CN104685620A - 软性错误容忍电路系统 - Google Patents

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Abstract

集合体包括集成电路、置于集成电路上方并具有至少50微米厚度的膜层、以及包含至少0.5％热中子吸收剂的热中子吸收剂层。热中子吸收剂层可为玻璃层或可包括塑模化合物。

Description

软性错误容忍电路系统
技术领域
本揭露一般而言，是关于具有软性错误容忍力的已封装电路系统与集合体、以及形成此类电路系统与集合体的方法。
背景技术
社会逐渐依赖电脑及各式运算装置。再者，对数据存储、以及透过此类运算装置所使用电脑网络移送数据的使用度已急剧增加。如此，在数据丰富度不断提升的环境下，数据完整性的问题正不断在成长。不幸的是，数据完整性会受到数据移送或存储期间引进的软性错误所影响。
软性错误是以信号或数据形式呈现的错误。此类错误典型代表数据本身的错误，而非系统或运算装置的实体损坏。软性错误可在系统级出现，尤其是在数据移送期间，其中，系统内的杂讯变更数据的值。错误数据会送至内存，并且会在以后造成问题。在另一实施例中，软性错误可由阿伐粒子辐射造成，阿伐粒子辐射会撞击内存单元，并且使单元状态起变化。此类软性错误会改变程式里的指令，或者会使数据产生讹误。如此，软性错误会导致系统可靠度降低，或丢失信息。
尤其是，阿伐粒子辐射会诱发软性错误。如此，封装集成电路所使用的是没有阿伐粒子发射体的塑模化合物，例如：铀、钍、或硼-10。如果当作滤体(filer)的是硼，硼源包括少量或未包括硼-10。
发明内容
在第一方面中，集合体包括集成电路、置于集成电路上方并具有至少50微米厚度的膜层、以及包含至少0.5％热中子吸收剂的热中子吸收剂层。
在第二方面中，形成电子集合体的方法包括施配集成电路；将膜层沉积于集成电路上方，膜层具有至少50微米的厚度；以及将热中子吸收剂层置于膜层上方，热中子吸收剂层具有至少0.5％热中子吸收剂。
在第三方面中，集合体包括集成电路、置于集成电路上方并具有至少50微米厚度的膜层、以及包含至少0.5％热中子吸收剂的热中子吸收剂玻璃层。
在第四方面中，形成电子集合体的方法包括施配集成电路；将膜层沉积于集成电路上方，膜层具有至少50微米的厚度；以及将热中子吸收剂玻璃层置于膜层上方，热中子吸收剂玻璃层具有至少0.5％热中子吸收剂。
在第五方面中，集合体包括集成电路；置于集成电路上方并具有至少50微米厚度的膜层；以及置于膜层上方并包括至少0.5％热中子吸收剂的塑模化合物。
在第六方面中，形成电子集合体的方法包括施配集成电路；在集成电路上方形成膜层，膜层具有至少70微米的厚度；以及在膜层上方形成塑模化合物，塑模化合物包括至少0.5％热中子吸收剂。
在第七方面中，集合体包括集成电路；耦接至集成电路板的印刷电路板，印刷电路板包含热中子吸收剂纤维，热中子吸收剂纤维包括至少0.5％热中子吸收剂；以及置于集成电路与印刷电路板之间的晶粒附接化合物。
在第八方面中，形成电子集合体的方法包括施配集成电路；以及利用晶粒附接化合物将集成电路耦接至印刷电路板，印刷电路板包括至少0.5％热中子吸收剂。
在第九方面中，集合体包括集成电路；耦接至集成电路板的印刷电路板，印刷电路板包括无电式硼-镍涂层；以及置于集成电路与印刷电路板之间的晶粒附接化合物。
附图说明
所属领域技术人员参照附图，可更加了解本揭露，并且其许多特征及优点将显而易见。
