CN104617228B - 增透膜及其制备方法、有机电致发光装置及其制备方法 - Google Patents

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Abstract

本发明所述的一种增透膜，包括至少两层层叠设置的散射层，以及至少一层夹设在相邻所述散射层之间的密封层；散射层包括透光基底，以及散布在透光基底中的复合粒子；复合粒子包括球形内核，以及包覆内核表面的外覆膜。增透膜中散射层具有三元结构，折射率递减的内核、外覆膜与透光基底形成折射系统，有效改变光线的传输路径。所述有机电致发光装置，有机发光二极管的出光面上设置有增透膜，由于光线传输路径的大幅改变，能够有效减少全反射现象的发生，减少因全反射而导致的出射光透过率的损失，并有效改善侧视角的色坐标位移。本发明所述的增透膜的制备方法与所述的有机电致发光装置的制备方法，工艺简单、适合大规模工业生产应用。

Description

增透膜及其制备方法、有机电致发光装置及其制备方法
技术领域
本发明涉及显示领域，具体涉及一种增透膜及其制备方法、一种使用所述增透膜的有机电致发光装置及其制备方法。
背景技术
有机电致发光装置(英文全称为Organic Light-Emitting Display，简称为OLED)是主动发光器件。相比现有平板显示技术中薄膜晶体管液晶显示器(英文全称LiquidCrystal Display，简称LCD)、等离子体显示面板(英文全称Plasma Display Panel,简称PDP)，使用有机发光二极管的有机发光显示装置具有高对比度、广视角、低功耗、体积更薄等优点，有望成为下一代主流平板显示技术，是目前平板显示技术中受到关注最多的技术之一。
有机电致发光装置包括阵列排布的有机发光二极管，由于有机发光二极管的属于平面器件，发出的光不具有方向性，当其从高折射率的介质向低折射率的介质传播时，若出射角度过大，会在界面处发生全反射，导致出射效率降低，并且在侧视角会发生色移现象。
现有技术方案中，为了解决全反射现象的发生，在有机发光二极管之上设置折射率连续改变的增透膜，出射光经过薄膜时，光的传播方向被改变，可以控制出射光的入射角变小，从而减少全反射的发生，增加出光效率。尽管该方法在一定程度上能够减少全反射的发生，但是需要精确控制各层膜的折射率的变化以及膜厚，制造工艺难度较大，成本高。而且，无法改善侧视角的色移问题。
发明内容
为此，本发明所要解决的是现有增透膜无法同时解决由于全反射造成的出光效率低和侧视角色移的问题，以及工艺难度大、成本高的问题；从而提供一种不但能提高出光率、还能解决侧视角色移的增透膜，而且工艺简单、制备成本低。
为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案如下：
本发明所述的一种增透膜，包括至少两层层叠设置的散射层，以及至少一层夹设在相邻所述散射层之间的密封层；
所述散射层包括透光基底，以及散布在所述透光基底中的复合粒子；
所述复合粒子包括内核，以及包覆所述内核表面的外覆膜；
所述内核的折射率不小于所述外覆膜的折射率，所述外覆膜的折射率大于所述透光基底的折射率。
优选地，所述外覆膜的折射率大于1.5。
优选地，所述内核为含有钛或锌或硅的无机化合物中的至少一种。
优选地，所述内核为球形，粒径为0.1μm～2μm。
优选地，所述外覆膜为羟乙基纤维素、聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸羟乙酯中的一种或多种的组合，厚度为0.01μm～2μm。
优选地，所述透光基底为环氧树脂、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚甲基丙烯酸酯中的至少一种，厚度为1μm～20μm；不同所述散射层中的所述透光基底的厚度相同或不同。
优选地，所述密封层材料为金属氧化物、非金属氧化物、氮化物、碳化物中的至少一种，厚度为0.1μm～10μm；不同所述密封层的厚度相同或不同。
优选地，所述内核在所述增透膜中的含量为0.5wt％～50wt％。
本发明所述的增透膜的制备方法，包括如下步骤：
在内核外部包覆外覆膜形成复合粒子；
将复合粒子均匀掺杂在透光基底材料中，在衬底上形成散射层；
在散射层上形成若干间隔层叠设置的密封层和散射层，沿远离衬底方向的最外层为散射层。
优选地，
通过接枝聚合或原位聚合工艺在所述内核外部包覆所述外覆膜形成所述复合粒子；
通过共混掺杂工艺将所述复合粒子均匀掺杂在所述透光基底材料中，通过涂覆或打印工艺在衬底上形成所述散射层；
