CN104701301B - 一种晶圆对准标记 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种应用于晶圆键合工艺中的对准标记；该对准标记设置在晶圆切割道交叉的区域上，且该对准标记的尖端图形延伸至切割道的非交叉区域中，从而可以在不减小对准标记尺寸，不影响晶圆键合精度的情况下，适应更小尺寸的切割道，以获得更大的芯片有效面积。
Description
技术领域
本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种应用于晶圆键合制程的对准标记。
背景技术
在3D-IC技术中，晶圆和晶圆之间的键合工艺是非常关键的技术，两片晶圆键合制程的好坏，决定着整个工艺的成功与否，其中，用于键合制程中的对准标记扮演着至关重要的角色。
当前在晶圆和晶圆之间的键合技术中，应用于晶圆键合制程的对准标记普遍采用水平放置的设计，并放置于晶圆两个切割道的交叉处，当切割道宽度变小，键合对准标记便无法放入切割道中，必须占用芯片有效区域或者减小键合对准标记的尺寸，占用芯片有效区域会减小芯片的有效面积，进而造成资源的浪费，而减小键合对准标记的尺寸会影响晶圆的键合精度，这些都是本领域技术人员所不愿看到的。
发明内容
针对上述存在的问题，本发明公开一种晶圆对准标记，应用于晶圆的键合工艺中，其中，所述晶圆上设置有相互交叉的切割道，且在所述切割道交叉的区域上设置具有尖端图形的对准标记，且所述尖端图形延伸至所述切割道的非交叉区域中。
上述的晶圆对准标记，其中，所述切割道包括相互垂直的水平切割道和竖直切割道。
上述的晶圆对准标记，其中，所述对准标记与所述水平切割道所成的角度不为0°。
上述的晶圆对准标记，其中，所述对准标记与所述水平切割道所成的角度为30～60°。
上述的晶圆对准标记，其中，每条所述切割道的宽度均为60～80μm。
上述的晶圆对准标记，其中，所述对准标记的形状为正方形。
上述的晶圆对准标记，其中，所述正方形的边长大于每条所述切割道的宽度。
上述发明具有如下优点或者有益效果：
本发明公开的晶圆对准标记，应用于晶圆的键合工艺中，该对准标记设置在晶圆切割道交叉的区域上，且该对准标记的尖端图形延伸至切割道的非交叉区域中，从而可以在不减小对准标记尺寸，不影响晶圆键合精度的情况下，适应更小尺寸的切割道，以获得更大的芯片有效面积。
附图说明
参考所附附图，以更加充分的描述本发明的实施例。然而，所附附图仅用于说明和阐述，并不构成对本发明范围的限制。
图1是本发明现有技术中位于尺寸相对较大的切割道中的晶圆对准标记的结构示意图；
图2是本发明现有技术中位于尺寸相对较小的切割道中的晶圆对准标记的结构示意图；
图3是本发明实施例中位于尺寸相对较小的切割道中的晶圆对准标记的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和具体的实施例对本发明作进一步的说明，但是不作为本发明的限定。
本发明公开一种晶圆对准标记，该对准标记可应用于晶圆的键合工艺中，该晶圆上设置有相互交叉的切割道，且在切割道交叉的区域上设置具有尖端图形的对准标记，且该尖端图形延伸至切割道的非交叉区域中。
在本发明一个优选的实施例中，上述切割道可包括相互垂直的水平切割道和竖直切割道。
在此基础上，进一步的，上述对准标记与水平切割道所成的角度不为0°，优选的，对准标记与水平切割道所成的角度的取值范围为30°-60°(例如30°、45°、50°或者60°等)。
在本发明一个优选的实施例中，上述每条切割道的取值范围为60-80μm(例如60μm、65μm、70μm或80μm等)。
在本发明一个优选的实施例中，上述对准标记的形状为正方形。
在此基础上，进一步的，上述正方形的边长大于上述每条切割道的宽度。
下面结合现有技术以具体的实施例来对本发明作进一步的阐述：
图1是本发明现有技术中位于尺寸相对较大的切割道中的晶圆对准标记的结构示意图；图1中水平切割道21和竖直切割道22的宽度均为80μm，晶圆对准标记1水平设置于该水平切割道21和竖直切割道22的交叉区域，即对准标记1与水平切割道21所成的角度为0°，对准标记1的尖端图形均位于该交叉区域内，显而易见的，该晶圆对准标记1未占用了芯片的有效区域。
