CN104737365A - 具有可变频率响应的方向性耦合器 - Google Patents

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CN104737365A CN201380053813.0A CN201380053813A CN104737365A CN 104737365 A CN104737365 A CN 104737365A CN 201380053813 A CN201380053813 A CN 201380053813A CN 104737365 A CN104737365 A CN 104737365A
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Abstract

本发明揭示耦合器系统(10)的实施例，所述实施例包含方向性耦合器(12)、调谐元件(14a、14b)及致动器(16a、16b)。所述耦合器(12)经配置以将输入信号分裂成两个输出信号，或替代地将两个输入信号组合成单一输出。所述调谐元件(14a、14b)是允许所述耦合器(12)的频率响应变化的电容装置，使得所述耦合器(12)可在给定操作条件下经调谐到特定频率或频率范围。所述致动器(16a、16b)产生致动调谐元件(14a、14b)的机械力。

Description

具有可变频率响应的方向性耦合器
技术领域
本发明布置涉及用于将输入信号分割或分裂为多个输出或将多个输入信号组合为单一输出的方向性耦合器。
背景技术
方向性耦合器普遍用于各种电信相关应用(例如功率分割及组合；组合馈送信号往返于天线；天线波束形成；相移等等)中。商用方向性耦合器通常分类为基于波导或基于薄膜。典型的基于波导耦合器具有相对较高功率处理能力，但是拥有相对较大尺寸的占据面积。典型的基于薄膜耦合器具有相对较小尺寸的占据面积，但是拥有相对较低功率处理能力。
方向性耦合器的频率响应通常是固定的，例如，将会发生最大功率传送的频率(或频带)不可变。因此，不能为多种操作条件最优化或调谐此耦合器的性能。
可通过利用循序建立方法形成三维微结构。例如，美国专利第7,012,489号及第7,898,356号描述用于制造同轴波导微结构的方法。此类程序为传统薄膜技术提供替代，但是在设计上对于例如微型化开关的各种装置的有利实施的有效利用也会形成新的挑战。
发明内容
耦合器系统的实施例包含包括电导体及调谐元件的耦合器。所述调谐元件具有与所述耦合器的电导体电接触且具有第一末端面的导电第一部分及具有第二末端面的导电第二部分。所述调谐元件还包含安置于第一末端面或第二末端面上的电介质元件，且与第一末端面及第二末端面中的另一者间隔开间隙。所述第二部分经配置以相对于所述第一部分移动使得间隙可变。
根据本文中揭示及主张的发明概念的进一步方面，系统的实施例包含包括导电外壳及电导体的耦合器。所述电导体在所述外壳内悬置于多个电介质突片上且与所述外壳间隔开。所述耦合器系统还包含经配置以改变所述耦合器的频率响应的电容元件。
根据本文中揭示及主张的发明概念的进一步方面，系统的实施例包含具有形成信号路径的电导体的耦合器、经配置以将电抗引入所述信号路径中的电容元件及经操作以改变所述电容元件的电容的致动器元件。
附图说明
将参考下列图式描述实施例，其中在所述图式中类似数字表示类似物品且其中：
图1是图1中所示的耦合器系统的俯视透视图，描绘处于第一或未挠曲位置的片梭，且其中为说明目的已移除系统的顶层；
图2是图1中标示为“A”区域的俯视透视图，其中为说明目的已移除系统的顶层；
图3是图1到2中所示的耦合器的电导体的俯视图；
图4是图1中标示为“D”区域的放大图，其中为说明目的已移除耦合器的顶层；
图5是图1中标示为“B”区域的放大图，其中为说明目的已移除耦合器的顶层及第一致动器的顶层，且描绘处于其相应第一或未挠曲位置的系统的片梭中的一者及调谐元件中的一者的可移动部分；