通过涂覆或化学气相镀膜工艺在所述散射层上形成密封层。
本发明所述的一种有机电致发光装置，包括基板，设置在基板上的若干同层阵列排布的有机发光二极管；还包括所述的增透膜，所述增透膜设置在所述有机发光二极管的出光面上。
所述基板与所述有机发光二极管之间还设置有包括驱动晶体管的驱动电路。
所述有机发光二极管与所述增透膜之间还设置有用于保护所述有机发光二极管的保护层。
优选地，所述保护层包括8-羟基喹啉锂层、N,N’-二苯基-N,N’-二(9-苯基-9H-咔唑-3-基)联苯-4’4-二胺层、LiF层中的至少一层。
本发明所述的一种有机电致发光装置的制备方法，包括如下步骤：
在基板上形成有机发光二极管；
以所述的增透膜的制备方法，在有机发光二极管的出光面上形成增透膜。
本发明的上述技术方案相比现有技术具有以下优点：
1、本发明所述的一种增透膜，包括至少两层层叠设置的散射层，以及至少一层夹设在相邻所述散射层之间的密封层；所述散射层包括透光基底，以及散布在所述透光基底中的复合粒子；所述复合粒子包括球形内核，以及包覆所述内核表面的外覆膜；所述内核的折射率不小于所述外覆膜的折射率，所述外覆膜的折射率大于所述透光基底的折射率；所述密封层的折射率与所述透光基底的折射率差值极小。所述的增透膜中散射层具有三元结构，折射率递减的内核、外覆膜与透光基底形成折射系统，有效改变光线的传输路径。
本发明所述有机电致发光装置，包括有机发光二极管，所述有机发光二极管的出光面上设置有所述增透膜，由于光线传输路径的大幅改变，能够有效减少全反射现象的发生，减少因全反射而导致的出射光透过率的损失，并有效改善侧视角的色坐标位移。
2、本发明所述的增透膜，所述散射层之间夹设的密封层，能有效阻止空气中的水氧通过。本发明所述的有机电致发光装置，所述有机发光二极管的出光面上设置有所述增透膜，能够有效阻止水氧进入所述有机电致发光装置，提高所述有机电致发光装置的使用寿命。
3、本发明所述的增透膜的制备方法，工艺简单、适合大规模工业生产应用。
4、本发明所述的有机电致发光装置的制备方法，通过简单工艺就可以实现提高出光率的目的，并解决侧视角色移的问题，能够有效降低生产成本，提高经济效益。
附图说明
为了使本发明的内容更容易被清楚的理解，下面根据本发明的具体实施例并结合附图，对本发明作进一步详细的说明，其中
图1是实施例1中所述增透膜的结构示意图；
图2是实施例1中所述复合粒子的结构示意图；
图3是实施例2中所述有机电致发光装置的结构示意图；
图4是实施例1中所述增透膜的制备流程图；
图5是实施例3中所述有机电致发光装置的结构示意图。
图中附图标记表示为：100-基板、110-缓冲层、200-驱动电路、211-沟道层、212-电容下电极、220-栅极绝缘层、231-栅极、232-电容上电极、240-层间绝缘层、251-源极、252-漏极、260-平坦化层、270-像素限定层、300-有机发光二极管、310-第一电极层、320-有机发光层、330-第二电极层、400-第一保护层、500-增透膜、510-散射层、520-密封层、600第二保护层。
具体实施方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。
本发明可以以许多不同的形式实施，而不应该被理解为限于在此阐述的实施例。相反，提供这些实施例，使得本公开将是彻底和完整的，并且将把本发明的构思充分传达给本领域技术人员，本发明将仅由权利要求来限定。在附图中，为了清晰起见，会夸大层和区域的尺寸和相对尺寸。应当理解的是，当元件例如层、区域或基板被称作“形成在”或“设置在”另一元件“上”时，该元件可以直接设置在所述另一元件上，或者也可以存在中间元件。相反，当元件被称作“直接形成在”或“直接设置在”另一元件上时，不存在中间元件。
实施例1
本实施例提供一种增透膜500，如图1所示，包括两层层叠设置的散射层510，以及一层夹设在相邻所述散射层510之间的密封层520；所述散射层510包括透光基底，以及散布在所述透光基底中的复合粒子。如图2所示，所述复合粒子包括球形内核511，以及包覆所述内核511表面的外覆膜512。
本实施例中，所述内核511为二氧化钛粒子，折射率为2.55～2.76，平均粒径为1μm；所述外覆膜512为聚苯乙烯，折射率为1.59，厚度为1μm；所述透光基底为聚甲基丙烯酸甲酯，折射率为1.48，厚度为10μm。所述密封层520为二氧化硅，折射率为1.42，厚度为1μm。
所述内核511在所述增透膜500中的含量为10wt％。
所述的增透膜500中散射层510具有三元结构，折射率递减的内核511、外覆膜512与透光基底形成多折射系统，能够有效改变光线的传输路径。所述散射层510之间夹设的无机材料制得的密封层520，能有效阻止空气中的水氧通过。
