。
此外，金属镀层33n、33p的上表面形成为与第2树脂层312的上表面构成同一面。并且，以延伸至金属镀层33n的上表面的整个面以及与金属镀层33n的上表面相邻的第2树脂层312的上表面的一部分的方式，设置n侧外部连接用电极34n。同样地，以延伸至金属镀层33p的上表面的全部以及与金属镀层33n的上表面相邻的第2树脂层312的上表面的一部分的方式，设置p侧外部连接用电极34p。
n侧外部连接用电极34n及p侧外部连接用电极34p是用于将发光装置100接合至外部安装基板的片电极。n侧外部连接用电极34n及p侧外部连接用电极34p被设置在与树脂层31的发光元件1接合的面相反的一侧的面、即树脂层31的上表面。发光装置100将树脂层31的上表面侧作为安装面，使用焊料等导电性的粘接材料，将n侧外部连接用电极34n及p侧外部连接用电极34p接合到安装基板的布线图案上。在本实施方式中，由于设有荧光体层2的面是光获取面，因此发光装置00为了适合于顶视(top-view)型安装，设置了n侧外部连接用电极34n及p侧外部连接用电极34p。
作为n侧外部连接用电极34n及p侧外部连接用电极34p，例如，为了提高与使用了Au-Sn共晶焊料等Au合金系接合材料的安装基板的接合性，优选至少最上层由Au形成。例如，在由Cu、Al等Au以外的金属形成金属镀层33n、33p的情况下，为了提高与Au的紧贴性，通过喷射法，首先，依次形成Ti及Ni的薄膜，在Ni层的上层层叠Au层来形成n侧外部连接用电极34n及p侧外部连接用电极34p。
此外，优选n侧外部连接用电极34n及p侧外部连接用电极34p的总膜厚是0.1～5μm程度，更优选是0.5～4μm程度。
另外，在金属镀层33n、33p由Au形成的情况下，也可以不设置n侧外部连接用电极34n及p侧外部连接用电极34p，而是将金属镀层33n、33p兼用作片电极，将其上表面作为与外部的连接面。
此外，也可以将n侧外部连接用电极34n及p侧外部连接用电极34p设置在金属镀层33n、33p的上表面的全部或仅设置在一部分、且不延伸至第2树脂层312的上表面，相反，也可以延伸至第2树脂层312甚至延伸至第1树脂层311的侧面部。通过将n侧外部连接用电极34n及p侧外部连接用电极34p设置成延伸至树脂层31的侧面(在图1A～图1D中，与XZ平面平行的侧面，即俯视时包含长边方向的边的侧面)，从而能够在安装基板上将发光装置100安装成侧视型发光装置。
[发光装置的动作]
接着，参照图1A～图1D以及图2，说明发光装置100的动作。另外，为了便于说明，假设发光元件1发出蓝色光、荧光体层2发出黄色光来进行说明，
发光装置100在经由未图示的安装基板而在n侧外部连接用电极34n及p侧外部连接用电极34p之间连接外部电源时，经由金属镀层33n、33p及金属线32n、32p，向发光元件1的n侧电极13及p侧电极15之间供给电流。并且，若n侧电极13及p侧电极15之间被供给电流，则发光元件1的发光层12a发出蓝色光。
发光元件1的发光层12a发出的蓝色光在半导体层叠体12内传播，从发光元件1的下表面射出，一部分被荧光体层2所含有的荧光体吸收，变换成黄色光之后在外部被获取。此外，蓝色光的一部分未被荧光体吸收，而是透过荧光体层2之后在外部被获取。
另外，在发光元件1内朝向下方向传播的光被反射电极14a朝向上方向反射，从发光元件1的上表面射出。
并且，通过混合在发光装置100的外部获取的黄色光和蓝色光，从而生成白色光。
[发光装置的制造方法]
接着，参照图5，说明图1A～图1D所示的发光装置100的制造方法。
如图5所示，发光装置100的制造方法包括发光元件准备工序S101、线配置工序S102、第1树脂层形成工序S103、第1树脂层切削工序S104、镀层形成工序S105、第2树脂层形成工序S106、第2树脂层切削工序S107、外部连接用电极形成工序S108、生长基板去除工序S109、荧光体层形成工序(波长变换层形成工序)S110和单片化工序S111，按照该顺序进行各工序。
以下，参照图6～图9(适当参照图1A～图1D、图2以及图5)，详细说明各工序。另外，在图6～图9的各图中，关于发光元件1的详细结构(例如，保护层16、半导体层叠体12的层叠结构等)，省略了记载。此外，关于其他各部件，有时适当简化形状、尺寸、位置关系，有时会夸张表现形状、尺寸、位置关系。
发光元件准备工序S101是准备图2所示的结构的发光元件1的工序。在本实施方式的发光元件准备工序S101中，在一张生长基板11上排列多个发光元件1的晶片状态下形成。此外，在图6～图9的各个图中，坐标轴如图6A所示那样，将上下方向设为Z轴方向，将左右方向设为X轴方向，将与纸面垂直的方向设为Y轴。此外，上方向是+Z轴方向。因此，图6～图9的各个图表示了相当于图1B所示的俯视图的A-A线的截面的剖视图。
具体而言，首先，在由蓝宝石等构成的生长基板11的上表面，利用上述的半导体材料，依次层叠n型半导体层12n、发光层12a及p型半导体层12p，形成半导体层叠体12。
