CN104692341A - 一种硒化亚锡正方形纳米片及其制备方法 - Google Patents
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- 239000002135 nanosheet Substances 0.000 title claims abstract description 43
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 20
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 36
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 34
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 19
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 16
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 16
- 238000009833 condensation Methods 0.000 claims abstract description 13
- 230000005494 condensation Effects 0.000 claims abstract description 13
- 238000010891 electric arc Methods 0.000 claims abstract description 12
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 claims abstract description 11
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 239000010439 graphite Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims abstract description 11
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 10
- MFIWAIVSOUGHLI-UHFFFAOYSA-N selenium;tin Chemical compound [Sn]=[Se] MFIWAIVSOUGHLI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 9
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 claims abstract description 9
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 6
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 16
- 239000011669 selenium Substances 0.000 claims description 8
- 239000011812 mixed powder Substances 0.000 claims description 6
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 3
- LYZMBUYUNBCSMW-UHFFFAOYSA-N selenium(2-);tin(2+) Chemical compound [Se-2].[Sn+2] LYZMBUYUNBCSMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 2
- 239000002086 nanomaterial Substances 0.000 abstract description 11
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 3
- HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N Lithium ion Chemical compound [Li+] HBBGRARXTFLTSG-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 239000003054 catalyst Substances 0.000 abstract description 2
- 229910001416 lithium ion Inorganic materials 0.000 abstract description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 abstract 1
- 238000005265 energy consumption Methods 0.000 abstract 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 abstract 1
- -1 template Substances 0.000 abstract 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 7
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 7
- 239000004484 Briquette Substances 0.000 description 5