图6A是图5中标示为“E”区域的放大图，描绘处于其相应未挠曲位置的片梭及调谐元件的可移动部分；
图6B是图5中标示为“E”区域的放大图，描绘处于其相应第二或挠曲位置的片梭及调谐元件的可移动部分；
图7是图1中标示为“C”区域的俯视放大图，描绘处于其未挠曲位置的片梭中的一者；
图8是图1中标示为“C”区域的俯视放大图，描绘处于其挠曲位置的片梭中的一者；
图9是图1到8中所示的系统的替代实施例的视图，描绘对应于图1中标示为“C”区域的区域，且描绘处于未挠曲位置的片梭中的一者；及
图10是图9中的替代实施例的另一视图，从图5的透视取得且描绘处于其相应未挠曲位置的片梭及调谐元件的可移动部分。
具体实施方式
参考附图描述本发明。图式未按比例绘制且其提供只是为了说明本发明。下文参考用于说明的实例应用描述本发明的若干方面。应了解阐述数种特定细节、关系及方法以提供本发明的完全理解。然而，所属领域的一般技术人员将容易意识到本发明可在无特定细节中的一或多者或在其它方法下加以实践。在其它实例中，未详细展示众所周知的结构或操作以避免混淆本发明。本发明不应受限于动作或事件的说明顺序，因为一些动作可以不同顺序及/或与其它动作或事件同时发生。此外，实施根据本发明的方法论并非需要所有说明动作或事件。
图1到8描绘可调谐耦合器系统10。耦合器系统10包括90°混合式耦合器12、第一调谐元件14a及第二调谐元件14b以及各自与调谐元件14a、14b中的相应者相关联的第一致动器16a及第二致动器16b。
耦合器12经配置以将输入信号分裂为功率相等且相位相差90°的两个输出信号。耦合器12还可将两个输入信号组合为单一输出。虽然本文中将耦合器12描述为充当信号分裂器，但是同样地可将本文中揭示及主张的发明概念应用到其中耦合器12充当组合器的耦合系统。此外，系统10的替代实施例可包含其它类型的耦合器，例如混合式环状耦合器。
如下文讨论，调谐元件14a、14b是允许耦合器12的频率响应变化的电容装置。此特征允许耦合器12的响应可在给定操作条件下调谐到特定频率或频率范围。第一致动器16a及第二致动器16b产生致动相应第一调谐元件14a及第二调谐元件14b的机械力。
耦合器系统10具有约0.5mm的最大高度(“z”维度)、约5.6mm的最大宽度(“y”维度)及约6.9mm的最大长度(“x”维度)。只为了示范性目的，将耦合器系统10描述为具有此类特定维度。根据特定应用的需求，包含大小、重量及电源(SWaP)需求，耦合器系统10的替代实施例可按比例放大或缩小。
如图1中所示，耦合器系统10进一步包括衬底18。衬底18是由高电阻率硝酸铝(AIN)形成。在替代实施例中，衬底18还可由其它电介质材料(例如硅(Si)、玻璃、硅锗(SiGe)或砷化镓(GaAs))形成。衬底18可具有约0.5mm的厚度，即“z”维度。
耦合器12包括安置于衬底18上的接地外壳20及电导体22。如图2及4中说明，电导体22是由形成于接地外壳20中的一系列通道24容纳。
接地外壳20是由五层例如铜(Cu)的导电材料形成。每一层可具有例如约50μm的厚度。导电材料的层数取决于应用，且可随着例如设计的复杂性、其它装置与系统10的混合或单片整合、耦合器12的整体高度(“z”维度)、每一层的厚度等等因素而变化。
如图1及4中所示，导电材料的第一层直接安置于衬底18上。如图2中说明，第一层的部分形成接地外壳20的底部且界定通道24中的每一者的底部。第一层的其它部分形成相应第一致动器16a及第二致动器16b的部分。形成接地外壳20以及第一致动器16a及第二致动器16b的部分的第一层的部分与接地或与参考电压源(没有展示)电连接，且共同地充当接地平面26。
接地外壳的侧面是由导电材料的第二层、第三层及第四层形成。第五层导电材料形成接地外壳20的顶部。
电导体22是由导电材料的第三层的一部分形成，且具有如图4中说明的实质上矩形横截面。如图3中可见，电导体22具有输入部分30、中间部分32及输出部分34。