若形成半导体层叠体12，则在半导体层叠体12的上表面的一部分区域通过蚀刻去除p型半导体层12p、发光层12a及n型半导体层12n的一部分，形成n型半导体层12n在底面露出的高低差部分12b。
此外，形成高低差部分12b的同时，也可以蚀刻发光元件1彼此的边界区域来使n型半导体层12n露出。由此，通过发光元件准备工序S101内的后处理，能够由保护层16覆盖半导体层叠体12的至少包含发光层12a的侧面。
另外，关于边界区域，也可以以露出生长基板11的方式全部去除半导体层叠体12。由此，在单片化工序S111中，不需要切割半导体层叠体12，因此通过仅切割由树脂构成的层就能够容易进行单片化。另外，在图6A所示的例子中，完全去除了发光元件1的边界区域的半导体层叠体12。
接着，在高低差部分12b的底面形成作为片电极的n侧电极13。此外，在成为具有p型半导体层12p及发光层12a的发光区域的区域，形成整面电极14，该整面电极14由覆盖p型半导体层12p的上表面的大致整个面的反射电极14a、和完全覆盖反射电极14a的上表面及侧面的盖电极14b构成。此外，在盖电极14b的上表面的一部分形成作为片电极的p侧电极15。
另外，在除了n侧电极13及p侧电极15的表面以外的晶片的整个表面，例如通过喷射，使用SiO2等绝缘性材料来形成保护层16。
通过以上方法，如图6A所示，形成晶片状态的发光元件1。
接着，在线配置工序S102中，如图6B所示，针对生长基板11上的各发光元件1，以连接n侧电极13和p侧电极15的方式利用引线接合器来配置金属线32。如图6B所示，所配置的金属线32通过引线接合而与p侧电极15连接，在金属线32的前端形成凸块，通过引线接合而与n侧电极13连接，在金属线32的一端通过楔形状的前端部与n侧电极13连接。此时，p侧电极15从金属线32的接合面朝向垂直方向或接近垂直的方向延伸的部分被配置成至少比规定的高度高。在此，规定的高度是图1C所示的第1树脂层311的上表面的高度，是图6C中虚线所示的切削线41的高度。
接着，在第1树脂层形成工序S103中，如图6C所示，为了完全封装发光元件1及金属线32，例如通过使用了金属模具的压缩成型来形成第1树脂层311。此时，第1树脂层311形成为其上表面至少比切削线41的高度高。
接着，在第1树脂层切削工序S104中，利用切削装置，将第1树脂层311从上表面侧开始与内在的金属线32一起切削，直至变成切削线41的厚度为止。由此，金属线32被分离成两根金属线32n、32p，如图6D所示，以与第1树脂层311的上表面成同一面的方式金属线32的横截面作为金属线32n、32p的上表面而露出。
接着，在镀层形成工序S105中，形成金属镀层33n、33p。在该工序中包括5个子工序。
首先，作为第1子工序(种子层形成工序)，在晶片的上表面的全部、即第1树脂层311的上表面的全部以及金属镀层32n、32p的上表面的全部，通过喷射法来依次层叠Ni及Au的薄膜，从而形成种子层33a。
接着，作为第2子工序(镀层形成工序)，通过电解电镀，将种子层33a用作电解电镀的电流路径，在种子层33a上形成镀层33b。图7A表示了在种子层33a上形成了镀层33b的情况。另外，镀层33b形成为其上表面的高度至少在规定高度以上。在此，规定高度是图1C所示的第2树脂层312的上表面的高度，是图8A中虚线所示的切削线42的高度。
接着，作为第3子工序(抗蚀剂图案形成工序)，如图7B所示，通过光刻法，在镀层33b的上表面，形成覆盖成为金属镀层33n、33p的区域的抗蚀剂图案61。
接着，作为第4子工序(蚀刻工序)，将抗蚀剂图案61作为掩模，例如通过湿蚀刻，去除镀层33b及种子层33a。由此，如图7C所示，图案化金属镀层33n、33p。
接着，作为第5子工序(抗蚀剂图案去除工序)，通过抛光(ashing)或利用药剂，去除抗蚀剂图案61，从而如图7D所示，完成金属镀层33n、33p。另外，种子层33a是比镀层33b足够薄的层，因此在本说明书中，为了便于说明，将种子层33a及镀层33b合起来作为金属镀层33n、33p来进行说明。
另外，在第4子工序通过湿蚀刻对镀层33b及种子层33a进行蚀刻时，除了厚度方向外，还在横向上各向异性地进行蚀刻。因此，优选地，考虑镀层33b及种子层33a的膜厚、和厚度方向及横向上的蚀刻率之比，以基于蚀刻的图案化后的金属镀层33n、33p变成俯视时预先确定的间隔及尺寸的方式，较宽地形成抗蚀剂图案61。
接着，在第2树脂层形成工序S106中，如图8A所示，为了封装金属镀层33n、33p，例如通过使用了金属模具的压缩成型来形成第2树脂层312。此时，第2树脂层312形成为其上表面至少比切削线42的高度高。
接着，在第2树脂层切削工序S107中，利用切削装置，将第2树脂层312从上表面侧开始与内在的金属镀层33n、33p一起切削，直至变成切削线42的厚度为止。由此，如图8B所示，以与第2树脂层312的上表面变成同一面的方式，与金属线32n连接的金属镀层33n和与金属线32p连接的金属镀层33p的上表面露出。