图1包括例示性已封装电路系统的说明。
图2包括例示性集合体的说明。
图3包括用于制作集合体的例示性方法的方块流程图。
不同图式中所用的相同参考符号表示类似或等同的项目。
具体实施方式
在一具体实施例中，集合体包括集成电路、置于集成电路上方的膜层、以及置于膜层上方的热中子吸收剂层。膜层可为至少50μm厚。热中子吸收剂层包括以重量计至少0.5％的热中子吸收剂。在一实施例中，热中子吸收剂层可为含有热中子吸收剂的玻璃层。在另一实施例中，热中子吸收剂层可为置于集成电路及膜层上方的塑模化合物层或封装材(packaging)。在另一实施例中，可将热中子吸收剂并入印刷电路板的纤维、晶粒附接化合物里的填料、或涂覆印刷电路板的层件。
在另一具体实施例中，形成集成电路集合体的方法可包括在集成电路上方沉积膜层、以及在膜层上方形成热中子吸收剂层。热中子吸收剂层可为含热中子吸收剂的玻璃层，或可为包括热中子吸收剂填料的塑模化合物。本方法也可包括使用晶粒附接化合物将集成电路附接至印刷电路板。在一实施例中，晶粒附接化合物可包括热中子吸收剂填料。在另一实施例中，印刷电路板可在印刷电路板的玻璃纤维里包括热中子吸收剂，或可包括在印刷电路板上含有热中子吸收剂的涂层。
尽管集成电路集合体按照现有成形时有少量或不具有阿伐粒子发射体，仍得经受有限数目的软性错误。已发现此类软性错误可归因于热中子。已进一步发现封装层中使用离集成电路至少50μm而置的热中子吸收剂可起吸收热中子并且减少软性错误的作用。已发现的是，诸如硼-10、钆-157、或镉-113之类的热中子吸收剂，尽管属于潜在的充电粒子发射体，在布置于离集成电路表面至少50μm且更具体为至少60μm而置的层件里时，仍可吸收热中子，并且可减少辐射相关的软性错误。因此，本装置与现有的想法相悖，仍在有可能发射阿伐粒子的情况下，加入热中子吸收剂。
如图1所示，已封装集成电路100可包括集成电路102。在一特定实施例中，集成电路102包括晶体管、二极体、电容器以及其它电荷载运装置。可将一或多种此类装置用于形成内存单元。
集成电路102具有的厚度可为至少150μm，例如至少170μm、至少200μm、至少240μm、或甚至是至少280μm。可在衬底(例如：硅衬底)中形成集成电路102。或者，可在印刷电路板或薄型、小外形封装(TSOP)中形成集成电路102。
可将诸如线上覆膜层(film-over-wire layer)之类的膜层104置于集成电路102的主面上方。在一实施例中，膜层104可由聚合材料构成，例如：聚酯、聚酰胺、聚苯硫醚、聚苯醚、聚硅氧、酚树脂、环氧树脂、丙烯酸酯、丙烯腈-丁二烯共聚物、聚酰亚胺、聚胺甲酸酯、聚烯、或其组合物。特别的是，聚合物可为环氧树脂。在另一实施例中，聚合物可为聚酰亚胺。在进一步实施例中，聚合物可为聚硅氧。填充聚合材料可利用硅土、矾土、三水合铝、碳黑、石墨、氧化铍、硅酸钙、氧化锌、氧化钛、氧化镁、氮化硅、锌、铜、银、或其组合物。在一替代实施例中，聚合材料可无填料。特别的是，聚合材料无诸如硼-10、铀、或钍之类的阿伐发射体。
在一进一步实施例中，膜层104可具有至少50μm的厚度。例如，膜层104的厚度可为至少60μm，例如：至少70μm。