电导体22的输入部分30包含第一支脚40及实质上相同的第二支脚42。第一支脚40及第二支脚42实质上平行，且实质上在信号传播方向(即，“x”方向)上延伸。第一支脚40及第二支脚42各自具有宽度或“y”维度，其经选择使得第一支脚40及第二支脚42中的每一者的特性阻抗(Zo)与所需值(即，50欧姆)在参考频率下匹配。
中间部分32包含第一支脚46及实质上相同的第二支脚48。第一支脚46与输入部分30的第一支脚40毗连，且第二支脚48与输入部分30的第二支脚42毗连。第一支脚46及第二支脚48实质上平行，且实质上在“x”方向上延伸。第一支脚46及第二支脚48各自具有由图3中的参考字符“d1”标示的长度。距离d1约等于具有参考频率f0的信号的波长的四分之一。如下文讨论，参考频率f0可为例如耦合器12可围绕其调谐的所需中心频率。第一支脚46及第二支脚48各自具有大于输入部分30的第一支脚40及第二支脚42的相应宽度的宽度或“y”维度，使得第一支脚46及第二支脚48中的每一者的阻抗在参考频率f0下约等于Zo/√2。
如图3及5到6B中所示，第一突出部49a及第二突出部49b形成在中间部分32的第二支脚48上。第一突出部49a经定位接近第二支脚48的第一末端。第二突出部49b经定位接近第二支脚48的第二末端。第一突出部49a及第二突出部49b形成相应第一调谐元件14a及第二调谐元件14b的部分。
如图3及5到6B中说明，第一调谐元件14a及第二调谐元件14b中的每一者进一步包括薄膜电介质元件50。电介质元件50是由适当的构件(例如黏附剂)固定到第一突出部49a及第二突出部49b的相应末端面。每一电介质元件50可具有例如20μm的厚度。如下文讨论，电介质元件50可由例如聚乙烯、聚酯、聚碳酸酯、醋酸纤维素、聚丙烯、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、聚苯乙烯、聚酰胺、聚酰亚胺、苯并环丁烯、SU8等等形成，前提是所述材料将不会被在系统10的制造期间用于溶解牺牲抗蚀剂的溶剂腐蚀。
如图2及3中所示，中间部分32还包含第三支脚51及实质上相同的第四支脚52。第三支脚51及第四支脚52实质上平行，且实质上在垂直于“x”方向的横向或“y”方向上各自延伸。第三支脚51的相对末端在接近第一支脚46及第二支脚48中的每一者的第一末端的位置处毗连相应第一支脚46及第二支脚48。第四支脚52的相对末端在接近第一支脚46及第二支脚48中的每一者的第二末端的位置处毗连相应第一支脚46及第二支脚48。
如图3中所示，第三支脚51及第四支脚52中的每一者的长度约等于距离“d1”。第三支脚51及第四支脚52的宽度或“x”维度经选取使得第三支脚51及第四支脚52的阻抗在参考频率f0下约等于Zo。
如图2及3中可见，输出部分34包含第一支脚56及第二支脚58。第一支脚56及第二支脚58实质上与输入部分30的第一支脚40及第二支脚42相同。第一支脚56毗连中间部分32的第一支脚46，且第二支脚58毗连中间部分32的第二支脚48。第一支脚56与第二支脚58实质上平行，且实质上在“x”方向上延伸。第一支脚56与第二支脚58间隔开约等于距离“d1”的距离。
如图4中说明，电导体22是由多个电绝缘突片60悬置于通道24内。突片60是由电介质材料形成。如下文讨论，例如，突片60可由聚乙烯、聚酯、聚碳酸酯、醋酸纤维素、聚丙烯、聚氯乙烯、聚偏二氯乙烯、聚苯乙烯、聚酰胺、聚酰亚胺、苯并环丁烯、SU8等等形成，前提是所述材料将不会被在系统10的制造期间用于溶解牺牲抗蚀剂的溶剂腐蚀。
突片60可各自具有例如约15μm的厚度。如图4中可见，每一突片60横跨通道30的宽度，即，y方向维度。每一突片60的末端夹置在导电材料的第二层与第三层之间。
如图4中所示，通道24的相应宽度(例如，“x”或“y”维度)及高度(例如，“z”维度)经选择使得电导体22由接地外壳20的内表面包围且与接地外壳20的内表面间隔开气隙。所述气隙充当将电导体22与接地外壳20电隔离的电介质。所述类型的传送线配置通常称为“直同轴电缆”配置，或称为微同轴电缆。