接着，在外部连接用电极形成工序S108中，如图8C所示，在金属镀层33n、33p的上表面及其附近的第2树脂层312的上表面，形成n侧外部连接用电极34n及p侧外部连接用电极34p。
成为n侧外部连接用电极34n及p侧外部连接用电极34p的金属膜的成膜可使用喷射法。例如，在金属镀层33n、33p由Cu形成的情况下，优选为了获得与Au层的良好的紧贴性，将Ti层及Ni层按照该顺序成膜，在最上层层叠Au层，由此形成金属膜。
此外，金属膜的图案可使用基于蚀刻的图案形成法或基于剥离(lift-off)的图案形成法。
基于蚀刻的图案形成法按照如下的顺序进行。首先，通过喷射法，在晶片的上表面的整个面、即金属镀层33n、33p的上表面以及第2树脂层312的上表面的整个面形成金属膜。接着，通过光刻法，形成抗蚀剂图案，该抗蚀剂图案覆盖成为n侧外部连接用电极34n及p侧外部连接用电极34p的区域。然后，将该抗蚀剂图案作为掩模，通过蚀刻去除无用的金属膜，然后去除抗蚀剂图案。
此外，基于剥离的图案形成法按照如下的顺序进行。首先，通过光刻法，在形成n侧外部连接用电极34n及p侧外部连接用电极34p的区域，形成具有开口的抗蚀剂图案。接着，通过喷射法，在晶片上表面的整个面使金属膜成膜。然后，通过去除抗蚀剂图案，从而去除在抗蚀剂图案上形成的无用的金属膜。
另外，在将n侧外部连接用电极34n及p侧外部连接用电极34p没有延伸至第2树脂层312的上表面而是仅形成在金属镀层33n、33p的上表面的情况下，也可以通过无电解电镀法，形成n侧外部连接用电极34n及p侧外部连接用电极34p。
接着，在生长基板去除工序S109中，如图8D所示，例如通过LLO(激光剥离法)或化学剥离法等，剥离生长基板11后去掉。此时，由于半导体层叠体12通过将树脂层31作为母体的支撑体3得到增强，因此不会受到破裂或皲裂等损伤。
此外，作为剥离生长基板11之后的后处理，也可以研磨露出的半导体层叠体12的下表面，例如通过湿蚀刻法粗面化来形成凹凸形状12c(参照图2B、图3B)。
另外，剥离的生长基板11通过将其表面研磨，能够再次用作使半导体层叠体12晶体生长的生长基板11。
接着，在荧光体层形成工序(波长变换层形成工序)S110中，在半导体层叠体12的下表面侧形成荧光体层2。如上所述，荧光体层2例如通过喷雾涂敷溶剂中含有树脂及荧光体粒子的浆来形成。
此外，在发光元件准备工序S101中已完全去除了发光元件1的边界区域的半导体层叠体12的情况下，通过由树脂构成的层、即荧光体层2及第1树脂层311，树脂封装半导体层叠体12的整个面。
最后，在单片化工序S111中，通过沿着在各发光装置100的边界区域设定的切断线43进行切割，从而将发光装置100单片化。
另外，在发光元件准备工序S101中已完全去除了发光元件1的边界区域的半导体层叠体12的情况下，由于只有切断位置是由树脂构成的层，因此能够容易进行切割。
通过以上的工序，完成图1A～图1D所示的发光装置100。
此外，如本实施方式所示，若将支撑体3设为第1树脂层(线埋设层)311及第2树脂层(镀层埋设层)312的层叠结构，则能够基于各树脂层(第1树脂层311及第2树脂层312)的厚度管理作为内部布线而内在的金属线32n、32p以及金属镀层33n、33p的布线长度。因此，能够减少发光装置100间的散热性的偏差。其结果，能够抑制发光元件1的温度上升的偏差，能够降低因温度上升引起的发光输出的偏差。如后述的实施方式那样，在变更树脂层的层叠顺序或层叠数量时也是同样的。
<第2实施方式>
[发光装置的构成]
接着，参照图10A，说明第2实施方式及第3实施方式的发光装置。
图10A所示的第2实施方式的发光装置100A中，支撑体3A具备树脂层31A，该树脂层31A从发光元件1侧开始按顺序层叠了第1树脂层(镀层埋设层)311A和第2树脂层(线埋设层)312A而构成，第1树脂层311A在内部作为内部布线而具有金属镀层33n、33p，第2树脂层312A在内部作为内部布线而具有金属线32n、32p。
即，发光装置100A相对于图1A～图1D所示的发光装置100更换了连接作为内部布线的金属线32n、32p与金属镀层33n、33p的顺序。此外，在本实施方式中，使用图3及图4所示的发光元件1A作为发光元件，在发光元件1A的上表面侧的广范围内设置了n侧电极13及p侧电极15。
如本实施方式所示，在作为第1层的内部布线而使用金属镀层33n、33p的情况下，能够将金属镀层33n、33p设置成与n侧电极13及p侧电极15的广范围相接触。因此，可提高经由n侧电极13及p侧电极15的热扩散性，能够有效地抑制发光装置100A的温度上升。