- 239000000047 product Substances 0.000 description 5
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 4
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 4
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000003917 TEM image Methods 0.000 description 3
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 3
- 238000004098 selected area electron diffraction Methods 0.000 description 3
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 230000005476 size effect Effects 0.000 description 2
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 2
- 239000013590 bulk material Substances 0.000 description 1
- 239000007809 chemical reaction catalyst Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000001027 hydrothermal synthesis Methods 0.000 description 1
- 239000013067 intermediate product Substances 0.000 description 1
- 230000005389 magnetism Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 238000004377 microelectronic Methods 0.000 description 1
- 239000002060 nanoflake Substances 0.000 description 1
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 description 1
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 description 1
- 231100000252 nontoxic Toxicity 0.000 description 1
- 230000003000 nontoxic effect Effects 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002243 precursor Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 1
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 1
- 238000010183 spectrum analysis Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 230000005641 tunneling Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B19/00—Selenium; Tellurium; Compounds thereof
- C01B19/007—Tellurides or selenides of metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
- C01P2002/70—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
- C01P2002/70—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data
- C01P2002/72—Crystal-structural characteristics defined by measured X-ray, neutron or electron diffraction data by d-values or two theta-values, e.g. as X-ray diagram
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
- C01P2002/80—Crystal-structural characteristics defined by measured data other than those specified in group C01P2002/70
- C01P2002/85—Crystal-structural characteristics defined by measured data other than those specified in group C01P2002/70 by XPS, EDX or EDAX data
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/01—Particle morphology depicted by an image