因为耦合器12经配置成90°混合型耦合器，所以施加到输入部分30的第一支脚40(或替代地第二支脚42)的信号的功率在输出部分34的第一支脚56与第二支脚58之间均匀分裂，且在输出部分34的第一支脚56及第二支脚58中的信号是90°异相。此外，输入部分30的第二支脚42(或替代地第一支脚40)与输入信号隔离。
第一致动器16a与第二致动器16b实质上相同。除非另有指示，否则第一致动器16a的以下描述同样适用于第二致动器16b。
如图1及8中可见，第一致动器16a包含片梭102、控制部分105、第一引线106a、第二引线106b及接地平面26的部分。第一致动器16a还包含第一底座110a、第二底座110b及第三底座110c。片梭102经配置以在图1、5、6A及7中所示的第一或未挠曲位置与图6B及8中所示的第二或挠曲位置之间在“y”方向上移动。
片梭102形成为导电材料的第三层的部分。如图1、7及8中所示，片梭102具有实质上在“y”方向延伸的长形本体103。片梭102还包含呈如图7及8中说明实质上在“x”方向延伸的指状物104的形式的六个突出部。指状物104中的三者毗连本体103的第一侧，且另外三个指状物104毗连本体103的另一侧。
如图5到6B中描绘，第一调谐元件14a进一步包括与片梭102的本体103的末端毗连的可移动部分116。可移动部分116的末端面117面对电介质元件50，且与电介质元件50间隔开间隙119。为了使说明清楚起见，在图式中放大间隙119的量值。末端面117具有与电介质元件50的所述暴露主表面实质上匹配的大小及形状。如下文讨论，片梭102是可移动的以便改变间隙119。虽然本文中将电介质元件50描述为安装于突出部49a的末端面上，但是在替代实施例中电介质元件50可安装于可移动部分116的末端面117上。
如图5到6B中所示，第一调谐元件14a还包含从接地平面26向上延伸的两个柱120。柱120形成为导电材料的第二层及第四层的部分。因此，柱120在“x”、“y”、“z”方向上对可移动部分116造成限制效应。可在无柱120的情况下建构系统10的替代实施例。
如图1、5、7及8中说明，片梭102从第一底座110a、第二底座110b及第三底座110c悬置。第一底座110a包含与接地平面26毗连的基座122及与基座122毗连的梁部分123。基座122形成为导电材料的第二层及第三层的部分。梁部分123形成为导电材料的第三层的部分。如图1及7中描绘，片梭102的本体103的末端毗连第一底座110a的梁部分123。
应注意梁部分123的配置取决于应用，且可随着例如可用于容纳梁部分123的空间量、梁部分123的需要或所需弹簧常数等等的因素而变化。因此，梁部分123的配置并不限于图式中描绘的配置。
第二底座110b及第三底座110c实质上与第一底座110a相同，下列除外。如图1及5中说明，第二底座110b及第三底座110c各自包含具有毗连梁部分123的第一末端的臂130。臂130的相应第二末端毗连片梭102的本体103的相对侧，接近本体103的第二末端。第二底座110b及第三底座110c经定向使得其相应角度定向约90°偏离第一底座110a的角度定向。第二底座110b及第三底座110c的相应梁部分120因此实质上在“y”方向延伸。
如图9及10中描绘，可在无第二底座110b及第三底座110c的情况下建构替代实施例。在图9及10的实施例中，由柱120提供第一调谐元件14a的可移动部分116的实质上所有垂直(z方向)支撑。
如图1、7及8中描绘，第一致动器16a的控制部分105包含两个支脚130及毗连顶部分132。支脚130形成为导电材料的第一层及第二层的部分。顶部分132形成为导电材料的第三层的部分。支脚130安置于衬底18上，如图1及7中所示在接地平面26的相对侧上。因此控制部分105跨越接地平面26，且不与接地平面26机械接触或电接触。