尤其是，如图3及图4所示的发光元件1A所示，在将n侧电极13及p侧电极15设置在发光元件1A的上表面侧的广范围内、且将金属镀层33n、33p设置成与n侧电极13及p侧电极15的广范围相接触的情况下，能够使n侧电极13及p侧电极15通过金属镀层33n、33p而实质上构成为厚膜。由此，能够进一步提高经由n侧电极13及p侧电极15的热扩散性的同时，还能够提高作为片电极的n侧电极13及p侧电极15内的电流的扩散性。
[发光装置的动作]
第2实施方式的发光装置100A与第1实施方式的发光装置100相比只有内部布线的构成不同。因此，与n侧外部连接用电极34n及p侧外部连接用电极34p连接外部电源、并经由内部布线向发光元件1的n侧电极13及p侧电极15之间供给电力之后的动作与发光装置100相同，因此省略动作的详细说明。
[发光装置的制造方法]
接着，参照图11(适当参照图5及图10A)，说明第2实施方式的发光装置100A的制造方法。
如图11所示，发光装置100A的制造方法包括发光元件准备工序S201、镀层形成工序S202、第1树脂层形成工序S203、第1树脂层切削工序S204、线配置工序S205、第2树脂层形成工序S206、第2树脂层切削工序S207、外部连接用电极形成工序S208、生长基板去除工序S209、荧光体层形成工序(波长变换层形成工序)S210和单片化工序S211，按照该顺序进行各工序。
首先，在发光元件准备工序S201中，与第1实施方式的发光元件准备工序S101相同，准备晶片状态的发光元件1A。
另外，发光元件1A在发光元件1的形成中可通过变更形成高低差部分12b的区域、并且形成保护层16之后变更n侧电极13及p侧电极15延伸至保护层16的上表面的区域来形成，因此省略详细的说明。
接着，在镀层形成工序S202中，按照以下所示的顺序，形成金属镀层33n、33p。
首先，通过光刻法，在形成了发光元件1的晶片的上表面，形成在n侧电极13的上表面及p侧电极15的上表面具有开口的第1抗蚀剂图案。接着，通过喷射法，在晶片的上表面的整个面形成种子层。
接着，通过光刻法，形成在形成金属镀层33n、33p的区域具有开口的第2抗蚀剂图案。该第2抗蚀剂图案形成为其厚度比要形成的金属镀层33n、33p的厚度厚。接着，将种子层作为电流路径，通过电解电镀来形成镀层。
然后，通过去除第2抗蚀剂图案，即通过剥离法，将镀层图案化。同时，与无用的种子层一起去除第1抗蚀剂图案。
通过以上的方法，能够形成金属镀层33n、33p。
接着，与第1实施方式的第2树脂层形成工序S106及第2树脂层切削工序S107同样地，进行第1树脂层形成工序S203、第1树脂层切削工序S204，从而以金属镀层33n、33p的上表面露出的方式形成第1树脂层311A。
接着，在线配置工序S205中，与第1实施方式的线配置工序S102同样地，利用引线接合器，在金属镀层33n的上表面与金属镀层33p的上表面之间配置金属线32(参照图6B)。通过球状接合与金属镀层33p的上表面连接，在金属线32的前端形成凸块，通过楔形接合与金属镀层33n连接，金属线32的一端通过楔形状前端部与金属镀层33n连接。
接着，与第1实施方式的第1树脂层形成工序S103及第1树脂层切削工序S104同样地，进行第2树脂层形成工序S206、第2树脂层切削工序S207，从而以金属线32n、32p的上表面露出的方式形成第2树脂层312A。
以后的工序、即外部连接用电极形成工序S208～单片化工序S211分别与第1实施方式的外部连接用电极形成工序S108～单片化工序S111相同，因此省略详细的说明。
通过以上的工序，完成图10A所示的发光装置100A。
<第3实施方式>
[发光装置的构成]
接着，参照图10B，说明第3实施方式的发光装置。
图10B所示的第3实施方式的发光装置100B中，支撑体3B具备树脂层31B，该树脂层31B从发光元件1侧开始按顺序层叠了第1树脂层(线埋设层)311、第2树脂层(镀层埋设层)312和第3树脂层(线埋设层)313而构成，第1树脂层311在内部作为内部布线而具有金属线32n、32p，第2树脂层312在内部作为内部布线而具有金属镀层33n、33p，第3树脂层313在内部作为内部布线而具有第2金属线35n、35p。
即，发光装置100B构成了3层的树脂层31B，其中，该树脂层31B在内部具有在发光装置100的作为内部布线的金属线32n、32p及金属镀层33n、33p的基础上还连接第2金属线35n、35p而构成的内部布线。
此外，作为第3实施方式的变形例，也可以从发光元件1侧开始按顺序层叠在内部分别具有金属镀层、金属线以及金属镀层的树脂层。另外，层叠数并不限于2层或3层，也可以是4层以上。
由此，能够形成交替地层叠在内部具有金属线的树脂层和在内部具有金属镀层的树脂层，来形成膜厚较厚的树脂层。此时，通过抑制每一层的金属镀层的厚度，从而能够防止应力引起的金属镀层的弯曲或剥离的产生，同时能够层叠多个层来形成膜厚较厚的树脂层。此外，在整个树脂层中，导热性出色的金属镀层在厚度中所占的比例没有下降，因此能够构成散热性出色的厚的支撑体。