- C01P2004/03—Particle morphology depicted by an image obtained by SEM
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/01—Particle morphology depicted by an image
- C01P2004/04—Particle morphology depicted by an image obtained by TEM, STEM, STM or AFM
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2004/00—Particle morphology
- C01P2004/20—Particle morphology extending in two dimensions, e.g. plate-like
- C01P2004/24—Nanoplates, i.e. plate-like particles with a thickness from 1-100 nanometer
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- Chemical & Material Sciences (AREA)
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- Manufacture Of Metal Powder And Suspensions Thereof (AREA)
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Abstract
本发明的一种硒化亚锡正方形纳米片及其制备方法,属纳米材料制备的技术领域。将锡粉、硒粉混合均匀压成压块;将压块置于石墨锅内,石墨锅放入直流电弧放电装置反应室内的铜锅阳极中,钨棒阴极与铜锅阳极相对放置;冷却壁通入循环冷却水;在氩、氮的混合气体中进行放电反应,放电电压为18V、电流为80~85A,反应1~2分钟;再在氩气环境中钝化,在冷凝壁的顶盖内侧收集灰黑色粉末为SnSe正方形纳米片。本发明的样品纯度高,结晶性好,形貌尺寸均一;制备过程中无需任何基片、模板、催化剂,对环境友好;制备时间短、能耗少、成本低、可重复性高。制备的产品在太阳能电池转换,全息记录,可循环锂离子电池等方面具有潜在应用价值。
Description
技术领域
本发明属于纳米材料制备的技术领域,特别涉及了一种简单的制备硒化亚锡正方形纳米片的方法。
背景技术
随着对纳米材料研究的广泛和深入,人们发现纳米材料具有大的比表面积,表面原子数、表面能和表面张力随粒径的下降急剧增加,表现出小尺寸效应、表面效应、量子尺寸效应及宏观量子隧道效应等特点,从而导致纳米材料在磁学,电学,光学,力学性能等方面都不同于传统材料。其中,纳米片状结构材料由于其仅在一个维度上的尺寸远远小于其它维度尺寸,被称为二维纳米材料。这种材料在微电子器件,电子光学器件等方面有着广阔的应用前景。因此,探寻纳米片状结构材料新的制备方法,开展新性能的研究工作都具有重大的意义。
硒化亚锡(SnSe)是一种具有层状正交结构的P型半导体材料。由于其组成元素完全无毒,化学性质稳定,地球储量丰富,且光学带隙(~1.2eV)与可见光带隙有很好的光谱匹配,因此硒化锡一直被视为是一种环境友好的具有广阔应用前景的太阳能电池材料。SnSe纳米材料一直都是研究的热点,现在有关SnSe纳米材料的制备工作主要有:零维SnSe纳米颗粒(Journal of the American ChemicalSociety 132(2010)9519-9521),一维SnS纳米线(Chemistry Letters 32(2003)426-427),二维SnS薄膜(Acs Nano 5(2011)8852-8860)等。上述方法大致分为两类:湿化学法(水热合成,化学浴法,溶胶-凝胶法等)和无溶液法(化学/物理气相沉积)。但上述制备方法普遍存在反应耗时长,产量小,需要添加反应催化剂、表面活性剂,依赖基底生长等特点,这导致成本过高,制备过程产生对环境的二次污染。此外,由于反应步骤繁琐,前驱物、中间产物、溶剂残余等在产物中很难去除而吸附在产物表面,这对进一步研究SnSe的本质属性工作带来了巨大困难。
对于利用电弧法制备SnSe纳米片还未见报道。
发明内容
本发明要解决的技术问题是,弥补传统制备方法存在的诸多缺陷,提供一种工艺简单、节能环保、纯度高、产量大、生产成本较低且可控制备硒化亚锡(SnSe)正方形纳米薄片的制备方法,为IV-VI族P型半导体材料的制备指出一个新的方向。
本发明所述的硒化亚锡(SnSe)正方形纳米片,纳米片的主要成分是Sn和Se,二者摩尔比例为1:1,其特征在于,纳米片由正交晶体结构的SnSe构成,呈规则的正方形片状;纳米片的边长约为200~400nm,厚度约为20~30nm。上述的该结构中正方形纳米片的边长、厚度都比较均匀,片体间分散性好。
本发明的硒化亚锡(SnSe)正方形纳米片的制备方法,是采用直流电弧等离子体放电装置,具体装置可见说明书附图1。具体的技术方案如下。
一种硒化亚锡正方形纳米薄片的制备方法,有如下步骤:将锡(Sn)粉、硒(Se)粉按摩尔比1∶1比例混合均匀,压成混合粉的压块;将压块置于石墨锅内,石墨锅放入直流电弧放电装置的反应室内的铜锅阳极中,钨棒阴极与铜锅阳极相对放置,带有顶盖的双层圆筒形的冷凝壁置于反应室内,并将钨棒阴极与铜锅阳极罩在其中,双层圆筒内通循环冷却水;充入体积比氩气∶氮气=1∶1的混合气体,至反应室内气压为15~20kPa进行放电反应,保持放电电压为18V、电流为80~85A,反应1~2分钟;反应结束后,在氩气中钝化1~2小时;在冷凝壁顶盖内侧收集灰黑色粉末为SnSe正方形纳米片。
所述的压块,密度最好为3.5~4.5g/cm3。