如图1、7及8中描绘，控制部分105的顶部分132包含第一半134a及第二半134b。第一半134a与支脚130中的一者相关联，且第二半134b与另一支脚130相关联。第一半134a及第二半134b定位于片梭102的本体103的相对侧上。第一半134a及第二半134b各自包含呈实质上在“x”方向上延伸的指状物138的形式的三个突出部。指状物138的最佳数量取决于应用，且可随着例如将片梭102移动到其第二或挠曲位置所需的力的量的因素变化。
片梭102及控制部分105的第一半134a及第二半134b经配置使得第一半134a及第二半134b的指状物138及片梭102的指状物104交错或互相交叉，即，如图1、7及8中说明，指状物138及104沿着“y”方向以交替方式布置。此外，指状物104中的每一者经定位接近指状物138中的相关联一者，且当片梭102在其第一未挠曲位置时与相关联的指状物138分离例如约50μm的间隙。
如图1及7中所示，第一致动器16a的第一引线106a及第二引线106b安置于衬底18上，且形成为导电材料的第一层的部分。第一引线106a毗连与控制部分105的顶部分132的第一半134a相关联的支脚130。第二引线106b毗连与顶部分132的第二半134b相关联的支脚130。第一引线106a及第二引线106b可电连接到电压源，例如120伏直流(DC)电压源(没有展示)。因为顶部分132的第一半134a及第二半134b与其相关联支脚130接触，所以第一引线106a及第二引线106b的供能导致第一半134a及第二半136b(包含指状物138)供能。
第一致动器16a经配置以造成其片梭102的移动。特定地说，归因于控制部分105的片梭102与顶部分132之间的所得静电吸引使第一引线106a及第二引线106b受制于电压造成片梭102从其第一位置移动且朝向其第二位置移动，说明如下。如上文讨论，片梭102毗连第一底座110a、第二底座110b及第三底座110c的梁部分123，使得片梭102从底座110、110b、110c悬置。如图1、5及7中描绘，当片梭102在其第一位置时，梁部分123在其中立或未挠曲位置。此外，经由第一底座110、第二底座110b及第三底座110c将片梭102电连接到接地平面26。片梭102(包含其指状物104)因此一直保持在接地或零电势状态。
如上文讨论，使第一致动器16a的第一引线106a及第二引线106b受制于电压电势导致指状物138供能。经供能指状物138充当电极，例如，归因于指状物138受制的电压电势，在每一指状物138周围形成电场。经供能指状物138中的每一者经定位足够靠近其在接地片梭102上的相关联指状物104，以便使相关联指状物104受制于由指状物138周围的电场产生的静电力。静电力将指状物104吸引到其对应指状物138。
在六个指状物104上作用的净静电力在+y方向朝其第二或挠曲位置推动片梭102。第一底座110a、第二底座110b及第三底座110c(其在指状物138供能之前在其中立或未挠曲状态)的梁部分123经配置以响应于作用于片梭102上的净力而挠曲，从而允许悬置片梭102在+y方向移动朝向或到其第二位置。图8中描绘在挠曲状况中的第一底座110a的梁部分。柱120也挠曲以允许片梭102的所提及移动。
片梭102将保持在部分或全部挠曲状况中，而第一致动器16a保持受制于电压电势。当减小或消除所述电压电势时，梁部分123及柱120的弹性将引起片梭102返回朝向或到其第一或未挠曲位置。
梁部分123的挠曲量与施加到第一致动器16a的电压之间的关系取决于梁部分123的刚度，其继而取决于包含梁部分123的形状、长度及厚度及形成梁部分123的材料的性质(例如，杨氏模数)的因素。可给特定应用定制此类因素以便最小化需要的致动电压，同时为梁部分123提供用于特定应用的足够强度；承受预期程度的冲击与振动的足够刚度；及当移除第一致动器部分16a的电压电势时促进片梭102返回到其第一位置的足够弹性。