[发光装置的动作]
第3实施方式的发光装置100B与第1实施方式的发光装置100的不同点仅在于内部布线的构成。因此，在n侧外部连接用电极34n及p侧外部连接用电极34p上连接外部电源并经由内部布线向发光元件1的n侧电极13及p侧电极15之间供给电力之后的动作与发光装置100相同，因此省略动作的详细说明。
[发光装置的制造方法]
接着，参照图12(适当参照图5及图10B)，说明第3实施方式的发光装置100B的制造方法。
如图12所示，发光装置100B的制造方法包括发光元件准备工序S301、第1线配置工序S302、第1树脂层形成工序S303、第1树脂层切削工序S304、镀层形成工序S305、第2树脂层形成工序S306、第2树脂层切削工序S307、第2线配置工序S308、第3树脂层形成工序S309、第3树脂层切削工序S310、外部连接用电极形成工序S311、生长基板去除工序S312、荧光体层形成工序(波长变换层形成工序)S313和单片化工序S314，按照该顺序进行各工序。
首先，分别与第1实施方式的发光元件准备工序S101～第2树脂层切削工序S107同样地进行发光元件准备工序S301～第2树脂层切削工序S307。由此，变成图8B所示的状态，即，在发光元件1上层叠了内有第1金属线32n、32p的第1树脂层311、和内有金属镀层33n、33p的第2树脂层312，金属镀层33n、33p的上表面露出。
接着，在第2线配置工序S308中，与第1实施方式的线配置工序S102同样地，利用引线接合器，在金属镀层33n的上表面与金属镀层33p的上表面之间配置金属线。
接着，与第1实施方式的第1树脂层形成工序S103及第1树脂层切削工序S104同样地，进行第3树脂层形成工序S309、第3树脂层切削工序S310，以第2金属线35n、35p的上表面露出的方式形成第3树脂层313。
以后的工序、即外部连接用电极形成工序S311～单片化工序S314分别与第1实施方式的外部连接用电极形成工序S108～单片化工序S111相同，因此省略详细的说明。
通过以上的工序，完成图10B所示的发光装置100B。
<变形例>
接着，参照图13，说明线配置工序(线配置工序S102、线配置工序S205、第1线配置工序S302及第2线配置工序S308)的变形例。
在前述的各实施方式中，说明了在形成金属线32n、32p、35n、35p(以下，略称为金属线32)时，利用引线接合器50，在n侧电极13与p侧电极15之间、或者金属镀层33n与金属镀层33p之间配置金属线32。如图13B所示，利用引线接合器50，通过将金属线32的端部压到n侧电极13等的上表面并施加超声波振动的球状接合，将金属线32的端部熔接到n侧电极13等。此时，在熔接部形成比金属线32的线径大的球状凸块32a。
在本变形例中，如图13A所示，作为内部布线，代替金属线32而使用了层叠有凸块32a的凸块层叠体32A。如上所述，凸块层叠体32A形成得比原来的金属线32粗。因此，通过使用凸块层叠体32A，内部布线的热阻比使用金属线32时的热阻低，其结果，能够提高发光装置100等的散热性。
另外，在本变形例中，将凸块层叠体32A用作了内部布线，但是本发明并不限于此，也可以代替凸块层叠体32A而由1个凸块32a构成内部布线。在本说明书中，将包含由包括多个凸块32a的凸块层叠体32A构成的内部布线要素和由1个凸块32a构成的内部布线要素统称为金属线凸块。这里所指的凸块32a的层叠数为1个时，并不包括在第1实施方式的金属线的前端形成有凸块的方式，而是指仅由实质上比金属线粗的凸块构成的情况。
此外，凸块层叠体32A可利用引线接合器50并通过反复进行凸块32a的形成和该凸块32a的上端中的金属线32的切断来形成。由于凸块层叠体32A形成为其直径比金属线32大，且具有形成第1树脂层311等时不会倒下的程度的足够的刚性，因此不需要在2个电极间将布线设置成∏字状或倒U字状等拱状。因此，在本实施例中，在线配置工序中，在各n侧电极13等的上表面，以变成规定高度以上(内有完成发光装置100等时的该凸块层叠体32A的第1树脂层311等的厚度以上)的方式形成凸块层叠体32A。
另外，与将金属布线32用作内部布线时的情况同样地进行后续的工序、即形成第1树脂层311等的工序以及切削第1树脂层311等的工序。
<第4实施方式>
[发光装置的构成]
接着，参照图14、图15以及图17～图19，说明第4实施方式的发光装置。
图14及图15所示的第4实施方式的发光装置100C中，支撑体3C具备树脂层31C，该树脂层31C从发光元件1C侧开始按顺序层叠了第1树脂层(镀层埋设层)311C、第2树脂层(线埋设层)312C和第3树脂层313(镀层埋设层)而构成，第1树脂层311C作为内部布线而埋设了第1金属镀层33n、33p，第2树脂层312C作为内部布线而埋设了凸块层叠体(金属线凸块)32An、32Ap及横布线层36n、36p，第3树脂层313作为内部布线而埋设了第2金属镀层37n、37p。