可供选择地将玻璃层106置于膜层104上方。例如，玻璃层106可含有热中子吸收剂。特别的是，玻璃层106以重量计可包括至少0.5％的热中子吸收剂。组合重量百分数的测定是基于热中子吸收剂原子种在形成含有热中子吸收剂原子种的层件的材料里的重量。例如，玻璃层106以重量计可包括至少0.8％的热中子吸收剂，例如：以重量计至少1.1％、至少1.6％、或甚至是至少2.2％的热中子吸收剂。在一特定实施例中，热中子吸收剂可包括硼-10、钆-157、或镉-113、或任何其组合物。在特定实施例中，热中子吸收剂包括硼-10。此硼-10可源自天然来源，或可源自包括比典型本质所发现更多硼-10的浓缩源(enriched source)。如此，硼源以重量计可包括至少20％的硼-10，例如：以重量计至少25％或甚至是至少28％的硼-10。在一特定实施例中，玻璃层106可包括硼硅酸玻璃。
玻璃层106可具有至少70μm的厚度。例如，玻璃层106具有的厚度可为至少100μm，例如：至少120μm。
可将塑模化合物层108置于膜层104以及任选的玻璃层106上方。例如，塑模化合物可由下列构成：聚酯、聚酰胺、聚苯硫醚、聚苯醚、聚硅氧、酚树脂、环氧树脂、丙烯酸酯、丙烯腈-丁二烯共聚物、聚酰亚胺、聚胺甲酸酯、聚烯、或其组合物。特别的是，聚合物可为环氧树脂。在另一实施例中，聚合物可为聚酰亚胺。在进一步实施例中，聚合物可为聚硅氧。
塑模化合物供选择地以重量计可包括至少0.5％的热中子吸收剂。例如，塑模化合物可包括的热中子吸收剂以重量计为至少0.8％，例如：以重量计至少1.1％、至少1.6％、或甚至是至少2.2％。热中子吸收剂可选自上述热中子吸收剂。在一实施例中，可引进热中子吸收剂作为填料。例示性填料包括硅土硼酸盐玻璃；诸如硼酸钡、硼酸锌、硼酸钙、硼酸钠、或其组合物之类的金属硼酸盐；硼酸；硼；硼的氧化物；钆；氟化钆；钆的[正]磷酸盐；钆的氟化物碳酸盐；镉；硫酸镉；或其组合物。
塑模化合物层108可具有至少100μm的厚度。例如，塑模化合物层可具有的厚度可为至少160μm，例如：至少200μm。
可供选择地将集成电路封装100耦接至印刷电路板212，如图2所示。特别的是，集合体200包括通过晶粒附接化合物210耦接至印刷电路板212的已封装集成电路100。如图所示，印刷电路板212是耦接至集成电路102与膜层104对立的主面上。
在一实施例中，印刷电路板212也可将热中子吸收剂加入。例如，印刷电路板212可包括含热中子吸收剂的纤维，其包括以重量计至少0.5％的热中子吸收剂。例如，此类含热中子吸收剂的纤维可包括的热中子吸收剂以重量计为至少0.8％，例如：以重量计至少1.1％、至少1.6％、或甚至是至少2.2％。热中子吸收剂可选自上述群组。在一特定实施例中，热中子吸收剂为硼-10，并且并入于硼硅酸玻璃的纤维。在一替代实施例中，印刷电路板212可加入例如上述的热中子吸收剂填料。
印刷电路板212可具有至少100μm的厚度。例如，印刷电路板212可为至少170μm，例如：至少200μm。
在另一实施例中，印刷电路板212可包括一或多个加入热中子吸收剂的涂层214。如图所示，涂层214是置于印刷电路板212与集成电路102对立的面。或者，可将涂层214置于印刷电路板212与集成电路102相同的面。在一实施例中，涂层214可为聚合性涂料，其加入以重量计其量为至少0.5％的热中子吸收剂。例如，涂层214可包括的热中子吸收剂其量以重量计为至少0.8％，例如：以重量计至少1.1％、至少1.6％、或甚至是至少2.2％。
在另一实施例中，涂层214可为无电式硼-镍涂层。此一无电式硼-镍涂层可加入热中子吸收剂，例如：硼-10，其量为关系上述聚合性涂料所述。再者，无电式硼-镍涂层可包括热吸收剂，例如：硼-10，其量以重量计为至少5％，例如：以重量计至少8％。