在替代实施例中可以不同于上文描述的方式配置第一致动器16a及第二致动器16b。例如，可替代使用适当的梳、板或其它类型静电致动器。此外，可替代使用除了静电致动器以外的致动器，例如热致动器、磁致动器及压电致动器。在其它替代实施例中，单一致动器可连接到且可致动调谐元件14a、14b两者。
第一致动器调谐元件14a及第二致动器调谐元件14b实质上相同。除非另有指示，否则第一调谐元件14a的功能特征的以下描述同样适用于第二调谐元件14b。
如上文讨论，第一调谐元件14a的可移动部分116安置于片梭102的本体103的末端处。片梭102在“y”方向上的移动因此导致可移动部分116对应移动。特定地说，可移动部分116在“y”方向上在如图6A中描绘的对应于片梭102的第一位置的第一或未挠曲位置与在如图6B中描绘的对应于片梭102的第二位置的第二或挠曲位置之间是可移动的。如从图6A及6B中可见，可移动部分116从其第一位置到其第二位置的移动引起在电介质元件50与可移动部分116的末端面117之间的间隙119的量值的增加。间隙119的量值的改变改变了耦合器12的频率响应，如下文说明。
如上文讨论，第一调谐元件14a包括突出部49a、电介质元件50及可移动部分116。突出部49a毗连耦合器12的中间部分32的第二支脚48，且因此受制于与通过耦合器12传送的输入信号相关联的电压电势。可移动部分116毗连第一致动器14a的片梭102的本体103，且因此保持在接地或零电势状态。
当由输入信号对耦合器12供能时，突出部49a、电介质元件50、空气及间隙119及可移动部分116充当电容元件。特定地说，突出部49a及可移动部分116充当电容的导电板，且电介质元件50及间隙119内的空气充当定位于板之间的电介质。当正弦变化信号经由输入部分30的第一支脚40输入到耦合器12时，第一调谐元件14a及第二调谐元件14b将电抗的来源通过耦合器12引入信号路径。
第一调谐元件14a及第二调谐元件14b的电抗影响耦合器12的共振频率，其继而改变耦合器12的频率响应。特定地说，将所提及电抗引入耦合器12造成耦合器12充当带通滤波器，其中在及靠近耦合器12的共振频率的频率频带以很少或没有衰减通过耦合器12，而所述通带外面的频率大幅衰减。
此外，第一调谐元件14a及第二调谐元件14b的电容可如下变化，其允许改变通带。改变通带允许“调谐”耦合器12，以便促进某些频率的传送及对其它频率的衰减。
如上文讨论，第一致动器16a及第二致动器16b各自在“y”方向上操作第一致动器16a及第二致动器16b的可移动部分116，继而改变可移动部分116的末端面117与电介质元件50之间的间隙119。间隙119的增加会增加末端面117与电介质元件50之间的空气量。间隙(d)的增加会降低第一调谐元件14a及第二调谐元件14b的电容(C)，继而增加引入耦合器12内的信号路径的电抗(L/C)(C＝o*r*A/d)。电抗的增加使耦合器12的共振频率(fo)产生对应增加，继而增加通带的频率(fo＝sqrt(L/C))。因此，耦合器12可经调谐以最大地响应最优或以其它方式在特定操作条件下的所需频率或频率范围。
系统10的调谐元件14a、14b的最佳数目取决于应用，且可随着例如引入耦合器12内的信号路径的电抗的所需或需要水平；施加于调谐元件的大小约束等等因素而变化。系统10的替代实施例可由多于或少于两个调谐元件14a、14b形成。
系统10可配备经配置以控制第一调谐元件14a及第二调谐元件14b的可移动部分116的移动的控制器(没有展示)以便在特定操作条件下产生耦合器12中的所需调谐效应。
基于有限元建模(FEM)，估计系统10具有约3.6(GHz)的调谐范围，其具有约42.4GHz的中心频率及42.5(dB)的极为良好回波损失。此外，耦合器12的实质上全金属构造给予耦合器12相对较高的功率处理能力，同时允许在相对较小的尺寸占据面积内建构耦合器12。