所述的在氩气中钝化,是在反应结束后,将反应室抽成真空后充入氩气至气压为10~20kPa。
所述的铜锅阳极,制成壳体,其内通入循环冷却水。循环冷却水为铜锅阳极降温,以保护其不被烧坏。
本发明利用直流电弧放电装置制备SnSe正方形纳米片具有工艺简单环保、反应快速、低成本、无污染、产量大、样品纯度高、可重复性好;无需任何基片,无需添加催化剂、表面活性剂;制备的产品在太阳能电池转换,全息记录,近红外光电设备,可循环锂离子电池等方面具有广泛的潜在应用价值。
附图说明
图1本发明直流电弧放电装置结构图。
图2是实施例2制得的SnSe纳米片的扫描式电子显微镜(SEM)谱图。
图3是实施例2制得的SnSe纳米片的能谱分析(EDS)谱图。
图4是实施例2制得的SnSe纳米片的透射电子显微镜(TEM)谱图。
图5是实施例2制得的SnSe纳米片的高分辨透射电子显微镜(HRTEM)谱图及选区电子衍射(SAED)谱图。
图6是实施例2制得的SnSe纳米片的X射线衍射(XRD)谱图。
图7是比较例1制得的轮廓无规则的SnSe纳米片透射电子显微镜(TEM)谱图。
图8是比较例2制得的无定形状的SnSe纳米材料的透射电子显微镜(TEM)谱图。
具体实施方式
实施例1直流电弧放电装置结构
结合图1说明本发明制备SnSe纳米片的直流电弧装置结构。图1中,1为直流电弧装置的外玻璃罩,2为冷凝壁的顶盖,3为冷凝壁,4为由钨棒构成的阴极,5为反应初始原料压块(嵌于石墨锅内),6为石墨锅(置于铜锅内),7为由铜锅构成的阳极,8为阳极进水口,9为阳极出水口,10为进气口,11为出气口,12为冷凝壁进水口,13为冷凝壁出水口。
在冷凝壁3中通入冷却水为制备SnSe纳米片的关键,放电时反应腔内产生高温,由于冷却水的作用使反应腔内各处与电弧源之间产生温度梯度,从而制得高纯的SnSe正方形纳米片。
实施例2制备最佳SnSe正方形纳米片的全过程。
将纯度为99.99%的Sn粉、Se粉按照摩尔比为1∶1的比例放入混料机中混合均匀。取出5g的混合粉,使用压片机压块,压成直径为1.8cm,高为0.5cm的圆柱体。将压成的混合粉的压块放入石墨锅后,再一并放入直流电弧放电装置的反应室的阳极铜锅中。阴极为钨棒电极。将直流电弧放电装置的反应室抽成真空(最好小于1Pa),然后按体积比氩气:氮气=1∶1充入混合气体10~15kPa,冷凝壁和铜锅通入循环冷却水,开始放电。在放电过程中保持电压为18V,电流为80~85A,反应1~2分钟。反应结束后,将反应腔内抽真空后,再充入氩气10~20kpa,使样品在氩气环境中钝化1~2小时,在冷凝壁的顶盖内腔一侧收集到灰黑色的SnSe正方形纳米片。
图2给出上述条件制备的SnSe正方形纳米片的SEM图,可以看出样品为规则的正方形纳米片,边长为200~400nm,厚度为20~30nm。图3给出上述条件制备的SnSe纳米片的EDS图,可以得出纳米片是由Sn和Se两种元素组成,并且两种元素的原子比例为1:1。图4给出上述条件制备的SnSe正方形纳米片的TEM图,进一步确认样品为纳米片形貌。图5、图6给出上述条件制备的SnSe纳米片的HRTEM图、SAED图和XRD谱图,证明SnSe纳米片为正交相单晶。
比较例1制备轮廓无规则的SnSe纳米片的全过程。
将纯度为99.99%的Sn粉、Se粉按照摩尔比为1∶1比例放入混料机中混合均匀。取出5g的混合粉,使用压片机压块,压成直径为1.8cm,高为0.5cm的圆柱体。将压成的混合块放入石墨锅,再一并放入直流电弧放电装置的反应室的阳极铜锅中。阴极为钨棒电极。将直流电弧放电装置的反应室抽成真空(最好小于1pa),然后充12kpa氩气。冷凝壁和铜锅通入循环冷却水,开始放电。在放电过程中,保持电压为15~20V,电流为80A,反应3分钟。反应结束后,将反应腔内抽真空后,再补入氩气至10~20kpa,使样品在氩气环境中钝化1~2小时,在冷凝壁的顶盖内腔一侧收集到灰黑色的SnSe样品。图7给出上述条件制备的SnSe的TEM图,确认制得的产物为轮廓不规则的SnSe纳米片。
比较例2制备无定形状的SnSe纳米材料的全过程。
将纯度为99.99%的Sn粉、Se粉按照摩尔比为1∶1比例放入混料机中混合均匀。取出5g的混合粉,使用压片机压块,压成直径为1.8cm,高为0.5cm的圆柱体。将压成的混合块放入石墨锅,再一并放入直流电弧放电装置的反应室的阳极铜锅中。阴极为钨棒电极。将直流电弧放电装置的反应室抽成真空(最好小于1pa),然后充15kPa氮气。冷凝壁和铜锅通入循环冷却水,开始放电,在放电过程中,保持电压为18V,电流为85A。反应3分钟后,反应结束后,将反应腔内抽真空后,再充入氩气10~20kpa,使样品在氩气环境中钝化1~2小时,在冷凝壁的顶盖内腔一侧收集到灰黑色的SnSe样品。图8给出上述条件制备的无定形SnSe纳米材料的TEM图,确认制得的产物为无定形状的SnSe块体材料。
Claims (5)
1.一种硒化亚锡正方形纳米片,主要成分是Sn和Se,二者摩尔比例为1:1,其特征在于,纳米片由正交晶体结构的SnSe构成,呈规则的正方形片状;纳米片的边长约为200~400nm,厚度约为20~30nm。
2.一种权利要求1的硒化亚锡正方形纳米片的制备方法,有如下步骤:将锡粉、硒粉按摩尔比1∶1比例混合均匀,压成混合粉的压块;将压块置于石墨锅内,石墨锅放入直流电弧放电装置的反应室内的铜锅阳极中,钨棒阴极与铜锅阳极相对放置,带有顶盖的双层圆筒形的冷凝壁置于反应室内,并将钨棒阴极与铜锅阳极罩在其中,双层圆筒内通循环冷却水;充入体积比氩气∶氮气=1∶1的混合气体,至反应室内气压为15~20kPa进行放电反应,保持放电电压为18V、电流为80~85A,反应1~2分钟;反应结束后,在氩气中钝化1~2小时;在冷凝壁顶盖内侧收集灰黑色粉末为SnSe正方形纳米片。
3.根据权利要求2所述的硒化亚锡正方形纳米片的制备方法,其特征在于,所述的压块,其密度为3.5~4.5g/cm3。