可将热中子吸收剂并入晶粒附接化合物210。例如，晶粒附接化合物210可由聚合材料构成，例如：聚酯、聚酰胺、聚苯硫醚、聚苯醚、聚硅氧、酚树脂、环氧树脂、丙烯酸酯、丙烯腈-丁二烯共聚物、聚酰亚胺、聚胺甲酸酯、聚烯、或其组合物。特别的是，聚合材料可为环氧树脂。在另一实施例中，聚合材料可为聚酰亚胺。在进一步实施例中，聚合材料可为聚硅氧。在一实施例中，晶粒附接化合物210可包括的热中子吸收剂其量以重量计为0.5％，例如：以重量计至少0.8％、至少1.1％、至少1.6％、或甚至是至少2.2％。热中子吸收剂可选自上述热中子吸收剂。在一特定实施例中，晶粒附接化合物210可包括硼的来源，例如：非水可溶性硼掺质。例示性非水可溶性硼掺杂可包括硼酸钡。
尽管图未示，集合体200仍可更包括导线架，例如：铜导线架。类似的是，集合体200可包括置于集合体200各个层件上方或底下的另外的塑模化合物。
如图3所示，集合体可通过如步骤302所示包括施配集成电路的方法300形成。如步骤304所示，可在集成电路上方形成膜层，例如：线上覆膜层。在一实施例中，线上覆膜层是至少50μm厚，并且无阿伐粒子发射体。
含热中子吸收剂的玻璃层是供选择地置于膜层上方，如步骤306所示。含热中子吸收剂的玻璃层可例如包括硼硅酸玻璃。
可将塑模化合物置于膜层上方或选用的玻璃层上方，如步骤308所示。在一实施例中，塑模化合物可包括以重量计其量为至少0.5％的热中子吸收剂。
可将集成电路耦接至印刷电路板，如步骤310所示。在一实施例中，印刷电路板可包括例如以重量计其量为至少0.5％的热中子吸收剂。例如，印刷电路板可包括硼硅酸玻璃纤维，或可包括涂层，例如：无电式硼-镍涂层，其以重量计包括至少0.5％的热中子吸收剂。
可在集成电路与印刷电路板之间，涂敷用以将集成电路固定至印刷电路板的晶粒附接化合物，如步骤312所示。在一实施例中，晶粒附接化合物可包括以重量计其量为至少0.5％的热中子吸收剂。特别的是，热中子吸收剂可包括非水可溶性硼源，例如：硼酸钡。可供选择地将另外的塑模化合物置于集合体周围。再者，集合体中可包括其它结构，例如：导线架或另外的印刷电路板。
在第一方面中，集合体包括集成电路、置于集成电路上方并具有至少50微米厚度的膜层、以及包含至少0.5％热中子吸收剂的热中子吸收剂层。
在第一方面的一实施例中，热中子吸收剂层包括至少0.8％热中子吸收剂。例如，热中子吸收剂玻璃可包括至少1.1％热中子吸收剂，例如：至少1.6％热中子吸收剂、或至少2.2％热中子吸收剂。
在第一方面的另一实施例以及以上实施例中，热中子吸收剂包括硼-10。
在第一方面的一进一步实施例以及以上实施例中，热中子吸收剂包括钆-157。
在第一方面的一另外的实施例以及以上实施例中，热中子吸收剂包括镉-113。
在第一方面的一实施例以及以上实施例中，膜层的厚度至少为60微米。例如，膜层的厚度可为至少70微米。
在第一方面的另一实施例以及以上实施例中，膜层包含选自由下列所组成群组的聚合物：聚酯、聚酰胺、聚苯硫醚、聚苯醚、聚硅氧、酚树脂、环氧树脂、丙烯酸酯、丙烯腈-丁二烯共聚物、聚酰亚胺、聚胺甲酸酯、聚烯、或其组合物。
在第一方面的一进一步实施例以及以上实施例中，热中子吸收剂层具有至少70微米的厚度。
在第一方面的一另外的实施例以及以上实施例中，热中子吸收剂层包含硼硅酸玻璃。
在第一方面的一实施例以及以上实施例中，热中子吸收剂层包含塑模化合物。