作为本发明的可变换实施例，所述内核511的折射率不小于所述外覆膜512的折射率，所述外覆膜512的折射率大于所述透光基底的折射率；所述外覆膜512的折射率大于1.5，所述内核511在所述增透膜500中的含量为0.5wt％～50wt％，均可以实现本发明的目的，属于本发明的保护范围。
所述内核511的粒径还可以为0.1μm～2μm，选自但不限于含有钛或锌或硅的无机化合物中的至少一种；所述外覆膜512选自但不限于羟乙基纤维素、聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸羟乙酯中的一种或多种的组合。所述外覆膜512的厚度还可以为0.01μm～2μm。
所述透光基底选自但不限于环氧树脂、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚甲基丙烯酸酯中的至少一种。所述透光基底的厚度为1μm～20μm，不同所述散射层510中的所述透光基底的厚度相同或不同。
所述密封层520的材料选自但不限于金属氧化物、非金属氧化物、氮化物、碳化物中的至少一种，例如密封层520可以为氧化硅层、氮化硅层、氮氧化硅层、氧化铝层中的一层或多层的堆叠结构。所述密封层520的厚度为0.1μm～10μm，不同所述密封层520的厚度相同或不同。
作为本发明可变化实施例，所述散射层510与所述密封层520的层数不限于此，所述散射层510至少为两层、所述密封层520至少为一层，所述增透膜500的最外侧均为散射层510即可实现本发明的目的，属于本发明的保护范围。
本实施例中，所述的增透膜500的制备方法，如图4所示，包括如下步骤：
S11、在内核511外部包覆外覆膜512形成复合粒子；本实施例优选地，通过接枝聚合或原位聚合工艺在所述内核511外部包覆所述外覆膜512形成所述复合粒子。
S12、将复合粒子均匀掺杂在透光基底材料中，在衬底上形成散射层510；本实施例优选地，通过共混掺杂工艺将所述复合粒子均匀掺杂在所述透光基底材料中，在衬底上形成所述散射层510，所述衬底选自但不限于任意支撑物。
S13、在散射层510上形成若干间隔层叠设置的密封层520和散射层510，沿远离衬底方向的最外层为散射层510；本实施例优选地，通过涂覆或化学气相镀膜工艺在所述散射层510上形成密封层520，再通过步骤S11和步骤S12相同的工艺在所述密封层520上形成散射层510。
若所述增透膜500为更多层结构，上述步骤交替进行即得之。
实施例2
本实施例提供一种有机电致发光装置，如图3所示，包括基板100，层叠设置在所述基板100上的驱动电路200、有机发光二极管300、第一保护层400、增透膜500以及第二保护层600。
所述基板100选自但不限于无碱玻璃、金属或柔性基板、所述柔性基板选自但不限于聚酰亚胺(PI)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚碳酸酯(PC)、聚醚酰亚胺(PEI)、聚醚砜(PES)中的一种，并具有优异的耐热性、耐久性以及合适的热膨胀系数。
所述有机发光二极管300结构同现有技术，至少包括第一电极层、有机发光层和第二电极层(为清晰起见，图中未示出)。
所述驱动电路200选自但不限于主动矩阵驱动电路、被动矩阵驱动电路，可根据显示需求确定，用于驱动所述有机发光二极管300。
所述第一保护层400设置在所述有机发光二极管300上，用于保护所述有机发光二极管，所述第一保护层400选自但不限于8-羟基喹啉锂层、N,N’-二苯基-N,N’-二(9-苯基-9H-咔唑-3-基)联苯-4’4-二胺层、LiF层中的至少一层，厚度为0.5nm～5nm。
所述增透膜500设置在所述有机发光二极管的出光面上，由于光线传输路径的大幅改变，能够有效减少全反射现象的发生，减少因全反射而导致的出射光透过率的损失，并有效改善侧视角的色坐标位移。
所述第二保护层600用于保护所述增透膜500，选自但不限于氧化硅(SiOx)，氮化硅(SiNx)和氧化铝等，厚度为0.1μm～5μm。
作为本发明的可变化实施例，当所述有机发光二极管的出光面靠近所述基板100设置时或者所述有机发光二极管的为双面发光器件时，所述增透膜500还可以直接设置在所述驱动电路200上或者直接设置在基板100上。
所述有机电致发光装置的制备方法，包括如下步骤：
S21、根据现有技术，在所述基板100上依次形成驱动电路200、有机发光二极管300以及保护层400。
S22、参照实施例1所述的增透膜的制备方法，在所述保护层400(即为衬底)上形成增透膜500。