此外，在作为最上层树脂层的第3树脂层313C的上表面，以与第3树脂层313C的上表面成为同一面的方式第2金属镀层37n、37p的上表面露出。在本实施方式中，第2金属镀层37n、37p露出的上表面兼作外部连接用电极。
如图14A所示，在本实施方式中，发光元件1C配置了4个俯视时为纵长的矩形状的p侧电极15，在4个p侧电极15之间分别沿纵向各设置了2个俯视时为圆形的n侧电极13，即共计配置了6个n侧电极13。
发光元件1C在图2所示的发光元件1中在多处形成了高低差部分12b，在各高低差部分12b设置n侧电极13，并且在多处设置p侧电极15，从而实现从外部供给的电流的扩散性的提高。发光元件1C除了增加了电极数以外，其他与发光元件1相同，因此省略发光元件1C的详细的说明。
第1树脂层311C设置在发光元件1C的上表面侧，作为内部布线而保持了与n侧电极13电连接的6个第1金属镀层33n(参照图17B)、和与p侧电极15电连接的4个第1金属镀层33p(参照图17B)，并且封装了发光元件1C的上表面及侧面。此外，第1树脂层311C在发光元件1C的外缘部的外侧与荧光体层2相接，发光元件1C通过第1树脂层311C及荧光体层2树脂封装了其整个面。
如图17B所示，在6个n侧电极13的上表面分别设置各1个第1金属镀层33n，如图18A所示，上表面与1个横布线层36n连接。另外，第1金属镀层33n是俯视时为圆形的圆柱状的金属层。
如图17B所示，在4个p侧电极15的上表面分别设置各1个第1金属镀层33p，如图18A所示，上表面与1个横布线层36p连接。另外，第1金属镀层33p是俯视时为纵长的矩形的四角柱状金属层。
与第1树脂层311C的上表面相接地设置第2树脂层312C，该第2树脂层312C在内部具有层叠横布线层36n、36p和凸块层叠层32An、32Ap而成的内部布线。
如图18A所示，横布线层36n俯视时是具有三根齿的梳齿状，横布线层36p俯视时是具有四根齿的梳齿状，齿在上下方向(Y轴方向)上延伸，各个齿互相嵌合。另外，相互远离地配置横布线层36n及横布线层36p，使得不会产生短路。
另外，横布线层36n、36p采用与下层的第1金属镀层33n、33p相同的金属材料、或与第1金属镀层33n、33p的接合性良好的金属材料，通过喷射法等而形成。
如图18A所示，横布线层36n其下表面侧与6个第1金属镀层33n连接，如图18B所示，其上表面侧与9个凸块层叠体32An连接。
如图18A所示，横布线层36p其下表面侧与4个第1金属镀层33p连接，如图18B所示，其上表面侧与12个凸块层叠体32Ap连接。
比较图18A和图18B，俯视时，下层侧n侧的内部布线、即第1金属镀层33n并未与作为上层侧n侧的内部布线的凸块层叠体32An的任何一个重叠。因此，构成为经由在横向(XY平面内)延伸而设置的横布线层36n电连接了第1金属镀层33n和凸块层叠体32An。
此外，比较图18A和图18B，俯视时，下层侧p侧的内部布线、即第1金属镀层33p被配置成与作为上层侧p侧的内部布线的凸块层叠体32Ap的任一个重叠。因此，构成为经由在横向(XY平面内)延伸而设置的横布线层36p电连接了第1金属镀层33p和凸块层叠体32Ap。因此，第1金属镀层33p和凸块层叠体32Ap被配置成俯视时不会重叠。
俯视时，9个凸块层叠体32An如图18B所示在横布线层36n上，且如图19所示，被配置在与上层侧的n侧外部布线用电极、即第2金属镀层37n重叠的区域内。
此外，俯视时，12个凸块层叠体32Ap如图18B所示在横布线层36p上，且如图19所示，被配置在与上层侧的p侧外部布线用电极、即第2金属镀层37p重叠的区域内。
与第2树脂层312C的上表面相接地设置第3树脂层313C，该第3树脂层313C在内部作为内部布线而具有第2金属镀层37n、37p。
第2金属镀层37n及第2金属镀层37p其上表面从第3树脂层313C露出，分别兼作n侧外部连接用电极及p侧外部连接用电极。此外，第2金属镀层37n在下表面侧与9个凸块层叠体32An连接，第2金属镀层37p在下表面侧与12个凸块层叠体32Ap连接。
另外，第2金属镀层37n、37p优选至少最上层是Au或以Au为主成分的合金。此外，第2金属镀层37n、37p也可以不兼作外部连接用电极，而是在第2金属镀层37n、37p的上表面另行设置外部连接用电极。
如以上说明，多个(6个)n侧电极13通过作为n侧的内部布线的第1金属镀层33n、横布线层36n及凸块层叠体32An，与兼作外部连接用电极的1个第2金属镀层37n连接。此外，多个(4个)p侧电极15通过作为p侧的内部布线的第1金属镀层33p、横布线层36p及凸块层叠体32Ap，与兼作外部连接用电极的1个第2金属镀层37p连接。