在第一方面的另一实施例以及以上实施例中，集合体更包括印刷电路板，其耦接至与膜层对立的集成电路。例如，集合体可更包括置于印刷电路板与集成电路之间的晶粒附接化合物。在一另外的实施例中，印刷电路板可包括纤维，其包含至少0.5％的热中子吸收剂。在另一实施例中，印刷电路板包括无电式硼-镍涂层。
在第二方面中，形成电子集合体的方法包括施配集成电路；将膜层沉积于集成电路上方，膜层具有至少50微米的厚度；以及将热中子吸收剂层置于膜层上方，热中子吸收剂层具有至少0.5％热中子吸收剂。
在第二方面的一实施例中，热中子吸收剂层包括热中子吸收剂玻璃层。
在第二方面的另一实施例以及以上实施例中，热中子吸收剂层包括塑模化合物。
在第二方面的一进一步实施例以及以上实施例中，本方法更包括将集成电路耦接至印刷电路板。
在第三方面中，集合体包括集成电路、置于集成电路上方并具有至少50微米厚度的膜层、以及包含至少0.5％热中子吸收剂的热中子吸收剂玻璃层。
在第三方面的一实施例中，热中子吸收剂玻璃层包括至少0.8％热中子吸收剂。例如，热中子吸收剂玻璃层可包括至少1.1％热中子吸收剂，例如：至少1.6％热中子吸收剂、或至少2.2％热中子吸收剂。
在第三方面的另一实施例以及以上实施例中，热中子吸收剂包括硼-10。
在第三方面的一进一步实施例以及以上实施例中，热中子吸收剂包括钆-157。
在第三方面的一另外的实施例以及以上实施例中，热中子吸收剂包括镉-113。
在第三方面的一实施例以及以上实施例中，膜层的厚度至少为60微米。例如，膜层的厚度可为至少70微米。
在第三方面的另一实施例以及以上实施例中，热中子吸收剂玻璃层具有至少70微米的厚度。例如，热中子吸收剂玻璃层可具有的厚度为至少100微米，例如：至少120微米。
在第三方面的一进一步实施例以及以上实施例中，热中子吸收剂玻璃层包含硼硅酸玻璃。
在第三方面的一另外的实施例以及以上实施例中，集合体更包括置于热中子吸收剂玻璃层上方的塑模化合物。例如，塑模化合物可包括至少0.5％的热中子吸收剂。
在第三方面的一实施例以及以上实施例中，集合体更包括印刷电路板，其耦接至与膜层对立的集成电路。例如，集合体可更包括置于印刷电路板与集成电路之间的晶粒附接化合物。在另一实施例中，印刷电路板包括纤维，其包含至少0.5％的热中子吸收剂。在一进一步实施例中，印刷电路板包括无电式硼-镍涂层。
在第四方面中，形成电子集合体的方法包括施配集成电路；将膜层沉积于集成电路上方，膜层具有至少50微米的厚度；以及将热中子吸收剂玻璃层置于膜层上方，热中子吸收剂玻璃层具有至少0.5％热中子吸收剂。
在第四方面的一实施例中，本方法更包括在热中子吸收剂玻璃层上方沉积塑模化合物。
在第四方面的另一实施例以及以上实施例中，本方法更包括将集成电路耦接至印刷电路板。
在第五方面中，集合体包括集成电路；置于集成电路上方并具有至少50微米厚度的膜层；以及置于膜层上方并包括至少0.5％热中子吸收剂的塑模化合物。
在第五方面的一实施例中，塑模化合物包括至少0.8％热中子吸收剂。例如，塑模化合物包括至少1.1％热中子吸收剂，例如：至少1.6％热中子吸收剂或至少2.2％热中子吸收剂。
在第五方面的另一实施例以及以上实施例中，膜层的厚度为至少60微米，例如：至少70微米、或至少100微米。
在第五方面的一另外的实施例以及以上实施例中，塑模化合物具有的厚度为至少160微米，例如：至少200微米。
在第五方面的一进一步实施例以及以上实施例中，塑模化合物包含选自由下列所组成群组的聚合物：聚酯、聚酰胺、聚苯硫醚、聚苯醚、聚硅氧、酚树脂、环氧树脂、丙烯酸酯、丙烯腈-丁二烯共聚物、聚酰亚胺、聚胺甲酸酯、聚烯、或其组合物。