S23、在所述增透膜500上形成第二保护层600。
实施例3
本实施例提供一种有机电致发光装置，如图5所示，包括基板100，层叠设置在所述基板100上的驱动电路200、有机发光二极管300、第一保护层400、增透膜500以及第二保护层600。
所述驱动电路200为主动式有源驱动阵列，对应每一个所述有机发光二极管300至少包括两个薄膜晶体管(清晰起见，图中仅示出一个)和一个电容。
本实施例中，所述薄膜晶体管优选为顶栅结构的低温多晶硅薄膜晶体管，包括层叠设置的多晶硅层211、栅极绝缘层220、栅极231、层间绝缘层240，以及源漏电极层251、252，所述源漏电极层中的源极251与漏极252通过贯通所述栅极绝缘层220和所述层间绝缘层240的通孔与所述多晶硅层两端的高掺杂区域接触连接。
为了有效防止基板100中杂质离子扩散，影响薄膜晶体管的性能，所述基板100上还直接设置有缓冲层110。
所述电容包括与所述多晶硅层211同层形成的电容下极板212，与所述栅极231同层形成的电容上极板232，以及由夹设在所述电容下极板212与所述电容上极板232之间的栅极绝缘层220形成的电容介质层。
本实施例中，所述有机电致发光装置为三基色显示装置，即包括若干同层阵列排布的红光、绿光、蓝光三种发光颜色的有机发光二极管，所述有机发光二极管300＝的结构为ITO/Ag/ITO(第一电极层，10nm/120nm/10nm)/CuPc(空穴注入层，60nm)/TPD(空穴传输层，35nm)/有机发光层/Alq3(电子传输层，35nm)/Mg/Ag(第二电极层，5nm/20nm)。其中有机发光层的结构分别为：CBP掺杂Ir(piq)3(红色发光层，50nm)，TCTA掺杂Ir(ppy)3(绿色发光层，45nm)，CBP掺杂FIrpic(蓝色发光层，45nm)，分别对应于红绿蓝发光子像素。
所述有机电致发光装置的制备方法同现有技术，其中所述增透膜500的结构及其制备方法同实施例1。
对比例
本对比例提供一种有机电致发光装置，其结构与制备方法同实施例3，不同的是，未设置增透膜500。
测试例
1、采用分光光度计(购自Photo Research，型号为PR-705)对有机发光显示装置进行CIE(色坐标)偏移测试，具体是测试屏体从0度旋转至75度视角时色坐标的最大偏移量。
2、采用分光光度计(购自Photo Research，型号为PR-705)对有机发光显示装置进行白场效率测试，计算公式如下：
白场效率＝(显示装置屏体发白光时得到亮度×发光区面积)/屏体消耗的电流值，从上述公式也可以看出，白场效率值越高产品越节能。
测试数据如下表所示：
Δu’v’ 有机发光二极管白场效率
实施例3 0.030 5.4cd/A
对比例 0.045 3.8cd/A
从上述数据可以看出，实施例3与对比例相比较，侧视角的色偏减小，并且白场的发光效率增加。
显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本发明的保护范围之中。

Claims (15)

1.一种增透膜，其特征在于，包括至少两层层叠设置的散射层，以及至少一层夹设在相邻所述散射层之间的密封层；
所述散射层包括透光基底，以及散布在所述透光基底中的复合粒子；
所述复合粒子包括内核，以及包覆所述内核表面的外覆膜；
所述内核的折射率不小于所述外覆膜的折射率，所述外覆膜的折射率大于所述透光基底的折射率。
2.根据权利要求1所述的增透膜，其特征在于，所述外覆膜的折射率大于1.5。
3.根据权利要求1或2所述的增透膜，其特征在于，所述内核为含有钛或锌或硅的无机化合物中的至少一种。
4.根据权利要求3所述的增透膜，其特征在于，所述内核为球形，粒径为0.1μm～2μm。
5.根据权利要求1或2所述的增透膜，其特征在于，所述外覆膜为羟乙基纤维素、聚苯乙烯、聚甲基丙烯酸羟乙酯中的一种或多种的组合，厚度为0.01μm～2μm。
6.根据权利要求1或2所述的增透膜，其特征在于，所述透光基底为环氧树脂、聚碳酸酯、聚酰亚胺、聚甲基丙烯酸酯中的至少一种，厚度为1μm～20μm；不同所述散射层中的所述透光基底的厚度相同或不同。
7.根据权利要求1或2所述的增透膜，其特征在于，所述密封层材料为金属氧化物、非金属氧化物、氮化物、碳化物中的至少一种，厚度为0.1μm～10μm；不同所述密封层的厚度相同或不同。
8.根据权利要求1或2或4所述的增透膜，其特征在于，所述内核在所述增透膜中的含量为0.5wt％～50wt％。
9.一种权利要求1-8任一项所述的增透膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