4.根据权利要求2或3所述的硒化亚锡正方形纳米片的制备方法,其特征在于,所述的在氩气中钝化,是将反应室抽成真空后充入氩气,至气压为10~20kPa。
5.根据权利要求2或3所述的硒化亚锡正方形纳米片的制备方法,其特征在于,所述的铜锅阳极,制成壳体,其内通入循环冷却水。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201510086479.XA CN104692341B (zh) | 2015-02-17 | 2015-02-17 | 一种硒化亚锡正方形纳米片及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201510086479.XA CN104692341B (zh) | 2015-02-17 | 2015-02-17 | 一种硒化亚锡正方形纳米片及其制备方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN104692341A true CN104692341A (zh) | 2015-06-10 |
CN104692341B CN104692341B (zh) | 2016-06-22 |
Family
ID=53339961
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201510086479.XA Expired - Fee Related CN104692341B (zh) | 2015-02-17 | 2015-02-17 | 一种硒化亚锡正方形纳米片及其制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN104692341B (zh) |
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CN104962990A (zh) * | 2015-07-23 | 2015-10-07 | 华中科技大学 | 一种二维纳米SnSe2晶体材料的制备方法 |
CN107324294A (zh) * | 2017-02-27 | 2017-11-07 | 武汉理工大学 | 一步超快速制备SnSe块体热电材料的方法 |
CN110190274A (zh) * | 2019-06-24 | 2019-08-30 | 浙江大学 | 一种Cu掺杂SnSe2锂离子电池电极材料的制备方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101214932A (zh) * | 2008-01-08 | 2008-07-09 | 上海大学 | 一种纳米硒化锡的制备方法 |
CN101412505A (zh) * | 2008-09-05 | 2009-04-22 | 山东建筑大学 | 一种高纯度二硒化锡纳米片的制备方法 |
CN102910598A (zh) * | 2012-10-31 | 2013-02-06 | 吉林大学 | 钇掺杂氮化铝稀磁半导体准阵列微米管及其制备方法 |
CN102874775B (zh) * | 2012-10-31 | 2014-02-26 | 吉林大学 | 一种氮化钪立方晶体的制备方法 |
-
2015
- 2015-02-17 CN CN201510086479.XA patent/CN104692341B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101214932A (zh) * | 2008-01-08 | 2008-07-09 | 上海大学 | 一种纳米硒化锡的制备方法 |
CN101412505A (zh) * | 2008-09-05 | 2009-04-22 | 山东建筑大学 | 一种高纯度二硒化锡纳米片的制备方法 |
CN102910598A (zh) * | 2012-10-31 | 2013-02-06 | 吉林大学 | 钇掺杂氮化铝稀磁半导体准阵列微米管及其制备方法 |
CN102874775B (zh) * | 2012-10-31 | 2014-02-26 | 吉林大学 | 一种氮化钪立方晶体的制备方法 |
Non-Patent Citations (2)
Title |
---|
VAUGHN,D. D. ET AL.: "A Precursor-Limited Nanoparticle Coalescence Pathway for Tuning the Thickness of Laterally-Uniform Colloidal Nanosheets: The Case of SnSe", 《ACS NANO》 * |
王峰等: "直流电弧自催化合成β -SiC纳米线", 《无机化学学报》 * |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104962990A (zh) * | 2015-07-23 | 2015-10-07 | 华中科技大学 | 一种二维纳米SnSe2晶体材料的制备方法 |
CN104962990B (zh) * | 2015-07-23 | 2017-05-10 | 华中科技大学 | 一种二维纳米SnSe2晶体材料的制备方法 |
CN107324294A (zh) * | 2017-02-27 | 2017-11-07 | 武汉理工大学 | 一步超快速制备SnSe块体热电材料的方法 |
CN110190274A (zh) * | 2019-06-24 | 2019-08-30 | 浙江大学 | 一种Cu掺杂SnSe2锂离子电池电极材料的制备方法 |
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