可使用用于建立三维微结构的已知处理技术(包含同轴传送线)制造系统10及其替代实施例。例如，在美国专利第7,898,356号及第7,012,489号中描述的处理方法可经调整及应用于开关10及其替代实施例的制造，所述美国专利的揭示内容是以引用方式并入本文中。
系统10可使用下列过程制造。一层光致抗蚀剂材料选择性涂敷到衬底18的上部表面使得只有上部表面的暴露部分对应于直接安置于衬底18上的系统10的各种组件的位置。导电材料(即，Cu)随后沉积在衬底18的暴露部分上达预定厚度以形成导电材料的第一层。
通过将额外光致抗蚀剂材料图案化于部分建构的系统10上及先前涂敷的光致抗蚀剂层上，随后将另一光致抗蚀剂层涂敷到部分建构的系统10，使得只有部分建构的系统10上的暴露区域对应于为系统10的第二层的各个部分所处的位置。随后将导电材料沉积在系统10的暴露部分上达预定厚度以形成导电材料的第二层。随后以实质上相同方式形成第三到第五层。一旦形成第五层，从掩蔽步骤中的每一者保留的光致抗蚀剂材料可释放或以其它方式使用适当的技术(例如，暴露于溶解光致抗蚀剂材料的适当溶剂)移除。
在2012年8月23日申请的共同待决的第13/592,435号美国申请案中详细描述微机电系统(MEMS)开关的制造的上述方法的调整，所述申请案的全文是以引用方式并入本文中。

Claims (10)

1.一种耦合器系统，其包括：
耦合器，其包括电导体；
调谐元件，其包括：
导电第一部分，其与所述耦合器的所述电导体电接触且具有第一末端面；
导电第二部分，其具有第二末端面；及
电介质元件，其安置于所述第一末端面及所述第二末端面中的一者上且与所述第一末端面及所述第二末端面中的另一者间隔开间隙；
其中所述第二部分经配置以相对于所述第一部分移动使得所述间隙是可变的。
2.根据权利要求1所述的系统，其中所述耦合器经配置以将输入信号分裂为两个输出信号，且将两个输入信号组合为单一输出信号。
3.根据权利要求1所述的系统，其中所述调谐元件是操作以改变所述耦合器的频率响应的电容元件。
4.根据权利要求3所述的系统，其中所述调谐元件经配置使得所述频率响应随着所述电介质元件与所述第二部分的所述末端面之间的所述间隙的量值变化。
5.根据权利要求1所述的系统，其进一步包括经配置以移动所述调谐元件的所述第二部分的致动器。
6.根据权利要求5所述的系统，其进一步包括衬底及安装于所述衬底上的导电控制部分。
7.根据权利要求6所述的系统，其进一步包括各自包括电介质材料的多个突片，其中所述耦合器的所述电导体在外壳内悬置于所述突片上。
8.根据权利要求1所述的系统，其中所述调谐元件的所述第一部分包括毗连所述耦合器的所述电导体的突出部。
9.根据权利要求8所述的系统，其中所述耦合器的所述电导体包括：
输入部分，其具有实质上在第一方向上各自延伸的第一支脚及实质上相同的第二支脚；
中间输入部分，其具有：
第一支脚及实质上相同的第二支脚，其实质上在所述第一方向上各自延伸；及
第三支脚及实质上相同的第四支脚，其实质上在实质上垂直于所述第一方向的第二方向上各自延伸；
其中：
所述中间部分的所述第一支脚毗连所述输入部分的所述第一支脚；
所述中间部分的所述第二支脚毗连所述输入部分的所述第二支脚；
所述中间部分的所述第三支脚及所述第四支脚毗连所述中间部分的所述第一支脚及所述第二支脚；且
所述调谐元件的所述第一部分毗连所述中间部分的所述第二支脚；及输出部分，其具有实质上在所述第一方向上各自延伸的第一支脚及实质上相同的第二支脚，其中所述输出部分的所述第一支脚毗连所述中间部分的所述第一支脚，且所述输出部分的所述第二支脚毗连所述中间部分的所述第二支脚。
10.根据权利要求9所述的系统，其中所述调谐元件的所述突出部毗连所述中间部分的所述第二支脚。
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