在第五方面的一实施例以及以上实施例中，集合体更包括印刷电路板，其耦接至与膜层对立的集成电路。例如，集合体可更包括置于印刷电路板与集成电路之间的晶粒附接化合物。在另一实施例中，印刷电路板可包括纤维，其包含至少0.5％热中子吸收剂。在一另外的实施例中，印刷电路板包括无电式硼-镍涂层。
在第六方面中，形成电子集合体的方法包括施配集成电路；在集成电路上方形成膜层，膜层具有至少70微米的厚度；以及在膜层上方形成塑模化合物；塑模化合物包括至少0.5％热中子吸收剂。
在第六方面的一实施例中，本方法更包括将集成电路耦接至印刷电路板。
在第六方面的另一实施例以及以上实施例中，印刷电路板包括纤维，其具有至少0.5％热中子吸收剂。
在第六方面的一进一步实施例以及以上实施例中，将集成电路板耦接至印刷电路板包括利用含至少0.5％热中子吸收剂的晶粒附接化合物进行耦接。
在第七方面中，集合体包括集成电路；耦接至集成电路板的印刷电路板，印刷电路板包含热中子吸收剂纤维，热中子吸收剂纤维包括至少0.5％热中子吸收剂；以及置于集成电路与印刷电路板之间的晶粒附接化合物。
在第七方面的一实施例中，热中子吸收剂纤维包括至少0.8％热中子吸收剂。例如，热中子吸收剂纤维包括至少1.1％热中子吸收剂，例如：至少1.6％热中子吸收剂或至少2.2％热中子吸收剂。
在第七方面的另一实施例以及以上实施例中，印刷电路板的厚度为至少100微米。例如，印刷电路板的厚度可为至少170微米。
在第七方面的一进一步实施例以及以上实施例中，热中子吸收剂纤维包含硼硅酸玻璃。
在第七方面的一另外的实施例以及以上实施例中，集合体更包括置于集成电路上方的塑模化合物。在一实施例中，塑模化合物包含至少0.5％热中子吸收剂。
在第七方面的另一实施例以及以上实施例中，印刷电路板包括无电式硼-镍涂层。
在第八方面中，形成电子集合体的方法包括施配集成电路；以及利用晶粒附接化合物将集成电路耦接至印刷电路板，印刷电路板包括至少0.5％热中子吸收剂。
在第九方面中，集合体包括集成电路；耦接至集成电路板的印刷电路板，印刷电路板包括无电式硼-镍涂层；以及置于集成电路与印刷电路板之间的晶粒附接化合物。
要注意的是，以上一般性说明或实施例中所述的活动并非全都属于必要，一特定活动的一部分可能非属必要，并且除了已说明者，还可进行一或多项进一步活动。又再者，所列活动的顺序不一定是这些活动进行的顺序。
在前述说明书中，已引用特定具体实施例说明概念。然而，所属领域具备普通技术者了解的是，可进行各种修改及变更而未脱离本发明所附的权利要求书中所提的范围。因此，要将本说明书及特征视为描述性而非限制性含义，并且是意欲在本发明的范围内，包括所有此类修改。
如本文所用者，用语「包含」、「包括」、「具有」或任何其它其变体，是意欲用来涵盖非排它性内含物。例如，包含特征清单的程序、方法、物件、或设备不必然仅受限于那些特征，而是可包括未明确列示或此程序、方法、物件、或设备固有的其它特征。再者，除非明确对比说明，「或」是指含括性的或而非排它性的或。例如，下列任一个皆满足条件A或B：A为真(或存在)且B为假(或不存在)、A为假(或不存在)且B为真(或存在)、以及A与B两者皆为真(或存在)。
还有，「一」或「一个」的用途是用于说明所述元件及组件。这是为了方便而做，并且是要提供本发明范围的一般性含义。这项说明应解读成包括一或至少一个，并且单数也包括复数(除非明显另有所指)。