在内核外部包覆外覆膜形成复合粒子；
将复合粒子均匀掺杂在透光基底材料中，在衬底上形成散射层；
在散射层上形成若干间隔层叠设置的密封层和散射层，沿远离衬底方向的最外层为散射层。
10.根据权利要求9所述的增透膜的制备方法，其特征在于，
通过接枝聚合或原位聚合工艺在所述内核外部包覆所述外覆膜形成所述复合粒子；
通过共混掺杂工艺将所述复合粒子均匀掺杂在所述透光基底材料中，通过涂覆或打印工艺在衬底上形成所述散射层；
通过涂覆或化学气相镀膜工艺在所述散射层上形成密封层。
11.一种有机电致发光装置，包括基板，设置在基板上的若干同层阵列排布的有机发光二极管；其特征在于，还包括权利要求1-8任一所述的增透膜，所述增透膜设置在所述有机发光二极管的出光面上。
12.根据权利要求11所述的有机电致发光装置，其特征在于，所述基板与所述有机发光二极管之间还设置有包括驱动晶体管的驱动电路。
13.根据权利要求11或12所述的有机电致发光装置，其特征在于，所述有机发光二极管与所述增透膜之间还设置有用于保护所述有机发光二极管的保护层。
14.根据权利要求13所述的有机电致发光装置，其特征在于，所述保护层包括8-羟基喹啉锂层、N，N’-二苯基-N，N’-二(9-苯基-9H-咔唑-3-基)联苯-4’4-二胺层、LiF层中的至少一层。
15.一种有机电致发光装置的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
在基板上形成有机发光二极管；
以权利要求9或10所述的增透膜的制备方法，在有机发光二极管的出光面上形成增透膜。
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Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN110534543A (zh) * 2018-05-23 2019-12-03 上海和辉光电有限公司 一种像素结构及显示面板
CN109461827A (zh) * 2018-08-29 2019-03-12 云谷（固安）科技有限公司 一种柔性显示面板和显示装置
CN109466230B (zh) * 2018-10-17 2021-05-04 苏州扬子江新型材料股份有限公司 耐磨耐刮变色龙彩涂板及其制备方法
CN110707233B (zh) 2019-09-16 2021-02-23 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及显示装置

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2739102B2 (ja) * 1994-05-13 1998-04-08 セイコープレシジョン株式会社 バックライト用ｅｌ
US20050104075A1 (en) * 2003-04-16 2005-05-19 Evans Allan K. Feedback and coupling structures and methods
JP4622472B2 (ja) * 2004-11-16 2011-02-02 コニカミノルタオプト株式会社 防眩性反射防止フィルム、防眩性反射防止フィルムの製造方法、偏光板及び表示装置
JP5757673B2 (ja) * 2007-07-31 2015-07-29 日揮触媒化成株式会社 透明被膜付基材および透明被膜形成用塗料
CN101672935B (zh) * 2008-09-08 2012-05-30 明基材料股份有限公司 抗眩薄膜及其制作方法
JP5520752B2 (ja) * 2010-09-01 2014-06-11 株式会社日立製作所 粘着シート，粘着シートを用いた光学部材，有機発光素子および照明装置並びにそれらの製造方法
KR101892711B1 (ko) * 2011-12-28 2018-08-29 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
JP6137807B2 (ja) * 2012-11-12 2017-05-31 キヤノン株式会社 反射防止膜を有する光学素子、光学系および光学機器
JP2014202853A (ja) * 2013-04-03 2014-10-27 凸版印刷株式会社 反射防止フィルム、反射防止フィルム付偏光板および透過型液晶ディスプレイ

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