图2是本发明现有技术中位于尺寸相对较小的切割道中的晶圆对准标记的结构示意图；图2中水平切割道21和竖直切割道22的宽度均为60μm，与图1中相同尺寸和形状的晶圆对准标记1仍水平设置于该两条切割道2的交叉区域，即对准标记1与水平切割道21所成的角度仍为0°，对准标记1的尖端图形仍位于该交叉区域内，显而易见的，该晶圆对准标记1占用了芯片的有效区域，从而减小了芯片的有效面积，造成了资源的浪费，而如果将该晶圆对准标记1的尺寸变小，则会影响晶圆的键合精度。
图3是本发明实施例中位于尺寸相对较小的切割道中的晶圆对准标记的结构示意图，图3中水平切割道21和竖直切割道22的宽度与图2中相同，即水平切割道21和竖直切割道22的宽度均为60μm，与图1中相同尺寸和形状的晶圆对准标记1设置于该水平切割道21和竖直切割道22的交叉区域，且该晶圆对准标记1与水平切割道成45°夹角，该晶圆对准标记1的尖端图形位于水平切割道21和垂直切割道22的非交叉区域；显而易见的，该晶圆对准标记1未占用芯片的有效区域，且可以将切割道2的尺寸变小，从而可以获得更大的芯片有效面积，同时不会影响到晶圆的键合精度。
综上，本发明在现有晶圆键合机台和制程条件的基础上，通过于晶圆的切割道的交叉区域设置对准标记，且该对准标记的尖端图形位于切割道的非交叉区域，从而可以在不减小对准标记尺寸的情况下，适应更小尺寸的切割道，获得更大的芯片有效面积，进而提高了晶圆的键合精度。
本领域技术人员应该理解，本领域技术人员在结合现有技术以及上述实施例可以实现变化例，在此不做赘述。这样的变化例并不影响本发明的实质内容，在此不予赘述。
以上对本发明的较佳实施例进行了描述。需要理解的是，本发明并不局限于上述特定实施方式，其中未尽详细描述的设备和结构应该理解为用本领域中的普通方式予以实施；任何熟悉本领域的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围情况下，都可利用上述揭示的方法和技术内容对本发明技术方案作出许多可能的变动和修饰，或修改为等同变化的等效实施例，这并不影响本发明的实质内容。因此，凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例所做的任何简单修改、等同变化及修饰，均仍属于本发明技术方案保护的范围内。
Claims (5)
1.一种晶圆对准标记，应用于晶圆的键合工艺中，其特征在于，所述晶圆上设置有相互交叉的切割道，且在所述切割道交叉的区域上设置具有尖端图形的对准标记；
其中，所述尖端图形延伸至所述切割道的非交叉区域中；
所述切割道包括相互垂直的水平切割道和竖直切割道；
所述对准标记具有矩形的外框，所述外框的任意一边的延长线均与所述水平切割道或所述竖直切割道交叉；所述外框中的每个顶角位于所述切割道的非交叉区域中。
2.如权利要求1所述的晶圆对准标记，其特征在于，所述外框临近所述水平切割道一侧的边的延长线与所述水平切割道交叉成30～60°的夹角。
3.如权利要求1所述的晶圆对准标记，其特征在于，所述切割道的宽度均为60～80μm。
4.如权利要求1所述的晶圆对准标记，其特征在于，所述对准标记的形状为正方形。
5.如权利要求4所述的晶圆对准标记，其特征在于，所述正方形的边长大于每条所述切割道的宽度。
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|---|---|---|---|---|
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| CN1713354A (zh) * | 2004-06-22 | 2005-12-28 | 恩益禧电子股份有限公司 | 半导体晶片和半导体器件的制造工艺 |
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