如上所述，俯视时，在上半部分(+Y轴方向侧)的区域设置作为n侧外部连接用电极的第2金属镀层37n，在下半部分(-Y轴方向侧)的区域设置作为p侧外部连接用电极的第2金属镀层37p。因此，不能做到在n侧电极13及p侧电极15的正上方方向上层叠内部布线从而分别与第2金属镀层37n及第2金属镀层37p连接。
在本实施方式中，将内部布线设为了3层结构，借助了横布线层36n、36p，从而能够将发光元件1C的n侧及p侧各自的多个电极连接到与被单纯划分为2个矩形区域的1组外部连接用电极、即第2金属镀层37n、37p。即，通过将内部布线设为多层结构，从而即使发光元件的片电极是复杂的配置，也能够与简单构成的外部连接用电极进行连接。
另外，内部布线的结构并不限于图3及图4所示的例子，例如，也可以代替凸块层叠体32An、32Ap而使用金属线32(参照图13B等)。
[发光装置的动作]
第4实施方式的发光装置100C与第1实施方式的发光装置100的区别点仅在于内部布线的构成。因此，与作为n侧外部连接用电极的第2金属镀层37n、及作为p侧外部连接用电极的第2金属镀层37p连接外部电源、并经由内部布线向发光元件1C的n侧电极13与p侧电极15之间供给电力之后的动作与发光装置100相同，因此省略动作的详细说明。
[发光装置的制造方法]
接着，参照图16，说明图14及图15所示的第4实施方式的发光装置100C的制造方法。
如图16所示，发光装置100C的制造方法包括发光元件准备工序S401、第1镀层形成工序S402、第1树脂层形成工序S403、第1树脂层切削工序S404、横布线层形成工序S405、线凸块形成工序S406、第2树脂层形成工序S407、第2树脂层切削工序S408、第2镀层形成工序S409、第3树脂层形成工序S410、第3树脂层切削工序S411、生长基板去除工序S412、荧光体层形成工序(波长变换层形成工序)S413和单片化工序S414，按照该顺序进行各工序。
以下，参照图17～图19(适当参照图2及图14～图16)，说明发光装置100C的制造方法。另外，在图17～图19中图示了制造1个发光装置100C的情况，直到在单片化工序S414中进行单片化为止，一直在排列了多个发光元件1C的晶片状态下制作发光装置100C的。
首先，在发光元件准备工序S401中，与第1实施方式的发光元件准备工序S101同样地，如图17A所示，准备在生长基板11上排列发光元件1C而形成的晶片。
另外，在各发光元件1C的上表面，形成6个n侧电极13和4个p侧电极15。
接着，与第2实施方式中的镀层形成工序S202、第1树脂层形成工序S203及第1树脂层切削工序S204同样地，分别进行第1镀层形成工序S402、第1树脂层形成工序S403及第1树脂层切削工序S404，从而如图17B所示那样，形成内有第1金属镀层33n、33p且上表面露出的第1树脂层311C。
另外，在各n侧电极13上形成1个第1金属镀层33n，在各p侧电极15上形成1个第1金属镀层33p。
接着，在横布线层形成工序S405中，通过喷射法等，如图18A所示，在第1树脂层311C的上表面形成横布线层36n、36p。另外，横布线层36n、36p的图案可通过基于蚀刻的图案形成法、或基于剥离的图案形成法来形成。
接着，在线凸块形成工序S406中，利用引线接合器，如图18B所示，在横布线层36n、36p上的规定位置处形成凸块层叠体32An、32Ap。此时，将凸块层叠体32An、32Ap的上表面形成为与完成后的第2树脂层312C的上表面相同、或者比完成后的第2树脂层312C的上表面高。
接着，与第1实施方式的第2树脂层形成工序S106及第2树脂层切削工序S107同样地，进行第2树脂层形成工序S407及第2树脂层切削工序S408，从而如图18B所示，形成内有横布线层36n、36p及凸块层叠体32An、32Ap且凸块层叠体32An、32Ap的上表面露出的第2树脂层312C。
接着，与第1实施方式的镀层形成工序S105、第2树脂层形成工序S106及第2树脂层切削工序S107同样地，分别进行第2镀层形成工序S409、第3树脂层形成工序S410及第3树脂层切削工序S411，从而在第2树脂层312C上，如图19所示那样，形成内有第2金属镀层37n、37p且第2金属镀层37n、37p的上表面露出的第3树脂层313C。
接着，与第1实施方式的生长基板去除工序S109、荧光体层形成工序S110和单片化工序S111同样地，分别进行生长基板去除工序S412、荧光体层形成工序S413和单片化工序S414，从而完成图14及图15所示的发光装置100C。
以上，通过用于实施发明的方式具体说明了本发明的发光装置，但是本发明的宗旨并不限于这些记载，必须基于权利要求书的记载来更宽泛地解释。此外，基于这些记载而进行的各种变更、改变等当然也包含在本发明的宗旨内。
符号说明
1，1A，1C   发光元件(半导体发光元件)
11   生长基板
12   半导体层叠体
12n   n型半导体层
12a   发光层
12p   p型半导体层
12b   高低差部分
12c   凹凸形状
13   n侧电极