以上已参照特定具体实施例说明效益、其它优点、以及问题的解决方案。然而，不应将可能造成任何效益、优点、或解决方案出现或变为更明显的效益、优点、问题的解决方案、以及任何特征推断为任何或所有申请专利范围的关键、必要、或重要特征。
技术人员在阅读本说明书之后，将了解的是，为了要清楚，本文在各别具体实施例其内容中所述的特定特征也可用结合成单一具体实施例的方式予以提供。反之，为了简便起见，单一具体实施例其内容中所述的各项特征也可各别或用子组合的方式予以提供。再者，范围中所述值的参考包括此范围内的各及每一个值。

Claims (23)

1.一种集合体，其包含：
集成电路；
置于该集成电路上方并具有至少50微米厚度的膜层；以及
包含至少0.5％热中子吸收剂的热中子吸收剂层。
2.根据权利要求1所述的集合体，其中，该热中子吸收剂层包括至少0.8％热中子吸收剂。
3.根据权利要求1所述的集合体，其中，该热中子吸收剂包括硼-10。
4.根据权利要求1所述的集合体，其中，该膜层的厚度为至少60微米。
5.根据权利要求1所述的集合体，其中，该膜层包含选自由下列所组成群组的聚合物：聚酯、聚酰胺、聚苯硫醚、聚苯醚、聚硅氧、酚树脂、环氧树脂、丙烯酸酯、丙烯腈-丁二烯共聚物、聚酰亚胺、聚胺甲酸酯、聚烯、或其组合物。
6.根据权利要求1所述的集合体，其中，该热中子吸收剂层具有至少70微米的厚度。
7.根据权利要求1所述的集合体，其中，该热中子吸收剂层包含硼硅酸玻璃。
8.根据权利要求1所述的集合体，其中，该热中子吸收剂层包含塑模化合物。
9.根据权利要求1所述的集合体，其更包含耦接至与该膜层对立的该集成电路的印刷电路板。
10.根据权利要求9所述的集合体，其中，该印刷电路板包括含至少0.5％热中子吸收剂的纤维。
11.根据权利要求9所述的集合体，其中，该印刷电路板包括无电式硼-镍涂层。
12.一种形成电子集合体的方法，该方法包含：
施配集成电路；
在该集成电路上方沉积膜层，该膜层具有至少50微米的厚度；以及
将热中子吸收剂层置于该膜层上方，该热中子吸收剂层具有至少0.5％热中子吸收剂。
13.根据权利要求12所述的方法，其中，该热中子吸收剂层包括热中子吸收剂玻璃层。
14.根据权利要求12所述的方法，其中，该热中子吸收剂层包括塑模化合物。
15.根据权利要求12所述的方法，其更包含将该集成电路耦接至印刷电路板。
16.一种集合体，其包含：
集成电路；
置于该集成电路上方并具有至少50微米厚度的膜层；以及
包含至少0.5％热中子吸收剂的热中子吸收剂玻璃层。
17.根据权利要求16所述的集合体，其中，该热中子吸收剂包括硼-10。
18.根据权利要求16所述的集合体，其中，该膜层的厚度为至少60微米。
19.根据权利要求16所述的集合体，其中，该热中子吸收剂玻璃层具有至少70微米的厚度。
20.根据权利要求16所述的集合体，其中，该热中子吸收剂玻璃层包含硼硅酸玻璃。
21.根据权利要求16所述的集合体，其更包含置于该热中子吸收剂玻璃层上方的塑模化合物，该塑模化合物包含至少0.5％的热中子吸收剂。
22.根据权利要求16所述的集合体，其更包含耦接至与该膜层对立的该集成电路的印刷电路板，其中，该印刷电路板包括含至少0.5％热中子吸收剂的纤维。
23.根据权利要求22所述的集合体，其中，该印刷电路板包括无电式硼-镍涂层。
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