13a   接合部
14   整面电极
14a   反射电极
14b   盖电极
15   p侧电极
15a   片电极层
15b   冲击吸收层
16   保护层
2   荧光体层(波长变换层)
3，3A，3B，3C   支撑体
31，31A，31B，31C   树脂层
311   第1树脂层(线埋设层)
311A   第1树脂层(镀层埋设层)
312   第2树脂层(镀层埋设层)
312A   第2树脂层(线埋设层)
313   第3树脂层(线埋设层)
311C   第1树脂层(镀层埋设层)
312C   第2树脂层(线埋设层)
313C   第3树脂层(镀层埋设层)
32   金属线
32n，32p   第1金属线(内部布线，金属线)
35n，35p   第2金属线(内部布线，金属线)
32A   凸块层叠体(内部布线，金属线凸块)
32a   凸块
33n，33p   第1金属镀层(内部布线，金属镀层)
37n   第2金属镀层(内部布线，金属镀层，n侧外部连接用电极)
37p   第2金属镀层(内部布线，金属镀层，p侧外部连接用电极)
33a   种子层
33b   镀层
34n   n侧外部连接用电极
34p   p侧外部连接用电极
41，42   切削线
43   切断线
50   引线接合器
61   抗蚀剂图案
100，100A，100B，100C   发光装置

Claims (13)

1.一种发光装置，其特征在于，具备：
半导体发光元件，具有包括p型半导体层及n型半导体层的半导体层叠体，在所述半导体层叠体的设置有所述p型半导体层的一侧、或者设置有所述n型半导体层的一侧中的任一方的面侧，具有p侧电极和n侧电极，其中，所述p侧电极与所述p型半导体层电连接，所述n侧电极与所述n型半导体层电连接；
树脂层，设置在所述半导体层叠体的所述一方的面侧；
p侧外部连接用电极，被设置成在所述树脂层的表面露出；
n侧外部连接用电极，被设置成在所述树脂层的表面露出；
p侧内部布线，设置在所述树脂层内，且电连接所述p侧电极与所述p侧外部连接用电极之间；和
n侧内部布线，设置在所述树脂层内，且电连接所述n侧电极与所述n侧外部连接用电极之间，
所述p侧内部布线及n侧内部布线分别包括第1金属镀层和第1金属线，或分别包括第1金属镀层和第1金属线凸块。
2.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，
所述p侧内部布线及所述n侧内部布线分别包括所述第1金属线凸块，该第1金属线凸块包括多个凸块。
3.根据权利要求1所述的发光装置，其特征在于，
所述树脂层层叠埋设了所述第1金属镀层的第1镀层埋设层和埋设了所述第1金属线或所述金属线凸块的第1线埋设层而成。
4.根据权利要求3所述的发光装置，其特征在于，
所述树脂层还包括埋设了第2金属镀层的第2镀层埋设层，所述p侧内部布线及所述n侧内部布线分别包括所述第2金属镀层。
5.根据权利要求3所述的发光装置，其特征在于，
所述树脂层还包括埋设了第2金属线或第2金属线凸块的第2线埋设层，所述p侧内部布线及所述n侧内部布线分别包括所述第2金属线或所述第2金属线凸块。
6.根据权利要求5所述的发光装置，其特征在于，
所述p侧内部布线及所述n侧内部布线分别包括所述第2金属线凸块，该第2金属线凸块包括多个凸块。
7.根据权利要求1至6中任一项所述的发光装置，其特征在于，
设置有所述p侧外部连接用电极及所述n侧外部连接用电极的所述树脂层的表面是与所述半导体层叠体的所述一方的面对置的面的相反侧的面。
8.根据权利要求1至7中任一项所述的发光装置，其特征在于，
所述第1金属镀层与所述p侧电极接合，所述第1金属镀层与所述n侧电极接合。
9.根据权利要求8所述的发光装置，其特征在于，
所述第1金属线分别与所述第1金属镀层连接，所述第1金属线的至少一方在一端具有楔形状的前端部，通过该楔形状的前端部与所述第1金属镀层连接。
10.根据权利要求1至7中任一项所述的发光装置，其特征在于，
所述第1金属线或所述第1金属凸块与所述p侧电极接合，所述第1金属线或所述第1金属凸块与所述n侧电极接合。
11.根据权利要求10所述的发光装置，其特征在于，
所述第1金属线与所述p侧电极及所述n侧电极接合，所述第1金属线的至少一方在一端具有楔形状的前端部，通过该楔形状的前端部与所述p侧电极或所述n侧电极连接。
12.根据权利要求1至11中任一项所述的发光装置，其特征在于，
在所述树脂层的厚度方向上，所述第1金属镀层的布线长度比所述第1金属线或所述第1金属线凸块的布线长度长。
13.根据权利要求1至12中任一项所述的发光装置，其特征在于，
所述发光装置还具备：波长变换层，设置在所述半导体层叠体的另一方的面侧，将所述半导体发光元件发出的波长的光变换为不同波长的光。
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